專利名稱：增加設(shè)置在照射設(shè)備中的聚集器光學(xué)器件的操作壽命的方法及相應(yīng)的照射設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種增加設(shè)置在照射(irradiation)設(shè)備中的聚光器(optical collector)單元操作壽命的方法，所述照射設(shè)備至少包括發(fā)射光學(xué)輻射(特別是極紫外輻 射(EUV)和/或軟X射線)的輻射源，所述輻射源生成與所述聚光器單元的光學(xué)表面碰撞的 物質(zhì)和/或粒子；形成由所述輻射源發(fā)射的所述光學(xué)輻射一部分的輻射束的聚光器單元； 和設(shè)置在所述輻射源和所述聚光器單元之間的碎片減緩(debrismitigation)單元。本發(fā) 明還涉及一種具有適用于執(zhí)行所建議方法的聚光器單元的照射設(shè)備。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)的光學(xué)光刻(lithography)領(lǐng)域中，為了確保所需的成像質(zhì)量，使 用復(fù)雜的光學(xué)器件。這特別地應(yīng)用于EUV光刻，即使用極紫外輻射的光刻，其中在光源(也 被稱為輻射源)和將曝露的晶片襯底之間的真空腔中設(shè)置掠入射鏡和/或多層鏡。為了開 發(fā)特別是用于EUV光刻的高功率光源，金屬性輻射材料(例如Sn和Li)的使用是強(qiáng)制性的， 以實(shí)現(xiàn)輸入功率(放電等離子體光源的電功率或產(chǎn)生激光的等離子體的激光功率)轉(zhuǎn)換為 EUV輻射的高效率。在使用這種材料時(shí)的一個(gè)暗含的問題是這些材料將凝結(jié)在聚集器光學(xué)器件 (collector optics)上，聚集器光學(xué)器件必須在同一真空系統(tǒng)中靠近光源放置以聚集所發(fā) 射的光。從光源釋放的并沿聚集器光學(xué)器件的方向移動的物質(zhì)或材料也被稱為碎片。碎片 層可沉積在聚集器光學(xué)器件(collector optics)的反射表面上，降低了該光學(xué)表面的質(zhì) 量。由于在反射表面上的吸收損失，很薄的沉積層已經(jīng)顯著地降低了 EUV輻射的反射強(qiáng)度。 當(dāng)在光源和聚集器光學(xué)器件之間使用碎片減緩設(shè)備時(shí)，從光源傳到聚集器光學(xué)器件反射表 面的材料(material)量可被大大地減少，但絕不會是零。US2006/0203965A1公開了一種借 助于等離子體生成極紫外和/或軟X射線輻射的設(shè)備和方法，其中通過使用合適的碎片減 緩設(shè)備獲得了光學(xué)表面污染的減少。碎片在光學(xué)設(shè)備的反射表面上的沉積不必是均勻的，因?yàn)檫@些物質(zhì)從輻射源的發(fā) 射不必是各向同性的，并且碎片減緩設(shè)備不必在所有方向上具有相同的減緩效率。這導(dǎo) 致聚集器光學(xué)器件反射表面上將比其他區(qū)域老化得快的區(qū)域。于是，與均勻沉積相比，所 述聚集器光學(xué)器件的操作壽命將更短，因?yàn)樵摬僮鲏勖善渲谐练e最高的最差區(qū)域的壽 命限定。在達(dá)到最差區(qū)域的壽命標(biāo)準(zhǔn)結(jié)束之前，光照的均勻性將受影響，這導(dǎo)致光照系統(tǒng) 的性能降低，或者，如果光必須被浪費(fèi)掉以實(shí)現(xiàn)較低水平上的均勻光照，則這導(dǎo)致吞吐量 (throughput)降低。次于碎片材料的沉積，聚集器光學(xué)器件的性能和壽命還受到撞擊在該光學(xué)設(shè)備反 射表面上的快速粒子和離子的影響。