專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及一種用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是最廣泛采用的平板顯示器之一。LCD包括提供有場(chǎng)產(chǎn)生電極 例如像素電極和公共電極的兩個(gè)面板以及插設(shè)在兩個(gè)面板之間的液晶(LC)層。LCD通過(guò)給 場(chǎng)產(chǎn)生電極施加電壓以在LC層中產(chǎn)生電場(chǎng)(這確定了 LC分子在LC層中的取向而調(diào)整入 射光的偏振)而顯示圖像。 在LCD中，垂直配向(VA)模式LCD因?yàn)槠涞母邔?duì)比度和寬基準(zhǔn)視角而備受關(guān)注， 在垂直配向(VA)模式LCD中，在不施加電場(chǎng)時(shí)LC分子被配向?yàn)長(zhǎng)C分子的長(zhǎng)軸垂直于面板。
VA模式LCD的寬視角可以通過(guò)場(chǎng)產(chǎn)生電極中的開(kāi)口和場(chǎng)產(chǎn)生電極上的凸起實(shí)現(xiàn)。 因?yàn)殚_(kāi)口和凸起可以決定LC分子的傾斜方向，所以通過(guò)采用開(kāi)口和凸起傾斜方向可以在 幾個(gè)方向上分布，由此拓寬基準(zhǔn)視角。 然而，因?yàn)樵O(shè)置在場(chǎng)產(chǎn)生電極中連接輔件的角落中的LC分子不受邊緣場(chǎng)(fringe
field)的影響，所以它們會(huì)響應(yīng)施加的驅(qū)動(dòng)電壓而排列在任意方向上。 當(dāng)LC分子任意排列時(shí)，LC分子間的碰撞會(huì)發(fā)生在任意位置，這會(huì)引起不希望的殘象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例通過(guò)最大化LC分子受邊緣場(chǎng)的影響且最小化由于碰撞引 起的殘象，而提供具有改善的顯示特性的液晶顯示器。 本發(fā)明的其它特征將在下面的說(shuō)明中闡述，并且將部分地從說(shuō)明上明顯易懂，或 者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而知悉。 本發(fā)明的示范性實(shí)施例揭示了這樣的顯示裝置，其具有第一基板；第二基板，面 對(duì)該第一基板；柵極線，設(shè)置在第一基板上；數(shù)據(jù)線，與柵極線交叉；薄膜晶體管，設(shè)置在為 靠近柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉處，薄膜晶體管的柵極電極連接到柵極線、薄膜晶體管的源極 電極連接到數(shù)據(jù)線且薄膜晶體管的漏極電極連接到像素電極以給液晶層施加電壓；鈍化 層，設(shè)置在數(shù)據(jù)線上，鈍化層包括在開(kāi)口區(qū)域中暴露漏極電極的接觸孔；像素電極，設(shè)置在 鈍化層上且連接到漏極電極，該像素電極包括多個(gè)子像素電極和將子像素電極彼此連接的 連接輔件；多個(gè)開(kāi)口，分別形成在子像素電極的中心位置上；以及透明存儲(chǔ)電極，與像素電 極電荷耦合。 應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的總體描述和下面的詳細(xì)描述二者都是示范性和說(shuō)明性的， 并且旨在對(duì)如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說(shuō)明。


包括附圖以提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，并且附圖與說(shuō)明書(shū)相結(jié)合且構(gòu)成其一部分，附解了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。 圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖； 圖2是沿著圖1的I-I'線剖取的截面圖； 圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖； 圖4是圖1所示根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的公共電極面板的示意圖； 圖5是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的包括第一至第三子像素電極的LCD的示意圖； 圖6是沿著圖5的II-II'線剖取的截面圖； 圖7是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖； 圖8是沿著圖7的III-III'線剖取的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文，將參考示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可 以以各種形式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得該揭 示透徹，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面交流本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和區(qū) 的尺寸和相對(duì)尺寸可以夸大。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。 應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或者層稱為"在另一個(gè)元件或者層上"或者"連接到另一個(gè)
