專利名稱：：光刻設備和器件制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種光刻設備和器件制造方法，尤其涉及一種定位用于曝光的器件的方法和設備。
背景技術：
：光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括所謂的步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分，和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望是具有比水的折射率高的折射率的流體。不含氣體的流體是尤其希望的。這樣能夠實現更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的效果也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有納米顆粒懸浮物(例如具有最大尺寸達IOnm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆?？梢跃哂谢虿痪哂信c它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利US4，509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。在浸沒設備中，浸沒流體通過流體處理系統(tǒng)、結構或設備進行處理。在實施例中，流體處理系統(tǒng)可以供給浸沒流體并且因此可以是流體供給系統(tǒng)。在實施例中，流體處理系統(tǒng)可以至少部分地限制浸沒流體，并且由此可以是流體限制系統(tǒng)。在實施例中，流體處理系統(tǒng)可以提供浸沒流體的阻擋件，因而可以是阻擋構件，例如流體限制結構。在實施例中，流體處理系統(tǒng)可以產生或利用氣流，(例如)以幫助控制浸沒流體的流動和/或位置。氣流可以形成密封以限制浸沒流體并且因此流體處理結構可以稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。在實施例中，浸沒液體用作浸沒流體。在這種情形中，流體處理系統(tǒng)可以是液體處理系統(tǒng)。參考前面的說明，在本段中提到的相對于流體進行限制的特征可以理解為包括相對于液體進行限制的特征。提出來的布置之一是液體供給系統(tǒng)，所述液體供給系統(tǒng)用以通過使用液體限制結構將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域和在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于上述布置的方法在公開號為W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個入口IN供給到襯底上，并且在已經通過投影系統(tǒng)下面之后，通過至少一個出口OUT去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著-X方向掃描時，液體在元件的+X—側供給并且在-X—側去除。圖2是所述布置的示意圖，其中液體通過入口IN供給，并在元件的另一側通過與低壓源相連的出口OUT去除。在圖2中，雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的?？梢栽谧罱K元件周圍設置各種方向和數目的入口和出口。圖3示出了一個實例，其中在最終元件的周圍在每側上以規(guī)則的重復方式設置了四組入口和出口。在圖4中示出了另一個采用液體局部供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PL每一側上的兩個槽狀入口IN供給，由布置在入口IN沿徑向向外的位置上的多個離散的出口OUT去除。所述入口IN和出口OUT可以設置在板上，所述板有孔，孔可設置在其中心，投影束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PL的一側上的一個槽狀入口IN提供，而由位于投影系統(tǒng)PL的另一側上的多個離散的出口OUT去除，這造成投影系統(tǒng)PL和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口IN和出口OUT組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口IN和出口OUT組合是不起作用的)。另一提出的布置是提供具有阻擋構件的液體供給系統(tǒng)12，所述阻擋構件沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸，如圖5所示。盡管在Z方向上可能存在一些相對移動(在光軸的方向上)，但是阻擋構件相對于投影系統(tǒng)在XY平面內基本上是靜止的。密封形成在所述密封構件和襯底表面之間。在實施例中，所述密封是非接觸式密封，例如氣體密封16。這種具有氣體密封的系統(tǒng)在美國專利申請公開出版物No.US2004/0207824中以及歐洲專利申請出版物第EP1429188號和美國專利申請出版物第US2004/0211920號中公開。在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物US2004/0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設備的方案。這種設備設置有兩個臺或平臺用以支撐襯底。調平(levelling)測量在沒有浸沒液體的工作臺的第一位置處進行，曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進行。可選的是，設備僅具有一個臺，所述臺在曝光和測量位置之間是可移動的。PCT專利申請公開出版物WO2005/064405公開一種“全浸濕”布置，其中浸沒液體是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因為襯底的整個頂部表面暴露在基本上相同的條件下。這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在WO2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。液體被允許泄漏到襯底的其他部分。襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體逸出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面上以受控制的方式去除。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能出現浸沒液體的蒸發(fā)。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No.US2006/0119809中有記載。其中設置構件覆蓋襯底W的所有位置，并且布置成使浸沒液體在所述構件和襯底和/或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。浸沒式光刻的一個問題是在浸沒液體中出現氣泡。如果圖案化的束通過浸沒液體的區(qū)域或體積體的路徑中包含氣泡，這會有害地影響投影到襯底上的所述圖案圖像的品質。例如，成像的圖案可能會包含由此產生的缺陷。浸沒液體中的氣泡的存在，尤其是在浸沒空間中，是要避免的。在與液體限制結構相對的表面中可以形成凹陷。例如，在襯底臺中或襯底和襯底臺之間可以存在凹陷，或甚至在襯底臺和傳感器、交換橋、閉合的盤或位于襯底臺內或鄰近襯底臺的測量臺之間存在凹陷。所述凹陷可以是凹槽，其可以用作引液槽(gutter)。所述凹陷可以配置用以從與液體限制結構相對的表面去除過量的浸沒液體。當襯底臺相對于液體限制結構或輻射系統(tǒng)移動時，所述凹陷可以俘獲氣體。所述凹陷可以造成液體從浸沒空間中逸出(進入凹陷)，導致浸沒空間中的液面的整體下降。浸沒液面的下降可能是浸沒空間中包含氣泡的來源。所述凹陷的區(qū)域內的流體行為可能會引起氣泡和/或液滴的形成。液滴可能會引起在浸沒空間內形成氣泡。所述液滴可能會施加熱負載到其到達的表面上(例如襯底或襯底臺的表面)。因此氣泡或液滴可能會引起例如光刻成像性能的劣化
