專利名稱：光掩膜、薄膜晶體管元件及制作薄膜晶體管元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管元件、用于定義薄膜晶體管元件的光掩膜 及薄膜晶體管元件的制作方法，尤指一種可提升薄膜晶體管元件的通道長度
極限的光掩膜、 一種具有短通道長度的薄膜晶體管元件及其制作方法。
背景技術(shù)：
在、薄月莫晶體管、液晶顯示面板(thin film transistor liquid crystal display panel, TFT-LCDpand)內(nèi)，薄膜晶體管元件是作為控制各像素電極的開關(guān)元件之用。 當液晶顯示面板的尺寸與解析度有所提升時，像素電極的尺寸也會隨之增加， 因此薄膜電晶元件必須提供較大的開啟電流(Ion)使充電能力提升。如同該領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員所熟知，開啟電流的大小是與薄膜晶體管元件的通道寬度/ 長度比(W/L)成正比。 一般提升開啟電流的作法是利用增加薄膜晶體管元件的 通道寬度來達成，然而增加薄膜晶體管元件的通道寬度具有開口率下降與電 阻電容負載增加的缺點。另一方面，縮減薄膜晶體管元件的通道長度也可提 升開啟電流，但此一作法受限于現(xiàn)行光掩膜與光刻工藝的極限，而存在相當 的困難度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種薄膜晶體管元件與用于定義薄膜晶體管 元件的光掩膜及薄膜晶體管元件的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所面臨的難題。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種光掩膜，用于定義薄膜晶體管元件的源 極/漏極與通道的圖案。上述光掩膜包括第一遮光圖案、第二遮光圖案、透光單狹縫與半透光圖案。第一遮光圖案包括第一側(cè)邊與第二側(cè)邊，第二遮光圖 案包括第三側(cè)邊與第四側(cè)邊，且第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖案的 第三側(cè)邊面對設(shè)置。透光單狹縫位于第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖 案的第三側(cè)邊之間，其中第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖案的第三側(cè)
邊的最小距離介于1.5微米至2.5微米之間。半透光圖案與第一遮光圖案的第
二側(cè)邊以及第二遮光圖案的第四側(cè)邊連接。
為達上述目的，本發(fā)明另提供一種薄膜晶體管元件，包括基板、柵極、 柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，以及漏極與源極。柵極設(shè)置于基板上，且柵極絕緣 層設(shè)置于基板上并覆蓋柵極。半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極絕緣層上，且半導(dǎo)體層包 括通道與延伸部。漏極與源極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，其中漏極包括第一側(cè)邊與 第二側(cè)邊，源極包括第三側(cè)邊，漏極的第一側(cè)邊與源極的第三側(cè)邊面對設(shè)置。
另外，漏極的第一側(cè)邊與源極的第三側(cè)邊的最小距離介于1.5微米至3.5微米 之間，且延伸部突出于漏極的該第二側(cè)邊的假想延伸線之外。
為達上述目的，本發(fā)明又提供一種制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通
道的方法，包括下列步驟提供基板，并于基板上依序形成半導(dǎo)體層與金屬
層。提供光掩膜，其中光掩膜包括第一遮光圖案、第二遮光圖案、透光單狹 縫與半透光圖案。第一遮光圖案包括第一側(cè)邊與第二側(cè)邊，第二遮光圖案包 括第三側(cè)邊與第四側(cè)邊，且第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖案的第三 側(cè)邊面對設(shè)置。透光單狹縫位于第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖案的 第三側(cè)邊之間，其中第一遮光圖案的第一側(cè)邊與第二遮光圖案的第三側(cè)邊的
