專利名稱：光阻去除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造后道工藝中的光阻去除技術(shù)，尤其涉及干法去除光阻的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造工藝中，利用光刻過(guò)程將印在光掩膜上的圖形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到襯底 的表面上。在光刻過(guò)程中，首先將光阻(photo resist)，又稱光刻膠旋轉(zhuǎn)涂布在襯底上，然 后對(duì)光阻進(jìn)行軟烘干，使之成為固態(tài)薄膜。接著，對(duì)涂布有光阻的晶片進(jìn)行光刻和顯影，于 是在光阻中形成期望的三維圖形?；谠撊S圖形，可以對(duì)襯底進(jìn)行蝕刻，使得光阻上的圖 像深入到襯底中。根據(jù)襯底和工藝的不同，該刻蝕過(guò)程可以是濕蝕刻或是諸如離子注入的 干蝕刻。在完成襯底蝕刻之后，已經(jīng)不再需要光阻作保護(hù)層，可以將其除去，稱為去膠。去 膠過(guò)程分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分有機(jī)溶劑去膠和無(wú)機(jī)溶劑去膠。有機(jī) 溶劑去膠，主要是使光阻溶于有機(jī)溶劑而除去；無(wú)機(jī)溶劑去膠則是利用光阻本身也是有機(jī) 物的特點(diǎn)，通過(guò)一些無(wú)機(jī)溶劑，將光阻中的碳元素氧化為二氧化碳而將其除去。干法去膠， 則是用等離子體將光阻剝除。傳統(tǒng)地，干法清洗去膠主要是利用氧在等離子體中產(chǎn)生的活 性氧與光阻發(fā)生反應(yīng)生成二氧化碳和水，以達(dá)到去除光阻的目的。它能對(duì)高溫烘烤過(guò)的膠、 顯影后的底膠以及鋁電極和大劑量離子注入過(guò)的膠進(jìn)行清洗。目前，普遍采用的干法清洗 光阻工藝都是在真空室里利用低氣壓氧等離子體來(lái)進(jìn)行清洗。另一方面，隨著半導(dǎo)體器件尺寸不斷收縮，互連結(jié)構(gòu)越來(lái)越窄，使得互連電阻越來(lái) 越高。銅借助其優(yōu)異的導(dǎo)電性，已經(jīng)成為集成電路技術(shù)領(lǐng)域中互連集成技術(shù)的解決方案之 一，銅互連技術(shù)已廣泛應(yīng)用于90nm及65nm節(jié)點(diǎn)的工藝中。在銅互連工藝中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，降低用于隔離金屬連線層的中間絕緣層(IMD)的介 電常數(shù)(k)，可以有效地降低金屬連線之間可能發(fā)生的相互作用或串?dāng)_，并能夠有效降低互 連的電阻電容(RC)延遲。因此，在90nm、65nm甚至45nm設(shè)計(jì)規(guī)則的應(yīng)用中，低k材料和超 低k材料現(xiàn)在已越來(lái)越廣泛地應(yīng)用于Cu互連工藝中作為隔離金屬銅的中間絕緣層。Cu互連中低k材料和超低k材料的使用對(duì)光阻的去除提出了新的要求。首先，如 果低k材料被暴露在氧離子環(huán)境中，材料中的碳原子將被逐漸耗盡，因此介電常數(shù)K值會(huì)升 高。其次，為了獲得超低k值，通常采用的是多孔材料。然而，多孔性使得材料的機(jī)械強(qiáng)度更 低，更容易受到破壞。針對(duì)低k材料和超低k材料的特點(diǎn)，已經(jīng)提出使用基于二氧化碳C02 的光阻去除方法，取代傳統(tǒng)的氧氣去除過(guò)程，由此降低對(duì)低k材料的損害。然而，C02光阻 去除方法的應(yīng)用并不能完全解決低k材料受損的問(wèn)題。在光阻去除之后，仍然可以看到多 種有缺陷的溝槽輪廓，包括頂部呈現(xiàn)圓形、彎曲、微溝槽等等。對(duì)于超低k材料來(lái)說(shuō)，最終獲 得的溝槽輪廓不是由溝槽蝕刻步驟決定的，而是由光阻去除過(guò)程決定的。圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中光阻去除前后獲得的溝槽輪廓的對(duì)比。圖IA示出在低k材 料中進(jìn)行溝槽蝕刻之后獲得的形貌。根據(jù)本領(lǐng)域中常規(guī)的蝕刻過(guò)程，在低k材料上面涂布 有光阻，其間還可能有附加的鈍化保護(hù)層。該鈍化保護(hù)層材料可以選擇為T(mén)E0S，成分主要是二氧化硅，是用Si (OC2H5)4為主要原料反應(yīng)生成的。利用光阻圖案，通過(guò)例如離子蝕刻方法 對(duì)下層的低k材料進(jìn)行蝕刻，從而獲得圖IA所示的溝槽輪廓。從圖IA中可以看到，此時(shí)的 溝槽外型是比較理想的，頂部沒(méi)有出現(xiàn)明顯的彎曲或圓形，側(cè)壁也相對(duì)豎直。圖IB示出利用C02在低壓下進(jìn)行光阻去除之后獲得的溝槽輪廓。