專利名稱：圖像形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像形成裝置和方法，記錄的顯影單元的圖像形成裝置和方法。
申請?zhí)枮?00610099546.2、發(fā)明名稱為
尤其涉及一種具有使用電子照相和靜電
背景技術(shù)：
作為將靜電形成在用作承載體的感光體表面上的調(diào)色劑圖像靜電轉(zhuǎn)印到與該表面接觸的記錄材料(例如紙)上的電子照相圖像形成裝置，已知一種利用導電的轉(zhuǎn)印輥或電暈帶電體作為轉(zhuǎn)印部件的裝置。在該圖像形成裝置中，通過使轉(zhuǎn)印部件壓靠或接近感光體，在感光體和轉(zhuǎn)印部件之間形成該圖像形成裝置的轉(zhuǎn)印部。通過在向轉(zhuǎn)印部件供給與感光體上的調(diào)色劑圖像極性相反的轉(zhuǎn)印偏壓的同時使記錄材料通過轉(zhuǎn)印部，將感光體上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄材料的表面上。 作為用于圖像形成裝置的感光體，廣泛使用有機感光體(OPC感光體)和無定形硅感光體(以下稱作"a-Si感光體")。其中，a-Si感光體具有高的表面硬度和對半導體激光器的高靈敏度，并表現(xiàn)出很小的因反復使用引起的劣化。 由于具有這些特性，a-Si感光體被用作高速復印機和激光束打印機(LBP)的電子照相感光體。然而，由于a-Si感光體是通過利用高頻或微波將氣體轉(zhuǎn)化成等離子體、固化、在鋁筒(aluminum cylinder)上沉積形成膜的過程制造的，因此存在多種問題。更具體地，難以使等離子體均勻或者將鋁筒放置在等離子體的中央，從而不能精確地使膜沉積條件在整個感光體表面上均勻。因此，在整個感光體表面的顯影位置處出現(xiàn)約20伏的電位不規(guī)則，該電位不規(guī)則引起濃度(density)不均勻的問題。 電位不規(guī)則由以下原因引起(1)由于膜沉積的膜厚度不規(guī)則導致的電容差異所引起的充電能力的差異；和(2)由于膜沉積狀態(tài)的不均勻?qū)е碌哪べ|(zhì)量的局部差異所引起的電位衰減特性的差異。 此外，即使在暗的狀態(tài)下，使用a-Si感光體比使用OPC感光體的充電后電位衰減大許多。另外，圖像曝光的光存儲使電位衰減增大。因此，必須在充電之前執(zhí)行預曝光以清除由先前的圖像曝光引起的光存儲。將在此說明光存儲。 在對a-Si感光體充電之后，圖像曝光將產(chǎn)生光載流子(optical carrier),導致電位衰減。然而，在該情況下，a-Si感光體具有許多懸空鍵，這導致捕獲部分光載流子的局部態(tài)，從而使它們的傳輸(tnmsit)性能劣化或使發(fā)光載流子的再結(jié)合概率減少。因此，在圖像形成過程中，與下一步充電時向a-Si感光體施加電場同步地，a-Si感光體上由曝光產(chǎn)生的部分光載流子被從局部態(tài)釋放。因此，a-Si感光體在已曝光部分和未曝光部分之間具有表面電位差，這構(gòu)成了最終的光存儲。 因此，普遍通過充電前用曝光單元進行均勻曝光使a-Si感光體內(nèi)潛在的光載流子在整個表面上過量并均勻來清除光存儲。在該情況下，可以通過增加從預曝光單元發(fā)出的預曝光的光量，或通過使預曝光的波長接近a-Si感光體的光譜靈敏度峰值(約680-700nm)，來更有效地消除光存儲(重影)。這樣，可以通過預曝光清除光存儲。然而，如上所述，如果a-Si感光體具有
