專利名稱：微型圖像提取透鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透鏡系統(tǒng)，特別涉及一種晶片級(wafer-level)微型圖像提取透 鏡(miniature image capture lens)0
背景技術(shù)：
由于固態(tài)圖像提取單元，例如電荷耦合元件(charge-coupled device，CCD)、CM0S 感測器或相似的元件的發(fā)展，手機(jī)或個人電腦搭載圖像元件變得越來越普及。此外，設(shè)置于 圖像元件上的圖像提取透鏡需要更進(jìn)一步的微型化。然而，盡管有上述需求，對于傳統(tǒng)的圖像提取透鏡而言，其微型化已經(jīng)遇到瓶頸，理由是上述透鏡是真正的三維(3-D)結(jié)構(gòu)，微型化具有相當(dāng)?shù)睦щy度，且其中的感測器也 需要微型化。此種技術(shù)很難控制每個透鏡表面?zhèn)认蛞苿雍蛢A斜的精確度，此外，在制造過程 中，也很難操作微小的透鏡。換言之，上述傳統(tǒng)透鏡的容許度(tolerance)較小。圖1顯示使用已公知的透鏡模塊系統(tǒng)的圖像元件，其中光線穿過晶片級透鏡102、 104到達(dá)感測單元106。在此技術(shù)中，晶片級透鏡模塊102、104和圖像感測單元106可通 過超大型集成電路(VLSI)工藝技術(shù)制作，因此，可將圖像元件制作得較小，應(yīng)用于便攜式 電子元件，例如手機(jī)或個人數(shù)字助理(PDA)。晶片級透鏡可以隨著例如摩爾定律(Moore’ s law)的半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，更進(jìn)一步的微型化，且此種透鏡的控制精確度較佳。另外， 傳統(tǒng)的透鏡是以離散式工藝(discrete process)制作，將透鏡一個一個地組裝，相較之 下，晶片級透鏡可連續(xù)工藝制作，將數(shù)千個透鏡堆疊于透鏡板上，排列成一透鏡陣列。然 而，盡管晶片級透鏡的體積較小，要將晶片級透鏡設(shè)計成有良好的特性和足夠高的容許度 (tolerance)是很困難的。因此，業(yè)界需要一晶片級透鏡系統(tǒng)，其具有良好的特性和高容許 度。晶片級透鏡由于其玻璃基板結(jié)構(gòu)和反復(fù)工藝限制，存在許多設(shè)計限制，例如透鏡 材料、基板厚度、鏡片撓曲高度(lens sag height)和尺寸、光學(xué)中央對準(zhǔn)精確度等限制。若 晶片級透鏡要成為如塑膠和玻璃透鏡般的主流產(chǎn)品應(yīng)用，晶片級透鏡在上述設(shè)計限制上要 有相稱的光學(xué)設(shè)計表現(xiàn)和適當(dāng)?shù)闹圃烊菰S度。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明題供一種微型圖像提取透鏡?？讖焦?圈具有一孔徑，使微型圖像提取透鏡穿過孔徑提取一圖像，一晶片級透鏡系統(tǒng)包括一第一 透鏡群組和一第二透鏡群組，第一透鏡群組包括一第一基板，一位于第一基板的第一側(cè)的 第一表面，一位于第一基板的第二側(cè)的第二表面，一第二透鏡群組，包括一第二基板，一位 于第二基板的第一側(cè)的第三表面，一位于第二基板的第二側(cè)的第四表面，其中第一表面，第 二表面，第三表面，第四表面為非球面，第一表面和第二表面的一表面和第三表面和第四表 面的一表面具有一高折射系數(shù)Nd_h和一高阿貝數(shù)Vd_h，第一表面和第二表面的另一表面 和第三表面和第四表面的另一表面具有一低折射系數(shù)Nd_l和一低阿貝數(shù)Vd_l，高折射系數(shù)Nd_h大于低折射系數(shù)Nd_l，高阿貝數(shù)Vd_h大于低阿貝數(shù)Vd_l，微型圖像提取透鏡符合 以下條件Nd_h = 1. 58 1. 62 ；Nd_l = 1. 48 1. 53 ；Nd_l/Nd_h = 0. 91 0. 97 ；Vd_h = 35 45;Vd_l = 25 35;且Vd_l/Vd_h = 1. 2 2. 2，其中第一表面和第二表面的一表面為凸面，第一表面和第二表面的另一表面為凹 面，第三表面和第四表面的一表面為凸面，第三表面和第四表面的另一表面為凹面。根據(jù)以上敘述，本發(fā)明微型圖像提取透鏡至少具有以下優(yōu)點第一，本發(fā)明可以在 基板的兩側(cè)形成不同材料的透鏡模塊，以使光學(xué)散射最小化。特別是，本發(fā)明在基板的兩側(cè) 形成不同材料的透鏡模塊并不會特別增加制造的費用，理由是即使是一般的晶片級透鏡， 其基板相對兩邊的透鏡必須在不同步驟制作。第二，紅外線(IR)濾光層可以涂布于玻璃基 板的表面。第三，本發(fā)明技術(shù)制作的透鏡模塊具有較短的總軌道長度。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配 合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1顯示使用已公知的透鏡模塊系統(tǒng)的圖像元件。圖2A為顯示本發(fā)明第一實施例的芯片設(shè)計。圖2B為顯示本發(fā)明第二實施例的芯片設(shè)計。圖2C為顯示本發(fā)明第三實施例的芯片設(shè)計。圖2D為顯示本發(fā)明第四實施例的芯片設(shè)計。圖2E為顯示本發(fā)明第五實施例的芯片設(shè)計。圖2F為顯示本發(fā)明第六實施例的芯片設(shè)計。圖2G為顯示本發(fā)明第七實施例的芯片設(shè)計。圖2H為顯示本發(fā)明第八實施例的芯片設(shè)計。圖3為顯示本發(fā)明一透鏡設(shè)計的范例。圖4為顯示本發(fā)明一實施例微型圖像提取透鏡的分解圖。