專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管陣列基板及已修復(fù)的薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及已修復(fù) 的薄膜晶體管陣列基板。
背景技術(shù)：
通常，一塊完整的液晶顯示面板包括背光模組，上下偏光板，陣列基板(下基板)、 彩膜基板(上基板)、以及保留在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。其中，陣列基板上設(shè)有 柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素 區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述 數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。彩膜基板上設(shè)有黑矩陣以防止光線從除像素電極 區(qū)域之外的部分發(fā)出、紅綠藍(lán)彩膜以用于顯示彩色光、以及公共電極以用于形成顯示所需 的電場(chǎng)。背光模組發(fā)出的光經(jīng)過(guò)下偏光片后成為具有一定偏振方向的偏振光，陣列基板上 的柵線控制薄膜晶體管打開(kāi)后，由數(shù)據(jù)線控制作用于液晶上的電壓，電壓不同液晶分子的 偏轉(zhuǎn)角度也不同，從而使得透過(guò)的光強(qiáng)以及顯示亮度不同，偏振光透過(guò)液晶并穿過(guò)設(shè)在彩 膜基板上的彩膜層后形成單色偏振光，通過(guò)不同光強(qiáng)的紅綠藍(lán)三種單色偏振光的組合來(lái)顯 示五顏六色的圖像。由上述可知，當(dāng)陣列基板上的柵線和數(shù)據(jù)線保持良好時(shí)，液晶分子可以進(jìn)行正常 的偏轉(zhuǎn)，液晶顯示面板可以進(jìn)行正常的顯示。但是在制造過(guò)程中，柵線和數(shù)據(jù)線的斷線不良 卻占到了很大的比例。當(dāng)該斷線不良是在陣列基板和彩膜基板對(duì)盒之前發(fā)現(xiàn)時(shí)，可以通過(guò) 激光化學(xué)氣相沉積的方法對(duì)斷線進(jìn)行修復(fù)。然而由于實(shí)際操作中斷線漏檢的幾率較大，因 此很多斷線不良是在陣列基板和彩膜基板對(duì)盒之后才發(fā)現(xiàn)的，此時(shí)之前的斷線修復(fù)方法已 經(jīng)不適用了。而且，對(duì)于陣列基板和彩膜基板對(duì)盒之后的斷線不良，現(xiàn)有技術(shù)中未給出切實(shí)可 行的解決方案。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的提供一種薄膜晶體管陣列基板及已修復(fù)的薄膜晶體管陣列基 板，用以對(duì)陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后的斷線不良進(jìn)行修復(fù)。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型 的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案本實(shí)用新型提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂 直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi) 設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線 連接、漏極與所述像素電極連接，在所述柵線的上方設(shè)有柵修復(fù)線，和/或，在所述數(shù)據(jù)線 的上方或/或下方設(shè)有數(shù)據(jù)修復(fù)線，且所述柵修復(fù)線和所述數(shù)據(jù)修復(fù)線使得修復(fù)后的各條 柵線和數(shù)據(jù)線不連通。[0008]其中，所述柵修復(fù)線包括數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線和像素電極層?xùn)判迯?fù)線所述數(shù)據(jù)線 層?xùn)判迯?fù)線與所述數(shù)據(jù)線在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且所述數(shù)據(jù)層?xùn)判迯?fù)線與 所述數(shù)據(jù)線之間具有絕緣的第一缺口 ；所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極在一次構(gòu) 圖工藝中形成并位于同一層，且所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極絕緣；和/或，所 述數(shù)據(jù)修復(fù)線包括柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線所述柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線與 所述柵線在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且所述柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線與所述柵線之間 具有絕緣的第二缺口；所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中形成 并位于同一層，且所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極絕緣。其中，所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線為間斷的修復(fù)線，相鄰兩段所述像素電極層?xùn)判?復(fù)線之間的第三缺口與所述第一缺口相互錯(cuò)開(kāi)；和/或，所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線為間 斷的修復(fù)線，相鄰兩段所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線之間的第四缺口與所述第二缺口相互錯(cuò) 開(kāi)。其中，在一段所述數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線的上方設(shè)有第一連接過(guò)孔，另一段所述數(shù)據(jù) 線層?xùn)判迯?fù)線的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔，一段所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線分別通過(guò)所述第一 連接過(guò)孔和第二連接過(guò)孔將該一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線和該另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線連接， 且至少存在一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線未連接所述第一連接過(guò)孔和第二連接過(guò)孔。