膜厚度不規(guī)則性或者由于膜品質(zhì)差異引起的電位衰減特性的差異，則施加到感光層之間的電場發(fā)生改變。這將引起從局部態(tài)釋放光載流子的差異，從而即使在充電位置獲得均勻電荷也會導致在顯影位置的電位不規(guī)則。另外，對于充電能力，由于隨著膜厚度的減小，在該區(qū)域中的電容變得更大，因而變得不利，也就是說，隨著充電能力下降，在顯影區(qū)域充電不規(guī)則變得顯著。 出于這些原因，在充電處理和顯影處理之間電位衰減變得非常大，導致約IOO至200伏特的電位衰減。結(jié)果，由于前述的膜厚度不規(guī)則和電位衰減特性的差異，感光體在其整個表面上具有約10伏特至20伏特的電位不規(guī)則。由于具有大電容的a-Si感光體比有機感光體具有更低的對比度，所以電位不規(guī)則對a-Si感光體有更大影響，從而使?jié)舛炔灰?guī)則更顯著。為了解決這些問題，本發(fā)明人提出了一種電子照相裝置，其具有根據(jù)圖像承載體表面的電位衰減特性改變曝光值的構(gòu)造(例如，參見日本特開2002-67387號公報)。 在圖像承載體的初始階段，通過校正圖像承載體的電位衰減特性，該電子照相裝置可以提供無濃度不規(guī)則的良好圖像。然而，圖像承載體的電位衰減特性會在長期使用中發(fā)生變化，從而導致引起濃度不規(guī)則的問題。 另外，該裝置的初始特性會隨其使用環(huán)境而變化，導致濃度不規(guī)則的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明用于解決前述問題。因此，本發(fā)明的目的是提供一種即使圖像承載體隨時間推移而變化也能夠形成無濃度不規(guī)則的良好圖像的圖像形成裝置和方法。
為了實現(xiàn)這些目的，根據(jù)本發(fā)明的圖像形成裝置包括圖像承載體，其用于形成靜電潛像；特性存儲部件，其用于以表的形式預先儲存圖像承載體的表面上各位置處的初始電位特性；電位特性校正部件，其用于當在圖像承載體上形成圖像的靜電潛像時，根據(jù)存儲在特性存儲部件中的表中的初始電位特性補償電位特性的差異；顯影部件，其用于將調(diào)色劑附著至所形成的靜電潛像；以及轉(zhuǎn)印部件，其用于將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄材料，該圖像形成裝置包括電位特性獲得部件，其用于獲得圖像承載體的表面上固定位置處的電位特性；以及特性差異計算部件，其用于計算由電位特性獲得部件獲得的電位特性與存儲在所述特性存儲部件中的初始電位特性之間的電位特性差異，其中，電位特性校正部件將算出的電位特性差異反映到存儲在特性存儲部件中的整個表，并校正該電位特性的差異的補償。 根據(jù)本發(fā)明的圖像形成方法，其利用圖像形成裝置形成圖像，該圖像形成裝置包括圖像承載體，其用于形成靜電潛像；特性存儲部件，其用于以表的形式預先儲存圖像承載體的表面上各位置處的初始電位特性；電位特性校正部件，其用于當在圖像承載體上形成圖像的靜電潛像時，根據(jù)存儲在特性存儲部件中的表中的初始電位特性補償電位特性的差異；顯影部件，其用于將調(diào)色劑附著至所形成的靜電潛像；以及轉(zhuǎn)印部件，其用于將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄材料，該圖像形成方法包括電位特性獲得步驟，其用于獲得所述圖像承載體的表面上固定位置處的電位特性；以及特性差異計算步驟，其用于計算由電位特性獲得步驟獲得的電位特性與存儲在特性存儲部件中的初始電位特性之間的電位特性差異，其中，利用特性校正部件，將算出的電位特性差異反映到存儲在特性存儲部件中的整個表，校正電位特性的差異的補償。 可以使程序執(zhí)行該方法或?qū)?zhí)行該方法的程序儲存在計算機可讀介質(zhì)中。
如上所述，根據(jù)感光體的電位衰減特性改變曝光值可以減輕在感光體的初始條件下顯影區(qū)域中的電位不規(guī)則。另外，通過監(jiān)視感光體表面狀態(tài)隨時間推移的變化、根據(jù)電位衰減特性數(shù)據(jù)來校正測量部件、以及將通過測量部件獲得的隨時間的變化反映在電位衰減特性的二維數(shù)據(jù)上，可以獲得無不規(guī)則的良好圖像。 從以下結(jié)合附圖所作的對示范性實施例的說明，本發(fā)明的進一步特征將變得明顯。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的圖像形成裝置的示意性構(gòu)造的截面圖； 圖2A和圖2B是示出曝光后感光鼓表面上的電位分布的示例的圖； 圖3是示出曝光后電位的示例的方框圖； 圖4是示出本實施例的圖像輸出處理的流程圖； 圖5A-圖5F是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的感光體的校正的截面圖； 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的感光鼓1上設置的觸點的立體圖； 圖7A和7B是分別示出感光鼓側(cè)的觸點與圖像形成裝置側(cè)的引腳(pin)之間關(guān)系
