專利名稱：濕蝕刻基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種晶片級光學間隙層(wafer level optical spacer),且特別是涉及ー種晶片級光學間隙層的エ藝改良。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品微型化模塊及低價化的趨勢，晶片級模塊技術(shù)(wafer levelmodule,WLM)的開展備受矚目。晶片級模塊技術(shù)主要為在電子產(chǎn)品中采用晶片級制造技木，以縮小電子產(chǎn)品的體積并減少制造成本。舉例來說 ，將晶片級模塊的技術(shù)應(yīng)用于制作鏡頭模塊上，能使鏡頭模塊的體積遠小于傳統(tǒng)的鏡頭模塊的體積，進而便于應(yīng)用在例如筆記本型電腦、手機等電子裝置的相機模塊上。圖IA為已知的晶片級光學透鏡模塊的局部俯視圖，而圖IB為沿圖IA的AA’剖面線的晶片級光學透鏡模塊的局部剖面圖。請同時參照圖IA及圖1B，已知的晶片級光學透鏡模塊100至少包括透鏡基板110、第一間隙層120、第二間隙層130以及ー對基板142、144。透鏡基板110具有透光基板112及配置在透光基板112兩側(cè)的至少一透鏡114。透鏡基板110位于上述的ー對基板142、144之間。第一間隙層層120位于基板142及透光基板112之間以維持第一空間SI。此外，第二間隙層130位于基板144及透光基板112之間以維持第二空間S2。如圖IB所示，透鏡114位于第一空間SI及第ニ空間S2之間。在此晶片級光學透鏡模塊中，為了在間隙層中埋置至少ー個晶片級光學透鏡，必須在上述間隙層中形成通孔。一般而言，目前通常使用玻璃材料來形成間隙層。圖2為已知用于制造晶片級光學透鏡模塊的間隙層的方法。在此方法中，針對ー個基板，一次僅能制作出一個通孔，且在于基板上制作出多個通孔后，才可對下ー個玻璃基板進行通孔的制作。詳細而言，如圖2所示，當要使用玻璃基板200來形成晶片級光學透鏡模塊的間隙層時，必須利用激光(LASER)在玻璃基板200上形成多個通孔201。然而，在此種激光鉆孔エ藝中，一次只能在玻璃基板200上制作出一個通孔201。此外，每次的激光鉆孔エ藝操作中僅可處理一片玻璃基板200。由此可知，已知利用激光鉆孔以形成多個通孔201的方法為較耗時且冗長，從而缺乏成本效益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種濕蝕刻基板的方法，能節(jié)省通孔的制作時間。本發(fā)明提供一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學透鏡模塊。濕蝕刻基板的方法包括以下步驟。首先，提供多個基板，并以掩模屏蔽每一基板，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板。然后，在蝕刻槽中提供蝕刻劑。在預(yù)定時間中將經(jīng)屏蔽的基板浸于蝕刻劑中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板，其中每ー經(jīng)蝕刻的基板具有適于埋置多個晶片級光學透鏡模塊的多個通孔。根據(jù)本發(fā)明的實施例，每ー基板的至少相對兩表面于預(yù)定時間中被蝕刻。根據(jù)本發(fā)明的實施例，上述的相鄰兩基板之間存在間隙。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，上述的蝕刻槽的底部具有多個溝槽，且這些溝槽對應(yīng)容納這些基板的一部分。根據(jù)本發(fā)明的實施例，每ー基板為玻璃基板，且此玻璃基板用以作為晶片級光學透鏡模塊的間隙層。根據(jù)本發(fā)明的實施例,蝕刻劑包括氫氟酸(hydrofluoric acid, HF)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，上述的基板的數(shù)目等于或大于十個。根據(jù)本發(fā)明的實施例，每ー掩模具有預(yù)定圖案，此預(yù)定圖案暴露每ー基板將被蝕刻的部分，井覆蓋每一基板不被蝕刻的其他部分。根據(jù)本發(fā)明的實施例，此方法還包括移除上述的經(jīng)蝕刻的基板的掩模及清潔上述的經(jīng)蝕刻的基板。根據(jù)本發(fā)明的實施例，此方法還包括在于蝕刻槽中提供蝕刻劑后加熱蝕刻劑。綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，透過此種濕蝕刻基板的方法，能同時在ー個基板上形成多個通孔。此外，由于本實施例的濕蝕刻基板的方法為雙向濕蝕刻法，因此能于每個蝕刻步驟中同時蝕刻多個基板。由此可知，上述濕蝕刻基板的方法能有效地減少エ藝時間與制造成本。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。


