專利名稱：液浸構(gòu)件、曝光裝置、曝光方法及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液浸構(gòu)件、曝光裝置、曝光方法及元件制造方法。本申請發(fā)明是根據(jù)2010年I月08日申請的美國臨時(shí)申請案61/282，255號而主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容引入本文。
背景技術(shù)：
光刻步驟中所使用的曝光裝置中，已知有一種例如透過如下述專利文獻(xiàn)所揭示那樣的液體以曝光用光曝光基板的液浸曝光裝置。先行技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :美國專利申請公開第2006/0103817號

發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]在液浸曝光裝置中，以在基板等物體上形成著液浸空間的狀態(tài)下，例如在使物體以高速移動的情況下，或者在移動長距離的情況下，會有液體流出、或在物體上殘留液體(膜、滴等)的可能性。其結(jié)果為，會有產(chǎn)生曝光不良、或產(chǎn)生不良元件的可能性。本發(fā)明的形態(tài)的目的在于提供一種可以抑制產(chǎn)生曝光不良的液浸構(gòu)件、曝光裝置及曝光方法。另外，本發(fā)明的形態(tài)的目的在于提供一種可以抑制產(chǎn)生不良元件的元件制造方法。[解決問題的手段]根據(jù)本發(fā)明的第I形態(tài)，提供一種液浸構(gòu)件，其以曝光用光的光路由液體填滿的方式在和可移動的物體之間形成液浸空間；且包含第I板，其配置在光路周圍的至少一部分；第2板，其配置在光路周圍的至少一部分，且包含和第I板的下表面的至少一部分對向的上表面及物體能夠?qū)ο虻南卤砻妫患盎厥湛?，其相對于光路配置在第I板的外側(cè)，物體能夠和至少一部分對向，回收來自第2板的上表面所面對的第I空間及第2板的下表面所面對的第2空間的液體的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第2形態(tài)，提供一種曝光裝置，其透過液體以曝光用光將基板曝光；且包含第I的形態(tài)的液浸構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的第3的形態(tài)，提供一種元件制造方法，其包含如下步驟使用第2形態(tài)的曝光裝置將基板曝光；及將經(jīng)曝光的基板顯影。根據(jù)本發(fā)明的第4形態(tài)，提供一種曝光方法，其透過液體以曝光用光將基板曝光；且包含如下步驟以光學(xué)構(gòu)件的射出面和基板的表面間的曝光用光的光路由液體填滿的方式形成液浸空間；透過液浸空間的液體將來自射出面的曝光用光照射在基板；及從回收口回收來自配置在光路周圍的至少一部分的第I板的下表面和配置在光路周圍的至少一部分的第2板的上表面間的第I空間、及第2板的下表面和基板的表面間的第2空間的液體的至少一部分，該回收口相對于光路配置在第I板的外側(cè)，基板能夠和至少一部分對向。根據(jù)本發(fā)明的第5形態(tài)，提供一種元件制造方法，其包含如下步驟使用第4形態(tài)的曝光方法將基板曝光；及將經(jīng)曝光的基板顯影。[發(fā)明的效果]根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，能夠抑制曝光不良的產(chǎn)生。此外，根據(jù)本發(fā)明的形態(tài)，能夠抑制不良元件的產(chǎn)生。


圖I是表示第I實(shí)施方式的曝光裝置的一例的概略構(gòu)成圖。圖2是表不第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的側(cè)截面圖。
圖3是從下側(cè)觀察第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的圖。圖4是將圖2的一部分放大的圖。圖5是將圖4的一部分放大的圖。圖6是用以說明比較例的液浸構(gòu)件的模式圖。圖7是用以說明第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的模式圖。圖8是從下側(cè)觀察第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的圖。圖9是從下側(cè)觀察第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的圖。圖10是表示第I實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的一部分的側(cè)截面圖。圖11是表示第2實(shí)施方式的液浸構(gòu)件的一例的圖。圖12是用以說明微元件的制造步驟的一例的流程圖。[符號的說明]2 基板臺3 液浸構(gòu)件4 控制裝置6 射出面21 第I板部2IA上表面2IB下表面2IK 開口22第2板部22A上表面22B下表面22K 開口23 支撐機(jī)構(gòu)23C連結(jié)構(gòu)件31 供給口32 回收口33 多孔構(gòu)件33H 孔
50驅(qū)動系統(tǒng)AEl外緣區(qū)域Ea內(nèi)側(cè)邊緣Eb外側(cè)邊緣Ec內(nèi)側(cè)邊緣Ed外側(cè)邊緣EL曝光用光Gl間隙
·
G2間隙G3間隙K光路LQ液體LS液浸空間P基板PL投影光學(xué)系統(tǒng)SI第I空間S2第2空間S3第3空間
具體實(shí)施例方式以下，一邊參照圖式一邊對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于此。以下說明中，設(shè)定XYZ正交坐標(biāo)系，一邊參照該XYZ正交坐標(biāo)系一邊對各部的位置關(guān)系進(jìn)行說明。將水平面內(nèi)的特定方向設(shè)為X軸方向，將在水平面內(nèi)和X軸方向正交的方向設(shè)為Y軸方向，將分別和X軸方向及Y軸方向正交的方向(即鉛垂方向)設(shè)為Z軸方向。另外，將繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別設(shè)為ΘΧ、ΘΥ及ΘΖ方向。<第I實(shí)施方式>對第I實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖I是表示第I實(shí)施方式的曝光裝置EX的一例的概略構(gòu)成圖。本實(shí)施方式的曝光裝置EX為透過液體LQ以曝光用光EL曝光基板P的液浸曝光裝置。在本實(shí)施方式中，以曝光用光EL的光路的至少一部分由液體LQ填滿的方式形成液浸空間LS。液浸空間為由液體填滿的部分(空間、區(qū)域)?；錚透過液浸空間LS的液體LQ以曝光用光EL而曝光。在本實(shí)施方式中，使用水(純水)作為液體LQ。在圖I中，曝光裝直EX包含保持光罩(mask) M且可移動的光罩臺I、保持基板P且可移動的基板臺2、以曝光用光EL照明光罩M的照明系統(tǒng)IL、將以曝光用光EL照明的光罩M的圖案的像投影在基板P的投影光學(xué)系統(tǒng)PL、以照射在基板P的曝光用光EL的光路K以液體LQ填滿的方式在和基板P之間形成液浸空間LS的液浸構(gòu)件3、及控制曝光裝置EX整體的動作的控制裝置4。光罩M包含形成著投影在基板P的兀件圖案的標(biāo)線片(reticle)。光罩M包含具有例如玻璃板等透明板和在該透明板上使用鉻等遮光材料而形成的圖案的透過型光罩。此夕卜，也可以使用反射型光罩作為光罩M。