所述低壓例如 是40mT(1T= 133.32Pa)以下的壓強(qiáng)。由于較低的壓強(qiáng)可以使得等離子具有較高的向下沖 擊能量，因此，低壓的向下“準(zhǔn)直”轟擊使得頂部的TEOS迅速被消耗掉，最終使得槽脊頂部 呈現(xiàn)圓形或彎曲。圖IC示出利用C02在高壓下進(jìn)行光阻去除之后獲得的溝槽輪廓。所述高壓例 如是40mT以上的壓強(qiáng)。由于較高的壓強(qiáng)使得等離子更加傾向于各項(xiàng)同性，因此，高壓等 離子會(huì)對(duì)圖IA中材料的各個(gè)方向都進(jìn)行輻射，其中橫向輻射(與溝槽蝕刻方向垂直的方 向上的輻射)會(huì)對(duì)溝槽側(cè)壁的低k材料造成明顯的損壞，使得溝槽脊呈現(xiàn)出明顯的“回 拉”(pull-back)現(xiàn)象。此外，由于高壓下縱向輻射相對(duì)不足，使得TEOS殘留在表面，在每 個(gè)槽脊上呈現(xiàn)一個(gè)蓋帽的形狀。很明顯，以上方式進(jìn)行光阻去除所獲得的溝槽外型都不夠理想。在溝槽形貌有缺 陷的情況下，半導(dǎo)體器件的互連性能和參數(shù)勢(shì)必受到不利影響。鑒于上述問(wèn)題，需要提供一 種改進(jìn)的光阻去除方法，這種方法能夠在低k材料和超低k材料作為IMD層的情況下，減少 光阻去除過(guò)程對(duì)IMD層的損壞，確保產(chǎn)生理想的溝槽外型，從而保證器件的互連性能。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式
部分中 進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案 的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。為了在低k材料和超低k材料作為IMD層的情況下，減少光阻去除過(guò)程對(duì)IMD層 的損害，產(chǎn)生理想的溝槽外型，本發(fā)明提供了一種用于在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中去除光阻的方法，所 述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少包括由低k材料和/或超低k材料構(gòu)成的介電層，在所述介電層上方形 成的光阻層，以及蝕刻至所述介電層中的溝槽，所述方法包括利用等離子體方法以第一壓 強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的光阻層的一部分；以及利用所述等離子體方法以高于所述第一 壓強(qiáng)的第二壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的剩余光阻層。本發(fā)明還提供了通過(guò)上述方法獲得 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件，以及包含這樣的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備。利用本發(fā)明的兩階段的光阻去除方法，可以獲得理想的溝槽輪廓，避免出現(xiàn)頂部 彎曲、側(cè)壁“回拉”等缺陷形態(tài)，并且減小對(duì)低k/超低k材料構(gòu)成的介電層的損害，從而改 善形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖IA示出在低k材料中進(jìn)行溝槽蝕刻之后獲得的形貌；圖IB示出利用C02在低壓下進(jìn)行光阻去除之后獲得的溝槽輪廓；圖IC示出利用C02在高壓下進(jìn)行光阻去除之后獲得的溝槽輪廓；
圖2A-2C示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除方法的示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例去除光阻后的溝槽輪廓的SEM圖像；以及圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以 實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn) 行描述。圖2A-2C示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除方法的示意圖。圖2A示出實(shí)施光阻 去除之前的溝槽輪廓。更具體而言，圖2A示出了一種雙大馬士革結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包含通孔停 止層100、中間介電層101以及光阻層102和103。其中通孔停止層100可以沉積在前一互 連層或有源器件層上。中間介電層101可以通過(guò)CVD方式沉積在通孔停止層100之上。該 中間介電層101由低k材料、超低k材料、或者低k材料以及超低k材料的組合構(gòu)成，厚度 為100-600nm的量級(jí)。