專利名稱：減壓干燥裝置及減壓干燥方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及為了在光刻工序中形成涂敷膜而在減壓環(huán)境下 對涂敷有處理液的被處理基板實(shí)施干燥處理的減壓干燥裝置及 減壓干燥方法。
背景技術(shù)：
例如在FPD (平板顯示器)的制造過程中，通過所謂的光 刻工序形成電路圖案，該光刻工序在玻璃基板等被處理基板上 形成規(guī)定的膜之后，涂敷作為處理液的光致抗蝕劑(以下稱作 抗蝕劑)而形成抗蝕膜，與電路圖案相對應(yīng)地將抗蝕膜曝光， 對其進(jìn)行顯影處理。
在上述抗蝕膜的形成工序中，向基板涂敷抗蝕劑之后，進(jìn) 行通過減壓而使涂敷膜干燥的減壓干燥處理。
以往，作為進(jìn)行這樣的減壓干燥處理的裝置，存在例如圖 26的剖視圖所示的專利文獻(xiàn)l中公開的減壓干燥單元。
圖26所示的減壓干燥處理單元的下部室151與上部室152 緊密結(jié)合，在減壓千燥處理單元的內(nèi)部形成有處理空間。在該 處理空間中設(shè)有用于載置被處理基板的載物臺153。在載物臺 153上設(shè)有用于載置基板G的多個固定銷156。
在該減壓干燥處理單元中，搬入在被處理面涂敷了抗蝕劑 的基板G時，基板G借助固定銷156載置在載物臺153上。
接著，上部室152緊密結(jié)合在下部室151上，基板G成為放 置在氣密狀態(tài)的處理空間內(nèi)的狀態(tài)。
接著，處理空間內(nèi)的氣氛氣體從排氣口 154排出，形成規(guī) 定的減壓氣氛。通過將該減壓狀態(tài)保持規(guī)定時間，抗蝕液中的稀釋劑(thinner )等溶劑一定程度被蒸發(fā)，抗蝕液中的溶劑逐 漸放出，不對抗蝕劑產(chǎn)生不良影響地促進(jìn)抗蝕劑的干燥。 專利文獻(xiàn)l:曰本并爭開2000 — 181079號7>才艮 但是，近年來，F(xiàn)PD等所采用的玻璃基板大型化，在減壓 千燥處理單元中，收容玻璃基板的室也大型化。
因此，室內(nèi)的容積增加，減壓至規(guī)定壓力需要時間。并且， 由于涂敷在基板上的抗蝕液的量增加，因此，存在直到抗蝕液 在基板整個面上均勻地干燥為止需要時間、生產(chǎn)效率降低這樣 的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即是在上述那樣的情況下做成的，提供一種減壓干 燥裝置及減壓干燥方法，該減壓干燥裝置對涂敷有處理液的被 處理基板進(jìn)行上述處理液的干燥處理而形成涂敷膜，能夠縮短 處理液的干燥時間，而且獲得均勻的膜厚。
為了解決上述課題，本發(fā)明的減壓干燥裝置對涂敷有處理 液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理，形成涂敷膜， 其特征在于，包括室，收容被處理基板，形成處理空間；保 持部，設(shè)置在上述室內(nèi)，保持上述被處理基板；排氣口，形成 在上述室內(nèi)；排氣部件，從上述排氣口排出室內(nèi)的氣氛氣體； 整流部件，設(shè)置在上述室內(nèi)，通過上述排氣部件的排氣動作形 成在上述基板上表面向 一 個方向流動的氣流的流路。
通過這樣地構(gòu)成，在減壓干燥處理的期間里，能夠在基板 上表面附近形成向一個方向流動的氣流。因此，促進(jìn)了涂敷在 基板上的處理液的干燥，能夠在更短的時間內(nèi)對基板處理面進(jìn) 行均勻的千燥處理。
另外，為了解決上述課題，本發(fā)明的減壓干燥方法在上述液
的減壓干燥處理，形成涂敷膜，其特征在于，執(zhí)行如下步驟 將被處理基板保持在上述保持部上的步驟；以及利用排氣部件 對上述室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓、并且利用供氣部件向上述室 內(nèi)供給惰性氣體的步驟。
通過實(shí)施這樣的方法，在減壓干燥處理的期間里，能夠在 室內(nèi)的處理空間中產(chǎn)生氣流，從而能夠促進(jìn)涂敷在基板上的處 理液的干燥。
采用本發(fā)明，能夠獲得這樣的減壓干燥裝置及減壓干燥方 法，該減壓干燥裝置對涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處 理液的千燥處理而形成涂敷膜，能夠縮短處理液的干燥時間， 而且獲得均勻的膜厚。


圖l是包括本發(fā)明的減壓千燥裝置的涂敷顯影處理系統(tǒng)的 俯視圖。
圖2是表示圖1的涂敷顯影處理系統(tǒng)的基板處理流程的流程圖。
圖3是表示涂敷工藝部的整體構(gòu)造的俯視圖。 圖4是涂敷工藝部的側(cè)視圖。
圖5是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第 一 實(shí)施方式的減 壓千燥單元的俯-f見圖。
圖6是圖5的C- C向視剖視圖。
圖7是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第二實(shí)施方式的減 壓干燥單元的俯視圖。
圖8是圖7的<:-C向視剖視圖。 圖9是圖7的D - D向視剖視圖。圖10是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第三實(shí)施方式的
減壓干燥單元的俯視圖。
圖ll是圖lO的C- c向視剖視圖。
圖12是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第三實(shí)施方式的減壓干燥單元的另 一實(shí)施方式的剖視圖。
圖13是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第四實(shí)施方式的減壓干燥單元的俯視圖。
圖14是圖13的C - C向視剖視圖。
圖15是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第四實(shí)施方式的減壓干燥單元的另 一實(shí)施方式的剖視圖。
圖16是可用作本發(fā)明的減壓干燥裝置的第五實(shí)施方式的減壓干燥單元的俯視圖。
圖17是圖16的C - C向視剖視圖，表示保持基板的載物臺升降的狀態(tài)的圖。
圖18是圖16的C- C向視剖視圖，表示保持基板的載物臺位于室內(nèi)上方的狀態(tài)的圖。
圖19是圖16的C - C向視剖視圖，表示保持基板的載物臺位于室內(nèi)下方的狀態(tài)的圖。
圖2 0是表示在實(shí)施例1中采用的減壓干燥單元的室構(gòu)造的圖。
圖21是表示在比較例1中采用的減壓干燥單元的室構(gòu)造的圖。