元件或者層"時(shí)，它可以直接在另一個(gè)元件或者層上，或者可以直接連接到另一個(gè)元件或者
層，或者可以存在插入的元件或者層。相反，當(dāng)元件稱為"直接在另一個(gè)元件或者層上"或
者"直接連接到另一個(gè)元件或者層"時(shí)，則不存在插入元件或者層。 參考圖1、圖2、圖3和圖4，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的示范性實(shí)施例。 圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖，圖2是沿著圖1的I-I'線剖取
的截面圖，圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖1所示的LCD的公共電極面板的示意圖。 LCD包括薄膜晶體管(TFT)陣列面板100、公共電極面板200和插設(shè)在面板100和
200之間的LC層3。 現(xiàn)在，參考圖1、圖2、圖3和圖4描述TFT陣列面板100。 多個(gè)柵極線121和升壓線(boost line) 131形成在絕緣基板110上，絕緣基板110 由諸如透明玻璃的材料制作。柵極線121基本上延伸在橫向方向上，彼此分隔，并且傳輸柵 極信號(hào)。 在示范性實(shí)施例中，柵極線121和升壓線131可以由諸如A1和A1合金的含A1金 屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的 含Mo金屬、Cr、Ti或Ta制成。柵極線121和升壓線131可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包 括具有不同物理特性的兩個(gè)膜。在示范性實(shí)施例中，兩個(gè)膜之一可以由低電阻率的金屬制 作，該低電阻率的金屬包括但不限于含A1金屬、含Ag金屬和含Cu金屬，用于減少在柵極線 121和升壓線131中的信號(hào)延遲或者電壓降。另一個(gè)膜可以由諸如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti 的材料制作，該材料與諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的其它材料具有良好的 物理、化學(xué)和電接觸特性。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，兩個(gè)膜的結(jié)合包括下Cr膜與上Al合金 膜以及下Al膜與上Mo膜。然而，柵極線121和升壓線131可以由各種金屬或?qū)w制作，只 要適合于這里所述的目的。
柵極線121和升壓線131的側(cè)面(lateral side)相對(duì)于絕緣基板110的表面漸縮。柵極線121和升壓線131相對(duì)于基板表面的傾斜角的范圍為約30度至約80度。
柵極絕緣層140形成在柵極線121和升壓線131上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，柵極絕緣層140可以由氮化硅(SiNx)制作。 多個(gè)半導(dǎo)體島154形成在柵極絕緣層140上。如示范性實(shí)施例所示，每個(gè)半導(dǎo)體島154都設(shè)置在柵極電極124上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，半導(dǎo)體島154由氫化非晶硅(簡(jiǎn)寫(xiě)成"a-Si")或者多晶硅制作。 多個(gè)歐姆接觸島163和165形成在半導(dǎo)體島154上。如示范性實(shí)施例所示，歐姆接觸島163和165的每一個(gè)都成對(duì)設(shè)置在半導(dǎo)體島154上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，歐姆接觸島163和165由重?fù)诫s諸如磷的n型雜質(zhì)的硅化物或者n+氫化a_Si制作。