最小距離介于1.5微米至2.5微米之間。于金屬層上形成光刻膠層，并利用光 掩膜對光刻膠層進行曝光工藝，其中光掩膜的第一遮光圖案與第二遮光圖案 對應(yīng)于光刻膠層的第一區(qū)域，光掩膜的透光單狹縫對應(yīng)光刻膠層的第二區(qū)域， 且光掩膜的半透光圖案對應(yīng)于光刻膠層的第三區(qū)域。對光刻膠層進行顯影工 藝，去除部分光刻膠層以曝露出部分金屬層，其中顯影后第一區(qū)域的光刻膠 層的厚度大于第二區(qū)域的光刻膠層的厚度與第三區(qū)域的光刻膠層的厚度。移除未被光刻膠層保護的金屬層與半導(dǎo)體層。對光刻膠層進行灰化工藝，以縮 減第一區(qū)域的光刻膠層的厚度，并移除第二區(qū)域的光刻膠層與第三區(qū)域的光 刻膠層，以曝露出部分金屬層。移除未被光刻膠層覆蓋保護的金屬層與部分 半導(dǎo)體層，以定義出源極、漏極、通道與延伸部。移除光刻膠層。
本發(fā)明的光掩膜具有透光單狹縫與半透光圖案設(shè)計，其中透光單狹縫可 縮減制作出的薄膜晶體管元件的通道長度，而半透光圖案可定義出半導(dǎo)體層 的延伸部。因此，薄膜晶體管元件可具有較高的開啟電流。
圖1繪示了本發(fā)明一較佳實施例的光掩膜的示意圖； 圖2至圖5繪示了本發(fā)明一較佳實施例利用圖1的光掩膜制作薄膜晶體 管元件的源極/漏極與通道的方法；
圖6為圖5的薄膜晶體管元件的俯視圖； 圖7繪示了延伸部與開啟電流的關(guān)系圖。
(寸圖標號
10光掩膜12第一遮光圖案
121第一側(cè)邊122第二側(cè)邊
14第二遮光圖案143第三側(cè)邊
144第四側(cè)邊16透光單狹縫
18半透光圖案20基板
22柵極24柵極絕緣層
26半導(dǎo)體層28重度摻雜半導(dǎo)體層
30金屬層32光刻膠層
321第一區(qū)域322第二區(qū)域
323第三區(qū)域34S源極
34D漏極34C通道34E 延伸部 34D1 第一側(cè)邊
34D2第二側(cè)邊 34S3 第三側(cè)邊
34S4第四側(cè)邊 L 假想延伸線
具體實施例方式
為使所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉 本發(fā)明的數(shù)個較佳實施例，并配合所附附圖，詳細說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及 所欲達成的功效。
請參考圖1。圖1繪示了本發(fā)明一較佳實施例的光掩膜的示意圖。在本實 施例中，光掩膜10可為灰階光掩膜(graytone mask, GTM)、半色調(diào)光掩膜 (halftone mask, HTM)或其它在不同區(qū)域可具有不同透光率的光掩膜。本實施 例的光掩膜IO包括第一遮光圖案12、第二遮光圖案14、透光單狹縫16以及 半透光圖案18。第一遮光圖案12包括第一側(cè)邊121與第二側(cè)邊122，第二遮 光圖案14包括第三側(cè)邊143與第四側(cè)邊144，且第一遮光圖案12的第一側(cè)邊 121與第二遮光圖案14的第三側(cè)邊143面對設(shè)置。透光單狹縫16是位于第一 遮光圖案12的第一側(cè)邊121與第二遮光圖案14的第三側(cè)邊143之間，且第 一遮光圖案12的第一側(cè)邊121與第二遮光圖案14的第三側(cè)邊143的最小距 離，也即透光單狹縫16的寬度，大體上介于1.5微米至2.5微米之間。此外， 半透光圖案18與第一遮光圖案12的第二側(cè)邊122以及第二遮光圖案14的第 四側(cè)邊144連接。因此，透光單狹縫16就被第一遮光圖案12、第二遮光圖案 14與半透光圖案18所環(huán)繞，而形成一個封閉的單狹縫。此外，第一遮光圖案 12、第二遮光圖案14與半透光圖案18的最外側(cè)邊皆為透光區(qū)(未標示)，以定 義出所需的圖案；其中，第一遮光圖案12的最外側(cè)是指未被命名的側(cè)邊，即 遠離第一遮光圖案12第一側(cè)邊121的一側(cè)，第二遮光圖案14的最外側(cè)是指 鄰近第四側(cè)邊144，但遠離半透光圖案18旁的一側(cè)(未標示)，以及半透光圖 案18的最外側(cè)邊是指遠離半透光圖案18旁的一側(cè)(未標示)。第一遮光圖案12與第二遮光圖案14是由低透光或不透光的材料構(gòu)成，其透光率可低至0%， 也即完全不透光，而相比于第一遮光圖案12與第二遮光圖案14，半透光圖案 18具有較高的透光率。例如在本實施例中，半透光圖案18的透光率介于25% 至40%之間，且較佳介于30%至35%之間，但不以此限。另外，半透光圖案 18的長度，也即半透光圖案18突出于第一遮光圖案12的第二側(cè)邊122的垂 直距離，大體上介于2微米至7微米之間，且較佳是介于5.5微米至6.5微米 之間，但不以此為限。