上述低k材料和超低k材料可以選自本領(lǐng)域常見(jiàn)的各種低k值介電 材料，包括但不限于k值為2. 5-2. 9的硅酸鹽化合物(Hydrogen Silsesquioxane,簡(jiǎn)稱為 HSQ)、k值為2. 2的甲基硅酸鹽化合物(Methyl Silsesquioxane，簡(jiǎn)稱MSQ)、k值為2. 8的 H0SP (Honeywell公司制造的基于有機(jī)物和硅氧化物的混合體的低介電常數(shù)材料)以及k 值為2.65的SiLK G)0W Chemical公司制造的一種低介電常數(shù)材料)等等。為了獲得圖 示的雙大馬士革結(jié)構(gòu)，首先在中間介電層101中形成通孔104，然后例如通過(guò)等離子體蝕刻 法來(lái)蝕刻低k或超低k介電材料101，在其中形成溝槽105。因此，在蝕刻完成之后，在通孔 104中會(huì)殘留有光阻103，在中間介電層上部表面也會(huì)有殘留有光阻層102。在一種實(shí)施例 中，在中間介電層101和光阻層102之間還可能選擇性地沉積有例如TEOS的鈍化保護(hù)層。在蝕刻得到圖2A的雙大馬士革結(jié)構(gòu)、并在光阻去除之前，結(jié)構(gòu)中溝槽的輪廓是比 較規(guī)則和理想的?；谶@樣的結(jié)構(gòu)，下面描述本發(fā)明的兩階段光阻去除過(guò)程。圖2B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除過(guò)程的第一階段。在這一階段中，利用低 壓等離子去除光阻的一部分。在較低壓強(qiáng)下，氣體密度較小，使得電子與氣體分子碰撞幾率 減小，從而參與離化的氣體分子較少，等離子體密度較小。另一方面，由于離子與分子間碰 撞幾率較小，使得離子能量較高。因此，在低壓情況下，容易獲得各向異性的、傾向于向下的 “準(zhǔn)直”離子輻射。在這樣的低壓光阻去除過(guò)程中，等離子體的較強(qiáng)的向下輻射使得通孔104中殘余 的光阻103被快速去除。另一方面，控制低壓操作的時(shí)間，使得低k/超低k介電層101上 部表面的光阻102由于等離子的輻射而被減薄，同時(shí)又不會(huì)完全消耗掉，由此起到保護(hù)槽 脊頂部的作用。因此，通過(guò)這樣的低壓等離子光阻去除操作，在雙大馬士革結(jié)構(gòu)中，通孔中 的光阻得到去除，槽脊表面的光阻被減薄，使得槽脊頂部受到保護(hù)，避免出現(xiàn)等離子輻射導(dǎo) 致的圓形或彎曲頂部的情況。具體地，在一個(gè)具體實(shí)施例中，在40mT的壓強(qiáng)下進(jìn)行上述低壓操作，其中采用的 氣體為二氧化碳C02，其流速為300sccm，施加的功率為27MHz功率150W，2MHz功率100W。低 壓操作施加的時(shí)間為50秒，低于現(xiàn)有技術(shù)中僅僅利用低壓進(jìn)行光阻去除所施加的時(shí)間。該操作時(shí)間滿足上述要求，即，使得通孔中的光阻得到去除，表面光阻被減薄而留有剩余。在 其他實(shí)施例中，根據(jù)光阻厚度和其他參數(shù)需要來(lái)調(diào)整低壓壓強(qiáng)和操作時(shí)間，例如使得低壓 壓強(qiáng)為小于40mT的其他值，低壓操作時(shí)間在40秒到60秒范圍內(nèi)。在此基礎(chǔ)上，光阻去除 過(guò)程進(jìn)入第二階段。圖2C示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除過(guò)程的第二階段。在這一階段中，利用高 壓等離子對(duì)光阻進(jìn)行去除。在較高壓強(qiáng)下，氣體密度較大，使得電子與氣體分子碰撞幾率增 大，從而參與離化的氣體分子較多，等離子體密度較大。同時(shí)，由于離子與分子間碰撞幾率 較大，使得離子能量較低。因此，在高壓情況下，容易獲得各向同性的、朝向各個(gè)方向的離子 輻射。在這樣的高壓光阻去除過(guò)程中，進(jìn)一步去除殘余的表面光阻層102。由于通孔中的 光阻已經(jīng)在第一階段得到去除，同時(shí)表面光阻層102已經(jīng)被減薄，因此高壓操作施加的時(shí) 間不需要很長(zhǎng)。由于高壓操作時(shí)間相比于現(xiàn)有技術(shù)中僅僅施加高壓的過(guò)程得到明顯縮短， 因此，高壓操作對(duì)溝槽側(cè)壁的低k/超低k材料的損傷得到降低，“回拉”現(xiàn)象得到改善。另 一方面，由于表面光阻層102已經(jīng)通過(guò)低壓操作而減薄，因此短時(shí)間的高壓操作就可以將 剩余的光阻完全去除，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于槽脊頂部光阻和TEOS清除不徹底而出現(xiàn)的 蓋帽形狀。具體地，在一個(gè)具體實(shí)施例中，在IOOmT的壓強(qiáng)下進(jìn)行上述高壓操作，其中采用的 氣體仍為二氧化碳C02，其流速為300SCCm，施加的功率為27MHz功率400W。