專(zhuān)利名稱(chēng)：相移光掩模和圖案化方法
相移光掩模和圖案化方法
背景技術(shù)：
近年來(lái)，半導(dǎo)體集成電路中集成密度的增加已導(dǎo)致對(duì)于此電路的制備中使用的光掩模中精細(xì)度(fineness)的增加的對(duì)應(yīng)的不斷增加的需求。在提供進(jìn)一步增加的精細(xì)度的能力方面，常規(guī)的光刻系統(tǒng)已經(jīng)達(dá)到它們的極限。相移光掩模能增加從中間掩模(reticle)轉(zhuǎn)移的裝置圖案的分辨率。


圖I是示出相移光掩模坯(blank)的截面?zhèn)纫晥D。圖2直至11是示出一種方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模坯以形成相移掩模。
圖12直至17是示出另一方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模坯以形成相移掩模。圖18直至25是示出又一方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模坯以形成相移掩模。
具體實(shí)施例方式在各種實(shí)施例中，描述了一種新穎的相移光掩模還以及圖案化該相移光掩模還的方法。在以下描述中，將描述各種實(shí)施例。然而，相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到在沒(méi)有具體細(xì)節(jié)的一個(gè)或更多的情況下，或使用其它替換和/或另外的方法、材料或組件，可實(shí)踐各種實(shí)施例。在其它情況下，沒(méi)有詳細(xì)地示出或描述眾所周知的結(jié)構(gòu)、材料或操作，以避免使得本發(fā)明的各種實(shí)施例的方面模糊不清。類(lèi)似地，為了解釋的目的，闡述了具體的數(shù)字、材料、以及配置以便提供本發(fā)明的徹底理解。然而，在沒(méi)有具體細(xì)節(jié)的情況下，可實(shí)踐本發(fā)明。此夕卜，理解的是，圖中示出的各種實(shí)施例是說(shuō)明性的表示而不一定按比例繪制。參考整篇該說(shuō)明書(shū)“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性包括在落入本發(fā)明的范圍內(nèi)的至少一個(gè)實(shí)施例中，但不指明它們必須存在于每個(gè)實(shí)施例中。因此，整篇該說(shuō)明書(shū)各種地方中短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”的出現(xiàn)不一定指本發(fā)明的相同實(shí)施例。此外，可在一個(gè)或更多實(shí)施例中以任何合適的方式組合特定特征、結(jié)構(gòu)、材料或特性。其它實(shí)施例中，可包括各種另外的層和/或結(jié)構(gòu)和/或可在省略描述的特征。以最有助于理解本發(fā)明的方式，各種操作將被描述為依次多個(gè)離散操作。然而，描述的順序不應(yīng)當(dāng)看作是暗示這些操作是必須順序依賴(lài)的。尤其是，這些操作無(wú)需以呈現(xiàn)的順序來(lái)執(zhí)行。描述的操作可以以與描述的實(shí)施例相比較不同的順序(以串行或以并行)來(lái)執(zhí)行?？蓤?zhí)行各種另外的操作和/或可在另外的實(shí)施例中省略描述的操作。圖I是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例示出帶有多個(gè)薄硬掩模區(qū)104、108的相移光掩模坯100的截面?zhèn)纫晥D。連同其它優(yōu)點(diǎn)一道，帶有多個(gè)薄硬掩模區(qū)104、108的此類(lèi)光掩模坯100的一些實(shí)施例可允許光掩模坯100與如果使用一個(gè)厚硬掩模區(qū)相比較具有更精細(xì)的分辨率，和/或在襯底102和緊接鄰近襯底102的區(qū)104之間提供良好的蝕刻選擇性。光掩模坯100包括襯底102。在各種實(shí)施例中，襯底102可包含石英、二氧化硅、熔融二氧化硅、改良的熔融二氧化硅或適于用作掩模的任何其它材料。在襯底102上是下硬掩模區(qū)104。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含鉻。在下硬掩模區(qū)104包含鉻的各種實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104可以是金屬鉻區(qū)，或鉻加上另一元素或多個(gè)元素，諸如氧化鉻區(qū)、氮化鉻區(qū)或氮氧化鉻區(qū)。在一些實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含由分級(jí)的或未分級(jí)的氧化鉻子區(qū)和/或分級(jí)的或未分級(jí)的氮氧化鉻子區(qū)掩蓋(cap)的鉻子區(qū)。除鉻以外其它合適的材料(諸如鎢(以金屬形式或帶有其它元素)、鉭(以金屬或帶有其它元素)、其它難熔金屬、或其它材料)也可被用于其它實(shí)施例中。在一實(shí)施例中，硬掩模區(qū)104包含與襯底102的材料比較在選擇的蝕刻劑方面帶有良好的蝕刻選擇性的材料。在一些實(shí)施例中，硬掩模區(qū)104可與襯底102直接接觸 ，而在其它實(shí)施例中，在下硬掩模區(qū)104和襯底102之間可有其它區(qū)或?qū)?。例如，在一?shí)施例中，襯底102包含石英，下硬掩模區(qū)104包含鉻，并且選擇基于氯的蝕刻劑，允許在沒(méi)有顯著影響石英襯底102的情況下蝕刻鉻下硬掩模區(qū)104。下硬掩模區(qū)104具有厚度110。在一些實(shí)施例中，選擇厚度110以將由下硬掩模區(qū)104在襯底102上誘發(fā)的應(yīng)力保持低的，雖然在一些實(shí)施例中選擇的厚度110可不受應(yīng)力考慮約束。在一實(shí)施例中，厚度110在200埃以下。在一實(shí)施例中，厚度110為大約100埃或更小。在另一實(shí)施例中，厚度110在50埃以下。在其它實(shí)施例中，可使用不同的厚度110。在下硬掩模區(qū)104上是吸收區(qū)106。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含鑰和硅，或MoSi，其在一些實(shí)施例中可表現(xiàn)為硅化鑰的形式。在其它實(shí)施例中，吸收區(qū)106可包含其它材料。在一些實(shí)施例中，吸收區(qū)106的材料被選擇，如此在硬掩模區(qū)104、108的一個(gè)或兩個(gè)與吸收區(qū)106之間有蝕刻選擇性。當(dāng)使用光掩模坯100時(shí)，吸收區(qū)106的部分可起吸收入射光的作用。