的縱向截面圖； 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的感光體的曝光值與電位之間關(guān)系(EV曲線)的圖； 圖9是示出通過根據(jù)本發(fā)明實施例的感光體表面狀態(tài)測量部(在本例中為電位傳
感器)從衰減特性的標定到校正的處理的流程圖；以及 圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光電傳感器的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將參照

根據(jù)本發(fā)明的圖像形成裝置和方法。
實施例1 圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的圖像形成裝置的示例。圖l是示出作為圖像形成裝置的激光束打印機的示意性構(gòu)造的縱向截面圖。圖1所示的圖像形成裝置具有鼓型的電子照相感光體(以下稱為"感光鼓")1，其作為該圖像形成裝置的主體50內(nèi)的圖像承載體。在感光鼓l周圍，沿其轉(zhuǎn)動方向設置有曝光單元2、充電單元3、顯影單元4、轉(zhuǎn)印單元5、清潔單元6和轉(zhuǎn)印帶7。另外，沿記錄材料(例如紙)的輸送方向，從上游側(cè)開始布置輸送帶8、定影單元9和排紙盤10，圖像讀取單元11被布置在圖像形成裝置的主體50的上部。為了生產(chǎn)彩色圖像，本實施例的圖像形成裝置以感光鼓為中心單元對每種顏色具有一組顯影所必須的諸單元。在圖l的示例中，示出四組單元以能夠顯影如黑色(BK)、黃色(Y)、青色(C)和品紅色(M)四種顏色調(diào)色劑。因此，對于用于形成靜電潛像的曝光 單元2，盡管它是對每種顏色設置的，但就曝光單元中的一個進行以下說明。
本實施例的感光鼓1在鋁筒的外表面上具有層狀的a-Si感光體。感光鼓1由驅(qū) 動部件(未示出)驅(qū)動，以指定的處理速度沿表示副掃描方向的箭頭R1的方向轉(zhuǎn)動。稍 后將更加詳細地說明感光鼓1。感光鼓1具有由充電單元3以指定極性和指定電位均勻充 電的表面。例如，非接觸電暈帶電體可以作為充電單元3被用于感光鼓1。在充電后的 感光鼓1上，曝光單元2形成靜電潛像。 圖像讀取單元11具有可沿箭頭Kl的方向或其相反方向移動的光源。該光源照 射以圖像側(cè)向下的方式被放置在原稿玻璃上的原稿的圖像側(cè)。經(jīng)由反射鏡和透鏡(均未 示出)由CCD讀取來自圖像側(cè)的反射光。所讀取的圖像信息在經(jīng)過適當處理后被供給到 曝光單元2。 曝光單元2具有激光振蕩器2a、多面鏡2b、透鏡2c、反射鏡2d等，響應于從圖 像讀取單元11供給的圖像信息通過曝光感光鼓1的表面形成靜電潛像。被形成在感光鼓 1的表面上的靜電潛像通過用顯影單元4的附著調(diào)色劑處理而被顯影成調(diào)色劑圖像。另一 方面，給送單元的紙盒中的記錄材料P通過給紙輥被給送，并被輸送輥放置在跨過輥的 輸送帶8的表面上。 通過向轉(zhuǎn)印帶7供給與調(diào)色劑圖像極性相反的轉(zhuǎn)印偏壓，由顯影單元4在感光鼓 l上形成的調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到輸送帶8上的記錄材料的表面上。具有轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像 的記錄材料P由輸送帶8輸送到定影單元9，并通過利用定影輥和壓力輥的熱和壓力使調(diào) 色劑圖像定影在記錄材料P的表面上，其后，該記錄材料P被輸出到排紙盤IO。