圖22是表示在比較例2中采用的減壓干燥單元的室構(gòu)造的圖。
圖23是表示實(shí)施例1的結(jié)果的圖。圖24是表示比較例1的結(jié)果的圖。圖25是表示比較例2的結(jié)果的圖。圖2 6是表示以往的減壓干燥單元的概略構(gòu)造的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的一個實(shí)施方式。圖l是包括本發(fā)明的減壓干燥裝置的涂敷顯影處理系統(tǒng)的俯視圖。
該涂敷顯影處理系統(tǒng)10被設(shè)置在潔凈室內(nèi)，例如將LCD用的玻璃基板作為被處理基板，在LCD制造工藝中進(jìn)行光刻工序中的清洗、抗蝕劑涂敷、預(yù)烘干、顯影及后烘干等一連串的處理。曝光處理利用與該系統(tǒng)相鄰地設(shè)置的外部的曝光裝置12來進(jìn)行。
涂敷顯影處理系統(tǒng)10在其中心部配置橫向長的工藝站(P/ S ) 16,在其長度方向(X方向)兩端部配置盒站(C / S )14和接口站(1/ F) 18。
盒站(C/S) 14是搬出搬入將多枚基板G重疊多層地進(jìn)行收容的盒C的搬出搬入部，包括能夠在水平的一個方向(Y方向)上最多排列載置4個盒C的載盒臺20、和將基板G自該載盒臺20上的盒C取出或?qū)⒒錑放入到盒C中的輸送機(jī)構(gòu)22。輸送機(jī)構(gòu)22具有能夠保持基板G的部件、例如輸送臂22a,能夠在X、 Y、Z、 e這4個軸上動作，與相鄰的工藝站(P/S) 16側(cè)進(jìn)行基板G的交接。
工藝站(P / S) 16按照工藝流程或工序的順序在沿水平的系統(tǒng)長度方向(X方向)上延伸的平行且反向的一對線A、 B上配置有各處理部。
即，在從盒站(C/S) 14側(cè)朝向接口站(I/F) 18側(cè)的生產(chǎn)線A上，搬入單元(IN PASS) 24、清洗工藝部26、第l熱處理部28、涂敷工藝部30及第2熱處理部32按這樣的順序從上游側(cè)沿著第l平動(flat transmission)輸送通路34配置成一列。
更詳細(xì)地講，搬入單元(IN PASS) 24自盒站(C/S) 14的輸送機(jī)構(gòu)22接受未處理的基板G,以規(guī)定的頻率(tact)將未處理的基板G投入到第l平動輸送通路34。
在清洗工藝部26中，從上游側(cè)沿著第l平動輸送通路34按順序設(shè)有準(zhǔn)分子UV照射單元(E-UV) 36及洗滌器清洗單元(SCR) 38。
在笫l熱處理部28中，從上游側(cè)按順序設(shè)有粘著單元(AD )40及冷卻單元(COL) 42。在涂ft工藝部30中，乂人上游側(cè)按順序設(shè)有抗蝕劑涂敷單元(COT) 44及作為本發(fā)明的減壓干燥裝置的減壓干燥單元(VD) 46。
在第2熱處理部32中，從上游側(cè)設(shè)有預(yù)烘千單元(PRE-BAKE) 48及冷卻單元(COL) 50。
在位于與第2熱處理部3 2的下游側(cè)相鄰的位置的第1平動輸送通路34的終點(diǎn)設(shè)有通過單元(PASS) 52。
在第1平動輸送通路34上平動地輸送來的基板G從該終點(diǎn)的通過單元(PASS) 52被移交給接口站(I/F) 18。
另一方面，在從接口站(I/F) 18側(cè)朝向盒站(C/S)14側(cè)的下游部的生產(chǎn)線B上，顯影單元(DEV) 54、后烘干單元(POST - BAKE ) 56、冷卻單元(COL) 58、檢查單元(AP )60及搬出單元(OUT PASS) 62按這樣的順序從上游側(cè)沿著第2平動輸送通路64配置成一列。
在此，后烘干單元(POST - BAKE )56及冷卻單元(COL)58構(gòu)成第3熱處理部66。搬出單元(OUT PASS) 62自第2平動輸送通路64逐枚地接受處理完畢的基板G，將處理完畢的基板G移交給盒站(C/S) 14的輸送機(jī)構(gòu)22。
在兩個生產(chǎn)線A、 B之間還設(shè)有輔助輸送空間68，能夠水平200910176671. 地載置1枚基板G的梭式件(shuttle) 70能夠利用未圖示的驅(qū)動機(jī)構(gòu)在生產(chǎn)線方向(X方向)上雙向移動。
接口站(1/ F) 18還具有用于與上述第l及第2平動輸送通路34、 64、相鄰的曝光裝置12互換基板G的輸送裝置72,在該輸送裝置72的周圍配置有旋轉(zhuǎn)載物臺(R/S) 74及周邊裝置76。旋轉(zhuǎn)載物臺(R/S) 74是使基板G在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的載物臺，可用于在與曝光裝置12交接時轉(zhuǎn)換長方形的基板G的朝向。周邊裝置76例如將標(biāo)識裝置(TITLER,將產(chǎn)品的ID信息作為2維代碼、OCR文字標(biāo)識于基板的規(guī)定部分的裝置)、周邊曝光裝置(EE)等連接于第2平動輸送通路64。
圖2表示該涂敷顯影處理系統(tǒng)對l枚基板G進(jìn)行的全部工序的處理過程。首先，在盒站(C/S)14中，輸送機(jī)構(gòu)22從載盒臺20上的任一個盒C中取出基板G,將該取出的基板G搬入到工藝站(P / S ) 16的生產(chǎn)線A側(cè)的搬入單元(IN PASS ) 24中(圖2的步驟S1)?；錑從搬入單元(IN PASS) 24被移載或投入到第l平動輸送通路34上。
投入到第1平動輸送通路3 4上的基板G首先在清洗工藝部26中利用準(zhǔn)分子UV照射單元(E-UV) 36及洗滌器清洗單元(SCR) 38依次實(shí)施紫外線清洗處理及洗滌(scrubbing)清洗處理(圖2的步驟S2、 S3)。
洗滌器清洗單元(SCR) 38通過對在平動輸送通路34上水平移動的基板G實(shí)施刷洗、吹洗而從基板表面去除粒子狀的污漬，之后實(shí)施沖洗(rinse)處理，最后使用吹拂器等將基板G千燥。在完成洗滌器清洗單元(SCR) 38中的一連串清洗處理時，基板G保持原樣地在第l平動輸送通路34中下行而到達(dá)第1熱處理部28。
在第1熱處理部28中，首先基板G在粘著單元(AD) 40中被實(shí)施采用蒸氣狀的HMDS進(jìn)行的粘著處理，使被處理面疏水化(圖2的步驟S4)。在該粘著處理結(jié)束之后，基板G在冷卻單元(COL) 42中被冷卻至規(guī)定的基板溫度(圖2的步驟S5)。之后，基板G也在第l平動輸送通路34中下行而被搬入到涂敷工藝部30。
在涂敷工藝部30中，基板G首先在抗蝕劑涂敷單元(COT)44中保持平動狀態(tài)而利用采用狹縫噴嘴進(jìn)行的非旋轉(zhuǎn)(Non-spin)法在基^反上表面(被處理面)涂J丈抗蝕液，之后立即在下游側(cè)相鄰的減壓干燥單元(VD) 46中接受通過減壓進(jìn)行的常溫的千燥處理(圖2的步驟S6)。