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含帶有厚度111的材料，該厚度111大到足夠吸收區(qū)106具有3. O或更大的光密度。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含帶有厚度111的材料，該厚度111大到足夠吸收區(qū)106具有2. 8或更大的光密度。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含帶有厚度111的材料，該厚度111大到足夠吸收區(qū)106具有2. 7或更大的光密度。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106和下硬掩模區(qū)104包含材料并且具有厚度110、111，厚度110、111組合起來(lái)提供3. O或更大的光密度。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106和下硬掩模區(qū)104包含材料并且具有厚度110、111，厚度110、111組合起來(lái)提供2. 8或更大的光密度。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106和下硬掩模區(qū)104包含材料并且具有厚度110、111，厚度110、111組合起來(lái)提供2. 7或更大的光密度。注意本文討論的光密度是與已知為“曝光福射波長(zhǎng)(exposure wavelength) ”的光的特定波長(zhǎng)相關(guān)的光密度。此曝光輻射波長(zhǎng)是當(dāng)在光刻系統(tǒng)中使用圖案化的光掩模100以圖案化半導(dǎo)體晶片時(shí)與圖案化的光掩模100 —起使用的光的波長(zhǎng)。在一實(shí)施例中，此曝光輻射波長(zhǎng)是193納米。在一實(shí)施例中，此曝光輻射波長(zhǎng)是大約193納米。此曝光輻射波長(zhǎng)不限于大約193納米，而是包羅在光刻系統(tǒng)中與光掩模100 —起使用的任何選擇的合適的波長(zhǎng)，并且能夠是248納米、157納米、更長(zhǎng)的波長(zhǎng)或更短的波長(zhǎng)(諸如極遠(yuǎn)紫外(extreme ultraviolet)光刻系統(tǒng))。在其它實(shí)施例中，其它在其它實(shí)施例中吸收區(qū)106和下硬掩模區(qū)104可具有適合于光掩模坯100的不同的光密度。在一實(shí)施例中，與硬掩模區(qū)104、108的組合的厚度110、112相比較，吸收區(qū)106具有更大的厚度111，然而在其它實(shí)施例中可能不是這種情況。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106與下硬掩模區(qū)104直接接觸，并且包含與下硬掩模區(qū)104的材料比較在選擇的蝕刻劑方面帶有良好的蝕刻選擇性的材料。例如，在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含鉻，吸收區(qū)106包含MoSi，并且選擇基于氟的蝕刻劑，允許在沒(méi)有顯著影響下硬掩模區(qū)104的情況下蝕刻吸收區(qū)106，下硬掩模區(qū)104充當(dāng)蝕刻阻止(stop)。此類(lèi)蝕刻選擇性不在所有的實(shí)施例中被需要，并且在一些實(shí)施例中，吸收區(qū)106可不與下硬掩模區(qū)104直接接觸。在吸收區(qū)106上是上硬掩模區(qū)108。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108包含鉻。在上硬掩模區(qū)108包含鉻的各種實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108可以是金屬鉻區(qū)，或鉻加上另一元素或多個(gè)元素，諸如氧化鉻區(qū)、氮化鉻區(qū)或氮氧化鉻區(qū)。在一些實(shí)施例中，下上掩模區(qū)108包含由分級(jí)的或未分級(jí)的氧化鉻子區(qū)和/或分級(jí)的或未分級(jí)的氮氧化鉻子區(qū)掩蓋的鉻子區(qū)。除鉻以外其它合適的材料(諸如鎢(以金屬形式或帶有其它元素)、鉭(以金屬或帶有其它 元素)、其它難熔金屬或其它材料)也可被用于其它實(shí)施例中。在一些實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)104、108可由基本上相同的材料組成。在一些實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)104、108可包含相同的材料。在一些實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)104、108可包含不同的材料。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108與吸收區(qū)106直接接觸并且包含與吸收區(qū)106的材料比較在選擇的蝕刻劑方面帶有良好的蝕刻選擇性的材料。例如，在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含MoSi，上硬掩模區(qū)108包含鉻，并且選擇基于氯的蝕刻劑，允許在不顯著影響MoSi吸收區(qū)106的情況下蝕刻鉻上硬掩模區(qū)108。此類(lèi)蝕刻選擇性不在所有的實(shí)施例中被需要，并且在一些實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108可不與吸收區(qū)106直接接觸。上硬掩模區(qū)108具有厚度112。在一些實(shí)施例中，厚度112是下硬掩模區(qū)104的厚度Iio的至少兩倍。在一些實(shí)施例中，厚度112是下硬掩模區(qū)104的厚度110的至少I(mǎi). 5倍。在一些實(shí)施例中，厚度112是下硬掩模區(qū)104的厚度110的至少三倍。在其它實(shí)施例中，可使用上和下硬掩模區(qū)104、108的厚度110、112之間的不同關(guān)系。在一實(shí)施例中，厚度112在40納米和20納米之間。在一實(shí)施例中，厚度112在10納米和20納米之間。在另一實(shí)施例中，厚度112在20納米以下。在其它實(shí)施例中，可使用不同的厚度112。在一些實(shí)施例中，選擇上硬掩模區(qū)108的厚度112和材料以便以選擇的蝕刻劑，蝕穿上硬掩模區(qū)108將花費(fèi)的時(shí)間是將蝕穿下硬掩模區(qū)104的至少I(mǎi). 