專利名稱：被加工基板、其制造方法及光阻圖案的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成有電子束光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板(加工用前驅(qū)體基板)、所述被加工基板的制造方法及采用了所述被加工基板來進(jìn)行的光阻圖案的形成方法，所述被加工基板具有金屬膜或金屬化合物膜，所述金屬膜或金屬化合物膜是通過電子束光刻法(lithography)進(jìn)行微細(xì)加工而成；本發(fā)明特別涉及一種空白光罩(photo mask blank (光罩基材))，其形成有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述空白光罩用以制造光罩，所述光罩是用于半導(dǎo)體集成電路、(XD(電荷耦合組件)、IXD (液晶顯示組件)用濾色片、磁頭等的微細(xì)加工中。
背景技術(shù)：
近年來，在進(jìn)行半導(dǎo)體加工時(shí)，特別因?yàn)榇笠?guī)模集成電路的高集成化，因而越來越必須使電路圖案微細(xì)化，而越來越需要提高線路圖案的細(xì)線化技術(shù)和接觸孔圖案的微細(xì)化技術(shù)，所述線路圖案用以構(gòu)成電路，所述接觸孔圖案用于層間的線路，所述層用以構(gòu)成單元。因此，在制造光罩時(shí)也尋求一種技術(shù)，所述技術(shù)可隨著所述微細(xì)化來更微細(xì)且正確地形成電路圖案，所述光罩在光刻法中使用且形成有電路圖案，所述光刻法用以形成此等線路圖案和接觸孔圖案。然而，上述光罩的加工步驟，一般通過以下方法來進(jìn)行在幾乎不會(huì)吸收用以進(jìn)行曝光的光線的透明基板和相反地反射用以進(jìn)行曝光的光線的基板上，在形成有遮光膜和相移(phase shift)膜等光學(xué)膜的空白光罩上形成光阻膜，然后進(jìn)行電子束照射，而形成光阻圖案，并且通過蝕刻來將光阻圖案轉(zhuǎn)移至所述遮光膜和相移膜。此加工步驟中所進(jìn)行的通過照射電子束來形成光阻圖案，必須在極為正確的位置進(jìn)行，但是由于通常所使用的光阻膜是絕緣物，所以有時(shí)在光阻膜會(huì)發(fā)生電荷蓄積(充電 (charge up))。而且，受到此充電的影響，而使照射在空白光罩表面上的電子束偏移，以致于所形成的光阻圖案的位置稍微偏離，即成為光阻圖案的精度降低的原因。因?yàn)橥ㄟ^電子束在光阻膜上形成圖案時(shí)會(huì)發(fā)生充電，為了防止所述充電，已知在光阻膜上設(shè)置導(dǎo)電性聚合物層后，才照射電子束的方法相當(dāng)有效，例如日本特開平 8-109351號(hào)公報(bào)和日本特開2006-117925號(hào)公報(bào)公開一種方法，其即便在化學(xué)增幅型光阻上也可適用。電子束光刻法，在目前為止的空白光罩的加工中也是常用技術(shù)，但是如以上所述的充電的問題，不采取于光阻膜上設(shè)置有機(jī)導(dǎo)電性膜的方法，而通常采取以下方法通過使空白光罩的表層的無機(jī)薄膜具有某種程度的導(dǎo)電性，而透過所述表層的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來將光阻膜的充電去除。S卩，一般來說，當(dāng)消除電子束掃描中的空白光罩表面帶電時(shí)，采取以下方法在空白光罩的端部附近的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜表面進(jìn)行接地，來將進(jìn)行掃描中的逐漸蓄積在空白光罩表面的電荷去除，而防止充電，所述空白光罩被裝設(shè)于臺(tái)座。然而，如以上所述，由于隨著光罩圖案的微細(xì)化的進(jìn)展與提高照射電子束時(shí)的通量(throughput)的要求，描繪光阻圖案時(shí)所使用的電子束照射，朝向以下方向進(jìn)行以可獲得更高的分辨性(分辨率)的方式來提高加速電壓，并且為了防止由此所造成的感度降低，而提高每單位面積的電流量。此每單位面積的電流量的增加，會(huì)使所述的充電的問題更容易發(fā)生，且只是從光阻膜底部透過空白光罩的表層來去除靜電，已逐漸變得不充分。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述原因而提出的，其目的在于提供一種被加工基板，可高效地去除靜電，并且即便進(jìn)行高電流密度的電子束照射，也可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案。為了解決所述問題，本發(fā)明人嘗試過以下方式后，仍然無法獲得充分的除靜電效果在進(jìn)行空白光罩的光刻法時(shí)，以即便每單位面積的電流量增加也不會(huì)發(fā)生充電的方式， 于空白光罩上形成電子束用光阻膜，進(jìn)一步形成有機(jī)導(dǎo)電性膜后，從有機(jī)導(dǎo)電性膜上進(jìn)行接地，并通過照射電子束來進(jìn)行圖案形成，所述空白光罩在表層具有作為導(dǎo)電性無機(jī)薄膜的鉻材料膜。此外，在形成有機(jī)導(dǎo)電性膜后，嘗試將進(jìn)行接地的部分的有機(jī)導(dǎo)電性膜和電子束用光阻膜予以剝離，并從鉻材料膜直接進(jìn)行接地，但是此時(shí)也無法獲得充分的效果。于是，本發(fā)明人，基于上述嘗試無法獲得充分的效果的原因是未有效率地進(jìn)行去除靜電的作業(yè)假設(shè)，利用以下方式來進(jìn)行接地后，結(jié)果發(fā)現(xiàn)可充分進(jìn)行去除靜電，而完成本發(fā)明在被加工基板的被加工面，設(shè)置使電子束用光阻膜的上表面與下表面的2個(gè)導(dǎo)電性膜直接接觸的區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明，提供一種層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序?qū)盈B有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板上具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來作為表層，其特征在于在所述被加工基板的被加工面，具有前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。