專利名稱：像素陣列、聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板以及光電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列，且特別是有關(guān)于一種具有良好顯示品質(zhì)的像素陣
列、聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板以及光電裝置。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示器不斷地朝向大尺寸的顯示規(guī)格發(fā)展，為了克服大尺寸顯示下的 視角問題，液晶顯示面板的廣視角技術(shù)也必須不停地進(jìn)步與突破。其中，多域垂直配向式 (Multi-domain Vertical Alignment, MVA)液晶顯示面板以及聚合物穩(wěn)定配向(Polymer stabilized alignment,PSA)液晶顯示面板即為現(xiàn)行常見的廣視角技術(shù)。為了改善液晶顯 示面板中的色偏問題(color washout),已有進(jìn)階型多域垂直配向式(Advanced-MVA)液晶 顯示面板被提出，其主要是將各個(gè)子像素區(qū)分為主顯示區(qū)域(main display region)以及 子顯示區(qū)域(sub-display region)，并透過適當(dāng)?shù)碾娐吩O(shè)計(jì)以及驅(qū)動(dòng)方法，使同一個(gè)子像 素中的主顯示區(qū)域以及子顯示區(qū)域分別具有不同跨壓，以改善色偏問題。在現(xiàn)有技術(shù)中，將 各個(gè)子像素區(qū)分為主顯示區(qū)域以及子顯示區(qū)域的設(shè)計(jì)概念已被應(yīng)用于聚合物穩(wěn)定配向液 晶顯示面板中。 圖1為一種像素陣列的等效電路圖，而圖2為圖1中單一子像素的示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)D1與圖2，像素陣列100包括多個(gè)子像素P1，且各個(gè)子像素P1包括一第一薄膜晶體管 TFT1、一第二薄膜晶體管TFT2、一第三薄膜晶體管TFT3、與第一薄膜晶體管TFT1電連接的 第一像素電極IT01以及與第二薄膜晶體管TFT2電連接的第二像素電極IT02。第一像素電 極IT01會(huì)與一共通線C0M1耦合而形成一第一儲(chǔ)存電容Csl，且第一像素電極IT01會(huì)與對(duì) 向基板(如彩色濾光基板)上的一共通電極(未標(biāo)示)耦合而形成一第一液晶電容CLC1。 類似地，第二像素電極IT02會(huì)與一共通線COM2耦合而形成一第二儲(chǔ)存電容Cs2，且第二像 素電極IT02會(huì)與對(duì)向基板(如彩色濾光基板)上的共通電極(未標(biāo)示)耦合而形成一第 二液晶電容CLC2。 從圖1與圖2可知，在與掃描線SL(n-l)電連接的子像素Pl中，第一薄膜晶體管 TFT1以及第二薄膜晶體管TFT2的柵極Gl、G2會(huì)與掃描線SL(n-l)電連接，而第三薄膜晶 體管TFT3的柵極G3會(huì)與下一條掃描線SL(n)電連接。此外，第三薄膜晶體管TFT3的源極 S3與第二像素電極IT02電連接，而第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第一像素電極IT01耦 合成第一電容Ccs-a，且第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第一像素電極IT01下方的共通線 C0Ml耦合成第二電容Ccs-b。當(dāng)施加一高電壓(Vgh)于掃描線SL(n-l)時(shí)，影像數(shù)據(jù)可透過數(shù) 據(jù)線DL(m-l) 、 DL(m)寫入與掃描線SL(n-l)連接的子像素中，此時(shí)，第一像素電極IT01與第 二像素電極IT02的電壓是相同的。接著，當(dāng)施加一高電壓于掃描線SL(n)時(shí)，第一電容Ccs-a 與第二電容Ccs-b會(huì)使第一像素電極IT01的電壓與第二像素電極IT02的電壓不同。
由于第二薄膜晶體管TFT2的漏極D2會(huì)跨過第一像素電極IT01而與第二像素電 極IT02連接，因此第二薄膜晶體管TFT2的漏極D2與第一像素電極IT01之間便產(chǎn)生一寄 生電容Cxl。此外，由于第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3會(huì)跨過第二像素電極IT02，因此第三薄膜晶體管TFT3的漏極D3與第二像素電極IT02之間便產(chǎn)生一寄生電容Cx2。寄生電 容Cxl、 Cx2會(huì)使第一像素電極IT01與第二像素電極IT02的電壓差異拉開幅度減小，導(dǎo)致 色偏問題無法有效地改善。