5倍長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，選擇上硬掩模區(qū)108的厚度112和材料以便以選擇的蝕刻劑，蝕穿上硬掩模區(qū)108將花費(fèi)的時(shí)間是將蝕穿下硬掩模區(qū)104的至少兩倍長(zhǎng)。在一些實(shí)施例中，選擇上硬掩模區(qū)108的厚度112和材料以便以選擇的蝕刻劑，蝕穿上硬掩模區(qū)108將花費(fèi)的時(shí)間是將蝕穿下硬掩模區(qū)104的至少三倍長(zhǎng)。在一些其它實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)108、104的相對(duì)蝕刻時(shí)間可不同或者可無(wú)關(guān)。在一些其它實(shí)施例中(例如，實(shí)施例，其中與以相同的蝕刻劑，下硬掩模區(qū)104相比較，以給定的蝕刻劑，上硬掩模區(qū)108的蝕刻速率是更小的)，厚度112可等于或小于下硬掩模區(qū)104的厚度110。各種區(qū)一頂部和底部硬掩模區(qū)104、108 ;吸收區(qū)106 ;以及襯底102-每個(gè)可由均質(zhì)(homogenous)貫穿該區(qū)的單一材料組成,或可以是包括多個(gè)層、各種材料的分級(jí)濃度或組合的非均質(zhì)區(qū)。例如，上硬掩模區(qū)108可由均質(zhì)的氮氧化鉻組成，或可通過(guò)在一個(gè)部位(position)處比在另一處存在更多的氧來(lái)被分級(jí)。此外，除在此描述那些之外，可存在各種另外的區(qū)和/或?qū)?。在一些?shí)施例中描述的光掩模還100可具有各種優(yōu)點(diǎn)(注意并非所有的實(shí)施例可具有這些優(yōu)點(diǎn)的所有、或甚至一些)。在一些實(shí)施例中，多個(gè)硬掩模區(qū)104、108允許吸收區(qū)106和襯底102的分離的圖案化。與如果使用一個(gè)厚硬掩模區(qū)108或一厚鉻區(qū)并且在沒(méi)有厚光刻膠層的使用的情況下相比較，多個(gè)硬掩模區(qū)104、108允許帶有更小的特征尺寸的吸收區(qū)106和襯底102的圖案化。吸收區(qū)106允許選擇量的入射光的吸收并且還能被用于在掩模的一些區(qū)域中提供期望的二元光掩模，即使掩模的其它區(qū)域起相移掩模的作用。上硬掩模區(qū)108、吸收區(qū)106、下硬掩模區(qū)104和襯底102的挑選的材料可允許在每個(gè)區(qū)之間高的蝕刻選擇性以提供更好的特征定義和相位控制(最終掩模的)，以及吸收區(qū)106的容易的整體去除，而不影響襯底102。因?yàn)槭褂脙蓚€(gè)硬掩模區(qū)104、108，所以他們能相對(duì)薄，這可提 供若干優(yōu)點(diǎn)，包括(1)更薄的光刻膠的使用被用于圖案化薄硬掩模區(qū)104、108，與如果使用更厚的光刻膠相比較，這可允許更高的分辨率；(2)當(dāng)圖案化硬掩模區(qū)104、108時(shí)，與如果圖案化更厚的硬掩模區(qū)相比較，更薄的區(qū)允許更小的偏差；以及(3)當(dāng)圖案化光掩模100時(shí)，更薄的區(qū)可導(dǎo)致更好的均勻性，而在圖案化期間更厚的硬掩模區(qū)可導(dǎo)致更差的均勻性。并非本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施例將必須包括這些優(yōu)點(diǎn)的全部或甚至任何。圖2直至圖11是示出一個(gè)方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模還100以形成相移掩模(或中間掩模)。在圖2中，光刻膠120的一層已沉積在上硬掩模區(qū)108上。因?yàn)樯嫌惭谀^(qū)108不與它將在缺少吸收層106的光掩模100中一樣厚，所以光刻膠120不必與當(dāng)圖案化帶有較厚的單一區(qū)的光掩模100時(shí)它將是的一樣厚，該較厚的單一區(qū)執(zhí)行上硬掩模區(qū)108和吸收區(qū)106 二者的功能。在圖3中，已圖案化光刻膠120從而暴露上硬掩模區(qū)108的部分?？墒褂萌魏魏线m的光刻膠120和圖案化方法。此外，雖然本文使用術(shù)語(yǔ)“光刻膠”，但是可使用用于圖案化的任何合適的方法或材料，包括e-束(e-beam)圖案化、納米壓印和標(biāo)準(zhǔn)光刻法，這可與本領(lǐng)域中理解的一樣包括一個(gè)或更多的下層(underlayer)或其它區(qū)。如用于描述該工藝的術(shù)語(yǔ)光刻膠可由任何合適的可圖案化的材料和圖案化此類(lèi)材料的方法來(lái)替代。所述材料然后可用于通過(guò)任何合適的方法將圖案轉(zhuǎn)移到下層。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)e-束來(lái)圖案化光刻膠120的該層。在一些實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108可包含導(dǎo)電材料，諸如鉻，并且可因此允許通過(guò)e-束光刻膠120的圖案化，而沒(méi)有另外的電荷耗散層的使用。在圖4中，已經(jīng)去除上硬掩模區(qū)108的暴露部分，以導(dǎo)致圖案化的上硬掩模區(qū)108并且以暴露吸收區(qū)106的部分。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108的去除是通過(guò)濕(wet)蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除上硬掩模區(qū)108的材料，而留下吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108包含鉻，吸收區(qū)106包含MoSi，并且蝕刻劑是基于氯的蝕刻劑，該基于氯的蝕刻劑去除硬掩模區(qū)108的暴露部分而留下吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干(dry)蝕刻，諸如等離子蝕刻。圖5a和5b示出在這一點(diǎn)上可被使用的兩個(gè)備選的方案(approach)。在圖5a中，已經(jīng)去除吸收區(qū)106的暴露部分以導(dǎo)致圖案化的吸收區(qū)106并且以暴露下硬掩模區(qū)104的部分。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106的去除是通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除吸收區(qū)106的材料，而留下下硬掩模區(qū)104相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含MoSi，下硬掩模區(qū)104包含鉻，并且蝕刻劑是基于氟的蝕刻劑，該基于氟的蝕刻劑去除吸收區(qū)106的暴露部分而留下下硬掩模區(qū)104相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻。然后去除光刻膠120的剩余部分。在圖5b中示出的一備選實(shí)施例中，在去除吸收區(qū)106的暴露部分之前，去除光刻膠120的剩余部分。在此類(lèi)實(shí)施例中，圖案化的上硬掩模區(qū)108擔(dān)任硬掩模以圖案化吸收區(qū)106，而沒(méi)有來(lái)自圖案化的光刻膠120的幫助。圖6示出在光刻膠120的剩余部分和吸收區(qū)106的暴露部分都已被去除后(不管以什么順序發(fā)生)的裝置100，導(dǎo)致下硬掩模區(qū)104的暴露部分。在圖7中，已經(jīng)沉積并且圖案化光刻膠126的第二層。在不同的實(shí)施例中，可以以多個(gè)手段(way)來(lái)圖案化光刻膠126的該第二層。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)e_束來(lái)圖案化光 刻膠126的該第二層。在一些實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104可包含導(dǎo)電材料，諸如鉻，并且可因此允許通過(guò)e_束光刻膠126的圖案化，而沒(méi)有另外的電荷耗散層的使用，當(dāng)使用缺少下硬掩模區(qū)104的光掩模坯100時(shí)，可能要求該另外的電荷耗散層。該圖案化的第二光刻膠126覆蓋(cover)下硬掩模區(qū)104的一些并且留下下硬掩模區(qū)104的一些暴露以及進(jìn)一步覆蓋剩余的上硬掩模區(qū)108的一些。在工藝流程的該示例中，圖案化的光刻膠126的第二層沒(méi)有需要與吸收區(qū)106和上硬掩模區(qū)108的已經(jīng)存在的側(cè)壁對(duì)直(line up)的邊緣。在圖8中，未被第二光刻膠126覆蓋的下硬掩模區(qū)104的暴露部分已經(jīng)被去除以導(dǎo)致圖案化的下硬掩模區(qū)104并且以暴露襯底102的部分。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104的去除通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除下硬掩模區(qū)104的材料而留下襯底102和吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含鉻，襯底102包含石英，并且蝕刻劑為基于氯的蝕刻劑，該基于氯的蝕刻劑去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分而留下襯底102和吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻，諸如等離子蝕刻。如示出的，去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分的相同的蝕刻劑或其它去除方法也去除未被第二光刻膠126覆蓋的上硬掩模區(qū)108的至少一些。如先前提及的，在一些實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)104、108都可不易受相同蝕刻劑或其它去除工藝的影響。因此，在一些實(shí)施例中，示為已經(jīng)被去除的上硬掩模區(qū)108的部分可保留在原地。圖9a和9b示出在這一點(diǎn)上可被使用的兩個(gè)備選的方案。在圖9a中，已經(jīng)去除襯底102的暴露部分的至少一些以在襯底102中作出溝124，而第二光刻膠126保留在原地。這些溝124用來(lái)相移入射光以使最終掩模成為相移掩模。在一實(shí)施例中，通過(guò)適合于襯底102材料的濕蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)襯底102的去除。在一實(shí)施例中，襯底102包含石英，并且蝕刻劑是去除襯底102的暴露部分的基于氟的蝕刻劑。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻。在形成溝后，去除第二光刻膠126的剩余部分。在圖9b中示出的一備選實(shí)施例中，在形成襯底102中的溝124之前去除第二光刻膠126的剩余部分。在此類(lèi)實(shí)施例中，圖案化的上和/或下硬掩模區(qū)108、104擔(dān)任硬掩模以圖案化襯底102，而沒(méi)有來(lái)自圖案化的第二光刻膠126的幫助。圖10示出去除第二光刻膠126的剩余部分并且在襯底102中形成溝124后(無(wú)論以什么順序發(fā)生)的裝置100，以及去除上硬掩模區(qū)108的剩余部分以及下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分，導(dǎo)致帶有特征130、140、150的光掩模。(注意在一些實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分的去除可能往往去除上硬掩模區(qū)108的剩余部分。在其它實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108的部分可保留在吸收層106上的原地。然后可或不可去除這些剩余的上硬掩模部分108)。特征130、140、150的每個(gè)具有沿著該特征從左向右不同的轉(zhuǎn)變(transition)。在各種實(shí)施例中,特征的所有三種類(lèi)型,或這些特征類(lèi)型的子集可存在于圖案化的相移掩模上。注意雖然0(零)和pi的相值被用作本文的相移特征的示例，但是它們僅一貫地被用于避免混淆，并不暗示它們是可被使用的僅有的相移值。本文描述的方法可被用于將光掩模坯100圖案化成帶有任何合適的相移值的掩模。例如，可通過(guò)短的最終襯底102蝕刻來(lái)創(chuàng)建5度和185度的相移值。其它相移值也可被使用。