自涂敷工藝部30被取出的基板G在第l平動輸送通路34中下行而到達(dá)第2熱處理部32。在第2熱處理部32中，基板G首先在預(yù)烘千單元(PRE-BAKE) 48中受到作為抗蝕劑涂敷后的熱處理或曝光前的熱處理的預(yù)烘干(圖2的步驟S7)。
通過該預(yù)烘干，殘留在基板G上的抗蝕膜中的溶劑蒸發(fā)而被去除，強(qiáng)化了抗蝕膜與基板的緊密結(jié)合性。接著，基板G在冷卻單元(COL) 50中被冷卻至規(guī)定的基板溫度(圖2的步驟
58) 。之后，基板G從第l平動輸送通路34的終點(diǎn)的通過單元(PASS) 52被引領(lǐng)到接口站(I/F) 18的輸送裝置72。
在接口站(I/F) 18中，基板G在旋轉(zhuǎn)載物臺74中受到例如90度的方向轉(zhuǎn)換之后被搬入到周邊裝置76的周邊曝光裝置(EE)中，在此受到用于在顯影時去除附著在基板G周邊部的抗蝕劑的曝光之后，被輸送到相鄰的曝光裝置12 (圖2的步驟
59) 。
在曝光裝置12中，在基板G上的抗蝕劑上曝光規(guī)定的電路圖案。然后，完成圖案曝光的基板G從曝光裝置12返回到接口站(I / F ) 18時，首先被搬入到周邊裝置76的標(biāo)識裝置(TITLER)中，在此，規(guī)定的信息被記錄在基板上的規(guī)定部位(圖2的步驟S10)。之后，基板G被從輸送裝置72搬入到鋪設(shè)于工藝站(P/S) 16的生產(chǎn)線B側(cè)的第2平動輸送通路64的顯影單元(DEV) 54的起點(diǎn)。
這樣，基板G這一 次在第2平動輸送通路64上被朝向生產(chǎn)線B的下游側(cè)輸送。在最初的顯影單元(DEV) 54中，基板G在被平動地輸送的期間里，被實(shí)施顯影、沖洗、干燥的一連串顯影處理(圖2的步驟S11 )。
在顯影單元(DEV) 54中完成了一連串的顯影處理的基板G保持原樣地依次通過裝載在第2平動輸送通路64中的第3熱處理部66及4全查單元(AP) 60。在第3熱處理部66中，基板G首先在后烘干單元(POST-BAKE) 56中受到作為顯影處理后的熱處理的后烘千(圖2的步驟S12)。
通過該后烘干，殘留在基板G的抗蝕膜中的顯影劑、清洗液蒸發(fā)而被去除，強(qiáng)化了抗蝕劑圖案與基板的緊密結(jié)合性。接著，基板G在冷卻單元(COL) 58中被冷卻至規(guī)定的基板溫度
(圖2的步驟S13)。在檢查單元(AP) 60中，對基板G上的抗蝕劑圖案進(jìn)行非接觸的線寬度檢查、膜質(zhì)膜厚檢查等(圖2的步驟S14 )。
搬出單元(OUT PASS) 62自第2平動輸送通路64接受完成了全部工序的處理的基板G,將其移交給盒站(C/S) 14的輸送機(jī)構(gòu)22。在盒站(C/S) 14側(cè)，輸送機(jī)構(gòu)22將自搬出單元(OUT PASS) 62接受到的處理完畢的基板G收容在任一個(通常是原來的)盒C中(圖2的步驟S15)。
在該涂敷顯影處理系統(tǒng)10中，本發(fā)明的減壓干燥裝置能夠適用于涂敷工藝部30內(nèi)的減壓干燥單元(VD) 46。
接著，根據(jù)圖3~圖6說明應(yīng)用本發(fā)明的減壓干燥裝置的減壓千燥單元(VD) 46的第一實(shí)施方式。
圖3是表示涂敷工藝部3 0的整體構(gòu)造的俯視圖。圖4是涂敷 工藝部30的側(cè)視圖。另外，圖5是減壓干燥單元(VD ) 46的俯 視圖，圖6是圖5的C-C向視剖視圖。
如圖3、圖4所示，在涂敷工藝部30中，具有噴嘴84的抗蝕 劑涂敷單元(COT) 44與減壓干燥單元(VD) 46按照處理工 序的順序在支承臺8 0上橫向配置成 一 列。在支承臺8 0的兩側(cè)鋪 設(shè)有一對導(dǎo)軌81,利用沿著該導(dǎo)軌81平行移動的一組輸送臂 82,能夠?qū)⒒錑從抗蝕劑涂敷單元(COT) 44輸送到減壓干 燥單元(VD) 46。
上述抗蝕劑涂敷單元(COT)44如上所述那樣具有噴嘴84, 該噴嘴84以自固定在支承臺80上的龍門支架(gate) 83懸垂的 狀態(tài)被固定。自抗蝕液供給部件(未圖示)向該噴嘴84中供給 作為處理液的抗蝕液R，從利用輸送臂82在龍門支架83下通過、 移動的基4反G的一端到另 一端來涂a:抗蝕液R。
另外，如圖4、圖6所示，減壓干燥單元(VD ) 46具有上 表面開口的淺底容器型的下部室85、和能夠氣密地緊密結(jié)合在 該下部室85的上表面地構(gòu)成的蓋狀的上部室86。
如圖3、圖5所示，下部室85為大致四邊形，在其中心部配 置有用于將基板G水平地載置并將基板G吸附保持的板狀的載 物臺88 (保持部)。上述上部室86利用上部室移動部件87升降 自由地配置在上述載物臺88的上方，在減壓干燥處理時，上部 室86下降而與下部室85緊密結(jié)合，成為將載置在載物臺88上的 基板G收容在處理空間中的狀態(tài)。
另外，在上述下部室85的底面的、位于上述載物臺88的下 方(被上述載物臺88保持的基板G的下方)的兩個部位設(shè)有排 氣口 89,連接于各排氣口 89的排氣管90與真空泵91(排氣部件)相連通。于是，在將上述上部室86蓋在下部室85上的狀態(tài)下， 能夠利用上述真空泵91將室內(nèi)的處理空間減壓至規(guī)定的真空 度。
另外，在大致四邊形的下部室85的底面，在其一邊的附近 設(shè)有用于向室內(nèi)供給惰性氣體(例如氮?dú)?、并對室內(nèi)氣氛進(jìn)行 吹掃的供氣口92。如圖6所示，連接于供氣口 92的供氣管96與 惰性氣體供給部97 (供氣部件)相連接。
在室內(nèi)氣壓達(dá)到規(guī)定值(例如400Pa以下)時、或者從室 內(nèi)開始減壓而經(jīng)過規(guī)定時間之后，開始自上述供氣口92供給惰 性氣體。其原因在于，保持因減壓而流量減少的室內(nèi)的氣流， 有助于縮短減壓干燥處理的時間。
另夕卜，為了在減壓干燥處理的期間里始終保持穩(wěn)定的氣流， 在室內(nèi)開始減壓之前或減壓的同時開始供給惰性氣體。
另外，如圖5所示，在下部室85的底面與載物臺88之間， 在上述排氣口89的周圍設(shè)有俯視為〕字形的整流板93(第一整 流構(gòu)件)。通過^L置該整流纟反93，形成有側(cè)部開口部93a和自該 側(cè)部開口部93a與排氣口89連通的連通路徑93b。即，室內(nèi)的氣 氛氣體在流入到載物臺88 (基板G)的下方時，自整流板93的 側(cè)部開口部93a在連通^各徑93b中流動，^v排氣口 89被排出。