其中，當(dāng)所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線均與所述像素電極在 一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層時(shí)，所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線和所述像素電極層數(shù)據(jù)修 復(fù)線均為間斷的修復(fù)線，且一段所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與一段所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù) 線交叉。本實(shí)用新型還提供了一種包括上述薄膜晶體管陣列基板的已修復(fù)薄膜晶體管陣 列基板，至少包括一條在所述柵修復(fù)線下方斷開(kāi)的柵線，在所述柵線斷開(kāi)處的兩側(cè)分別連 通與所述柵線對(duì)應(yīng)的柵修復(fù)線；和/或，至少包括一條在所述數(shù)據(jù)修復(fù)線上方或下方斷開(kāi) 的數(shù)據(jù)線，在所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)處的兩側(cè)分別連通與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)修復(fù)線。本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管陣列基板及已修復(fù)的薄膜晶體管陣列基板，能夠通 過(guò)設(shè)在所述柵線上方的柵修復(fù)線連接斷點(diǎn)處的柵線，從而對(duì)柵線的斷線不良進(jìn)行修復(fù)，或 者能夠通過(guò)設(shè)在所述數(shù)據(jù)線上方或下方的數(shù)據(jù)修復(fù)線連接斷點(diǎn)處的數(shù)據(jù)線，從而對(duì)數(shù)據(jù)線 的斷線不良進(jìn)行修復(fù)，且所述柵修復(fù)線和所述數(shù)據(jù)修復(fù)線使得修復(fù)后的各條柵線和數(shù)據(jù)線 不連通，保持了修復(fù)后的各條柵線和數(shù)據(jù)線的正常工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)陣列基板和彩膜基 板成盒后的斷線不良進(jìn)行修復(fù)。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例 或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是 本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提 下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板一個(gè)實(shí)施例的平面示意圖；圖Ia為圖1中Al-Al方向的截面圖；圖Ib為圖1中Bl-Bl方向的截面圖；[0018]圖加為柵線斷點(diǎn)修復(fù)的第一個(gè)示例；圖2b為柵線斷點(diǎn)修復(fù)的第二個(gè)示例；圖2c為柵線斷點(diǎn)修復(fù)的第三個(gè)示例；圖2d為柵線斷點(diǎn)修復(fù)的第四個(gè)示例；圖2e為圖加中柵線斷點(diǎn)修復(fù)后薄膜晶體管陣列基板中寄生電容的示意圖；圖2f為連續(xù)的像素電極層?xùn)判迯?fù)線情況下柵線斷點(diǎn)修復(fù)后薄膜晶體管陣列基板 中寄生電容的示意圖；圖3a為數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)修復(fù)的第一個(gè)示例；圖北為數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)修復(fù)的第二個(gè)示例；圖3c為圖3a中數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)修復(fù)后薄膜晶體管陣列基板中寄生電容的示意圖；圖3d為連續(xù)的像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線情況下數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)修復(fù)后薄膜晶體管陣列 基板中寄生電容的而示意圖；圖4為薄膜晶體管陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖如為圖4中A4-A4方向的截面圖；圖4b為圖4中B4-B4方向的截面圖；圖5為薄膜晶體管陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖fe為圖5中A5-A5方向的截面圖；圖恥為圖5中B5-B5方向的截面圖；圖6為薄膜晶體管陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖；圖6a為圖6中A6-A6方向的截面圖；圖6b為圖6中B6-B6方向的截面圖；圖7為本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板另一個(gè)實(shí)施例的平面示意圖；圖8為本實(shí)用新型薄膜晶體管陣列基板再一個(gè)實(shí)施例的平面示意圖。符號(hào)說(shuō)明1-基板，2a_柵線，2c-柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線，2d-底層公共電極線，2e_第二缺口， 3-柵絕緣層，4a-數(shù)據(jù)線，4b-數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線，4d-第一缺口，5-鈍化層，5a-第一連接過(guò) 孔，5b-第二連接過(guò)孔，6a-像素電極，6b-像素電極層?xùn)判迯?fù)線，6c-像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù) 線，6d-第三缺口，6e-第四缺口。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板及其已修復(fù)的薄膜晶體 管陣列基板進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí) 施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所 獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。如圖1所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板一個(gè)實(shí)施例的平面示意 圖。圖Ia為圖1中Al-Al方向的截面圖。圖Ib為圖1中Bl-Bl方向的截面圖。本實(shí)施 例中的薄膜晶體管陣列基板，包括基板1，基板1上設(shè)有柵線2a，垂直于柵線加設(shè)有數(shù)據(jù)線 4a，柵線加和數(shù)據(jù)線如之間限定有像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極6a，薄膜晶體管的柵極與柵線加連接、源極與數(shù)據(jù)線如連接、漏極與像素電極6a連接。