專利名稱：像素陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列，且特別是有關(guān)于一種具有儲存電容器的像素陣列。
背景技術(shù)：
隨著信息技術(shù)、無線移動通訊和信息家電的快速發(fā)展與應(yīng)用，為了達(dá)到攜帶更便 利、體積更輕巧化以及操作更人性化的目的，許多信息產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或滑鼠等輸入 裝置轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控面板(Touch Panel)作為輸入裝置。 —般的觸控面板是在原本的面板上外加一具有觸控功能的膜層。然而，這種外貼 式的觸控面板的制造過程會多一道組裝面板與觸控膜層的步驟，且觸控膜層會導(dǎo)致觸控面 板的穿透率下降、厚度增加。因此，外加具有觸控功能的膜層將不利于面板朝向輕、薄、短、 小的方向發(fā)展。 針對這樣的需求，已知技術(shù)發(fā)展出內(nèi)嵌式(in-cell type)觸控面板，其將觸控膜 層的功能整合至面板內(nèi)。目前，內(nèi)嵌式觸控面板大致上可分為電阻式、電容式、光學(xué)式、聲波 式及電磁式，其中內(nèi)嵌電阻式的觸控面板是在對向基板與間隔物(photo spacer)上形成多 個觸控導(dǎo)體并在有源元件陣列基板上形成多個觸控墊，當(dāng)使用者按壓對向基板時，可使間 隔物上的觸控導(dǎo)體與有源元件陣列基板上的觸控墊導(dǎo)通，以定位出使用者所按壓的位置。
圖1A繪示已知內(nèi)嵌式觸控面板的彩色濾光片的上視圖，而圖1B繪示搭配圖1A的 彩色濾光片的有源元件陣列基板的上視圖。請參照圖1A，在已知的內(nèi)嵌式觸控面板中，構(gòu)成 彩色濾光片110的紅色樹脂112、藍(lán)色樹脂114、綠色樹脂116是以條紋狀的方式排列。換 言之，紅色樹脂112排列成多行，藍(lán)色樹脂114排列成多行，而綠色樹脂116也排列成多行， 且不同顏色的樹脂不會排列在同一行。 請同時參照圖1A與圖1B，在已知的內(nèi)嵌式觸控面板中，有源元件陣列基板D包括 多條掃描線120、多條數(shù)據(jù)線130、多個像素140、多個觸控單元150與多條公共線160，其 中掃描線120與數(shù)據(jù)線130交錯以定義出多個成陣列排列的子像素區(qū)域Sl，且每相鄰的三 個子像素區(qū)域Sl可構(gòu)成一像素區(qū)域S。像素140分別位于對應(yīng)的像素區(qū)域S中，且各像素 140分別具有三個子像素142，且這三個子像素142分別配置在像素區(qū)域S的三個子像素區(qū) 域Sl中。為搭配彩色濾光片110上的紅色樹脂112、藍(lán)色樹脂114與綠色樹脂116的條紋 狀排列方式，子像素142需以條紋狀的方式排列。 詳細(xì)而言，各子像素142包括一有源元件142a、一像素電極142b以及一儲存電容 器142c，其中各有源元件142a連接在對應(yīng)的像素電極142b以及數(shù)據(jù)線130之間。公共線 160橫跨位于同一行的多個子像素區(qū)域Sl，并電性連接位于同一行的多個子像素區(qū)域S 1 中的儲存電容器142c。公共線160配置在像素電極142b邊緣的下方，并與像素電極142b 重疊。另外，各觸控單元150配置在對應(yīng)的像素區(qū)域S內(nèi)并橫跨相鄰的三個子像素區(qū)域S1。
每一子像素區(qū)域Sl中都配置有一儲存電容器142c，且各儲存電容器142c具有一 電容上電極R1與一電容下電極R2，其中電容上電極R1與像素電極142b連接，而電容下電極R2與公共線160連接。電容下電極R2配置在像素電極142b邊緣的下方，并與電容上電 極R1重疊，其中電容下電極R2為一不透光的金屬層。由于每一子像素區(qū)域S1中都配置有 一儲存電容器142c，而不透光的電容下電極R2會遮蔽到像素電極142b的邊緣，因此，像素 140的開口率偏低。 另外，由于公共線160需連接每一個儲存電容器142c的電容下電極R2，因此，公共 線160需橫跨每一子像素區(qū)域Sl，以至于公共線160會遮蔽到每一像素電極142b，而使得 像素140的開口率降低。 再者，為避免漏光現(xiàn)象，還需在像素區(qū)域S上形成黑矩陣(未繪示)以遮蔽儲存 電容器142c與公共線160，且為確保黑矩陣的遮光效果，黑矩陣的面積需大于儲存電容器 142c與公共線160的面積。詳細(xì)而言，為使黑矩陣完整遮蔽公共線160與儲存電容器142c， 黑矩陣的圖形邊緣會超過公共線160與儲存電容器142c的邊緣。