本實施例的光掩膜10是用于定義薄膜晶體管元件的源極/漏極與半導(dǎo)體 層的圖案，其中第一遮光圖案12與第二遮光圖案14主要是用于定義源極/漏 極的圖案，而透光單狹縫16主要是用于定義通道長度。在本實施例中，透光 單狹縫16的寬度縮減至介于1.5微米至2.5微米之間，因此在光刻工藝時， 光線通過透光單狹縫16時會產(chǎn)生繞射現(xiàn)象，使得對應(yīng)于透光單狹縫16的光 刻膠層的曝光量與曝光范圍縮小，由此可縮減薄膜晶體管元件的通道長度。 另外，半透光圖案18是用于定義半導(dǎo)體通道的延伸部，對于薄膜晶體管元件 而言，半導(dǎo)體通道的延伸設(shè)計可具有增加開啟電流的功效。
請參考圖2至圖5，并一并參考圖l。圖2至圖5繪示了本發(fā)明一較佳實 施例利用圖1的光掩膜制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法，其中 圖2至圖5是剖面示意方式繪示，且圖2的光掩膜的剖面位置是對應(yīng)于圖1 的剖線A-A，。如圖2所示，首先提供基板20，并依序于基板20上形成柵極 22、柵極絕緣層24、半導(dǎo)體層26、重度摻雜半導(dǎo)體層(或稱為歐姆接觸層)28 與金屬層30，其中半導(dǎo)體層26可為非晶硅半導(dǎo)體層，但不以此為限。于其它 實施例中，可使用單晶硅半導(dǎo)體層、多晶硅半導(dǎo)體層、微晶硅半導(dǎo)體層、包 含上述晶格的硅鍺半導(dǎo)體層、包含上述晶格的硅鎵半導(dǎo)體層、或其它合適的 材料、或上述材料的任意組合。此外，提供光掩膜10，其中光掩膜10的特征 如前文所描述并己繪示于圖1，在此不再贅述。隨后，于金屬層30上形成光 刻膠層32。隨后，利用光掩膜10對光刻膠層32進行一曝光工藝。在進行曝光工藝時，光掩膜10的第一遮光圖案12與第二遮光圖案14是對應(yīng)于光刻膠 層32的第一區(qū)域321，光掩膜10的透光單狹縫16是對應(yīng)光刻膠層32的第二 區(qū)域322，且光掩膜10的半透光圖案18是對應(yīng)于光刻膠層32的第三區(qū)域323。 通過光掩膜10的設(shè)計，第一區(qū)域321的光刻膠層32由于第一遮光圖案12與 第二遮光圖案14的遮蔽而未曝光、第二區(qū)域322的光刻膠層32會被通過透 光單狹縫16的光線照射而曝光，但由于單狹縫繞射的效應(yīng)，因此第二區(qū)域322 的曝光量并不完全；第三區(qū)域323的光刻膠層32會被通過半透光圖案18的 光線照射而曝光，但由于半透光圖案18的透光率介于25%至40%之間，因此 第三區(qū)域323的曝光量也不完全。本發(fā)明的光刻膠層32以正型光刻膠為實施 范例，但不限于此。于其它實施例中，光刻膠層32以負型光刻膠來進行時， 其光掩膜10的第一遮光圖案12、第二遮光圖案14及透光單狹縫16就會變更 位置，也即第一遮光圖案12與第二遮光圖案14就為第一/第二透光圖案，而 透光單狹縫16就為遮光單狹縫。此時的第一遮光圖案12、第二遮光圖案14 與半透光圖案18的最外側(cè)邊皆為遮光區(qū)(未標示)。因此，進行曝光程序時， 被照到光的光刻膠層32就被保留下來，而未照光的光刻膠層32就會被后續(xù) 的顯影工藝給去除之。
如圖3所示，接著對光刻膠層32進行顯影工藝，以去除被曝光的光刻膠 層32以曝露出部分金屬層30。由于曝光量的不同，顯影后第一區(qū)域321的光 刻膠層32的厚度大于第二區(qū)域322的光刻膠層32的厚度與第三區(qū)域323的 光刻膠層的厚度，而第二區(qū)域322的光刻膠層32的厚度與第三區(qū)域323的光 刻膠層的厚度之間的厚度大小關(guān)系則視透光單狹縫16的大小與半透光圖案18 的透光率不同而定。隨后，利用例如刻蝕工藝移除未被光刻膠層32保護的金 屬層30、重度摻雜半導(dǎo)體層28與半導(dǎo)體層26。必需說明的是，上述光刻膠 層32以正型光刻膠為例，但于其它實施例中，如圖2所示光刻膠層32為負 型光刻膠時，也會產(chǎn)生圖3所示的剖面結(jié)構(gòu)圖。