圖5為顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的像差曲線。圖6為顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的色差。圖7A為顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的像場彎曲。圖7B為顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的變形曲線。圖8為顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的相對照度。圖9A為顯示本發(fā)明一范例容忍度分析的切線。圖9B為顯示本發(fā)明一范例容忍度分析的弧線。上述附圖中的附圖標(biāo)記說明如下102 透鏡模塊；104 透鏡模塊；
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202 第一基板；204 第一表面；206 第二表面；208 第一鏡片群組； 210 第二基板；212 第三表面；214 第四表面；216 第二鏡片群組；218 第一基板；220 第一表面；222 第二表面；224 第一鏡片群組；226 第二基板；228 第三表面；230 第四表面；232 第二鏡片群組；234 第一基板；236 第一表面；238 第二表面；240 第一鏡片群組；242 第二基板；244 第三表面；246 第四表面；248 第二鏡片群組；250 第一基板；251 第一表面；252 第一表面；253 第二表面；254 第二表面；255 第一鏡片群組；256 第一鏡片群組；257 第二基板；258 第二基板；259 第三表面；260 第三表面；261 第四表面；262 第四表面；263 第二鏡片群組；264 第二鏡片群組；265 第一基板；266 第一基板；267 第一表面；268 第一表面；269 第二表面；270 第二表面；271 第一鏡片群組；272 第一鏡片群組；273 第二基板；274 第二基板；275 第三表面；276 第三表面；277 第四表面；278 第四表面；279 第二鏡片群組；280 第二鏡片群組；282 第一基板；284 第一表面；286 第二表面；288 第一鏡片群組；290 第二基板；292 第三表面；294 第四表面；296 第二鏡片群組；298 第一基板；302 前置玻璃蓋；304 第一表面；306 第一基板；308 第二表面；310 第一透鏡群組；312 第二基板；314 第三表面；316 第四表面；318 第二透鏡群組；319 第二間隔物；320 后置玻璃蓋；322 圖像平面。
具體實施例方式以下描述本發(fā)明的實施范例，其揭示本發(fā)明的主要技術(shù)特征，但不用以限定本發(fā)明。本發(fā)明公開在玻璃基板相對兩側(cè)包括兩個光學(xué)表面的晶片級透鏡系統(tǒng)，在本發(fā)明 中，透鏡的兩個光學(xué)表面可以由不同材料所組成，其中一表面具有高折射系數(shù)，另一表面具 有低折射系數(shù)，透鏡材料可以為紫外光(UV)固化高分子化合物。此外，本發(fā)明所提供的兩 側(cè)(two-side)晶片級透鏡除了在兩側(cè)的表面分別為高折射系數(shù)和低折射系數(shù)，本發(fā)明提 供的晶片級透鏡在兩側(cè)的表面分別為凸面和凹面以使光學(xué)散射最小化。請注意，本發(fā)明可 通過于玻璃基板的兩側(cè)表面使用不同的材料，達(dá)成玻璃基板的兩側(cè)表面分別為高和低折射 系數(shù)。根據(jù)以上的設(shè)計規(guī)則，本發(fā)明以下提供一晶片級透鏡，其在基板兩側(cè)的表面以不 同材料組成，以達(dá)成不同的折射系數(shù)，且在兩側(cè)分別為凸面和凹面。根據(jù)上述，本發(fā)明的透 鏡模塊會有以下 8 組透鏡設(shè)計，包括(+h，-1，+h，-1)、(+1，-h，+1，-h)、(+h，-1，-1，+h)、 (+1，-h，-h，+1)、(_h，+1，+1，-h)、(-1，+h, +h, -1)、(_h，+1，-h，+1)禾口(-1，+h, -1，+h)， 其中+h指正曲率和高折射系數(shù)，_h指負(fù)曲率和高折射系數(shù)，+1指正曲率和低折射系數(shù)，-1 負(fù)曲率和低折射系數(shù)。請參照圖2A，其顯示本發(fā)明第一實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板202和一第 二基板210，第一表面204設(shè)置于第一基板202的第一側(cè)，第二表面206設(shè)置于第一基板202 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組208。第三表面212設(shè)置于第二基板210的第一側(cè)，第四表 面214設(shè)置于第二基板210的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組216。在此實施例中，第一表面 204具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)(abbe number) Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第二表面 206具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)(abbe number)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第三表面 212具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第四表面214具有低折射 系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)(abbe number)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)。