專利名稱：用于液晶顯示設備的母基板及其制造方法
技術領域：
本申請涉及一種用于液晶顯示設備的母基板及制造該母基板的方法，尤其涉及一 種包括靜電釋放圖案的母基板及使用該母基板制造液晶顯示設備的方法。
背景技術：
液晶顯示(LCD)設備一般使用液晶層的液晶分子的光學各向異性和偏振特性產 生圖像。液晶分子具有細長形狀。由于光學各向異性特性，光的偏振隨液晶分子的取向方 向而變化。通過改變施加給液晶層的電場強度可控制液晶分子的取向方向。因此，一般的 LCD設備包括間隔開來且彼此面對的兩個基板以及夾在兩個基板之間的液晶層。兩個基板 中的每一個基板在面對兩個基板中的另一個基板的表面上都包括電極。給每個電極施加電 壓，以在電極之間激發(fā)電場。通過改變電場強度來控制液晶分子的排列以及光透過液晶層 的透射率。IXD設備是非發(fā)光型顯示設備，其使用光源，利用光透射率的變化來顯示圖像。在各種類型的LCD設備中，采用以矩陣結構布置的開關元件和像素電極的有源矩 陣LCD(AM-LCD)設備由于具有較高的分辨率和顯示運動圖像的出色適宜性而成為重要研 究和開發(fā)的主題。圖1是現(xiàn)有技術的液晶顯示設備的透視圖。如圖1中所示，現(xiàn)有技術的液晶顯示 (IXD)設備包括第一基板10、第二基板20和液晶層30。被稱作陣列基板的第一基板10包 括彼此交叉以確定像素區(qū)域P的柵線14和數(shù)據(jù)線16。像素電極18和作為開關元件的薄 膜晶體管(TFT)Tr位于每個像素區(qū)域P中。靠近柵極線14和數(shù)據(jù)線16的交叉點設置的 TFT Tr以矩陣形式設置在第一基板10上。被稱作濾色器基板的第二基板20包括包含紅 色(R)、綠色(G)和藍色(B)濾色器26a、26b和26c的濾色器層26，在紅色、綠色和藍色濾 色器26a、26b和26c之間的黑矩陣25，以及在濾色器層26和黑矩陣25上的公共電極28。盡管圖1中沒有示出，但第一和第二基板10和20用密封圖案粘結，以防止液晶層 30泄漏。此外，在第一基板10與液晶層30之間形成有第一取向層，在第二基板20與液晶 層30之間形成有第二取向層，以使液晶層30中的液晶分子沿初始取向方向排列。在第一 和第二基板10和20的至少一個的外表面上形成有偏振片。此外，設置在第一基板10下面的背光單元(沒有示出)提供光。用于使TFT Tr 導通的柵信號按順序供給到每條柵線14，并給像素區(qū)域P中的像素電極18施加數(shù)據(jù)線16 上的圖像信號。通過像素電極18與公共電極28之間產生的垂直電場來驅動液晶層30中 的液晶分子，以通過改變液晶分子的光透射率來顯示圖像。通過陣列基板工序、濾色器基板工序和盒工序完成IXD設備。在陣列基板工序中， 在第一基板10的每個像素區(qū)域P上形成像素電極11和TFT Tr ；在濾色器基板工序中，在 第二基板20上形成濾色器層26、黑矩陣25和公共電極28。此外，在盒工序中，粘結第一和第二基板10和20并在第一和第二基板10和20之間注入液晶分子。為了提高生產率，通過在單個母基板上形成多個單元陣列圖案并切割該單個母基 板獲得多個陣列基板。類似地，通過在單個母基板上形成多個單元濾色器圖案并切割該單 個母基板獲得多個濾色器基板。因此，通過粘結多個陣列基板和多個濾色器基板，從兩個母 基板獲得多個LCD設備。圖2是顯示現(xiàn)有技術的母基板的平面圖，圖3是沿圖2的線III-III的剖面圖。在圖2中，在母基板50上形成多個單元陣列圖案55。盡管圖2中沒有示出，但在 每個單元陣列圖案55的內部形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管(TFT)和像素電極。柵線和 數(shù)據(jù)線彼此交叉，以確定像素區(qū)域，且作為開關元件的TFT與柵線和數(shù)據(jù)線連接。像素電極 與TFT連接。此外，在母基板50的邊緣部分中形成具有封閉的矩形環(huán)形狀并包圍多個單元陣 列圖案55的金屬圖案60。金屬圖案60具有與柵線相同的層以及相同的材料，從而金屬圖 案60直接形成在母基板50上。隨后，在真空裝置(沒有示出)中在金屬圖案60上形成多 個層，如柵絕緣層70、半導體層(沒有示出)和鈍化層80。金屬圖案60用于防止在其外部處產生靜電。當在母基板50處產生具有相對較高 電壓的靜電時，靜電沿導線傳輸并在電性薄弱部分處釋放。