另外，如圖5所示，上述整流^反93以其側(cè)部開口部93a朝向 與上述供氣口92 (隔著載物臺88)相反的方向的狀態(tài)設(shè)置。因 此，從供氣口 92供給來的惰性氣體在載置于載物臺8 8 的基板G 的上方向一個方向流動而通過之后，從排氣口 89被排出。
另外，在室內(nèi)，在上述連通^各徑93b的左右兩側(cè)分別設(shè)有 與上述整流板93相鄰的、用于填埋保持在載物臺88上的基板G 的下方空間的塊構(gòu)件95 (第二整流構(gòu)件)。
在下部室85內(nèi)的左右兩側(cè)的內(nèi)壁上，還與上述塊構(gòu)件95相鄰地分別設(shè)有大致棱纟奉狀的側(cè)桿(side bar)構(gòu)件94,在上部 室86內(nèi)的左右兩側(cè)的內(nèi)壁上，分別與上述下部室85內(nèi)的側(cè)桿構(gòu) 件94相對應(yīng)地設(shè)有側(cè)桿構(gòu)件98。通過設(shè)置這些側(cè)桿構(gòu)件94、 98 (第八整流構(gòu)件)并封閉上部室86和下部室85,基板G的左右 側(cè)方空間凈皮填埋，在室內(nèi)的處理空間中向排氣口 89流動的氣體 的流路被限制為在基板G上方通過的流路。
在這樣構(gòu)成的涂敷工藝部30中，基板G被搬入而載置在輸 送壁82上時，輸送壁82在導(dǎo)軌81上移動，在抗蝕劑涂敷單元 (COT) 44的龍門支架83下通過、移動。此時，自固定于龍門 支架83的噴嘴84向在龍門支架83下移動的基板G噴出抗蝕液 R，從基板G的一邊朝向另一邊涂敷抗蝕液R。另外，在抗蝕液 涂敷到基板G整個表面的時刻(涂敷結(jié)束位置)，基板G位于減 壓干燥單元(VD ) 46的上部室86之下，成為基板G整體被上部 室86覆蓋的狀態(tài)。
接著，基板G載置在減壓干燥單元(VD) 46的載物臺88 上，從基板G的上方被利用上部室移動部件87下降移動的上部 室86所覆蓋。于是，基板G收容在通過上部室86與下部室85緊 密結(jié)合而形成的處理空間內(nèi)。
并且，真空泵91自該狀態(tài)開始工作，從排氣口89經(jīng)由排氣 管90而吸引處理空間內(nèi)的空氣，處理空間的氣壓減壓至成為規(guī) 定的真空狀態(tài)。由此，被成膜在基板G上的抗蝕液不依靠加熱 而被實(shí)施減壓干燥。
在此，在室內(nèi)的氣壓達(dá)到規(guī)定值(例如400Pa以下)、或者 從開始減壓而經(jīng)過規(guī)定時間時，通過惰性氣體供給部97的驅(qū)動 而從供氣口92向室內(nèi)供給規(guī)定流量的惰性氣體。由此，即使在 減壓環(huán)境下，也能保持室內(nèi)的氣流。
另外，也可以控制為在開始減壓之前或與開始減壓同時從供氣口 92供給惰性氣體。
在該減壓干燥處理工序中，如上所述作為整流部件而設(shè)有 整流板93、塊構(gòu)件95及側(cè)桿構(gòu)件94、 98,因此，如圖6所示那
樣形成有在基板上表面向 一 個方向流動的氣流的流路。因此， 自供氣口 92供給的惰性氣體的流動被限制為通過基板上表面、 自整流板93的側(cè)部開口部93a通過連通^各徑93b、從排氣口 89 被排出。
因而，在減壓干燥處理的期間里，氣體相對于基板G的整 個上表面以均勻的流量在基板上方持續(xù)流動。結(jié)果，提高了涂 敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速度，能在更短的時間內(nèi)進(jìn) 行減壓干燥處理。
在上述減壓干燥處理結(jié)束時，上部室86利用上部室移動部 件87上升移動，基板G從減壓干燥單元(VD) 46被朝向下一處 理工序搬出。
如上所述，采用本發(fā)明的減壓干燥裝置的第一實(shí)施方式， 在減壓干燥單元(VD ) 46中，通過控制室內(nèi)的氣流，能夠在 減壓干燥處理的期間里使均勻流量的氣體相對于基板G的整個 上表面向 一 個方向持續(xù)流動。
因而，在減壓干燥處理中，能夠高效地排出來自涂敷于基 板G的抗蝕液R的蒸發(fā)物，從而能夠提高抗蝕液R的千燥速度。
另外，在上述第一實(shí)施方式中表示了包括供氣口92及供氣 部件97的例子，但本發(fā)明并不限定于此，在圖5、圖6中，即使 是不包括供氣口 92及供氣部件97的構(gòu)造，也能夠充分地獲得本 發(fā)明的效果。即，即使不供氣而僅通過自排氣口89排氣的處理， 室內(nèi)的氣體也不會流入到基板G的下方(及側(cè)方)，全部在基板 上方向一個方向通過而流向排氣口 89。因而，即使在這種情況 下，也提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速度，能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
接著，根據(jù)圖7~圖9說明應(yīng)用本發(fā)明的減壓干燥裝置的減 壓干燥單元(VD) 46的第二實(shí)施方式。另外，在該第二實(shí)施 方式中，與上述第一實(shí)施方式共同的部分以相同的附圖標(biāo)記表 示，省略其詳細(xì)說明。另外，由于排氣及供氣控制的實(shí)施方式 與第一實(shí)施方式相同，因此，省略其il明。
圖7是第二實(shí)施方式的減壓干燥單元(VD) 46的俯視圖， 圖8是圖7的(-C向視剖視圖，圖9是圖7的D - D向視剖視圖。
在第二實(shí)施方式中，減壓干燥單元(VD) 46與上述第一 實(shí)施方式同樣具有上表面開口的淺底容器型的下部室85、和能 夠氣密地緊密結(jié)合在該下部室85的上表面上而構(gòu)成的蓋狀的 上部室86。
但是，圖示的室做成也可以不采用在第一實(shí)施方式中如圖 5所示的側(cè)桿構(gòu)件94、 98(第八整流構(gòu)件)的室形狀、即如圖7、 圖8所示那樣室內(nèi)壁(圖中為上部室86的內(nèi)壁86a、 86b )接近 基板G的兩端部的形狀。另外，在基板G側(cè)方的空間較大的情況 下，優(yōu)選釆用圖5所示的側(cè)桿構(gòu)件94、 98。
另外，在下部室85的中心部與第一實(shí)施方式同樣地配置有 載物臺88 (保持部)，圍著該載物臺88地設(shè)有作為整流部件的 塊構(gòu)件102 (第三整流構(gòu)件)。通過設(shè)置該塊構(gòu)件102，成為至 少填埋基板G的周緣下方空間的狀態(tài)。另外，圖中表示了基板G 保持在比下部室85高的位置的例子，但也可以使基板保持位置 容納在下部室85內(nèi)地(在下部室85內(nèi)下挖地)形成塊構(gòu)件102。 另外，塊構(gòu)件102可以與下部室85 —體形成，或者也可以是與 下部室85獨(dú)立的構(gòu)件。