請參照圖2B，其顯示本發(fā)明第二實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板218和一第 二基板226，第一表面220設(shè)置于第一基板218的第一側(cè)，第二表面222設(shè)置于第一基板218 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組224。第三表面228設(shè)置于第二基板226的第一側(cè)，第四表 面230設(shè)置于第二基板226的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組232。在此實施例中，第一表面 220具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第二表面222具有高折射 系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第三表面228具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿 貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第四表面230具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹 面形狀(負(fù)曲率)。請參照圖2C，其顯示本發(fā)明第三實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板234和一第 二基板242，第一表面236設(shè)置于第一基板234的第一側(cè)，第二表面238設(shè)置于第一基板234 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組240。第三表面244設(shè)置于第二基板242的第一側(cè)，第四表 面246設(shè)置于第二基板242的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組248。在此實施例中，第一表面 236具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第二表面238具有低折射 系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第三表面244具有低折射系數(shù)Nd_l、低 阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第四表面246具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)(abbenumber) Vd_h和凸面形狀(正曲率)。請參照圖2D，其顯示本發(fā)明第四實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板250和一第二基板258，第一表面252設(shè)置于第一基板250的第一側(cè)，第二表面254設(shè)置于第一基板250 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組256。第三表面260設(shè)置于第二基板258的第一側(cè)，第四表 面262設(shè)置于第二基板258的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組264。在此實施例中，第一表面 252具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第二表面254具有高折射 系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第三表面260具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿 貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第四表面262具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸 面形狀(正曲率)。請參照圖2E，其顯示本發(fā)明第五實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板266和一第 二基板274，第一表面268設(shè)置于第一基板266的第一側(cè)，第二表面270設(shè)置于第一基板266 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組272。第三表面276設(shè)置于第二基板274的第一側(cè)，第四表 面278設(shè)置于第二基板274的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組280。在此實施例中，第一表面 268具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第二表面270具有低折射 系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第三表面276具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿 貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第四表面278具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹 面形狀(負(fù)曲率)。