如圖4及圖3所示，隨后對光刻膠層32進行灰化工藝，以全面性地縮減光刻膠層32的厚度，使得第一區(qū)域321的光刻膠層32的厚度縮減，并移除 第二區(qū)域322的光刻膠層32與第三區(qū)域323的光刻膠層32，由此曝露出對應(yīng) 于移除的第二區(qū)域322與第三區(qū)域323的金屬層30。接著，利用例如刻蝕工 藝移除未被光刻膠層32的第一區(qū)域321覆蓋保護的金屬層30與重摻雜半導(dǎo) 體層28，以分別定義出薄膜晶體管元件的源極34S、漏極34D、通道34C以 及延伸部34E。隨后，移除剩余的光刻膠層32，形成本實施例的薄膜晶體管 元件50的源極34S、漏極34D、通道34C與延伸部34E。
請參考圖6，并一并參考圖5。圖6為圖5的薄膜晶體管元件的俯視圖， 其中本實施例的薄膜晶體管元件為非對稱型薄膜晶體管元件，但本發(fā)明的應(yīng) 用并不以此為限，而可應(yīng)用于對稱型薄膜晶體管元件或其它類型的薄膜晶體 管元件。如圖5與圖6所示，本實施例的薄膜晶體管元件50包括基板20、柵 極22、柵極絕緣層24、半導(dǎo)體層26、重摻雜半導(dǎo)體層28、源極34S與漏極 34D。柵極22設(shè)置于基板20上，而柵極絕緣層24則設(shè)置于基板20上并覆蓋 柵極22。半導(dǎo)體層26，例如非晶硅半導(dǎo)體層是設(shè)置于柵極絕緣層24上，且 半導(dǎo)體層26包括通道34C與延伸部34E。漏極34D與源極34S是設(shè)置于半導(dǎo) 體層26上，其中漏極34D包括第一側(cè)邊34D1與第二側(cè)邊34D2，源極34S 包括第三側(cè)邊34S3與第四側(cè)邊34S4，且漏極34D的第一側(cè)邊34D1與源極 34S的第三側(cè)邊34S3面對設(shè)置。漏極34D的第一側(cè)邊34D1與源極34S的第 三側(cè)邊34S3的距離與光掩膜10的透光單狹縫16的寬度相關(guān)，而在本實施例 中，由于光掩膜10的透光單狹縫16的寬度介于1.5微米至2.5微米之間，因 此制作出的薄膜晶體管元件50的漏極34D的第一側(cè)邊34D1與源極34S的第 三側(cè)邊34S3的最小距離大體上介于1.5微米至3.5微米之間，且但不以此為 限。另夕卜，半導(dǎo)體層26的延伸部34E突出于漏極34D的第二側(cè)邊34D2的一 假想延伸線L之外。延伸部34E是由光掩膜10的半透光圖案18所定義出， 因此延伸部34E的長度與半透光圖案18的長度與透光率相關(guān)。在本實施例中， 半透光圖案18的透光率是介于25%至40%之間，且半透光圖案18的長度是介于2微米至7微米之間，因此延伸部34E的長度，也即延伸部34D的外側(cè) 距離假想延伸線L的距離，大體上是介于0.2微米至3微米之間，但不以此為 限。另外，必須說明的是，半導(dǎo)體層26大部份的面積位于漏極34D與源極 34S之下，且半導(dǎo)體層26大部份的面積被漏極34D與源極34S所覆蓋。當所 使用的光刻膠層32為正型光刻膠時，僅有另一部份半導(dǎo)體層26相對應(yīng)于光 掩膜10的透光單狹縫16及半透光圖案18被暴露出來。或者是當所使用的光 刻膠層32為負型光刻膠時，光掩膜10的透光單狹縫16需改為遮光單狹縫， 且僅有另一部份半導(dǎo)體層26相對應(yīng)于光掩膜10的遮光單狹縫及半透光圖案 18被暴露出來。
本發(fā)明的薄膜晶體管元件50的通道34C的長度通過光掩膜10的透光單 狹縫16的設(shè)計可以縮減至1.5微米至3.5微米之間，因此可有效提升開啟電 流。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體層26的延伸部34D經(jīng)實驗證實也具有增加開啟電 流的效果。請參考圖7。圖7繪示了延伸部與開啟電流的關(guān)系圖。如圖7所示， 在漏極與源極的壓差Vos設(shè)定為5V、柵極與源極的壓差Vc5s設(shè)定為20V，且 在未照光的條件下，可發(fā)現(xiàn)若設(shè)定延伸部長度為2微米時為基準，則當延伸 部長度增加至4微米與6微米時，開啟電流分別增加了 26%與40.4%。由此 可知，延伸部確實具有提高薄膜晶體管元件的開啟電流的作用。