基板P為用以制造兀件的基板。基板P例如包含半導(dǎo)體晶片等基材和形成在該基材上的感光膜。感光膜為感光材(光阻劑)的膜。另外，基板P除了感光膜以外也可以包含其他膜。例如，基板P既可以包含抗反射膜，也可以包含保護(hù)感光膜的保護(hù)膜(外涂膜)。照明系統(tǒng)IL對特定的照明區(qū)域IR照射曝光用光EL。照明區(qū)域IR包含從照明系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL能夠照射的位置。照明系統(tǒng)IL以均一的照度分布的曝光用光EL照明配置在照明區(qū)域IR的光罩M的至少一部分。作為從照明系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，使用例如從水銀燈射出的明線(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光的光(波長248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)、ArF準(zhǔn)分子激光的光(波長193nm)、及F2激光的光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。在本實(shí)施方式中，使用紫外光(真空紫外光)即ArF準(zhǔn)分子激光的光作為曝光用光EL。光罩臺I在保持光罩M的狀態(tài)下可以在包含照明區(qū)域IR的基底構(gòu)件5的引導(dǎo)面5G上移動。光罩臺I通過例如美國專利第6452292號中所揭示那樣的包含平面馬達(dá)的驅(qū)動系統(tǒng)的動作而移動。平面馬達(dá)包含配置在光罩臺I的可動元件和配置在基底構(gòu)件5的固定 兀件。在本實(shí)施方式中，光罩臺I通過驅(qū)動系統(tǒng)的動作而在引導(dǎo)面5G上可在X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及Θ Z方向6個(gè)方向移動。投影光學(xué)系統(tǒng)PL對特定的投影區(qū)域PR照射曝光用光EL。投影區(qū)域PR包含從投影光學(xué)系統(tǒng)PL射出的曝光用光EL能夠照射的位置。投影光學(xué)系統(tǒng)PL以特定的投影倍率將光罩M的圖案的像投影在配置在投影區(qū)域PR的基板P的至少一部分。本實(shí)施方式的投影光學(xué)系統(tǒng)PL為其投影倍率例如為1/4、1/5或1/8等縮小系統(tǒng)。此外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可以為等倍系統(tǒng)及放大系統(tǒng)中的任意一個(gè)。在本實(shí)施方式中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX和Z軸平行。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可以為不包含反射光學(xué)元件的折射系統(tǒng)、不包含折射光學(xué)元件的反射系統(tǒng)、包含反射光學(xué)元件與折射光學(xué)元件的反射折射系統(tǒng)中的任意一個(gè)。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)PL也可以形成倒立像和正立像中的任意一個(gè)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL包含朝向投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面射出曝光用光EL的射出面6。射出面6配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的多個(gè)光學(xué)元件中的距投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面最近的末端光學(xué)元件7。投影區(qū)域PR包含從射出面6射出的曝光用光EL能夠照射的位置。在本實(shí)施方式中，射出面6朝向-Z方向，且和XY平面平行。此外，朝向-Z方向的射出面6既可以是凸面，也可以是凹面。從射出面6射出的曝光用光EL向-Z方向行進(jìn)?；迮_2在保持基板P的狀態(tài)下，可以在包含投影區(qū)域PR的基底構(gòu)件8的引導(dǎo)面SG上移動?；迮_2例如通過如美國專利第6452292號所揭示那樣的包含平面馬達(dá)的驅(qū)動系統(tǒng)的動作讓他移動。平面馬達(dá)包含配置在基板臺2的可動元件和配置在基底構(gòu)件8的固定兀件。在本實(shí)施方式中，基板臺2通過驅(qū)動系統(tǒng)的動作而在引導(dǎo)面8G上能夠在X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ及Θ Z方向6個(gè)方向移動?；迮_2包含可釋放地保持基板P的基板保持部9ο基板保持部9以基板P的表面朝向+Z方向的方式保持基板P。在本實(shí)施方式中，基板保持部9以基板P的表面和XY平面大致平行的方式保持基板P。在本實(shí)施方式中，保持在基板保持部9的基板P的表面和配置在該基板P周圍的基板臺2的上表面10配置在同一平面內(nèi)(為一平面)。上表面10平坦。在本實(shí)施方式中，保持在基板保持部9的基板P的表面及基板臺2的上表面10和XY平面大致平行。
另外，在本實(shí)施方式中，基板臺2例如包含如美國專利申請公開第2007/0177125號及美國專利申請公開第2008/0049209號等所揭示那樣的可釋放地保持板構(gòu)件T的板構(gòu)件保持部U。在本實(shí)施方式中，基板臺2的上表面10包含保持在板構(gòu)件保持部11的板構(gòu)件T的上表面。此外，板構(gòu)件T也可以不可釋放。在此情況下，板構(gòu)件保持部11可省略。另外，保持在基板保持部9的基板P的表面和上表面10也可以不配置在同一平面內(nèi)，基板P的表面及上表面10的至少一方也可以和XY平面不平行。在本實(shí)施方式中，光罩臺I及基板臺2的位置由包含激光干涉計(jì)單元12A、12B的干涉計(jì)系統(tǒng)12測量。激光干涉計(jì)單元12A能夠使用配置在光罩臺I的測量鏡測量光罩臺I 的位置。激光干涉計(jì)單元12B能夠使用配置在基板臺2的測量鏡測量基板臺2的位置。當(dāng)執(zhí)行基板P的曝光處理時(shí)，或者當(dāng)執(zhí)行特定的測量處理時(shí)，控制裝置4根據(jù)干涉計(jì)系統(tǒng)12的測量結(jié)果執(zhí)行光罩臺I (光罩M)及基板臺2 (基板P)的位置控制。在本實(shí)施方式中，曝光裝置EX為一邊使光罩M和基板P在特定的掃描方向同步移動、一邊將光罩M的圖案的像投影在基板P的掃描型曝光裝置(所謂掃描步進(jìn)器)。在本實(shí)施方式中，將基板P的掃描方向(同步移動方向)設(shè)為Y軸方向，將光罩M的掃描方向(同步移動方向)也設(shè)為Y軸方向?？刂蒲b置4使基板P相對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域PR在Y軸方向移動，并且和該基板P向Y軸方向的移動同步，相對于照明系統(tǒng)IL的照明區(qū)域IR使光罩M在Y軸方向移動，并且透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL和基板P上的液浸空間LS的液體LQ對基板P照射曝光用光EL。其次，參照圖2 圖5面對液浸構(gòu)件3進(jìn)行說明。圖2是表不本實(shí)施方式的液浸構(gòu)件3的一例的側(cè)截面圖，圖3是從-Z側(cè)(下側(cè))觀察液浸構(gòu)件3的圖，圖4是將圖2的一部分放大的圖，圖5是將圖4的一部分放大的圖。液浸構(gòu)件3在和配置在投影區(qū)域PR的物體之間保持液體LQ，以投影在該物體的曝光用光EL的光路K由液體LQ填滿的方式形成液浸空間LS。