專利名稱：Mems光閥、顯示裝置及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS光閥、顯示裝置及其形成方法。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示裝置具有輕、薄、占地小、耗電小和輻射小等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，例如電視、筆記本電腦、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理等。然而由于液晶顯示裝置采用白光作為背光源，只有白光中的偏振光通過(guò)液晶顯示裝置中的液晶層，并且在通過(guò)彩色濾光板時(shí)又會(huì)損失一部分偏振光，光的利用率低。此外，液晶顯示裝置還具有視覺(jué)范圍小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高等缺陷。隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，MEMS技術(shù)也廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。利用高速高效的MEMS 光閥替換液晶層，通過(guò)MEMS光閥控制背光源發(fā)出的光的透過(guò)率，不再需要偏光片、彩色濾光板以及ITO電極，可大幅度提高光效率、降低功耗以及制造成本。請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)的具有MEMS光閥的顯示裝置包括背光源10 ；用于反射背光源10發(fā)射的光線的反光鏡20 ；固定光柵30，所述固定光柵30具有開(kāi)口 31 ；與所述固定光柵30相對(duì)設(shè)置的可動(dòng)光柵40，所述可動(dòng)光柵40設(shè)置于卡口(未圖示)內(nèi)；與所述可動(dòng)光柵40相連的感應(yīng)電極50;以及與所述感應(yīng)電極50相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極60 ；與所述驅(qū)動(dòng)電極60相連的TFT開(kāi)關(guān)70。所述驅(qū)動(dòng)電極60和所述感應(yīng)電極50 在TFT開(kāi)關(guān)70的驅(qū)動(dòng)下，帶動(dòng)可動(dòng)光柵40水平方向移動(dòng)，當(dāng)固定光柵30的開(kāi)口 31被可動(dòng)光柵40擋住時(shí)，從背光源10中發(fā)射的光線不能透過(guò)開(kāi)口 31，當(dāng)固定光柵30的開(kāi)口 31未被可動(dòng)光柵40擋住時(shí)，從背光源10中發(fā)射的光線可以透過(guò)開(kāi)口 31。由于現(xiàn)有技術(shù)的可動(dòng)光柵在驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極的帶動(dòng)下水平移動(dòng)，受重力的影響，可動(dòng)光柵水平運(yùn)動(dòng)時(shí)與卡口之間產(chǎn)生的摩擦力較大，驅(qū)動(dòng)所述可動(dòng)光柵需要更大的驅(qū)動(dòng)力，現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置靈敏度較低。公開(kāi)號(hào)為US7271945B2的美國(guó)專利公開(kāi)了一種MEMS顯示裝置，在此專利申請(qǐng)文件中，MEMS顯示裝置的結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，且不能很好的解決靈敏度低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供一種靈敏度高的MEMS光閥、顯示裝置及其形成方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種MEMS光閥，包括固定光柵，所述固定光柵具有第一透光部；與所述固定光柵相對(duì)的可動(dòng)光柵，所述可動(dòng)光柵具有第二透光部；中心軸，所述可動(dòng)光柵以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的MEMS光閥還包括與所述可動(dòng)光柵相連的感應(yīng)電極；
4與所述感應(yīng)電極相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極，所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成電容，其相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，所述感應(yīng)電極的厚度為20nm IOym;所述驅(qū)動(dòng)電極的厚度為20nm 10 μ m?？蛇x地，所述感應(yīng)電極和驅(qū)動(dòng)電極之間的距離為0. 5 μ m 50 μ m?？蛇x地，所述中心軸的形狀為圓柱、圓臺(tái)、圓錐中的一種?？蛇x地，所述固定光柵、可動(dòng)光柵和中心軸的中心在同一直線上。可選地，所述第一透光部的形狀為扇形，所述第二透光部的形狀為扇形，所述可動(dòng)光柵的形狀為圓形，所述固定光柵的形狀為圓形?？蛇x地，所述可動(dòng)光柵的厚度為20nm 10 μ m。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種包括上述MEMS光閥的顯示裝置?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置還包括TFT開(kāi)關(guān)，所述感應(yīng)電極和驅(qū)動(dòng)電極中的一種電極與TFT開(kāi)關(guān)相連，另一種電極接地；或者所述感應(yīng)電極與第一 TFT開(kāi)關(guān)電連接，所述驅(qū)動(dòng)電極與第二 TFT開(kāi)關(guān)相連，所述第一 TFT開(kāi)關(guān)和第二 TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓不同?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置還包括位于基底表面的固定光柵；覆蓋所述可動(dòng)光柵、固定光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；密封所述開(kāi)口的密封蓋。本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置還包括覆蓋所述可動(dòng)光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；密封所述開(kāi)口的密封蓋；所述固定光柵形成在所述密封蓋表面。本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置還包括位于固定光柵不透光區(qū)域的固定件，所述固定件與驅(qū)動(dòng)電極相連，所述固定件與TFT開(kāi)關(guān)相連或者接地?？蛇x地，所述中心軸與TFT開(kāi)關(guān)相連或者接地。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種MEMS光閥的形成方法，包括形成具有第一透光部的固定光柵；形成具有第二透光部的可動(dòng)光柵，所述可動(dòng)光柵與所述固定光柵相對(duì)；形成中心軸，所述可動(dòng)光柵以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的MEMS光閥的形成方法還包括形成與所述可動(dòng)光柵相連的感應(yīng)電極；形成與所述感應(yīng)電極相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極，所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成電容，其相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵旋轉(zhuǎn)?？