高壓操作施加的 時(shí)間為30秒，顯著低于現(xiàn)有技術(shù)中僅僅利用高壓進(jìn)行操作所需的時(shí)間。在其他實(shí)施例中， 可以根據(jù)第一階段之后剩余光阻的厚度以及其他參數(shù)和需要來(lái)調(diào)整高壓壓強(qiáng)和操作時(shí)間。 例如，使得高壓壓強(qiáng)為大于40mT的其他壓強(qiáng)值，例如80mT，120mT,并相應(yīng)調(diào)整操作時(shí)間，例 如調(diào)整為20-40秒，以獲得期望的溝槽輪廓。圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例去除光阻后的溝槽輪廓的SEM圖像。對(duì)比圖3的溝槽 圖像與圖IB和IC示出的現(xiàn)有技術(shù)獲得的溝槽圖像可以看到，通過(guò)利用本發(fā)明的兩階段的 光阻去除過(guò)程，獲得的溝槽形貌更加規(guī)格和理想。在圖3的圖像中既沒(méi)有出現(xiàn)圖IB示出的 槽脊頂部呈現(xiàn)圓形或彎曲的現(xiàn)象，也沒(méi)有出現(xiàn)圖IC示出的明顯的“回拉”現(xiàn)象和蓋帽形狀。 因此，可以看到，本發(fā)明的光阻去除方法改善了溝槽的輪廓，減小了對(duì)低k/超低k材料的損 傷和破壞。圖4示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光阻去除方法的流程圖。如圖4所示，在步驟401， 準(zhǔn)備半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該結(jié)構(gòu)至少包括由低k和/或超低k材料構(gòu)成的介電層，在所述介 電層上方形成的光阻層，以及蝕刻至所述介電層中的溝槽。在一種實(shí)施方式中，該結(jié)構(gòu)可以 是雙大馬士革結(jié)構(gòu)，其中還包括通孔以及通孔停止層，并且光阻層還部分地位于通孔中。在 另一實(shí)施方式中，上述結(jié)構(gòu)還包括TEOS鈍化層?；谠摐?zhǔn)備好的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在步驟402 中，利用等離子體方法以第一壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的光阻層的一部分。對(duì)于雙大馬 士革結(jié)構(gòu)，步驟402將通孔中的光阻清除，并將介電層表面的光阻層減薄。然后，在步驟403 中，利用等離子體方法以高于第一壓強(qiáng)的第二壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的光阻層。在一 種實(shí)施方式中，上述步驟402和403均利用二氧化碳等離子體。通過(guò)利用以上描述的本發(fā)明的兩階段光阻去除方法，可以獲得較為理想的溝槽形 貌。低壓操作的施加使得通孔中的光阻得到清除，同時(shí)減薄介電層表面的光阻層，保護(hù)槽脊頂部受到直接輻射；高壓操作的施加進(jìn)一步清除表面的殘余光阻，最終獲得規(guī)則的溝槽輪 廓。在光阻去除過(guò)程中，由于低壓操作沒(méi)有直接作用于槽脊頂部，因此槽脊頂部不會(huì)呈現(xiàn) 彎曲或圓形的不利形狀；由于高壓操作時(shí)間縮短，較小了對(duì)溝槽側(cè)壁的損傷，降低了低k損 傷。由此獲得的溝槽形貌可以較為理想地用于后續(xù)的互連工藝的進(jìn)行，獲得較好的器件性 能。 本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于 舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的 變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由 附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種用于在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中去除光阻的方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少包括由低k材料 和/或超低k材料構(gòu)成的介電層，在所述介電層上方形成的光阻層，以及蝕刻至所述介電層 中的溝槽，所述方法包括利用等離子體方法以第一壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的光阻層的一部分；以及利用所述等離子體方法以高于所述第一壓強(qiáng)的第二壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的剩 余光阻層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為雙大馬士革結(jié)構(gòu)，所述雙 大馬士革結(jié)構(gòu)還包括通孔和通孔停止層，所述光阻層還部分地位于所述通孔中。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述低k材料和所述超低k材料選自k 值為2. 5-2. 9的硅酸鹽化合物、k值為2. 2的甲基硅酸鹽化合物、k值為2. 8的H0SP 以及 k 值為 2. 65 的 SiLKtm0