這樣的被加工基板，其層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜一部分直接接觸的區(qū)域，所述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與所述有機(jī)導(dǎo)電性膜是位于電子束用光阻膜的上下方，而形成經(jīng)降低在導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜之間的電荷移動(dòng)的電阻的構(gòu)成，并且即便進(jìn)行高電流密度的電子束照射，不只從電子束用光阻膜的基板側(cè)，也從表面?zhèn)冗M(jìn)行去除靜電，而可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案。此外，前述被加工基板，其層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，優(yōu)選在前述被加工基板的被加工面，具有經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域。這樣的話，因?yàn)榍笆霰患庸せ?，其層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，在前述被加工基板的被加工面，具有經(jīng)使所述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域(導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出的區(qū)域)，因而有利于因?yàn)檠b置上的要求等而從無機(jī)導(dǎo)電性膜上進(jìn)行接地的情形， 并且可防止運(yùn)送中的發(fā)塵。此外，優(yōu)選經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域，以一定寬度而被設(shè)置于前述被加工基板的被加工面的比被加工面與被加工基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，且被設(shè)置于周圍，前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接接觸的區(qū)域，以規(guī)定寬度來周狀地設(shè)置于前述被加工面的比所述一定寬度的周圍區(qū)域更內(nèi)側(cè)。如果是這樣的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，就可制作成一種被加工基板，其在被加工基板的被加工面具有以下區(qū)域有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜的一部分，以規(guī)定寬度來周狀地直接接觸的區(qū)域、及導(dǎo)電性無機(jī)薄膜在其外側(cè)露出表面的區(qū)域，故可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案，并且可更簡(jiǎn)便地設(shè)置接地、或是防止運(yùn)送中的發(fā)塵。此外，前述以規(guī)定寬度來周狀地設(shè)置的前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接接觸的區(qū)域的寬度，優(yōu)選在0. 3mm以上。這樣的話，因?yàn)橐砸?guī)定寬度來周狀地設(shè)置的有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接接觸的區(qū)域的寬度是0. 3mm以上，而可更可靠地使電荷在有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜之間移動(dòng)。此外，前述被加工基板優(yōu)選是空白光罩。這樣的話，被加工基板可舉例如空白光罩。一般，光罩的加工步驟中所進(jìn)行的通過照射電子束來形成光阻圖案，必須在極為正確的位置進(jìn)行，故可有效地使用空白光罩，來作為本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板。此外，在本發(fā)明中，提供一種光阻圖案的形成方法，其特征在于使用前述層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，來從前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜或前述有機(jī)導(dǎo)電性膜上進(jìn)行接地，并使用電子束來對(duì)前述被加工基板上的電子束用光阻膜進(jìn)行圖案照射， 所述電子束，每單位時(shí)間具有l(wèi)OA/cm2以上的電流密度。對(duì)本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，如以上所述進(jìn)行接地并進(jìn)行電子束的圖案照射，由此，即便通過高電流密度的每單位時(shí)間是lOA/cm2以上的電流密度的條件來進(jìn)行電子束照射，也不會(huì)發(fā)生充電，而能以可容許的通量來進(jìn)行高精度的圖案照射。此外，在本發(fā)明中，提供一種層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法，其于被加工基板上至少依序設(shè)置電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來作為表層，所述制造方法的特征在于至少包括以下步驟(1)于前述被加工基板的整個(gè)面上形成電子束用光阻膜，并將所述電子束用光阻膜的一部分去除，由此來設(shè)置使所述被加工基板的表層的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面的區(qū)域的步驟；(2)于層疊有前述經(jīng)將一部分去除后的電子束用光阻膜的被加工基板的整個(gè)面， 形成前述有機(jī)導(dǎo)電性膜的步驟；并且，所述制造方法制造出以下的被加工基板在前述被加工基板的被加工面，于將前述電子束用光阻膜的一部分去除來使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域內(nèi)，具有前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。這樣的話，設(shè)置將所形成的電子束用光阻膜的一部分去除來使被加工基板的表層的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面的區(qū)域，然后于被加工基板的整個(gè)面上形成有機(jī)導(dǎo)電性膜，而可膜厚均勻性良好地形成導(dǎo)電性無機(jī)薄膜及有機(jī)導(dǎo)電性膜，并且可更簡(jiǎn)便地制造一種被加工基板，其具有有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。