液浸空間LS以末端光學(xué)兀件7和物體間的曝光用光EL的光路K由液體LQ填滿的方式形成。在本實(shí)施方式中，可配置在投影區(qū)域PR的物體包含可相對于投影區(qū)域PR移動的物體。在本實(shí)施方式中，該物體包含基板臺2 (板構(gòu)件T)保持在及基板臺2的基板P的至少一方。液浸構(gòu)件3以曝光用光EL的光路K由液體LQ填滿的方式在和該可移動的物體之間形成液浸空間LS。在基板P的曝光中，液浸構(gòu)件3以照射在基板P的曝光用光EL的光路K由液體LQ填滿的方式在和基板P之間保持液體LQ而形成液浸空間LS。在使用圖2 圖5的以下說明中，以液浸構(gòu)件3在和基板P之間形成液浸空間LS的情況為例進(jìn)行說明，但例如也可以在和基板臺2 (板構(gòu)件T)之間形成液浸空間LS。在本實(shí)施方式中，液浸構(gòu)件3包含 第I板部21，其配置在從射出面6射出的曝光用光EL的光路K周圍的至少一部分；第2板部22，其配置在光路K周圍的至少一部分，且包含和第I板部21的下表面21B的至少一部分對向的上表面22A及基板P (物體)可對向的下表面22B ;及回收口 32，其相對于光路K配置在第I板部21的外側(cè)，在至少一部分基板P可對向，回收來自第2板部22的上表面22k所面對的第I空間SI及第2板部22的下表面22B所面對的第2空間S2的液體LQ的至少一部分。另外，液浸構(gòu)件3包含至少一部分配置在末端光學(xué)兀件7周圍的主體部20。在本實(shí)施方式中，主體部20和第I板部21為一體。第2板部22和第I板部21分體。在本實(shí)施方式中，主體部20及第I板部21為環(huán)狀的構(gòu)件。主體部20的至少一部分配置在末端光學(xué)元件7周 圍。第I板部21配置在光路K周圍。另外，在本實(shí)施方式中，第2板部22也為環(huán)狀的構(gòu)件。第2板部22配置在光路K周圍。此外，主體部20、第I板部21及第2板部22的至少一個(gè)也可以不為環(huán)狀構(gòu)件。例如，第2板部22也可以配置在光路K周圍的一部分。主體部20包含和末端光學(xué)元件7的側(cè)面13對向的內(nèi)側(cè)面20A。側(cè)面13配置在射出面6周圍。側(cè)面13為不出射曝光用光El的面。在本實(shí)施方式中,側(cè)面13有關(guān)相對于光路K的放射方向朝向外側(cè)向+Z方向傾斜。+Z方向?yàn)楹蛷纳涑雒?射出的曝光用光EL行進(jìn)的方向(-Z方向)相反的方向。第I板部21包含上表面21A和朝向上表面21A的相反方向的下表面21B。上表面21A為朝向+Z方向的面。下表面21B為朝向-Z方向的面。上表面21A的至少一部分和射出面6對向。另外，第I板部21包含從射出面6射出的曝光用光EL能夠通過的開口 21K。上表面21A及下表面21B配置在光路K (開口 21K)周圍。在本實(shí)施方式中，上表面21A平坦，和XY平面大致平行。下表面21B也平坦，和XY平面大致平行。此外，上表面21A和下表面21B也可以不平行，也可以包含關(guān)于Z軸方向厚度不同的部分。第2板部22包含上表面22A和朝向上表面22A的相反方向的下表面22B。上表面22A為朝向+Z方向的面。下表面22B為朝向-Z方向的面。上表面22A的至少一部分和下表面21B對向?；錚可以和下表面22B對向。另外，第2板部22包含從射出面6射出的曝光用光EL能夠通過的開口 22K。上表面22A及下表面22B配置在光路K (開口 22K)周圍。在基板P的曝光中，從射出面6射出的曝光用光EL通過開口 21K及開口 22K而照射在基板P。在本實(shí)施方式中，上表面22A平坦，和XY平面大致平行。下表面22B也平坦，和XY平面大致平行。在本實(shí)施方式中，第I板部21的下表面21B和第2板部22的上表面22A大致平行。此外，上表面22A和下表面22B也可以不平行，關(guān)也可以包含于Z軸方向厚度不同的部分。此外,下表面21B和上表面22A也可以非平行。此外,上表面21A及下表面21B的至少一方也可以和XY平面非平行。另外,上表面21A及下表面21B的至少一方也可以包含曲面。另外，上表面22A及下表面22B的至少一方也可以和XY平面非平行。另外，上表面22A及下表面22B的至少一方也可以包含曲面。液浸構(gòu)件3配置成內(nèi)側(cè)面20A的至少一部分和側(cè)面13介隔間隙G4而對向。另外，液浸構(gòu)件3配置成上表面21A的至少一部分和射出面6介隔間隙G3而對向。另外，第2板部22配置成上表面22A的至少一部分和下表面21B介隔間隙Gl而對向?；錚配置成該基板P的表面和下表面22B介隔間隙G2而對向。在本實(shí)施方式中，在下表面21B和上表面22A之間形成著第I空間SI。在下表面22B和基板P的表面之間形成著第2空間S2。在射出面6和上表面2IA之間形成著第3空間S3。在內(nèi)側(cè)面20A和側(cè)面13之間形成著第4空間S4。
在本實(shí)施方式中，液浸構(gòu)件3包含以相對于第I板部21配置在特定位置的方式支撐第2板部22的支撐機(jī)構(gòu)23。在本實(shí)施方式中，支撐機(jī)構(gòu)23包含將第2板部22連結(jié)在第I板部21的連結(jié)構(gòu)件23C。連結(jié)構(gòu)件23C為桿狀的構(gòu)件。連結(jié)構(gòu)件23C在XY平面內(nèi)配置多個(gè)。支撐機(jī)構(gòu)23使用多個(gè)連結(jié)構(gòu)件23C分別連結(jié)下表面21B的多個(gè)位置和上表面22A的多個(gè)位置。支撐機(jī)構(gòu)23以下表面21B和上表面22A透過間隙Gl而對向的方式支撐第2板部22。此外，支撐機(jī)構(gòu)23也可以包含連結(jié)主體部20和第2板部22的連結(jié)構(gòu)件。在此情況下，既可以省略連結(jié)第I板部21和第2板部22的連結(jié)構(gòu)件23C，也可以不省略。另外，第2板部22也可以不和主體部20及第I板部21的至少一方連結(jié)。例如，也可以在支撐投影光學(xué)系統(tǒng)PL的支撐構(gòu)件透過特定的支撐機(jī)構(gòu)支撐第2板部22。在本實(shí)施方式中，第I板部21的下表面21B和第2板部22的上表面22A間的間隙Gl大于第2板部22的下表面22B和基板P的表面間的間隙G2。在本實(shí)施方式中，間隙 G2包含第2板部22下表面22B和配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面的基板P (物體)的表面間的間隙。另外，在本實(shí)施方式中，上表面21A和下表面21B的距離大于上表面22A和下表面22B的距離。換句話說,第I板部21厚于第2板部22。在本實(shí)施方式中，下表面21B對液體LQ為親液性。在本實(shí)施方式中，液體LQ和下表面21B的接觸角小于90度。在本實(shí)施方式中，第I板部21為鈦制。下表面21B為鈦的表面。在本實(shí)施方式中，上表面22A對液體LQ為親液性。另外，在本實(shí)施方式中，下表面22B也對液體LQ為親液性。液體LQ和上表面22A的接觸角小于90度。另外，液體LQ和下表面22B的接觸角小于90度。在本實(shí)施方式中，第2板部22為鈦制。上表面22A及下表面22B為鈦的表面。此外，液體LQ和上表面22A的接觸角與液體LQ和下表面22B的接觸角也可以不同。換句話說，對液體LQ的親和性(親液性)在上表面22A和下表面22B也可以不同。另外，液體LQ和下表面21B的接觸角與液體LQ和上表面22A的接觸角既可以相同，也可以不同。另外，液體LQ和下表面21B的接觸角與液體LQ和下表面22B的接觸角既可以相同，也可以不同。此外，上表面22A及下表面22B的至少一方也可以對液體LQ為斥液性。