承上述，如何避免子像素P1中寄生電容Cxl、Cx2對(duì)于顯示品質(zhì) 的影響，實(shí)有其必要性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列、聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板(PSA-LCDpanel)以及 光電裝置，其具有良好的顯示品質(zhì)。 本發(fā)明提供一種像素陣列，其包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個(gè)子像素。數(shù)據(jù) 線與掃描線交錯(cuò)以定義出多個(gè)子像素區(qū)域。子像素配置于子像素區(qū)域內(nèi)，各個(gè)子像素分別 與其中一條掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電連接，且排列于第n列中的各個(gè)子像素包括一第
一開關(guān)、一第二開關(guān)、一第一像素電極、一第二像素電極以及一第三開關(guān)。第一開關(guān)以及第 二開關(guān)與第n條掃描線以及第m條數(shù)據(jù)線電連接，且第二開關(guān)具有一信號(hào)輸出端。第一像 素電極與第一開關(guān)電連接。第二像素電極與第二開關(guān)的信號(hào)輸出端電連接，其中第一像素 電極具有至少一位于信號(hào)輸出端上方的第一開口。第三開關(guān)與第(n+l)條掃描線以及第二 像素電極電連接，第三開關(guān)具有一電性浮置端，且第二像素電極具有至少一位于電性浮置 端上方的第二開口。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的子像素排列成多列，且排列于第n列的子像素與第n 條掃描線以及第(n+l)條掃描線電連接。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，排列于第n列的子像素中的第一像素電極與第二像素電極 位于第n條掃描線與第(n+l)條掃描線之間。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，排列于第n列中的各個(gè)第一開關(guān)為一第一薄膜晶體管，而 第一薄膜晶體管具有一與第n條掃描線電連接的第一柵極、一與其中一條數(shù)據(jù)線電連接的 第一源極以及一與第一像素電極電連接的第一漏極。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，排列于第n列中的各個(gè)第二開關(guān)為一第二薄膜晶體管，而 第二薄膜晶體管具有一與第n條掃描線電連接的第二柵極、一與其中一條數(shù)據(jù)線電連接的 第二源極以及前述的信號(hào)輸出端。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，排列于第n列中的各個(gè)第三開關(guān)為一第三薄膜晶體管，而 第三薄膜晶體管具有一與第(n+l)條掃描線電連接的第三柵極、一與第二像素電極電連接 的第三源極以及前述的電性浮置端。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的電性浮置端延伸至第一像素電極下方。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的像素陣列可進(jìn)一步包括多條彼此電連接的共通線，
分布于各個(gè)第一像素電極以及各個(gè)第二像素電極下方。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的各個(gè)共通線分別沿著列方向延伸，而分布于第一像 素電極下方的部分共通線具有至少一個(gè)位于第一開口下方的第一分支，且分布于第二像素 電極下方的部分共通線具有至少一個(gè)位于第二開口下方的第二分支。
在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的第二分支位于電性浮置端下方。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的各個(gè)第一像素電極包括一第一電極部、一第二電極 部以及一第一連接部。第一連接部位于第一電極部與第二電極部之間，以使第一電極部與第二電極部被兩個(gè)分別位于第一連接部?jī)蓚?cè)的第一條狀開口所分隔，其中第一電極部透過 第一連接部與第二電極部連接。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的第一條狀開口的面積總和為A1，而第一像素電極與
信號(hào)輸出端的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)大于91%。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的各個(gè)第二像素電極包括一第三電極部、一第四電極
部以及一第二連接部，第二連接部位于第三電極部與第四電極部之間，以使第三電極部與