發(fā)明內容本發(fā)明旨在例如減小束所通過的浸沒液體中產生氣泡的風險。本發(fā)明旨在在不用將足以使物體產生變形(例如卷曲)風險的壓力施加到所述物體的邊緣的情況下，減小浸沒液體(例如水)或氣體(例如空氣)進入和離開所述物體(例如襯底)周圍的間隙的移動。因此，提供一種減小浸沒式光刻設備中襯底和襯底臺之間的間隙的方法，所述方法包括步驟測量所述襯底的物理性質；和減小限定在所述襯底的邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙，所述襯底臺將所述襯底支撐在浸沒式光刻設備中，所述間隙基于所述襯底的所測量的物理性質而被減小。提供一種減小浸沒式光刻設備中的襯底和襯底臺之間的間隙的方法，所述方法包括步驟測量限定在所述襯底的邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙，所述襯底臺將所述襯底支撐在所述浸沒式光刻設備中；和基于測量結果減小所述間隙。提供一種器件制造方法，包括步驟將襯底加載到預對準器上；在所述預對準器處測量所述襯底的物理性質；將所述襯底從所述預對準器加載到所述襯底臺上；基于所測量的物理性質減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙；和用圖案化輻射曝光所述襯底。根據本發(fā)明的一個方面，提供一種器件制造方法，包括步驟將襯底加載到由襯底臺的表面邊緣限定的空間中，在所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間限定間隙；測量所述襯底臺中的所述襯底的物理性質和所述間隙的大小；使用間隙減小機構，基于所述襯底的所測量的物理性質和所述間隙的所測量的大小來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙；和用圖案化輻射曝光所述襯底。可以提供一種光刻投影設備，包括預對準器，所述預對準器包括配置用以測量襯底的物理性質的測量機構；襯底臺，所述襯底臺配置用以將所述襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中；和間隙減小機構，所述間隙減小機構配置用以基于關于所述襯底的所測量的物理性質的信息來減小限定在所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙。提供一種光刻投影設備，包括襯底臺，所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中，以便在所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間限定間隙；測量機構，所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小；禾口間隙減小機構，所述間隙減小機構配置用以基于所述測量機構的測量結果來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的邊緣之間的間隙。提供一種包括上述光刻投影設備的光刻工具。本發(fā)明還提供一種浸沒式光刻設備或量測設備中平襯底的邊緣的三維輪廓化的方法，所述方法包括測量所述襯底的平面內和垂直于所述襯底的平面的方向上的所述襯底的物理性質。提供一種用于量測工具或光刻投影設備的設備，所述設備包括預對準器，所述預對準器包括配置用以測量平襯底的邊緣的物理性質的測量機構，以便確定所述邊緣的三維輪廓。本發(fā)明還提供一種用于量測工具或光刻投影設備的設備，所述設備包括襯底臺，所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中，以便限定所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和測量機構，所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小，所述測量機構配置用以測量所述襯底的邊緣的物理性質以便確定所述邊緣的三維輪廓。下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實施例進行描述，其中示意性附圖中相應的標記表示相應的部件，在附圖中圖1示出根據本發(fā)明實施例的光刻設備；圖2和圖3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統(tǒng)；圖4示出用在光刻投影設備中的另一液體供給系統(tǒng)；圖5示出用在光刻投影設備中的還一液體供給系統(tǒng)；圖6示意地示出根據本發(fā)明實施例的流體處理系統(tǒng)的剖視圖；圖7示出根據本發(fā)明實施例的襯底臺的平面圖；圖8示出根據本發(fā)明實施例的浸沒系統(tǒng)；圖9示出一種類型氣泡形成過程的示意性側視圖；圖10和圖11示出在襯底和襯底臺之間的間隙內的環(huán)的示例；圖12示出根據本發(fā)明實施例的方法的流程圖；圖13示出根據本發(fā)明實施例的方法的流程圖；圖14、15以及16示出根據本發(fā)明實施例的環(huán)的閉合的布置的實施例；以及圖17、18、19以及20示出根據本發(fā)明的實施例的環(huán)的實施例。具體實施例方式圖1示意地示出了根據本發(fā)明的一個實施例的光刻設備。所述光刻設備包括-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；_襯底臺(例如晶片臺或襯底臺)WT，其構造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統(tǒng)”應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里任何使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設備可以是分立的實體(例如當該源SO為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO考慮成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。類似于所述源S0，照射器IL可以或不可以被考慮成形成所述光刻設備的一部分。例如，照射器IL可以是光刻設備的組成部分，或可以是與光刻設備的分立實體。在后一種情況下，光刻設備可以配置用于允許照射器IL安裝在其上?？蛇x地，照射器IL是可拆卸的，并可以是以單獨提供的(例如，通過光刻設備制造商或其他供應商提供)。所述輻射束B入射到保持在支撐結構(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現支撐結構MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結構MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對準標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺镜脑O備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將支撐結構MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束B的整個圖案一次投影到目標部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結構MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結構MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結構MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。用于在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成至少兩種主要類別。它們是1)浴器型(或浸入型)布置，在這種類型的布置中基本上整個襯底W和可選的一部分襯底臺WT浸入到液體中(例如在浴器中或在液體膜下)；和2)所謂的局部浸沒系統(tǒng)，這種系統(tǒng)采用僅將液體提供到襯底的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng)。在后一種類別中，液體所填充的空間在平面視圖中小于襯底的頂部表面。在襯底W在所述空間下面移動的同時，所述空間內覆蓋襯底的液體體積體相對于投影系統(tǒng)PS基本上保持靜止。本發(fā)明實施例涉及的另一種布置是全浸濕方案，其中液體是不受限制的。在這種布置中，襯底的基本上整個頂部表面和襯底臺的全部或一部分被浸沒液體覆蓋。用于至少覆蓋襯底的液體的深度小。所述液體可以是位于襯底上的液體膜，例如位于襯底上的液體薄膜。圖2-5中的任何液體供給裝置都可以用于這種系統(tǒng)。然而，在液體供給裝置中，密封特征并不存在，不起作用，不如正常狀態(tài)那樣有效，或者以其它方式不能有效地僅將液體密封在局部區(qū)域。