這可導(dǎo)致聚光器材料的飛濺(sputter)，導(dǎo)致涂層變粗 糙或?yàn)R起，或者，如果對聚集器光學(xué)器件的涂層使用了多層，則導(dǎo)致鄰近層的混合。所有這 些效果導(dǎo)致反射表面相關(guān)區(qū)域反射率的降低。同樣在這種情況下，反射表面的暴露不是均勻的，并且某些區(qū)域可能比其他區(qū)域受到的影響更大。這再次導(dǎo)致光刻過程中進(jìn)一步光照 的均勻性問題，并與反射表面的均勻暴露相比，導(dǎo)致了聚集器光學(xué)器件減少的吞吐量和減 少的壽命。為了克服以上問題，可以優(yōu)化在基于等離子體光源情況下的等離子體箍縮 (plasma pinch)，以導(dǎo)致碎片材料盡可能多的各向同性發(fā)射。另外，碎片減緩設(shè)備可以設(shè) 計(jì)成具有對于所有光聚集相關(guān)方向來說相同的減緩效率，或者甚至具有碎片減緩的專用設(shè) 計(jì)，該專用設(shè)計(jì)糾正了輻射源的非各向同性碎片發(fā)射，這導(dǎo)致碎片減緩之后所有相關(guān)方向 的均勻情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種增加照射設(shè)備(特別是發(fā)射EUV輻射或軟X射線的照射 設(shè)備)的聚光器單元的操作壽命的附加方法，并提供一種允許執(zhí)行所建議方法的適當(dāng)?shù)恼?射設(shè)備。該目的用根據(jù)當(dāng)前權(quán)利要求1和8的方法和設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。該方法和設(shè)備的有益實(shí) 施例是從屬權(quán)利要求的主題，并進(jìn)一步地在以下說明書和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的例子中得以描述。所建議的方法增加了設(shè)置在照射設(shè)備中的聚光器單元的操作壽命，所述照射設(shè)備 至少包括輻射源，該輻射源發(fā)射光學(xué)輻射，特別是極紫外輻射或軟X射線，并生成與所述聚 光器單元的光學(xué)表面碰撞的物質(zhì)和/或粒子。這些物質(zhì)和/或粒子在本說明書中被稱為碎 片，并可以由例如生成輻射等離子體所必需的經(jīng)蒸發(fā)的液體或固體材料形成，或者由輻射 源操作期間生成的快速原子、分子、離子或電子組成。聚光器單元包括一個(gè)或幾個(gè)形成由輻 射源發(fā)射的所述輻射的一部分的輻射束的反射表面，并可以例如由一個(gè)或幾個(gè)掠入射鏡和 /或多層鏡形成。為了減少與聚集器單元的光學(xué)表面碰撞的所述物質(zhì)和/或粒子的量，在照 射設(shè)備中還設(shè)置了至少一個(gè)碎片減緩單元，其典型地在輻射源和聚光器單元之間。在所建 議的方法中，在設(shè)備的操作期間和/或在操作間歇(operation pause)中移動所述聚集器 單元，使得與沒有這樣的移動相比，由所述物質(zhì)和/或粒子與所述聚光器單元的所述光學(xué) 表面的碰撞引起的沉積或老化(degradation)效果在所述光學(xué)表面上被分布得更均勻。所建議的允許相應(yīng)地執(zhí)行所建議的方法的照射設(shè)備包括上述組件，即輻射源、聚 光器單元和碎片減緩單元，并且其特征在于聚光器單元被安裝在驅(qū)動單元上，該驅(qū)動單元 被設(shè)置和設(shè)計(jì)成以上述方式移動(特別是旋轉(zhuǎn)和/或平移)所述聚光器單元。使用所建議的方法，通過以適當(dāng)?shù)姆绞揭苿泳奂鲉卧?，避免或者至少顯著地減 少了聚集器單元反射表面的不均勻老化。觀看(look on)在一年范圍中的這種聚集器單元 的壽命目標(biāo)，已經(jīng)可以通過引起整個(gè)光學(xué)表面上的老化散布的聚集器單元的相對緩慢的移 動來獲得均勻化。