第四電極部被兩個(gè)分別位于第二連接部?jī)蓚?cè)的第二條狀開口所分隔，其中第三電極部透過
第二連接部與第四電極部連接。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的第二條狀開口的面積總和為A3，而第二像素電極與
電性浮置端的重疊面積總和為A4，且開口比率A3/ (A3+A4)大于93% 。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的各個(gè)第一像素電極包括一第一電極部、一第二電極
部以及多個(gè)第一連接部，第一連接部位于第一電極部與第二電極部之間，以使第一電極部
與第二電極部被至少一位于第一連接部之間的第一條狀開口所分隔，其中第一電極部透過
第一連接部與第二電極部連接。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的第一條狀開口的面積為A1，而第一像素電極與信號(hào) 輸出端的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)大于91%。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的各個(gè)第二像素電極包括一第三電極部、一第四電極 部以及多個(gè)第二連接部，第二連接部位于第三電極部與第四電極部之間，以使第三電極部 與第四電極部被至少一位于第二連接部之間的第二條狀開口所分隔，其中第三電極部透過 第二連接部與第四電極部連接。 在本發(fā)明一實(shí)施例中，前述的第二條狀開口的面積為A3，而第二像素電極與電性 浮置端的重疊面積總和為A4，且開口比率A3/(A3+A4)大于93%。 本發(fā)明另提供一種聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板(PSA-LCD panel)，其包括一第 一基板、一第二基板、二聚合物穩(wěn)定配向?qū)右约耙灰壕?。第一基板具有前述的像素陣列?第二基板配置于第一基板上方，而二聚合物穩(wěn)定配向?qū)臃謩e配置于第一基板與第二基板 上。液晶層配置于聚合物穩(wěn)定配向?qū)又g。 本發(fā)明又提供一種光電裝置，其包括前述的像素陣列或聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示 面板。 基于上述，由于本發(fā)明在子像素中的信號(hào)輸出端以及電性浮置端上方采用開口設(shè) 計(jì)，因此第一像素電極與信號(hào)輸出端之間的寄生電容以及第二像素電極與電性浮置端之間 的寄生電容可以被有效地降低。


圖1為一種像素陣列的等效電路圖； 圖2為圖1中單一子像素的示意圖； 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的示意圖； 圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的布局示意圖； 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列的示意圖； 圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列的布局示意7
圖7為本發(fā)明的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板的示意圖； 圖8為本發(fā)明的光電裝置的示意圖。 附圖標(biāo)號(hào) 100、200、200，像素陣列 P1、P2:子像素 SL、SL(n)、SL(n+l)、SL(n+2):掃描線 DL、DL(m)、DL(m+l):數(shù)據(jù)線 R:子像素區(qū)域 TFT1、TFT2、TFT3 :開關(guān)元件 G1、G2、G3:柵極 S1、S2、S3:源極 D1、D2、D3:漏極 D2':信號(hào)輸出端 D3':電性浮置端 AP1:第一開口 AP2:第二開口 Ccs-a:第一電容 Ccs-b:第二電容 Csl、Cs2:儲(chǔ)存電容 Cxl、Cx2:寄生電容 CLC1 、 CLC2 :液晶電容 IT01 :第一像素電極 El :第一電極部 E2:第二電極部 Cl :第一連接部 IT02:第二像素電極 E3 :第三電極部 E4:第四電極部 C2 :第二連接部 COM、 C0M1 、 COM2 :共通線 300 :聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板 310 :第一基板 320 :第二基板 330 、340 :聚合物穩(wěn)定配向?qū)?350 :液晶層 400:光電裝置
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。
第一實(shí)施例
