專利名稱：基片顯影方法及實(shí)施該方法的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般地，本發(fā)明具體實(shí)施方式
涉及基片顯影方法，和實(shí)現(xiàn)該方法的裝置。 更具體地，這些具體實(shí)施方式
涉及通過(guò)將顯影液供給至基片上，使基片顯影的 方法，及實(shí)現(xiàn)該方法的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體或平板顯示器加工工藝中，可通過(guò)光刻法在諸如半導(dǎo)體晶片和玻 璃基片之類的基片上形成電路圖形。
光刻技術(shù)包括涂層處理，將光致抗蝕劑組合物施加至基片上以在基片上 形成光致抗蝕劑膜；烘烤處理，使光致抗蝕劑膜硬化；曝光處理，將掩膜的電 路圖樣轉(zhuǎn)錄到光致抗蝕劑膜上；以及顯影處理，使用顯影液在基片上形成電路 圖樣。
通常，實(shí)現(xiàn)該顯影處理的裝置包括旋轉(zhuǎn)卡盤，用于支承經(jīng)曝光處理的基 片；和將顯影液施加到基片上的噴嘴。該噴嘴的長(zhǎng)度大于基片的直徑，且可移 動(dòng)地設(shè)置在基片上方。也就是說(shuō)，噴嘴能夠在以與基片的上表面平行的方向移 動(dòng)的同時(shí)，將顯影液施加到基片上。美國(guó)專利US6，384,894公開(kāi)了一種顯影裝 置的例子。
根據(jù)US6,384,894，由旋轉(zhuǎn)卡盤支承的基片一側(cè)設(shè)置有用于清洗噴嘴的洗 槽，而噴嘴在以與基片的上表面平行的方向，從洗槽向基片的另一側(cè)移動(dòng)的同 時(shí)，將顯影液施加到基片上。然而，在噴嘴返回至洗槽期間，顯影液會(huì)從噴嘴 滴到基片上，因此產(chǎn)生顯影瑕疵或線寬瑕疵。
為解決上述問(wèn)題，.在使噴嘴返回洗槽期間，將顯影液施加到基片上。對(duì)這 種情況，在使噴嘴移動(dòng)至基片另一側(cè)期間，顯影液附著于噴嘴的下部。附著于 噴嘴的顯影液會(huì)轉(zhuǎn)移到基片上，從而產(chǎn)生顯影瑕疵或線寬瑕疵。
還有，在使噴嘴移動(dòng)至基片另一側(cè)期間，可以不施加顯影液。對(duì)這種情況，
會(huì)增加進(jìn)行顯影處理所需的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種能減少顯影瑕疵和線寬瑕疵，并縮短進(jìn)行顯 影處理所需時(shí)間的基片顯影方法。
此外，本發(fā)明的具體實(shí)施方式
提供了一種能減少顯影瑕疵和線寬瑕疵，并 縮短進(jìn)行顯影處理所需時(shí)間的基片顯影裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
， 一種基片顯影方法包括使顯影噴嘴離 開(kāi)設(shè)置在所述基片一側(cè)的第一洗槽，所述基片由基片支承部支承；在以水平方 向朝設(shè)置在所述基片另一側(cè)的第二洗槽移動(dòng)所述顯影噴嘴期間，將顯影液施加 到所述基片上；將所述顯影噴嘴收納到所述第二洗槽內(nèi)；以及在所述第二洗槽 內(nèi)清洗所述顯影噴嘴。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
，向上移動(dòng)圍繞所述基片支承部設(shè)置的杯 狀結(jié)構(gòu)，使得在施加所述顯影液后，所述基片被所述杯狀結(jié)構(gòu)包圍，然后將清 潔液施加到基片上以清潔所述施加了顯影液的所述基片。干燥清潔后基片，然 后向下移動(dòng)所述杯狀結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
， 一種基片顯影方法包括在以第一水平 方向從設(shè)置在所述基片一側(cè)的第一洗槽朝設(shè)置在所述基片另一側(cè)的第二洗槽 移動(dòng)顯影噴嘴期間，將顯影液首次施加到由基片支承部支承的所述基片上；在 所述第二洗槽中首次清洗所述顯影噴嘴；在以第二水平方向從所述第二洗槽朝 所述第一洗槽移動(dòng)所述顯影噴嘴期間，將顯影液再次施加到所述基片上；在所 述第一洗槽內(nèi)再次清洗所述顯影噴嘴。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