半導(dǎo)體島154以及歐姆接觸163和165的側(cè)面相對(duì)于基板110的表面傾斜。其傾斜角度的范圍在約30度至約80度之間。 在歐姆接觸163和165及柵極絕緣層140上形成多個(gè)數(shù)據(jù)線171、與數(shù)據(jù)線171分隔的多個(gè)漏極電極175以及多個(gè)連接輔件178。 每個(gè)漏極電極175都與數(shù)據(jù)線171分隔，并且關(guān)于柵極電極124面對(duì)源極電極173。 TFT包括柵極電極124、源極電極173和漏極電極175以及半導(dǎo)體島154。 TFT具有溝道，該溝道形成在半導(dǎo)體島154的設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的一部分中。 連接輔件178基本上平行于數(shù)據(jù)線171延伸，并且與數(shù)據(jù)線171分隔。 在一個(gè)示范性實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和連接輔件178由諸如Cr、Mo、
Ti、Ta或其合金的難熔金屬制作。數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和連接輔件178也可以具有多
層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括低電阻率膜和良好接觸膜。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，多層結(jié)構(gòu)包括
下Mo(合金)膜、中間A1(合金)膜和上Mo(合金)膜的結(jié)合，以及下Cr膜和上Al(合金)
膜或者下A1(合金)膜和上Mo(合金)膜的上述結(jié)合。然而，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和
連接輔件178可以由各種金屬或?qū)w制作，只要適合于在此描述的目的。 數(shù)據(jù)線171和漏極電極175可以具有漸縮的側(cè)面，并且其傾斜角的范圍可以為約
30度至約80度。 歐姆接觸島163和165僅插設(shè)在下層半導(dǎo)體島154與其上的上層數(shù)據(jù)線171和上層漏極電極175之間，由此減少了其間的接觸電阻。半導(dǎo)體島154包括多個(gè)暴露部分，該多個(gè)暴露部分沒(méi)有被數(shù)據(jù)線171或漏極電極175覆蓋。這樣的部分定位在源極電極173和漏極電極175之間。 鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、連接輔件178和半導(dǎo)體島154的暴露部分上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，鈍化層180由無(wú)機(jī)絕緣體、具有良好平坦特性的光敏有機(jī)材料或者介電常數(shù)低于4. 0的低介電絕緣材料制作，該無(wú)機(jī)絕緣體包括但不限于氮化硅或氧化硅，低介電絕緣材料為例如通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O或a-Si:O:F。鈍化層180可以包括多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)具有無(wú)機(jī)絕緣體的下膜和有機(jī)絕緣體的上膜，從而使其取得有機(jī)絕緣體的優(yōu)秀的絕緣特性，同時(shí)防止半導(dǎo)體島154的暴露部分受到有機(jī)絕緣體的損壞。
5
鈍化層180具有暴露數(shù)據(jù)線171的端部183、漏極電極175的端部和連接輔件178的多個(gè)接觸孔182、 185和188。鈍化層180和柵極絕緣層140具有暴露柵極線121的端部129的多個(gè)接觸孔181。 多個(gè)像素電極191形成在鈍化層180上。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，像素電極191可以由諸如銦錫氧化物(IT0)或銦鋅氧化物(IZ0)的透明導(dǎo)體或者諸如Ag或Al的反射導(dǎo)體制作。 像素電極191包括第一子像素電極9al和第二子像素電極9a2，它們基本上排列成
線，并且具有基本上方形的形狀。第一子像素電極9al和第二子像素電極9a2可以具有如
示意圖所示的圓角。第一子像素電極9al通過(guò)接觸孔188連接到漏極電極175，第一子像素
電極9al和第二子像素電極9a2分別通過(guò)接觸孔185連接到連接輔件178。 像素電極191通過(guò)第一子像素電極9al物理連接且電連接到漏極電極175，從而像
素電極191從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓，第二子像素電極9a2從連接輔件178接收數(shù)據(jù)電壓。 提供有數(shù)據(jù)電壓的像素電極191與公共電極270配合而產(chǎn)生電場(chǎng)，這決定了液晶層3中的液晶分子的取向。 像素電極191和公共電極面板200的公共電極270形成液晶電容器，其存儲(chǔ)TFT截止后施加的電壓。 下面，參考圖2和圖4描述公共電極面板200。為了防止光泄漏，稱為黑矩陣的遮光構(gòu)件220形成在由諸如透明玻璃的材料制作的絕緣基板210上。 多個(gè)濾色器230形成在絕緣基板210上。濾色器230基本上設(shè)置在由遮光構(gòu)件220包圍或圍繞的區(qū)域中。如示范性實(shí)施例所示，濾色器230可以基本上沿著沿像素電極191的縱向方向延伸。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，濾色器230可以表現(xiàn)諸如紅、綠和藍(lán)色的原色之一。 在濾色器230和遮光構(gòu)件220上形成外覆層250 ，以防止濾色器230暴露且提供基本上平坦的表面。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，可以省略外覆層250。 在一個(gè)示范性實(shí)施例中，由諸如IT0和IZ0的透明導(dǎo)電材料制作的公共電極270形成在外覆層250上，并且其比像素電極191相對(duì)較厚。