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列的示意圖，而圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的像 素陣列的布局(layout)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3與圖4，本實(shí)施例的像素陣列200包括多條掃 描線SL(圖3與圖4中僅繪示出掃描線SL(n) 、SL(n+l) 、SL(n+2))、多條數(shù)據(jù)線DL(圖3與 圖4中僅繪示出數(shù)據(jù)線DL(m)、DL(m+l))以及多個(gè)子像素P2。前述的數(shù)據(jù)線DL與掃描線 SL彼此交錯(cuò)，以定義出多個(gè)子像素區(qū)域R，且各個(gè)子像素P2分別配置于子像素區(qū)域R內(nèi)。值 得注意的是，圖3與圖4中僅繪示出部分的子像素P2，而成陣列排列的子像素P2的數(shù)量可 依據(jù)所需顯示的影像解析度而作適當(dāng)?shù)淖兓?各個(gè)子像素P2分別與其中一條掃描線SL以及其中一條數(shù)據(jù)線DL電連接。在本 實(shí)施例中，子像素P2排列成多列，且排列于第n列的子像素P2與第n條掃描線SL(n)以及 第(n+l)條掃描線SL(n+l)電連接。詳言之，排列于第n列中的各個(gè)子像素P2包括一第一 開關(guān)TFT1、一第二開關(guān)TFT2、一第一像素電極IT01、一第二像素電極IT02以及一第三開關(guān) TFT3。第一開關(guān)TFT1以及第二開關(guān)TFT2與第n條掃描線SL (n)以及第m條數(shù)據(jù)線DL (m) 電連接，且第二開關(guān)TFT2具有一信號(hào)輸出端D2'。第一像素電極IT01與第一開關(guān)TFT1電 連接。第二像素電極IT02與第二開關(guān)TFT2的信號(hào)輸出端D2'電連接，其中第一像素電極 IT01具有至少一位于信號(hào)輸出端D2'上方的第一開口AP1。在本實(shí)施例中，排列于第n列的 子像素P2中的第一像素電極IT01與第二像素電極IT02例如位于第n條掃描線SL(n)與 第(n+l)條掃描線SL(n+l)之間。此外，第三開關(guān)TFT3與第(n+l)條掃描線SL(n+l)以及 第二像素電極IT02電連接，而第三開關(guān)TFT3具有一電性浮置端D3'，且第二像素電極IT02 具有至少一位于電性浮置端D3'上方的第二開口 AP2。 從圖3與圖4可知，排列于第n列中的各個(gè)第一開關(guān)TFTl為一第一薄膜晶體管，而 第一薄膜晶體管具有一第一柵極G1、一第一源極S 1以及一第一漏極D1。第一柵極G1與 第n條掃描線SL (n)電連接，第一源極Sl與其中一條數(shù)據(jù)線DL電連接，而第一漏極Dl則 與第一像素電極ITOl電連接。此外，排列于第n列中的各個(gè)第二開關(guān)TFT2為一第二薄膜 晶體管，而第二薄膜晶體管具有一第二柵極G2、第二源極S2以及前述的第二漏極D2。第二 柵極G2與第n條掃描線SL(n)電連接，而第二源極S2與其中一條數(shù)據(jù)線DL電連接。值得 注意的是，第二薄膜晶體管的第二漏極D2即為前述的信號(hào)輸出端D2'。排列于第n列中的 各個(gè)第三開關(guān)TFT3為一第三薄膜晶體管，而第三薄膜晶體管具有一第三柵極G3、第三源極 S3以及第三漏極D3。第三柵極G3與第(n+l)條掃描線SL(n+l)電連接，而第三源極S3與 第二像素電極IT02電連接。值得注意的是，第三薄膜晶體管的第三漏極D3即為前述的電 性浮置端D3'。 如圖4所示，各個(gè)第一像素電極IT01包括一第一電極部El、一第二電極部E2以及 多個(gè)第一連接部Cl，第一連接部Cl位于第一電極部El與第二電極部E2之間，以使第一電 極部El與第二電極部E2被至少一位于第一連接部Cl之間的第一條狀開口 API所分隔，其 中第一 電極部El透過第一連接部Cl與第二電極部E2連接。此外，各個(gè)第二像素電極IT02 包括一第三電極部E3、一第四電極部E4以及多個(gè)第二連接部C2，第二連接部C2位于第三 電極部E3與第四電極部E4之間，以使第三電極部E3與第四電極部E4被至少一位于第二連 接部C2之間的第二條狀開口 AP2所分隔，其中第三電極部E3透過第二連接部C2與第四電極部E4連接。承上述，本實(shí)施例不限定第一連接部C1與第二連接部C2的數(shù)量以及形狀。