其中， 在柵線加的上方設(shè)有柵修復(fù)線4b、6b，在數(shù)據(jù)線如的上方和下方設(shè)有數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c， 且柵修復(fù)線4b、6b和數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c使得修復(fù)后的各條柵線加和數(shù)據(jù)線如不連通。本實(shí)施例中的薄膜晶體管陣列基板，能夠通過(guò)設(shè)在柵線加上方的柵修復(fù)線4b、6b 連接斷點(diǎn)處的柵線，從而對(duì)柵線的斷線不良進(jìn)行修復(fù)，或者能夠通過(guò)設(shè)在數(shù)據(jù)線如的上方 或下方的數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c連接斷點(diǎn)處的數(shù)據(jù)線，從而對(duì)數(shù)據(jù)線的斷線不良進(jìn)行修復(fù)，且 柵修復(fù)線4b、6b和數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c使得修復(fù)后的各條柵線加和數(shù)據(jù)線4b不連通，保持 了修復(fù)后的各條柵線加和數(shù)據(jù)線4b的正常工作狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)陣列基板和彩膜基板成盒 后的斷線不良進(jìn)行修復(fù)。本實(shí)施例中，所述柵修復(fù)線4b、6b包括數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b和像素電極層?xùn)判迯?fù) 線6b 數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b與數(shù)據(jù)線如在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且數(shù)據(jù)層 柵修復(fù)線4b與數(shù)據(jù)線如之間具有絕緣的第一缺口 4d ；像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b與像素電極 6a在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b與像素電極6a絕緣。 使用兩層?xùn)判迯?fù)線4b、6b可以使得能夠?qū)啪€上每一處的斷點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)。例如，如圖加所 示，當(dāng)柵線斷點(diǎn)的位置位于柵線加上與數(shù)據(jù)線如的非交疊位置處時(shí)，可以通過(guò)激光焊接方 法將該柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線加與數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b連接，以通過(guò)數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b 修復(fù)該柵線斷點(diǎn)；或者如圖2b所示，當(dāng)柵線斷點(diǎn)的位置位于柵線加上與數(shù)據(jù)線如的交疊 位置處時(shí)，可以通過(guò)激光焊接方法將該柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線加與像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b 連接，以通過(guò)像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b修復(fù)該柵線斷點(diǎn)。像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b可以為間斷的修復(fù)線，且相鄰兩段像素電極層?xùn)判迯?fù)線 6b之間的第三缺口 6d與第一缺口 4d相互錯(cuò)開(kāi)。一方面，如在圖2b所示的示例中，可以在 無(wú)法通過(guò)數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b修復(fù)柵線斷點(diǎn)時(shí)，借助于像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b修復(fù)柵線 斷點(diǎn)，保證柵線斷點(diǎn)的可修復(fù)性。另一方面，如圖加所示，在利用一段像素電極層?xùn)判迯?fù) 線6b修復(fù)柵線后，僅該段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b帶電，此時(shí)可以該段像素電極層?xùn)判迯?fù)線 6b作為柵線寄生電容的一極，并以柵線加作為柵線寄生電容的另一極，由于該段像素電極 層?xùn)判迯?fù)線6b修復(fù)后與柵線加連通，因此該段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b與柵線加電位相 同，可以作為柵線寄生電容的同一電極，這樣在圖加所示的虛線范圍內(nèi)的柵線寄生電容為 電容Cl和c2并聯(lián)后的電容，在圖2e所示虛線范圍以外的柵線寄生電容為電容c2，在圖2e 中總的柵線寄生電容為虛線范圍內(nèi)的柵線寄生電容與虛線范圍外的柵線寄生電容的串聯(lián)； 這與連續(xù)的像素電極層?xùn)判迯?fù)線相比可以使寄生電容值大大減小，從而提高修復(fù)質(zhì)量并保 持顯示效果，具體如圖2f所示，當(dāng)像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b為連續(xù)的修復(fù)線時(shí)，利用該像素 電極層?xùn)判迯?fù)線6b修復(fù)柵線斷點(diǎn)后，整段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b均與柵線2b連通并與柵 線2b具有相同的電位，可以作為柵線寄生電容的同一極，這樣在圖2f所示的虛線范圍內(nèi)的 柵線寄生電容為電容cl和c2并聯(lián)后的電容，這與圖加所示虛線范圍內(nèi)的柵線寄生電容相 等，在圖2f所示的虛線范圍外的柵線寄生電容也為電容cl和c2并聯(lián)后的電容，電容并聯(lián) 后電容值增大，因此圖2f所示虛線范圍外的柵線寄生電容大于圖2e所示虛線范圍外的柵 線寄生電容，在圖2f中總的柵線寄生電容為虛線范圍內(nèi)的柵線寄生電容與虛線范圍外的 柵線寄生電容的串聯(lián)。由上述可知，圖2e所示的總的柵線寄生電容小于圖2f所示的總的 柵線寄生電容。