例如，液體LQ和上表面22A的接觸角也可以為90度以上，液體LQ和下表面22B的接觸角也可以為90度以上。在本實(shí)施方式中，第I板部21包含內(nèi)側(cè)邊緣Ea和外側(cè)邊緣Eb。內(nèi)側(cè)邊緣Ea為距光路K較近的邊緣。外側(cè)邊緣Eb為距光路K較遠(yuǎn)的邊緣。內(nèi)側(cè)邊緣Ea規(guī)定開口 21K。第2板部22包含內(nèi)側(cè)邊緣Ec和外側(cè)邊緣Ed。內(nèi)側(cè)邊緣Ec為距光路K較近的邊緣。外側(cè)邊緣Ed為距光路K較遠(yuǎn)的邊緣。內(nèi)側(cè)邊緣Ec規(guī)定開口 22K。在本實(shí)施方式中，第2板部22的內(nèi)側(cè)邊緣Ec在相對于光路K的放射方向配置在較第I板部21更靠內(nèi)側(cè)。也就是說,第2板部22的內(nèi)側(cè)邊緣Ec和第I板部21的內(nèi)側(cè)邊緣Ea距光路K較近。在本實(shí)施方式中，開口 22K小于開口 21K。如圖3所示，在本實(shí)施方式中，XY平面內(nèi)中的第I板部21的下表面2IB的外形和第2板部22的下表面22B的外形大致相等。在本實(shí)施方式中，下表面21B的外形及下表面22B的外形為矩形狀。此外，下表面21B的外形及下表面22B的外形例如既可為圓形，也可以為八邊形。在本實(shí)施方式中，回收口 32相對于光路K配置在第I板部21的外側(cè)。在本實(shí)施方式中，回收口 32為以面對基板P的表面的方式形成在主體部20的開口的端部?；厥湛?2可以回收基板P上的液體LQ。另外，在本實(shí)施方式中，回收口 32在相對于光路K的放射方向配置在較第2板部22更外側(cè)。換句話說，回收口 32配置在較第2板部22的外側(cè)邊緣Ed更外側(cè)。在本實(shí)施方式中，回收口 32以包圍光路K (下表面21B)的方式而配置。在本實(shí)施方式中，回收口 32為環(huán)帶狀。此外，回收口 32也可以配置在光路K周圍的一部分。另外，回收口 32也可以在光路K周圍以特定間隔配置多個(gè)。在本實(shí)施方式中，液浸構(gòu)件3包含配置在回收口 32的多孔構(gòu)件33。多孔構(gòu)件33包含液體LQ能夠流通的多個(gè)孔33H。在本實(shí)施方式中，多孔構(gòu)件33為板狀的構(gòu)件。多孔構(gòu)件33包含上表面33A及下表面33B。孔33H以連接上表面33A和下表面33B的方式形成?；錚的表面和多孔構(gòu)件33的下表面33B對向。在本實(shí)施方式中，透過多孔構(gòu)件33的孔33H回收基板P上的液體LQ。此外，多孔構(gòu)件33也可以為呈網(wǎng)狀形成著多個(gè)小孔的多孔構(gòu)件的篩網(wǎng)過濾器。在本實(shí)施方式中，多孔構(gòu)件33的下表面33B配置在下表面21B周圍。此夕卜，下表面33B也可以配置在下表面21B周圍的一部分。此外，也可以不在回收口 32配置多孔構(gòu)件33。在本實(shí)施方式中，液浸構(gòu)件3包含連接下表面33B的內(nèi)側(cè)邊緣Ef和下表面2IB的 外側(cè)邊緣Eb的斜面34。斜面34在相對于光路K的放射方向朝向外側(cè)向+Z方向傾斜。在本實(shí)施方式中，下表面33B的內(nèi)側(cè)邊緣Ef配置在較下表面2IB的外側(cè)邊緣Eb更+Z側(cè)。另夕卜，在本實(shí)施方式中，下表面33B在相對于光路K的放射方向朝向外側(cè)向-Z方向傾斜。此夕卜，下表面33B在相對于光路K的放射方向也可以朝向外側(cè)向+Z方向傾斜。另外，下表面33B也可以不平坦，也可以具有曲面或者階差。在以下說明中，將下表面21B、斜面34、及下表面33B合在一起適當(dāng)稱作下表面40。配置在投影區(qū)域PR的基板P的表面能夠和下表面40的至少一部分對向。下表面40可以在和基板P的表面之間保持液體LQ。通過在一側(cè)的射出面6及下表面40和另一側(cè)的基板P的表面之間保持液體LQ,以末端光學(xué)兀件7和基板P間的曝光用光EL的光路由液體LQ填滿的方式形成液浸空間LS。在本實(shí)施方式中，對基板P照射曝光用光EL時(shí)，以包含投影區(qū)域PR的基板P的表面的一部分的區(qū)域由液體LQ覆蓋的方式形成液浸空間LS。液體LQ的界面(彎液面、邊緣)LG的至少一部分形成在下表面40和基板P的表面之間。也就是說，本實(shí)施方式的曝光裝置EX米用局部液浸方式。另外，液浸構(gòu)件3包含供給液體LQ的供給口 31。供給口 31配置在第I板部21的上方(+Z方向)。在本實(shí)施方式中，供給口 31的至少一部分以面對第3空間S3的方式配置。在本實(shí)施方式中，供給口 31配置在內(nèi)側(cè)面20A的至少一部分。此外，供給口 31的至少一部分也可以以面對第4空間S4的方式配置。從供給口 31供給的液體LQ向第3空間S3流動。
液浸構(gòu)件3包含和供給口 31連接的供給流路35。供給流路35的至少一部分形成在液浸構(gòu)件3的內(nèi)部。供給口 31為配置在供給流路35的端部的開口。在供給流路35的一端配置著供給口 31。供給流路35的另一端透過供給管形成的流路和液體供給裝置36連接。液體供給裝置36能夠?qū)⒃谇鍧嵀h(huán)境中經(jīng)溫度調(diào)整后的液體LQ送出。從液體供給裝置36送出的液體LQ透過供給流路35供給至供給口 31。液浸構(gòu)件3包含和回收口 32連接的回收流路37?；厥樟髀?7的至少一部分形成在液浸構(gòu)件3的內(nèi)部?；厥湛?32為配置在回收流路37的端部的開口。在回收流路37的一端配置著回收口 32?；厥樟髀?7的另一端透過回收管形成的流路和液體回收裝置38連接。液體回收裝置38可將回收口 32和真空系統(tǒng)連接，透過回收口 32能夠吸引液體LQ0液體回收裝置38能夠使回收流路37為負(fù)壓。通過使回收流路37為負(fù)壓而從回收口 32 (多孔構(gòu)件33的孔33H)回收基板P上的液體LQ?；錚上的液體LQ透過回收口 32(孔33H)流入至回收流路37。從回收口 32回收的液體LQ的至少一部分向回收流路37流動?；厥樟髀?7的液體LQ至少一部分吸引(回收)到液體回收裝置38。在本實(shí)施方式中，控制裝置4和來自供給口 31的液體LQ的供給動作同時(shí)執(zhí)行來自回收口 32的液體LQ的回收動作，由此可以在一側(cè)的末端光學(xué)兀件7及液浸構(gòu)件3和另一側(cè)的基板P (物體)之間以液體LQ形成液浸空間LS。在本實(shí)施方式中，在基板P大致靜止的狀態(tài)下，以第2板部22配置在液浸空間LS的方式調(diào)整液浸空間LS的大小。也就是說，在本實(shí)施方式中，在基板P大致靜止的狀態(tài)下，以上表面22k及下表面22B的全部和液浸空間LS的液體LQ接觸的方式調(diào)整液浸空間LS的大小。換句話說，以在相對于光路K的放射方向在第2板部22的外側(cè)邊緣Ed的外側(cè)配置界面LG的方式調(diào)整液浸空間LS的大小?？刂蒲b置4通過調(diào)整來自供給口 31的每單位時(shí)間的液體供給量、及來自回收口 32的每單位時(shí)間的液體回收量的至少一方而可以調(diào)整XY平面內(nèi)的液浸空間LS的大小。例如，控制裝置4能夠通過使增多供給口 31的液體供給量而使液浸空間LS變大，能夠通過減少液體供給量而使液浸空間LS變小。另外，控制裝置4能夠通過增多來自回收口 32的液體回收量而使液浸空間LS變小，能夠通過減少液體回收量而使液浸空間LS變大。其次，對使用具有上述構(gòu)成的曝光裝置EX將基板P曝光的方法進(jìn)行說明。曝光前的基板P搬入(載入)至基板保持部9之后，控制裝置4以末端光學(xué)元件7的射出面6和基板P的表面間的曝光用光EL的光路K由液體LQ填滿的方式在液浸構(gòu)件3的下表面40和基板P的表面之間保持液體LQ而形成液浸空間LS?？