此外，前述(1)的步驟中的電子束用光阻膜的去除，優(yōu)選是在前述被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第一一定寬度來進(jìn)行，且是在基板周圍進(jìn)行。這樣的話，將(1)的步驟中的電子束用光阻膜的去除，在被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第一一定寬度來進(jìn)行，且在基板周圍進(jìn)行，而可在后續(xù)步驟中，設(shè)置所成膜的有機(jī)導(dǎo)電性膜與被加工基板的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。此外，在形成所有的膜后，當(dāng)運(yùn)送等的情況，與保持裝置和夾具(jig) 接觸時(shí)，為了防止發(fā)塵，優(yōu)選是這樣地沿著基板的端部外周，以一定寬度來周狀地將電子束用光阻膜去除。此外，優(yōu)選在前述O)的步驟后，在前述被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第二一定寬度來周狀地將前述有機(jī)導(dǎo)電性膜去除，來使前述第二一定寬度成為比前述第一一定寬度更窄0. 3mm以上的寬度，而于前述被加工基板的被加工面，于比經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域更內(nèi)側(cè)，設(shè)置前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。這樣的話，在O)的步驟后，在被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第二一定寬度來周狀地將有機(jī)導(dǎo)電性膜去除，且使第二一定寬度成為比第一一定寬度更窄0. 3mm以上的寬度，而可于被加工基板的被加工面，于比經(jīng)使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域更內(nèi)側(cè)，設(shè)置有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域；并且，可設(shè)置一種構(gòu)造，所述構(gòu)造可可靠地使電荷在有機(jī)導(dǎo)電性膜與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜間移動(dòng)。本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，由于在被加工基板的被加工面，具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜一部分直接接觸的區(qū)域，前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與前述有機(jī)導(dǎo)電性膜是位于電子束用光阻膜的上下方，而降低在導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜之間的電荷移動(dòng)的電阻，故即便進(jìn)行高電流密度的電子束照射，不只從光阻的基板側(cè)，也從表面?zhèn)冗M(jìn)行去除靜電，而可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案。


圖1是表示本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的一例的圖。圖2是說明本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法的流程圖。圖3是表示本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的另一例子的圖。圖4中的(a)是實(shí)施例中的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的部分剖面圖，圖4中的(b)是比較例中的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的部分剖面圖。圖5是表示實(shí)施例及比較例中所使用的設(shè)計(jì)描繪圖案的圖。圖6是表示實(shí)施例及比較例中所得的圖案的圖。
具體實(shí)施例方式以下，更具體說明本發(fā)明。本發(fā)明的被加工基板，例如有空白光罩，其用以制造光罩的材料；半導(dǎo)體加工中間體，其由硅芯片所制得，所述硅芯片用以制造半導(dǎo)體裝置；及納米壓印(nanoimprint)用
7的基板。這些被加工基板是在表層具有無機(jī)薄膜的被加工基板，目前為止，具有可通過接地來將由照射電子束所產(chǎn)生的電荷去除的程度的導(dǎo)電性(由于此處所謂導(dǎo)電性是指可失去電荷的程度的導(dǎo)電性，故將具有作為薄片電阻的100ΜΩ/ □左右以下的電阻率的性質(zhì)稱為導(dǎo)電性)。通常，當(dāng)對(duì)具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜的被加工基板上的電子束用光阻膜，以電子束來進(jìn)行圖案照射，而獲得光阻圖案時(shí)，由于電子束用光阻膜這類的有機(jī)膜的導(dǎo)電性低，故將電子束用光阻膜的一部分去除，使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后，并從前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接進(jìn)行接地，而透過前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜，來將電子束用光阻膜中所產(chǎn)生的電荷進(jìn)行去除靜電，由此，以使電子束用光阻膜不充電的方式來進(jìn)行處理。另一方面，如以上所述，由于如果為了獲得更高分辨性而在進(jìn)行電子束照射時(shí)增加加速電壓，就會(huì)顯現(xiàn)光阻的感度降低的傾向，故采用一種方法，所述方法以即便增大加速電壓也不會(huì)使通量降低的方式，來增加同時(shí)照射的電子束的照射密度。目前，電子束光刻法所期待的形成光阻圖案時(shí)的圖案的最小線寬，依據(jù)形狀的不同，也有想要達(dá)到50nm以下的情形，但是這種情形，采用以下條件，例如電子束的加速電壓是50kV、照射電流密度是 40A/cm2以上。