[0047]參見(jiàn)圖la，在一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上方設(shè)有第一連接過(guò)孔5a，在另一段數(shù) 據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔恥，一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b分別通過(guò)第 一連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥將該一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線和該另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù) 線連接。這樣參見(jiàn)圖2c或圖2d所示，當(dāng)柵線斷點(diǎn)的位置為多個(gè)(如圖2c中柵線斷點(diǎn)位置 為兩個(gè)，圖2d中柵線斷點(diǎn)位置為三個(gè))，且存在至少一個(gè)柵線斷點(diǎn)位于柵線加上與數(shù)據(jù)線 4a的交疊位置處時(shí)，可以將相應(yīng)的柵線斷點(diǎn)兩側(cè)的柵線加與數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b和像素 電極層?xùn)判迯?fù)線6b連接，以通過(guò)數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b、像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b、以及連接 數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b和像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b的連接過(guò)孔5ajb修復(fù)該柵線斷點(diǎn)。艮口， 可以通過(guò)第一連接過(guò)孔fe、第二連接過(guò)孔恥將間斷的數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b和像素電極層 柵修復(fù)線6b連接起來(lái)，以延長(zhǎng)柵修復(fù)線的長(zhǎng)度，進(jìn)而使得能夠修復(fù)斷點(diǎn)分布較為密集的一 段柵線。需要注意的是，在通過(guò)第一連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥連接數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù) 線4b和像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b時(shí)，至少存在一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b未連接上述第一 連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔5b，以免通過(guò)該第一連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥將全部的 數(shù)據(jù)層?xùn)判迯?fù)線4b和像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b連接起來(lái)。較佳地，本實(shí)施例中每隔一段連 接第一連接過(guò)孔如和第二連接過(guò)孔恥的像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b設(shè)置一段未連接第一連 接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥的像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b。類(lèi)似地，所述數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c包括柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù) 線6c 柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c與柵線加在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且柵線層數(shù) 據(jù)修復(fù)線2c與柵線加之間具有絕緣的第二缺口 2e ；像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c與像素電極 6a在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且像素電極層?xùn)判迯?fù)線6c與像素電極6a絕緣。 使用兩層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c可以使得能夠?qū)?shù)據(jù)線上每一處的斷點(diǎn)進(jìn)行修復(fù)。例如，如圖 3a所示，當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置位于數(shù)據(jù)線如上與柵線加的非交疊位置處時(shí)，可以通過(guò)激光 焊接方法將該數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線如與柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c連接，以通過(guò)柵線層數(shù) 據(jù)修復(fù)線2c修復(fù)該數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)；或者如圖: 所示，當(dāng)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的位置位于數(shù)據(jù)線如上 與柵線加的交疊位置處時(shí)，可以通過(guò)激光焊接方法將該數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)兩側(cè)的數(shù)據(jù)線如與像 素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c連接，以通過(guò)像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c修復(fù)該數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)。像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c可以為間斷的修復(fù)線，且相鄰兩段像素電極層數(shù)據(jù)修 復(fù)線6c之間的第四缺口 6e與第二缺口加相互錯(cuò)開(kāi)。一方面，如在圖北所示的示例中，可 以在無(wú)法通過(guò)柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c修復(fù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)時(shí)，借助于像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c 修復(fù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)，保證數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)的可修復(fù)性。