另外，在第一實(shí)施方式中，在基板G的下方設(shè)有排氣口 89， 但在第二實(shí)施方式中，如圖所示，多個(圖中為3個)排氣口101并列地設(shè)置在基板G的側(cè)方。這些多個排氣口 IOI和供氣口 92以隔著基板G的狀態(tài)設(shè)置在基板G的下方位置。
通過該構(gòu)造，塊構(gòu)件102起到防止氣流流入到基板下的壩 的作用。即，如圖8所示，自供氣口 92供給來的惰性氣體不會 流入到基板G的下方(及側(cè)方)，全部在基板上方向一個方向通 過而流向基一反側(cè)方的排氣口 101。
因而，采用該第二實(shí)施方式，在減壓干燥處理的期間里， 氣體也相對于基板G的整個上表面以均勻的流量在基板上方持 續(xù)流動，結(jié)果，提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速
度，能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
另外，在上述第二實(shí)施方式中表示了包括供氣口92及供氣 部件97的例子，但本發(fā)明并不限定于此，在圖7、圖8中，即使 是不包括供氣口 92及供氣部件97的構(gòu)造，也能夠充分地獲得本 發(fā)明的效果。即，即使不供氣而僅通過自排氣口 101排氣的處 理，室內(nèi)的氣體也不會流入到基板G的下方(及側(cè)方)，全部在 基板上方向一個方向通過而流向排氣口 101。因而，即使在這 種情況下，也提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速度， 能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
接著，根據(jù)圖IO、圖ll說明應(yīng)用本發(fā)明的減壓干燥裝置的 減壓干燥單元(VD ) 46的第三實(shí)施方式。另外，在該第三實(shí) 施方式中，與上述第一、第二實(shí)施方式共同的部分以相同的附 圖標(biāo)記表示，省略其詳細(xì)說明。
圖IO是第三實(shí)施方式的減壓干燥單元(VD) 46的俯視圖， 圖ll是圖IO的C - C向視剖視圖。
在該第三實(shí)施方式中圖示的減壓干燥單元(VD) 46的構(gòu) 造不包括在上述第二實(shí)施方式中所示的供氣口 92及惰性氣體 供給部97 (供氣部件)，而且設(shè)置在室內(nèi)的整流部件的方式不同。
即，整流部件并不是上述第二實(shí)施方式中所示的塊構(gòu)件
102,而是如圖IO所示那樣包括形成有多個(圖中為3個)排氣 口 101的塊構(gòu)件104 (第四整流構(gòu)件)、和隔著基^反G而設(shè)置在 與塊構(gòu)件104相反的一側(cè)的塊構(gòu)件103 (第四整流構(gòu)件)。
更詳細(xì)地講，如圖所示，排氣口 101在塊構(gòu)件104中形成在 所保持的基板G的緣部附近。另外，成為形成有上述排氣口 101 一側(cè)的基板緣部的下方空間被上述塊構(gòu)件10 4填埋，隔著基板G 而與排氣口 IOI相反的 一側(cè)的基板緣部的下方空間被上述塊構(gòu) 件103填埋的狀態(tài)。另夕卜，塊構(gòu)件103、 104可以與下部室85 — 體形成，或者也可以是與下部室85獨(dú)立的構(gòu)件。
通過該構(gòu)造，如圖ll所示，室內(nèi)的氣體不會流入到基板G 的下方(及側(cè)方)，全部在基^反上方向一個方向通過而流向排氣 口 101。
因而，采用該第三實(shí)施方式，在減壓干燥處理的期間里， 氣體也相對于基板G的整個上表面以均勻的流量在基板上方持 續(xù)流動，結(jié)果，提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速 度，能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
另外，在該第三實(shí)施方式中表示了將第四整流構(gòu)件分為各 個塊構(gòu)件103、 104而在載物臺88的下方形成有空間的例子，但 也可以由1個塊構(gòu)件形成塊構(gòu)件103、 104(未圖示)，填埋載物 臺88的下方空間。
另外，在該第三實(shí)施方式中，圖IO、 ll所示的例子不包括 在第二實(shí)施方式中所示的供氣口 92及惰性氣體供給部97 (供氣 部件)，但也可以隔著基板G而在與排氣口 IOI相反的一側(cè)的基 板側(cè)方設(shè)置上述供氣口 92 (圖ll中的塊構(gòu)件103的外側(cè)附近 等)。另外，在設(shè)有供氣口 92及惰性氣體供給部97 (供氣部件) 的情況下，也可以如圖12所示那樣在塊構(gòu)件105 (第五整流構(gòu) 件)中形成有排氣口 IOI及供氣口 92，它們互相隔著基板G而配 置在基板側(cè)方(基板緣部附近)。另外，在圖12中，表示了使 第五整流構(gòu)件為1個塊構(gòu)件105來填埋載物臺88的下方空間的 例子，但至少填埋排氣口 IOI側(cè)的基板緣部的下方空間和供氣 口92側(cè)的基板纟彖部的下方空間即可。即，例如，也可以是排氣 口 IOI與供氣口 92形成在各不相同的塊構(gòu)件(第五整流構(gòu)件) 上，在載物臺88的下方形成空間。
接著，根據(jù)圖13、圖14說明應(yīng)用本發(fā)明的減壓千燥裝置的 減壓干燥單元(VD) 46的第四實(shí)施方式。另外，在該第四實(shí) 施方式中，與上述第一~第三實(shí)施方式共同的部分以相同的附 圖標(biāo)記表示，省略其詳細(xì)說明。
圖13是第四實(shí)施方式的減壓干燥單元(VD) 46的俯視圖， 圖14是圖13的C - C向視剖視圖。
在該第四實(shí)施方式中，減壓干燥單元(VD) 46僅是設(shè)置 在室內(nèi)的整流部件與上述第二實(shí)施方式不同。
即，未設(shè)置上述第二實(shí)施方式所示的塊構(gòu)件102,而是如 圖13、圖14所示那樣設(shè)有作為整流部件的塊構(gòu)件106 (第六整 流構(gòu)件)，該塊構(gòu)件106至少填埋隔著基板G而與排氣口 IOI相 反的 一 側(cè)的基板緣部的下方空間。
另外，塊構(gòu)件106可以與下部室85 —體形成，或者也可以 是與下部室85獨(dú)立的構(gòu)件。
通過該構(gòu)造，如圖14所示，從供氣口92供給來的惰性氣體 不會流入到基板G的下方(及側(cè)方)，全部在基板上方向一個方 向通過而流向排氣口 101。