然而，如果形成例如IOOnm左右的光阻膜并進(jìn)行如所述條件的電子束照射， 由于所要求的圖案的不同，有時(shí)會(huì)難以完全防止充電。本發(fā)明人，為了更有效地防止充電，基于必須提高去除靜電的效率的作業(yè)假設(shè)，來研究可從電子束用光阻膜的上表面與下表面更有效率地進(jìn)行去除靜電的機(jī)構(gòu)后，結(jié)果想到可通過以下方式，來從電子束用光阻膜的上表面與下表面的兩面更有效率地進(jìn)行去除靜電在被加工基板的被加工面，形成導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜一部分直接接觸的構(gòu)造，前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與前述有機(jī)導(dǎo)電性膜夾住導(dǎo)電性低的電子束用光阻膜，而將導(dǎo)電性無機(jī)薄膜或有機(jī)導(dǎo)電性膜進(jìn)行接地。以下詳述此種被加工基板，其具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜一部分直接接觸的構(gòu)造。本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，如圖1所示，在被加工基板2上至少依序?qū)盈B有電子束用光阻膜3和有機(jī)導(dǎo)電性膜4，所述被加工基板2具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1來作為表層，在被加工基板2的被加工面2，，具有有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1一部分直接接觸的區(qū)域加。這樣的話，如果以導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4 一部分直接接觸的方式來構(gòu)成，所述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與所述有機(jī)導(dǎo)電性膜4位于電子束用光阻膜3的上下方，就可形成經(jīng)降低在導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4之間的電荷移動(dòng)的電阻的結(jié)構(gòu)，并且即便進(jìn)行高電流密度的電子束照射，不只從電子束用光阻膜3的基板側(cè)，也從表面?zhèn)冗M(jìn)行去除靜電，故可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案。本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜3和有機(jī)導(dǎo)電性膜4的被加工基板2，只要如以上所述，在被加工基板2的被加工面2’，具有有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1 一部分直接接觸的區(qū)域2a，就無特別限定，可如圖1所示，在被加工基板2的被加工面2’，具有使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1露出表面后的區(qū)域2b。這樣的話，如果設(shè)置有使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1露出表面后的區(qū)域2b (導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1露出的區(qū)域)，當(dāng)必須從導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1上進(jìn)行接地時(shí)和想要強(qiáng)力地防止運(yùn)送中的發(fā)塵時(shí)，特別有效。此使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1露出表面后的區(qū)域2b，能以一定寬度而被設(shè)置于被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與被加工基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)，且被設(shè)置于周圍；有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1直接接觸的區(qū)域2a，能以規(guī)定寬度而被周狀地設(shè)置于被加工面2’的比前述一定寬度的周圍區(qū)域更內(nèi)側(cè)。此外，有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1直接接觸的區(qū)域加的寬度，在0. 3mm 以上，由此，可可靠地使電荷在有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1之間移動(dòng)。其次，說明本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法。此處，一般來說，當(dāng)在被加工基板上形成光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜時(shí)，在被加工基板的被加工面的整個(gè)面上涂布光阻膜。由于依據(jù)涂布方法的不同，也可制作不涂布的區(qū)域，故也可采用一種方法，所述方法在所限定范圍內(nèi)形成光阻膜后，在被加工面的整個(gè)面上形成有機(jī)導(dǎo)電性膜。然而，簡(jiǎn)便且膜厚均勻性良好地形成導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜而制作導(dǎo)電性無機(jī)薄膜與有機(jī)導(dǎo)電性膜一部分直接接觸的構(gòu)造的方法，能利用以下方式進(jìn)行。圖2表示說明本發(fā)明的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法的流程圖。首先，在被加工基板2的被加工面2’上的整個(gè)面，涂布電子束用光阻膜3，所述被加工基板2具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1作為表層(圖2中的(a))。為了形成具有均勻膜厚的電子束用光阻膜3，最適合進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布，但是也可使用掃描涂布等替代方法。