另一方面，在利用一段像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù) 線6c修復(fù)數(shù)據(jù)線后，僅該段像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線連通并帶電，由于該段像素電極層數(shù)據(jù) 修復(fù)線6c修復(fù)后與數(shù)據(jù)線如連通，因此該段像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c與數(shù)據(jù)線如電位 相同，此時(shí)可以該段像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c作為寄生電容的一極，并以彩膜基板上的公 共電極線作為寄生電容的另一極，這樣在圖3c所示的虛線范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線寄生電容為電 容cl，在圖3c所示虛線范圍以外的柵線寄生電容為電容cl和c2串聯(lián)后的電容，電容串聯(lián) 后電容值減小，在圖3c中總的柵線寄生電容為虛線范圍內(nèi)的柵線寄生電容與虛線范圍外 的柵線寄生電容的串聯(lián)；這與連續(xù)的像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線相比可以使寄生電容值大大減 小，從而提高修復(fù)質(zhì)量并保持顯示效果，具體如圖3d所示，當(dāng)像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c為連續(xù)的修復(fù)線時(shí)，利用該像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c修復(fù)數(shù)據(jù)線斷點(diǎn)后，整段像素電極層數(shù) 據(jù)修復(fù)線6c均與數(shù)據(jù)線如連通并與數(shù)據(jù)線如具有相同的電位，可以作為數(shù)據(jù)線寄生電容 的同一極，這樣在圖3d所示的虛線范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線寄生電容為電容Cl，這與圖3c所示虛線 范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線寄生電容相等，在圖3d所示的虛線范圍外的數(shù)據(jù)線寄生電容也為電容Cl， 因此圖3d所示虛線范圍外的數(shù)據(jù)線寄生電容大于圖3c所示虛線范圍外的數(shù)據(jù)線寄生電 容，在圖3d中總的數(shù)據(jù)線寄生電容為虛線范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)線寄生電容與虛線范圍外的數(shù)據(jù) 線寄生電容的串聯(lián)。由上述可知，圖3c所示的總的數(shù)據(jù)線寄生電容小于圖3d所示的總的 數(shù)據(jù)線寄生電容。需要說(shuō)明的是，當(dāng)像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c均與像素 電極6a在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層時(shí)，像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b和像素電極層數(shù) 據(jù)修復(fù)線6c均為間斷的修復(fù)線，且一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b與一段像素電極層數(shù)據(jù)修 復(fù)線6c交叉，這樣可以避免通過(guò)像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b修復(fù)柵線時(shí)或通過(guò)像素電極層數(shù) 據(jù)修復(fù)線6c修復(fù)數(shù)據(jù)線時(shí)使得多條柵線和數(shù)據(jù)線連通，從而影響柵線和數(shù)據(jù)線的正常工 作。下面將結(jié)合具體的例子來(lái)說(shuō)明上述薄膜晶體管陣列基板的制造工藝。在以下說(shuō)明 中，本實(shí)用新型實(shí)施例所稱(chēng)的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、以及刻蝕等工藝。如圖4所示為上述實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面示意 圖，圖如為圖4中A4-A4方向的截面圖，圖4b為圖4中B4-B4方向的截面圖。首先采用濺 射或熱蒸發(fā)的方法在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?。柵金屬?膜可以使用Cr、W、Ti、Ta、M0、Al、Cu等金屬及其合金，柵金屬薄膜也可以由多層金屬薄膜組 成。然后采用普通掩模板，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝對(duì)柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，在基板1上形成柵 線2a、柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c和TFT柵極的圖形。其中，柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c位于數(shù)據(jù)線 4a(參見(jiàn)如下的第二次構(gòu)圖工藝)的下方并與柵線加之間具有絕緣的第二缺口加。在第 一次構(gòu)圖工藝中，同時(shí)還可以形成底層公共電極線2d。如圖5所示為上述實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面示意 圖，圖fe為圖5中A5-A5方向的截面圖，圖恥為圖5中B5-B5方向的截面圖。首先，通過(guò) 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法連續(xù)沉積柵絕緣薄膜、形成柵絕緣層3。柵絕緣薄膜可以 選用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或 SiH2Cl2, NH3、N2的混合氣體。之后，在形成有柵絕緣層3的基板上形成有源層薄膜，有源層 薄膜可以包括半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜。再之后，在摻雜半導(dǎo)體薄膜上通過(guò)濺射或熱 蒸發(fā)的方法沉積數(shù)據(jù)金屬薄膜，數(shù)據(jù)金屬薄膜可以選用Cr、W、Ti、Ta、M0、Al、Cu等金屬及其 合金。在沉積完數(shù)據(jù)金屬薄膜后，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線如和數(shù)據(jù)線 層?xùn)判迯?fù)線4b的圖形，并形成TFT的有源層、源極、漏極和溝道的圖形。