因而，采用該第四實(shí)施方式，在減壓干燥處理的期間里，氣體也相對于基板G的整個上表面以均勻的流量在基板上方持 續(xù)流動，結(jié)果，提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速 度，能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
另外，在上述第四實(shí)施方式中表示了包括供氣口92及供氣 部件97的例子，^f旦本發(fā)明并不限定于此，在圖13、圖14中，即 使是不包括供氣口 92及供氣部件97的構(gòu)造，也能夠充分地獲得 本發(fā)明的效果。即，即使不供氣而僅通過自排氣口 101排氣的 處理，室內(nèi)的氣體也不會流入到基板G的下方(及側(cè)方)，全部 在基^反上方向一個方向通過而流向4非氣口 101。因而，即〗吏在 這種情況下，也提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速 度，能夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。
另外，在上述第四實(shí)施方式中表示了供氣口92設(shè)置在下部 室85底部的例子，但本發(fā)明并不限定于此。即，填埋供氣口92 側(cè)的基板緣部的下方空間即可，例如圖15所示，也可以將供氣 口 92形成于塊構(gòu)件106 (第七整流構(gòu)件)上，將供氣口 92配置 在基板G附近。
接著，根據(jù)圖16~圖19說明應(yīng)用本發(fā)明的減壓干燥裝置的 減壓干燥單元(VD) 46的第五實(shí)施方式。
另外，該第五實(shí)施方式與上述第——第四實(shí)施方式不同， 其特征在于是保持基板G的載物臺能夠升降的構(gòu)造，與上述實(shí) 施方式共同的部分以相同的附圖標(biāo)記表示，省略其詳細(xì)說明。
圖16是第五實(shí)施方式的減壓干燥單元(VD) 46的俯視圖。 而且，圖17 ~圖19分別是圖16的C - C向視剖視圖，表示通過 保持基板G的載物臺升降移動而載物臺的高度不同的狀態(tài)。
如圖所示，在減壓干燥單元(VD ) 46的下部室85中，多 個排氣口 IOI與l個供氣口 92以隔著基板G的狀態(tài)設(shè)置在基板G 的下方4立置。
22另外，為了在從供氣口 92供給惰性氣體時使大量的惰性氣 體在基板G的上表面流動，載物臺88如圖19所示那樣配置在室 內(nèi)的下方。在該狀態(tài)下，在隔著基板G與排氣口 101的相反的一 側(cè)的基板緣部的下方空間被作為整流部件的塊構(gòu)件107、 108 (第六整流構(gòu)件)填埋。
并且，如圖16所示，在上述塊構(gòu)件107、 108的左右兩側(cè)設(shè) 有側(cè)桿構(gòu)件109 (第八整流構(gòu)件)，該側(cè)桿構(gòu)件109在基板G的 左右側(cè)方形成壁，用于抑制惰性氣體流向基板側(cè)方。
另外，該側(cè)桿構(gòu)件10 9也可以如圖所示那樣形成為棒狀(或 板狀)，遮住基板G的左右側(cè)方的空間，或者也可以填埋基板G 的左右側(cè)方的空間。
另外，該側(cè)桿構(gòu)件109為了易于在基板G上形成氣流而形成 為至少大于基板G的左右側(cè)邊的長度。
在此，如圖所示，側(cè)桿構(gòu)件109的端部(特別是排氣口 101 側(cè))也可以不與室內(nèi)壁接觸地設(shè)置。在這種情況下，成為基板 G的左右側(cè)方空間的 一部分被遮住的狀態(tài)，但能夠充分地抑制 惰性氣體流向基板側(cè)方。
另外，并不限定于圖16所示的例子，也可以做成將側(cè)桿構(gòu) 件109形成為其兩端部與相面對的室內(nèi)壁接觸的長度、完全遮 住(填埋)基板G的左右側(cè)方空間的構(gòu)造。
另外，如圖17所示，保持基板G的載物臺88能夠利用升降 裝置99 (升降部件)升降移動，該升降裝置99由例如將電動機(jī) 作為驅(qū)動源的滾J朱絲杠才幾構(gòu)構(gòu)成。
通過設(shè)置該升降裝置99,在搬入或搬出基板G時，上部室 86上升而室打開，載物臺88上升移動至下部室85的上表面高度 附近。在該狀態(tài)下，基板G例如被輸送臂82從載物臺88上搬出 或搬入到載物臺88上。另一方面，在減壓干燥處理時，在室關(guān)閉的狀態(tài)下，載物
臺88首先如圖18所示那樣通過升降裝置99的驅(qū)動上升移動至 室內(nèi)的上方位置而停止。
接著，真空泵91工作，從排氣口 101吸引處理空間內(nèi)的空 氣，處理空間的氣壓減壓至成為規(guī)定的真空狀態(tài)。在此，基板 G的上表面靠近上部室86的下表面，成為在基板G的上表面基 本上不發(fā)生氣氛氣體流動的狀態(tài)。由此，被成膜在基板G的抗 蝕液R首先通過減壓而被實(shí)施自然干燥，能抑制產(chǎn)生復(fù)制痕跡 等。
在此，在室內(nèi)的氣壓達(dá)到規(guī)定值(例如400Pa以下)、或者 從開始減壓而經(jīng)過規(guī)定時間時，載物臺88通過升降裝置99的驅(qū) 動而如圖19所示那樣下降移動至室內(nèi)的下方位置而停止。
接著，通過惰性氣體供給部97的驅(qū)動而從供氣口 92向室內(nèi) 供給規(guī)定流量的惰性氣體。由此，即使在減壓環(huán)境下，也能保 持室內(nèi)的氣流。
另外，由于設(shè)有作為整流部件的塊構(gòu)件107、 108及側(cè)桿構(gòu) 件109,因此，從供氣口 92供給來的惰性氣體不會在基板G的下 方及側(cè)方流動，在基板上方向一個方向通過而流向排氣口 101。 由此，提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速度，能在 短時間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理，并且，干燥狀態(tài)更加均勻化。
這樣，采用第五實(shí)施方式，在首先將基板G上的抗蝕液R 自然干燥之后，能夠使惰性氣體相對于基板G的整個上表面以 均勻的流量流動，從而能夠抑制在抗蝕膜上產(chǎn)生復(fù)制痕跡等， 并且，能夠使抗蝕膜的干燥狀態(tài)均勻化。
另外，在上述第五實(shí)施方式中表示了包括供氣口92及供氣 部件97的例子，但本發(fā)明并不限定于此，在圖16~圖19中，即 使是不包括供氣口 92及供氣部件97的構(gòu)造，也能夠充分地獲得處理，室內(nèi)的氣體也不會流入到基板G的下方(側(cè)方)，在基板 上方向一個方向通過而流向排氣口 101。因而，即^f吏在這種情 況下，也提高了涂敷在基板上表面的抗蝕液R的干燥速度，能 夠在更短的時間內(nèi)進(jìn)行減壓千燥處理。