此處，電子束用光阻膜3利用將電子束用光阻膜形成用組成物溶液涂布在被加工基板2的整個(gè)面上來形成，但是涂布所使用的過剩的溶劑，可在涂布后立刻加熱去除，也可在隨后將電子束用光阻膜3的一部分去除后，再加熱去除。此外，涂布條件和涂布后的加熱條件等是使用分別最適于所使用的光阻的推薦條件。其次，為了在被加工基板2的被加工面2’，制作導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜 4接觸的區(qū)域，而將所形成的電子束用光阻膜3的一部分去除(圖2中的(b))。此處，將電子束用光阻膜3去除，最容易的方法是以可溶解電子束用光阻膜3的有機(jī)溶劑來進(jìn)行。將此所涂布的電子束用光阻膜3的一部分去除，可參考以下來進(jìn)行，例如基板端部的光阻去除方法(例如日本特開2005-286208號(hào)公報(bào)、日本特開2008-46650號(hào)公報(bào)等)，所述方法有時(shí)是為了防止空白光阻在運(yùn)送中發(fā)塵而進(jìn)行。將電子束用光阻膜3去除的區(qū)域，當(dāng)在最窄的范圍內(nèi)進(jìn)行時(shí)，只要具有足以進(jìn)行接地的大小即可，可以是例如5mm見方左右。然而，例如當(dāng)被加工基板2如空白光罩呈現(xiàn)四邊形時(shí)，從作業(yè)性的問題來看，對(duì)擴(kuò)大接觸面積且擴(kuò)大可進(jìn)行圖案加工的區(qū)域來說，優(yōu)選的方法是沿著被加工基板2的至少一邊以一定寬度來去除的方法。此外，在如以上所述形成所有的膜后，當(dāng)運(yùn)送等情況而與保持裝置、夾具等接觸時(shí)，為了防止發(fā)塵，優(yōu)選預(yù)先在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與被加工基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)， 以一定寬度(以下稱為第一一定寬度)即沿著被加工基板2的端部外周來周狀地去除。例如此周狀區(qū)域的寬度優(yōu)選1. 3mm 2. 5mm。將電子束用光阻膜3去除時(shí)所使用的溶劑，可使用已知的任何溶劑，可優(yōu)選使用例如作為光阻溶劑使用的丙二醇單烷基醚類、丙二醇單烷基醚酯類和乳酸酯類。其它還可使用聚氧乙撐烷基醚類；聚氧乙撐烷基烯丙基醚類；單脂肪酸酯類；丙酮、甲基丁基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己酮等酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯等酯類等。此外，此等可混合使用，也可進(jìn)一步加入表面活性劑等添加劑。然后，從被加工面2’及電子束用光阻膜3的上方，將有機(jī)導(dǎo)電性膜形成用組成物涂布于被加工基板2的整個(gè)面上，來形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4，所述被加工面2’經(jīng)進(jìn)行前述一部分電子束用光阻膜3的去除操作(圖2中的(C))。這樣進(jìn)行成膜，在通過所述操作而在被加工基板2的被加工面2’，在經(jīng)將電子束用光阻膜3去除后的區(qū)域，設(shè)置導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的區(qū)域加。此外，此導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4 直接接觸的區(qū)域，由于只要具有一定值以上的寬度就可獲得效果，故可將導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1 與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的區(qū)域內(nèi)的一部分的有機(jī)導(dǎo)電性膜4去除，前述有機(jī)導(dǎo)電性膜 4通過形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4而形成在經(jīng)將電子束用光阻膜3去除后的區(qū)域。于是，當(dāng)因?yàn)檠b置上的要求等而必須從導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1上進(jìn)行接地時(shí)、或是如上想要強(qiáng)力地防止運(yùn)送中的發(fā)塵時(shí)，在通過所述操作而被形成于被加工基板的整個(gè)面上的有機(jī)導(dǎo)電性膜4中，在形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4以前，預(yù)先在經(jīng)將電子束用光阻膜3去除后的區(qū)域內(nèi)，將有機(jī)導(dǎo)電性膜4的一部分去除，即將導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的部分的一部分去除，而以殘留導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的區(qū)域加的形式，在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與被加工基板側(cè)面2”相交的假想線 L更內(nèi)側(cè)，以一定寬度，周狀地沿著被加工基板2的端部外周，形成導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域2b(圖2中的(d))。當(dāng)進(jìn)行此有機(jī)導(dǎo)電性膜4的去除操作時(shí)，由于如果進(jìn)行去除直到最接近形成有電子束用光阻膜3的區(qū)域的外周為止，在從電子束用光阻膜3的區(qū)域至經(jīng)將電子束用光阻膜3 去除后的區(qū)域的高低差部分，有機(jī)導(dǎo)電性膜4的膜厚就會(huì)變得非常薄，而有會(huì)發(fā)生短路、或降低去除靜電效率的危險(xiǎn)，故優(yōu)選利用以下方式去除至少使具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的區(qū)域加的最大寬度的部分，在被加工面2’的外側(cè)方向，距離電子束用光阻膜3的端部不會(huì)成為0. 3mm以下。