在本實(shí)施例中，第一漏極D1與第一電極部E1電連接，信號(hào)輸出端D2'延伸于第一 電極部El與第二電極部E2之間，并與第三電極部E3電連接。此外，第三源極S3與第四電 極部E4電連接，而電性浮置端D3'延伸于第三電極部E3與第四電極部E4之間，且電性浮 置端D3'的末端延伸至第一像素電極IT01的第二電極部E2的下方。換言之，電性浮置端 D3'與第一像素電極IT01會(huì)部分重疊，以耦合成一第一電容Ccs-a。 舉例而言，前述的第一條狀開口 API的面積為Al，而第一像素電極IT01與信號(hào)輸 出端D2'的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)例如大于91%。此外，前述的第二 條狀開口 AP2的面積為A3，而第二像素電極IT0與電性浮置端D3'的重疊面積總和為A4， 且開口比率A3/ (A3+A4)例如大于93 % 。 由于第一像素電極IT01具有第一開口 API的設(shè)計(jì)，因此第一像素電極IT01與信 號(hào)輸出端D2'的重疊面積總和可因第一開口 API而大幅下降，進(jìn)而降低第一像素電極IT01 與信號(hào)輸出端D2'之間的寄生電容Cxl。此外，由于第二像素電極IT02具有第二開口 AP2 的設(shè)計(jì)，因此第二像素電極IT02與電性浮置端D3'的重疊面積總和可因第二開口 AP2而大 幅下降，進(jìn)而降低第二像素電極IT02與電性浮置端D3'之間的寄生電容Cx2。當(dāng)寄生電容 Cxl、 Cx2被降低時(shí)，第一像素電極IT01與第二像素電極IT02的電壓差異拉開幅度便會(huì)增 加，因此可以有效地解決色偏問題。 從圖4可以清楚得知，本實(shí)施例的像素陣列200可進(jìn)一步包括多條彼此電連接的 共通線COM，這些共通線COM分布于各個(gè)第一像素電極IT01以及各個(gè)第二像素電極IT02下 方。詳言之，各條共通線COM分別沿著列方向延伸，而分布于第一像素電極IT01下方的部 分共通線COM具有至少一個(gè)位于第一開口 API下方的第一分支BR1 ，且分布于第二像素電極 ITO下方的部分共通線COM具有至少一個(gè)位于第二開口 AP2下方的第二分支BR2。值得注 意的是，第二分支BR2位于電性浮置端D3'下方。換言之，電性浮置端D3'與第二分支BR2 會(huì)部分重疊，以耦合成一第二電容Ccs-b。
第二實(shí)施例
圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素陣列的示意圖，而圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的像 素陣列的布局示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5與圖6，本實(shí)施例的像素陣列200'與第一實(shí)施例的像素 陣列200類似，二者主要差異的處在于第一像素電極IT01與第二像素電極IT02的圖案。
從圖5與圖6可知，本實(shí)施例的各個(gè)第一像素電極IT01包括一第一電極部E1、一 第二電極部E2以及一第一連接部Cl。第一連接部Cl位于第一電極部El與第二電極部E2 之間，以使第一電極部E1與第二電極部E2被兩個(gè)分別位于第一連接部C1兩側(cè)的第一條狀 開口 AP1所分隔，其中第一電極部C1透過第一連接部E1與第二電極部E2連接。此外，各 個(gè)第二像素電極IT02包括一第三電極部E3、一第四電極部E4以及一第二連接部C2，第二 連接部C2位于第三電極部E3與第四電極部E4之間，以使第三電極部E3與第四電極部E4 被兩個(gè)分別位于第二連接部C2兩側(cè)的第二條狀開口 AP2所分隔，其中第三電極部E3透過 第二連接部C2與第四電極部E4連接。 舉例而言，前述的第一條狀開口 API的面積總和為Al，而第一像素電極IT01與信 號(hào)輸出端D2'的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)例如大于91%。此外，前述的 第二條狀開口 AP2的面積總和為A3，而第二像素電極IT02與電性浮置端D3'的重疊面積總和為A4，且開口比率A3/ (A3+A4)例如大于93 % 。 在圖2與圖6的像素陣列200'中，第一像素電極IT01與信號(hào)輸出端D2'之間的 寄生電容Cxl以及第二像素電極IT02與電性浮置端D3'之間的寄生電容Cx2同樣可以被
有效地降低，所以色偏問題可以獲得解決。
第三實(shí)施例
圖7為本發(fā)明的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7，本實(shí)施例 的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板300包括一第一基板310、一第二基板320、二聚合物穩(wěn)定 配向?qū)?30、340以及一液晶層350。第一基板310具有前述第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的 像素陣列(200或200')，第二基板320配置于第一基板310上方，而二聚合物穩(wěn)定配向?qū)?330、340分別配置于第一基板310與第二基板320上。此外，液晶層350配置于二聚合物穩(wěn) 定配向?qū)?30、340之間。值得注意的是，液晶層350在制作上采用包含有能夠被能量源聚 合的單體的液晶材料，當(dāng)能量源(如紫外光)被施加于液晶層350時(shí)，這些能夠被能量源聚 合的單體會(huì)分別聚合于第一基板310與第二基板320的表面上，以形成二聚合物穩(wěn)定配向 膜330、340。 