圖2-5中示出了四種不同類型的液體局部供給系統(tǒng)。以上描述了圖2-4中公開的液體供給系統(tǒng)。圖5中示出了液體局部供給系統(tǒng)或具有阻擋構件的流體處理結構或流體限制結構12，其沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺WT或襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸(值得注意的是，如果沒有相反的說明，這里提到的襯底W的表面還可以可選地或附加地表示襯底臺的表面)。盡管可以在Z方向上存在一些相對移動(在光軸的方向上)，但是流體限制結構12相對于投影系統(tǒng)在XY平面內基本上是靜止的。在一實施例中，在流體限制結構和襯底W的表面之間形成密封，并且所述密封可以是非接觸密封，例如氣體密封或流體密封。所述流體限制結構12至少部分地將液體包含在所述投影系統(tǒng)PS的最終元件和所述襯底W之間的空間11內。對襯底W的非接觸密封16可以圍繞所述投影系統(tǒng)的像場形成，使得液體被限制在襯底W的表面和所述投影系統(tǒng)PS的最終元件之間的空間內。所述空間至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面并圍繞投影系統(tǒng)PS的所述最終元件的流體限制結構12所形成。液體通過液體入口13被引入到投影系統(tǒng)PS下面的所述空間11和流體限制結構12內。液體可以通過液體出口13去除。流體限制結構12可以延伸略微超過投影系統(tǒng)PS的最終元件上方。液面高于最終元件，使得提供液體的緩沖。在一實施例中，流體限制結構12具有內周，所述內周在上端處與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀接近一致，并且可以是例如圓形的。在底端，所述內周與像場的形狀接近一致，例如矩形，但這不是必需的。液體通過在使用過程中形成在流體限制結構12的底部和襯底W的表面之間的氣體密封16而被限制在空間11中。氣體密封16由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在實施例中是通過氮氣或其他惰性氣體形成。氣體密封16中的氣體在壓力下通過入口15提供到流體限制結構12和襯底W之間的間隙。氣體通過出口14被抽取。在氣體入口15上的過壓、出口14上的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得存在向內的、限制所述液體的高速氣流。氣體作用在流體限制結構12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11中。入口/出口可以是圍繞空間11的環(huán)形槽。環(huán)形槽可以是連續(xù)的或非連續(xù)的。氣流16有效地將液體限制在空間11中。這樣的系統(tǒng)在美國專利申請公開出版物No.US2004-0207824中公開。本發(fā)明的實施例可以應用于用于浸沒設備中的任何類型的流體處理系統(tǒng)中。圖5中的示例是所謂的局部區(qū)域布置，其中液體在任何一次僅提供到襯底W的頂部表面的局部區(qū)域。其他的布置也是可以的，包括使用如例如在美國專利申請出版物第US2006-0038968號中公開的單相抽取器(不管其是否以兩相模式工作)的流體處理系統(tǒng)。在一實施例中，單相抽取器可以包括入口，所述入口由多孔材料覆蓋，所述多孔材料用于將液體與氣體隔離開以實現單液相的液體抽取。在多孔材料下游的腔被保持在小的負壓下并且填充有液體。在所述腔內的負壓使得形成在所述多孔材料的孔中的彎液面阻止周圍的氣體被抽入到所述腔中。然而，當所述多孔表面與液體接觸時，沒有彎液面限制流動并且液體可以自由地流入到所述腔中。所述多孔材料具有大量的小孔，例如直徑在5-50μm范圍的孔。在一實施例中，所述多孔材料至少是稍微親液性的(例如親水性的)，即與浸沒液體(例如水)具有小于90°的接觸角。在一實施例中，液體處理系統(tǒng)可以具有由多孔構件所覆蓋的開口(例如出口)。另一種可能的布置通過抽取兩相流體工作并且可以稱為氣體拖曳原理。所謂的氣體拖曳原理已經在例如2008年5月8日遞交的美國專利申請出版物第US2008-0212046和美國專利申請出版物第US61/071621號中描述。在所述系統(tǒng)中，抽取孔期望以具有角的形狀的形式布置。所述角可以與步進和掃描方向對準。相比于兩個出口與掃描方向垂直對準的情況，對于在步進或掃描方向上的給定速度，這減小了作用在流體處理結構的表面上兩個開口之間的彎液面上的力。本發(fā)明的實施例可以應用到用于全浸濕設備中的流體處理結構。在全浸濕實施例中，例如通過允許液體從將液體限制在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的限制結構中泄漏出來，允許流體覆蓋襯底臺的基本上整個頂表面。全浸濕實施例的流體處理結構的一個示例可以在2008年9月2日遞交的美國專利申請第US61/136，380中找到。圖6示意性地示出流體處理系統(tǒng)12的剖視圖。流體處理系統(tǒng)12至少部分地將浸沒液體限制到在投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的浸沒空間11中。流體處理系統(tǒng)12可以將液體提供到浸沒空間11中。然而，為了簡化的目的，未示出將液體供給到浸沒空間11和/或將液體從浸沒空間11移除的開口(例如，入口和/或出口)。開口可以具有任何適合的類型和配置，例如參考此處描述的單相提取器、多孔板、氣體拖曳(gas-drag)和全潤濕實施例所描述的那些示例。如果流體處理系統(tǒng)12是用于將浸沒液體限制到局部區(qū)域上的類型，那么一個或更多個密封特征20可以出現在流體限制結構12的底表面22上。密封特征20可以是例如氣體密封、氣刀、液體抽取和/或彎液面釘扎特征的任何類型。彎液面釘扎特征可以具有被配置以固定液體彎液面的點。在使用過程中，底表面22面向襯底和/或襯底臺WT。底表面22可以大致平行于襯底臺WT和/或襯底W的頂表面。密封特征20可以不出現或可以較低效或可以不起作用，例如在全潤濕實施例中。至少一個開口30出現在流體處理系統(tǒng)12中。開口30被配置以在使用中向襯底臺WT或襯底W引導流體流。開口30用于沿箭頭35的方向提供液體。開口30可以被配置和定位到流體處理結構的表面上，以沿大致垂直于襯底臺和/或襯底的頂表面的方向引導液體流?？梢詫㈤_口限定到表面22中，該表面22可以大致平行于襯底臺WT和/或襯底W的頂表面。可以在流體處理系統(tǒng)12在襯底W的邊緣和襯底臺WT之間的間隙40(或G)(例如，間隙40或G在流體處理系統(tǒng)12下面移動和/或流體處理系統(tǒng)12在間隙40或G上方移動)上移動時，形成氣泡。沿方向35提供從出口30流出的流體可能有利于當流體處理系統(tǒng)12越過間隙40(或G)時防止氣泡形成。由于許多原因氣泡可能出現在浸沒液體中。例如，可能由在浸沒空間填充有液體時殘留在浸沒空間中的氣體(即，當用液體替代之前處于浸沒空間中的剩余氣體時殘留的氣體)來形成氣泡。在另外的例子中，在襯底穿過液體限制結構所花費的時間(即在單一的掃描運動)內，例如污染物或顆粒等宏觀特征可能阻止填充浸沒空間。這可能導致在浸沒空間中俘獲氣體。液體和被俘獲的氣體體積體之間形成的彎液面的表面張力將所俘獲的氣體體積體拖拉成浸沒液體中的氣泡形狀。如果氣泡的浮力超過將氣體氣泡保持到限定浸沒空間的表面上的表面張力，那么氣泡可能漂浮到被投影的輻射的體積體中?？商娲鼗蛄硗獾?，即使在浸沒空間被浸沒到液體中時，在浸沒空間的表面中出現的間隙或孔(尤其是如果間隙具有適合的大小)可以作為保持氣體的氣泡的阱。例如這樣的間隙或孔可以出現在襯底臺的表面中、在襯底的邊緣周圍。間隙或孔可以可替代地或另外地在襯底臺上的另一物體的周圍。間隙或孔可以可替代地或另外地位于襯底臺和另一結構之間，所述另一結構例如是交換橋(該交換橋在襯底臺之間交換襯底)、封閉盤、光刻設備或量測設備的另一部分或光刻處理工具(例如，試圖在曝光前和曝光后顯影期間于各個時間支撐襯底的焙烤板或其它結構)的另一部分。粗糙表面還可以例如通過毛細作用、但在微觀尺度上防止填充浸沒空間。浸沒液體接觸粗糙表面的突起，但其可能不能完全潤濕表面的輪廓。表面的粗糙程度與由表面張力引起的力成比例，因此氣體氣泡可以更容易地被俘獲到這樣的表面上，例如在粗糙表面的突起附近。穿過粗糙表面的液體體積體的“有效接觸角”(例如當液體的主體相對于表面超前時的有效動態(tài)接觸角)比穿過平滑表面時的液體體積體的“有效接觸角”變化更大。因此，在接觸角減小的位置處更可能俘獲氣體，即，在遇到突起的近端部分之前，粗糙表面上的突起的遠端部分遇到超前的液體體積體的“前部”的位置處。這樣，可以在突起的上游近端部分處俘獲氣體的體積體。