由于時(shí)間上的平均效果，這導(dǎo)致一個(gè)或幾個(gè)光學(xué)表面的更均勻的老化，從 而導(dǎo)致該聚集器單元增加了的操作壽命。移動聚集器單元的方式必須適合于照射設(shè)備的幾何形態(tài)，特別是適合于光路徑的 幾何形態(tài)和碎片發(fā)射的特殊不均勻性，聚光器單元還可由幾個(gè)獨(dú)立的、從而可獨(dú)立地移動 的組件組成。如上已所述，碎片既可以是從輻射源發(fā)射并沉積在光學(xué)表面上的材料或物質(zhì)， 也可以是引起光學(xué)表面的飛濺或其他類型的表面老化的高能中性或帶電粒子。原則上，聚光器單元可使用不同類型的移動得以移動。第一類型的移動保持光路徑的幾何形態(tài)，因此能在照射設(shè)備(也可以是光刻工具)的操作期間得以完成，或者在短 暫的操作間歇中得以完成，但導(dǎo)致下一操作時(shí)段光路徑的正確幾何形態(tài)。這種移動主要地 但并非排他地基于聚光器單元圍繞它的光軸的旋轉(zhuǎn)。該光軸典型地在使用基于等離子體 的輻射源時(shí)還穿過該輻射源的等離子體箍縮，并穿過該照射設(shè)備的所謂中間焦點(diǎn)(經(jīng)聚集 的光聚焦其上)。由一個(gè)或多個(gè)部件或組件構(gòu)成的聚光器單元必須相對于光軸旋轉(zhuǎn)對稱。 如果該對稱對所有角度都成立，則該旋轉(zhuǎn)可在操作期間或在操作間歇期間的任意步驟中 連續(xù)地或斷續(xù)地或逐步地執(zhí)行。如果該對稱對于例如由聚光器單元的支撐結(jié)構(gòu)(holding structure)限定的特定角度是離散的(discrete)，那么該旋轉(zhuǎn)應(yīng)當(dāng)僅在操作間歇中進(jìn)行， 或者僅以離散角度的倍數(shù)執(zhí)行。以這種方式，保證了光路徑和由支撐結(jié)構(gòu)引起的陰影圖案 (shadowpatterning)總是相同的。如果聚光器單元的碎片暴露相對于圍繞光軸的方位角是 不均勻的，這是一個(gè)特別重要的情況，那么利用這些旋轉(zhuǎn)可以實(shí)現(xiàn)均勻。由于旋轉(zhuǎn)，不同區(qū) 域暴露于不同的強(qiáng)烈的碎片負(fù)載，這導(dǎo)致聚光器單元的不同角度區(qū)域上的平均，從而導(dǎo)致 碎片更均勻的分布。在特殊情況下，存在其中材料沉積是主要的聚光器單元的角度區(qū)域，而在其他角 度區(qū)域，飛濺是主要的。由于在這種情況下聚光器單元的旋轉(zhuǎn)，沉積區(qū)域然后變?yōu)轱w濺區(qū) 域，使得沉積再次被飛濺移除。這也導(dǎo)致均勻性和聚光器單元操作壽命的改善。在優(yōu)選實(shí)施例中通過引起碎片的飛濺移除引起碎片的沉積的思想通?？梢杂糜?改善聚光器單元的均勻性和壽命，這歸因于聚光器單元相對于輻射源的移動。在操作間歇 中，在聚光器單元相對于光源的位置改變也是可能的場合(這導(dǎo)致在晶片暴露期間即設(shè)備 的正常操作期間不可接受的光路徑的改變)，可以相對于輻射源在每個(gè)方向上移動聚光器 單元，使得在正常操作期間沉積為主要的區(qū)域現(xiàn)在是飛濺變成主要的區(qū)域。在該實(shí)施例中， 還必須在設(shè)備或光刻工具的以上操作間歇中操作輻射源，其中不使用經(jīng)反射的光，并且如 果必需也可以將其阻擋。輻射源的操作對于飛濺效果來說是必需的。附加于或替代聚光器單元的旋轉(zhuǎn)移動，還可以執(zhí)行平移移動。取決于該移動是否 為光軸方向上的或與其垂直的這樣的平移或者是否必需旋轉(zhuǎn)(在這種情況下，可以應(yīng)用與 真空環(huán)境兼容的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械解決方案)，可以以不同的方式來實(shí)現(xiàn)該移動。