因此，當(dāng)公共線160或者 是儲存電容器142c的電容下電極R2重疊在像素電極142b的區(qū)域邊緣愈長，則黑矩陣的面 積愈大且像素的開口率愈低。 然而，由于已知的公共線160與儲存電容器142c的電容下電極R2皆配置在像 素電極142b邊緣的下方，因此，其重疊在像素電極142b的區(qū)域是屬于邊緣很長的長條 形，故黑矩陣的面積較大，而這將導(dǎo)致黑矩陣遮蔽到過多的像素電極142b以至于開口率 (即erture ratio)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種像素陣列，其具有較高的開口率，以克服現(xiàn)有技術(shù)中黑矩 陣遮蔽到過多的像素電極142b以至于開口率(即erture ratio)降低的缺陷。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種像素陣列，其包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以 及多個像素。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯以定義出多個成陣列排列的子像素區(qū)域。各像素分別配 置在一個由mxn個子像素區(qū)域所構(gòu)成的一像素區(qū)域內(nèi)，m與n為大于1的整數(shù)，而各像素包
括多個子像素，其中各子像素包括一有源元件、一像素電極以及一儲存電容器，而在同一個 像素中的至少部分儲存電容器集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各像素更包括一觸控傳感元件，而在同一個像素中的至 少部分儲存電容器以及觸控傳感元件集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。在本發(fā)明的一實(shí) 施例中，子像素區(qū)域的面積不盡相同。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，子像素區(qū)域的面積實(shí)質(zhì)上相同。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在同一個像素中的至少部分儲存電容器以及有源元件集 中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，子像素區(qū)域的面積實(shí)質(zhì)上相同。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素陣列更包括多條公共線，其中公共線與儲存電容器 電性連接，且公共線僅分布在部分的子像素區(qū)域內(nèi)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各儲存電容器包括一第一電容電極與一第二電容電極， 第一電容電極與其中一條公共線連接，且第二電容電極配置在第一電容電極上方，其中第 二電容電極與其中一個像素電極連接。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，同一個像素區(qū)域中的子像素區(qū)域呈mXn的棋盤格排列
4(checkerboard arrMigement)。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，m = n = 2。 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，儲存電容器所在的子像素區(qū)域?yàn)橐环瓷鋮^(qū)或一黑矩陣遮 蔽區(qū)。 基于上述，由于本發(fā)明將在同一個像素中的至少部分儲存電容器集中配置在一像 素區(qū)的其中一子像素區(qū)域內(nèi)或是周邊，而像素電極則是配置在該像素區(qū)的其他子像素區(qū)域 中，因此，本發(fā)明可避免儲存電容器遮擋像素電極，進(jìn)而增加開口率。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。


圖1A繪示已知內(nèi)嵌式觸控面板的彩色濾光片的上視圖。 圖IB繪示搭配圖1A的彩色濾光片的有源元件陣列基板的上視圖。 圖2A 圖2C繪示本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的制造過程上視圖。 圖3繪示本發(fā)明一實(shí)施例的彩色濾光片的上視圖。 圖4繪示本發(fā)明一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的上視圖。 圖5A 圖5D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的制造