請參照圖2F，其顯示本發(fā)明第六實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板282和一第 二基板290，第一表面284設(shè)置于第一基板282的第一側(cè)，第二表面286設(shè)置于第一基板282 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組288。第三表面292設(shè)置于第二基板290的第一側(cè)，第四表 面294設(shè)置于第二基板290的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組296。在此實施例中，第一表面 284具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第二表面286具有高折射 系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第三表面292具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿 貝數(shù)Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第四表面294具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凹 面形狀(負(fù)曲率)。請參照圖2G，其顯示本發(fā)明第七實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板298和一第 二基板257，第一表面251設(shè)置于第一基板298的第一側(cè)，第二表面253設(shè)置于第一基板298 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組255。第三表面259設(shè)置于第二基板257的第一側(cè)，第四表 面261設(shè)置于第二基板257的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組263。在此實施例中，第一表面 251具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第二表面253具有低折射 系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀(正曲率)，第三表面259具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿 貝數(shù)Vd_h和凹面形狀(負(fù)曲率)，第四表面261具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凸 面形狀(正曲率)。請參照圖2H，其顯示本發(fā)明第八實施例的芯片設(shè)計，提供一第一基板265和一第 二基板273，第一表面267設(shè)置于第一基板265的第一側(cè)，第二表面269設(shè)置于第一基板265 的第二側(cè)，以構(gòu)成第一鏡片群組271。第三表面275設(shè)置于第二基板273的第一側(cè)，第四表 面277設(shè)置于第二基板273的第二側(cè)，以構(gòu)成第二鏡片群組279。在此實施例中，第一表面 267具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第二表面269具有高折射 系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀(正曲率)，第三表面275具有低折射系數(shù)Nd_l、低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀(負(fù)曲率)，第四表面277具有高折射系數(shù)Nd_h、高阿貝數(shù)Vd_h和凸 面形狀(正曲率)。特別是，上述實施例的第一表面、第二表面、第三表面和第四表面是非球面，且該 微型圖像提取透鏡符合以下條件Nd_h = 1. 58 1. 62 ；Nd_l = 1. 48 1. 53 ；Nd_l/Nd_h = 0. 91 0. 97 ；Vd_h = 35 45 ；Vd_l = 25 35 ；且Vd_l/Vd_h = 1. 2 2. 2。請參照圖3，其顯示本發(fā)明一透鏡設(shè)計的范例，本范例微型圖像提取透鏡從要提取 的圖像(未示出)到圖像平面322(或感測器)依序包括一前置玻璃蓋302、一第一透鏡群組 310 (包括第一基板306和位于第一基板306相對兩側(cè)的第一表面304和第二表面308)、一 第二透鏡群組318 (包括第二基板312和位于第二基板312相對兩側(cè)的第三表面314和第四 表面316)和一后置玻璃蓋320。第一表面304和第三表面314具有低折射系數(shù)，第二表面 308和第四表面316具有高折射系數(shù)。另外，第一表面304的中央厚度dl為100 u m，第三 表面314的中央厚度d2為169 iim，第四表面316的邊緣厚度d3為125 ym。第三表面314 的寬高比為0. 14，第四表面316的寬高比為0. 07。請注意，在本范例中，第一表面304和第 二表面308的寬高比小于第三表面314和第四表面316的寬高比，因此第一表面304和第二 表面308的寬高比并非制作上的關(guān)鍵條件，其在本范例中不特別描述。