接著，將參照附圖5A-5F詳細說明由a-Si感光體構(gòu)成的感光鼓l，其中每個圖示 意性示出了在包括感光鼓1的軸(位于每個圖的底部)的縱向截面圖中，感光鼓1在其軸 上方的部分。圖5A示出了具有被布置在用作感光體的圓筒狀鼓(承載體)21的表面上的 感光層22的感光鼓1。感光層22由感光層23構(gòu)成，該感光層23由a-Si:H， X(無定形 的含氫的硅，無定形的含鹵素的硅)構(gòu)成且具有光導電性。 圖5B示出了具有被布置在用作感光體的、由鋁等構(gòu)成的導電鼓21的表面上的 感光層22的感光鼓1。感光層22由感光層23和aSi基表面層24構(gòu)成，該感光層23由 a-Si:H， X組成并具有光導電性。此外，如圖5C-圖5F所示，感光鼓1可以具有a-Si基 電荷注入阻擋層25;或者可以具有感光層23和a-Si基表面層24，該感光層23由a-Si:H， X構(gòu)成的電荷產(chǎn)生層27和電荷轉(zhuǎn)移層28組成。 根據(jù)需要，設置電荷注入阻擋層25，以防止電荷從導電鼓21流向感光層23。鼓 21本身可以具有導電性或由導電處理產(chǎn)生的電絕緣性。 根據(jù)需要，構(gòu)成感光層22的一部分的感光層23被形成在鼓21上或內(nèi)涂 層(undercoat layer)(未示出)上。感光層23可以通過公知的薄膜沉積工藝如等離子 CVD(p-CVD)、噴濺、真空蒸鍍、離子電鍍、光CVD和熱CVD形成。對于p-CVD法， 可以利用使用如RF帶、VHF帶和M帶等頻帶的處理。上述層由公知裝置和膜形成方法 制成。 在本發(fā)明中，考慮到提供所希望的電子照相特性、使用狀態(tài)下電容在前述范圍 內(nèi)以及具有經(jīng)濟的效果的諸因素，感光層23的層厚被適當?shù)卮_定為所希望的厚度，優(yōu)選為20-50 iim。
圖5A-圖5F中的附圖標記26表示自由表面。 接著，將說明作為本發(fā)明的特征的電位特性表及其調(diào)整。本發(fā)明具有以下構(gòu)造 以消除由于在整個a-Si感光體表面上的電位衰減特性差異而導致的充電不規(guī)則和濃度不 規(guī)則。 本實施例采用的作為感光鼓1的每個a-Si感光體具有代表電位衰減特性的特性 表，該特性表是每個a-Si感光體在制造時的初始電位衰減特性。因此，在對每個a-Si感 光體的表面進行充電之后，曝光單元在曝光位置以指定光量執(zhí)行曝光。此后，每個a-Si 感光體在顯影位置的表面電位被預先儲存在置于a-Si感光體中的存儲器芯片(存儲部件) 中。沿曝光單元2的光掃描方向，S卩，沿主掃描方向(感光體的縱向)和副掃描方向(感 光體的轉(zhuǎn)動方向)，根據(jù)記錄分辨率，該特性表將a-Si感光體的整個表面分成適當數(shù)量的 塊。然后，通過儲存各塊的電位衰減特性的數(shù)據(jù)來制備電位衰減特性圖。
這里，對于塊的適當區(qū)域，感光鼓l(a-Si感光體)的整個表面被分成最大尺 寸10mmX10mm的塊。實際上，優(yōu)選邊長為與記錄分辨率相對應的像素的100倍 的塊。當記錄分辨率為400dpi時，由于63.5 iimX 100 = 6.35mm，所以表面被分為 6.35mmX6.35mm的塊。對于制備電位衰減特性圖，不必將a-Si感光體安裝到a-Si感光 體實際要安裝到的圖像形成裝置的主體50上來執(zhí)行。 當感光鼓l(a-Si感光體)被設置到圖像形成裝置的主體50時，被儲存在存儲器 芯片中的電位衰減特性圖的數(shù)據(jù)被圖像形成裝置的主體50側(cè)的控制單元(未示出)讀取。 然后，根據(jù)各塊的數(shù)據(jù)，對于電位衰減特性圖中所記錄的各塊，改變曝光單元2(本實施 例使用激光器)的曝光值以在顯影位置獲得均勻的表面電位。 對于a-Si感光體表面的電位衰減特性圖與實際a-Si感光體表面之間的對應關(guān)系， 將如下觸點用作基準點，該觸點用于將數(shù)據(jù)從儲存數(shù)據(jù)的存儲器芯片傳送到圖像形成裝 置的主體50(將稍后說明)。當a-Si感光體停止時，以這種方式基準點總到達指定位置。