蛇x地，所述可動(dòng)光柵、所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極在同一工藝步驟中形成。本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種包括上述MEMS光閥的顯示裝置的形成方法?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的形成方法還包括形成與所述感應(yīng)電極或驅(qū)動(dòng)電極相連的TFT開(kāi)關(guān)；或者包括形成與所述感應(yīng)電極相連的第一 TFT開(kāi)關(guān)，形成與所述驅(qū)動(dòng)電極相連的第二 TFT開(kāi)關(guān)?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的形成方法還包括形成在基底表面的固定光柵；形成覆蓋所述可動(dòng)光柵、固定光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；形成密封所述開(kāi)口的密封蓋?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的形成方法還包括形成覆蓋所述可動(dòng)光柵、 中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；形成密封所述開(kāi)口的密封蓋；形成在密封蓋表面的固定光柵?？蛇x地，本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置的形成方法還包括形成位于固定光柵不透光區(qū)域、與所述驅(qū)動(dòng)電極相連的固定件?？蛇x地，所述固定件與所述中心軸在同一工藝步驟中形成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥設(shè)置有中心軸，可動(dòng)光柵可繞所述中心軸旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS 光閥，可動(dòng)光柵繞中心軸旋轉(zhuǎn)的摩擦力小，靈敏度高。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥的固定光柵和可動(dòng)光柵為圓形，第一透光部和第二透光部為扇形，可以有效的節(jié)省空間、材料，從而使得MEMS顯示裝置的體積更加輕巧。本發(fā)明實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的摩擦力小，靈敏度高，體積輕巧。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的具有MEMS光閥的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2所示一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置形成方法的流程示意圖；圖5 圖21是本發(fā)明一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置形成方法的剖面結(jié)構(gòu)的過(guò)程示意圖；圖22 圖M為本發(fā)明一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置形成方法的平面結(jié)構(gòu)的過(guò)程示意圖；圖25是本發(fā)明另一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中MEMS光閥、顯示裝置的靈敏度低，摩擦力較大的情況，本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，如果將現(xiàn)有技術(shù)中可平移的可動(dòng)光柵改為可旋轉(zhuǎn)的可動(dòng)光柵， 可以解決MEMS光閥、顯示裝置的靈敏度低、摩擦力較大的問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)明人經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，設(shè)計(jì)繞中心軸旋轉(zhuǎn)的可動(dòng)光柵可以解決上述問(wèn)題。為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明，下面結(jié)合具體實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式
的MEMS光閥、顯示裝置的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置中，所述固定光柵以及可動(dòng)光柵均為多個(gè)，呈陣列排布。為方便起見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例的圖中僅示出了一個(gè)固定光柵和一個(gè)可動(dòng)光柵，本發(fā)明的實(shí)施例也僅對(duì)一個(gè)固定光柵和一個(gè)可動(dòng)光柵為例進(jìn)行說(shuō)明。圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2所示一實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，為便于理解，圖 3中還示出了圖2中未顯示的TFT開(kāi)關(guān)。請(qǐng)結(jié)合參考圖2和圖3，本發(fā)明一實(shí)施例的MEMS光閥，包括固定光柵103，所述固定光柵103具有第一透光部104 ；與所述固定光柵103相對(duì)的可動(dòng)光柵109，所述可動(dòng)光柵 109具有第二透光部117 ；中心軸113，所述可動(dòng)光柵109以所述中心軸113為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部117與所述第一透光部104隨所述可動(dòng)光柵109的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。其中，所述固定光柵103為導(dǎo)電材料，所述固定光柵103具有第一透光部104，用于與可動(dòng)光柵109的第二透光部117結(jié)合控制光線的通過(guò)量。在本實(shí)施例中，所述固定光柵 103的開(kāi)口率為2% 50%。所述固定光柵103的開(kāi)口率與所述第一透光部104的大小和數(shù)量有關(guān)，所述第一透光部104可以為一個(gè)或多個(gè)。在本實(shí)施例中，為節(jié)省空間并最大限度的利用材料，使得MEMS光閥的體積更加輕巧。所述固定光柵103可選為圓形，所述第一透光部104為扇形。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述固定光柵103可以為其他形狀，例如方形、 橢圓形等；所述第一透光部104的形狀也可以為其他形狀，例如圓形、方形或橢圓形等。所述可動(dòng)光柵109與所述固定光柵103相對(duì)，所述可動(dòng)光柵109具有第二透光部 117。在本實(shí)施例中，所述可動(dòng)光柵109的開(kāi)口率為2% 50%。所述可動(dòng)光柵109的開(kāi)口率與所述第二透光部117的大小和數(shù)量有關(guān)，所述第二透光部117可以為一個(gè)或多個(gè)。在外力(例如外加電壓)的驅(qū)動(dòng)下，所述可動(dòng)光柵109繞中心軸113旋轉(zhuǎn)。通過(guò)旋轉(zhuǎn)合適的角度可以控制所述第二透光部117與所述第一透光部104相對(duì)，從而光線可以透過(guò)。其中，光線的通過(guò)量根據(jù)所述第一透光部104和第二透光部117的重疊面積而確定； 當(dāng)所述第二透光部117與所述第一透光部104相錯(cuò)開(kāi)時(shí)，光線則不可以透過(guò)。