，在所述首次施加顯影液之后，首次清潔 所述基片，并且在所述再次施加顯影液之后，再次清潔所述基片。此外，在再 次清潔所述基片之后，干燥所述基片。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
， 一種基片顯影裝置包括支承所述基片 的基片支承部；可在由所述基片支承部支承的所述基片上方以水平方向移動(dòng)的 顯影噴嘴，用于將顯影液施加到所述基片上；設(shè)置在所述基片支承部一側(cè)，用 于清洗所述顯影噴嘴的第一洗槽；以及設(shè)置在所述基片支承部另一側(cè)，用于清 洗所述顯影噴嘴的第二洗槽。
根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
，所述基片顯影裝置還包括與所述 第一洗槽連接的第一清洗液供給部，用于將清洗液送入所述第一洗槽，以 清洗所述顯影噴嘴；以及與所述第二洗槽連接的第二清洗液供給部，用于 將清洗液送入所述第二洗槽，以清洗所述顯影噴嘴。 根據(jù)本發(fā)明的一些具體實(shí)施方式
，所述基片顯影裝置還包括圍繞所述 基片支承部設(shè)置的、可向上和向下移動(dòng)的杯狀結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，將顯影液施加到基片上之后，顯影噴嘴在第 一或第二洗槽中清洗。因此，可防止顯影液從顯影噴嘴滴到基片上。這樣，可 防止因顯影液滴落造成的問(wèn)題。
還有，不必移動(dòng)顯影噴嘴來(lái)清洗顯影噴嘴或防止顯影液的滴落。這樣，可 以縮短進(jìn)行顯影處理所需的時(shí)間。


通過(guò)下述詳細(xì)說(shuō)明及附圖，本發(fā)明的具體實(shí)施方式
將更加清楚，在附圖中 圖1是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施方式
的基片顯影方法； 圖2為示出了實(shí)現(xiàn)圖1所示方法的裝置的示意圖3是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一具體實(shí)施方式
的基片顯影方法；及 圖4為示出了實(shí)現(xiàn)圖3所示方法的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
參見(jiàn)示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖，下文將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而， 本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為受在此提出之實(shí)施例 的限制。相反，提出這些實(shí)施例是為了達(dá)成充分及完整公開(kāi)，并且使本技 術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員完全了解本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可能 對(duì)層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸進(jìn)行了夸大。
應(yīng)理解，當(dāng)將元件或?qū)臃Q為在另一元件或?qū)?上"，或"連接至"另一 元件或?qū)又畷r(shí)，其可以為直接在另一元件或?qū)由匣蚺c另一元件或?qū)舆B接， 或者存在居于其間的元件或?qū)?。與此相反，當(dāng)將元件或?qū)臃Q為"直接"連接 在另一元件或?qū)?，?直接"在另一元件或?qū)由?，則不存在居于其間的元 件或?qū)?。如本文中所使用的，用語(yǔ)"和/或"包括一或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的 任何或所有組合。