特征130具有在位置(location) 132處的O (零)的相移，在位置134處的pi的相移，以及在位置136處的再次零的相移。零和pi的相移之間的此類(lèi)轉(zhuǎn)變可被用作相移掩模的所有特征。在其它實(shí)施例中，可使用轉(zhuǎn)變的其它類(lèi)型加上和/或代替零/Pi轉(zhuǎn)變。注意第二光刻膠126的圖案化定義零相移位置132和光阻擋(light blocking)位置160之間的轉(zhuǎn)變的部位，而第二光刻膠126的圖案化定義特征130的pi-相移溝124的寬度。特征140具有在阻擋入射光的位置142處的吸收器，具有在位置144處的pi的相移，以及在位置146處的零的相移。因而，該特征140是光阻擋和相移位置之間的混合(hybrid)。注意第一光刻膠120定義光阻擋位置142和pi-相移位置144之間的轉(zhuǎn)變的部位，而第二光刻膠126定義pi-相移位置144和零相移位置146之間的部位。特征150具有在阻擋入射光的位置152處的吸收器，具有在位置154處的pi的相移，以及具有在阻擋入射光的位置156處的吸收器。因此，該特征150不僅相移光，并且具有光阻擋位于兩側(cè)(flank)的相移。圖11類(lèi)似于圖10，并且示出除上述的相移區(qū)域180以外，圖案化的光掩?？删哂幸粋€(gè)或更多的二元(binary)區(qū)域170。相移區(qū)域180可具有相移入射光的一個(gè)或多個(gè)特征類(lèi)型130、140、150。在一實(shí)施例中，二元區(qū)域170在襯底102中缺少溝124，并且不相移光。替代地，二元區(qū)域170中的光被阻擋或不被阻擋。例如，位置172、174、176可以是特征的部件(part)。位置172缺少吸收區(qū)106，因而它不阻擋光。位置174具有吸收區(qū)106的一部分，因此阻擋光。位置176缺少吸收區(qū)106，因此它不阻擋光。該二元區(qū)域170可例如在光掩模的外圍處，并且用于圖案化特征諸如半導(dǎo)體晶片上的對(duì)齊標(biāo)記，雖然在其它實(shí)施例中二元區(qū)域170可在其它位置中并且被用于其它目的。在一些實(shí)施例中，掩?？扇鄙僭摱獏^(qū)域170，僅具有相移區(qū)域180。圖12直至17是示出另一方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模坯100以形成相移掩模(或中間掩模)。在一實(shí)施例中，該方法可以以如上面關(guān)于圖2直至5描述的相同的方式開(kāi)始。圖12示出在光刻膠120的剩余部分和吸收區(qū)106的暴露部分都已被去除之后(無(wú)論以什么順序發(fā)生)的裝置100，導(dǎo)致下硬掩模區(qū)104的暴露部分。
在圖13中，已經(jīng)沉積并且圖案化光刻膠126的第二層。光刻膠126的該第二層在不同的實(shí)施例中可以以多個(gè)手段來(lái)被圖案化。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)e-束來(lái)圖案化光刻膠126的第二層。在一些實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104可包含諸如鉻的導(dǎo)電材料，并可因此允許通過(guò)e-束對(duì)光刻膠126的圖案化，而沒(méi)有另外的電荷耗散層的使用，當(dāng)使用缺少下硬掩模區(qū)104的光掩模坯100時(shí)，可能要求該另外的電荷耗散層。該第二光刻膠126覆蓋下硬掩模區(qū)104的一些并且留下下硬掩模區(qū)104的一些暴露，以及進(jìn)一步地覆蓋剩余的上硬掩模區(qū)108的一些。如圖13示出的實(shí)施例中所示，圖案化的光刻膠126的第二層具有與圖案化的上硬掩模108和吸收106區(qū)的先前存在的邊緣對(duì)齊的邊緣“A”，雖然此類(lèi)對(duì)齊在圖案化的光刻膠126的其它邊緣處不存在，并且此類(lèi)對(duì)齊在一些實(shí)施例中可能根本不存在。在圖14中，已經(jīng)去除未被第二光刻膠126覆蓋的下硬掩模區(qū)104的暴露部分以導(dǎo)致圖案化的下硬掩模區(qū)104并且以暴露襯底102的部分，在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104的去除是通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇性地去除下硬掩模區(qū)104的材料，而 留下吸收區(qū)106和襯底102相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含鉻，襯底102包含石英，并且蝕刻劑為基于氯的蝕刻劑，該基于氯的蝕刻劑去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分而留下襯底102和吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻，諸如等離子蝕刻。如示出的，去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分的相同的蝕刻劑或其它去除方法也去除未被第二光刻膠126覆蓋的上硬掩模區(qū)108的至少一些。如先前提及的，在一些實(shí)施例中，上和下硬掩模區(qū)104、108都可不易受相同的蝕刻劑或其它去除工藝的影響。因此，在一些實(shí)施例中，示出為已被去除的上硬掩模區(qū)108的部分可保留在原地。在圖15a中，已經(jīng)去除襯底102的暴露部分的至少一些以在襯底102中作出溝124，而第二光刻膠126保留在原地。這些溝124用來(lái)相移入射光以使最終掩模成為相移掩模。在一實(shí)施例中，襯底102的去除是由適合于襯底102材料的濕蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，襯底102包含石英并且蝕刻劑是去除襯底102的暴露部分的基于氟的蝕刻劑。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻，諸如等離子蝕刻。在示出的實(shí)施例中，吸收區(qū)106是由用于在襯底中形成溝124的相同的去除方法來(lái)去除，因此也去除吸收區(qū)106的暴露部分。在其它實(shí)施例中，吸收區(qū)106可不與襯底102—樣易受相同的蝕刻劑(例如)的影響并且吸收區(qū)106的暴露部分可在形成溝124之前或之后分離的步驟中去除。在形成溝124之后，去除第二光刻膠126的剩余部分。在圖15b中示出的一備選實(shí)施例中，在形成襯底102中的溝124之前去除第二光刻膠126的剩余部分。在此類(lèi)實(shí)施例中，圖案化的上和/或下硬掩模區(qū)108、104擔(dān)任硬掩模以圖案化襯底102，而沒(méi)有來(lái)自圖案化的第二光刻膠126的幫助。如關(guān)于圖15a上面提及的，吸收區(qū)106的暴露部分可在溝124被形成在襯底102中的同時(shí)被去除。圖16示出在去除第二光刻膠126的剩余部分以及在襯底102中形成溝124之后(無(wú)論以什么順序發(fā)生)的裝置100。圖17示出在上硬掩模區(qū)108的剩余部分以及下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分被去除之后的裝置100，導(dǎo)致帶有特征230、240、250的光掩模。