圖8為本發(fā)明的光電裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8，本實(shí)施例亦提出一種光電裝置 400，其包括前述第一實(shí)施例或第二實(shí)施例中的像素陣列(200或200')或是圖7中的聚合 物穩(wěn)定配向液晶顯示面板300。而光電裝置的類型包括便攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、攝影機(jī)、照相 機(jī)、筆記型計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、手表、音樂播放器、電子信件收發(fā)器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)碼相片、或
類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、熒幕、電視、看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。 綜上所述，本發(fā)明在子像素中的信號(hào)輸出端以及電性浮置端上方采用開口設(shè)計(jì)， 因此第一像素電極與信號(hào)輸出端之間的寄生電容以及第二像素電極與電性浮置端之間的 寄生電容可以被有效地降低。
權(quán)利要求
一種像素陣列，其特征在于，所述的像素陣列包括多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線，與所述掃描線交錯(cuò)以定義出多個(gè)子像素區(qū)域；多個(gè)子像素，配置于所述子像素區(qū)域內(nèi)，各所述子像素分別與其中一條掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電連接，其中排列于第n列中的各所述子像素包括一第一開關(guān)；一第二開關(guān)，所述第一開關(guān)以及所述第二開關(guān)與第n條掃描線以及第m條數(shù)據(jù)線電連接，且所述第二開關(guān)具有一信號(hào)輸出端；一第一像素電極，與所述第一開關(guān)電連接；一第二像素電極，與所述第二開關(guān)的所述信號(hào)輸出端電連接，其中所述第一像素電極具有至少一位于所述信號(hào)輸出端上方的第一開口；以及一第三開關(guān)，與第(n+1)條掃描線以及所述第二像素電極電連接，其中所述第三開關(guān)具有一電性浮置端，且所述第二像素電極具有至少一位于所述電性浮置端上方的第二開口。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述子像素排列成多列，且排列于第n 列的子像素與第n條掃描線以及第(n+1)條掃描線電連接。
3. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，排列于第n列的子像素中的所述第一像 素電極與所述第二像素電極位于第n條掃描線與第(n+1)條掃描線之間。
4. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，排列于第n列中的各所述第一開關(guān)為一 第一薄膜晶體管，而所述第一薄膜晶體管具有一與第n條掃描線電連接的第一柵極、一與 其中一條數(shù)據(jù)線電連接的第一源極以及一與所述第一像素電極電連接的第一漏極。
5. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，排列于第n列中的各所述第二開關(guān)為一 第二薄膜晶體管，而所述第二薄膜晶體管具有一與第n條掃描線電連接的第二柵極、一與 其中一條數(shù)據(jù)線電連接的第二源極以及所述信號(hào)輸出端。
6. 如權(quán)利要求l所述的像素陣列，其特征在于，排列于第n列中的各所述第三開關(guān)為一 第三薄膜晶體管，而所述第三薄膜晶體管具有一與第(n+1)條掃描線電連接的第三柵極、 一與所述第二像素電極電連接的第三源極以及所述電性浮置端。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述電性浮置端延伸至所述第一像素 電極下方。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，所述的像素陣列更包括多條彼此電連 接的共通線，分布于各所述第一像素電極以及各所述第二像素電極下方。
9. 如權(quán)利要求8所述的像素陣列，其特征在于，各所述共通線分別沿著列方向延伸，分 布于所述第一像素電極下方的部分共通線具有至少一個(gè)位于所述第一開口下方的第一分 支，而分布于所述第二像素電極下方的部分共通線具有至少一個(gè)位于所述第二開口下方的 第二分支。