如圖6所示，法蘭30和法蘭31被固定到作為a-Si感光體的感光鼓1沿軸向的兩 端。其中，當感光鼓1被安裝在圖像形成裝置的主體50中時變成前端的法蘭30具有為 該鼓中的存儲器芯片32(參見圖7A)形成的觸點33。圖像形成裝置的主體50經(jīng)由觸點33 從存儲器芯片32讀取關(guān)于所安裝的感光鼓1的充電特性的塊數(shù)據(jù)。盡管在本實施例中觸 點33還具有檢測位置信息的功能，但這并不是必需的。圖7A是示出感光鼓靜止且感光 鼓側(cè)的觸點與圖像形成裝置側(cè)的引腳相連接的狀態(tài)的縱向截面圖。圖7B是示出引腳與觸 點斷開且感光鼓可轉(zhuǎn)動的狀態(tài)的縱向截面圖。 接著，將說明經(jīng)由觸點33的檢測方法。圖7A示出了感光鼓靜止且用于讀取存 儲器數(shù)據(jù)的引腳34被施壓并被固定到觸點33的狀態(tài)，其中，該引腳被安裝在圖像形成裝 置的主體50側(cè)。相反地，圖7B示出了感光鼓轉(zhuǎn)動的狀態(tài)。在感光鼓的驅(qū)動過程中，引 腳34的壓力被移開并從觸點33斷開，從而感光鼓1可自由地轉(zhuǎn)動。當轉(zhuǎn)動的感光鼓1 被停止時，在感光鼓l停止之前，引腳34立即被施壓并被固定到觸點33，然后感光鼓l 停止。 接著，參照圖8，說明在感光鼓的表面上設定的塊與被劃分為塊的圖像數(shù)據(jù)之間 的對應關(guān)系。在圖8中，橫坐標軸代表曝光值(激光功率)，縱坐標軸代表感光鼓表面上 的電位。在圖8中，實線是曝光值與感光鼓的電位之間的曲線(EV曲線)，虛線是倒數(shù)的
7曲線，如下所述，該倒數(shù)曲線用于校正曝光值。設定曝光后的電位為V1，該情況下的曝 光值為LP。 根據(jù)EV曲線，將電位劃分為A-G。當看由虛線所示的反EV曲線時，用于 將范圍A-G的中間電位校正至V1的電位由水平右箭頭表示，S卩，位于右縱坐標軸的 LPA-LPG。校正后的曝光值被用作感光鼓的表面上各塊的曝光值，即，用于曝光與存儲 器芯片32上記錄的塊對應的區(qū)域內(nèi)的圖像的曝光值。 圖4是示出本實施例中圖像輸出的流程圖。此前，圖3示出了從指定電位V1(在 本實施例中設定為30V)的電位偏離，這些電位是曝光a-Si感光體的表面后顯影位置處的 電位并被儲存在電位衰減特性圖中。如圖3所示，將a-Si感光體的表面與以6V為間隔 劃分的7個等級A-G進行比較。這樣，檢查各塊對應范圍A-G中的哪一個(步驟S1)。 圖2A和圖2B中的曲線代表a-Si感光體的表面上沿主掃描方向通過曝光單元2曝光后的 表面電位(V1)。 A : (V1+15V) < A的范圍
B : (V1+9V) < B < (V1+15V)的范圍
C : (V1+3V) < C < (V1+9V)的范圍
D : (V1-3V) < D < (V1+3V)的范圍
E : (V1-9V) < E < (V1-3V)的范圍
F : (V1-15V) < F < (V1-9V)的范圍
G : G < (V1-15V)的范圍 根據(jù)該分類，圖像形成裝置的主體50的處理電路(未示出)執(zhí)行處理(步驟S2)。 隨后，如圖4所示，a-Si感光體的整個表面上的各塊被劃分為A-G。然后，根據(jù)A-G將 曝光值設定在7個等級，使得a-Si感光體的表面上的各塊的VI進入范圍D(步驟S3)。
另一方面，在整個圖像將輸入圖像劃分為與感光體表面對應的塊，然后進行圖 像處理(步驟S4和步驟S5)。 隨后，使a-Si感光體表面上的塊與處理后的輸入圖像的塊對應(S6)。然后，確 定圖像曝光處的各塊的激光量(曝光信息)(步驟S7)，并根據(jù)激光量執(zhí)行圖像曝光。結(jié) 果，可以使曝光后的顯影位置的電位在a-Si感光體的整個表面上均勻。因此，可以獲得 無圖像不規(guī)則的良好圖像。盡管以采用a-Si感光體作為圖像承載體的具有顯著效果的圖像形成裝置為例進 行了上述說明，本發(fā)明同樣適用于a-Si感光體之外的如OPC感光體等圖像承載體。
在前述實施例中，存儲器芯片可以被包含在a-Si感光體中，或被安裝在a-Si感光