例如，靜電在電性薄弱部分處以 火花釋放，并且電性薄弱部分被損壞。在沒有金屬圖案60時，靜電會聚集在每個單元陣列 圖案55的元件上，例如TFT上，并且該元件會被損壞。然而，因為在金屬圖案60外部產生 的靜電沿金屬圖案60傳輸，且不會滲透到金屬圖案60內部，所以可保護每個單元陣列圖案 55的元件免于靜電損壞。因此，當在真空裝置中沉積所述多個層時，金屬圖案60防止在母 基板50的角部中產生的靜電滲透到多個單元陣列圖案55內。然而，金屬圖案60不會移除在金屬圖案60內部產生的靜電。在真空裝置內的母 基板50的工序過程中，盡管大部分靜電產生在母基板50的角部處，但仍有一些靜電產生在 母基板50的中央部分。此外，當從與真空裝置不同的裝置，如測量裝置、檢測裝置或曝光裝 置，的工作臺裝載或卸載母基板50時，在母基板50的隨機的部分處產生靜電。因此，即使 在母基板50上形成金屬圖案60時，多個單元陣列圖案55仍可能被在金屬圖案60內部產 生的靜電損壞。母基板50被切割為每個都包括單元陣列圖案55的多個陣列基板。類似地，另一母 基板(沒有示出)被切割為多個濾色器基板。將每個陣列基板和每個濾色器基板粘結，從 而形成LCD設備，并對LCD設備進行檢測。當判斷LCD設備被損壞時，就放棄該LCD設備。 因此，粘結到壞陣列基板的好濾色器基板被放棄，從而生產成本增加。為了降低生產成本，在切割母基板之前進行檢測。在切割母基板之后，放棄判斷為 被損壞的陣列基板，將濾色器基板和判斷為沒有被損壞的陣列基板粘結，從而形成LCD設 備。因此，這樣部分降低了生產成本。然而，因為用于注入液晶材料以及粘結陣列基板和濾 色器基板的步驟數(shù)增加，所以降低了生產率，且增加了制造時間。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的實施方式涉及基本上克服了由于現(xiàn)有技術的限制和缺點而導致的 一個或多個問題的一種用于液晶顯示設備的母基板及制造該母基板的方法。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供一種其中釋放在母基板每個部分處產生的靜電的母基板及制造該母基板的方法。本發(fā)明的另一個優(yōu)點是提供一種具有能防止靜電損壞多個單元陣列圖案的靜電 釋放圖案的母基板及制造該母基板的方法。在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它的特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點的一部分從 所述描述中將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實施中領會到。通過書寫的說明書、權利要 求以及附圖中特別指出的結構可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。為了獲得這些和其它的優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體表示和廣義描述 的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種用于液晶顯示設備的母基板包括基板；在所述基板上的 多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與 所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；包圍所 述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案；與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖案交 叉的第二靜電釋放圖案；和與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第三靜電 釋放圖案，所述第三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸。在另一個方面中，一種制造用于液晶顯示設備的母基板的方法，包括在基板上形 成多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、 與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；形成 包圍所述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案；形成與所述柵線連接并與所述第一靜電 釋放圖案交叉的第二靜電釋放圖案；和形成與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案 交叉的第三靜電釋放圖案，所述第三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸。在另一個方面中，一種制造液晶顯示設備的方法，包括在第一母基板上形成多個 單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述 柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；形成包圍所 述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案；形成與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖 案交叉的第二靜電釋放圖案；形成與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第 三靜電釋放圖案，所述第三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸；在第二母基板上 形成多個單元濾色器圖案，所述多個單元濾色器圖案每個都包括黑矩陣、在所述黑矩陣上 的濾色器層、以及在所述濾色器層上的公共電極；粘結所述第一和第二母基板使得所述像 素電極面對所述公共電極；沿基板切割線切割所述第一和第二母基板，從而移除所述第一、 第二和第三靜電釋放圖案；和在所述像素電極與所述公共電極之間形成液晶層。應當理解，本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細描述都是示例性的和解釋性 的，意在對要求保護的內容提供進一步的解釋。


給本發(fā)明提供進一步理解并合并在說明書中且組成說明書一部分的附解了 本發(fā)明的實施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是現(xiàn)有技術的液晶顯示設備的透視圖；圖2是顯示現(xiàn)有技術的母基板的平面圖；圖3是沿圖2的線III-III的剖面圖4是本發(fā)明一個實施方式的用于液晶顯示設備的母基板的平面圖；圖5和6是分別顯示圖4的部分A和B的放大平面圖；圖7是沿圖4的線VII-VII取的、顯示本發(fā)明一個實施方式的母基板的剖面圖；和圖8是沿圖5的線VIII-VIII取的、顯示本發(fā)明一個實施方式的母基板的剖面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的實施方式，附圖中圖解了這些實施方式。圖4是本發(fā)明一個實施方式的用于液晶顯示設備的母基板的平面圖。此外，圖5 和6是分別顯示圖4的部分A和B的放大平面圖。在圖4，5和6中，在用于液晶顯示(IXD)設備的母基板101上形成有多個單元陣 列圖案110、第一靜電釋放(ESD)圖案120、第二靜電釋放圖案118、第三靜電釋放圖案140 和短路圖案145。在母基板101中央部分內的多個單元陣列圖案110彼此間隔開，且在母基 板101邊界部分中的具有封閉環(huán)形狀的第一靜電釋放圖案120包圍多個單元陣列圖案110。 第二和第三靜電釋放圖案118和140從多個單元陣列圖案110的每一個延伸到母基板的邊 緣部分，并且短路圖案145在母基板101的邊緣部分處與第二和第三靜電釋放圖案118和 140的端部連接。因此，在母基板101的中央部分內設置多個單元陣列圖案110，在母基板 101的邊緣部分處設置短路圖案145。此外，第一靜電釋放圖案120設置在母基板101的中 央部分與邊緣部分之間的邊界部分處，且第二和第三靜電釋放圖案118和140從中央部分 經過邊界部分延伸到邊緣部分。短路圖案145包括與第二靜電釋放圖案118連接的第一狹縫圖案119和與第三靜 電釋放圖案140連接的第二狹縫圖案142，且第一和第二狹縫圖案119和140彼此接觸，它 們之間沒有插入柵絕緣層。