(注意在一些實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分的去除可能往往去除上硬掩模區(qū)108的剩余部分，諸如圖17中示出的那樣。在其它實(shí)施例中，在下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分的去除之后，上硬掩模區(qū)108的部分可保留在吸收區(qū)106上的原地。這些剩余的上硬掩模部分108然后可或不可被去除)。特征230、240、250的每個(gè)具有沿著該特征從左到右不同的轉(zhuǎn)變。在各種實(shí)施例中，特征的所有三種類(lèi)型，或特征類(lèi)型的子集可存在于圖案化的相移掩模上。特征230具有在位置232處的O (零)的相移，在位置234處的pi的相移，并且在位置236處的再次零的相移。零和pi的相移之間的此類(lèi)轉(zhuǎn)變可被用作相移掩模的所有特征。在其它實(shí)施例中，可使用轉(zhuǎn)變的其它類(lèi)型加上和/或代替零/Pi轉(zhuǎn)變。注意第一光刻膠120的圖案化定義零相移位置232、236和pi-相移位置234之間的轉(zhuǎn)變的部位。特征240具有在位置242處的零的相移，在位置244處的pi的相移，并且在阻擋入射光的位置246處的吸收器。因此，該特征240是光阻擋和相移位置之間的混合。特征250具有在阻擋入射光的位置252處的吸收器，具有在位置254處的pi的相移，并且具有在阻擋入射光的位置256處的吸收器。因此，該特征250不僅相移光，并且具有光阻擋位于兩側(cè)的相移。
類(lèi)似于圖11中示出的區(qū)域170、180，可有是二元掩模而不是相移掩模的掩模的區(qū)域，。圖18直至25是示出又一方法的截面?zhèn)纫晥D，通過(guò)該方法可圖案化圖I的光掩模坯100以形成相移掩模(或中間掩模)。在一實(shí)施例中，該方法可以以如上面關(guān)于圖2直至5a描述的相同的方式開(kāi)始。圖18示出在已經(jīng)去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分之后的裝置100，導(dǎo)致襯底102的暴露部分。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104的去除是通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除下硬掩模區(qū)104的材料，而留下吸收區(qū)106和襯底102相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，下硬掩模區(qū)104包含鉻，襯底102包含石英，并且蝕刻劑為基于氯的蝕刻劑，該基于氯的蝕刻劑去除下硬掩模區(qū)104的暴露部分而留下襯底102和吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻，諸如等離子蝕刻。圖19示出已經(jīng)去除襯底102的暴露部分的至少一些以在襯底102中作出溝124后的裝置。這些溝124用來(lái)相移入射光以使最終掩模成為相移掩模。在一實(shí)施例中，襯底102的去除是通過(guò)適合于襯底102材料的濕蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一實(shí)施例中，襯底102包含石英并且蝕刻劑是去除襯底102的暴露部分的基于氟的蝕刻劑。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻。圖20示出已去除光刻膠120后的裝置?？墒褂萌魏魏线m的方法以去除光刻膠120的剩余部分。在圖21中，已經(jīng)沉積并且圖案化光刻膠126的第二層。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)e_束來(lái)圖案化光刻膠120的該層。在一些實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108可包含諸如鉻的導(dǎo)電材料，并且可因此允許通過(guò)e-束對(duì)光刻膠120的圖案化，而沒(méi)有另外的電荷耗散層的使用。在其他實(shí)施例中，可使用不同的圖案化工藝。該第二光刻膠126覆蓋上硬掩模區(qū)108的一些并且留下上硬掩模區(qū)108的一些暴露，以及進(jìn)一步地覆蓋襯底124的一些。如圖21中示出的實(shí)施例中所示，圖案化的光刻膠126的第二層具有與圖案化的上硬掩模區(qū)108和吸收106區(qū)的先前存在的邊緣對(duì)齊的邊緣“B”，而光刻膠126的其它邊緣并不如此對(duì)齊。在圖21中，這些對(duì)齊的邊緣B存在于圖案化的第二光刻膠126的中間部分中，而不存在圖案化的第二光刻膠126的左和右部分。一些實(shí)施例可完全缺少此類(lèi)對(duì)齊邊緣B。在圖22中，已經(jīng)去除未被第二光刻膠126覆蓋的上硬掩模區(qū)108的暴露部分以導(dǎo)致上硬掩模區(qū)108的另外的圖案化并且以暴露吸收區(qū)106的另外的部分。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108的去除是通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除上硬掩模區(qū)108的材料，而留下吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，上硬掩模區(qū)108包含鉻，吸收區(qū)106包含MoSi，并且蝕刻劑為基于氯的蝕刻劑，該基于氯的蝕刻劑去除硬掩模區(qū)108的暴露部分而留下吸收區(qū)106相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻。在圖23中，已經(jīng)去除吸收區(qū)106的另外的暴露部分以導(dǎo)致圖案化的吸收區(qū)106并 且以暴露下硬掩模區(qū)104的另外部分。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106的去除是通過(guò)濕蝕刻用蝕刻劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，該蝕刻劑選擇地去除吸收區(qū)106的材料，而留下下硬掩模區(qū)104相對(duì)未受影響。在一實(shí)施例中，吸收區(qū)106包含MoSi，下硬掩模區(qū)104包含鉻，并且蝕刻劑為基于氟的蝕刻劑，該基于氟的蝕刻劑去除吸收區(qū)106的暴露部分而留下下硬掩模區(qū)104相對(duì)未受影響。在其它實(shí)施例中，可使用不同的材料去除方法，諸如不同的濕蝕刻或干蝕刻。