綜上所述，本發(fā)明的光掩膜具有透光單狹縫與半透光圖案設(shè)計，因此可 縮減制作出的薄膜晶體管元件的通道長度，以及形成半導(dǎo)體層的延伸部。如 此一來，薄膜晶體管元件可具有較高的開啟電流，因此可在不增加開口率與 電阻電容負載的狀況下應(yīng)用于大尺寸顯示面板上，提升顯示面板的品質(zhì)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書范圍所做的 均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種光掩膜，其特征在于，所述光掩膜用于定義薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的圖案，所述光掩膜包括一第一遮光圖案與一第二遮光圖案，其中所述第一遮光圖案包括一第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊，所述第二遮光圖案包括一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊，且所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第二遮光圖案的所述第三側(cè)邊面對設(shè)置；一透光單狹縫，位于所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第二遮光圖案的所述第三側(cè)邊之間，其中所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第二遮光圖案的所述第三側(cè)邊之一最小距離介于1.5微米至2.5微米之間；以及至少一半透光圖案，所述半透光圖案與所述第一遮光圖案的所述第二側(cè)邊以及所述第二遮光圖案的所述第四側(cè)邊連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的光掩膜，其特征在于，所述半透光圖案的透光率 介于25%至40°/。之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的光掩膜，其特征在于，所述半透光圖案具有一長 度，且所述長度介于2微米與7微米之間。
4. 一種薄膜晶體管元件，其特征在于，所述薄膜晶體管元件包括 —基板；一柵極，設(shè)置于所述基板上；一柵極絕緣層，設(shè)置于所述基板上并覆蓋所述柵極；一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上，所述半導(dǎo)體層包括一通道與至 少一延伸部；以及一漏極與源極，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層上，其中所述漏極包括一第一側(cè)邊 與一第二側(cè)邊，所述源極包括一第三側(cè)邊，所述漏極的所述第一側(cè)邊與所述 源極的所述第三側(cè)邊面對設(shè)置，且所述漏極的所述第一側(cè)邊與所述源極的所 述第三側(cè)邊之一最小距離介于1.5微米至3.5微米之間；其中所述延伸部突出于所述漏極的所述第二側(cè)邊的一假想延伸線之外。
5. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，所述延伸部的一 長度介于0.2微米至3微米之間。
6. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體層包 括一非晶硅半導(dǎo)體層。
7. 如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管元件，其特征在于，所述薄膜晶體管 元件包括一非對稱型薄膜晶體管元件。