由于溫度或能量或其它因素的變化，可能自發(fā)地形成氣泡?？商娲鼗蛄硗獾?，如果系統(tǒng)的壓力下降(例如，隨著溫度下降而下降)，氣體(例如，空氣)可被吸入到系統(tǒng)中。在襯底的表面上使用的抗蝕劑、頂涂層或其它化學物可能與浸沒液體或輻射或者上述兩者發(fā)生反應(例如，導致起泡沫)，引起能量狀態(tài)的改變，其可被探測作為溫度的變化。由此，氣體氣泡可被化學地形成。在圖5至8中顯示出氣體可能不被液體替換的例子。在襯底W和襯底臺WT之間，可能存在間隙G(或40)，在間隙在液體限制結構12下方穿過時該間隙G(或40)填充液體11。流體流源15、20或30(例如氣刀)可以朝與襯底和襯底臺共平面的表面引導流體流(例如氣體流)。由流體流源引起的流體流(例如流體流35)用于清潔液體限制結構12的液體路徑。液體可以呈液滴D或液體薄膜的形式。對液滴的下述的描述所涉及的內容包括對液體薄膜所涉及的內容。可替代地或另外地，流體源可以供給來自液體限制結構中的開口的液體流，以在液體限制結構的底表面和相對的表面(即襯底W或襯底臺WT)之間供給液體。在被液體填充的間隙G在流體流源15、20或30(例如氣刀)的下方穿過時，液滴D可能如圖8所示從間隙G噴射出。液滴D可能降落到襯底W和/或襯底臺WT的表面上。依賴于液滴D所降落的表面和液滴D的液體之間的相對接觸角(或，換句話說，液滴D所降落的表面W、WT的親液(例如親水)或疏液(例如疏水)的性質)，液滴D的表面與表面W、WT形成了更大或更小的靜態(tài)接觸角。圖9顯示出超前的液體前部F。超前的液體前部F表示在液體限制結構12的底表面和襯底W和/或襯底臺WT的表面之間形成的彎液面。(除非有相反的表示，對襯底W的貫穿本說明書剩余部分涉及的內容另外地或可替代地被理解成適用于襯底臺WT。)圖9示出示意圖，因為前部F被顯示為直線，其中它將通常具有依賴于多個因素的曲線。示意圖顯示出彎液面的大致角度，而沒有考慮之間形成了彎液面的表面附近的彎液面的特定行為。所述前部還與襯底W的表面成一角度，因為襯底W的表面相對于液體前部橫向地行進(箭頭表示襯底W和支撐襯底W的襯底臺WT的行進的方向)。圖9顯示出液體前部F和液滴D的相對位置。液體前部F和液滴D可以接觸和可以碰撞。碰撞的結果可以是，氣體被包含在浸沒液體11中，作為氣泡B。氣泡的形成可以是一個或更多個參數的結果，其可能超過或低于相關的閾值，以導致形成氣泡B。適合的參數可以是前部F和液滴D的相遇的彎液面之間的相對角度、前部F和液滴D的表面之間的相對速度、和/或由液滴D與前部F的碰撞導致的力。一旦處于浸沒液體11中，氣泡B可以移動穿過浸沒空間。氣泡可以通過移動穿過浸沒液體來移動穿過浸沒空間，即它可以漂??；或被定位到限定浸沒空間的表面上，例如液體限制結構12、投影系統(tǒng)PL、襯底W或襯底臺WT；或被定位到浸沒空間和表面的組合中。隨著氣泡移動穿過浸沒空間，它可以進入到圖案化的束的路徑中，并且因此可以在所投影的圖案上導致缺陷。這樣的氣泡可以由在液體限制結構12的下方穿過的凹陷來形成。如之前指出的，這樣的凹陷可以被定義為在襯底臺WT和襯底W之間的間隙。凹陷可以是傳感器(例如，圖7中顯示的透射圖像傳感器TIS)的表面中的間隙或在封閉構件(例如封閉板)上或其周圍的間隙，用于限制(例如密封)浸沒空間中的浸沒液體，同時例如將不同的襯底放置到液體限制結構的下方。這種不同的襯底的放置可以稱作為襯底交換，襯底支撐結構可以是交換橋。之后氣泡可能從表面上分離并漂浮在浸沒液體中。氣泡可能甚至向上漂浮到投影系統(tǒng)的最終光學元件上。因此，氣泡可能影響所投影的圖案的品質。在浸沒液體中形成氣泡可以首先通過防止氣泡形成來解決。這可通過減小表面的數量和在空間被浸沒到液體中時可以俘獲氣體氣泡的每個表面的面積大小來實現。這可以通過在襯底臺中減小間隙的數量或甚至移除所有間隙來實現。間隙可能出現在位于凹陷中的物體之間，例如孔，其被限定在如上所述的襯底臺WT中。在間隙已經在流體流源(例如氣刀15)下方穿過之后，浸沒液體可以逸出或從間隙被抽取出。期望襯底大致(幾乎)干燥，或更期望完全干燥。已經與例如襯底W接觸的浸沒液體可能從襯底w吸收熱量。可以減小襯底W的溫度，至少在與液滴D接觸的區(qū)域中。減小襯底的一部分的溫度(特別是襯底W的周邊(例如圓周))可以導致跨越襯底表面的溫度梯度。這樣的溫度梯度可以導致襯底的膨脹或收縮變化。襯底W的可變化地膨脹的或收縮的表面部分可以導致襯底的不期望的扭曲。這可能是重疊誤差的一個來源。在美國專利申請公開出版物No.US2006/0119818和歐洲專利申請公開出版物No.EP1713113中對使得間隙盡可能小、以用于避免氣泡或由殘留的液體引起的襯底上的冷卻作用的原理應用進行了討論。在PCT專利申請公開出版物No.WO2005/010611中對用具有包括窗口的蓋體來覆蓋傳感器的想法進行討論。在美國專利No.US7，230，681中建議了另外的應用，其描述了一種“位于溝槽(襯底周圍)內的中空的可充放氣的環(huán)形囊(hollowtoroidalinflatableanddeflatablebladderpositionedwithinthegroove[aroundthesubstrate])，，。對在襯底周圍白勺環(huán)形囊進行充氣的問題是所述囊將被充氣，直到它到達其最大尺寸(其可能對填充溝槽來說不是足夠大)或它接觸襯底的外邊緣為止。在襯底的外邊緣上的被充氣的囊的壓力可能足以導致襯底邊緣翹曲。在將圖案化的輻射束投影到靠近其邊緣的襯底的表面上時，所述翹曲(例如變形)可能導致聚焦問題。在美國專利申請公開出版物No.US2007-0188731中對“一種具有連接到以大致圓形的配置來布置以便包圍晶片的可移動支撐部的可變形的0形環(huán)的0形環(huán)組件(an0—ringassemblyhavingadeformable0—ringattachedtomovablesupportsectionsarrangedinagenerallycircularconfigurationsoastosurroundthewafer)”行了描述。在本文件中0形環(huán)可以通過使用一個或更多個可移動的支撐部來操縱。再者，0形環(huán)的內邊緣試圖與襯底(或晶片)的外邊緣“接合”，以便“有效地延展晶片的外表面”。如上文所述，將壓力施加到襯底的邊緣上的潛在的問題沒有完全解決。本文建議具有偶數個可移動的支撐部，使得所述支撐部是成對的，所述成對的支撐部彼此相互獨立地移動。這樣，試圖將晶片自身相對于所述支撐部居中，從而努力最小化變形的風險。然而，如果襯底為了不發(fā)生變形而使自身相對于可移動的支撐部居中，那么潛在地該襯底將不再與量測設備或曝光設備對準，且對準或圖案化的輻射可能未被引導到襯底的正確的部分上。圖7是襯底臺WT的一部分的平面視圖。物體可以設置在被限定在襯底臺WT中的凹陷中或襯底臺WT的表面上。這樣的物體可以是襯底W、傳感器TIS、清潔站(未顯示)、封閉盤(未顯示)和/或用于之前提及的物體中的至少一個的覆蓋板。每個物體通常位于相關的凹陷或凹口中。凹陷試圖用于與其相關的物體。凹陷可以具有邊緣E。例如可以在襯底臺WT中由襯底保持裝置(未顯示)來支撐襯底W。在每個物體和相關聯(lián)的凹陷的邊緣之間設置間隙G的原因是物體是可以可移除的。期望物體可以容易地從其相關聯(lián)的凹陷移除。物體可以在移除之后被更換。為了使在襯底臺中或襯底臺上的物體容易移除和/或交換，使用特定的容許度。在一實施例中，標準容許度可以是300i!m的量級。為了減少氣泡形成，間隙被減小到標準容許度的一小份。減小間隙的一種方式包括步驟減小用以容納物體的所形成的面積大小。然而僅通過降低容許度來減小間隙不允許在物體使用壽命期間物體(例如襯底)的橫截面尺寸(例如直徑)變化。物體的尺寸可以在其使用壽命期間例如由于處理發(fā)生變化(例如收縮或膨脹)。例如，襯底的尺寸在其使用壽命期間可以改變，因為處理步驟(例如晶邊去除(edgebeadremoval))可以被應用以改變(例如移除)襯底的至少一部分。在襯底的尺寸處于其最大尺寸(例如對于其第一次使用)時容許度的減小可以實現氣泡形成的風險的最佳減少。在連續(xù)的處理之后，襯底的尺寸可能減小，導致有效容許度隨著處理步驟增大，從而增加了氣泡形成的風險。涉及直接接觸物體的邊緣以便封閉間隙的方案可以導致熱量轉移，例如從物體移除熱能。這種熱量轉移的結果是物體變形，例如彎曲或卷曲。接觸物體的邊緣可以將壓力施加到邊緣上。壓力可以導致物體變形。另外地或可替代地，由于在物體邊緣上的壓力，變形可以使物體偏離完美平坦性。例如這可以引起物體照射上的聚焦問題。如圖10-20所示，本發(fā)明的實施例使用系統(tǒng)來減小間隙G的作用。請注意，在下文中對與襯底W相關的間隙所涉及的內容(和與此相關的襯底W所涉及的內容)更通常地是指與在使用中被支撐到襯底臺上的物體相關聯(lián)的間隙(和與其相關的物體本身)，除非有另外的清楚的表述。一個實施例使用間隙減小機構，其可以是控制器和致動器，以在由襯底臺的表面中的邊緣限定的空間內影響物體的運動?？