當(dāng)然必須保證聚光 器單元的位置穩(wěn)定性和位置可逆性以保持該設(shè)備的光學(xué)性能。為了執(zhí)行聚光器單元的移動，聚光器單元附著于或安裝在驅(qū)動單元上。在優(yōu)選實(shí) 施例中，控制單元根據(jù)所建議的方法控制驅(qū)動單元以獲得聚光器單元的高的操作壽命?？?控制該移動為連續(xù)的，優(yōu)選地具有不變的速度，或者為斷續(xù)的或逐步的。控制單元依賴于例 如該設(shè)備的操作參數(shù)或操作條件(例如操作時(shí)間和/或操作電壓和/或操作頻率)來控制 該移動。在該情況下，碎片負(fù)載作為這些參數(shù)的函數(shù)應(yīng)當(dāng)是已知的。不同地或附加地，可以 使用中間焦點(diǎn)中的、遠(yuǎn)場中的或甚至使用適當(dāng)輻射傳感器的照射設(shè)備或光刻工具的光學(xué)路 徑更深處的光學(xué)測量來控制對移動的需要和如何執(zhí)行移動的方式。以這種方式，光分布的 不均勻性可用作即將執(zhí)行的移動的指導(dǎo)。利用控制單元，從而可以決定是否需要或者什么 時(shí)候需要移動，或者將以何種方式和何種速度來進(jìn)行移動。如上已所述，聚光器單元可由一個(gè)單獨(dú)的或者幾個(gè)也可以單獨(dú)移動的獨(dú)立組件構(gòu) 成。輻射源優(yōu)選地是基于放電等離子體或基于激光等離子體的基于等離子體的輻射源。 聚光器單元可包括至少一個(gè)掠入射聚光器或可由至少一個(gè)近正入射聚光器(near normalincidence collector)形成，特別是用于聚集EUV輻射或軟X射線的聚光器。并且還可以 用具有不止一個(gè)輻射源的照射設(shè)備來執(zhí)行所建議的方法。還可以根據(jù)本方法移動其他遭受 碎片老化的光學(xué)組件。


以下的示例性實(shí)施例參考附圖展示了本方法和設(shè)備的例子，并不限制保護(hù)范圍。 附圖示出了圖1 :EUV發(fā)光單元的示意配置；圖2a 平行于根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光單元的旋轉(zhuǎn)聚集器光學(xué)器件光軸的橫截面示意 圖；圖2b 垂直于圖2a的旋轉(zhuǎn)聚集器光學(xué)器件光軸的橫截面；圖3a 平行于根據(jù)本發(fā)明的另一種類型旋轉(zhuǎn)聚集器鏡的光軸的橫截面的示意圖；圖3b 平行于根據(jù)本發(fā)明的具有另一種類型移動的聚集器鏡的光軸的橫截面示 意圖；以及圖3c 平行于根據(jù)本發(fā)明的示出另一種可能移動的聚集器鏡的光軸的橫截面示 意圖。
具體實(shí)施例方式EUV發(fā)光單元的一種典型結(jié)構(gòu)如圖1所示。該EUV發(fā)光單元主要由在真空容器32 中的輻射源31、聚集器單元33和多層鏡38組成。從輻射源31發(fā)射的輻射36由聚集器單 元33的反射表面聚集，并被聚焦在中間焦點(diǎn)35上。在中間焦點(diǎn)35的位置處，孔將該第一 容積40與該照射設(shè)備的第二容積41相連接。在第二容積41中多層鏡38被設(shè)置成將輻射 從中間焦點(diǎn)35引導(dǎo)至即將被照射的掩模(mask)和晶片襯底39。在大多數(shù)EUV光刻系統(tǒng) 中，用于碎片減緩的裝置37被設(shè)置在輻射源31和聚集器單元33之間。為了達(dá)到該光刻系 統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)操作，碎片應(yīng)當(dāng)減少幾個(gè)數(shù)量級。然而，這樣的高減緩在輻射源和聚集器單元之間 的短距離上非常困難。