在本實(shí)施例中，所述可動(dòng)光柵109為導(dǎo)電材料，且為了節(jié)省空間并最大限度的利用材料，使得顯示裝置的體積更加輕巧。所述可動(dòng)光柵109可選為圓形，所述第二透光部 117為扇形。所述可動(dòng)光柵109的厚度與MEMS光閥的大小和可動(dòng)光柵109旋轉(zhuǎn)所需提供的能量大小有關(guān)。如果可動(dòng)光柵109太厚，則需要提供較大的能量才足以使所述可動(dòng)光柵109 繞中心軸113旋轉(zhuǎn)，并且可動(dòng)光柵如果太厚，需要使用更多的材料，占用更大的空間。為節(jié)省能量、材料并節(jié)省空間，在本實(shí)施例中，所述可動(dòng)光柵109的厚度為20nm ΙΟμπι。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述可動(dòng)光柵109可以為其他形狀，例如方形、 橢圓形等；所述第二透光部117的形狀也可以為其他形狀，例如圓形、方形或橢圓形等。另外，需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中提到的導(dǎo)電材料均選自金、銀、銅、鋁、鈦、 鉻、鉬、鎘、鎳、鈷、非晶硅、多晶硅、非晶鍺硅、多晶鍺硅其中之一或者他們的任意的組合。本實(shí)施例中，所述固定光柵103、可動(dòng)光柵109和中心軸113的中心在同一直線上。 所述中心軸113位于固定光柵103不透光的區(qū)域的上方，用于使可動(dòng)光柵109繞其旋轉(zhuǎn)。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例，所述固定光柵103、可動(dòng)光柵109也可以位于所述中心軸113的一側(cè)。在本實(shí)施例中，所述中心軸113的表面為導(dǎo)電材料。為使可動(dòng)光柵109繞所述中心軸113旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦力最小，靈敏度高，所述中心軸113的形狀為圓柱。需要說(shuō)明的是， 在其他實(shí)施例中，所述中心軸113也可以為非導(dǎo)電材料，所述中心軸113的形狀也可以為圓臺(tái)、圓錐或其他形狀，只要可使可動(dòng)光柵109繞其旋轉(zhuǎn)即可。需要說(shuō)明的是，雖然圖示的實(shí)施例中所述可動(dòng)光柵109與中心軸113并不接觸，所述可動(dòng)光柵109處于懸空的狀態(tài)，但是當(dāng)顯示裝置正常放置時(shí)，由于受到重力的作用，所述可動(dòng)光柵109與中心軸113是相接觸的，因此在導(dǎo)電情況下，所述可動(dòng)光柵109與中心軸 113具有相同的電壓。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥，還包括與所述可動(dòng)光柵109相連的感應(yīng)電極111 ；與所述感應(yīng)電極111相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極107，所述感應(yīng)電極111和所述驅(qū)動(dòng)電極107相對(duì)運(yùn)動(dòng)， 以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵109旋轉(zhuǎn)。所述感應(yīng)電極111和驅(qū)動(dòng)電極107在外力(如外加電壓)的作用下，發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵109旋轉(zhuǎn)，使所述可動(dòng)光柵109以所述中心軸113為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部117與所述第一透光部104隨所述可動(dòng)光柵109的旋轉(zhuǎn)而變化。所述感應(yīng)電極111和所述驅(qū)動(dòng)電極107的厚度與需要在感應(yīng)電極111和驅(qū)動(dòng)電極 107兩端施加的外力大小有關(guān)。當(dāng)所述感應(yīng)電極111和所述驅(qū)動(dòng)電極107的厚度較小時(shí)，只需要在感應(yīng)電極111和驅(qū)動(dòng)電極107兩端施加很小的外力，即可使兩者發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述感應(yīng)電極111的厚度為20nm ΙΟμπι ；所述驅(qū)動(dòng)電極107的厚度為20nm 10 μ m。在圖示的實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電極107為4個(gè)，所述感應(yīng)電極111為4個(gè)。所述驅(qū)動(dòng)電極107和與其相鄰的感應(yīng)電極111相對(duì)設(shè)置，且驅(qū)動(dòng)電極107和與其相鄰的感應(yīng)電極 111之間存在間隙。所述驅(qū)動(dòng)電極107和與其相鄰的感應(yīng)電極111之間的距離與第一透光部104和第二透光部117重疊的區(qū)域有關(guān)。若兩電極間的間隙過(guò)小，則有可能導(dǎo)致第一透光部104和第二透光部117不能完全重疊，若兩電極間的間隙過(guò)大，則需要在兩電極間施加更大的外力。因此，所述驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111之間在未施加外力時(shí)，兩電極之間的距離可選為0. 5 μ m 50 μ m。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述感應(yīng)電極111和驅(qū)動(dòng)電極107之間的
, ^ 0. 5μπι 50μπι。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述感應(yīng)電極111可以為一個(gè)或多個(gè)； 所述驅(qū)動(dòng)電極107可以為一個(gè)或多個(gè)。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置，除包括上述結(jié)構(gòu)外，還包括基底101 ；位于所述固定光柵103上的TFT開(kāi)關(guān)130，所述TFT開(kāi)關(guān)130的數(shù)量與感應(yīng)電極和驅(qū)動(dòng)電極的數(shù)量對(duì)應(yīng)，例如，至少為1個(gè)，與感應(yīng)電極111或驅(qū)動(dòng)電極107電連接；或者，所述TFT開(kāi)關(guān)至少包括2個(gè)，即第一 TFT開(kāi)關(guān)和第二 TFT開(kāi)關(guān)，其中第一 TFT開(kāi)關(guān)與感應(yīng)電極111電連接，第二 TFT開(kāi)關(guān)與驅(qū)動(dòng)電極107電連接。其中，所述基底101內(nèi)有背光源(未標(biāo)示)，且背光源包括藍(lán)光光源、紅光光源和綠光光源，所述的藍(lán)光光源、紅光光源和綠光光源可以分別由藍(lán)光LED、紅光LED和綠光LED 提供，也可以通過(guò)激光提供，且提供紅綠藍(lán)三色激光。所述TFT開(kāi)關(guān)130位于所述固定光柵103上，所述TFT開(kāi)關(guān)130形成在固定光柵 103的不透光的部位；所述TFT開(kāi)關(guān)130包括控制端(未標(biāo)示)以及位于控制端上方的第一端(未標(biāo)示)和第二端(未標(biāo)示)。所述TFT開(kāi)關(guān)130的控制端與外界的掃描線(未圖示)相連，控制TFT開(kāi)關(guān)130的導(dǎo)通或截止；每個(gè)所述TFT開(kāi)關(guān)130的第一端與外界的數(shù)據(jù)線(未圖示)相連，第二端與驅(qū)動(dòng)電極107和/或感應(yīng)電極111相連，以在TFT開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，提供驅(qū)動(dòng)電極107和/或感應(yīng)電極111所需要的不同的電壓。