附圖為用以對本發(fā)明提供進ー步理解，這些附圖并入并構(gòu)成此說明書的一部分；其繪示本發(fā)明的實施例，并與說明書一同用以解釋本發(fā)明的原理。圖IA為已知的晶片級光學透鏡模塊的局部俯視圖。圖IB為沿圖IA的AA’剖面線的晶片級光學透鏡模塊的局部剖面圖。圖2為已知用于制造晶片級光學透鏡模塊的間隙層的方法。圖3為本發(fā)明實施例的濕蝕刻基板的方法的流程圖。圖4A至圖4E為使用圖3的濕蝕刻基板的方法的示意圖。附圖標記說明100 :晶片級光學透鏡模塊110:透鏡基板112:透光基板114:透鏡120 :第一間隙層層130 :第二間隙層層142、144、300 :基板200 :玻璃基板201、305:通孔301 :掩模302 :預(yù)定圖案303 :蝕刻劑
304 :蝕刻槽306a、306b :表面400 :經(jīng)屏蔽的基板402,404 :基板的部分500:經(jīng)蝕刻的基板G:間隙 SI :第一空間S2 :第二空間SllO S140:步驟LASER :激光
具體實施例方式以下將仔細參照本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其實例繪示附圖式。于任何可能情況下，附圖及說明書中所使用的相同標號表示相同或類似的部分。這些附圖并未依實際比例繪示，而僅用以說明本發(fā)明。以下將參照用以說明的例示的實施方式敘述本發(fā)明的多個示例。應(yīng)理解所提供的許多特定細節(jié)、關(guān)系及方法為用以提供本發(fā)明的全面性理解。另外，本發(fā)明可以許多不同形式來體現(xiàn)，而不應(yīng)理解為僅限于以下所提出的實施例。舉例而言，本發(fā)明可以方法或系統(tǒng)來作為體現(xiàn)。本發(fā)明提供一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學透鏡模塊。圖3為本發(fā)明實施例的濕蝕刻基板的方法的流程圖。圖4A至圖4E為使用圖3的濕蝕刻基板的方法的示意圖，其中上述方法適于同時形成多個通孔，且每一操作步驟能處理多個基板。請參照圖3及圖4A至4E，此濕蝕刻基板的方法包括以下步驟。首先，如圖4A所示，提供多個基板300(步驟S110)。然后，請參照圖4B，以掩模301屏蔽每一基板300，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板400 (步驟S120)。在本實施例中，掩模301于蝕刻后可被移除。另外，掩模301具有用以在基板400上形成通孔的預(yù)定圖案302。詳細而言，每ー預(yù)定圖案302暴露基板400將被蝕刻的部分404，并覆蓋基板400不被蝕刻的其他部分402。然后，在蝕刻槽304中提供蝕刻劑303 (步驟S130)。其后，如圖4C及圖4D所示，在預(yù)定時間中將經(jīng)屏蔽的基板400浸在蝕刻劑303中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板500 (步驟S140)。至此，便完成濕蝕刻基板的エ藝。在本實施例中，由于經(jīng)屏蔽的基板400是浸在蝕刻劑303中，故每一基板400的至少相對兩表面306a、306b會于預(yù)定時間中被蝕刻。因此，本實施例的濕蝕刻基板的方法為ー種雙向濕蝕刻法。而為了增強此雙向濕蝕刻法，本實施例例如是將基板400排列于具有間隙G的蝕刻槽中，此間隙G存在于每兩個相鄰基板400之間。此外，為了確保在蝕刻エ藝中基板位置的穩(wěn)定性，蝕刻槽例如可于底部具有多個溝槽(未繪示)，且溝槽對應(yīng)容納基板400的一部分。在步驟S140之后，本實施例的濕蝕刻基板的方法還可包括移除經(jīng)蝕刻的基板500的每ー掩模301，以及清潔每ー經(jīng)蝕刻的基板500。然后，如圖4D與圖4E所示，每ー經(jīng)蝕刻的基板500便具有多個通孔305，且這些通孔305可埋置多個晶片級光學透鏡模塊。請參照圖3及圖4A至圖4E，在執(zhí)行濕蝕刻基板的方法的過程中，每ー步驟中可處理多個基板300。舉例而言，在本實施例中，每ー濕蝕刻步驟中所使用的基板300的數(shù)目等于或大于十個，其中本實施例是以使用十個基板為例，本發(fā)明并不受限于此。此外，在每ー濕蝕刻步驟中，每ー基板500能夠同時形成多個通孔305。除此之外，由于圖4E的基板500將被用作晶片級光學透鏡模塊的間隙層，故在此實施例中是玻璃基板做為基板500。在其他實施例中，使用者還可依據(jù)所需的蝕刻速度與品質(zhì)來調(diào)整蝕刻劑303的用量與濃度。此外，使用者亦可根據(jù)所欲形成的通孔305的數(shù)目及其位于基板500的位置來選擇掩模301的預(yù)定圖案302。在其他實施例中，每ー濕蝕刻步驟利如可處理上千個通孔305。除此之外，在其他實施例中，在濕蝕刻エ藝期間，可使用氣體例如氮氣(N2)、氧氣