其中，數(shù)據(jù)線層?xùn)?修復(fù)線4b位于柵線加的上方并與數(shù)據(jù)線如之間具有絕緣的第一缺口 4d。第二次構(gòu)圖工藝可以是一個(gè)多次刻蝕的工藝，其中可以使用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模 板。具體地，在沉積完數(shù)據(jù)金屬薄膜后，涂覆光刻膠，然后曝光。光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)數(shù) 據(jù)線如、數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b、以及TFT的源極和漏極的圖形，光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT 的溝道的圖形，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)不需要保留數(shù)據(jù)金屬薄膜的其他區(qū)域。第一次刻蝕后，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體膜、摻雜半導(dǎo)體膜和數(shù)據(jù)金屬薄膜。進(jìn)行光刻膠灰化工藝，去除TFT溝道處的光刻膠。然后通過(guò)第二次刻蝕，去除TFT 溝道處的全部數(shù)據(jù)金屬薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜、以及部分半導(dǎo)體薄膜，形成TFT的源極、漏 極和溝道的圖形，并形成數(shù)據(jù)線如和數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的圖形。如圖6所示為上述實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面示意 圖，圖6a為圖6中A6-A6方向的截面圖，圖6b為圖6中B6-B6方向的截面圖。在陣列基板 上通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積鈍化層薄膜，鈍化層薄膜可以采用氧化物、氮 化物或者氮氧化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的 混合氣體。然后采用普通掩模板，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝，在一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上 方形成第一連接過(guò)孔5a，在另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔恥。在 第三次構(gòu)圖工藝中，還可以形成與TFT的漏極對(duì)應(yīng)的過(guò)孔。在形成各個(gè)連接過(guò)孔之后的基板上，通過(guò)濺射或者熱蒸發(fā)的方法沉積透明導(dǎo)電薄 膜，透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫(Indium TinOxide，簡(jiǎn)稱(chēng)ΙΤ0)。采用普通掩模板，通過(guò)第 四次構(gòu)圖工藝形成像素電極6a、間斷的像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b、間斷的像素電極層數(shù)據(jù)修 復(fù)線6c的圖形。其中，像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b位于柵線加的上方并與像素電極6a絕緣， 且一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b分別通過(guò)第一連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥將上述一段 數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b與上述另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b連接。像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c 位于數(shù)據(jù)線如的上方并與像素電極6a絕緣，且一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b和一段像素電 極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c交叉。經(jīng)過(guò)第四次構(gòu)圖工藝后，薄膜晶體管陣列基板的平面圖和界面圖 如圖l、la和Ib所示。本實(shí)用新型的薄膜晶體管陣列基板，不限于前述提及的四次構(gòu)圖工藝，還可以采 用五次構(gòu)圖工藝等。例如，在上述的第二次構(gòu)圖工藝中可以不采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板， 而是通過(guò)兩次構(gòu)圖工藝來(lái)完成。具體地，在第一次構(gòu)圖工藝之后，可以通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝 并采用普通掩模板，形成TFT的有源層。然后在形成有有源層的基板上沉積數(shù)據(jù)金屬薄膜， 通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝并采用普通掩模板，形成TFT的源極、漏極和溝道，并形成數(shù)據(jù)線如和 數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b。此外，各個(gè)連接過(guò)孔、以及像素電極、像素電極層?xùn)判迯?fù)線和像素電 極層數(shù)據(jù)修復(fù)線分別可以通過(guò)前述提及的四次構(gòu)圖工藝中的第三次和第四次構(gòu)圖工藝形 成。如圖7所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板另一個(gè)實(shí)施例的平面示意 圖。本實(shí)施例中的薄膜晶體管陣列基板，包括基板1，基板1上設(shè)有柵線2a，垂直于柵線加 設(shè)有數(shù)據(jù)線4a，柵線加和數(shù)據(jù)線如之間限定有像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和 像素電極6a，薄膜晶體管的柵極與柵線加連接、源極與數(shù)據(jù)線如連接、漏極與像素電極6a 連接。其中，在柵線加的上方設(shè)有柵修復(fù)線4b、6b，且柵修復(fù)線4b、6b使得修復(fù)后的各條柵 線加和數(shù)據(jù)線如不連通。本實(shí)施例中，圖7中A7-A7方向的截面圖與圖Ia相同，B7-B7方向的截面上未作 改進(jìn)，與現(xiàn)有技術(shù)相同。