因此，第二和第三靜電釋放圖案118和140與第一靜電釋放圖 案120交叉并通過短路圖案145彼此連接。盡管在圖4中相鄰單元陣列圖案110的第二靜 電釋放圖案118彼此連接，且相鄰單元陣列圖案110的第三靜電釋放圖案140彼此不連接， 但在其他實施方式中，相鄰單元陣列圖案的第二靜電釋放圖案可彼此不連接，相鄰單元陣 列圖案的第三靜電釋放圖案可彼此連接。多個單元陣列圖案110每一個都包括柵線113、數(shù)據(jù)線130、薄膜晶體管(TFT)Tr、 像素電極160、柵焊盤121和數(shù)據(jù)焊盤131。柵線113和數(shù)據(jù)線130彼此交叉，以確定像素 區(qū)域P，且TFT Tr與柵線113和數(shù)據(jù)線130連接。像素電極160與TFT Tr連接并設置在像 素區(qū)域P中。柵線113的一端與柵焊盤121連接，柵線113的另一端與第二靜電釋放圖案 118連接。此外，數(shù)據(jù)線130的一端與數(shù)據(jù)焊盤131連接，數(shù)據(jù)線130的另一端與第三靜電 釋放圖案140連接。盡管圖4，5和6中沒有示出，但TFT Tr可包括與柵線113連接的柵極、在柵極上 的柵絕緣層、在柵極之上的柵絕緣層上的有源層、在有源層上的歐姆接觸層、與數(shù)據(jù)線130 連接的源極以及與源極間隔開的漏極。源極和漏極與歐姆接觸層接觸。此外，可在TFT Tr 上形成鈍化層，像素電極可形成在鈍化層上。多個單元陣列圖案的每一個都可進一步包括 存儲電容器。存儲電容器可包括作為第一電容器電極的柵線113部分、與第一電容器電極 重疊的作為第二電容器電極的像素電極部分、以及在第一和第二電容器電極之間作為電介 質層的鈍化層和柵絕緣層部分。
第一靜電釋放圖案120、第二靜電釋放圖案118和短路圖案145的第一狹縫圖案119具有與柵線113和柵極相同的層和相同的材料。因此，第二靜電釋放圖案118和短路圖 案145的第一狹縫圖案119直接形成在母基板101上，且第一和第二靜電釋放圖案120和 118彼此連接。第三靜電釋放圖案140和短路圖案145的第二狹縫圖案142具有與數(shù)據(jù)線 130、源極和漏極相同的層和相同的材料。因此，第三靜電釋放圖案140直接形成在柵絕緣 層上。然而，因為第一狹縫圖案119上沒有形成柵極絕緣層，所以短路圖案145的第二狹縫 圖案142直接形成在第一狹縫圖案119上。例如，在母基板101上形成柵線113和第一狹 縫圖案119之后，使用遮蔽第一狹縫圖案119的遮蔽掩模在母基板101上沉積絕緣材料，從 而在第一狹縫圖案119上沒有形成柵絕緣層。第二靜電釋放圖案118具有第一寬度wl，第一狹縫圖案119具有比第一寬度wl大 的第二寬度《2。第三靜電釋放圖案140具有第三寬度w3，第二狹縫圖案142具有比第三寬 度《3大的第四寬度。此外，第一狹縫圖案119包括與柵線113平行的水平開口和水平條形 圖案，第二狹縫圖案142包括與數(shù)據(jù)線130平行的垂直開口和垂直條形圖案。第一狹縫圖 案119的開口和條形圖案的方向垂直于第二狹縫圖案142的開口和條形圖案的方向。第一和第二狹縫圖案119和142彼此接觸和重疊，從而短路圖案145具有包含多 個接觸部分CP的格子形狀。因為多個接觸部分CP是通過不同兩層的第一和第二狹縫圖 案119和142的接觸而形成，所以多個接觸部分CP比單層的每個第二和第三靜電釋放圖案 118和140的任何其他部分在電性上更薄弱。此外，由于狹縫形狀的緣故，通過接觸面積的 減小，多個接觸部分CP變得電性較弱。因此，當在母基板101處產生具有相對高電壓的靜 電時，靜電沿第二和第三靜電釋放圖案118和140傳輸并在短路圖案145的多個接觸部分 CP處釋放。例如，靜電在短路圖案145的多個接觸部分CP處以火花釋放，短路圖案145的 多個接觸部分CP被損壞。在粘結兩個母基板之后，沿基板切割線SCL切割粘結的兩個母基 板，切掉并移除短路圖案145。設置切割線是用來切掉并移除第一、第二和第三靜電釋放圖 案120、118和140以及短路圖案145。因此，即使當短路圖案145由于靜電而損壞時，母基 板101的多個單元陣列圖案110也可用作LCD設備的陣列基板。第一靜電釋放圖案120具有比第一寬度wl和第三寬度w3每個都大的第五寬度 w50此外，第一靜電釋放圖案120和第三靜電釋放圖案140彼此交叉。