8. —種制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法，其特征在于，所 述方法包括提供一基板，并于所述基板上依序形成一半導(dǎo)體層與一金屬層；提供一光掩膜，所述光掩膜包括一第一遮光圖案與一第二遮光圖案，其中所述第一遮光圖案包括一 第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊，所述第二遮光圖案包括一第三側(cè)邊與一第四側(cè)邊， 且所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第二遮光圖案的所述第三側(cè)邊面 對設(shè)置；一透光單狹縫，位于所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第二遮 光圖案的所述第三側(cè)邊之間，其中所述第一遮光圖案的所述第一側(cè)邊與所述第 二遮光圖案的所述第三側(cè)邊的一最小距離介于1.5微米至2.5微米之間；以及至少一半透光圖案，所述半透光圖案與所述第一遮光圖案的所述第 二側(cè)邊以及所述第二遮光圖案的所述第四側(cè)邊連接；于所述金屬層上形成一光刻膠層，并利用所述光掩膜對所述光刻膠層進 行一曝光工藝，其中所述光掩膜的所述第一遮光圖案與所述第二遮光圖案對 應(yīng)于所述光刻膠層的一第一區(qū)域，所述光掩膜的所述透光單狹縫對應(yīng)所述光 刻膠層的一第二區(qū)域，且所述光掩膜的所述半透光圖案對應(yīng)于所述光刻膠層 的一第三區(qū)域；對所述光刻膠層進行一顯影工藝，去除部分所述光刻膠層以曝露出部分所述金屬層，其中顯影后所述第一區(qū)域的所述光刻膠層的厚度大于所述第二 區(qū)域的所述光刻膠層的厚度與所述第三區(qū)域的所述光刻膠層的厚度；移除未被所述光刻膠層保護的所述金屬層與所述半導(dǎo)體層；對所述光刻膠層進行一灰化工藝，以縮減所述第一區(qū)域的所述光刻膠層 的厚度，并移除所述第二區(qū)域的所述光刻膠層與所述第三區(qū)域的所述光刻膠層，以曝露出部分所述金屬層；移除未被所述光刻膠層覆蓋保護的所述金屬層、部分所述半導(dǎo)體層，以 定義出一源極、 一漏極、 一通道與一延伸部；以及移除所述光刻膠層。
9. 如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法， 其特征在于，所述半透光圖案的透光率介于25%至40%之間。
10. 如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法， 其特征在于，所述半透光圖案具有一長度，且所述長度介于2微米至7微米 之間。
11. 如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法， 其特征在于，所述半導(dǎo)體層包括一非晶硅半導(dǎo)體層。
12. 如權(quán)利要求8所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方法， 其特征在于，所述漏極包括一第一側(cè)邊與一第二側(cè)邊，所述源極包括一第三 側(cè)邊，所述漏極的所述第一側(cè)邊與所述源極的所述第三側(cè)邊面對設(shè)置，且所 述漏極的所述第一側(cè)邊與所述源極的所述第三側(cè)邊的一最小距離介于1.5微 米至3.5微米之間。
13. 如權(quán)利要求12所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方 法，其特征在于，所述延伸部突出于所述漏極的所述第二側(cè)邊的一假想延伸 線之外。
14. 如權(quán)利要求13所述的制作薄膜晶體管元件的源極/漏極與通道的方 法，其特征在于，所述延伸部的一長度介于0.2微米至3微米之間。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供了一種光掩膜、薄膜晶體管元件及制作薄膜晶體管元件的方法，所述光掩膜包括第一遮光圖案、第二遮光圖案、透光單狹縫與半透光圖案。透光單狹縫位于第一遮光圖案與第二遮光圖案之間，透光單狹縫的寬度介于1.5微米至2.5微米之間。半透光圖案與第一遮光圖案以及第二遮光圖案連接。本發(fā)明的光掩膜具有透光單狹縫與半透光圖案設(shè)計，其中透光單狹縫可縮減制作出的薄膜晶體管元件的通道長度，而半透光圖案可定義出半導(dǎo)體層的延伸部。因此，薄膜晶體管元件可具有較高的開啟電流。
文檔編號G03F1/54GK101598894SQ20091015014
公開日2009年12月9日 申請日期2009年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月7日
發(fā)明者張家銘, 蕭祥志 申請人:友達光電股份有限公司