過程上視圖。 附圖標(biāo)記說明 110:彩色濾光片 112:紅色樹脂 114:藍(lán)色樹脂 116:綠色樹脂 120、222、224、430 :掃描線 130、242、244、470 :數(shù)據(jù)線 140、P:像素 142、SP:子像素 142a :有源元件 142b:像素電極 142c:儲存電容器 150 :觸控單元 160、232、442 :公共線 200 、300 、400 :像素陣列 210、410 :基板 222a :第一柵極端 224a :第二柵極端 224b :第三柵極端 234:第一電容電極 242a:第一源極
242b :第一漏極 242c :第二源極 242d :第二漏極 244a :第三源極 244b :第三漏極 250 、460 :絕緣層 252、462a、462b、464a、464b、466a、466b、468a、468b :接觸孔 262、264、266 :透明導(dǎo)電層 262a、264a、266a :第二電容電極 310:觸控傳感元件 312、F:有源元件 314、T:觸控墊 316、480 :觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線 422、424、426、428、A1、A2、A3 :有源層 444a、444b、444c :第一電容電極 450 :墊層 B1、B2、B3 :透明導(dǎo)電層 C、C1、C2、C3 :儲存電容器 D :有源元件陣列基板 E:像素電極 Hl :第一彩色區(qū)塊 H2 :第二彩色區(qū)塊 H3 :第三彩色區(qū)塊 L :彩色濾光片 Ll :區(qū)域 Rl:電容上電極 R2:電容下電極 S :像素區(qū)域 S1、S2、S3、S4 :子像素區(qū)域 W:空白區(qū)土央
具體實(shí)施例方式
圖2A 圖2C繪示本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的制造過程上視圖。 值得注意的是，為簡化說明，圖2A 圖2C僅繪示像素陣列中的一像素的制造過
程，且對于圖2A 圖2C的說明也僅針對一像素的制造過程做說明，但并非用以限定本發(fā)明
的像素的數(shù)量。換言之，本發(fā)明的像素陣列可具有多個像素，且這些像素皆可以圖2A 圖
2C的制作方法來形成。 請參照圖2A，提供一基板210，并在基板210上形成相互平行的多條掃描線222、 224以及位于掃描線222、224之間的一公共線232與一第一電容電極234。掃描線222具
6有朝向掃描線224的一第一柵極端222a，掃描線224具有朝向掃描線222的一第二柵極端 224a以及一第三柵極端224b。 在本實(shí)施例中，第一電容電極234鄰近第一柵極端222a、第二柵極端224a以及第 三柵極端224b，而公共線232連接第一 電容電極234且可選擇性地平行于掃描線222 (或掃 描線224)配置。在本實(shí)施例中，公共線232與第一電容電極234在同一薄膜制造過程中形 成，且公共線232與第一電容電極234的材質(zhì)相同。 請參照圖2B，形成多個有源層A1、A2、A3，且有源層A1、A2、A3分別覆蓋第一柵極端 222a、第二柵極端224a以及一第三柵極端224b。之后，在基板210上形成彼此相互平行的 多條數(shù)據(jù)線242、244，且數(shù)據(jù)線242、244皆交錯在掃描線222、224，以定義出多個成陣列排 列的子像素區(qū)域Sl、 S2、 S3、 S4。在本實(shí)施例中，第一電容電極234位于子像素區(qū)域Sl中， 而公共線232自子像素區(qū)域S1延伸入子像素區(qū)域S2中。 數(shù)據(jù)線242具有一第一源極242a、一第一漏極242b、一第二源極242c與一第二 漏極242d，其中第一源極242a與第一漏極242b覆蓋部分有源層Al并與部分的第一柵極 端222a重疊。第二源極242c與第二漏極242d覆蓋部分有源層A2并與部分的第二柵極端 224a重疊。數(shù)據(jù)線244具有一第三源極244a與一第三漏極244b，且第三源極244a與第三 漏極244b覆蓋部分有源層A3并與部分的第三柵極端224b重疊。 接著，在基板210上全面形成一絕緣層250，且絕緣層250具有多個接觸孔252以 分別暴露出部分的第一漏極242b、第二漏極242d與第三漏極244b。 請參照圖2C，在基板210上形成多個透明導(dǎo)電層262、264、266，其中透明導(dǎo)電層 262位于子像素區(qū)域S2中并延伸入子像素區(qū)域Sl中以透過接觸孔252與第一漏極242b電 性連接，且透明導(dǎo)電層262具有一與第一電容電極234重疊的第二電容電極262a。