第四表面316至圖像 平面322的距離是0.55mm，且本微型圖像提取透鏡的總軌道長度(total track length)為 2. 5mm。前置玻璃蓋302包括一孔徑光圈，具有一孔徑，使微型圖像提取透鏡可穿過該孔徑 提取一圖像，且紅外線(IR)濾光層可涂布在前置玻璃蓋302或第一透鏡群組310的第一表 面304上。請參照圖4，其顯示本發(fā)明一實施例微型圖像提取透鏡的分解圖，本實施例微型 圖像提取透鏡由頂部至底部依序包括一前置玻璃蓋302、一間隙墊片305 (spacer dam)、第 一透鏡群組310 (包括第一基板304和位于第一基板304相對兩側(cè)的第一表面306和第二表 面308)、一第一間隔物311、一第二透鏡群組318 (包括第二基板314和位于第二基板314相 對兩側(cè)的第三表面312和第四表面316)、一第二間隔物319和一后置玻璃蓋320。值得注意 的是，本發(fā)明不特別限定紅外線(IR)濾光層的位置，舉例來說，紅外線(IR)濾光層可以形 成于前置玻璃蓋302上或微型圖像提取透鏡的第一表面304。請參照圖5，其顯示本發(fā)明一 范例微型圖像提取透鏡的像差曲線(aberration curve)，在IMA(像高)分別在0. 0000MM、 0. 1760MM.0. 5280MM.0. 7040MM 和 0. 8800MM 的 EY(Y 軸橫向像差)和 PY(Y 軸瞳高)的關(guān)系 圖，及EX(X軸橫向像差)和PX(X軸瞳高)的關(guān)系圖，如圖所示，本范例的微型圖像提取透鏡 具有足夠小的像差。請參照圖6，其顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的色差(lateral color)，本范例的微型圖像提取透鏡可得到良好的色差表現(xiàn)。請參照圖7A和圖7B，其中圖 7A顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡的像場彎曲(field curvature)，圖7B顯示本發(fā) 明一范例微型圖像提取透鏡的變形曲線(distortion curve)，如圖所示，本實施例可以得 到足夠好的像場彎曲和變形的表現(xiàn)。請參照圖8，其顯示本發(fā)明一范例微型圖像提取透鏡 的相對照度(relative illumination)，如圖所示，本實施例可以得到足夠好的照度表現(xiàn)。請參照圖9A和圖9B，其中圖9A顯示本發(fā)明一范例容忍度分析(tolerance analysis)的 切線，圖9B顯示本發(fā)明一范例容忍度分析的弧線，其中容忍度分析依據(jù)士 10 ym的偏心錯 誤，根據(jù)調(diào)變轉(zhuǎn)換函數(shù)(MTF) > 40的標(biāo)準(zhǔn)，0. 8像場(field)，1/4奈奎斯特頻率(Nyquist frequency)的條件，其良率可以接近100%。根據(jù)以上敘述，本發(fā)明微型圖像提取透鏡至少具有以下優(yōu)點第一，本發(fā)明可以在 基板的兩側(cè)形成不同材料的透鏡模塊，以使光學(xué)散射最小化。特別是，本發(fā)明在基板的兩側(cè) 形成不同材料的透鏡模塊并不會特別增加制造的費用，理由是即使是一般的晶片級透鏡， 其基板相對兩邊的透鏡必須在不同步驟制作。第二，紅外線(IR)濾光層可以涂布于玻璃基 板的表面。第三，本發(fā)明技術(shù)制作的透鏡模塊具有較短的總軌道長度。雖然本發(fā)明已揭示較佳實施例如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范 圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
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權(quán)利要求
一種微型圖像提取透鏡，包括一孔徑光圈，具有一孔徑，使該微型圖像提取透鏡穿過該孔徑提取一圖像；一晶片級透鏡系統(tǒng)，包括一第一透鏡群組，包括一第一基板；一第一表面，位于該第一基板的第一側(cè)；一第二表面，位于該第一基板的第二側(cè)；及一第二透鏡群組，包括一第二基板；一第三表面，位于該第二基板的第一側(cè)；一第四表面，位于該第二基板的第二側(cè)；其中該第一表面，該第二表面，該第三表面，該第四表面為非球面，該第一表面和該第二表面的一表面和該第三表面和該第四表面的一表面具有一高折射系數(shù)Nd_h和一高阿貝數(shù)Vd_h，該第一表面和該第二表面的另一表面和該第三表面和該第四表面的另一表面具有一低折射系數(shù)Nd_1和一低阿貝數(shù)Vd_1，該高折射系數(shù)Nd_h大于該低折射系數(shù)Nd_1，該高阿貝數(shù)Vd_h大于該低阿貝數(shù)Vd_1，該微型圖像提取透鏡符合以下條件Nd_h＝1.58～1.62；Nd_1＝1.48～1.53；Nd_1/Nd_h＝0.91～0.97；Vd_h＝35～45；Vd_1＝25～35；且Vd_1/Vd_h＝1.2～2.2其中該第一表面和該第二表面的一表面為凸面，該第一表面和該第二表面的另一表面為凹面，該第三表面和該第四表面的一表面為凸面，該第三表面和該第四表面的另一表面為凹面。
2.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、 該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀，該第二表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面 形狀，該第三表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀，該第四表面具有 該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀。