具體而言，所述柵修復(fù)線4b、6b包括數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b和像素 電極層?xùn)判迯?fù)線6b 數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b與數(shù)據(jù)線如在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一 層，且數(shù)據(jù)層?xùn)判迯?fù)線4b與數(shù)據(jù)線如之間具有絕緣的第一缺口 4d ；像素電極層?xùn)判迯?fù)線 6b與像素電極6a在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b與像素電極6a絕緣。像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b可以為間斷的修復(fù)線，且相鄰兩段像素電極層?xùn)判?復(fù)線6b之間的第三缺口 6d與第一缺口 4d相互錯(cuò)開(kāi)。在一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上方 設(shè)有第一連接過(guò)孔如，在另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的上方設(shè)有第二連接過(guò)孔恥，一段像 素電極層?xùn)判迯?fù)線6b分別通過(guò)第一連接過(guò)孔fe和第二連接過(guò)孔恥將該一段數(shù)據(jù)線層?xùn)?修復(fù)線和該另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線連接，且至少存在一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b未連 接上述第一連接過(guò)孔如和第二連接過(guò)孔恥?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的制造工藝與圖1所示實(shí)施例中 薄膜晶體管陣列基板的制造工藝的不同之處在于(對(duì)于四次構(gòu)圖工藝而言)在第一次構(gòu) 圖工藝中，不需要形成柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c的圖形；在第四次構(gòu)圖工藝中，不需要形成像 素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c的圖形。但基于上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中對(duì)柵線加的修復(fù)與圖2a_2d 所示示例中對(duì)柵線加的修復(fù)相同。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)也可以做其他的改進(jìn)。例 如，像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b也可以是連續(xù)的修復(fù)線。再例如，可以?xún)H設(shè)置數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù) 線4b或僅設(shè)置像素電極層?xùn)判迯?fù)線6b。如圖8所示，為本實(shí)用新型實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板再一個(gè)實(shí)施例的平面示意 圖。本實(shí)施例中的薄膜晶體管陣列基板，包括基板1，基板1上設(shè)有柵線2a，垂直于柵線加 設(shè)有數(shù)據(jù)線4a，柵線加和數(shù)據(jù)線如之間限定有像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和 像素電極6a，薄膜晶體管的柵極與柵線加連接、源極與數(shù)據(jù)線如連接、漏極與像素電極6a 連接。其中，在數(shù)據(jù)線4a的上方和下方設(shè)有數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c，且數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c使得修 復(fù)后的各條柵線加和數(shù)據(jù)線如不連通。本實(shí)施例中，圖8中A8-A8方向的截面上未作改進(jìn)，與現(xiàn)有技術(shù)相同，B8-B8方向 的截面圖與圖Ib相同。具體而言，所述數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、6c包括柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c和像 素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c 柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c與柵線加在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同 一層，且柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c與柵線加之間具有絕緣的第二缺口 2e ；像素電極層數(shù)據(jù)修 復(fù)線6c與像素電極6a在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且像素電極層?xùn)判迯?fù)線6c與 像素電極6a絕緣。像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c可以為間斷的修復(fù)線，且相鄰兩段像素電極 層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c之間的第四缺口 6e與第二缺口 2e相互錯(cuò)開(kāi)?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的制造工藝與圖1所示實(shí)施例中 薄膜晶體管陣列基板的制造工藝的不同之處在于(對(duì)于四次構(gòu)圖工藝而言)在第二次構(gòu) 圖工藝中，不需要形成數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b的圖形；在第四次構(gòu)圖工藝中，不需要形成像 素電極層?xùn)判迯?fù)線6b的圖形。但基于上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中對(duì)數(shù)據(jù)線如的修復(fù)與圖3a-;3b 所示示例中對(duì)數(shù)據(jù)線4a的修復(fù)相同。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)也可以做其他的改進(jìn)。例 如，像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c也可以是連續(xù)的修復(fù)線。再例如，可以?xún)H設(shè)置柵線層數(shù)據(jù)修 復(fù)線2c或僅設(shè)置像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c。