刂蒲b置4開始基板P的曝光處理?？刂蒲b置4從照明系統(tǒng)IL射出曝光用光EL，以該曝光用光EL將光罩M曝光。來自由曝光用光EL照明的光罩M的曝光用光EL從投影光學(xué)系統(tǒng)PL的射出面6射出。從射出面6射出的曝光用光EL透過液浸空間LS的液體LQ而照射在基板P。由此，基板P透過液浸空間LS的液體LQ由來自射出面6的曝光用光EL而曝光，光罩M的圖案的像被投影在基板P。在本實(shí)施方式中，從供給口 31供給的液體LQ的至少一部分供給至第I板部21的上表面2IA所面對的第3空間S3。另外，在本實(shí)施方式中，第2板部22的內(nèi)側(cè)邊緣Ec在相對于光路K的放射方向配置在較第I板部21更內(nèi)側(cè)。因此，第I板部21的上表面21A所面對的第3空間S3的液體LQ的至少一部分透過由第I板部21的內(nèi)側(cè)邊緣Ea而規(guī)定至少一部分的開口 21K向第2板部22的上表面22A流動。從第3空間S3透過開口 21K而流動至上表面22A的液體LQ的至少一部分向第I空間SI流動。另外，從第3空間S3透過開口 21K而流動至上表面22A的液體LQ的至少一部分向第2空間S2流動。第I空間SI的液體LQ的至少一部分在相對于光路K的放射方向朝向外側(cè)流動。第2空間S2的液體LQ的至少一部分在相對于光路K的放射方向朝向外側(cè)流動。此外，連結(jié)構(gòu)件23C為在第I空間SI中配置在特定位置的桿狀的構(gòu)件，不妨礙第I空間SI的液體LQ的流動。例如如圖5所示，第I空間SI的液體LQ的至少一部分及第2空間S2的液體LQ的至少一部分在第2板部22的外側(cè)邊緣Ed的外側(cè)合流。在本實(shí)施方式中，第I空間SI的液體LQ的至少一部分及第2空間S2的液體LQ的至少一部分例如在第2板部22的外側(cè)邊緣Ed的外側(cè)、且下表面40和基板P的表面間的第5空間S5處合流。 在本實(shí)施方式中，回收口 32回收來自第I空間SI及第2空間S2的液體LQ的至少一部分。在本實(shí)施方式中，回收口 32回收在回收口 32 (下表面33B)和基板P之間合流的來自第I空間SI的液體LQ及來自第2空間S2的液體LQ的至少一部分。然而，于在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成液浸空間LS的狀態(tài)下，在基板P在XY平面內(nèi)以高速移動、或移動長距離的情況下，會有在液浸構(gòu)件3和基板P間的空間的外側(cè)液體LQ流出的可能性。液浸空間LS通過界面LG中的液體LQ的表面張力而維持。以在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成著液浸空間LS的狀態(tài)下基板P以高速移動、或者移動長距離的情況下，會有液浸空間LS的液體LQ的運(yùn)動量變大的可能性。如果液體LQ的運(yùn)動量變大，那么會有該液體LQ的運(yùn)動量導(dǎo)致由于液體LQ的表面張力而維持液浸空間LS變得困難的可能性。其結(jié)為，會有在液浸構(gòu)件3和基板P間的空間的外側(cè)液體LQ流出的可能性。在本實(shí)施方式中，由于配置著第2板部22，故而以在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成著液浸空間LS的狀態(tài)下，即便在基板P在XY平面內(nèi)以高速移動、或者移動長距離的情況下，也可以抑制在液浸構(gòu)件3的基板P間的空間的外側(cè)液體LQ流出、或者在基板P上殘留液體LQ (膜、滴等)。圖6是表示在比較例的在液浸構(gòu)件3j和基板P之間形成著液浸空間LSj的狀態(tài)下，使基板P向-Y方向移動的情況下的液體LQ的狀態(tài)的一例的模式圖。圖7是表示在本實(shí)施方式的在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成著液浸空間LS的狀態(tài)下,使基板P向-Y方向移動的情況下的液體LQ的狀態(tài)的一例的模式圖。液浸構(gòu)件3j不包含第2板部。在圖6及圖7中，在形成著液浸空間LSj、LS的狀態(tài)下基板P移動的情況下，例如通過液體LQ的粘性的作用等，液浸空間LS的液體LQ中生成具有如箭頭Fj、Fs所示那樣的速度分布的液體LQ的流動。液體LQ的運(yùn)動量為液體LQ的質(zhì)量(體積)和液體LQ的速度(流速)的乘積。因而，在圖6及圖7各自所示的例中，根據(jù)基板P的移動的液浸空間LS的液體LQ的運(yùn)動量相當(dāng)于面積Aj、As。也就是說，通過配置第2板部22而能夠抑制根據(jù)基板P的移動的液浸空間LS的液體LQ的運(yùn)動量變大。換句話說，通過配置第2板部22而能夠抑制受到移動的基板P的影響的液體LQ的質(zhì)量(體積)。在圖6所示的例中，相對于光路K作用于-Y側(cè)的界面LGj的液體LQ的運(yùn)動量較大。其結(jié)果為，通過界面LGj中的液體LQ的表面張力維持液浸空間LSj變得困難，液體LQ流出的可能性變高。另一方面，在圖7所示的例中，相對于光路K作用于-Y側(cè)的界面LG的液體LQ的運(yùn)動量較小。因此，能夠通過界面LG中的液體LQ的 表面張力維持液浸空間LS。圖5表示以在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成著液浸空間LS的狀態(tài)下基板P向-Y方向以高速移動時(shí)的液浸空間LS的液體LQ的狀態(tài)的一例。在圖5中，在基板P向-Y方向以高速移動的情況下，在液浸空間LS中，生成圖5中箭頭Fa、Fb、Fe、Fd、Fe所示那樣的液體LQ的流動。在本實(shí)施方式中，由于配置著第2板部22，故而即便在以在液浸構(gòu)件3和基板P之間形成著液浸空間LS的狀態(tài)基板P向-Y方向以高速移動的情況下，第I空間SI的液體Lq也不怎么受到該移動的基板P的影響。第I空間SI中的液體LQ的流速例如為和從開口 21K向上表面22A流動的液體LQ的流速對應(yīng)的值。在第I空間SI中，如箭頭Fa所示，液體LQ能夠自由地流動。另一方面，第2空間S2的液體LQ受到移動的基板P的影響。在第2空間S2中，通過液體LQ的粘性的作用等而生成和基板P的移動對應(yīng)的液體LQ的流動。第2空間S2中的液體LQ的流速為和基板P的移動速度對應(yīng)的值。在第2空間S2中，如箭頭Fb所示，液體LQ和基板P的移動速度對應(yīng)以高速流動。在本實(shí)施方式中，間隙G2較小，第2空間S2中的液體LQ的體積(質(zhì)量)較小。因此，第2空間S2的液體LQ的運(yùn)動量相對較小。第I空間SI的液體LQ的至少一部分和第2空間S2的液體LQ的至少一部分在下表面40 (回收口 32)和基板P之間的第5空間S5中合流。從第I空間SI流入至第5空間S5的液體LQ的流速較低，運(yùn)動量較小。從第2空間S2流入至第5空間S5的液體LQ的流速較高，但由于質(zhì)量較小而運(yùn)動量較小。通過來自第I空間SI的液體LQ和來自第2空間S2的液體LQ在第5空間S5中合流，而在第5空間S5中生成例如如箭頭Fc、Fd、Fe所示的液體LQ的流動。因此，在圖5中可以使相對于光路K作用于-Y側(cè)的界面LG的液體LQ的運(yùn)動量變小。因而，通過界面LG中的液體LQ的表面張力而能夠維持液浸空間LS。另外，在第5空間S5中合流的來自第I空間SI及第2空間S2的液體LQ從回收口 32回收。由此，生成圖5中例如如箭頭Fd所示那樣的液體LQ的流動。因而，能夠進(jìn)一步減小作用于界面LG的液體LQ的運(yùn)動量。以上，以在和液浸構(gòu)件3之間形成液浸空間LS的可移動的物體為基板P的情況為例進(jìn)行了說明。如上所述，該物體例如也可以為基板臺2 (板構(gòu)件T)。