3.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、 該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀，該第二表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面 形狀，該第三表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀，該第四表面具有 該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、 該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀，該第二表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面 形狀，該第三表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀，該第四表面具有 該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀。
5.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、 該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀，該第二表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀，該第三表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀，該第四表面具有 該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀。
6.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、 該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀，該第二表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面 形狀，該第三表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀，該第四表面具有 該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、 該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀，該第二表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面 形狀，該第三表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀，該第四表面具有 該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀。
8.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、 該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀，該第二表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面 形狀，該第三表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凹面形狀，該第四表面具有 該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凸面形狀。
9.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、 該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀，該第二表面具有該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面 形狀，該第三表面具有該低折射系數(shù)Nd_l、該低阿貝數(shù)Vd_l和凹面形狀，該第四表面具有 該高折射系數(shù)Nd_h、該高阿貝數(shù)Vd_h和凸面形狀。
10.如權(quán)利要求1所述的微型圖像提取透鏡，其中該第一表面和該第二表面以不同材 料組成，該第三表面和該第四表面以不同材料組成。
全文摘要
一種微型圖像提取透鏡?？讖焦馊哂幸豢讖剑刮⑿蛨D像提取透鏡穿過孔徑提取一圖像，一晶片級透鏡系統(tǒng)包括第一透鏡群組包括第一基板、位于第一基板的第一側(cè)的第一表面和位于第一基板的第二側(cè)的第二表面，第二透鏡群組包括一第二基板、位于第二基板的第一側(cè)的第三表面和位于第二基板的第二側(cè)的第四表面。第一表面，第二表面，第三表面，第四表面為非球面，四者的一表面為凸面具有高折射系數(shù)Nd_h＝1.58～1.62和高阿貝數(shù)Vd_h＝35～45，其另一表面為凹面具有一低折射系數(shù)Nd_1＝1.48～1.53和一低阿貝數(shù)Vd_1＝25～35，Nd_1/Nd_h＝0.91～0.97，Vd_1/Vd_h＝1.2～2.2。
文檔編號G02B13/00GK101846789SQ200910221050
公開日2010年9月29日 申請日期2009年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日
發(fā)明者張維中, 鄧兆展 申請人:采鈺科技股份有限公司