此外，在本實(shí)用新型其他的實(shí)施例中，可以設(shè)置數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線4b、像素電極層 柵修復(fù)線6b、柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線2c、以及像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線6c中的任意一個(gè)或多個(gè)圖 形。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù) 據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像 素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素 電極連接，其特征在于，在所述柵線的上方設(shè)有柵修復(fù)線，和/或，在所述數(shù)據(jù)線的上方和/ 或下方設(shè)有數(shù)據(jù)修復(fù)線，且所述柵修復(fù)線和所述數(shù)據(jù)修復(fù)線使得修復(fù)后的各條柵線和數(shù)據(jù) 線不連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述柵修復(fù)線包括數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線和像素電極層?xùn)判迯?fù)線所述數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線 與所述數(shù)據(jù)線在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且所述數(shù)據(jù)層?xùn)判迯?fù)線與所述數(shù)據(jù)線 之間具有絕緣的第一缺口；所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中形 成并位于同一層，且所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極絕緣；和/或，所述數(shù)據(jù)修復(fù)線包括柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線所述柵線層數(shù)據(jù)修 復(fù)線與所述柵線在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層，且所述柵線層數(shù)據(jù)修復(fù)線與所述柵 線之間具有絕緣的第二缺口 ；所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝 中形成并位于同一層，且所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線與所述像素電極絕緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線為間斷的修復(fù)線，相鄰兩段所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線之間的 第三缺口與所述第一缺口相互錯(cuò)開(kāi)；和/或，所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線為間斷的修復(fù)線，相鄰兩段所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線之 間的第四缺口與所述第二缺口相互錯(cuò)開(kāi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在一段所述數(shù)據(jù)線層?xùn)?修復(fù)線的上方設(shè)有第一連接過(guò)孔，另一段所述數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線的上方設(shè)有第二連接過(guò) 孔，一段所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線分別通過(guò)所述第一連接過(guò)孔和第二連接過(guò)孔將該一段數(shù) 據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線和該另一段數(shù)據(jù)線層?xùn)判迯?fù)線連接，且至少存在一段像素電極層?xùn)判迯?fù)線 未連接所述第一連接過(guò)孔和第二連接過(guò)孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，當(dāng)所述像素電極層?xùn)判?復(fù)線和像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線均與所述像素電極在一次構(gòu)圖工藝中形成并位于同一層時(shí)， 所述像素電極層?xùn)判迯?fù)線和所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線均為間斷的修復(fù)線，且一段所述像 素電極層?xùn)判迯?fù)線與一段所述像素電極層數(shù)據(jù)修復(fù)線交叉。
6.一種包括權(quán)利要求1-5任一所述薄膜晶體管陣列基板的已修復(fù)薄膜晶體管陣列基 板，其特征在于，至少包括一條在所述柵修復(fù)線下方斷開(kāi)的柵線，在所述柵線斷開(kāi)處的兩側(cè)分別連通與 所述柵線對(duì)應(yīng)的柵修復(fù)線；和/或，至少包括一條在所述數(shù)據(jù)修復(fù)線上方或下方斷開(kāi)的數(shù)據(jù)線，在所述數(shù)據(jù)線斷開(kāi)處的兩 側(cè)分別連通與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)修復(fù)線。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜晶體管陣列基板及已修復(fù)的薄膜晶體管陣列基板，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，為對(duì)陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后的斷線不良進(jìn)行修復(fù)而設(shè)計(jì)。所述薄膜晶體管陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，在所述柵線的上方設(shè)有柵修復(fù)線和/或在所述數(shù)據(jù)線的上方和下方設(shè)有數(shù)據(jù)修復(fù)線，且所述柵修復(fù)線和所述數(shù)據(jù)修復(fù)線使得修復(fù)后的各條柵線和數(shù)據(jù)線不連通。本實(shí)用新型可用于進(jìn)行液晶顯示。
文檔編號(hào)G02F1/13GK201886251SQ20102068108
公開(kāi)日2011年6月29日 申請(qǐng)日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者秦鋒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司