應(yīng)理解，盡管本文中使用第一、第二、第三等用語(yǔ)來(lái)描述各種元件、 組件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或區(qū)段并受到 這些用語(yǔ)的限制。這些用語(yǔ)僅用于區(qū)分一元件、組件、區(qū)域、層和/或區(qū)段 與另一元件、組件、區(qū)域、層或區(qū)段。因此，下文所稱之第一元件、組件、 區(qū)域、層或區(qū)段可稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或區(qū)段，而不脫離本發(fā) 明的教導(dǎo)。
如"下(lower)"、"上(upper)"等空間相關(guān)表述，在本文中使用這些
用語(yǔ)以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。應(yīng)理解， 這些與空間相關(guān)的表述除圖中所示方位之外，還用于涵蓋該設(shè)備的不同方 位。例如，若圖中的該設(shè)備翻轉(zhuǎn)，描述為在其它元件"下"側(cè)的元件會(huì)轉(zhuǎn)而 定向?yàn)樵谄渌?上"側(cè)。由此，根據(jù)附圖的特定朝向，該示例的用語(yǔ)"下"
可同時(shí)涵蓋"下"和"上"兩個(gè)方位。該裝置可以是另外的方位(旋轉(zhuǎn)90度或 其它方位)，并且本文所作出的這些空間相關(guān)表述需作相應(yīng)地解釋。
本文中所使用的表述僅用于描述特定的實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明。 如本文中所用的，單數(shù)形式的"一"、"所述"可用于包括復(fù)數(shù)形式，除非其上 下文明示。還應(yīng)理解，當(dāng)本說(shuō)明書中使用表述"包括"之時(shí)，明確說(shuō)明了存 在有所描述的部件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件及/或組件，但并不排 除一或多個(gè)其它部件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件及/或它們的 組群的存在或添加。
除非另行詳細(xì)說(shuō)明，本文所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括科技術(shù)語(yǔ))的意思 與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所通常理解的一致。還應(yīng)理解，諸如一般字典中 所定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)解釋為與相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域或本文公開(kāi)中的意思一致，并且不 應(yīng)解釋為理想化的或過(guò)度刻板的含義，除非在文中另有明確定義。
根據(jù)剖視圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，這些剖視圖是本發(fā)明理想的實(shí)施 方式的(和中間結(jié)構(gòu)的)示意圖。同樣地，作為例如制造工藝和/或公差的結(jié)果， 示圖形狀的變化形式是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于 本文所示區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)包括例如因制造引起的形狀偏差。附圖中所示 區(qū)域?qū)嶋H上是示意的，其形狀不用于表示區(qū)域的精確形狀，也不用于限制本發(fā) 明的范圍。
圖1是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明一具體實(shí)施方式
的基片顯影方法，而圖 2是示出了實(shí)現(xiàn)圖l所示方法的裝置的示意圖。
參見(jiàn)圖1和圖2，用于基片顯影的裝置100可用來(lái)在諸如硅晶片或玻璃基 片之類的半導(dǎo)體基片上進(jìn)行顯影處理。基片顯影裝置100包括基片支承部110、 顯影噴嘴120、第一洗槽130和第二洗槽140。