因此強(qiáng)烈需要適當(dāng)?shù)姆椒▉硌娱L聚集器單元的操作壽命。使用所建 議的方法和照射設(shè)備(該照射設(shè)備可以構(gòu)造成如圖1的照射設(shè)備一樣)，聚集器單元33必 須安裝在適當(dāng)?shù)尿?qū)動單元7上，驅(qū)動單元7能夠移動聚集器單元33以與沒有這樣的移動的 分布相比在該聚集器單元的反射表面上獲得更均勻的碎片分布或碎片粒子撞擊。以下附圖 示例性地展示了適當(dāng)?shù)囊苿右垣@得導(dǎo)致聚集器單元操作壽命增加的均勻性。圖2a展示了平行于掠入射聚集光學(xué)器件3光軸的橫截面。在該圖中指示了輻射 源1和由該輻射源1發(fā)射、在聚集光學(xué)器件3的反射表面處反射以形成會聚光束的光束2， 以及聚集光學(xué)器件3的光軸4。在該實(shí)例中，聚集光學(xué)器件3圍繞光軸4在特定時(shí)間間隔后 以逐步旋轉(zhuǎn)來旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)的方向在該圖中用箭頭指示。每個(gè)旋轉(zhuǎn)步驟的旋轉(zhuǎn)角度由聚集光 學(xué)器件3的旋轉(zhuǎn)對稱來限定。圖2b在垂直于光軸的橫截面中顯示了本例中的該旋轉(zhuǎn)對稱。聚集光學(xué)器件3由 包括四個(gè)互成90°角度距離的輻條(spoke) 5的支撐結(jié)構(gòu)支撐。因此，旋轉(zhuǎn)聚集光學(xué)器件3 的旋轉(zhuǎn)步驟是90°或其倍數(shù)的步驟以在照射設(shè)備的光分布中保持相同的陰影圖案。在圖2a和2b的例子中，僅畫出了一個(gè)聚集器框架(collectorshell)。然而，該旋轉(zhuǎn)還應(yīng)用于具有兩個(gè)或多個(gè)聚集器框架的聚集器光學(xué)器件，這些聚集器框架典型地如一般 情況一樣是同軸的。圖3&至(在平行于光軸的橫截面中示意性地展示了另一種類型的聚集光學(xué)器件。 該聚集光學(xué)器件是近正入射聚集光學(xué)器件6。在這些圖中指示了輻射源1和在聚集光學(xué)器 件6處反射的光束2以及光軸4。為了獲得本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，這些圖展示了聚集光學(xué)器件6的 不同的可能移動。該移動可以是如圖3a的箭頭所示的永久旋轉(zhuǎn)。這樣的永久旋轉(zhuǎn)不會影 響照射設(shè)備的聚焦屬性。該移動也可以是如圖3b中所示的在光軸4方向上的移動，以為特定的時(shí)間間隔獲 得其他暴露角度，同時(shí)聚焦屬性在該時(shí)間期間被改變。圖3c展示了在聚焦屬性在該時(shí)間期間被改變時(shí)導(dǎo)致該光學(xué)設(shè)備的特定區(qū)域的集 中暴露(concentrated exposure)的垂直于光軸4的近正入射聚集光學(xué)器件6的移動。具 有改變的聚焦屬性的移動最好在照射設(shè)備的操作間歇期間(即當(dāng)該設(shè)備例如不用于暴露 晶片襯底時(shí))進(jìn)行。然而，在該情況下，在聚集光學(xué)器件旋轉(zhuǎn)期間應(yīng)當(dāng)操作輻射源。在圖1中還示意性地顯示了用于聚集單元33的驅(qū)動單元7，和用于驅(qū)動單元7的 控制、從而用于聚集器單元33的移動的控制單元8?？刂茊卧?可基于該設(shè)備的操作參數(shù) 或基于也在圖1中指示的可選輻射傳感器9的測量數(shù)據(jù)來控制驅(qū)動單元。雖然在附圖和上述說明書中詳細(xì)地解釋和描述了本發(fā)明，但這樣的解釋和說明應(yīng) 當(dāng)被理解為解釋性的或示意性的，并非限制性的，本發(fā)明并不限于公開的實(shí)施例。上面描述 的和權(quán)利要求中的不同實(shí)施例也可以結(jié)合。