在圖24中，已經(jīng)去除剩余的第二光刻膠126部分，留下溝124和上硬掩模區(qū)108的另外的暴露部分?？墒褂萌魏魏线m的方法以去除剩余的第二光刻膠126部分。圖25示出去除上硬掩模區(qū)108的剩余部分和下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分之后的裝置100，導(dǎo)致帶有特征330、340、350的光掩模。(注意在一些實(shí)施例中下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分的去除可能往往去除上硬掩模區(qū)108的剩余部分，諸如圖25中示出的那樣。在其它實(shí)施例中，在下硬掩模區(qū)104的剩余的暴露部分的去除之后，上硬掩模區(qū)108的部分可保留在吸收區(qū)106上的原地。這些剩余的上硬掩模部分108然后可或不可被去除)。特征330、340、350的每個(gè)具有沿著該特征從左到右不同的轉(zhuǎn)變。在各種實(shí)施例中，特征的所有三種類(lèi)型，或特征類(lèi)型的子集可存在于圖案化的相移掩模上。特征330具有在位置332處的O (零)的相移，在位置334處的pi的相移，并且在位置336處的再次零的相移。零和pi的相移之間的此類(lèi)轉(zhuǎn)變可被用作相移掩模的所有特征。在其它實(shí)施例中，可使用轉(zhuǎn)變的其它類(lèi)型加上和/或代替零/Pi轉(zhuǎn)變。注意第一光刻膠120的圖案化定義零相移位置332、336和pi-相移位置334之間的轉(zhuǎn)變的部位。特征340具有在位置342處的零的相移，在位置344處的pi的相移，并且在阻擋入射光的位置346處的吸收器。因此，該特征340是光阻擋和相移位置之間的混合。特征350具有在阻擋入射光的位置352處的吸收器，具有在位置354處的pi的相移，并且具有在阻擋入射光的位置356處的吸收器。因此，該特征350不僅相移光，并且具有光阻擋位于兩側(cè)的相移。類(lèi)似于圖11中示出的區(qū)域170、180，可有是二元掩模而不是相移掩模的掩模的區(qū)域。已經(jīng)描述三種工藝，通過(guò)該三種工藝，圖I的掩模坯可被圖案化以形成特征的各種類(lèi)型。在其它實(shí)施例中，其它方法和變化也可被用于圖案化掩模坯。例如，雖然掩模坯100已經(jīng)被描述為被圖案化以具有在襯底102中帶有相移并且吸收區(qū)106的存在或不存在的特征，但是也可圖案化其它特征。一個(gè)此類(lèi)特征具有鄰近吸收區(qū)106中沒(méi)有溝的位置的吸收區(qū)106中帶有溝的位置。該特征可使用/不使用吸收區(qū)106中的溝以創(chuàng)建類(lèi)似于襯底中的溝124如何起作用的相移。在此類(lèi)特征中，與下硬掩模區(qū)104組合的吸收區(qū)106可具有以大約6%的曝光福射波長(zhǎng)的透光率(light transmittance),雖然可使用不同的透光率值。一種光掩模，包含帶有襯底和襯底中的溝的相移區(qū)域；以及帶有襯底、襯底上的第一硬掩模區(qū)、第一硬掩模區(qū)上的吸收區(qū)的二元區(qū)域，并且其中二元區(qū)在襯底中缺少溝。該光掩模還可具有二元區(qū)域中吸收區(qū)上的第二硬掩模區(qū)。第一和第二硬掩模區(qū)可包含鉻。吸收區(qū)可包含鑰和硅。襯底可包含石英。第二硬掩模區(qū)可以是第一硬掩模區(qū)的至少兩倍厚?！N圖案化光掩模還的方法，包含在光掩模還上沉積光刻膠的第一層，該光掩模坯包含襯底、襯底上的第一硬掩模區(qū)、第一硬掩模區(qū)上的吸收區(qū)以及吸收區(qū)上的第二硬掩模區(qū)；圖案化光刻膠的第一層以暴露第二硬掩模區(qū)的部分；用第一蝕刻劑(與吸收區(qū)相比較，第一蝕刻劑以更大的速率選擇地去除第二硬掩模區(qū))來(lái)去除第二硬掩模區(qū)的暴露部分，以暴露在第二硬掩模區(qū)的去除部分之下的吸收區(qū)的部分；用第二蝕刻劑(與第一硬掩 模區(qū)相比較，第二蝕刻劑以更大的速率選擇地去除吸收區(qū))來(lái)去除吸收區(qū)的暴露部分，以暴露在吸收區(qū)的去除部分之下的第一硬掩模區(qū)的部分；在第一硬掩模區(qū)的暴露部分上沉積光刻膠的第二層；圖案化光刻膠的第二層以暴露第一硬掩模區(qū)的部分；第一硬掩模區(qū)的其它部分保留在吸收區(qū)之下未暴露；在圖案化光刻膠的第二層之后，用第三蝕刻劑(與襯底相比較，第三蝕刻劑以更大的速率選擇地去除第一硬掩模區(qū))來(lái)去除第一硬掩模區(qū)的暴露部分，以暴露在第一硬掩模區(qū)的去除部分之下的襯底的部分；以及去除襯底的暴露部分以形成襯底中的溝。第一硬掩模區(qū)和第二硬掩模區(qū)都可包含鉻并且第二硬掩模區(qū)可具有第一硬掩模區(qū)的厚度的至少兩倍的厚度。吸收區(qū)可包含MoSi并且具有大到足夠吸收區(qū)具有至少2. O的光密度的厚度。襯底可包含與第一硬掩模區(qū)的鉻直接接觸的石英。第二硬掩模區(qū)可具有40納米或更小的厚度并且第一硬掩模區(qū)可具有20納米或更小的厚度。吸收區(qū)可包含MoSi并且具有比第一和第二硬掩模區(qū)的組合厚度更大的厚度。圖案化光刻膠的第二層可包含使用e-束以圖案化光刻膠的第二層，并且第二硬掩模區(qū)可包含鉻并且在e-束圖案化期間起電荷耗散層的作用。溝的至少一些可具有與光刻膠的第一層的圖案化的邊緣對(duì)齊的側(cè)壁。為了說(shuō)明和描述的目的已呈現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例的前面的描述。它并非旨在是窮舉的或?qū)⒈景l(fā)明限制于公開(kāi)的精確形式。該描述和隨后的權(quán)利要求包括用于僅描述的目的并且不被看作是限制的術(shù)語(yǔ)，諸如左、右、頂部、底部、在…上、在…以下、上、下、第一、第二等等。例如，指明相對(duì)垂直部位的術(shù)語(yǔ)指襯底或集成電路的裝置側(cè)(或活性表面)是襯底的“頂部”表面的情況；襯底可實(shí)際上處于任何的方向，從而在標(biāo)準(zhǔn)地面參照系中襯底的“頂部”側(cè)可能比“底部”側(cè)更低并且仍然落于術(shù)語(yǔ)“頂部”的含義內(nèi)。如本文使用的術(shù)語(yǔ)“上”(包括權(quán)利要求中)不一定指示第二層“上”第一層是直接上和與第二層緊接接觸，除非具體地如此陳述；在第一層和第一層上的第二層之間可有第三層或其它結(jié)構(gòu)。本文描述的裝置或物品的實(shí)施例能夠以許多的部位和方向來(lái)制造、使用或運(yùn)送。相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能領(lǐng)會(huì)到根據(jù)上面的教導(dǎo)許多修改和變化是可能的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到對(duì)于圖中示出的各種組件的各種等效的組合和替換。因此，意圖是本發(fā)明的范圍不受該詳細(xì)描述限制，而是受隨附于此的權(quán)利要求的限制。