公共電極270具有多套圓形開(kāi)口 27。 —套圓形開(kāi)口 27基本上面對(duì)第一子像素電極9al和第二子像素電極9a2的中心。在示范性實(shí)施例中，圓形開(kāi)口 27與接觸孔188重疊。 配向?qū)?1和21涂覆在TFT陣列面板100和公共電極面板200的內(nèi)表面上。配向?qū)?1和21可以為垂面的(homeotropic)。偏振器112可以提供在TFT陣列面板100的外表面上，偏振器212可以提供在公共電極面板200的外表面上，從而它們的偏振軸可以交叉，并且透射軸之一可以平行于柵極線121。在示范性實(shí)施例中，當(dāng)LCD為反射式LCD時(shí)，偏振器之一可以省略。 LCD還可以包括至少一個(gè)延遲膜111和211，用于補(bǔ)償LC層3的延遲。延遲膜111和211具有雙折射，并且相反于LC層3延遲。延遲膜111和211可以包括單軸或者雙軸光學(xué)補(bǔ)償膜，具體地，包括負(fù)單軸補(bǔ)償膜。 在示范性實(shí)施例中，LC層3具有負(fù)介電各向異性，并且經(jīng)歷了垂直配向，從而在沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)，LC層3中的LC分子31取向?yàn)槠溟L(zhǎng)軸基本上垂直于TFT陣列面板100和公共電極面板200的表面。因此，入射光不能通過(guò)包括偏振器的交叉(crossed)偏振系統(tǒng)。
在給公共電極270施加公共電壓和給像素電極191施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，產(chǎn)生基本上垂直于TFT陣列面板100和公共電極面板200的表面的電場(chǎng)。LC分子31傾向于響應(yīng)電場(chǎng)而改變它們的取向，使得它們的長(zhǎng)軸基本上垂直于電場(chǎng)方向。公共電極270和像素電極191實(shí)質(zhì)上用作場(chǎng)產(chǎn)生電極。 公共電極270的圓形開(kāi)口 27和像素電極191的邊緣扭曲了電場(chǎng)導(dǎo)致基本上垂直于圓形開(kāi)口 27的邊緣和像素電極191的邊緣的水平分量。因此，在每個(gè)第一子像素電極9al和第二子像素電極9a2上的LC分子31通過(guò)該水平分量?jī)A斜在一方向上，并且傾斜方向的方位角分布定位在各方向上，由此增加了 LCD的視角。 當(dāng)像素電極包括連接第一子像素電極9al和第二子像素電極9a2且形成在與像素電極191相同的層上的連接時(shí)，該連接使LC分子31的取向扭曲，且該連接上的LC分子31取向在任意方向上。從而，產(chǎn)生LC分子31的碰撞。像素電極191連接到每個(gè)薄膜晶體管，且具有兩個(gè)子像素電極9al和9a2以及將子像素電極9al連接到子像素電極9a2的連接輔件178。子像素電極之一電連接到漏極電極。連接輔件178設(shè)置在子像素電極9al和9a2中心的左邊位置或者右邊位置上，并且連接每個(gè)子像素電極9al和9a2。在示范性實(shí)施例中，連接輔件178設(shè)置在距每個(gè)子像素電極9al和9a2的左側(cè)或者右側(cè)的端部約1/4的位置處。 連接輔件178影響LC分子31的取向，并且因此當(dāng)連接輔件178設(shè)置在子像素電極9al和9a2的中心上時(shí)，產(chǎn)生很多LC分子31的碰撞。會(huì)易于使連接輔件178的左側(cè)或者右側(cè)的紋理能量(texture energy)隨機(jī)化。 然而，如果連接輔件178設(shè)置在不對(duì)稱的位置上，則LC分子31可以是穩(wěn)定的，并且因此不會(huì)產(chǎn)生由于碰撞引起的不希望的殘象。 圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖。如圖3A所示，在第一基板上形成柵極線121、柵極電極124和升壓線131。如圖1和圖3B所示，在升壓線131上形成透明存儲(chǔ)電極150。在如圖3C所示的后續(xù)步驟中，可以形成數(shù)據(jù)線171和源極電極173。在如圖3D所示的后續(xù)步驟中形成漏極電極175。另外，它們可以與數(shù)據(jù)線171和源極電極173同時(shí)形成。在接下來(lái)的步驟中形成鈍化層180和蝕刻接觸孔188。如圖3E所示，在鈍化層180上形成像素電極191。 圖5是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的包括第一至第三子像素電極的LCD的示意圖，而圖6是沿著圖5的II-II'線剖取的截面圖。在如圖5和圖6所示的一個(gè)示范性實(shí)施例中，像素電極191的第一子像素電極9al、第二子像素電極9a2和第三子像素電極9a3通過(guò)連接輔件179彼此連接，連接輔件179形成為與LCD中的像素電極191相同的層。