另外，在上述第一~第五實(shí)施方式中，作為排氣口而在基 板G的下方位置表示了2個排氣口89(第一實(shí)施方式)、或3個排 氣口101(第二、第三、第四、第五實(shí)施方式)，但并不限定于 該數(shù)量、排列(布局)。
另外，排氣口 IOI表示了形成在處理空間的底面上的例子， 但并不限定于此，也可以形成在室內(nèi)壁上等，而且，在基板G 的側(cè)方，只要在基板G的高度位置附近即可，也可以形成在基 板G的些許上方。
并且，排氣口89、 IOI表示了純圓形，但并不限定于此， 也可以是長孔、方形等其他形狀。
另外，供氣口 92表示了形成在處理空間的底面上的例子， 但并不限定于此，在基板G之下的高度位置即可(例如下部室 85的內(nèi)壁部等)。
或者，排氣口89、 101及供氣口92各自也可以不是設(shè)置于 室的孔，而是噴嘴型的口。
另外，在上述第一~第五實(shí)施方式中，表示了基板G被輸 送臂82從減壓干燥單元(VD) 46搬出或搬入到減壓千燥單元 (VD) 46中的例子，但并不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明的減 壓干燥裝置應(yīng)用于通過滾輪輸送來搬出或搬入基板的構(gòu)造。
實(shí)施例
接著，根據(jù)實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的減壓干燥裝置。在 本實(shí)施例中，通過使用上述實(shí)施方式(第一實(shí)施方式)所示的構(gòu)造的減壓干燥裝置進(jìn)行實(shí)際實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證其效果。
在該實(shí)驗(yàn)中，基于使用圖20所示的構(gòu)造的減壓干燥單元 (減壓干燥裝置)進(jìn)行減壓干燥處理而進(jìn)一步實(shí)施顯影處理 (90sec)的結(jié)果，對形成在基板上的氣體的流量與減壓干燥 時間、殘膜率之間的關(guān)系進(jìn)行驗(yàn)證(實(shí)施例l)。在此，殘膜率 是指顯影后的抗蝕膜厚相對于顯影前的抗蝕膜厚的比率(％)。
另外，圖20與上述實(shí)施方式同樣地表示設(shè)有俯一見〕字形的 整流板、塊構(gòu)件和側(cè)桿構(gòu)件的減壓干燥單元的室構(gòu)造，以相同 的附圖標(biāo)記表示與上述實(shí)施方式所示的構(gòu)件相對應(yīng)的部分。圖 20的(a)是下部室的俯視圖，圖20的(b)是圖20的(a)的 D-D向視剖視圖。另外，在圖20的(b)中也表示由上部室形 成的室頂部部分。
另外，如圖21的(a)的俯視圖、圖21的(b)的D-D向 視剖視圖所示，作為比較例l,使用設(shè)有〕字形的整流板、且 由多個銷120支承基板G的、在基板G與載物臺之間設(shè)有間隙的 構(gòu)造的減壓干燥單元，與實(shí)施例l同樣地進(jìn)行減壓干燥處理及 顯影處理。另外，在這種情況下，通過由銷120支承基板，基 板與室頂部之間的距離尺寸為5mm ,與實(shí)施例1的情況 (15mm)相比變小。
另夕卜，如圖22的(a)的俯視圖、圖22的(b)的D-D向 視剖視圖所示，作為比較例2，使用設(shè)有3字形的整流板、且 與實(shí)施例1同樣地在載物臺上載置基板G的構(gòu)造的減壓干燥單 元，與實(shí)施例l同樣地進(jìn)行減壓千燥處理及顯影處理。另外， 在該比較例2中，與實(shí)施例l的減壓干燥單元的構(gòu)造不同，不包 括塊構(gòu)件95及側(cè)桿構(gòu)件94、 98。
作為實(shí)施例l的結(jié)果，在圖23的(a)的立體剖視圖中表示 減壓干燥過程中的氣壓100Pa、流量11L / min時的基板上的氣體的流線痕跡，在圖23的(b)中表示顯影處理后的基板上的 殘膜率的分布。
另外，作為比較例l的結(jié)果，在圖24的(a)的立體剖視圖 中表示減壓干燥過程中的氣壓100Pa、流量11L/ min時的基板 上的氣體的流線痕跡，在圖24的(b)中表示顯影處理后的基 板上的殘膜率的分布。
并且，作為比較例2的結(jié)果，在圖25的(a)的立體剖視圖 中表示減壓干燥過程中的氣壓100Pa、流量11L/ min時的基板 上的氣體的流線痕跡，在圖25的(b)中表示顯影處理后的基 板上的殘膜率的分布。
如圖23的(a)所示，在實(shí)施例l中，能確認(rèn)在基板上表面 流動有大量氣體。另外，如圖23的(b)所示，顯影后的殘膜 率能在基板上表面大致均勻地獲得較高的值。另外，減壓千燥 處理所需要的時間約為16se"艮短的時間。
另一方面，如圖24的(a)所示，在比較例l中，能確認(rèn)在 基板上表面流動的氣體流量較少。認(rèn)為其原因在于，由銷120 支承基板G,基板G與上部室86的間隙距離較小，而且在基板G 的下方產(chǎn)生空間，在基板下流動的氣體流量較多。另外，在基 板G的左右側(cè)方的空間中形成有大量氣流。另夕卜，如圖24的(b) 所示，顯影后的殘膜率在基板上表面整體變低且不均勻。另夕卜， 減壓干燥處理所需要的時間約為28sec。
另外，如圖25的(a)所示，在比較例2中，能確認(rèn)與比較 例l相比在基板上表面流動的氣體流量增加。其原因在于，基 板G與載物臺88之間沒有間隙，基板G上方的空間變大。另夕卜， 在基板G的左右側(cè)方的空間中形成有大量氣流。因此，認(rèn)為與 實(shí)施例l相比在基板上流動的氣體流量減少。另外，如圖25的 (b)所示，與比較例l相比，顯影后的殘膜率分布的均勻性在整個基板上表面上顯著提高，但未達(dá)到實(shí)施例l那樣的程度。
另外，減壓干燥處理所需要的時間約為21sec,與比較例l相比 縮短了約7sec。
由以上實(shí)施例的結(jié)果，采用本發(fā)明的減壓干燥裝置，確認(rèn) 能夠縮短抗蝕劑等處理液的干燥時間，而且獲得均勻的膜厚。
權(quán)利要求