在交叉部分處，第一 靜電釋放圖案120具有包括第一傾斜開口和第一傾斜條形圖案的第一狹縫部SL1，第三靜 電釋放圖案140具有包括第二傾斜開口和第二傾斜條形圖案的第二狹縫部SL2。第一傾斜 開口和第一傾斜條形圖案的傾斜方向與第二傾斜開口和第二傾斜條形圖案的傾斜方向相 對。因此，第一靜電釋放圖案120的第一狹縫部SLl和第三靜電釋放圖案140的第二狹縫 部SL2組成了具有多個重疊部分OP的傾斜格子形狀。在母基板101上形成柵線113和第一靜電釋放圖案120之后，在柵線113和第一靜 電釋放圖案120上沉積絕緣材料以形成柵絕緣層。然而，因為第一靜電釋放圖案120設置 在母基板101的邊緣部分處，所以可在第一靜電釋放圖案120上形成具有相對薄厚度的柵 絕緣層，或者可在第一靜電釋放圖案120上不形成柵絕緣層。因此，多個重疊部分OP比每 個第一靜電釋放圖案120和第三靜電釋放圖案140的任何其他部分在電性上都弱。此外， 由于狹縫形狀的緣故，通過重疊面積的減小，多個重疊部分OP變得電性較弱。因此，當在母基板101處產生具有相對高電壓的靜電時，靜電沿第一靜電釋放圖案120和第三靜電釋放圖案140傳輸并在多個重疊部分0P處釋放。例如，靜電在多個重疊 部分0P處以火花釋放，多個重疊部分0P可能被損壞。當在第一靜電釋放圖案120和第三 靜電釋放圖案140之間形成薄的柵絕緣層時，柵絕緣層可由多個重疊部分0P損壞。因為在 粘結兩個母基板之后沿基板切割線SCL切割粘結的兩個母基板，所以包括多個重疊部分0P 的第一靜電釋放圖案120被切掉并移除。因此，即使當多個重疊部分0P由于靜電的緣故而 損壞時，母基板101的多個單元陣列圖案110也可用作LCD設備的陣列基板。在本發(fā)明一個實施方式的母基板101中，因為多個單元陣列圖案110的元件，如柵 線113、數(shù)據(jù)線130和TFT Tr，通過第一、第二和第三靜電釋放圖案120、118和140彼此電 連接，所以多個單元陣列圖案110的元件具有相等的電壓(等勢態(tài))。因此，防止了因為靜 電的緣故而導致的電壓差對多個單元陣列圖案110的元件的損壞。此外，因為在第一靜電 釋放圖案120內部產生的靜電通過第二和第三靜電釋放圖案118和140傳輸?shù)降谝混o電釋 放圖案120的外部并在多個接觸部分CP和多個重疊部分OP處以火花釋放，所以防止了由 于靜電而導致的多個單元陣列圖案110的元件的損壞。圖7是沿圖4的線VII-VII取的、顯示本發(fā)明一個實施方式的母基板的剖面圖；圖 8是沿圖5的線VIII-VIII取的、顯示本發(fā)明一個實施方式的母基板的剖面圖。在圖7和8中，在母基板101上形成柵線113 (圖4的)、柵極151、柵焊盤121 (圖 4的)、第一靜電釋放圖案120、第二靜電釋放圖案118和第一狹縫圖案119。柵極115與柵 線131連接，柵焊盤121形成在柵線113的一端。在母基板101邊緣部分處的第一靜電釋 放圖案120具有包圍包括柵線113、柵極115和柵焊盤121的母基板101中央部分的矩形封 閉環(huán)形狀。第二靜電釋放圖案118與柵線113的另一端連接。第二靜電釋放圖案118具有 第一寬度wl(圖5的)并延伸到第一靜電釋放圖案120的外部。第一狹縫圖案119與第二 靜電釋放圖案118連接。第一狹縫圖案119具有比第一寬度wl大的第二寬度w2(圖5的) 并包括與柵線113平行的水平開口和水平條形圖案。此外，第一靜電釋放圖案120具有比 第一寬度wl大的第五寬度w5(圖6的)并與第二靜電釋放圖案118連接。在柵線113、柵極115、柵焊盤121、第一靜電釋放圖案120和第二靜電釋放圖案 118上形成柵絕緣層123。柵絕緣層123沒有形成在第一狹縫圖案119上，第一靜電釋放圖 案120上的柵絕緣層123可比柵線113、柵極115和柵焊盤121上的柵絕緣層124薄?？蛇x 擇地，在第一靜電釋放圖案120上可不形成柵絕緣層123?？赏ㄟ^在真空裝置中在母基板 101上沉積無機和有機絕緣材料之一形成柵絕緣層123。當沉積絕緣材料時，可通過遮蔽部 件，如遮蔽掩?；蛘诒慰蚣埽诒巫∧富?01的與第一狹縫圖案119對應的邊緣部分。因 此，在第一狹縫圖案119上可不形成絕緣層123。此外，因為第一靜電釋放圖案120與遮蔽 部件靠近，所以柵絕緣層123可以以相對薄的厚度形成在第一靜電釋放圖案120上或者不 形成在第一靜電釋放圖案120上。