連接輔件179包括左連接輔件179a和右連接輔件179b，它們分別設(shè)置在像素電極191的第一至第三子像素電極9al至9a3的左側(cè)和右側(cè)。 一個(gè)連接輔件179a被示出為在左側(cè)上且在子像素電極9al和子像素電極9a2之間，且另一個(gè)連接輔件179b設(shè)置在右側(cè)上且在子像素電極9a2和子像素電極9a3之間。連接輔件179a和179b形成在由像素電極191限定的柱狀區(qū)域內(nèi)，且在子像素電極9al、9a2和9a3的左邊緣和右邊緣內(nèi)，并且在子像素電極9al、9a2和9a3的左側(cè)和右側(cè)之間交替。優(yōu)選左連接輔件179a和右連接輔件179b
7成對(duì)。在所示的示范性實(shí)施例中，盡管發(fā)生LC分子31的碰撞，但是該碰撞隨機(jī)地設(shè)置到像素電極191的一側(cè)，使得它們難于被識(shí)別。 現(xiàn)在，將參考圖7和圖8詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的另一個(gè)示范性實(shí)施例。
圖7是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的LCD的示意圖，而圖8是沿著圖7的III-III'線剖取的截面圖。 參考圖7和圖8， LCD包括TFT陣列面板100 ;公共電極面板200 ;LC層3，設(shè)置在TFT陣列面板100和公共電極面板200之間；偏振器112，附著到TFT陣列面板的外表面；以及偏振器212，附著到公共電極面板200的外表面。 關(guān)于TFT陣列面板IOO，包括柵極電極124和端部129的多個(gè)柵極線121形成在絕緣基板110上，且在其上依次形成柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體島154和多個(gè)歐姆接觸島163和165。包括源極電極173和端部183的多個(gè)數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175和多個(gè)連接輔件178形成在歐姆接觸島163和165上，并且在其上形成鈍化層180。多個(gè)接觸孔181、182、 185和188提供在鈍化層180和柵極絕緣層140處。多個(gè)像素電極191形成在鈍化層180上，并且在其上涂覆配向?qū)?1。 關(guān)于公共電極面板200，在絕緣基板210上形成遮光構(gòu)件220、多個(gè)濾色器230、包括多個(gè)圓形開(kāi)口 27的公共電極270和配向?qū)?1。 與圖1至6所示的LCD不同，圖7和圖8所示示范性實(shí)施例的LCD為包括反射電極和透射電極的透反射類型。包括TFT陣列面板100、公共電極面板200和LC層3的LCD具有透射區(qū)域TA和反射區(qū)域RA。透射區(qū)域TA包括透射電極192，反射區(qū)域RA包括反射電極194。透射區(qū)域TA是不設(shè)置反射電極194的區(qū)域，反射區(qū)域RA是設(shè)置反射電極194的區(qū)域。
透射區(qū)域TA中的光從TFT陣列面板100透過(guò)液晶層3到公共電極面板200以顯示圖像，而反射區(qū)域RA中的光通過(guò)反射電極194反射而通過(guò)液晶層3兩次來(lái)顯示圖像。
在示范性實(shí)施例中，鈍化層180可以具有不平坦的表面以最大化分散的反射，并且反射電極194也可以具有不平坦的表面，取決于或者對(duì)應(yīng)于鈍化層180的不平坦表面。
在一個(gè)示范性實(shí)施例中，透射電極192由諸如ITO或者IZO的透明導(dǎo)電材料制作，并且反射電極194由諸如Ag、Al、Cr及它們的合金的反射導(dǎo)體制作。在示范性實(shí)施例中，反射電極194可以具有包括上層和下層的雙層結(jié)構(gòu)，上層由具有低電阻的反射導(dǎo)體如Ag、Al及它們的合金制成，下層材料為與諸如ITO和IZO的其它材料具有良好接觸特性的材料如Mo、Mo合金、Cr、Ta禾口 Ti。 反射電極194僅設(shè)置在第一子像素電極9al上。在示范性實(shí)施例中，反射電極194可以設(shè)置在另一個(gè)子像素電極9a2上的透射電極192上。 在示范性實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于透射區(qū)域TA的濾色器230相對(duì)薄于對(duì)應(yīng)于反射區(qū)域RA
的濾色器230。因此，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，透射區(qū)域TA中的單元間隙是反射區(qū)域RA