體之外的圖像形成裝置的主體側(cè)。作為用于測量感光體表面狀態(tài)的裝置，本實施例采用 如圖l所示的電位傳感器12。該電位傳感器12被放置在曝光處理與顯影處理之間的感光 體的縱向中央。 作為本發(fā)明的特征之一，根據(jù)感光體的電位衰減特性圖，電位傳感器12的校正 方法如下執(zhí)行。當設置新的感光體時，通過執(zhí)行充電處理至曝光處理并通過用電位傳感 器12測量感光體周圍的電位，在機器啟動時獲得圖2B的電位數(shù)據(jù)。根據(jù)附屬于感光體 的電位衰減特性圖，對應于沿電位傳感器12的縱向的位置，沿感光體的圓周方向計算圖 2A的一維電位數(shù)據(jù)。利用圖2A的電位數(shù)據(jù)的電位作為基準值，用圖2B的電位數(shù)據(jù)對電位傳感器12進行標定。 另外，作為本發(fā)明的特征之一，對電位衰減特性圖上感光體隨時間推移而變化 的反映如下進行。圖9是示出本實施例中進行處理的流程的示意圖。由電位傳感器12 測量在中央點處感光體隨時間推移的變化(S93)。根據(jù)機器的特性，例如以每指定薄片 間隔、以指定時間或以開機來設定測量定時。本實施例以每一萬張薄片間隔執(zhí)行測量以 校正隨時間的長期變化(S97)。這樣，將所獲得的測量數(shù)據(jù)與圖2A的電位數(shù)據(jù)進行比較 (S95)。然后，在二維電位衰減特性圖在整個圖上具有均勻變化的假設下，加上或減去與 圖2A的電位數(shù)據(jù)的差異(S99-S100)。利用新獲得的電位衰減特性圖執(zhí)行曝光校正處理， 然后輸出圖像(S101)。當沒有變化發(fā)生時，不校正電位衰減特性圖(S98)。
結(jié)果，在機器的長期使用中，可以反映感光體的整個表面上的感光體的電位衰 減特性，并且可以穩(wěn)定地輸出無濃度不規(guī)則的良好圖像。另外，除感光體電位的長間隔 測量外，還可以進行短期測量(例如，每天機器啟動時)，并且可以在電位衰減圖上反映 該結(jié)果。因此，可以控制機器的微小波動，從而可以穩(wěn)定地獲得無濃度不規(guī)則的良好圖 像。 實施例2 作為感光體表面狀態(tài)測量方法，本實施例采用對形成在感光體或轉(zhuǎn)印帶上的小 片(patch)進行濃度測量的方法，該方法已知已被用于控制調(diào)色劑和載體的混合比或者用 于控制顯影對比度。 在本實施例中討論如下示意圖，該示意圖示出了進行小片檢測處理的流程，該 小片檢測處理用光量傳感器14測量形成在感光鼓1上的小片濃度。在圖10中，感光鼓 l在其表面上具有圖像形成區(qū)域和非圖像形成區(qū)域，其中，在圖像形成區(qū)域上形成靜電潛 像，在非圖像形成區(qū)域上不形成靜電潛像。根據(jù)由圖案發(fā)生器(未示出)保持的小片圖案 信息，在非圖像形成區(qū)域上形成小片，小片濃度由光量傳感器14測量，該光量傳感器14 由LED 101和光電傳感器102組成。在此形成的小片包含多個具有用于各顏色C、 M、 Y和K的指定濃度值的圖案。 接著，將說明用于處理給送到光電傳感器102的信號的構(gòu)造。在圖10中，從形 成在感光鼓1上的小片反射并入射到光電傳感器102上的近紅外光通過光電傳感器102轉(zhuǎn) 換成電信號。之后，A/D轉(zhuǎn)換器301將電信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字亮度信號，該數(shù)字亮度信號具 有橫跨0-5V輸出電位的0-255個等級。然后，濃度轉(zhuǎn)換電路302將數(shù)字亮度信號轉(zhuǎn)換成 濃度信號。 根據(jù)感光體的電位衰減特性圖，通過以下方法執(zhí)行光量傳感器14的校正。當裝 入新的感光體時，在機器啟動時通過執(zhí)行充電處理至曝光處理，光量傳感器14在感光體 l周圍顯影指定小片。因而，光電傳感器102在亮度信號方面獲得感光體的表面電位不規(guī) 則。根據(jù)附屬于感光體的電位衰減特性圖，對應于沿縱向電位傳感器12的布置位置，沿 感光體的圓周方向計算圖2A的一維電位數(shù)據(jù)。