在本實(shí)施例中，選用N型的TFT開(kāi)關(guān)，所述N型的TFT開(kāi)關(guān)的控制端為柵極，第一端和第二端分別對(duì)應(yīng)于源極和漏極。為減小功耗，減小顯示裝置的體積，所述TFT開(kāi)關(guān)130 的為2個(gè)，每個(gè)所述TFT開(kāi)關(guān)130的漏極與相對(duì)的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電極107電連接，用以控制可動(dòng)光柵109逆時(shí)針或順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)。所述感應(yīng)電極111接地，即所述感應(yīng)電極111上的電壓為0V。當(dāng)TFT開(kāi)關(guān)130導(dǎo)通時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111之間具有電勢(shì)差，所述驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111之間會(huì)產(chǎn)生靜電力，在靜電力的作用下，所述驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)可動(dòng)光柵109旋轉(zhuǎn)。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述TFT開(kāi)關(guān)130的數(shù)量與驅(qū)動(dòng)電極 107和感應(yīng)電極111的數(shù)量有關(guān)，TFT開(kāi)關(guān)130可以為1個(gè)或多個(gè)，只要能使的感應(yīng)電極111 和驅(qū)動(dòng)電極107之間具有電勢(shì)差，相鄰的兩電極發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)即可。使所述感應(yīng)電極111、 驅(qū)動(dòng)電極107之間的具有電勢(shì)差的方法有很多種例如所述感應(yīng)電極111和驅(qū)動(dòng)電極107 中的一種電極與TFT開(kāi)關(guān)相連，另一種電極接地；或者所述感應(yīng)電極111和一個(gè)TFT開(kāi)關(guān)電連接，所述驅(qū)動(dòng)電極107和另一個(gè)TFT開(kāi)關(guān)相連，與感應(yīng)電極相連的TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓不同于與驅(qū)動(dòng)電極相連的TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓。由于在顯示裝置正常放置時(shí)，所述可動(dòng)光柵109與中心軸113相接觸，為方便起見(jiàn)，所述感應(yīng)電極111上的電壓可以通過(guò)將中心軸113接地，或者將中心軸113與TFT開(kāi)關(guān) 130相連的方式實(shí)現(xiàn)。所述感應(yīng)電極111與可動(dòng)光柵109、中心軸113具有相同的電壓。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置，除包括上述結(jié)構(gòu)外，還包括一端與驅(qū)動(dòng)電極107相連的固定件105。所述固定件105呈棱柱或圓柱形，位于固定光柵103面向可動(dòng)光柵109的表面上，所述固定件105可用于固定驅(qū)動(dòng)電極107。所述固定件105為導(dǎo)電材料，例如金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、鎳、鈷、非晶硅、多晶硅、非晶鍺硅、多晶鍺硅其中之一或者他們的任意的組合。在本實(shí)施例中，所述TFT開(kāi)關(guān)130與固定件105相連，用以提供電壓給驅(qū)動(dòng)電極107。所述固定件105的個(gè)數(shù)與驅(qū)動(dòng)電極107的個(gè)數(shù)有關(guān)，可以為一個(gè)或多個(gè)。在本實(shí)施例中，所述固定件105為四個(gè)，且所述四個(gè)固定件105呈中心對(duì)稱分布。所述驅(qū)動(dòng)電極107 與固定件105具有相同的電壓。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以所述固定件105接地；所述中心軸113與TFT開(kāi)關(guān)電連接；或者所述固定件105與一 TFT開(kāi)關(guān)連接，所述中心軸113與另一 TFT開(kāi)關(guān)連接，與所述固定件105連接的TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓不同于與所述中心軸113連接的TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓。本發(fā)明的實(shí)施例中，顯示裝置的工作原理為所述TFT開(kāi)關(guān)130的柵極通過(guò)與其相連的外界掃描線獲取信號(hào)，所述TFT開(kāi)關(guān)130導(dǎo)通，所述TFT開(kāi)關(guān)130通過(guò)其漏極將施加在其源極的數(shù)據(jù)線上的電壓傳遞到固定件105上，由于驅(qū)動(dòng)電極107與固定件105相連，從而使得驅(qū)動(dòng)電極107具有一電壓，例如IOV ；所述中心軸113接地，所述中心軸113的電壓為 0V，由于在顯示裝置正常放置時(shí)，所述可動(dòng)光柵109與所述中心軸113相接觸，因此，所述可動(dòng)光柵109與中心軸113具有相同的電壓，又感應(yīng)電極111與可動(dòng)光柵109相連，因此所述感應(yīng)電極111、可動(dòng)光柵109和中心軸113具有相同的電壓，即0V;所述驅(qū)動(dòng)電極107與感應(yīng)電極111之間具有電勢(shì)差，因此所述驅(qū)動(dòng)電極107與感應(yīng)電極111之間存在靜電力，在靜電力的作用下，所述驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)；由于可動(dòng)光柵109與感應(yīng)電極111相連，在感應(yīng)電極111的帶動(dòng)下，所述可動(dòng)光柵109繞中心軸113旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部117與所述第一透光部104隨所述可動(dòng)光柵109的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)，用以控制光線的通過(guò)量。當(dāng)TFT開(kāi)關(guān)130截止時(shí)，驅(qū)動(dòng)電極107和感應(yīng)電極111之間的靜電力消失，可動(dòng)光柵109恢復(fù)到以前的位置。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置，還包括用于保護(hù)具有MEMS光閥的顯示裝置的各個(gè)部件的封蓋層120，所述封蓋層120具有開(kāi)口 125，以及密封所述開(kāi)口 125的密封蓋127。所述封蓋層120用于保護(hù)具有MEMS光閥的顯示裝置的各個(gè)部件，例如可動(dòng)光柵 109、固定光柵103、驅(qū)動(dòng)電極107、感應(yīng)電極111、TFT開(kāi)關(guān)130等。所述開(kāi)口 125的深寬比范圍應(yīng)為0.5 20，所述開(kāi)口的孔徑范圍為0. 1 μ π! 10 μ m。所述密封蓋127用于密封所述開(kāi)口 125，起到密封具有MEMS光閥的顯示裝置的作用，防止水蒸氣、灰塵、雜質(zhì)等進(jìn)入顯示裝置內(nèi)，這樣可以提高顯示裝置的壽命。本實(shí)施例的顯示裝置摩擦力小，靈敏度高，且顯示裝置的體積可以更加輕巧。