根據(jù)對附圖、說明書和附加權(quán)利要求書的研究， 對公開實(shí)施例的其他變型可由那些本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)踐要求保護(hù)的發(fā)明時(shí)理解和實(shí)現(xiàn)。 例如，聚集器單元的結(jié)構(gòu)不限于附圖的示例結(jié)構(gòu)。聚集光學(xué)器件例如也包括幾個(gè)互相同軸 設(shè)置的反射框架。并且，聚集器單元的移動類型不限于公開的移動。該移動也可以是平移 或旋轉(zhuǎn)移動的混合，只要選取的移動在可自由選取的操作期間改善了在聚集器單元的光學(xué) 表面上的碎片撞擊的均勻性。碎片減緩單元可以是減少與聚集器單元的光學(xué)表面碰撞的物 質(zhì)和/或粒子的量的任何類型的裝備或裝置。這樣的裝置的例子是箔阱(foil trap)、電 場、磁場或氣簾。在權(quán)利要求書中，單詞“包括”不排除其他元件或步驟，不定冠詞“一”或者“一個(gè)” 不排除多個(gè)。在互不相同的從屬權(quán)利要求中陳述措施這一起碼事實(shí)并不表示不能有利地使 用這些措施的組合。權(quán)利要求書中的附圖標(biāo)記不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制這些權(quán)利要求的范圍。附圖標(biāo)記列表1 EUV 輻射源2 EUV 光束3 掠入射聚集器光學(xué)器件4 光軸5 輻條6 近正入射聚集光學(xué)器件7 驅(qū)動單元8 控制單元9 光學(xué)傳感器
8
31輻射源
32真空容器
33聚集器光學(xué)器件
35中間焦點(diǎn)
36輻射路徑
37用于碎片減緩的裝置
38多層鏡
39晶片襯底
40第一容積
41第二容積
9
權(quán)利要求
一種增加設(shè)置在照射設(shè)備中的聚光器單元(3，6)的操作壽命的方法，所述照射設(shè)備至少包括-發(fā)射光學(xué)輻射特別是極紫外輻射或軟X射線的輻射源(1)，所述輻射源(1)生成與所述聚光器單元(3，6)的光學(xué)表面碰撞的物質(zhì)和/或粒子，-所述聚光器單元(3，6)，其形成由所述輻射源(1)發(fā)射的所述輻射的一部分的輻射束，和-碎片減緩單元(37)，其減少與所述聚光器單元(3，6)的光學(xué)表面碰撞的所述物質(zhì)和/或粒子的量，所述方法包括在所述設(shè)備的操作期間和/或在操作間歇中移動所述聚光器單元(3，6)，使得與沒有這樣的移動相比，由所述物質(zhì)和/或粒子與所述聚光器單元(3，6)的所述光學(xué)表面的碰撞引起的沉積或老化效果在所述光學(xué)表面上被分布得更均勻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)具有光軸(4)，并且圍繞它的光 軸⑷被旋轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)在所述設(shè)備的操作期間連續(xù)地 被旋轉(zhuǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)在所述設(shè)備的操作期間或在操 作間歇中以限定的角度逐步地被旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)朝向所述輻射源(1)或以所述 輻射源(1)的相反方向或垂直于所述聚光器單元(3，6)的光軸(4)被移動。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)取決于所述設(shè)備的操作參數(shù)而 移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述聚光器單元(3，6)取決于被設(shè)置成測量所述輻射 束光強(qiáng)度或光分布的至少一個(gè)光學(xué)傳感器(9)的測量數(shù)據(jù)而移動。