將圖2A的電位數(shù)據(jù)的電位作為基準值， 與所獲得的對應于亮度信號的數(shù)據(jù)進行對比，當衰減特性平坦時，基于與根據(jù)圖案發(fā)生 器輸出的圖案所形成的電位的差異獲得校正值。 對電位衰減特性圖上感光體隨時間推移而變化的反映像實施例1那樣如下進 行。在中央點處感光體隨時間推移的變化由光量傳感器14測量。根據(jù)機器的特性，例如以每指定薄片間隔、以指定時間或以開機來設定測量定時。本實施例以每一萬張薄片 間隔執(zhí)行測量。這樣，將所獲得的測量數(shù)據(jù)與圖2A的電位數(shù)據(jù)進行比較，在二維電位 衰減特性圖在整個圖上具有均勻變化的假設下，加上或減去與圖2A的電位數(shù)據(jù)的差異。 然后，通過利用獲得的新電位衰減特性圖執(zhí)行曝光校正處理，然后輸出圖像。結(jié)果，本 實施例具有與第一實施例相同的優(yōu)點。
第三實施例 利用第一實施例中采用的電位傳感器結(jié)合第二實施例中采用的小片檢測部件， 可以更加精確地校正感光體的衰減特性隨時間推移的變化。 本發(fā)明包括用于獲得圖像承載體的表面上各位置處的電位特性的電位特性獲得 部件；和用于計算所獲得的電位特性和儲存在特性存儲部件中的初始電位特性之間的電 位特性差異的特性差異計算部件。特性校正部件根據(jù)算出的電位特性差異校正電位特性 差異的補償。因此，本發(fā)明可以提供一種即使圖像承載體隨時間推移而變化仍能夠形成 無濃度不規(guī)則的良好圖像的圖像形成裝置和方法。 盡管已參照示范性實施例說明了本發(fā)明，但應理解本發(fā)明不限于所公開的示范 性實施例。所附的權(quán)利要求的范圍符合最寬的解釋，以覆蓋所有的修改、等同結(jié)構(gòu)和功
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權(quán)利要求
一種圖像形成裝置，其包括電子照相感光體，用于在該電子照相感光體上形成靜電潛像；曝光部件，其用于使所述電子照相感光體曝光以形成靜電潛像；存儲部件，其用于預先存儲在所述電子照相感光體的表面上劃分的多個區(qū)域的與電位特性相關(guān)的信息；以及信息獲得部件，其用于獲得與電位特性相關(guān)的信息，其中，根據(jù)由所述存儲部件存儲的與電位特性相關(guān)的信息以及由所述信息獲得部件獲得的與電位特性相關(guān)的信息來確定由所述曝光部件曝光的光量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述電子照相感光體是無定形 硅感光體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述信息獲得部件包括用于測 量所述電子照相感光體的電位的電位測量部件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述信息獲得部件包括用于檢 測從所形成的靜電潛像反射的光的光量的光量檢測部件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像形成裝置，其特征在于，所述電位特性是所述電子照相 感光體的初始階段的電位衰減特性。
全文摘要
一種圖像形成裝置，即使圖像承載體隨時間變化仍形成無濃度不規(guī)則的良好圖像。將曝光a-Si感光體的表面之后的、被記錄在電位衰減特性圖上的顯影位置處的電位與通過以每6V的間隔劃分a-Si感光體的表面而獲得的七個范圍A-G進行比較，從而檢測與指定電位V1的電位偏離，即步驟S2。將a-Si感光體的整個表面上的各塊分類為A-G，并根據(jù)A-G設定曝光值，使得a-Si感光體的表面上的各塊的V1屬于D范圍，即步驟S3。在輸入圖像的整個平面被劃分成與感光體的表面對應的塊之后，輸入圖像進行圖像處理，即步驟S4和步驟S5。
文檔編號G03G15/00GK101692160SQ20091017667
公開日2010年4月7日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日
發(fā)明者豐則祐嗣, 伊藤功已, 渥美哲也, 石田知仁 申請人:佳能株式會社