特別是，當(dāng)除去被加工基板2的外周部的有機(jī)導(dǎo)電性膜4，作為前述的防塵處理時(shí)，如果在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與被加工基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)，以第一一定寬度沿著基板端部外周來周狀地將電子束用光阻膜3去除，則在將有機(jī)導(dǎo)電性膜4涂布于整個(gè)面后，以比第一一定寬度更小的第二一定寬度，在被加工基板2 的被加工面2’的比被加工面2’與被加工基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)，沿著基板端部外周來周狀地將電子束用光阻膜3去除，就會(huì)殘留導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4 直接接觸的區(qū)域加。此處，優(yōu)選是第二一定寬度是比第一一定寬度更小0.3mm以上的值。 這樣進(jìn)行，可設(shè)置容易使電荷在有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1之間移動(dòng)的構(gòu)造。如以上所述將有機(jī)導(dǎo)電性膜4去除，可參考所述的電子束用光阻膜3的去除方法， 配合形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4的材料來選擇溶劑而進(jìn)行。所使用的溶劑，基本上是有機(jī)導(dǎo)電性膜形成用組成物溶液的溶劑，但是，一般來說，在水、或水與有機(jī)溶劑的混合物中，進(jìn)一步加入用以促進(jìn)溶解的酸/堿化合物和表面活性劑等來調(diào)制。此外，使用圖3來簡(jiǎn)單說明特殊情形，所述特殊情形例如前述的電子束用光阻膜 3是多層光阻法用的電子束用光阻膜3。當(dāng)使用多層光阻法時(shí)，在被加工基板2與電子束用光阻膜3之間插入加工輔助膜5 (例如日本特開2008-70881號(hào)公報(bào))。此膜是以在與電子束光阻組成物之間不會(huì)發(fā)生互混(intermixing)的方式來進(jìn)行成膜。于是，當(dāng)插入這樣的加工輔助膜5時(shí)，在被加工基板的整個(gè)面上形成加工輔助膜5后，于涂布電子束用光阻膜3 前，必須預(yù)先將加工輔助膜5的一部分去除，來將導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1與有機(jī)導(dǎo)電性膜4直接接觸的區(qū)域加開通。此外，優(yōu)選使將此加工輔助膜5去除的區(qū)域與將電子束用光阻膜3 去除的區(qū)域一致，但是即便在不會(huì)對(duì)圖案形成造成阻礙的程度內(nèi)偏離，也無特別的問題。但是，為了制作有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1更有效接觸的區(qū)域，優(yōu)選如在前述的電子束用光阻膜3與有機(jī)導(dǎo)電性膜4的去除方法中所說明，以使接觸區(qū)域的寬度成為0. 3mm以上的方式，形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4或在形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4后進(jìn)行將一部分去除的步驟。當(dāng)對(duì)如上所述而獲得的層疊有電子束用光阻膜3和有機(jī)導(dǎo)電性膜4的被加工基板 2，進(jìn)行電子束照射時(shí)，在基板的被加工面2’的任何位置進(jìn)行接地，都可從電子束光阻膜3 的上表面和下表面的兩面進(jìn)行去除靜電，前述被加工基板2具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1，且在被加工基板2的被加工面2’的至少一點(diǎn)，具有有機(jī)導(dǎo)電性膜4與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1直接接觸的區(qū)域加。然而，通常所使用的裝置，由于以與倒角面相鄰的方式來配置接地，所述倒角面是被設(shè)置于被加工面2’與基板的側(cè)面2”之間，故當(dāng)不將有機(jī)導(dǎo)電性膜4的端部去除時(shí)，有機(jī)導(dǎo)電性膜4會(huì)在倒角面接觸，而將電荷去除。另一方面，當(dāng)為了防塵，而將有機(jī)導(dǎo)電性膜4 的端部去除時(shí)，接地會(huì)在倒角面與被加工面2’所形成的交叉點(diǎn)，與導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1接觸， 但是此時(shí)仍可無問題地進(jìn)行去除靜電。對(duì)本發(fā)明的被加工基板2，如以上所述進(jìn)行接地，并進(jìn)行電子束的圖案照射，由此， 即便通過例如加速電壓30 100kV、電流密度10 200A/cm2的條件來進(jìn)行電子束照射，也不會(huì)發(fā)生充電，而能以可容許的通量來進(jìn)行高精度的圖案照射。以下，簡(jiǎn)單說明所述步驟中所使用的各材料。首先，當(dāng)被加工基板2是空白光罩時(shí)，基板是在光罩基板上具有遮光膜和相移膜等光學(xué)機(jī)能膜或用以將這些膜進(jìn)行精密加工的硬屏蔽膜等的基板，并且是以下基板具有由過渡金屬或過渡金屬中包含氧、氮、碳等輕元素的材料所構(gòu)成的表層(薄膜)的基板；或是具有由包含過渡金屬的硅化合物、或過渡金屬中包含氧、氮、碳等輕元素的材料所構(gòu)成的表層(薄膜)的基板。特別，金屬鉻及鉻中包含氧、氮、碳等輕元素的材料(例如日本特開 2007-33469號(hào)公報(bào)和日本特開2007-241060號(hào)公報(bào))是可良好地作為空白光罩的表層(薄膜)使用的材料，而優(yōu)選適用本發(fā)明的方法。此處，所述薄膜的單層或?qū)盈B體是導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1。當(dāng)是導(dǎo)電性低的相移膜、導(dǎo)電性高的遮光膜的結(jié)構(gòu)時(shí)，由于利用以被覆相移膜的方式來形成遮光膜，而相移膜不會(huì)從遮光膜露出，故有進(jìn)行電子束描繪時(shí)不容易充電的優(yōu)點(diǎn)。此外，在基板是納米壓印用的模具形成用基板(例如日本特開2005-345737號(hào)公報(bào)和W02009/93661號(hào)手冊(cè)等)時(shí)，作為本發(fā)明的被加工基板，優(yōu)選適用于在石英等基板上具有作為輔助膜的過渡金屬或過渡金屬加工物薄膜而成的基板，特別優(yōu)選適用于通過所述的金屬鉻和鉻中包含氧、氮、碳等輕元素的材料來形成有薄膜而成的基板，所述薄膜在空白光罩的加工中具有作為硬屏蔽的實(shí)際效用。此處，所述薄膜的單層或?qū)盈B體是導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1。然后用以形成電子束用光阻膜3的化學(xué)增幅型光阻組成物，可配合目標(biāo)圖案來選擇正型(例如日本特開2010-20173號(hào)公報(bào)等)或負(fù)型(例如日本特開2008-249762號(hào)公報(bào)等)。已知多種電子束用光阻，作為基本性能，只要可形成目標(biāo)圖案，就可使用任何光阻。