本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種上述實(shí)施例中MEMS光閥的形成方法，為便于理解本發(fā)明實(shí)施例的MEMS形成方法，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)施例的MEMS顯示裝置的形成方法作詳細(xì)描述。圖4為本發(fā)明具體實(shí)施例的形成顯示裝置的方法的流程示意圖；圖5 圖25為本發(fā)明的實(shí)施例的形成顯示裝置的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。執(zhí)行步驟S31，請(qǐng)參考圖5，提供基底401，在所述基底401表面形成固定光柵403， 所述固定光柵403具有第一透光部404。本發(fā)明的實(shí)施例中，所述基底401為玻璃基底。所述基底401內(nèi)形成有背光源(未標(biāo)不)O所述固定光柵403的方法包括在基底401上形成導(dǎo)電層，之后在導(dǎo)電層表面形成具有開(kāi)口的光刻膠層(未圖示)，所述開(kāi)口的位置和形狀與第一透光部404的位置和形狀相對(duì)應(yīng)，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕導(dǎo)電層形成固定光柵403，最后采用灰化工藝去除光刻膠層。執(zhí)行步驟S32，請(qǐng)參考圖6和圖7，在所述固定光柵403不透光區(qū)域的上方形成TFT 開(kāi)關(guān)407，用于提供電壓。請(qǐng)參考圖6，在形成所述TFT開(kāi)關(guān)407之前，先形成覆蓋所述固定光柵403的第一介質(zhì)層405，用于隔離固定光柵403和TFT開(kāi)關(guān)，防止短路。請(qǐng)參考圖7，在所述第一介質(zhì)層405表面形成TFT開(kāi)關(guān)407，所述TFT開(kāi)關(guān)407形成在固定光柵403不透光的區(qū)域的上方，所述TFT開(kāi)關(guān)407與驅(qū)動(dòng)電極和/或感應(yīng)電極電連接。在形成所述TFT開(kāi)關(guān)407后，在所述第一介質(zhì)層405表面形成第二介質(zhì)層411，所述第二介質(zhì)層411具有與第一導(dǎo)電層413的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并形成填充所述開(kāi)口的第一導(dǎo)電層413，所述第一導(dǎo)電層413形成在固定光柵403不透光區(qū)域的上方。需要說(shuō)明的是，所述第二介質(zhì)層411還具有與第一金屬層(未圖示)的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并填充導(dǎo)電材料形成第一金屬層(未圖示)。所述第一金屬層位于固定光柵403 不透光區(qū)域的上方，所述第一金屬層用于后續(xù)形成固定件。所述第一介質(zhì)層405、第二介質(zhì)層411、第一導(dǎo)電層413的工藝均為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積。由于沉積工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。執(zhí)行步驟S33，請(qǐng)結(jié)合參考圖8、圖9、圖22和圖23，形成在所述固定光柵403上的中心軸418 ；形成位于固定光柵不透光區(qū)域上方的，與固定光柵403相連的固定件421。請(qǐng)參考圖8，形成覆蓋所述TFT開(kāi)關(guān)407、第二介質(zhì)層411和第一導(dǎo)電層413表面的犧牲薄膜，在所述犧牲薄膜表面形成光刻膠層(未圖示)，所述光刻膠層具有與中心軸和后續(xù)形成的可動(dòng)光柵的形狀相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，以所述光刻膠層為掩膜刻蝕所述犧牲薄膜形成第一犧牲層415，所述第一犧牲層415具有與第一導(dǎo)電層413相對(duì)應(yīng)的第一凸起416和用于后續(xù)形成固定件的第二凸起420 (詳情見(jiàn)圖22)，所述第二凸起與第一金屬層相對(duì)應(yīng)，且所述第一犧牲層415暴露出部分第一導(dǎo)電層413和第二介質(zhì)層411的表面。請(qǐng)參考圖9，形成覆蓋所述第一凸起416的第二導(dǎo)電層417，所述第二導(dǎo)電層417 與所述第一導(dǎo)電層413相接觸。所述犧牲薄膜，即所述第一犧牲層415的材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、氧化硅、光刻膠中的一種。所述犧牲薄膜和第二導(dǎo)電層的形成方法為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積； 所述刻蝕所述犧牲薄膜的方法為干法刻蝕。由于沉積工藝和干法刻蝕工藝已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。所述中心軸418形成在所述固定光柵403不透光區(qū)域的上方，用于使后續(xù)過(guò)程中形成的可動(dòng)光柵繞其旋轉(zhuǎn)。所述中心軸418包括第一導(dǎo)電層413，與第一導(dǎo)電層413相對(duì)應(yīng)的第一凸起416 以及覆蓋所述第一凸起416且與所述第一導(dǎo)電層413相接觸的第二導(dǎo)電層417。在形成中心軸418的同一工藝步驟中，還形成有位于固定光柵403不透光區(qū)域上方的固定件(未圖示)。由于所述固定件在本發(fā)明實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)中無(wú)法顯示，為便于理解，特提供顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖22和圖23，所述固定件421的形成步驟為采用沉積工藝?yán)缥锢砘蚧瘜W(xué)氣相沉積工藝在所述第二凸起420表面形成第二金屬層(未標(biāo)示)，所述第二金屬層與第一金屬層相接觸。所述固定件421和所述中心軸在同一工藝步驟中形成，有助于節(jié)省工藝。所述固定件421包括第一金屬層，位于第一金屬層上的第二凸起420，覆蓋所述第二凸起420的
第二金屬層。執(zhí)行步驟S34，請(qǐng)參考圖10 圖14，形成與所述固定光柵403相對(duì)的可動(dòng)光柵 429，所述可動(dòng)光柵429以所述中心軸418為中心旋轉(zhuǎn)，所述可動(dòng)光柵4 具有第二透光部 431，所述第二透光部431與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵429的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)；形成與所述固定件(參見(jiàn)圖24)相連的驅(qū)動(dòng)電極427、一端與所述可動(dòng)光柵4 相連且與所述驅(qū)動(dòng)電極427相對(duì)的感應(yīng)電極426。請(qǐng)參考圖10，形成覆蓋所述第一犧牲層415、第二介質(zhì)層411和中心軸418的第二犧牲層419，所述第二犧牲層419后續(xù)過(guò)程將被去除，用于使顯示裝置的感應(yīng)電極和可動(dòng)光柵處于懸空狀態(tài)，增加其感應(yīng)靈敏度。所述第二犧牲層419的形成方法為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積，由于此工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述；所述第二犧牲層419、材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、氧化硅、光刻膠中的一種。請(qǐng)參考圖11，形成覆蓋第二犧牲層419的第三導(dǎo)電層423。所述第三導(dǎo)電層423的形成方法為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積，由于此工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述；所述第三導(dǎo)電層423 —部分用于形成可動(dòng)光柵，另一部分用于后續(xù)形成感應(yīng)電極。