透明導(dǎo)電 層264位于子像素區(qū)域S3中并延伸入子像素區(qū)域Sl中以透過接觸孔252與第三漏極244b 電性連接，且透明導(dǎo)電層264具有一與第一電容電極234重疊的第二電容電極264a。透明 導(dǎo)電層266位于子像素區(qū)域S4中并延伸入子像素區(qū)域Sl中以透過接觸孔252與第二漏極 242d電性連接，且透明導(dǎo)電層266具有一與第一電容電極234重疊的第二電容電極266a。 此時，本實(shí)施例的像素陣列200已初步形成。 以下將詳述像素陣列200所包括的元件以及各元件的相對配置關(guān)系。
請參照圖2C，本實(shí)施例的像素陣列200包括多條掃描線222、224、多條數(shù)據(jù)線242、 244以及多個像素P。數(shù)據(jù)線242、244與掃描線222、224相交錯以定義出多個成陣列排列的 子像素區(qū)域Sl、 S2、 S3、 S4。在本實(shí)施例中，子像素區(qū)域Sl、 S2、 S3、 S4的面積實(shí)質(zhì)上相同。
各像素P分別配置在一個由mXn個子像素區(qū)域S1、S2、S3、S4所構(gòu)成的一像素區(qū) 域S內(nèi)，m與n為大于1的整數(shù)。在本實(shí)施例中，m與n皆為2，但不限于此。在本實(shí)施例 中，同一個像素區(qū)域S中的子像素區(qū)域Sl、 S2、 S3、 S4呈mxn的棋盤格排列(checkerboard arrMigement)。 各像素P包括多個子像素SP，其中各子像素SP包括一有源元件F、一像素電極E以 及一儲存電容器C，而在同一個像素P中的儲存電容器C集中配置在子像素區(qū)域Sl內(nèi)，且儲 存電容器C所在的子像素區(qū)域S1可為一反射區(qū)或一黑矩陣遮蔽區(qū)。此外，在本實(shí)施例中， 在同一個像素P中的有源元件F可選擇性地集中配置在子像素區(qū)域Sl內(nèi)，且各像素P中的 像素電極E可選擇性地配置在子像素區(qū)域S2、 S3、 S4中。
值得注意的是，在同一個像素P中，不透光的儲存電容器C集中配置在子像素區(qū)域 SI內(nèi)，而像素電極E則是選擇性地配置在子像素區(qū)域S2、S3、S4中。換言之，本實(shí)施例是將 同一個像素P中的不透光的元件(例如儲存電容器C)集中在一起，以增加開口率。
另外，當(dāng)子像素區(qū)域S1為一黑矩陣遮蔽區(qū)時，用以遮蔽儲存電容器C的黑矩陣 (未繪示)只需形成在子像素區(qū)域SI上，而不會遮蔽到位于其他子像素區(qū)域S2、 S3、 S4中 的像素電極E，進(jìn)而可提高開口率。 再者，相較于已知的儲存電容器142c需沿著像素電極142b邊緣配置以至于其電 容下電極R2與像素電極142b重疊的區(qū)域邊緣很長(如圖IB所示)，本實(shí)施例的儲存電容 器C可集中配置在子像素區(qū)域SI中，以大幅降低儲存電容器C與像素電極E相接之處的長 度，進(jìn)而可降低黑矩陣的面積并提高開口率。 此外，在本實(shí)施例中，像素陣列200可包括多條公共線232，且各像素區(qū)域S可被其
中一公共線232橫越。各像素P的儲存電容器C可電性連接至對應(yīng)的公共線232，在此，對
應(yīng)的公共線232是指與前述像素P位于相同的像素區(qū)域S中的公共線232。 詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，各儲存電容器C包括一第一電容電極234與一第二電容
電極262a (或是第二電容電極264a、266a)，第一電容電極234與公共線232連接，且第二電
容電極262a(或是第二電容電極264a、266a)配置在第一電容電極234上方，其中第二電容
電極262a(或是第二電容電極264a、266a)與其中一像素電極E連接。 值得注意的是，在本實(shí)施例中，公共線232僅分布在子像素區(qū)域S1、S2內(nèi)，換言之，
公共線232僅會與位于子像素區(qū)域S2中的像素電極E重疊，而不會與位于子像素區(qū)域S3、
S4中的像素電極E重疊。因此，位于子像素區(qū)域S3、S4中的像素電極E可全部用來顯示畫
面。如此一來，本實(shí)施例可降低公共線232對于像素P中的像素電極E的遮蔽面積，且可減
少用來遮蔽公共線232的黑矩陣(未繪示)的面積，進(jìn)而可提升開口率。在本實(shí)施例中，若是將像素陣列200應(yīng)用于液晶顯示面板(未繪示)中，前述顯示