如以上說明那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，由于設(shè)置第2板部22，故而在形成著液浸空間LS的狀態(tài)下，即便在使基板P以高速移動、或者移動長距離的情況下，也能夠抑制液體LQ的流出、殘留等。因而，能夠抑制曝光不良的產(chǎn)生、及不良元件的產(chǎn)生。也就是說，在本實(shí)施方式中，在大致靜止的第I板部21和移動的基板P之間配置第2板部22，將大致不受到移動的基板P的影響的液體LQ所流動的第I空間SI和受到移動的基板P的影響的液體LQ所流動的第2空間S2分開，因此能夠減小作用在界面LG的液體LQ的運(yùn)動量。在本實(shí)施方式中，間隙G2小于間隙G1，因此能夠使受到移動的基板P的影響的第2空間S2的液體LQ的質(zhì)量(體積)變小。因此，能夠使作用在界面LG的液體LQ的運(yùn)動量變小。另外，在本實(shí)施方式中，回收口 32在相對于光路K的放射方向配置在較第2板部22更外側(cè)，因此能夠生成如圖5中箭頭Fd所示那樣的液體LQ的流動，也就是不朝向界面LG而朝向回收口 32 (上方)的液體LQ的流動。因而，能夠使作用在界面LG的液體LQ的運(yùn)
動量變小。 此外，回收口 32的一部分在相對于光路K的放射方向也可以配置在較第2板部22的外側(cè)邊緣Ed更內(nèi)側(cè)。也就是說，回收口 32的至少一部分只要形成在較第2板部22的外偵_緣Ed更外側(cè)即可。另外，在本實(shí)施方式中，第2板部22的內(nèi)側(cè)邊緣Ec在相對于光路K的放射方向配置在較第I板部21更內(nèi)側(cè)，因此第3空間S3的液體LQ的至少一部分透過開口 21K而能夠向上表面22A流動。由此，能夠使作用于配置在投影區(qū)域PR的物體的液體LQ的運(yùn)動量變小。也就是說，第3空間S3的液體LQ透過開口 21K直接向配置在投影區(qū)域PR的物體流動的情況下，例如會有較高的流速的液體LQ碰到物體的可能性。其結(jié)果為，會有作用在物體的液體LQ的運(yùn)動量變大的可能性。在投影區(qū)域PR配置例如基板P和板構(gòu)件T的邊界(間隙)的情況下，如果作用在該邊界的液體LQ的運(yùn)動量變大，那么液體LQ浸入到該邊界的可能性變高。在本實(shí)施方式中，第2板部22的內(nèi)側(cè)邊緣Ec在相對于光路K的放射方向配置在較第I板部21更內(nèi)側(cè)，因此能夠使作用在物體的液體LQ的運(yùn)動量變小。此外，在本實(shí)施方式中，第2板部22的下表面22B的外形和第I板部21的下表面21B的外形大致相同，但也可以不同。例如,關(guān)于Y軸方向的下表面21B的尺寸也可以和下表面22B的尺寸不同。另外，關(guān)于X軸方向的下表面21B的尺寸也可以和下表面22B的尺寸不同。例如，如圖8所示的液浸構(gòu)件301那樣，第2板部221的下表面221B大致為矩形(菱形)，該下表面221B的邊也可以以和第I板部21的下表面21B的邊交叉的方式配置。另外，如圖9所示的液浸構(gòu)件302那樣，相對于光路K第2板部222的下表面222B的+Y側(cè)及-Y側(cè)的邊也可以包含曲線。當(dāng)然，相對于光路K下表面222B的+X側(cè)及-X側(cè)的邊也可以包含曲線。此外，在上述實(shí)施方式中，第2板部22的上表面22A及下表面22B平坦，上表面22A和下表面22B平行，但例如圖10所示的液浸構(gòu)件303那樣，第2板部223的上表面223A的外緣區(qū)域AEl在相對于光路K的放射方向也可以朝向外側(cè)接近第I板部21。換句話說，夕卜緣區(qū)域AEl在相對于光路K的放射方向也可以朝向外側(cè)向上方(+Z方向)傾斜。圖10所示的例中，外緣區(qū)域AEl中的上表面223A包含曲面。在本實(shí)施方式中，上表面223A的外緣區(qū)域AEl包含包括上表面223A的外側(cè)邊緣的環(huán)帶狀的區(qū)域。在相對于光路K的放射方向，夕卜緣區(qū)域AEl的尺寸小于除了外緣區(qū)域AEl以外的區(qū)域的尺寸。此外，除了外緣區(qū)域AEl以外的區(qū)域包含包含上表面223A的內(nèi)側(cè)邊緣的內(nèi)緣區(qū)域。內(nèi)緣區(qū)域?yàn)榘媳砻?23A的內(nèi)側(cè)邊緣的環(huán)帶狀的區(qū)域。上表面223A的外緣區(qū)域AEl在相對于光路K的放射方向以朝向外側(cè)接近第I板部21 (回收口 32)的方式傾斜(彎曲)，因此在第5空間S5中，能夠生成朝向上方(回收口 32)的液體LQ的流動。由此，能夠進(jìn)一步使作用在界面LG的液體LQ的運(yùn)動量變小。此外，第2板部223的下表面223B的外緣區(qū)域AE2在相對于光路K的放射方向既可以朝向外側(cè)向上方傾斜，也可以彎曲。由此在第5空間S5中，也可以生成朝向上方(回收口 32側(cè))的液體LQ的流動。<第2實(shí)施方式>其次，對第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。在以下說明中，對和上述第I實(shí)施方式同一或同等的構(gòu)成部分標(biāo)注同一符號，并簡略或省略其說明。圖11為表不第2實(shí)施方式的液浸構(gòu)件304的一例的模式圖。液浸構(gòu)件304包含主體部20及第I板部21 ;和第2板部224，其配置在光路K周圍的至少一部分，且包含和第 I板部21的下表面2IB的至少一部分對向的上表面224A及基板P能夠?qū)ο虻南卤砻?24B。和上述第I實(shí)施方式不同的第2實(shí)施方式的特征性的部分在于第2板部224通過驅(qū)動系統(tǒng)50移動這一方面。在本實(shí)施方式中，主體部20及第I板部21和第2板部224分開。第2板部224通過驅(qū)動系統(tǒng)50而和第I板部21的下表面21B大致平行地移動。在本實(shí)施方式中，驅(qū)動系統(tǒng)50根據(jù)基板P的移動條件，移動第2板部224。在本實(shí)施方式中，驅(qū)動系統(tǒng)50在基板P移動時(shí)，移動第2板部224。另外，驅(qū)動系統(tǒng)50向基板P的移動方向的相反方向移動第2板部224。圖11所示的例中，在基板P向-Y方向移動的狀態(tài)下，第2板部224向+Y方向。另外，驅(qū)動系統(tǒng)50以較基板P的移動速度更低的移動速度移動第2板部224。例如，第2板部224的移動速度為基板P的移動速度的1/2左右。第2板部224包含能夠通過從射出面6射出的曝光用光EL的開口 224K。在本實(shí)施方式中，開口 224K在Y軸方向較長。由此，一邊在Y軸方向移動基板P —邊對該基板P照射曝光用光EL的情況下，從射出面6射出的曝光用光EL能夠通過開口 224K。在形成著液浸空間LS的狀態(tài)下，根據(jù)基板P的移動第2板部224移動，由此在液浸空間LS的液體LQ生成具有如圖11中箭頭Ft所示那樣的速度分布的液體LQ的流動。在第2板部224的上表面224A所面對的第I空間SI中，生成朝向+Y方向的液體LQ的流動，在下表面224B所面對的第2空間S2中，生成朝向-Y方向的液體LQ的流動。由此，例如相對于光路K在+Y側(cè)的界面LG附近第I空間SI的液體LQ和第2空間S2的液體LQ合流，由此能夠使作用于該+Y側(cè)的界面LG的液體LQ的運(yùn)動量足夠小。相對于光路K對-Y側(cè)的界面LG也一樣。此外，在上述各實(shí)施方式中，也可以在第I板部21的下表面21B存在向第I板部21和第2板部22之間供給液體LQ的液體供給口。另外，也可以將連通第I板部21的上表面21A所面對的空間和下表面21B所面對的空間那樣的貫通孔設(shè)置在第I板部21。