由于所述第三導(dǎo)電層423的厚度與所述可動(dòng)光柵、 感應(yīng)電極的厚度有關(guān)，若第三導(dǎo)電層423太厚，那么形成的可動(dòng)光柵、感應(yīng)電極也較厚，需要較大的TFT開(kāi)關(guān)提供較大的驅(qū)動(dòng)電壓才能使感應(yīng)電極發(fā)生彈性形變吸附在后續(xù)形成的驅(qū)動(dòng)電極上，帶動(dòng)可動(dòng)光柵旋轉(zhuǎn)。較大的TFT開(kāi)關(guān)需要消耗更大的能量且需要更大的體積， 從節(jié)能和節(jié)省空間的角度考慮，所述第三導(dǎo)電層423的厚度為20nm ΙΟμπι ；所述第三導(dǎo)電層423的材料為導(dǎo)電材料，例如金、銀、銅、鋁、鈦、鉻、鉬、鎘、鎳、鈷、非晶硅、多晶硅、非晶鍺硅、多晶鍺硅其中之一或者他們的任意的組合，用于將TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓通過(guò)中心軸 418傳遞給可動(dòng)光柵4 和后續(xù)形成的感應(yīng)電極。請(qǐng)參考圖12，在所述第三導(dǎo)電層423表面形成第三犧牲層425，所述第三犧牲層 425具有與可動(dòng)光柵的形狀和位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。所述第三犧牲層425的形成方法為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積，由于此工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述；所述第三犧牲層425材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、氧化硅、光刻膠中的一種。請(qǐng)參考圖13和圖14，以所述第三犧牲層425為掩膜去除所述部分第三導(dǎo)電層，形成可動(dòng)光柵429 ；去除所述第三犧牲層425。去除所述部分第三導(dǎo)電層的方法為干法刻蝕；去除所述第三犧牲層425的方法為濕法刻蝕或灰化工藝。上述過(guò)程完成之后，形成了與所述固定光柵403相對(duì)的可動(dòng)光柵429。請(qǐng)繼續(xù)參考圖13，形成與所述固定件(詳情見(jiàn)圖2 相連的驅(qū)動(dòng)電極427 ；形成一端與所述可動(dòng)光柵4 相連且與所述驅(qū)動(dòng)電極427相對(duì)的感應(yīng)電極426。由于所述驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極似6均由第三導(dǎo)電層形成。為節(jié)省工藝步驟， 在形成所述可動(dòng)光柵429的同時(shí)，還可以形成驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極426。因此，所述第三犧牲層425除具有與可動(dòng)光柵4 的形狀和位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口外，還具有與感應(yīng)電極似6 和驅(qū)動(dòng)電極427之間的間隙相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。所述驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極426的形成步驟為以所述第三犧牲層425為掩膜刻蝕所述第三導(dǎo)電層，形成驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極426。所述驅(qū)動(dòng)電極427與所述固定件相連。所述感應(yīng)電極4 一端與所述可動(dòng)光柵 429連接。在圖示的實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極似6相對(duì)設(shè)置，分別為四個(gè)，且驅(qū)動(dòng)電極427和感應(yīng)電極似6之間存在間隙。需要說(shuō)明的是，在上述步驟完成之后，所述可動(dòng)光柵、固定光柵和中心軸之間還存在第一犧牲層和第二犧牲層，所述可動(dòng)光柵并不能繞中心軸旋轉(zhuǎn)。因此，還需要去除所述第一犧牲層和第二犧牲層，并且未保護(hù)顯示裝置的各個(gè)部件，還需要形成封蓋層和密封蓋。本實(shí)施例的顯示裝置的形成方法還包括后續(xù)步驟。請(qǐng)參考圖15 圖21，圖15 圖21示出了本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置的后續(xù)形成步驟，具體地執(zhí)行步驟S35，請(qǐng)參考圖15和圖16，形成覆蓋所述第二犧牲層419和第三導(dǎo)電層的第四犧牲層433，平坦化所述第四犧牲層433。所述第四犧牲層433在后續(xù)工藝中會(huì)被去除，用于形成空腔，便于可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)；所述第四犧牲層433的材料可以為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、光阻、氧化硅中的一種；所述第四犧牲層433形成方法為沉積工藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積。由于此工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。平坦化所述第四犧牲層433的方法為化學(xué)機(jī)械拋光的方法。執(zhí)行步驟S36，請(qǐng)參考圖17，形成覆蓋第四犧牲層433的第五犧牲層435，所述第五犧牲層435具有開(kāi)口，所述開(kāi)口的位置與只形成有第一犧牲層415、第二犧牲層419和第四犧牲層433的位置相對(duì)應(yīng)。所述第五犧牲層435的開(kāi)口的位置與只形成有第一犧牲層415、第二犧牲層419 和第四犧牲層433的位置相對(duì)應(yīng)，用于后續(xù)作為掩膜去除所述第一犧牲層415、第二犧牲層 419和第四犧牲層433以形成封蓋層。執(zhí)行步驟S37，請(qǐng)參考圖18，以所述第五犧牲層435為掩膜去除部分第一犧牲層 415、第二犧牲層419和第四犧牲層433，暴露出TFT開(kāi)關(guān)407、第二介質(zhì)層411，用于后續(xù)形成封蓋層；之后再去除所述第五犧牲層435。去除部分第一犧牲層415、第二犧牲層419和第四犧牲層433的方法為灰化工藝或刻蝕工藝，例如干法刻蝕，暴露出TFT開(kāi)關(guān)407、第二介質(zhì)層411，用于后續(xù)形成封蓋層。待去除部分第一犧牲層415、第二犧牲層419和第四犧牲層433之后，再去除所述第五犧牲層435，具體可以采用灰化工藝或干法刻蝕的方法。由于灰化工藝和刻蝕工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。執(zhí)行步驟S38，請(qǐng)參考圖19，形成覆蓋所述第四犧牲層433、第二介質(zhì)層411和TFT 開(kāi)關(guān)407的封蓋層437，所述封蓋層437上具有多個(gè)開(kāi)口 439，暴露出所述第四犧牲層433。所述封蓋層437用于保護(hù)顯示裝置的各個(gè)部件，例如可動(dòng)光柵、固定光柵、驅(qū)動(dòng)電極、感應(yīng)電極、TFT開(kāi)關(guān)等。所述開(kāi)口 439用于后續(xù)通入灰化氣體以去除第四犧牲層433。所述開(kāi)口 439的深寬比范圍應(yīng)為0.5 20，所述開(kāi)口的孔徑范圍為0. Iym 10 μπι。執(zhí)行步驟S39，請(qǐng)參考圖20，去除所述圖形化的第一犧牲層、第二犧牲層、第四犧牲層。去除所述圖形化的第一犧牲層、第二犧牲層、第四犧牲層的方法為灰化工藝，具體為離化氧氣形成氧等離子體；將所述氧等離子體通入所述開(kāi)口 439，在溫度范圍為 150°C 450°C的條件下灰化所述第一犧牲層、第二犧牲層、第四犧牲層。