10. 如權(quán)利要求9所述的像素陣列，其特征在于，所述第二分支位于所述電性浮置端下方。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第一像素電極包括 一第一電極部；一第二電極部；以及一第一連接部，位于所述第一電極部與所述第二電極部之間，以使所述第一電極部與 所述第二電極部被兩個(gè)分別位于所述第一連接部?jī)蓚?cè)的第一條狀開口所分隔，其中所述第 一電極部透過所述第一連接部與所述第二電極部連接。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，所述第一條狀開口的面積總和為Al， 而所述第一像素電極與所述信號(hào)輸出端的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)大 于91%。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第二像素電極包括 一第三電極部；一第四電極部；以及一第二連接部，位于所述第三電極部與所述第四電極部之間，以使所述第三電極部與 所述第四電極部被兩個(gè)分別位于所述第二連接部?jī)蓚?cè)的第二條狀開口所分隔，其中所述第 三電極部透過所述第二連接部與所述第四電極部連接。
14. 如權(quán)利要求13所述的像素陣列，其特征在于，所述第二條狀開口的面積總和為A3， 而所述第二像素電極與所述電性浮置端的重疊面積總和為A4，且開口比率A3/(A3+A4)大 于93%。
15. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第一像素電極包括 一第一電極部；一第二電極部；以及多個(gè)第一連接部，位于所述第一電極部與所述第二電極部之間，以使所述第一電極部 與所述第二電極部被至少一位于所述第一連接部之間的第一條狀開口所分隔，其中所述第 一電極部透過所述第一連接部與所述第二電極部連接。
16. 如權(quán)利要求15所述的像素陣列，其特征在于，所述第一條狀開口的面積為Al，而 所述第一像素電極與所述信號(hào)輸出端的重疊面積總和為A2，且開口比率A1/(A1+A2)大于 91%。
17. 如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，各所述第二像素電極包括 一第三電極部；一第四電極部；以及多個(gè)第二連接部，位于所述第三電極部與所述第四電極部之間，以使所述第三電極部 與所述第四電極部被至少一位于所述第二連接部之間的第二條狀開口所分隔，其中所述第 三電極部透過所述第二連接部與所述第四電極部連接。
18. 如權(quán)利要求17所述的像素陣列，其特征在于，所述第二條狀開口的面積為A3，而 所述第二像素電極與所述電性浮置端的重疊面積總和為A4，且開口比率A3/(A3+A4)大于 93%。
19. 一種聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板，其特征在于，所述的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示 面板包括一第一基板，具有如權(quán)利要求1所述的像素陣列； 一第二基板，配置于所述第一基板上方；二聚合物穩(wěn)定配向?qū)?，分別配置于所述第一基板與所述第二基板上；以及一液晶層，配置于所述聚合物穩(wěn)定配向?qū)又g。
20. —種光電裝置，其特征在于，所述的光電裝置包括權(quán)利要求1所述的像素陣列。
21. —種光電裝置，其特征在于，所述的光電裝置包括權(quán)利要求19所述的聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素陣列、聚合物穩(wěn)定配向液晶顯示面板以及光電裝置，該像素陣列包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線及多個(gè)子像素。各個(gè)子像素分別與對(duì)應(yīng)的掃描線及數(shù)據(jù)線電連接，且排列于第n列中的各個(gè)子像素包括第一開關(guān)、第二開關(guān)、第一像素電極、第二像素電極及第三開關(guān)。第一開關(guān)以及第二開關(guān)與第n條掃描線及第m條數(shù)據(jù)線電連接。第一像素電極與第一開關(guān)電連接。第二像素電極與第二開關(guān)的一信號(hào)輸出端電連接，且第一像素電極具有一位于信號(hào)輸出端上方的第一開口。第三開關(guān)與第(n+1)條掃描線及第二像素電極電連接，且第二像素電極具有一位于第三開關(guān)的一電性浮置端上方的第二開口。
文檔編號(hào)G02F1/139GK101776827SQ20101010237
公開日2010年7月14日 申請(qǐng)日期2010年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月22日
發(fā)明者丁天倫, 吳育慶, 徐文浩, 李翊誠(chéng), 蘇振嘉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司