11
有機(jī)導(dǎo)電性膜4的材料，作為也可使用于化學(xué)增幅型光阻的有機(jī)導(dǎo)電性膜形成用組成物，已知有所述日本特開平8-109351號(hào)公報(bào)和日本特開2006-117925號(hào)公報(bào)等之中的組成物，并且也有市售的制品，但是只要可避免對(duì)光阻的圖案形成造成問題，就無特別限定，所述對(duì)光阻的圖案形成造成問題有以下情形與光阻膜的互混，和圖案形成受到有機(jī)導(dǎo)電性膜形成用組成物中的成分阻礙等。有機(jī)導(dǎo)電性材料已知有聚乙炔衍生物、聚吡咯衍生物、聚噻吩(polythiophene)衍生物、聚苯胺衍生物等，特別優(yōu)選的材料是聚噻吩衍生物、 聚苯胺衍生物。例如由聚噻吩衍生物所得的有機(jī)導(dǎo)電性膜，有由昭和電工(股)市售的使用異苯并噻吩二基磺酸酯(isothianaphthenediylsulfonate)的商品，由聚苯胺衍生物所得的有機(jī)導(dǎo)電性膜，有由三菱麗陽(股)市售的使用聚苯胺磺酸的商品。[實(shí)施例]以下，列舉實(shí)施例及比較例來具體說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不受此等的記載所限定。(實(shí)施例1)如圖2所示，于空白光罩2上，以2700rpm的轉(zhuǎn)數(shù)來旋轉(zhuǎn)涂布電子束用正型光阻 (信越化學(xué)工業(yè)(股)制化學(xué)增幅正型光阻液SEBP-90U)，且以使曝光前且在加熱后的電子束用光阻膜厚成為150nm的方式來涂布電子束用光阻膜3，所述空白光罩2是152mm見方的空白光罩，最表面是無機(jī)導(dǎo)電性遮光膜1，并且遮光膜的組成是氮氧化鉻膜(薄片電阻 約30Ω/0)。然后，在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)，以1. 5mm的寬度來將基板4邊的所述操作中所涂布的電子束用光阻膜3 去除，而在基板周端部形成周狀的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜的露出表面部，然后，在110°C的加熱板烘烤10分鐘，而形成厚度150nm的電子束用光阻膜3。然后，于此空白光罩上，以1500rpm的轉(zhuǎn)數(shù)來旋轉(zhuǎn)涂布導(dǎo)電性有機(jī)膜形成組成物 1 (昭和電工(股)制ESPACER300AX1)后，進(jìn)一步在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)，以1. Omm的寬度來將基板4邊的所涂布的有機(jī)導(dǎo)電性膜4去除，而于基板周端部形成周狀的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜的露出表面部2b，然后， 在90°C的加熱板，將此空白光罩2烘烤10分鐘，而形成厚度5nm的有機(jī)導(dǎo)電性膜4。所制得的層疊有電子束用光阻膜3和有機(jī)導(dǎo)電性膜4的被加工基板2的一部分剖面圖，如圖4 中的(a)所示。使用以上所得的空白光罩2，安置于電子束曝光裝置(NuFLARE公司制，EBM5000+， 加速電壓50keV)中之后，在基板的倒角面設(shè)置接地，并在被加工面2’與倒角面相交的點(diǎn)， 從導(dǎo)電性無機(jī)薄膜1進(jìn)行接地后，以每單位時(shí)間平均70A/cm2的電流密度，來進(jìn)行圖5的模式圖案的電子束照射。然后，一邊以純水沖洗，一邊旋轉(zhuǎn)1分鐘，將有機(jī)導(dǎo)電性膜4去除后，在110°C實(shí)施曝光后烘烤10分鐘，并以2. 38%的氫氧化四甲基銨的水溶液進(jìn)行噴霧顯影，而獲得正型的測(cè)試圖案。按照以下方式來決定所得的測(cè)試圖案的精度。即，設(shè)計(jì)描繪圖案是如圖5設(shè)計(jì)成 4個(gè)10 μ m見方的圖案A D排列成2行2列，且彼此的寬度X及Y都成為200nm(使在圖標(biāo)的4個(gè)圖案的內(nèi)側(cè)相對(duì)向的角點(diǎn)分別是a d，點(diǎn)a 點(diǎn)d成為一邊200nm的正方形)。相對(duì)地，前述的電子束照射，是所述4個(gè)圖案A D彼此的寬度中，將X或Y以200nm來進(jìn)行分辨的曝光量作為最適劑量(感度Eop)，以由所述Eop所進(jìn)行的曝光來進(jìn)行圖案形成，但是如圖6所示，測(cè)量所得的圖案中的長(zhǎng)度ρ及長(zhǎng)度q后，以使用以下的算式所推導(dǎo)出的值，作為位置偏離的指針，所述長(zhǎng)度P是從描繪區(qū)域A的角部的點(diǎn)a’垂至描繪區(qū)域D的B側(cè)的一邊的延長(zhǎng)線上的垂線的長(zhǎng)度，所述長(zhǎng)度q是從描繪區(qū)域D的角部的點(diǎn)d’垂至描繪區(qū)域A的B側(cè)的一邊的延長(zhǎng)線上的垂線的長(zhǎng)度。算式(|p-200|2+|q-200|2)W 位置偏離由以上方法可知，P是203. 3nm, q是203. 8nm,結(jié)果位置偏離指針W是5. 0。(實(shí)施例2及實(shí)施例3)除了將用以形成有機(jī)導(dǎo)電性膜4的組成物，分別變更為導(dǎo)電性有機(jī)膜形成組成物2 (三菱麗陽(股)制aqUaSAVE-57m)、導(dǎo)電性有機(jī)膜形成組成物3 (三菱麗陽(股)制 aquaSAVE-57xs)以外，其余按照實(shí)施例1，制造具有有機(jī)導(dǎo)電性膜4和電子束用光阻膜3的被加工基板2，并進(jìn)行圖案形成后，進(jìn)行圖案的長(zhǎng)度測(cè)定，并獲得各自的位置偏離指針W。將結(jié)果與實(shí)施例1 一并表示于表1。