基片支承部110包括用于支承基片111的支承件112和與支承件112的下 部連接的驅(qū)動(dòng)軸113。驅(qū)動(dòng)軸113與馬達(dá)(未示出)連接，使基片111旋轉(zhuǎn)， 以在基片上進(jìn)行清洗和干燥處理。
顯影噴嘴120將顯影液施加到基片支承部IIO支承的基片111上。通過(guò)驅(qū) 動(dòng)部(未示出)，顯影噴嘴120設(shè)置成可沿水平方向和豎直方向移動(dòng)。具體地， 驅(qū)動(dòng)部可使顯影噴嘴120以與基片111的上表面平行的方向移動(dòng)，以將顯影液 施加到基片111上。
顯影噴嘴120以與上述水平方向垂直的另一水平方縱向延伸，且具有將顯 影液施加到基片111上的縫隙(未示出)。具體地，顯影噴嘴120的長(zhǎng)度大于 基片111的直徑或?qū)挾取?br> 根據(jù)本發(fā)明另一具體實(shí)施方式
，顯影噴嘴120在顯影噴嘴120的長(zhǎng)度方向 上設(shè)有多個(gè)孔，以將顯影液施加到基片111上。
顯影噴嘴120經(jīng)顯影液輸送管(未示出)與顯影液供給部(未示出)連接， 可在基片111上方以水平方向移動(dòng)時(shí)，將顯影液施加到基片111上。
第一洗槽130和第二洗槽140相對(duì)地各自設(shè)置在基片支承部110的兩側(cè)。 即，第一洗槽130位于基片支承部110支承的基片111的一側(cè)，而第二洗槽140 位于基片支承部110支承的基片111的另一側(cè)。第一洗槽130和第二洗槽140 起到待用處(standby port)的作用，顯影噴嘴120在那里等待執(zhí)行顯影處理。
第一洗槽130和第二洗槽140可容納清洗液，以除去附著于噴嘴120下部 的顯影液。也就是說(shuō)，第一洗槽130和第二洗槽140各具有容納清洗液的內(nèi)部 空間及敞口的上部。還有，用于供給清洗液的第一清洗液供給部132和第二清 洗液供給部142分別與第一洗槽130和第二洗槽140連接。顯影噴嘴120可通 過(guò)第一洗槽130或第二洗槽140敞開(kāi)的上部插入第一洗槽130或第二洗槽140 中，清洗液可除去附著于顯影噴嘴120的顯影液。
顯影噴嘴120以第一水平方向從第一洗槽130向第二洗槽140移動(dòng)，或以 第二水平方向從第二洗槽140向第一洗槽130移動(dòng)，并同時(shí)將顯影液施加到基 片111上。
在施加顯影液之前或之后，顯影噴嘴120在第一洗槽130或第二洗槽140 中待用。在該處，顯影噴嘴120被容納在第一洗槽130或第二洗槽140中的清 洗液清洗。
同時(shí)，基片顯影裝置100還可包括設(shè)置在基片支承部110和第一及第二洗 槽130及140之間的杯狀結(jié)構(gòu)150。該杯狀結(jié)構(gòu)150可以豎向移動(dòng)。例如，杯 狀結(jié)構(gòu)150可被提升以圍繞基片支承部110支承的基片111。
在基片lll上進(jìn)行顯影處理之后，將清潔液施加到基片111上。然后，基 片支承部110使基片111旋轉(zhuǎn)，以除去該清潔液并干燥基片111，杯狀結(jié)構(gòu)150 可提升以阻擋因離心力離開(kāi)基片111的清潔液。
現(xiàn)參考圖1和圖2，更全面地描述根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施方式
的基片顯影方法。
將經(jīng)曝光處理的基片111裝在基片支承部110上。此時(shí)，顯影噴嘴120在 第一洗槽130中待用。
在S10步驟中，顯影噴嘴120離開(kāi)第一洗槽130。例如，通過(guò)驅(qū)動(dòng)部使顯 影噴嘴120向上移動(dòng)。
在步驟Sll中，通過(guò)驅(qū)動(dòng)部，顯影噴嘴120以第一水平方向從第一洗槽130 向第二洗槽140移動(dòng)，同時(shí)顯影液被施加到基片111上。此時(shí)，基片lll與顯 影噴嘴之間的間距為約lmm至約2mm。
在步驟S12中，顯影噴嘴120收納到第二洗槽140中。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)部 使顯影噴嘴120向下移動(dòng)，使得顯影噴嘴120浸入容納在第二洗槽140內(nèi)的清 洗液中。