面板的開口率可提升約18%。 圖3繪示本發(fā)明一實(shí)施例的彩色濾光片的上視圖。請參照圖3，在本實(shí)施例中，彩 色濾光片L適于搭配圖2C的像素陣列200。詳細(xì)而言，彩色濾光片L包括多個棋盤格排列 的區(qū)域L1，各區(qū)域L1中配置有棋盤格排列的一空白區(qū)塊W、一第一彩色區(qū)塊H1、一第二彩色 區(qū)塊H2與一第三彩色區(qū)塊H3。像素陣列200的像素區(qū)域S的位置對應(yīng)于彩色濾光片L的 區(qū)域L1的位置，而各像素區(qū)域S中的子像素區(qū)域S1、 S2、 S3、 S4的位置分別對應(yīng)于其中一 區(qū)域Ll的空白區(qū)塊W、第一彩色區(qū)塊Hl、第二彩色區(qū)塊H2與第三彩色區(qū)塊H3的位置。
第一彩色區(qū)塊H1、第二彩色區(qū)塊H2與第三彩色區(qū)塊H3的顏色可分別為紅色、藍(lán) 色與綠色。空白區(qū)塊W可為一透明的區(qū)塊或是一黑色的區(qū)塊。當(dāng)空白區(qū)塊W為透明的區(qū)塊 時，儲存電容器C所在的子像素區(qū)域S1可為一反射區(qū)。當(dāng)空白區(qū)塊W為黑色的區(qū)塊時，儲 存電容器C所在的子像素區(qū)域Sl可為一黑矩陣遮蔽區(qū)。 以下將詳細(xì)介紹本發(fā)明一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的一種結(jié) 構(gòu)。 圖4繪示本發(fā)明一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的上視圖。請參照 圖4，本實(shí)施例的像素陣列300相似于圖2C的像素陣列200，惟兩者主要差異之處在于像 素陣列300還具有一觸控傳感元件310，且在同一個像素P中的儲存電容器C以及大部分的觸控傳感元件310集中配置在像素區(qū)域S的子像素區(qū)域SI內(nèi)，而在同一個像素P中的有源 元件F可選擇性地配置在子像素區(qū)域S2、 S3、 S4中。 詳細(xì)而言，觸控傳感元件310包括一有源元件312、一觸控墊314以及一觸控?cái)?shù)據(jù) 傳輸線316，其中有源元件312與掃描線222電性連接。有源元件312電性連接在觸控墊 314以及觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線316之間。當(dāng)使用者按壓觸控面板的對向基板時，形成在間隔物上 的觸控導(dǎo)體可與觸控墊314直接或間接接觸，以改變觸控墊314的電壓位準(zhǔn)。當(dāng)電性連接 有源元件312的掃描線222接收到一開啟電壓而使有源元件312開啟時，觸控墊314的電 壓位準(zhǔn)改變可透過觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線316而被觸控晶片(未繪示)傳感。如此一來，觸控晶 片可判讀出使用者按壓觸控面板的位置。在本實(shí)施例中，觸控墊314可選擇性地配置在第 一電容電極234上。 在本實(shí)施例中，若是將像素陣列300應(yīng)用于觸控面板(未繪示)中，前述觸控面板 的開口率可提升約12%。 此外，以下將詳細(xì)介紹本發(fā)明另一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的 制作方法與結(jié)構(gòu)。 圖5A 圖5D繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的適于應(yīng)用在觸控面板中的像素陣列的制造 過程上視圖。為簡化說明，圖5A 圖5D僅繪示像素陣列中的一像素的制造過程，且對于圖 5A 圖5D的說明也僅針對一像素的制造過程做說明，其并非用以限定本發(fā)明的像素的數(shù) 請參照圖5A，首先，提供一基板410，并在基板上形成多個有源層422、424、426、 428，有源層422、424、426、428的材質(zhì)包括低溫多晶硅(lowt卿erature poly-silicon， LTPS)。 請參照圖5B，在基板410上形成多條相互平行的掃描線430、位于掃描線430之間 的一公共線442、多個第一電容電極444a、444b、444c以及一墊層450，其中公共線442與第 一電容電極444a、444b、444c材質(zhì)相同并相互連接，且公共線442實(shí)質(zhì)上平行于掃描線430。 第一電容電極444a、444b、444c分別與有源層424、426、428重疊。墊層450鄰近有源層422。 有源層422、424、426、428皆與掃描線430相交。 請參照圖5C，在基板410上形成一絕緣層460，且絕緣層460具有多個接觸孔 462a、462b、464a、464b、466a、466b、468a、468b，以暴露出有源層422、424、426、428的局部區(qū)域。 