8.一種照射設(shè)備，其至少包括-發(fā)射光學(xué)輻射特別是極紫外輻射或軟X射線的輻射源(1)，所述輻射源(1)生成與所 述設(shè)備內(nèi)部的光學(xué)表面碰撞的物質(zhì)和/或粒子，-聚光器單元(3，6)，其形成由所述輻射源(1)發(fā)射的所述輻射的一部分的輻射束，和-碎片減緩單元(37)，其減少與所述聚光器單元的光學(xué)表面碰撞的所述物質(zhì)和/或粒 子的量，_其中所述聚光器單元(3，6)被安裝在驅(qū)動單元(7)上，所述驅(qū)動單元(7)被設(shè)置和設(shè) 計(jì)成移動所述聚光器單元(3，6)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述聚光器單元(3，6)具有光軸(4)，并且所述驅(qū)動單 元(7)被設(shè)計(jì)成圍繞所述光軸(4)旋轉(zhuǎn)所述聚光器單元(3，6)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其中所述驅(qū)動單元被設(shè)置和設(shè)計(jì)成朝向所述輻射源(1)或 以所述輻射源(1)的相反方向或垂直于所述聚光器單元(3，6)的光軸(4)移動所述聚光器 單元(3,6) 0
11.根據(jù)權(quán)利要求8的設(shè)備，其進(jìn)一步包括控制單元(8)，控制單元(8)控制所述驅(qū)動 單元(7)以執(zhí)行所述聚光器單元(3，6)的所述移動。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的設(shè)備，其中所述控制單元(8)被設(shè)計(jì)成基于所述設(shè)備的操作參 數(shù)來控制所述驅(qū)動單元(7)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的設(shè)備，其中所述控制單元(8)被設(shè)計(jì)成基于設(shè)置成測量所述輻 射束的光強(qiáng)度或光分布的至少一個(gè)光學(xué)傳感器(9)的測量數(shù)據(jù)來控制所述驅(qū)動單元(7)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種增加設(shè)置在照射設(shè)備中的聚光器單元(33)的操作壽命的方法。照射設(shè)備至少包括發(fā)射光學(xué)輻射特別是極紫外輻射或軟X射線的輻射源(1)，所述輻射源(1)生成與聚光器單元(33)的光學(xué)表面碰撞的物質(zhì)和/或粒子，聚光器單元形成由所述輻射源(1)發(fā)射的所述輻射的一部分的輻射束；和被設(shè)置在輻射源(1)和所述聚光器單元(33)之間的碎片減緩單元(37)。在所建議的方法中，聚光器單元(33)在設(shè)備的操作期間和/或操作間歇中被移動，使得與沒有這樣的移動相比，由所述物質(zhì)和/或粒子與聚光器單元(33)的所述光學(xué)表面的碰撞引起的沉積或老化效果在所述光學(xué)表面上被分布得更均勻。利用該方法和相應(yīng)的設(shè)備，聚光器單元的光學(xué)表面更均勻地老化，從而增加了該聚光器單元的壽命。
文檔編號G03F7/20GK101868764SQ200880117271
公開日2010年10月20日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月22日
發(fā)明者P·辛克 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司