商娲鼗蛄硗獾?，間隙減小機構可以包括邊緣構件，該邊緣構件填充間隙，并被放置在間隙中的適當位置上以及通過使用控制器和關于間隙和/或關于物體的尺寸和形狀的信息來操縱，以包圍物體。本發(fā)明的一個實施例的期望的特征是在預對準器或預對準系統(tǒng)(也稱作為“晶片處理器”)WH中的襯底的測量。所述測量可以是在襯底被定位到襯底臺WT上之前進行。襯底W的測量可以涉及測量以下參數中的一個或更多個襯底的平均橫截面尺寸(例如直徑)；從襯底的邊緣到襯底的不移動的中心的平均距離(例如半徑)；在襯底的周邊范圍上的這樣的尺寸或距離的變化；或襯底邊緣相對于默認襯底或模型襯底的位置的測量；或襯底的形狀。測量襯底W的目的是至少以改善的精度來確定襯底的邊緣的位置。這使得襯底能夠被定位到襯底臺WT上。襯底邊緣的定位可以是相對于襯底臺WT的邊緣的，襯底W邊緣借助于襯底臺WT的邊緣，限定了襯底臺和襯底之間的間隙G。可替代地或另外地，可以測量襯底W的形狀，以便確定從襯底的中心到襯底的邊緣的距離的變化。對于襯底相對于襯底臺的精確的定位來說，在間隙G處的襯底臺的邊緣可以在將襯底定位到襯底臺上之前被測量。借助于襯底保持裝置，可以將襯底支撐到襯底臺上。襯底保持裝置可以簡單地是限定在襯底臺中的凹口。襯底保持裝置可以是具有一個或更多個真空出口的襯底形狀的表面，以將襯底保持在適當的位置上，或者是能夠在適當的位置將襯底保持(例如支撐)到襯底臺上或襯底臺中的任何特征。襯底保持裝置通常具有在襯底周圍的凹槽或間隙G，以允許例如定位襯底使其與量測或曝光工具對準，如上文所討論的。圖10和11顯示出在襯底臺WT的表面中的凹口中包含襯底W的襯底臺WT。圍繞襯底w的襯底臺WT中的凹口的一部分稱作為間隙G。正是在該間隙G中，氣泡可能根據其它部分描述的方法形成。為了使得這個間隙盡可能地小，或者襯底W可以被定位以使得間隙G被最小化，或者邊緣構件BR可以如下文所描述的來使用?？梢栽诶缌繙y裝置或曝光裝置等裝置此時所位于的襯底臺的位置處出現間隙的最小化?？梢砸苿右r底，使得依賴于裝置的相對位置在凹口內的不同位置處最小化間隙。可替代地或另外地，邊緣構件BR可以被插入到間隙G中。將在下文對邊緣構件的多個實施例進行描述。圖10和11還顯示出一種類型的傳感器的例子，該傳感器可以被包含在襯底臺WT中。傳感器80可以被定位在襯底臺WT中的間隙G中或定位在襯底臺WT的凹口中的其它位置上，使得它可以測量襯底W的邊緣。之后，襯底邊緣的測量可被饋送到控制器上，該控制器將控制襯底W或邊緣構件BR的運動。參考圖12對在襯底臺WT中具有傳感器的一種變形實施方式進行了描述。具體地，在一個實施例中，傳感器80不必定在襯底臺中，但一定在預對準器(PA)WH(盡管傳感器也可以在襯底臺中)中。預對準器WH在襯底W已經測量了物理性質(例如其半徑)的位置處。所得到的已測量的物理性質(例如直徑或直徑的范圍(如果襯底不是完美的圓的話))之后被發(fā)送到與襯底臺WT相關的或在襯底臺WT中的間隙減小系統(tǒng)上。在下文對間隙減小系統(tǒng)進行討論。已經被測量的襯底被裝載到襯底臺WT上。間隙減小系統(tǒng)可以具有邊緣構件，所述邊緣構件在間隙G處形成襯底臺的邊緣。邊緣構件可以呈已知的氣泡抽取系統(tǒng)(BES)環(huán)的環(huán)形?？梢栽谝r底W的周邊(即如果襯底是大致圓形，則為圓周)周圍引入邊緣構件。可以操縱邊緣構件，使得它盡可能減小襯底臺的表面的邊緣和襯底邊緣之間的間隙。可將邊緣構件夾持到合適位置上。可以測量襯底W的例如對準和重疊等特性。襯底W和襯底臺WT可以通過投影系統(tǒng)PS移動到用于曝光的位置(曝光位置)上。圖12顯示出各種與軟件相關的動作和硬件動作。用在圖12上的點線箭頭顯示與軟件相關的動作。用圖12上的實線箭頭顯示硬件動作。根據軟件操作的控制器能夠使由控制器操作的傳感器測量襯底邊緣。借助測量數據，控制器計算襯底的邊緣性質的參數，例如其直徑?？刂破靼l(fā)送參數數據到控制襯底臺的控制器上?？刂埔r底臺的控制器可以啟動對邊緣構件的定位和操縱，以如其它部分所描述的最有效地填充間隙G，也就是，填充間隙至足以幫助防止形成氣泡，同時基本上防止襯底變形。有以下幾種方式可以在預對準器中測量襯底的邊緣。測量襯底的邊緣的一種方式是在預對準器中具有圍繞襯底的一系列(或陣列)傳感器或可移動的傳感器。這種傳感器或一系列傳感器可以測量從傳感器的已知的位置到襯底的邊緣的距離。以這種方式，測量襯底的邊緣的相對位置?？梢蕴娲鼗蛄硗獾兀瑱z測器可以檢測從襯底的頂表面反射的輻射。這樣的檢測器可以測量在任何方向上離襯底的中心的距離為多大。以同樣的方式，可以確定襯底的形狀?？商娲鼗蛄硗獾?，襯底的物理性質信息可以從照片或其它傳感器或檢測器結構確定?？梢垣@得襯底邊緣的輪廓。輪廓可以位于x和y坐標中，以獲得在襯底平面中的襯底邊緣的輪廓?？蛇x擇地，可以獲得Z坐標，以獲得襯底的三維輪廓。襯底邊緣在Z軸線上具有位移是至關重要的，因為其引入了在襯底和其上支撐襯底的襯底臺之間引入高度臺階。高度臺階可能是氣泡包含物的來源。因此檢測在Z軸線以及X和y軸線上的邊緣輪廓可能是有用的。為對準目的可能出現在襯底W上的凹口、標記或槽口還可以用作測量襯底邊緣的標記。知道襯底的直徑(例如)對于減小襯底周圍的間隙來說是有用的。然而，知道這樣的襯底尺寸隨時間的變化可能甚至是更有用的。為了能夠測量變化，標記是有用的。這種標記可以是上述的凹口、標記或槽口。標記可以具有相對于襯底的特定(例如預定的)位置，例如在襯底W上。使用在上述的預對準器WH中、在襯底臺WT中的凹口中、或在邊緣構件上的傳感器80，可能進行襯底邊緣測量。上述其它部分提及的任何測量(例如半徑、半徑變化、形狀或輪廓)可以在這些位置中的任何位置上進行測量。并非使邊緣傳感器出現在預對準器中(或除此之外)，邊緣傳感器還可以是檢測襯底的在邊緣構件自身中的傳感器。邊緣構件可以在多個位置上具有傳感器。所述位置可以是固定的。所述位置可以是在間隙的周邊附近。因此邊緣構件的控制器可以執(zhí)行邊緣構件的尺寸測量和調整。可替代地或另外地，可以將傳感器放置在襯底臺中以測量已經定位的襯底。傳感器可以在間隙的外邊緣(即，在如圖10和11所顯示的襯底臺中的內邊緣或襯底保持空間中)中，或者在襯底臺上或中的其它位置上。根據一個實施例，傳感器可以位于分離的獨立的裝置中。除了測量襯底自身之外或可替代地，可以使用傳感器來測量圍繞襯底W的間隙G。圖13示出與圖12的流程圖相類似的流程圖，但具有在襯底臺中進行間隙感測的步驟。在直接測量間隙的實施例中，這被期望在襯底臺中進行，因為期望最小化間隙。在圖13中，不是在預對準器WH中測量襯底的直徑和將這種信息用于控制襯底臺WT上的間隙G，而是在襯底臺WT中直接測量間隙G。剩余的硬件動作與圖12中的實施例中的相同。例如，測量間隙G的寬度引發(fā)了這樣的測量，該測量可以被控制器理解(interpret)，以根據測量直接定位或操縱邊緣構件BR。例如，如果測量了特定寬度的間隙，那么可以預設邊緣構件BR以具有同樣或略小的寬度(如果襯底未與邊緣構件BR接觸)。測量間隙而不測量襯底邊緣(或也測量襯底邊緣)的優(yōu)點是可以省略估計在襯底臺的邊緣和襯底的邊緣之間的距離的步驟，因為這個距離可以被直接計算。應用于直接測量間隙以及測量襯底的優(yōu)點是在發(fā)生變化時可以測量間隙大小上的變化(例如在襯底處理期間)。可以在光刻曝光設備的外面改變襯底的形狀或尺寸的變化。因此，當襯底在經過處理之后被再次引入到用于曝光的光刻設備中時，具有可調整的邊緣構件對于調整形狀或尺寸上的這些變化是有用的。之后可以布置控制邊緣構件的控制器上的直接反饋或輸入。隨著間隙寬度的變化，也可相應地改變邊緣構件的寬度。這可在間隙的測量和邊緣構件的寬度或位置的變化之間以少數步驟或計算被實時地完成。如在其它地方所提及的，可以以不同的方式來完成測量步驟。測量步驟是確定間隙G是多大的步驟。之后這一相同的步驟確定邊緣構件的形狀和尺寸或需要如何在襯底臺WT中的凹口中移動襯底W。測量步驟可以包括測量襯底的邊緣。可替代地或另外地，測量步驟可以包括測量間隙G自身的參數。這兩個測量步驟之間的差別是當直接測量間隙G時直接考慮了間隙的定位(例如相對于模型點或默認點)。當直接測量間隙時，還可以考慮邊緣構件BR的任何容許度或位置精度?？墒褂眠吘墭嫾械膫鞲衅鱽硗瓿砷g隙G自身的測量。測量可以是電容式的、使用三角測量、使用干涉儀、使用氣壓計等。在一個實施例中，可以使用水平傳感器。水平傳感器可以使用的方式是通過在多個位置(例如6或8個位置)處測量間隙G。之后將測量用于校準襯底位置。水平傳感器的工作方式是通過將光學信號以多個角度發(fā)送至反射表面(例如在襯底上)和捕獲傳感器中的被反射的光學信號。因此，可以測量襯底的表面的角度和粗糙度。在一個實施例中，在測量襯底W的邊緣的情況下，可以相對于襯底上的特征(例如標記)在預對準器WH中測量襯底W的邊緣。之后可以在襯底臺上使用這一相同的標記，以確定襯底相對于襯底臺和相對于由襯底的邊緣所進行的測量的相對位置。