然后，在基板410上形成多條數(shù)據(jù)線470以及一觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線480，其中數(shù)據(jù)線 470與掃描線430相交錯，以定義出多個成陣列排列的子像素區(qū)域S1、S2、S3、S4，其中子像 素區(qū)域S1、S2、S3、S4的面積不盡相同。 在本實(shí)施例中，第一電容電極444b位于子像素區(qū)域Sl內(nèi)，第一電容電極444a位 于子像素區(qū)域Sl外圍，而第一電容電極444c橫跨子像素區(qū)域S1、S2，公共線442則自子像 素區(qū)域Sl延伸入子像素區(qū)域S2中。 數(shù)據(jù)線470透過接觸孔464a、464b、466a、466b、468a、468b而分別與有源層424、 426、428電性連接，觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線480位于相鄰二數(shù)據(jù)線470之間并透過接觸孔462a、 462b而電性連接至有源層422。之后，在基板410上依序形成一保護(hù)層(未繪示)與一平坦層(未繪示)，其中保護(hù)層與平坦層具有多個貫穿保護(hù)層與平坦層的多個接觸孔，且這些接觸孔分別位于接觸孔 462b、464b、466b、468b上方，以暴露出數(shù)據(jù)線470的局部區(qū)域。 請參照圖5D，在基板410上形成多個透明導(dǎo)電層Bl、B2、B3與一觸控墊T，此時，本 實(shí)施例之像素陣列400已初步完成。透明導(dǎo)電層Bl橫跨子像素區(qū)域S2、 S4并透過接觸孔 464b而電性連接至有源層424，且透明導(dǎo)電層Bl與第一電容電極444a以及有源層424重 疊而構(gòu)成一儲存電容器Cl。透明導(dǎo)電層B2橫跨子像素區(qū)域Sl、 S3、 S4并透過接觸孔466b 而電性連接至有源層426，且透明導(dǎo)電層B2與第一電容電極444b以及有源層426重疊而構(gòu) 成一儲存電容器C2。透明導(dǎo)電層B3橫跨子像素區(qū)域S1、S2、S4并透過接觸孔468b而電性 連接至有源層428，且透明導(dǎo)電層B3與第一電容電極444c以及有源層428重疊而構(gòu)成一儲 存電容器C3。觸控墊T配置在子像素區(qū)域S1中并透過接觸孔462b而電性連接至有源層 422。 在本實(shí)施例中，儲存電容器C2位于子像素區(qū)域Sl內(nèi)，儲存電容器Cl位于子像素 區(qū)域Sl外圍，而儲存電容器C3則是橫跨子像素區(qū)域S1、S2。由此可知，本實(shí)施例大致上是 將儲存電容器Cl、 C2、 C3集中在子像素區(qū)域Sl之內(nèi)或是其周邊。 值得注意的是，在本實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層Bl會受到公共線442與掃描線430的 遮蔽，透明導(dǎo)電層B2會受到數(shù)據(jù)線470與觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線480的遮蔽，但透明導(dǎo)電層B1、B2 的面積皆大于透明導(dǎo)電層B3的面積。因此，透明導(dǎo)電層B1、B2的可用于顯示的面積(即未 被公共線442、掃描線430或數(shù)據(jù)線470、觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線480、儲存電容器C1、C2遮蔽的區(qū) 域的面積)可相當(dāng)于透明導(dǎo)電層B3的可用于顯示的面積(即透明導(dǎo)電層B3的位于子像素 區(qū)域S4中的部分)。簡言之，本實(shí)施例是藉由增加透明導(dǎo)電層B1、B2的面積來補(bǔ)償透明導(dǎo) 電層B1、B2的被公共線442、掃描線430、數(shù)據(jù)線470與觸控?cái)?shù)據(jù)傳輸線480所遮蔽的面積， 以使透明導(dǎo)電層B1、B2、B3的顯示面積相當(dāng)。 在本實(shí)施例中，若是將像素陣列400應(yīng)用于觸控面板(未繪示)中，則觸控面板的 開口率可提升約26%。由此可知，將像素陣列400應(yīng)用于觸控面板中可增加觸控面板的開 口率。 綜上所述，由于本發(fā)明將在同一個像素中的至少部分儲存電容器集中配置在一像 素區(qū)的其中一子像素區(qū)域內(nèi)，而像素電極則是配置在該像素區(qū)的其他子像素區(qū)域中，因此， 本發(fā)明可避免儲存電容器的第一電容電極(電容下電極)以及用以遮蔽儲存電容器的黑矩 陣遮擋到像素電極，進(jìn)而增加開口率。