在柵極115之上的柵絕緣層123上形成包括本征非晶硅的有源層125a和摻雜非 晶硅的歐姆接觸層125b。在歐姆接觸層125b上形成源極和漏極133和136，在柵絕緣層123上形成數(shù)據(jù)線 130、數(shù)據(jù)焊盤131 (圖4的)和第三靜電釋放圖案140。源極133與數(shù)據(jù)線130連接，漏極 136與源極133間隔開。數(shù)據(jù)焊盤131形成在數(shù)據(jù)線130的一端，數(shù)據(jù)線130與柵線113交 叉以確定像素區(qū)域P。第三靜電釋放圖案140與數(shù)據(jù)線130的另一端連接。第三靜電釋放圖案140具有第三寬度w3 (圖3的)并延伸到第一靜電釋放圖案120的外部。此外，因為 在第一狹縫圖案119上沒有形成柵絕緣層123，所以在第一狹縫圖案119上形成與第三靜 電釋放圖案140連接的第二狹縫圖案142，且第一和第二狹縫圖案119和142組成短路圖 案145。第二狹縫圖案142具有比第三寬度w3大的第四寬度w4(圖5的)并包括與數(shù)據(jù)線 130平行的垂直開口和垂直條形圖案。因此，短路圖案145包括第一和第二狹縫圖案119和 142接觸而成的多個接觸部分CP。此外，第三靜電釋放圖案140與第一靜電釋放圖案120交叉。在交叉部分處，第一 靜電釋放圖案120具有包括第一傾斜開口和第一傾斜條形圖案的第一狹縫部SL1，第三靜 電釋放圖案140具有包括第二傾斜開口和第二傾斜條形圖案的第二傾斜部SL2。因此，第一 靜電釋放圖案120的第一狹縫部SL1和第三靜電釋放圖案140的第二傾斜部SL2組成具有 多個重疊部分0P的傾斜格子形狀。在另一個實施方式中，可在數(shù)據(jù)線130與柵絕緣層123之間形成包括本征非晶硅 的第一層和摻雜非晶硅的第二層的額外半導體圖案。該額外半導體圖案可具有與數(shù)據(jù)線 130相同的形狀。在數(shù)據(jù)線130、數(shù)據(jù)焊盤131、源極133、漏極136、第三靜電釋放圖案140和第二狹 縫圖案上形成鈍化層150。鈍化層150包括暴露漏極136的漏極接觸孔153和暴露數(shù)據(jù)焊 盤131的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔(沒有示出)。此外，通過柵絕緣層123和鈍化層150形成暴露柵 焊盤121的柵焊盤接觸孔(沒有示出)。在鈍化層150上形成透明導電材料的像素電極160、柵焊盤端子(沒有示出)和數(shù) 據(jù)焊盤端子(沒有示出)。像素區(qū)域P中的像素電極160通過漏極接觸孔153與漏極136 連接。盡管圖7和8中沒有示出，但像素電極160延伸到前一柵線113并與該前一柵線113 重疊，從而組成存儲電容器。該存儲電容器可包括作為第一電容器電極的柵線113部分、與 第一電容器電極重疊作為第二電容器電極的像素電極160部分、以及在第一和第二電容器 電極之間作為電介質層的鈍化層160和柵極絕緣層123部分。此外，柵焊盤端子通過柵焊 盤接觸孔與柵焊盤121連接，數(shù)據(jù)焊盤端子通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔與數(shù)據(jù)焊盤131連接。在完成了包括多個單元陣列圖案110的母基板101之后，將該母基板101粘結到 包括多個單元濾色器圖案(沒有示出)的另一母基板(沒有示出)。多個單元濾色器圖案 的每個都包括在另一母基板上的黑矩陣，包括紅色、綠色和藍色濾色器的濾色器層，以及 在濾色層和黑矩陣上的公共電極；兩個母基板如此粘結使得像素電極面對公共電極。接著， 沿基板切割線SCL切割粘結的母基板，將其分割為多個粘結的單元基板(沒有示出)，然后 將液晶材料注入到多個粘結的單元基板中從而形成液晶層?？蛇x擇地，在粘結母基板和另 一母基板之前，可通過分配方法形成液晶層，然后沿基板切割線SCL切割包括液晶層的粘 結的母基板，將其分割為多個粘結的單元基板(沒有示出)。因為多個單元陣列圖案110的元件，如柵線113、數(shù)據(jù)線130和TFT Tr，通過第一、 第二和第三靜電釋放圖案120、118和140彼此電連接，所以多個單元陣列圖案110的元件 具有相等的電壓(等勢態(tài))。