(02)或任何其他合適氣體來產(chǎn)生氣泡，以改善蝕刻品質(zhì)。而本實施例中是采用較為常見的氫氟酸(hydrofluoric acid,HF)來作為蝕刻玻璃材料的蝕刻劑。另外，在蝕刻的過程中還可使用一或多種適當?shù)拇呋瘎﹣硗瓿苫蚣铀傥g刻エ藝，本發(fā)明不受限于此。在另ー實施例中，在于蝕刻槽304中提供蝕刻劑303之后，還可加熱蝕刻劑303至特定溫度，以增進蝕刻品質(zhì)。換句話說，上述蝕刻過程例如為放熱反應(yīng)(exothermic reaction)。綜上所述，由于本發(fā)明的實施例為ー種雙向的濕蝕刻法，故能每ー蝕刻步驟中同 時蝕刻多個基板。另外，由于濕蝕刻基板的方法能在ー個基板上同時形成多個通孔，故上述濕蝕刻基板的方法較已知的激光鉆孔エ藝快速。因此，此種濕蝕刻基板的方法能有效地減少了エ藝時間與制造成本。雖然本發(fā)明已以實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作些許的修正與更動?；谏鲜?，若這些修正與更動落在權(quán)利要求及其等同的范圍內(nèi)，則被本發(fā)明涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學透鏡模塊，該濕蝕刻基板的方法包括 提供多個基板； 以掩模屏蔽每一基板，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板； 于蝕刻槽中提供蝕刻劑；以及 在預(yù)定時間中將該多個經(jīng)屏蔽的基板浸于該蝕刻劑中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板，其中每ー經(jīng)蝕刻的基板具有適于埋置多個晶片級光學透鏡模塊的多個通孔。
2.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，其中每一基板的至少相對兩表面于該預(yù)定時間中被蝕刻。
3.如權(quán)利要求2所述的濕蝕刻基板的方法，其中相鄰兩基板之間存在間隙。
4.如權(quán)利要求3所述的濕蝕刻基板的方法，其中該蝕刻槽的底部具有多個溝槽,且該多個溝槽對應(yīng)容納該多個基板的一部分。
5.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，其中每一基板為玻璃基板，且該玻璃基板用以作為該多個晶片級光學透鏡模塊的間隙層。
6.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，其中該蝕刻劑包括氫氟酸。
7.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，其中該多個基板的數(shù)目等于或大于十個。
8.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，其中每ー掩模具有預(yù)定圖案，該預(yù)定圖案暴露每ー基板將被蝕刻的部分，井覆蓋每一基板不被蝕刻的其他部分。
9.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，還包括 移除該多個經(jīng)蝕刻的基板的該多個掩模；以及 清潔該多個經(jīng)蝕刻的基板。
10.如權(quán)利要求I所述的濕蝕刻基板的方法，還包括 在于該蝕刻槽中提供該蝕刻劑之后，加熱該蝕刻劑。
全文摘要
本發(fā)明公開一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學透鏡模塊。由于本蝕刻方法使用雙向蝕刻工藝，故可同時蝕刻多個基板以形成多個通孔。意即，在此濕蝕刻工藝中可同時形成所有所需的通孔。此外，每一蝕刻工藝操作中可蝕刻多個基板。因此，此種濕蝕刻基板的法能有效地減少工藝時間與制造成本。
文檔編號G02B3/00GK102866438SQ201110187709
公開日2013年1月9日 申請日期2011年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月6日
發(fā)明者陳振亨 申請人:奇景光電股份有限公司