權(quán)利要求
1.一種光掩模還，包含 襯底； 所述襯底上的下硬掩模區(qū)； 所述下硬掩模區(qū)上的吸收區(qū)；以及 所述吸收區(qū)上的上硬掩模區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)和所述吸收區(qū)具有對(duì)于帶有大約193納米的曝光輻射波長(zhǎng)的光的至少2. 8的組合光密度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩模坯，所述曝光輻射波長(zhǎng)為大約193納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)和所述吸收區(qū)具有對(duì)于帶有大約193納米的波長(zhǎng)的光的至少3. O的組合光密度，并且其中所述吸收區(qū)單獨(dú)具有對(duì)于帶有大約193納米的波長(zhǎng)的光的小于3. O的光密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)和所述上硬掩模區(qū)都包含鉻。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)和所述上硬掩模區(qū)基本上由相同的材料組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光掩模坯，其中所述上硬掩模區(qū)具有所述下硬掩模區(qū)的厚度的至少I(mǎi). 5倍的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光掩模坯，其中所述吸收區(qū)包含MoSi并且具有大到足夠所述吸收區(qū)和下硬掩模區(qū)具有對(duì)于帶有大約193納米的波長(zhǎng)的光的至少2. 8的組合光密度的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)包含難熔金屬并且具有小于200埃的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光掩模坯，其中所述下硬掩模區(qū)包含選自由氧化鉻和氮氧化鉻組成的組的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光掩模坯，其中所述襯底包含石英并且所述下硬掩模區(qū)與所述石英襯底直接接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光掩模坯，其中 所述下硬掩模區(qū)包含難熔金屬、與所述襯底直接接觸、并且具有150埃或更小的厚度；所述上硬掩模區(qū)基本上由與所述下硬掩模區(qū)相同的材料組成并且具有所述下硬掩模區(qū)的厚度的至少兩倍的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光掩模坯，其中 所述襯底包含石英； 所述難熔金屬是鉻； 所述吸收區(qū)包含鑰和硅；以及 所述下硬掩模區(qū)和所述吸收區(qū)具有對(duì)于帶有大約193納米的波長(zhǎng)的光的至少2. 8的組
14.一種圖案化光掩模坯的方法，所述光掩模坯包括襯底、所述襯底上的第一硬掩模區(qū)、所述第一硬掩模區(qū)上的吸收區(qū)和所述吸收區(qū)上的第二硬掩模區(qū)，所述方法包含 將圖案化層圖案化，以便所述第二硬掩模區(qū)的一些部分被所述圖案化層覆蓋并且所述第二硬掩模區(qū)的一些部分是暴露部分； 用與所述吸收區(qū)相比較以更大的速率選擇地去除所述第二硬掩模區(qū)的第一工藝來(lái)去除所述第二硬掩模區(qū)的暴露部分，以暴露所述第二硬掩模區(qū)的去除部分之下的所述吸收區(qū)的部分； 用與所述第一硬掩模區(qū)相比較以更大的速率選擇地去除所述吸收區(qū)的第二工藝來(lái)去除所述吸收區(qū)的暴露部分，以暴露所述吸收區(qū)的去除部分之下的所述第一硬掩模區(qū)的部分； 用與所述襯底相比較以更大的速率選擇地去除所述第一硬掩模區(qū)的第三工藝來(lái)去除所述第一硬掩模區(qū)的暴露部分，以暴露所述第一硬掩模區(qū)的去除部分之下的所述襯底的部分；以及 去除所述襯底的暴露部分以形成所述襯底中的溝。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一、第二和第三工藝全是等離子蝕刻。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一和第三工藝基本上使用相同的等離子蝕刻。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一硬掩模區(qū)和所述第二硬掩模區(qū)都基本上由相同的材料組成，并且在所述光掩模坯的圖案化之前，所述第二硬掩模區(qū)具有所述第一硬掩模區(qū)的厚度的至少I(mǎi). 5倍的厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包含 在去除所述吸收區(qū)的暴露部分之后，在所述第一硬掩模區(qū)的暴露部分和所述第二硬掩模區(qū)的剩余部分上沉積第二圖案化層；以及 將所述第二圖案化層圖案化，以暴露所述第一硬掩模區(qū)的一些部分，而仍覆蓋所述第一硬掩模區(qū)的其它部分，由此所述第三工藝去除被所述第二圖案化層的圖案化所暴露的所述第一硬掩模區(qū)的部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述吸收區(qū)包含MoSi并且具有大到足夠所述吸收區(qū)具有對(duì)于帶有曝光輻射波長(zhǎng)的光的至少2. 8的光密度的厚度，所述第一、第二和第三工藝是濕蝕刻，其中所述第一和第三工藝中使用的蝕刻劑包含氯，所述第二工藝中使用的蝕刻劑包含氟，并且去除所述襯底的暴露部分包括用包含氟的第四蝕刻劑來(lái)蝕刻所述襯底的暴露部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一硬掩模區(qū)與所述襯底直接接觸。
全文摘要
一種相移光掩模坯，具有石英襯底、下鉻層、光吸收MoSi層和上鉻層。能以各種手段來(lái)圖案化該掩模以形成帶有相移和二元區(qū)域的圖案化的光掩模。
文檔編號(hào)G03F1/26GK102822741SQ201080060390
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者B·奧爾森, M·劉, C·馬, J·馬, A·T·賈米森 申請(qǐng)人:英特爾公司