因此，即使當在母基板101的制造工序過程中產生靜電時，也 可防止因為靜電而導致的電壓差對多個單元陣列圖案110的元件的損壞。此外，因為在第 一靜電釋放圖案120內部產生的靜電通過第二和第三靜電釋放圖案118和140傳輸?shù)降谝?靜電釋放圖案120的外部并在多個接觸部分CP和多個重疊部分0P處以火花釋放，所以防止了由于靜電而導致的多個單元陣列圖案110的元件的損壞。因而，本發(fā)明一個實施方式的用于液晶顯示設備的母基板包括包圍母基板的中 央部分的第一靜電釋放圖案，與每個單元陣列圖案的多條柵線連接的第二靜電釋放圖案， 與每個單元陣列圖案的多條數(shù)據(jù)線連接的第三靜電釋放圖案，以及在第二和第三靜電釋放 圖案末端處的短路圖案。此外，第一靜電釋放圖案與第三靜電釋放圖案交叉以組成多個重 疊部分。因此，即使當在母基板的任意部分處產生靜電時，靜電也可通過第一、第二和第三 靜電釋放圖案傳輸并在短路圖案和多個重疊部分處以火花釋放。此外，因為防止了母基板 的多個單元陣列圖案的損壞，所以在粘結母基板的步驟和注入液晶材料的步驟之后進行切 割粘結的母基板的步驟。因此，用于粘結母基板和注入液晶分子的步驟數(shù)被最小化。從而， 提高了生產率并降低了制造成本。在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明實施方式的用于液晶顯示設備 的母基板及制造該母基板的方法中可進行各種修改和變化，這對于本領域普通技術人員來 說是顯而易見的。因而，如果這些修改和變化落入所附權利要求書及其等價物范圍內，則本 發(fā)明的實施方式意在覆蓋本發(fā)明的修改和變化。
權利要求
一種用于液晶顯示設備的母基板，包括基板；在所述基板上的多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；包圍所述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案；與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第二靜電釋放圖案；和與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第三靜電釋放圖案，所述第三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸。
2.根據(jù)權利要求1所述的母基板，其中所述第一靜電釋放圖案具有矩形封閉環(huán)形狀。
3.根據(jù)權利要求1所述的母基板，其中所述第一和第二靜電釋放圖案具有與所述柵線 相同的層和相同的材料。
4.根據(jù)權利要求1所述的母基板，其中所述第三靜電釋放圖案具有與所述數(shù)據(jù)線相同 的層和相同的材料。
5.根據(jù)權利要求1所述的母基板，其中所述基板包括中央部分和包圍所述中央部分的 邊緣部分，其中所述多個單元陣列圖案設置在所述中央部分內，所述第一靜電釋放圖案設 置在所述中央部分與所述邊緣部分之間的邊界部分處，且其中所述第二和第三靜電釋放圖 案從所述中央部分延伸到所述邊緣部分。
6.根據(jù)權利要求5所述的母基板，進一步包括在所述邊緣部分處連接所述第二和第三 靜電釋放圖案的短路圖案，其中所述短路圖案包括與所述第二靜電釋放圖案連接并具有比所述第二靜電釋放圖案大的寬度的第一狹縫 圖案；和與所述第三靜電釋放圖案連接并具有比所述第三靜電釋放圖案大的寬度的第二狹縫 圖案，所述第二狹縫圖案與所述第一狹縫圖案接觸。
7.根據(jù)權利要求6所述的母基板，其中所述第一狹縫圖案包括沿第一方向的開口和條 形圖案，所述第二狹縫圖案包括沿與所述第一方向垂直的第二方向的開口和條形圖案。
8.根據(jù)權利要求6所述的母基板，進一步包括在所述柵線與所述數(shù)據(jù)線之間的柵絕緣 層，其中所述第一狹縫圖案具有與所述柵線相同的層和相同的材料，所述第二狹縫圖案具 有與所述數(shù)據(jù)線相同的層和相同的材料，且其中所述第一和第二狹縫圖案彼此直接接觸， 它們之間沒有插入所述柵絕緣層。
9.根據(jù)權利要求1所述的母基板，其中所述第一靜電釋放圖案在所述第一和第三靜電 釋放圖案的交叉部分處具有第一狹縫部，所述第三靜電釋放圖案在所述第一和第三靜電釋 放圖案的交叉部分處具有第二狹縫部，其中所述第一狹縫部包括第一傾斜開口和第一傾斜 條形圖案，其中所述第二狹縫部包括第二傾斜開口和第二傾斜條形圖案，且其中所述第一 傾斜開口和第一傾斜條形圖案的傾斜方向與所述第二傾斜開口和第二傾斜條形圖案的傾 斜方向相對。