中單元間隙的兩倍大。為了顯示圖像，來(lái)自背光的光在透射區(qū)域TA中透過(guò)液晶層。然而，
從外部區(qū)域入射的光首先透過(guò)液晶層，然后由反射電極反射，這意味著反射的光通過(guò)濾色
器兩次，這與透射的光不同。因此，反射區(qū)域RA中的濾色器層230需要調(diào)整。 對(duì)應(yīng)于反射區(qū)域RA的濾色器230可以具有光孔260，以補(bǔ)償由于光程差引起的色
彩效果的差別。
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本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明中可以進(jìn)行各種修改和變化而不脫本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所附權(quán)利要求及其等同方案范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
一種顯示裝置，包括第一基板；第二基板，面對(duì)所述第一基板；柵極線，設(shè)置在所述第一基板上；數(shù)據(jù)線，與所述柵極線交叉；薄膜晶體管，設(shè)置為靠近所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)；所述薄膜晶體管的柵極電極連接到所述柵極線、所述薄膜晶體管的源極電極連接到所述數(shù)據(jù)線并且所述薄膜晶體管的漏極電極連接到像素電極以給液晶層施加電壓；鈍化層，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線上，所述鈍化層包括在開(kāi)口區(qū)域中暴露所述漏極電極的接觸孔；像素電極，設(shè)置在所述鈍化層上，且連接到所述漏極電極，所述像素電極包括多個(gè)子像素電極和使所述子像素電極彼此連接的連接輔件；多個(gè)開(kāi)口，分別形成在所述子像素電極的中心位置上；以及透明存儲(chǔ)電極，與所述像素電極電荷耦合。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述連接輔件設(shè)置在從所述像素電極的中心移 開(kāi)的第一位置或者第二位置上。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一位置或所述第二位置設(shè)置在距所述子 像素電極邊緣的距離的1/4處。
4. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述連接輔件連接到相鄰子像素電極的面對(duì)邊緣。
5. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述連接輔件形成在與所述像素電極相同的層上。
6. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述連接輔件形成在與所述像素電極不同的層 上，并且通過(guò)接觸孔連接到所述像素電極。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述子像素電極每一個(gè)都具有帶有圓角的實(shí)質(zhì) 上的矩形形狀。
8. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中至少一個(gè)子像素電極包括反射電極。
9. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述開(kāi)口形成在所述第一基板的所述子像素電 極上。
10. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述開(kāi)口形成在所述第二基板的公共電極上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，其具有在第一基板上的柵極線、覆蓋柵極線的柵極絕緣層、在該柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層、與該柵極線交叉并且在半導(dǎo)體層上包括源極電極和面對(duì)該源極電極的漏極電極的數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線分隔的連接輔件、覆蓋該數(shù)據(jù)線并且包括暴露連接輔件和像素電極的鈍化層，像素電極包括多個(gè)子像素電極，并且形成在鈍化層上。子像素電極通過(guò)連接輔件彼此電連接，并且至少一個(gè)子像素電極電連接到漏極電極。連接輔件連接到相鄰子像素電極的面對(duì)邊緣，并且設(shè)置在距子像素電極左側(cè)端部或者右側(cè)端部的距離的約1/4處。
文檔編號(hào)G02F1/139GK101750823SQ20091025901
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月9日
發(fā)明者張龍圭, 沈昌佑, 申愛(ài), 金尚佑, 黃載薰 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社