(比較例)相對(duì)于實(shí)施例1 3，除了將去除電子束用光阻膜3的寬度，變更為在被加工基板 2的被加工面2’的比被加工面2’與基板側(cè)面2”相交的假想線L更內(nèi)側(cè)1.0mm，并且將去除有機(jī)導(dǎo)電性膜4的寬度，變更為在被加工基板2的被加工面2’的比被加工面2’與基板側(cè)面2 交的假想線L更內(nèi)側(cè)1. 5mm以外，其余進(jìn)行同樣的操作，并進(jìn)行圖案形成后，進(jìn)行圖案的長(zhǎng)度測(cè)定，并獲得各自的位置偏離指針W。將結(jié)果與實(shí)施例一并表示于表1。此外， 所制得的層疊有電子束用光阻膜3和有機(jī)導(dǎo)電性膜4的被加工基板2的一部分剖面圖如圖 4中的(b)所示。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序?qū)盈B有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板上具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來作為表層，其特征在于在所述被加工基板的被加工面，具有前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，在前述被加工基板的被加工面，具有經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域，以一定寬度而被設(shè)置于前述被加工基板的被加工面的比被加工面與被加工基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，且被設(shè)置于周圍，前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接接觸的區(qū)域，以規(guī)定寬度來周狀地設(shè)置于前述被加工面的比前述一定寬度的周圍區(qū)域更內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述以規(guī)定寬度來周狀地設(shè)置的前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜直接接觸的區(qū)域的寬度，在0. 3mm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述被加工基板是空白光罩。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述被加工基板是空白光罩。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述被加工基板是空白光罩。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，其中前述被加工基板是空白光罩。
9.一種光阻圖案的形成方法，其特征在于使用權(quán)利要求1至8中任一權(quán)利要求所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，來從前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜或前述有機(jī)導(dǎo)電性膜上進(jìn)行接地，并使用電子束來對(duì)前述被加工基板上的電子束用光阻膜進(jìn)行圖案照射，所述電子束，每單位時(shí)間具有l(wèi)OA/cm2以上的電流密度。
10.一種層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法，其在被加工基板上至少依序設(shè)置電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來作為表層，其特征在于，至少包括以下步驟(1)在前述被加工基板的整個(gè)面上形成電子束用光阻膜，并將所述電子束用光阻膜的一部分去除，由此來設(shè)置使前述被加工基板的表層的導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面的區(qū)域的步驟；(2)在層疊有前述經(jīng)將一部分去除后的電子束用光阻膜的被加工基板的整個(gè)面，形成前述有機(jī)導(dǎo)電性膜的步驟；并且，前述制造方法制造出以下的被加工基板在前述被加工基板的被加工面，在將前述電子束用光阻膜的一部分去除來使導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域內(nèi)，具有前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法，其中前述(1)的步驟中的將電子束用光阻膜的去除，是在前述被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第一一定寬度來進(jìn)行，且是在基板周圍進(jìn)行。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板的制造方法，其中在前述O)的步驟后，在前述被加工基板的被加工面的比被加工面與基板側(cè)面相交的假想線更內(nèi)側(cè)，以第二一定寬度來周狀地將前述有機(jī)導(dǎo)電性膜去除，且使所述第二一定寬度成為比前述第一一定寬度更窄0. 3mm以上的寬度，而在前述被加工基板的被加工面，在比經(jīng)使前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜露出表面后的區(qū)域更內(nèi)側(cè)，設(shè)置前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種層疊有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序?qū)盈B有電子束用光阻膜和有機(jī)導(dǎo)電性膜，所述被加工基板上具有導(dǎo)電性無機(jī)薄膜來作為表層，其特征在于在所述被加工基板的被加工面，具有前述有機(jī)導(dǎo)電性膜與前述導(dǎo)電性無機(jī)薄膜一部分直接接觸的區(qū)域。由此，提供一種被加工基板，其可有效率地進(jìn)行去除靜電，并且即便進(jìn)行高電流密度的電子束照射，也可穩(wěn)定地形成高精度光阻圖案。
文檔編號(hào)G03F1/50GK102419510SQ201110214208
公開日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月23日
發(fā)明者吉川博樹, 渡邊聰 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社