以這種方式，關于襯底的位置的信息還可用于主動地減小間隙。之后存在多種方式，其中邊緣構件可以被定位或操縱，以便減小邊緣構件和襯底的邊緣之間的間隙。期望具有關于襯底的邊緣位于其周邊周圍的數據，而不僅是平均值。這使得可以精確地將邊緣構件BR定位在襯底W的周邊周圍。對于此的原因是幫助防止邊緣構件接觸或按壓到襯底W的邊緣中，從而導致聚焦或對準誤差。另外，邊緣構件靠近襯底的邊緣精確地定位，對于防止在襯底邊緣周圍的間隙的寬度的變化是有用的。這可通過將可變形的環(huán)用作邊緣構件來實現。為可變形的環(huán)設想了至少兩個實施例。第一實施例具有由單個部件構成的環(huán)，第二實施例具有由多個部分構成的環(huán)。根據一個實施例，可以整體地驅動環(huán)。根據一個實施例，可以分離地驅動環(huán)的一個或更多個部分。在這種情形中，環(huán)可以是完整但可變形的環(huán)，或它可以由幾個獨立的部件構成。以這種方式，環(huán)的多個部分可以能夠適合于襯底的變化的形狀。邊緣構件可以由多個分離的可移動的部分構成?？商娲?，如其它地方所描述的，邊緣構件可以包括可偏心移動的環(huán)。在便于制造方面，在其周邊上具有開口的可變形的環(huán)最易于制造。在本文中的其它部分對這種類型的邊緣構件進行了描述。如在此處所使用，環(huán)不應當理解為必須是圓形。盡管環(huán)可以是圓形，但可替代地它可以具有例如多邊形、橢圓形等。雖然通常不期望使得邊緣構件接觸襯底W的邊緣，但是在一個實施例中，邊緣構件可以接觸襯底W的邊緣。如果邊緣構件接觸襯底W的邊緣，那么襯底和邊緣構件之間的間隙被有效地減小到零。大致沒有間隙G意味著氣泡不能夠在間隙G中形成。在間隙中形成氣泡的風險比襯底的變形的風險更嚴重的情況下，可能期望使得邊緣構件接觸襯底W的邊緣。另一方面，通常期望盡可能地最小化間隙G而仍然不接觸襯底邊緣。這在氣泡的潛在形成和襯底W的潛在變形之間達成平衡。在圖10、11和14至20中顯示出邊緣構件的各個可能的實施例。如圖10所示，例如呈BES環(huán)BR形式的邊緣構件被引入到襯底W的周邊周圍。這種邊緣構件BR在其周邊(例如圓周)上具有開口70。這種開口可以在開口70的范圍內開放或封閉，以便能夠使得邊緣構件BR精確裝配到間隙G內。因此期望邊緣構件BR是可變形的。邊緣構件BR可以是可主動變形的，使得可以在襯底的曝光/顯影期間基于襯底的橫截面尺寸(例如直徑)上的變化主動地調整其橫截面尺寸(例如直徑)?？梢赃x擇邊緣構件BR中的開口70的尺寸，使得在開口70被封閉成零間隔(zeros印aration)時，邊緣構件的橫截面尺寸對特定的間隙G是正確的。這可被提前測量。期望不完全封閉襯底W和邊緣構件BR之間的間隙，以便防止邊緣構件BR觸摸襯底W。這幫助避免關于襯底邊緣上的壓力在此處討論的問題中的一個或更多個。不過，襯底W和邊緣構件BR之間的間隙應當足夠小，以減小由氣泡和液體抽取引起的一個或更多個潛在問題。在邊緣構件BR在間隙中的適當位置上和其橫截面尺寸被減小(或增加)以使得它可以盡可能地填充間隙而期望地不接觸襯底時，液體限制系統(tǒng)可以在襯底和襯底臺的上方穿過。在這種情形中，浸沒空間填充有流體(例如液體)，期望充分地減小間隙G使得很少或沒有液體滲透到襯底W和邊緣構件BR之間的間隙G中。保持在襯底邊緣和邊緣構件BR之間的任何間隙G期望地足夠小，使得液體限制系統(tǒng)中的液體的表面張力保持位于間隙上方的彎液面和將液體保持在浸沒空間中且不是在間隙中。由于彎液面的強度，流體氣泡期望不能從間隙G釋放，該間隙G基本上被邊緣構件BR充滿。因此，不太可能產生氣泡。邊緣構件BR的橫截面尺寸可以使用多個方法中的任何一種來操縱或調整。例如，邊緣構件支撐系統(tǒng)可以包含在襯底臺WT中。邊緣構件支撐系統(tǒng)可以接收來自預對準器的橫截面尺寸信息。邊緣構件支撐系統(tǒng)可以之后為邊緣構件BR的多個部分中的每個部分的位置進行編程。當襯底W裝載到襯底臺WT上時，邊緣構件BR的每一部分可以被置于用于精確地減小襯底W和邊緣構件BR之間的間隙的被編程位置上。在圖14、15和16中的每個圖中示意性地顯示出另外的邊緣構件和相關的操縱方法。在這些圖中的每個中顯示的實施例包括如在圖10和11中的期望的可壓縮的邊緣構件BR。然而，開口70在這些實施例中不是簡單地保持打開，因為這將會在系統(tǒng)中引入可形成氣泡的孔或凹陷。一個實施例考慮了邊緣構件BR放置到間隙G中的位置中和邊緣構件BR的開口70不完全封閉的情形。例如，圖14顯示出代替開口70的撓性材料50，可利用的撓性材料50的尺寸范圍依賴于在定位邊緣構件之后余下的開口70的大小。圖15顯示出邊緣構件52的分離的部件，其可以依賴于邊緣構件BR的壓縮來插入。再者，如果邊緣構件BR用于略微不同尺寸的襯底W，那么各種邊緣構件部件52可以利用，以堵塞開口70。在液體限制系統(tǒng)12在開口70的上方穿過時，邊緣構件部件52可以幫助防止氣泡在否則將是孔(在開口70中)的裝置中形成。圖16顯示出其中邊緣構件交疊部54的端部的實施例。以這種方式，未在開口的這個位置處引入額外的間隙。邊緣構件BR是可變形的，使得交疊部54的環(huán)的端部可以被壓縮以防止在其周邊附近的邊緣構件的寬度上的變化。這防止間隙在襯底臺WT的凹陷中形成，其中邊緣構件BR不交疊。再者，如果間隙、凹陷或孔基本上被堵塞，那么幾乎沒有或沒有用于形成氣泡的空間。圖17、18、19和20每個顯示出邊緣構件的另外的實施例。圖17顯示出分段的邊緣構件BR。所述段可以彼此相對移動，使得所述段之間的間隙被減小或使得所述段甚至彼此重疊。一旦已經測量襯底，那么它被放置到襯底臺WT上的凹陷上或凹陷中。關于測量的19參數的信息被輸入到邊緣構件BR的控制器中?？刂破饔嬎忝總€段被定位的位置，以便最小化每個段和襯底邊緣的其相鄰的部分之間的間隙。一旦襯底處于適當位置上，那么邊緣構件BR中的每個段被單獨地移動到已計算的位置上。在襯底具有不均勻的周邊(例如其不是完美的圓)的情形中，這個實施例是有用的。這是因為段可被移動更靠近在襯底的部分上的襯底的中心，該襯底的部分比其它部分具有更小的從中心到邊緣的距離。圖18顯示出邊緣構件，其是有效的可偏心移動的邊緣構件EBR。并非被擠壓或改變其橫截面尺寸，邊緣構件BR相比較于襯底W被偏心地移動。偏心運動依賴于量測裝置、曝光裝置或其它裝置(例如，諸如氣刀等流體流裝置)的位置，其越過襯底的邊緣。使得邊緣構件EBR鄰近所述裝置越過的襯底邊緣的一部分，能夠幫助保護所述裝置和否則可能受浸沒液體中的氣泡的影響的流體限制系統(tǒng)。邊緣構件EBR和襯底W之間的間隙在該裝置在該點處起作用的位置處被最大程度地減小，使得在所述裝置穿過的點的下方具有最小的間隙。從而邊緣構件可以根據所述裝置的被編程的或感測的運動圍繞襯底周邊移動(通過致動器或由控制器控制的類似裝置)。使所述裝置起作用的位置的下方的間隙減小，能夠幫助最小化在該位置處出現氣泡的可能性。如果該裝置導致氣泡或可能被氣泡不利地影響，那么在該位置處減小氣泡的可能性是有利的。圖19顯示出單個可移動的段BRS，其是邊緣構件的弧形段。該段可以圍繞襯底的周邊移動，例如再次根據在襯底和襯底臺邊緣之間的間隙處或其附近的任何量測、曝光或其它裝置的感測的位置和/或在襯底和襯底臺邊緣之間的間隙處或附近的任何量測、曝光或其它裝置的特定(例如預定的)計時移動至位置BRS2?？筛鶕r底臺上方的裝置的位置使段BRS朝向襯底W靠近，和/或根據在襯底上方的裝置的位置使段BRS從襯底W靠近。段BRS和襯底W之間的間隙在所述裝置在該點起作用的位置處被最大程度地減小，使得在所述裝置穿過的位置處具有最小的間隙。從而所述段可以根據所述裝置的編程的或感測的運動圍繞襯底的周邊被移動(通過致動器或由控制器控制的類似的裝置)。使所述裝置起作用的位置的下方的間隙減小，能夠幫助最小化在該位置處的氣泡的可能性。如果裝置導致氣泡或可以被氣泡不利地影響，那么減小在該位置處的氣泡的可能性是有利的。圖20顯示出“可拉緊的(strainable)”邊緣構件BRS，為了接近襯底W的外部邊緣，在以可控制的方式插入或移除和允許襯底壓縮返回至合適位置上時，該“可拉緊的”邊緣構件BRS或者被伸展或出離襯底的路徑外被卷起?？商娲鼗蛄硗獾?，為了壓縮邊緣構件，可以施加力。在圖20中的框圖中顯示出截面A-A’。頂部的例子BRSA顯示出或者被伸展遠離襯底W或被壓縮朝向襯底W的邊緣構件。圖中下方的例子BRSB顯示出從襯底或朝向襯底有效地卷起的邊緣構件。一旦已經測量襯底，那么它被放置到襯底臺WT中的凹陷上或凹陷中。關于襯底的已測量的參數的信息被輸入到邊緣構件BRS的控制器中。控制器計算邊緣構件應當卷起或鋪展(或伸展或壓縮)多少量，以便減小邊緣構件和襯底邊緣的其相鄰部分之間的間隙。一旦襯底處于適當的位置上，那么邊緣構件BRS被鋪展或壓縮(例如其直徑是減小的，因為直徑必須較大以便允許襯底布置在凹陷內)至已計算的(或檢測的)位置上。