在步驟S13中，顯影噴嘴120在第二洗槽140中待用期間，第二洗槽140 中的清洗液清洗顯影噴嘴。附著于顯影噴嘴120的顯影液被清洗液除去。
如上所述，將顯影液施加到基片111上之后，顯影噴嘴120在第二洗槽140 中待用。因此，不必使顯影噴嘴120返回至第一洗槽130。也就是說(shuō)，可以剔 除不必要的顯影噴嘴120的移動(dòng)步驟。這樣，可以避免不必要的顯影噴嘴120 移動(dòng)步驟引起的問(wèn)題，如顯影瑕疵、線寬瑕疵等，并且可縮短進(jìn)行顯影處理所 需的時(shí)間。
同時(shí)，顯影噴嘴120以第二水平方向從第二洗槽140向第一洗槽130移動(dòng)， 以將顯影液施加到后續(xù)基片上。
在步驟S14中，杯狀結(jié)構(gòu)150向上移動(dòng)，使得基片lll由杯狀結(jié)構(gòu)150包圍。
在步驟S15中，將清潔液施加到基片111上，以清潔基片111。清潔液可 從清潔噴嘴(未示出)施加到基片111的中心部分，基片111以預(yù)定的速度旋 轉(zhuǎn)。這時(shí)，杯狀結(jié)構(gòu)150可阻擋住因離心力離開(kāi)基片111的清潔液。
在步驟S16中，在進(jìn)行清潔步驟S15之后，以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)基片111，以 使其干燥。
在步驟S17中，杯狀結(jié)構(gòu)150向下移動(dòng)，通過(guò)基片轉(zhuǎn)移部(未示出)，從 基片支承部IIO卸下基片111。
圖3是流程圖，示出了根據(jù)本發(fā)明另一具體實(shí)施方式
的基片顯影方法，而 圖4是示出了實(shí)現(xiàn)圖3所示基片顯影方法的裝置的示意圖。
參見(jiàn)圖3和圖4，將經(jīng)曝光處理的基片111裝載到基片支承部110上。此 時(shí)，顯影噴嘴120在第一洗槽130中待用。
在步驟S20中，顯影噴嘴120離開(kāi)第一洗槽130，然后，通過(guò)驅(qū)動(dòng)部，顯 影噴嘴120以第一水平方向從第一洗槽130向第二洗槽140移動(dòng)。還有，顯影 噴嘴120在第一方向移動(dòng)期間，顯影液首次被施加到基片111上。
在步驟S21中，顯影噴嘴120收納到第二洗槽140中。顯影噴嘴120在第 二洗槽140中待用期間，容納在第二洗槽140內(nèi)的清洗液首次清洗顯影噴嘴
120。也就是說(shuō)，附著于顯影噴嘴120的顯影液被清洗液除去。
在步驟S22中，杯狀結(jié)構(gòu)150向上移動(dòng)，使得基片111被杯狀結(jié)構(gòu)150包圍。
在步驟S23中，將清潔液施加到基片111上，以首次清潔基片111。清潔 液從清潔噴嘴(未示出)施加到基片111的中心部位，并以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)基片 111。此時(shí)，杯狀結(jié)構(gòu)150阻擋住因離心力而離開(kāi)基片111的清潔液。
在步驟S24中，杯狀結(jié)構(gòu)150向下移動(dòng)。
在步驟S25中，顯影噴嘴120離開(kāi)第二洗槽140，然后，通過(guò)驅(qū)動(dòng)部，以 第二水平方向從第二洗槽140向第一洗槽130移動(dòng)。還有，在顯影噴嘴120以 第二水平方向移動(dòng)期間，再次將顯影液施加到基片111上。此時(shí)，由于在第一 顯影步驟S20中附著于顯影噴嘴的顯影液被除去，從而不會(huì)產(chǎn)生如顯影瑕疵和 線寬瑕疵之類的問(wèn)題。
在步驟S26中，顯影噴嘴120收納于第一洗槽130中。在顯影噴嘴120在 第一洗槽130中待用期間，容納在第一洗槽130內(nèi)的清洗液再次清洗顯影噴嘴 120。
在步驟S27中，向上移動(dòng)杯狀結(jié)構(gòu)150，使得基片111被杯狀結(jié)構(gòu)150包圍。
在步驟S28中，清潔液施加到基片111上，以再次清潔基片111，基片111 以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)。
在步驟S29中，在進(jìn)行第二清潔步驟S28之后，以預(yù)定的速度旋轉(zhuǎn)基片 111，使其干燥。