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體方法使用二氧化碳等離子體。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一壓強(qiáng)小于或等于40mT，所述第二壓 強(qiáng)高于40mT。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述以第一壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的 光阻層的一部分的步驟使得所述通孔中的光阻層得到清除。
7.如權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于，所述以第一壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中 的光阻層的一部分的步驟使得所述介電層表面上的光阻層減薄，而沒(méi)有完全清除。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述以第二壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的 剩余光阻層的步驟使得所述介電層表面上的已減薄的光阻層得到完全清除。
9.一種半導(dǎo)體器件，包含根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)獲得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
10.一種包含如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的集成電路，其中所述集成電路選自隨 機(jī)存取存儲(chǔ)器、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、同步隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存 儲(chǔ)器、可編程邏輯陣列、專用集成電路和掩埋式DRAM、射頻器件。
11.一種包含如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備，其中所述電子設(shè)備選自個(gè) 人計(jì)算機(jī)、便攜式計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、蜂窩式電話、個(gè)人數(shù)字助理、攝像機(jī)和數(shù)碼相機(jī)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中去除光阻的方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少包括由低k材料和/或超低k材料構(gòu)成的介電層，在所述介電層上方形成的光阻層，以及蝕刻至所述介電層中的溝槽，所述方法包括利用等離子體方法以第一壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的光阻層的一部分；以及利用所述等離子體方法以高于所述第一壓強(qiáng)的第二壓強(qiáng)去除所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的剩余光阻層。本發(fā)明還提供了通過(guò)上述方法獲得的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件，以及包含這樣的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備。利用本發(fā)明的光阻去除方法，可以獲得理想的溝槽輪廓，避免出現(xiàn)缺陷結(jié)構(gòu)形態(tài)，并且減小對(duì)低k/超低k材料構(gòu)成的介電層的損害，從而改善形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
文檔編號(hào)G03F7/36GK102135734SQ20101010245
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者孫武, 尹曉明, 張海洋, 黃怡 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司