這個實施例的優(yōu)點是整個間隙G可以輕易地被填充，因為最靠近襯底臺WT的邊緣的邊緣構件BRSB的外部邊緣是靜止的，不會有在最小化邊緣構件的橫截面尺寸的過程被無意間移動的風險。本領域技術人員將能夠考慮本發(fā)明公開的內容和想出基于襯底的外部邊緣的測量操縱邊緣構件的、落入到本發(fā)明的權利要求的保護范圍內的可替代的方式。雖然在本文中詳述了將光刻設備用于制造IC(集成電路)，但是應該理解到這里所述的光刻設備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他的應用，例如制造集成光學系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器、薄膜磁頭等。本領域技術人員應該認識到，在這種替代應用的情況中，可以將這里使用的任何術語“晶片”或“管芯”分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將所述公開內容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。這里使用的術語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下，術語“透鏡”可以表示不同類型的光學部件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學部件。盡管以上已經描述了本發(fā)明的具體實施例，但應該認識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的一個或更多個計算機程序的形式，或具有存儲其中的計算機程序的數據存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，所述機器可讀指令可以嵌入在兩個或更多個計算機程序中。所述兩個或更多個計算機程序可以存儲在一個或更多個不同的存儲器和/或數據存儲介質中。當通過位于光刻設備的至少一個部件內的一個或更多個計算機處理器讀取所述一個或更多個計算機程序時，這里提到的控制器是可以每個單獨地或結合地操作。所述控制器可以每個單獨地或結合地具有用于接收、處理以及發(fā)送信號的任何合適的配置。一個或更多個處理器配置成與所述控制器中的至少一個進行通信。例如，每一個控制器可以包括用于執(zhí)行包括用于上述方法的機器可讀指令的計算機程序的一個或更多個處理器。所述控制器可以包括用于存儲這種計算機程序的數據存儲介質和/或用以容納這種介質的硬件。因而，所述控制器可以根據一個或更多個計算機程序的所述機器可讀指令運行。本發(fā)明的一個或更多個實施例可以應用到任何浸沒式光刻設備，尤其但不限于上面提到的那些類型中，以及不論是否以浴器形式提供浸沒液體、不論是否僅提供浸沒液體到襯底局部表面區(qū)域上或不論是否浸沒液體是非限制性的。在非限制的布置中，浸沒液體可以溢出到襯底和/襯底臺的表面上，使得所述襯底和/或襯底臺的基本上整個未覆蓋的表面都被浸濕。在這種非限制浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng)可以不限制浸沒流體或可以提供一定比例的浸沒液體限制，但是不是基本上完全的浸沒液體限制。這里所述的液體供給系統(tǒng)應該廣義地進行解釋。在特定的實施例中，液體供給系統(tǒng)可以是機構或提供液體到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空間的結構的組合。液體供給系統(tǒng)可以包括一個或更多個結構、包括一個或更多個液體開口的一個或更多個流體開口、一個或更多個氣體開口或一個或更多個兩相流動的開口。所述開口中的每一個可以為進入浸沒空間的入口(或流出流體處理結構的開口)或流出浸沒空間的出口(進入流體處理結構的入口)。在一實施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。可選地，液體供給系統(tǒng)還包括用以控制液體的位置、數量、品質、形狀、流量或任何其他特征的一個或更多個元件。通過“光刻工具”或“光刻單元”，系統(tǒng)被理解為不僅包括曝光或用于曝光襯底的光刻投影設備(通過將圖案化的輻射投影到襯底上)，而且包括其他曝光前和曝光后設備，例如用于烘烤和/或顯影襯底(上的抗蝕劑)的設備。在一實施例中，提供一種減小浸沒式光刻設備中的襯底和襯底臺之間的間隙的方法。所述方法包括測量步驟和減小步驟。在測量步驟中，測量襯底的物理性質。在減小步驟中，減小限定在襯底邊緣和襯底臺表面邊緣之間的間隙。所述襯底臺支撐浸沒式光刻設備中的所述襯底?；谝r底的所測量的物理性質減小所述間隙。所述方法可以包括將襯底加載到預對準器上。所述方法可以包括步驟在預對準器中實施對襯底物理性質的測量。所述方法可以包括步驟將所測量的襯底的物理性質發(fā)送到與襯底臺相關的間隙減小機構。所述方法可以包括步驟將所述襯底加載到由所述襯底臺的表面內邊緣限定的空間中。所述方法可以包括步驟采用間隙減小機構，基于襯底的所測量的物理性質來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺表面的邊緣之間的間隙。所述測量襯底的物理性質的步驟可以包括檢測襯底的外邊緣以便確定襯底的橫截面尺寸。所述測量襯底的物理性質的步驟可以包括檢測襯底外邊緣相對于特定位置的位置。在一實施例中，所述特定位置是襯底上的標記。測量襯底的物理性質可以包括測量襯底的形狀。測量襯底的物理性質可以包括測量從襯底的中心到襯底邊緣的距離的范圍。在一實施例中，提供一種減小浸沒式光刻設備中的襯底和襯底臺之間的間隙的方法。所述方法包括測量步驟和減小步驟。在測量步驟中，測量限定在襯底邊緣和襯底臺表面的邊緣之間的間隙。在浸沒式光刻設備中所述襯底臺支撐所述襯底。在減小步驟中，基于所述測量結果減小所述間隙。所述方法可以包括加載步驟、執(zhí)行步驟以及減小步驟。在加載步驟中，所述襯底可以被加載到由襯底臺的表面的內邊緣限定的空間中。在執(zhí)行步驟中，可以執(zhí)行所述測量。在減小步驟中，可以基于測量結果采用間隙減小機構減小襯底邊緣和襯底臺表面的邊緣之間的間隙。減小所述間隙可以包括相對于襯底臺的表面邊緣定位所述襯底，使得襯底的邊緣和襯底臺的表面的邊緣之間的間隙被最小化。減小襯底和襯底臺之間的間隙可以包括將邊緣構件定位在所述間隙中。所述方法可以包括步驟一旦已經操縱邊緣構件，則將所述邊緣構件夾持到空間中。定位所述邊緣構件的步驟可以包括減小其內部橫截面尺寸到基本上與襯底的橫截面尺寸相同的大小。所述邊緣構件可以是可壓縮的。定位所述邊緣構件可以包括壓縮所述邊緣構件使得所述邊緣構件的橫截面尺寸被減小。所述邊緣構件可以包括多個弧形段，并且定位所述邊緣構件的步驟包括將所述多個弧形段朝向彼此移動以減小所述邊緣構件的中心和所述邊緣構件的邊緣之間的距離。所述邊緣構件可以包括基本上剛性的環(huán)。所述定位所述邊緣構件的步驟可以包括在與襯底相同的平面內偏心地移動所述邊緣構件，使得所述邊緣構件的一部分和襯底的一部分之間的間隙隨時間變化。所述邊緣構件可以包括弧形段。定位所述邊緣構件的步驟可以包括圍繞所述襯底的周邊移動所述段，使得所述段所鄰近的所述襯底邊緣部隨時間變化。所述邊緣構件可以包括不完整的環(huán)，所述不完整的環(huán)的兩個端部限定所述環(huán)中的開口。所述開口可以配置成當所述邊緣構件被壓縮時長度減小、以便減小所述邊緣構件的橫截面尺寸。所述邊緣構件的段可以是可移動的用以形成開口。所述邊緣構件的一部分可以由可壓縮的材料制成。所述定位所述邊緣構件的步驟可以包括在外圍壓縮邊緣構件的所述一部分，因此減小所述邊緣構件的橫截面尺寸。所述邊緣構件可以包括不完整的環(huán)形狀。所述不完整的環(huán)形狀可以在其周邊具有兩個端部。所述端部可以配置成在所述邊緣構件被壓縮以減小所述邊緣構件的橫截面尺寸時是交疊的。所述端部可以配置成在所述邊緣構件被壓縮以減小所述邊緣構件的橫截面尺寸時是相會合的。在一實施例中，提供一種器件制造方法。所述方法包括加載、測量、加載、減小以及曝光步驟。在所述加載步驟中，襯底可以被加載到預對準器。在所述測量步驟中，在預對準器處測量所述襯底的物理性質。在所述加載步驟中，來自所述預對準器的襯底被加載到所述襯底臺上。在所述減小步驟中，基于所測量的物理性質減小襯底邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙。在所述曝光步驟中，以圖案化的輻射曝光襯底。在至少所述襯底的曝光期間，所述間隙在浸沒液體下面移動。所述浸沒液體被限制在限定在投影系統(tǒng)、液體限制結構和與襯底和襯底臺共面的表面之間的空間內。所述表面包括襯底臺或所述襯底的表面。所述方法可以包括步驟將所述襯底的所測量的物理性質傳達給配置用以支撐所述襯底的襯底臺。在一實施例中，提供一種器件制造方法。所述方法包括加載、測量、減小以及曝光步驟。在加載步驟中，襯底被加載到由襯底臺的表面邊緣限定的空間中。