在步驟S30中，杯狀結(jié)構(gòu)150向下移動(dòng)，通過(guò)基片轉(zhuǎn)移部(未示出)，從 基片支承部IIO卸下基片111。
根據(jù)本發(fā)明的該具體實(shí)施方式
，將顯影液施加到基片上之后，顯影噴嘴在 第一或第二洗槽中清洗。因此，可防止顯影液從顯影噴嘴滴到基片上。這樣， 可防止因顯影液滴落造成的顯影瑕疵或線寬瑕疵。
還有，不必移動(dòng)顯影噴嘴來(lái)清洗顯影噴嘴或防止顯影液的滴落。這樣，可 以縮短進(jìn)行顯影處理所需的時(shí)間。
已對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作了描述，但應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍不限于這
些具體實(shí)施方式
，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種 變更和修正。
權(quán)利要求
1. 一種基片顯影方法，包括使顯影噴嘴離開(kāi)設(shè)置在所述基片一側(cè)的第一洗槽，所述基片由基片支承部支承；在以水平方向朝設(shè)置在所述基片另一側(cè)的第二洗槽移動(dòng)所述顯影噴嘴期間，將顯影液施加到所述基片上；將所述顯影噴嘴收納到所述第二洗槽內(nèi)；以及在所述第二洗槽內(nèi)清洗所述顯影噴嘴。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括向上移動(dòng)圍繞所述基片支承部設(shè)置的杯狀結(jié)構(gòu)，使得在施加所述顯影 液后，所述基片被所述杯狀結(jié)構(gòu)包圍； 清潔所述施加了顯影液的所述基片； 干燥所述清潔后基片；以及 向下移動(dòng)所述杯狀結(jié)構(gòu)。
3. —種基片顯影方法，包括在以第一水平方向從設(shè)置在所述基片一側(cè)的第一洗槽朝設(shè)置在所述基 片另一側(cè)的第二洗槽移動(dòng)顯影噴嘴期間，將顯影液首次施加到由基片支承 部支承的所述基片上；在所述第二洗槽中首次清洗所述顯影噴嘴；在以第二水平方向從所述第二洗槽朝所述第一洗槽移動(dòng)所述顯影噴嘴 期間，將顯影液再次施加到所述基片上；以及 在所述第一洗槽內(nèi)再次清洗所述顯影噴嘴。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，還包括在所述首次施加顯影液之后，首次清潔所述基片； 在所述再次施加顯影液之后，再次清潔所述基片；以及 在再次清潔所述基片之后，干燥所述基片。
5. —種基片顯影裝置，包括支承所述基片的基片支承部；可在由所述基片支承部支承的所述基片上方以水平方向移動(dòng)的顯影噴 嘴，用于將顯影液施加到所述基片上；設(shè)置在所述基片支承部一側(cè)，用于清洗所述顯影噴嘴的第一洗槽；以 設(shè)置在所述基片支承部另一側(cè)，用于清洗所述顯影噴嘴的第二洗槽。
6. 如權(quán)利要求5所述的裝置，還包括與所述第一洗槽連接的第一清洗液供給部，用于將清洗液送入所述 第一洗槽，以清洗所述顯影噴嘴；及與所述第二洗槽連接的第二清洗液供給部，用于將清洗液送入所述 第二洗槽，以清洗所述顯影噴嘴。
7. 如權(quán)利要求5所述的裝置，還包括圍繞所述基片支承部設(shè)置的、可向上 和向下移動(dòng)的杯狀結(jié)構(gòu)。
全文摘要
在實(shí)施基片顯影處理的裝置中，包括相對(duì)地設(shè)置在用于支承所述基片的基片支承部?jī)蓚?cè)的第一洗槽和第二洗槽，以清洗顯影噴嘴。顯影噴嘴以水平方向從第一洗槽朝第二洗槽移動(dòng)，并同時(shí)將顯影液施加到基片上。在施加顯影液后，顯影噴嘴收納到第二洗槽，該第二洗槽中的清洗液除去附著于顯影噴嘴的顯影液。
文檔編號(hào)G03F7/30GK101377626SQ20081021271
公開(kāi)日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2008年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者吳斗榮, 柳寅喆 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司