1.一種減壓干燥裝置，該減壓干燥裝置對涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理，形成涂敷膜，其特征在于，包括室，收容被處理基板，形成處理空間；保持部，設(shè)置在上述室內(nèi)，保持上述被處理基板；排氣口，形成在上述室內(nèi)；排氣部件，從上述排氣口排出室內(nèi)的氣氛氣體；整流部件，設(shè)置在上述室內(nèi)，通過上述排氣部件的排氣動作形成在上述基板上表面向一個方面流動的氣流的流路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 包括供氣口，在上述室內(nèi)，形成在通過上述排氣部件的動作而 形成的氣流的上游側(cè)、且上述基板的側(cè)方；供氣部件，從上述供氣口向室內(nèi)的處理空間供給惰性氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述整流部件包括第一整流構(gòu)件，該第一整流構(gòu)件在上述保持部與上述室的底面之間設(shè)置在上述排氣口的周圍，在側(cè)部 形成一開口部，并形成將上述開口部和上述排氣口連通的連通 路徑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 作為上述整流部件，還在上述連通路徑的左右兩側(cè)與上述第 一 整流構(gòu)件相鄰地設(shè)有第二整流構(gòu)件，該第二整流構(gòu)件填埋 保持于上述保持部上的被處理基板的下方空間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述排氣口形成在上述被處理基板的側(cè)方； 上述整流部件包括第三整流構(gòu)件，該第三整流構(gòu)件至少填埋保持于上述保持部上的被處理基板的周緣下方空間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述整流部件包括形成有上述排氣口的第四整流構(gòu)件； 上述排氣口形成在保持于上述保持部上的被處理基板的緣部附近；利用上述第四整流構(gòu)件至少填埋上述排氣口側(cè)的基板緣部 的下方空間以及隔著上述基板而與上述排氣口相反的 一 側(cè)的基 板緣部的下方空間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述整流部件包括形成有上述排氣口和上述供氣口的第五 整流構(gòu)件；上述排氣口和供氣口分別隔著保持于上述保持部的被處理 基板而形成在該基板的緣部附近；利用上述第五整流構(gòu)件至少填埋上述排氣口側(cè)的基板緣部 的下方空間以及隔著上述基才反而與上述排氣口相反的 一 側(cè)的基 板緣部的下方空間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述排氣口形成在上述被處理基板的側(cè)方；上述整流部件包括第六整流構(gòu)件，該第六整流構(gòu)件與上述 排氣口相對，至少填埋隔著保持于上述保持部上的被處理基板 而與上述排氣口相反的 一側(cè)的基板緣部的下方空間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述排氣口形成在上述被處理基板的側(cè)方；上述整流部件包括形成有上述供氣口的第七整流構(gòu)件； 在上述第七整流構(gòu)件中，上述供氣口形成在隔著保持于上 述保持部上的被處理基板而與上述排氣口相反的 一 側(cè)；利用上述第七整流構(gòu)件至少填埋上述供氣口側(cè)的基板緣部的下方空間。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述整流部件還在形成于上述被處理基板上表面的流路的左右兩側(cè)_沒有第/v整流構(gòu)件，該第/v整流構(gòu)件填埋或遮住上述 基板的左右側(cè)方空間中的至少一部分。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的減壓干燥裝置，其特征在于，包括使上述保持部在上述室內(nèi)升降移動的升降部件。
12. —種減壓干燥方法，該減壓干燥方法在上述權(quán)利要求2 所述的減壓干燥裝置中對涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述 處理液的減壓干燥處理，形成涂敷膜，其特征在于，執(zhí)行如下步驟將被處理基板保持在上述保持部上的步驟； 利用上述排氣部件對上述室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓、并且 利用上述供氣部件向上述室內(nèi)供給惰性氣體的步驟。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的減壓干燥方法，其特征在于， 在利用上述排氣部件對上述室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓、并且利用上述供氣部件向上述室內(nèi)供給惰性氣體的步驟中，在上 述室內(nèi)開始減壓之前或者同時，開始向室內(nèi)供氣。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的減壓干燥方法，其特征在于，在利用上述排氣部件對上述室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓、并且利用上述供氣部件向上述室內(nèi)供給惰性氣體的步驟中，執(zhí)行 如下步驟開始對上述室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟； 在上述室內(nèi)的氣壓被減壓而達(dá)到規(guī)定值時、或者從上述室 內(nèi)開始減壓經(jīng)過規(guī)定時間時，向上述室內(nèi)供給惰性氣體的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種減壓干燥裝置及減壓干燥方法。該減壓干燥裝置對涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的干燥處理而形成涂敷膜，能夠縮短處理液的干燥時間，而且獲得均勻的膜厚。減壓干燥裝置包括室(85、86)，收容被處理基板(G)，形成處理空間；保持部(88)，設(shè)置在上述室(85、86)內(nèi)，保持上述被處理基板(G)；排氣口(89)，形成在上述室(85、86)內(nèi)；排氣部件(91)，從上述排氣口(89)排出室內(nèi)的氣體；整流部件(93、94、95)，設(shè)置在上述室內(nèi)，通過上述排氣部件(91)的排氣動作形成在上述基板上表面向一個方面流動的氣流的流路。
文檔編號G03F7/38GK101685270SQ20091017667
公開日2010年3月31日 申請日期2009年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月25日
發(fā)明者池田文彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社