在所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間限定間隙。在測量步驟中，測量所述襯底臺中的所述襯底的物理性質。測量所述間隙的大小。在減小步驟中，采用間隙減小機構減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙。所述間隙減小機構是基于所述襯底的所測量的物理性質和所述間隙的所測量的大小。在曝光步驟中，用圖案化輻射曝光所述襯底。所述預對準器可以配置成將關于所述襯底的所測量的物理性質的信息傳遞給所述間隙減小機構。所述間隙減小機構可以配置用以減小所述襯底邊緣和所述襯底臺邊緣之間的間隙，以便所述間隙被最小化。在一實施例中，提供一種光刻投影設備，包括預對準器、襯底臺以及間隙減小機構。所述預對準器包括測量機構，所述測量機構配置用以測量襯底的物理性質。所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由襯底臺表面的邊緣限定的空間中。間隙減小機構配置用以基于關于所述襯底的所測量的物理性質的信息來減小限定在襯底的邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙。光刻投影設備可以包括投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用以將圖案化的輻射束引導到襯底的目標部分。光刻設備可以包括液體限制結構，所述液體限制結構配置用以供給并且至少部分地將浸沒液體限制到限定在投影系統(tǒng)和與所述襯底和所述襯底臺共面的表面之間的空間中。所述表面可以包括襯底臺或襯底的表面。所述液體限制結構和/或所述襯底臺可以配置成相對于彼此移動，使得在所述間隙和所述液體限制結構之間存在相對位移。提供一種光刻投影設備，包括襯底臺、測量機構以及間隙減小機構。所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中，以便限定在襯底臺的表面邊緣和襯底邊緣之間的間隙。所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小。所述間隙減小機構配置用以基于所述測量機構的測量結果減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的邊緣之間的所述間隙。所述測量機構可以配置用以執(zhí)行這里所述的測量。所述間隙減小機構可以布置用以執(zhí)行這里所述的方法。在一實施例中，提供一種光刻工具，所述光刻工具包括這里所述的光刻投影設備。在一實施例中，提供一種在浸沒式光刻設備或量測設備中的平襯底的邊緣的三維輪廓化的方法。所述方法包括步驟測量襯底的平面內和垂直于襯底平面方向上的襯底的物理性質。在一實施例中，提供一種用于量測工具或光刻投影設備的設備。所述設備包括預對準器，所述預對準器包括測量機構。所述測量機構配置用以測量平襯底的邊緣的物理性質，以便確定所述邊緣的三維輪廓。所述預對準器可以配置用于測量所述襯底的平面內的物理性質。所述預對準器可以配置用以測量垂直于所述襯底的平面的方向上的物理性質。在一實施例中，提供一種用于量測工具或光刻投影設備的設備。所述設備包括襯底臺和機構。所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由襯底臺的表面的邊緣限定的空間中，以便在襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間限定間隙。所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小。所述測量機構配置用以測量所述襯底的邊緣的物理性質，以便確定所述邊緣的三維輪廓。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領域的技術人員應當理解，在不背離所附的權利要求的保護范圍的條件下，可以對本發(fā)明進行修改。權利要求一種減小浸沒式光刻設備中的襯底和襯底臺之間的間隙的方法，所述方法包括步驟測量所述襯底的物理性質；和減小限定在所述襯底的邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙，所述襯底臺將所述襯底支撐在所述浸沒式光刻設備中，所述間隙基于所述襯底的所測量的物理性質而被減小。2.根據權利要求1所述的方法，還包括步驟將所述襯底加載到預對準器上；和在所述預對準器中執(zhí)行所述襯底的所述物理性質的測量。3.根據權利要求1或2所述的方法，還包括步驟將所述襯底的所測量的物理性質發(fā)送到與所述襯底臺相關聯(lián)的間隙減小機構；將所述襯底加載到由所述襯底臺的表面的內邊緣所限定的空間中；和使用所述間隙減小機構，基于所述襯底的所測量的物理性質來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的所述間隙。4.根據前面權利要求中任一項所述的方法，其中測量所述襯底的所述物理性質的步驟包括檢測所述襯底的外邊緣相對于特定位置的位置。5.根據前面權利要求中任一項所述的方法，其中測量所述襯底的所述物理性質的步驟包括測量所述襯底的形狀。6.一種減小浸沒式光刻設備中襯底和襯底臺之間的間隙的方法，所述方法包括步驟測量限定在所述襯底的邊緣和襯底臺的表面邊緣之間的間隙，所述襯底臺將所述襯底支撐在所述浸沒式光刻設備中；和基于測量結果減小所述間隙。7.根據前面權利要求中任一項所述的方法，包括步驟將所述襯底加載到由所述襯底臺的表面的內邊緣限定的空間中；執(zhí)行所述測量；和使用間隙減小機構，基于所述測量結果來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙。8.根據前面權利要求中任一項所述的方法，其中減小所述間隙的步驟包括相對于所述襯底臺的表面邊緣定位所述襯底，使得所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的所述間隙被最小化。9.根據前面權利要求中任一項所述的方法，其中減小所述襯底和所述襯底臺之間的所述間隙的步驟包括將邊緣構件定位在所述間隙中。10.根據權利要求9所述的方法，還包括步驟一旦所述邊緣構件已經被操縱，則將所述邊緣構件夾持到適當位置中。11.根據權利要求9或10所述的方法，其中定位所述邊緣構件的步驟包括將其內側橫截面尺寸減小到基本上與所述襯底的橫截面尺寸相同的大小。12.根據權利要求9至11中任一項所述的方法，其中所述邊緣構件是可壓縮的，并且定位所述邊緣構件的步驟包括擠壓所述邊緣構件使得所述邊緣構件的橫截面尺寸被減小。13.一種器件制造方法，包括步驟將襯底加載到預對準器上；在所述預對準器處測量所述襯底的物理性質；將所述襯底從所述預對準器加載到所述襯底臺上；基于所測量的物理性質減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的表面邊緣之間的間隙；和用圖案化輻射曝光所述襯底。14.一種光刻投影設備，包括襯底臺，所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中，以便限定所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；測量機構，所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小；和間隙減小機構，所述間隙減小機構配置用以基于所述測量機構的測量結果來減小所述襯底的邊緣和所述襯底臺的邊緣之間的所述間隙。15.一種用于量測工具或光刻投影設備的設備，所述設備包括襯底臺，所述襯底臺配置用以將襯底支撐在由所述襯底臺的表面邊緣限定的空間中，以便限定所述襯底臺的表面邊緣和所述襯底的邊緣之間的間隙；和測量機構，所述測量機構配置用以測量所述襯底的物理性質和所述間隙的大小，所述測量機構配置用以測量所述襯底的邊緣的物理性質以便確定所述邊緣的三維輪廓。全文摘要本發(fā)明提供一種光刻設備和器件制造方法。在浸沒式光刻設備中，通過減小襯底臺上的間隙大小或區(qū)域面積，減小或防止在浸沒液體中的氣泡形成。間隙大小采用邊緣構件來減小，邊緣構件可以是例如熟知的BES(氣泡抽取系統(tǒng))環(huán)的環(huán)。關于襯底的形狀和/或橫截面尺寸(例如直徑)的信息，或關于間隙的大小的信息被傳送到控制邊緣構件的控制器，以便期望地，在不擠壓襯底的邊緣的情況下，例如將邊緣構件減小到適當尺寸以盡可能地減小間隙?？蛇x地或附加地，可以通過將襯底和/或邊緣構件移動鄰近所述襯底臺的表面邊緣來減小間隙。文檔編號G03F7/20GK101813891SQ20091025904公開日2010年8月25日申請日期2009年12月9日優(yōu)先權日2008年12月9日發(fā)明者M·霍本申請人:Asml荷蘭有限公司