再者，由于本發(fā)明的儲存電容器可集中配置在像素 區(qū)域中的一子像素區(qū)域內(nèi)或是其周圍，故可大幅降低儲存電容器與像素電極相接之處的長 度，進(jìn)而可降低黑矩陣的面積并提高開口率。此外，本發(fā)明的公共線僅分布在各像素區(qū)域中 的部分子像素區(qū)域內(nèi)，而非如已知的公共線是分布在各像素區(qū)域中的各子像素區(qū)域內(nèi)，故 被本發(fā)明的公共線所遮蔽到的像素電極的數(shù)量較少且像素電極的被遮蔽到的總面積較小， 進(jìn)而可增加開口率。 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變 和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
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權(quán)利要求
一種像素陣列，包括多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線，與該些掃描線交錯以定義出多個成陣列排列的子像素區(qū)域；以及多個像素，各該像素分別配置在一個由m×n個子像素區(qū)域所構(gòu)成的一像素區(qū)域內(nèi)，m與n為大于1的整數(shù)，而各該像素包括多個子像素，其中各該子像素包括一有源元件、一像素電極以及一儲存電容器，而在同一個像素中的至少部分儲存電容器集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中各該像素更包括一觸控傳感元件，而在同一 個像素中的至少部分儲存電容器以及該觸控傳感元件集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素陣列，其中該些子像素區(qū)域的面積不盡相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該些子像素區(qū)域的面積實(shí)質(zhì)上相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中在同一個像素中的至少部分儲存電容器以及 該些有源元件集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素陣列，其中該些子像素區(qū)域的面積實(shí)質(zhì)上相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，更包括多條公共線，其中該些公共線與該些儲存 電容器電性連接，且該些公共線僅分布在部分的子像素區(qū)域內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列，其中各該儲存電容器包括 一第一電容電極，與其中一條公共線連接；以及一第二電容電極，配置在該第一電容電極上方，其中該第二電容電極與其中一個像素 電極連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的像素陣列，其中同一個像素區(qū)域中的該些子像素區(qū)域呈mXn 的棋盤格排列。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中m = n = 2。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該些儲存電容器所在的該些子像素區(qū)域?yàn)?一反射區(qū)或一黑矩陣遮蔽區(qū)。
全文摘要
一種像素陣列，其包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個像素。數(shù)據(jù)線與掃描線交錯以定義出多個成陣列排列的子像素區(qū)域。各像素分別配置在一個由m×n個子像素區(qū)域所構(gòu)成的一像素區(qū)域內(nèi)，m與n為大于1的整數(shù)，而各像素包括多個子像素，其中各子像素包括一有源元件、一像素電極以及一儲存電容器，而在同一個像素中的至少部分儲存電容器集中配置在其中一個子像素區(qū)域內(nèi)。
文檔編號G02F1/1362GK101776826SQ201010003890
公開日2010年7月14日 申請日期2010年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月15日
發(fā)明者李錫烈, 楊敦鈞, 郭威宏, 黃偉明 申請人:友達(dá)光電股份有限公司