另外，在上述各實(shí)施方式中，液浸構(gòu)件(3等)也可以能夠向X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、ΘΧ方向、ΘΥ方向、Θ Z方向的至少一個(gè)方向移動。另外，在上述各實(shí)施方式中，第2板部22相對于第I板部21也可以向Z軸方向、0X方向、ΘΥ方向、Θ Z方向的至少一個(gè)方向移動。另外，在上述各實(shí)施方式中，在相對于光路K的放射方向，也可以設(shè)置向回收口 32設(shè)為外側(cè)供給氣體的氣體供給口。在此情況下，通過所供給的氣體而可以抑制在和液浸構(gòu)件(3等)對向的物體(基板P等)上殘留液體LQ。此外,在上述各實(shí)施方式中，投影光學(xué)系統(tǒng)PL的末端光學(xué)兀件7的射出側(cè)(像面?zhèn)蒁的光路由液體LQ填滿，但也可以如例如國際公開第2004/019128號所揭示那樣，采用末端光學(xué)元件7的入射側(cè)(物體面?zhèn)?的光路也由液體LQ填滿的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。此外，在上述各實(shí)施方式中，使用水作為液體LQ，但也可以是除了水以外的液體。作為液體LQ，優(yōu)選的是對曝光用光EL為透過性，對曝光用光EL具有較高的折射率，對投影光學(xué)系統(tǒng)PL或者形成基板P的表面的感光材(光阻劑)等膜穩(wěn)定。例如，作為液體LQ,也可以使用氫氟醚(HFE,hydraulic fracturing)、全氟聚醚(PFPE,perfluoropolyether)、氟素油(FOMBLIN OIL)等氟系液體。另外，作為液體LQ，也可以使用各種流體，例如超臨界流體。此外，作為上述各實(shí)施方式的基板P，不僅半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶片，可以應(yīng)用顯示元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或者曝光裝置中所使用的光罩或標(biāo)線片的原版(合成石英、硅晶片)等。
作為曝光裝置EX，除了將光罩M和基板P同步移動為將光罩M的圖案掃描曝光的步進(jìn)掃描(step and scan)方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)器)以外,還可以應(yīng)用在以光罩M和基板P靜止的狀態(tài)下將光罩M圖案一并曝光，對基板P進(jìn)行依次步驟移動的步進(jìn)重復(fù)(step and repeat)方式的投影曝光裝置(步進(jìn)機(jī))。進(jìn)而，在步進(jìn)重復(fù)方式的曝光中，也可以在第I圖案和基板P大致靜止的狀態(tài)下，使用投影光學(xué)系統(tǒng)而將第I圖案的縮小像轉(zhuǎn)印在基板P上之后，在第2圖案和基板P大致靜止的狀態(tài)下，使用投影光學(xué)系統(tǒng)而將第2圖案的縮小像和第I圖案局部重疊而在基板P上一并曝光(縫合方式的一并曝光裝置)。另外，作為縫合方式的曝光裝置，也可以應(yīng)用于在基板P上將至少兩個(gè)圖案局部重疊而轉(zhuǎn)印，使基板P依序移動的步進(jìn)縫合(step and stitch)方式的曝光裝置。另外，例如如美國專利第6611316號所揭示那樣，透過投影光學(xué)系統(tǒng)在基板上合成兩個(gè)光罩的圖案，通過一次掃描曝光也可以將基板上的一個(gè)拍攝區(qū)域大致同時(shí)雙重曝光的曝光裝置等應(yīng)用在本發(fā)明。另外，鄰近式方式的曝光裝置也可以應(yīng)用在鏡面投影對準(zhǔn)曝
I翌坐
寸 O另外，曝光裝置EX也可以是例如美國專利第6341007號、美國專利第6208407號、美國專利第6262796號等所揭示那樣的包含多個(gè)基板臺的雙臺型的曝光裝置。另外，曝光裝置EX也可以是例如美國專利第6897963號、美國專利申請公開第2007/0127006號等所揭不那樣的包含保持基板的基板臺、和搭載形成著基準(zhǔn)標(biāo)記的基準(zhǔn)構(gòu)件及/或各種光電傳感器不保持曝光對象的基板的測量臺的曝光裝置。另外，也可以應(yīng)用在包含多個(gè)基板臺和測量臺的曝光裝置。在此情況下，在和液浸構(gòu)件之間形成液浸空間LS的能夠移動的物體包含測量臺。作為曝光裝置EX的種類，并不限定于在基板P將半導(dǎo)體元件圖案曝光的半導(dǎo)體元件制造用的曝光裝置，也可以應(yīng)用到液晶顯示元件制造用或顯示器制造用的曝光裝置、或薄膜磁頭、拍攝元件(CCD, Charge Coupled Device,電荷稱合器件)、微機(jī)器、MEMS(microelectromechanical system,微機(jī)電系統(tǒng))、DNA (Deoxyribonucleic acid,脫氧核糖核酸)晶片、或者用以制造標(biāo)線片或光罩等的曝光裝置等中。此外，在上述各實(shí)施方式中，使用包含激光干涉計(jì)的干涉計(jì)系統(tǒng)測量各臺的位置信息，但并不限定于此，例如也可以使用檢測出設(shè)置在各臺的縮尺(衍射光柵)的編碼系統(tǒng)。此外，在上述實(shí)施方式中，使用光透過性的基板上形成著特定遮光圖案(或位相圖案、消光圖案)的光透過型光罩代替該光罩，例如如美國專利第6778257號所揭示那樣，根據(jù)應(yīng)該曝光的圖案的電子數(shù)據(jù)形成透過圖案或反射圖案、或者發(fā)光圖案的可變成形光罩(也稱為電子光罩、主動光罩、或者圖像產(chǎn)生器)。另外，也可以具備包含自發(fā)光型圖像顯示元件的圖案形成裝置來代替包含非發(fā)光型圖像顯示元件的可變成形光罩。在上述各實(shí)施方式中，以包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光裝置列舉為例進(jìn)行了說明，但也可以對不使用投影光學(xué)系統(tǒng)PL的曝光裝置及曝光方法應(yīng)用本發(fā)明。例如在透鏡等光學(xué)構(gòu)件和基板之間形成液浸空間，透過該光學(xué)構(gòu)件能夠?qū)逭丈淦毓庥霉?。另外，例如如國際公開第2001/035168號所揭示那樣，也可以在通過在基板P上形成干擾條紋而在基板P上將線與間隙(line and space)圖案曝光的曝光裝置(微影系統(tǒng)) 應(yīng)用本發(fā)明。上述實(shí)施方式的曝光裝置EX通過以保持特定的機(jī)械精度、電性精度、光學(xué)精度的方式組裝各種子系統(tǒng)而制造。為了確保這些各種精度，在該組裝的前后對各種光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行用來達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對各種機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行用來達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對各種電性系統(tǒng)進(jìn)行用來達(dá)成電性精度的調(diào)整。從各種子系統(tǒng)對曝光裝置的組裝步驟包含各種子系統(tǒng)相互的機(jī)械連接、電性電路的配線連接、氣壓電路的配管連接等。在從該各種子系統(tǒng)對曝光裝置的組裝步驟之前，當(dāng)然存在各子系統(tǒng)各個(gè)的組裝步驟。各種子系統(tǒng)的對曝光裝置的組裝步驟結(jié)束之后，進(jìn)行綜合調(diào)整，確保作為曝光裝置整體的各種精度。此外，曝光裝置的制造較理想為在管理溫度及清潔度等的無塵室進(jìn)行。半導(dǎo)體元件等微元件如圖12所示，透過如下步驟制造進(jìn)行微元件的功能、性能設(shè)計(jì)的步驟201、基于該設(shè)計(jì)步驟制作光罩(標(biāo)線片)的步驟202、制作作為元件的基材的基板的步驟203、包含包括按照上述實(shí)施方式以來自光罩的圖案的曝光用光將基板曝光、及將所曝光的基板顯影的基板處理(曝光處理)的基板處理步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、焊接步驟、封裝步驟等加工制程)205、檢查步驟206等。此外，上述的各實(shí)施方式的要件能夠適當(dāng)組合。另外，也存在不使用一部分構(gòu)成要素的情況。另外，只要法令允許，援用有關(guān)上述各實(shí)施方式及變形例中所引用的曝光裝置等的全部公開公報(bào)及美國專利的揭示作為本文的記載的一部分。