去除所述圖形化的第一犧牲層、第二犧牲層、第四犧牲層的目的是為了使MEMS顯示裝置的可動(dòng)光柵4 可繞中心軸418旋轉(zhuǎn)。執(zhí)行步驟S40，請(qǐng)參考圖21，形成密封所述開(kāi)口 439的密封蓋441。為更好的理解本發(fā)明，圖22 圖M示出了本發(fā)明實(shí)施例在顯示裝置形成方法的過(guò)程中的一些平面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖22中示出了本發(fā)明實(shí)施例中第二凸起420的形成位置；圖23示出了本發(fā)明的實(shí)施例中顯示裝置的固定件的形成方法的平面結(jié)構(gòu)示意圖，形成覆蓋第二凸起的金屬層，形成固定件；圖M示出了本發(fā)明的實(shí)施例中顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極的形成方法的平面結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的實(shí)施例的MEMS光閥、顯示裝置的形成方法，首先在基底上形成固定光柵，然后在固定光柵之上形成可動(dòng)光柵。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以首先在基底上形成可動(dòng)光柵，然后在可動(dòng)光柵之上固定光柵。請(qǐng)參考圖25，本發(fā)明的另一實(shí)施例的MEMS光閥的結(jié)構(gòu)，包括基底501，位于基底501表面的中心軸505 ；具有第二透光部515的可動(dòng)光柵510 ；位于可動(dòng)光柵510上方且與所述可動(dòng)光柵510相對(duì)的固定光柵560，所述固定光柵 560具有第一透光部565 ；所述可動(dòng)光柵510繞中心軸505旋轉(zhuǎn)，控制所述第二透光部515與所述第一透光部565相對(duì)，所述第二透光部515與所述第一透光部565隨所述可動(dòng)光柵510的旋轉(zhuǎn)而重
疊或錯(cuò)開(kāi)。與本發(fā)明的上一實(shí)施例不同，本實(shí)施例的固定光柵560位于可動(dòng)光柵510的上方。本實(shí)施例的具有MEMS光閥還包括與可動(dòng)光柵510相連的感應(yīng)電極530 ；與所述感應(yīng)電極530相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極520。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置，還包括與上述MEMS光閥中的感應(yīng)電極 530和/或驅(qū)動(dòng)電極520電連接的TFT開(kāi)關(guān)(未圖示)，所述TFT開(kāi)關(guān)位于基底501上，所述TFT開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，所述感應(yīng)電極530和驅(qū)動(dòng)電極520之間具有電勢(shì)差。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置，還包括位于基底501上的固定件(未圖示)°本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置，還包括覆蓋所述可動(dòng)光柵510、中心軸 505、感應(yīng)電極530、驅(qū)動(dòng)電極520和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層M0，所述封蓋層540具有開(kāi)口 545 ； 密封所述開(kāi)口 545的密封蓋550，所述封蓋層540和密封蓋550位于可動(dòng)光柵510和固定光柵560之間。與本發(fā)明的上一實(shí)施例不同，本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的封蓋層MO 不覆蓋所述固定光柵560。所述固定光柵560位于密封蓋550表面。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥、顯示裝置的結(jié)構(gòu)的其他部分及各個(gè)部件之間的關(guān)系與本發(fā)明的上一實(shí)施例中的MEMS光閥、顯示裝置的結(jié)構(gòu)相同，具體可參考本發(fā)明的上一實(shí)施例，在此不再贅述。請(qǐng)繼續(xù)參考圖25，本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥的形成方法，包括提供基底501，在所述基底501表面形成中心軸505 ；形成以所述中心軸505為中心旋轉(zhuǎn)的可動(dòng)光柵510，所述可動(dòng)光柵510具有第二透光部515 ；形成位于可動(dòng)光柵510上方且與所述可動(dòng)光柵510相對(duì)的固定光柵560，所述固定光柵560具有第一透光部565 ；所述第一透光部515與所述第二透光部565隨所述可動(dòng)光柵510的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。與本發(fā)明的上一實(shí)施例的區(qū)別在于本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥先形成可動(dòng)光柵 510，然后在可動(dòng)光柵510上方形成與所述可動(dòng)光柵510相對(duì)的固定光柵560。本實(shí)施例的MEMS光閥的形成方法，還包括與可動(dòng)光柵510在同一工藝步驟中形成的感應(yīng)電極530和驅(qū)動(dòng)電極520。所述感應(yīng)電極530與可動(dòng)光柵510相連，所述驅(qū)動(dòng)電極 520與所述感應(yīng)電極530相對(duì)。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的形成方法，還包括在形成所述固定光柵 560之前，形成與所述感應(yīng)電極530和/或驅(qū)動(dòng)電極520電連接的TFT開(kāi)關(guān)(未圖示)，所述TFT開(kāi)關(guān)形成在基底501上，所述TFT開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，所述感應(yīng)電極530和驅(qū)動(dòng)電極520之間存在電勢(shì)差。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的形成方法，還包括在形成所述固定光柵 560之前，形成位于基底501上的固定件，所述固定件與中心軸505在同一工藝步驟中形成。本實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的形成方法，還包括在形成所述固定光柵 560之前，形成覆蓋所述可動(dòng)光柵510、中心軸505、感應(yīng)電極530、驅(qū)動(dòng)電極520和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層討0，所述封蓋層540具有開(kāi)口 545 ；形成密封所述開(kāi)口 545的密封蓋550。與本發(fā)明的上一實(shí)施例不同，所述封蓋層540不覆蓋固定光柵560，即先形成封蓋層540和密封蓋550，再在所述密封蓋550的表面形成所述固定光柵560。本實(shí)施例的MEMS光閥、顯示裝置的其他形成方法與本發(fā)明的上一實(shí)施例的MEMS 光閥、顯示裝置的形成方法相同，具體可參考本發(fā)明的上一實(shí)施例，在此不再贅述。綜上，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥設(shè)置有中心軸，可動(dòng)光柵可繞所述中心軸旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部的相對(duì)部分隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥，可動(dòng)光柵繞中心軸旋轉(zhuǎn)的摩擦力小，靈敏度高。