10.一種制造用于液晶顯示設備的母基板的方法，包括在基板上形成多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵 線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；形成包圍所述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案； 形成與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第二靜電釋放圖案；和 形成與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第三靜電釋放圖案，所述第 三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述基板包括中央部分和包圍所述中央部分的 邊緣部分，其中所述多個單元陣列圖案設置在所述中央部分中，所述第一靜電釋放圖案設 置在所述中央部分與所述邊緣部分之間的邊界部分處，且其中所述第二和第三靜電釋放圖 案從所述中央部分延伸到所述邊緣部分。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，進一步包括形成與所述第二靜電釋放圖案連接并具有比所述第二靜電釋放圖案大的寬度的第一 狹縫圖案；和形成與所述第三靜電釋放圖案連接并具有比所述第三靜電釋放圖案大的寬度的第二 狹縫圖案，所述第二狹縫圖案與所述第一狹縫圖案接觸，其中所述第一和第二狹縫圖案在 所述邊緣部分處組成短路圖案。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，進一步包括在遮蔽住所述第一狹縫圖案的同時在所 述柵線、所述第一靜電釋放圖案和所述第二靜電釋放圖案上形成柵絕緣層。
14.一種制造液晶顯示設備的方法，包括在第一母基板上形成多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與 所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體 管連接的像素電極；形成包圍所述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案； 形成與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第二靜電釋放圖案； 形成與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第三靜電釋放圖案，所述第 三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸；在第二母基板上形成多個單元濾色器圖案，所述多個單元濾色器圖案每個都包括黑矩 陣、在所述黑矩陣上的濾色器層、以及在所述濾色器層上的公共電極； 粘結所述第一和第二母基板使得所述像素電極面對所述公共電極； 沿基板切割線切割所述第一和第二母基板，從而移除所述第一、第二和第三靜電釋放 圖案；和在所述像素電極與所述公共電極之間形成液晶層。
全文摘要
一種用于液晶顯示設備的母基板，包括基板；在所述基板上的多個單元陣列圖案，所述多個單元陣列圖案每個都包括柵線、與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；包圍所述多個單元陣列圖案的第一靜電釋放圖案；與所述柵線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第二靜電釋放圖案；和與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述第一靜電釋放圖案交叉的第三靜電釋放圖案，所述第三靜電釋放圖案與所述第二靜電釋放圖案接觸。
文檔編號G02F1/1362GK101825821SQ20091022110
公開日2010年9月8日 申請日期2009年11月3日 優(yōu)先權日2008年12月26日
發(fā)明者崔榮錫, 李政燁, 石在明, 辛赫宰, 鄭在祐 申請人:樂金顯示有限公司