權(quán)利要求
1.一種液浸構(gòu)件，其以曝光用光的光路由液體填滿的方式在和可移動的物體之間形成液浸空間；且包含 第I板，其配置在所述光路周圍的至少一部分； 第2板，其配置在所述光路周圍的至少一部分，且包含和所述第I板的下表面的至少一部分對向的上表面及所述物體可對向的下表面；及 回收口，其相對于所述光路配置在所述第I板的外側(cè)，所述物體能夠和至少一部分對向，回收來自所述第2板的上表面所面對的第I空間及所述第2板的下表面所面對的第2空間的液體的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液浸構(gòu)件，其中所述回收口的至少一部分在相對于所述光路的放射方向配置在較所述第2板更外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的液浸構(gòu)件，其中所述回收口回收在所述回收口和所述物體之間合流的來自所述第I空間的液體及來自所述第2空間的液體的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板的內(nèi)側(cè)邊緣在相對于所述光路的放射方向配置在較所述第I板更內(nèi)側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液浸構(gòu)件，其中所述第I板的上表面所面對的空間的液體的至少一部分透過在所述第I板的內(nèi)側(cè)邊緣規(guī)定至少一部分的第I開口流動至所述第2板的上表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第I板的下表面和所述第2板的上表面大致平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板的上表面的外緣區(qū)域在相對于所述光路的放射方向朝向外側(cè)接近所述第I板。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第I板的下表面和所述第2板的上表面間的第I間隙大于所述第2板的下表面和所述物體的表面間的第2間隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板的下表面的外形和所述第I板的下表面的外形不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板的上表面及下表面的至少一部分對所述液體為親液性。
11.根據(jù)權(quán)利要求I至10中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其包含以相對于所述第I板配置在特定位置的方式支撐所述第2板的支撐機(jī)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液浸構(gòu)件，其中所述支撐機(jī)構(gòu)包含將所述第2板連結(jié)在所述第I板的連結(jié)構(gòu)件。
13.根據(jù)權(quán)利要求I至12中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述光路為從投影光學(xué)系統(tǒng)的射出面射出的曝光用光的光路； 所述第I板的下表面和所述第2板的上表面間的第I間隙大于所述第2板的下表面和配置在所述投影光學(xué)系統(tǒng)的像面的所述物體的表面間的第2間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求I至13中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板通過驅(qū)動系統(tǒng)而移動。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液浸構(gòu)件，其中所述第2板和所述第I板的下表面大致平行地移動。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至15中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其包含配置在所述回收口的多孔構(gòu)件； 透過所述多孔構(gòu)件的孔回收液體。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至16中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件，其包含配置在所述第I板的上方且供給液體的供給口。
18.一種曝光裝置，其透過液體以曝光用光將基板曝光；且 包含根據(jù)權(quán)利要求I至17中任一權(quán)利要求所述的液浸構(gòu)件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的曝光裝置，其中以在所述液浸構(gòu)件和所述物體之間形成著液浸空間的狀態(tài)，所述物體在和所述第2板的下表面大致平行的特定面內(nèi)移動。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的曝光裝置，其中移動的所述物體包含所述基板及保持所述基板而移動的基板臺的至少一方。
21.—種元件制造方法，其包含如下步驟 使用根據(jù)權(quán)利要求18至20中任一權(quán)利要求所述的曝光裝置將基板曝光 '及 將曝光的所述基板顯影。
22.一種曝光方法，其透過液體以曝光用光將基板曝光；且包含如下步驟 以光學(xué)構(gòu)件的射出面和所述基板的表面間的所述曝光用光的光路由所述液體填滿的方式形成液浸空間； 透過所述液浸空間的液體將來自所述射出面的所述曝光用光照射在所述基板； 從回收口回收來自配置在所述光路周圍的至少一部分的第I板的下表面和配置在所述光路周圍的至少一部分的第2板的上表面間的第I空間、及所述第2板的下表面和所述基板的表面間的第2空間的液體的至少一部分，該回收口相對于所述光路配置在所述第I板的外側(cè)，所述基板能夠和該回收口的至少一部分對向。
23.—種元件制造方法，其包含如下步驟 使用權(quán)利要求22所述的曝光方法將基板曝光；及 將經(jīng)曝光的所述基板顯影。
全文摘要
液浸構(gòu)件以曝光用光的光路由液體填滿的方式在和可移動的物體之間形成液浸空間。液浸構(gòu)件包含第1板，其配置于光路周圍的至少一部分；第2板，其配置于光路周圍的至少一部分，包含和第1板的下表面的至少一部分對向的上表面及物體能夠?qū)ο虻南卤砻妫患盎厥湛?，其相對于光路配置在?板的外側(cè)，物體能夠和至少一部分對向，回收來自第2板的上表面所面對的第1空間及第2板的下表面所面對的第2空間的液體的至少一部分。
文檔編號G03F7/20GK102714141SQ20108006064
公開日2012年10月3日 申請日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月8日
發(fā)明者柴崎祐一 申請人:株式會社尼康