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥的固定光柵和可動(dòng)光柵為圓形，第一透光部和第二透光部為扇形，可以有效的節(jié)省空間、材料，從而使得MEMS顯示裝置的體積更加輕巧。本發(fā)明實(shí)施例的具有MEMS光閥的顯示裝置的摩擦力小，靈敏度高，體積輕巧。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種MEMS光閥，其特征在于，包括固定光柵，所述固定光柵具有第一透光部；與所述固定光柵相對(duì)的可動(dòng)光柵，所述可動(dòng)光柵具有第二透光部；中心軸，所述可動(dòng)光柵以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS光閥，其特征在于，還包括與所述可動(dòng)光柵相連的感應(yīng)電極；與所述感應(yīng)電極相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極，所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成電容，其相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵旋轉(zhuǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS光閥，其特征在于，所述感應(yīng)電極的厚度為20nm 10μ m ； 所述驅(qū)動(dòng)電極的厚度為20nm 10 μ m。
4.如權(quán)利要求2所述的MEMS光閥，其特征在于，所述感應(yīng)電極和驅(qū)動(dòng)電極之間的距離力 0. 5 μ m 50 μ m。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS光閥，其特征在于，所述中心軸的形狀為圓柱、圓臺(tái)、圓錐中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的MEMS光閥，其特征在于，所述固定光柵、可動(dòng)光柵和中心軸的中心在同一直線上。
7.如權(quán)利要求1所述的MEMS光閥，其特征在于，所述第一透光部的形狀為扇形，所述第二透光部的形狀為扇形，所述可動(dòng)光柵的形狀為圓形，所述固定光柵的形狀為圓形。
8.如權(quán)利要求1所述的MEMS光閥，其特征在于，所述可動(dòng)光柵的厚度為20nm 10μ m。
9.一種包括權(quán)利要求1 8中的任一項(xiàng)所述MEMS光閥的顯示裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，還包括TFT開(kāi)關(guān)，所述感應(yīng)電極和驅(qū)動(dòng)電極中的一種電極與TFT開(kāi)關(guān)相連，另一種電極接地；或者所述感應(yīng)電極與第一 TFT開(kāi)關(guān)電連接，所述驅(qū)動(dòng)電極與第二 TFT開(kāi)關(guān)相連，所述第一 TFT開(kāi)關(guān)和第二 TFT開(kāi)關(guān)提供的電壓不同。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括位于基底表面的固定光柵； 覆蓋所述可動(dòng)光柵、固定光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；密封所述開(kāi)口的密封蓋。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括覆蓋所述可動(dòng)光柵、中心軸、 感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；密封所述開(kāi)口的密封蓋； 所述固定光柵形成在所述密封蓋表面。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，還包括位于固定光柵不透光區(qū)域的固定件，所述固定件與驅(qū)動(dòng)電極相連，所述固定件與TFT開(kāi)關(guān)相連或者接地。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述中心軸與TFT開(kāi)關(guān)相連或者接地。
15.一種MEMS光閥的形成方法，其特征在于，包括形成具有第一透光部的固定光柵；形成具有第二透光部的可動(dòng)光柵，所述可動(dòng)光柵與所述固定光柵相對(duì)；形成中心軸，所述可動(dòng)光柵以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。
16.如權(quán)利要求15所述的MEMS光閥的形成方法，其特征在于，還包括形成與所述可動(dòng)光柵相連的感應(yīng)電極；形成與所述感應(yīng)電極相對(duì)的驅(qū)動(dòng)電極，所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極構(gòu)成電容，其相對(duì)運(yùn)動(dòng)，以帶動(dòng)所述可動(dòng)光柵旋轉(zhuǎn)。
17.如權(quán)利要求15所述的MEMS光閥的形成方法，其特征在于，所述可動(dòng)光柵、所述感應(yīng)電極和所述驅(qū)動(dòng)電極在同一工藝步驟中形成。
18.一種包括權(quán)利要求15 17中任一項(xiàng)所述的MEMS光閥的顯示裝置的形成方法。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置的形成方法，其特征在于，還包括形成與所述感應(yīng)電極或驅(qū)動(dòng)電極相連的TFT開(kāi)關(guān)；或者包括形成與所述感應(yīng)電極相連的第一 TFT開(kāi)關(guān)，形成與所述驅(qū)動(dòng)電極相連的第二 TFT開(kāi)關(guān)。
20.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置的形成方法，其特征在于，還包括形成在基底表面的固定光柵；形成覆蓋所述可動(dòng)光柵、固定光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；形成密封所述開(kāi)口的密封蓋。
21.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置的形成方法，其特征在于，還包括形成覆蓋所述可動(dòng)光柵、中心軸、感應(yīng)電極、驅(qū)動(dòng)電極和TFT開(kāi)關(guān)的封蓋層，所述封蓋層具有開(kāi)口 ；形成密封所述開(kāi)口的密封蓋；形成在密封蓋表面的固定光柵。
22.如權(quán)利要求18所述的顯示裝置的形成方法，其特征在于，還包括形成位于固定光柵不透光區(qū)域、與所述驅(qū)動(dòng)電極相連的固定件。
23.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置的形成方法，其特征在于，所述固定件與所述中心軸在同一工藝步驟中形成。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種MEMS光閥、顯示裝置及其形成方法。所述MEMS光閥包括固定光柵，所述固定光柵具有第一透光部；與所述固定光柵相對(duì)的可動(dòng)光柵，所述可動(dòng)光柵具有第二透光部；中心軸，所述可動(dòng)光柵以所述中心軸為中心旋轉(zhuǎn)，所述第二透光部與所述第一透光部隨所述可動(dòng)光柵的旋轉(zhuǎn)而重疊或錯(cuò)開(kāi)。本發(fā)明實(shí)施例的MEMS光閥及顯示裝置的摩擦力小，靈敏度高，體積更加輕巧。
文檔編號(hào)G02B26/02GK102243369SQ201110097110
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2011年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月18日
發(fā)明者唐德明, 毛劍宏 申請(qǐng)人:上海麗恒光微電子科技有限公司