專利名稱：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如液晶裝置等的電光裝置、及具備該電光裝置的例如液 晶投影機等的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
這種電光裝置，在基板上的像素區(qū)域，形成連接于多條掃描線及數(shù)據(jù) 線的多個像素部，并且在位于像素區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域，設(shè)有用于對數(shù) 據(jù)線進行驅(qū)動的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路、用于對掃描線進行驅(qū)動的掃描線驅(qū)動電 路、以及用于對圖像信號進行采樣的采樣電路等的外部電路。
在此，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，具有依次輸出傳輸信號的移位寄存器，基于 該傳輸信號生成采樣電路驅(qū)動信號。并且，采樣電路，以從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電 路所供給的采樣電路驅(qū)動信號的定時，對供給于圖像信號線上的圖像信號 進行采樣并供給于數(shù)據(jù)線。
例如在專利文獻1中，公開了通過使構(gòu)成外部電路的晶體管為LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)，使該晶體管的源、漏間耐壓提 高的技術(shù)。
專利文獻1特開平6-102531號/〉才艮
可是，隨著工作頻率增高，移位積存器的壽命降低，存在該電光裝置 的裝置壽命有可能降低的技術(shù)性問題。另一方面，在這種電光裝置中，為 了提高數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及采樣電路的驅(qū)動能力， 一般要求提高構(gòu)成它們的 晶體管的導(dǎo)通電流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于例如上述的問題所作出的，其目的在于提供可以延長裝 置壽命并進行高質(zhì)量的圖像顯示的電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè) 備。
本發(fā)明所涉及的第1電光裝置為了解決上述問題，在基板上，具備 互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線；設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像 素的多個像素部；和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(2)其 他電路，其中，移位寄存器具備分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第l半導(dǎo) 體層的多個第1晶體管并依次輸出傳輸信號，其他電路具備分別包括具有 第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層的多個第2晶體管并基于所述依次輸出的 傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線對所述像素部供給圖像信號，在所述第2源、 漏區(qū)域，含有與所述第l源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的
雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
若依照于本發(fā)明中的第1電光裝置，當其動作時，通過移位寄存器，
基于預(yù)定周期的時鐘信號從各級依次輸出傳輸信號。接下來，通過構(gòu)成其 他電路的一部分的例如使能電路，對于移位寄存器的各級，取使能信號、 與傳輸信號的邏輯與，將該邏輯與作為采樣電路驅(qū)動信號供給于構(gòu)成其他 電路的另外一部分的采樣電路。此時，通過將使能信號的脈沖寬度設(shè)定得 比時鐘信號的脈沖寬度窄，相鄰供給的采樣電路驅(qū)動信號，相互不會重疊 即可。接下來，在采樣電路中，根據(jù)采樣電路驅(qū)動信號采樣從外部供給的 圖像信號，并向數(shù)據(jù)線供給。接下來，根據(jù)從數(shù)據(jù)線供給的圖像信號光在 各像素部對光進行調(diào)制，進行設(shè)置有像素部的顯示區(qū)域中的圖像顯示。
在本發(fā)明中，構(gòu)成圖像信號供給電路的一部分的移位寄存器，具備多 個第1晶體管，該第1晶體管分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第1半導(dǎo)體 層。另一方面，構(gòu)成圖像信號供給電路的另一部分的其他電路，具備多個 第2晶體管，該第2晶體管分別包括具有第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層。 還有，第1及第2晶體管，既可以作為自匹配型或自對準型的晶體管而構(gòu) 成，也可以作為具有LDD結(jié)構(gòu)的晶體管而構(gòu)成。
在本發(fā)明中尤其是，在笫2晶體管中的第2源、漏區(qū)域，含有與第1
晶體管中的第l源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃
度高于預(yù)定濃度。即，其他電路所具備的第2晶體管的第2源、漏區(qū)域的 雜質(zhì)濃度，比移位寄存器所具備的第1晶體管的第1源、漏區(qū)域的雜質(zhì)濃 度高。若換言之，移位寄存器所具備的第1晶體管的第1源、漏區(qū)域的雜 質(zhì)濃度，比其他電路所具備的第2晶體管的笫2源、漏區(qū)域的雜質(zhì)濃度低。
因而，能夠降低移位寄存器所具備的第1晶體管中的導(dǎo)通電流，并能 夠提高其他電路所具備的第2晶體管中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位 寄存器所具備的第1晶體管中的消耗電流，并能夠提高其他電路所具備的 第2晶體管的晶體管功能。因此，能夠謀求晶體管的長壽命化，并能夠提 高其他電路的驅(qū)動能力。
該結(jié)果，若依照于本發(fā)明所涉及的第1電光裝置，則能夠"i:某求該電光 裝置的長壽命化并且進行高質(zhì)量的圖像顯示。
在本發(fā)明所涉及的第1電光裝置的一個實施方式中，所述其他電路， 包括使能電路，使用多個序列的使能信號對所述依次輸出的傳輸信號進 行整形而作為整形信號進行輸出；和采樣電路，根據(jù)所述整形信號或基于 所述整形信號的信號對所述圖像信號進行采樣，供給于所述數(shù)據(jù)線。
若依照于該方式，使能電路及采樣電路，具備多個第2晶體管。因而， 能夠提高使能電路及采樣電路的驅(qū)動能力。
本發(fā)明所涉及的第2電光裝置為了解決上述問題，在基板上，具備 互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線；設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像 素的多個像素部；和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其 他電路，其中，移位寄存器具備分別包括具有笫1溝道區(qū)域、第1源、漏 區(qū)域、以及形成于所述第1溝道區(qū)域及所述第1源、漏區(qū)域間的第1 LDD 區(qū)域的第1半導(dǎo)體層的多個第1晶體管并依次輸出傳輸信號，其他電路具 備分別包括具有第2溝道區(qū)域、第2源、漏區(qū)域、以及形成于所述第2溝 道區(qū)域及所述第2源、漏區(qū)域間的第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層的多個第 2晶體管并基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線在對前述像素 部供給圖像信號，在所述第2 LDD區(qū)域，含有與所述第1 LDD區(qū)域以預(yù) 定濃度所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
若依照于本發(fā)明所涉及的第2電光裝置，基本與上述的本發(fā)明中的第 1電光裝置同樣地，可進行設(shè)置有像素部的顯示區(qū)域中的圖像顯示。
在本發(fā)明中，構(gòu)成圖像信號供給電路的一部分的移位寄存器，具備多 個第1晶體管，該第1晶體管分別包括具有第1 LDD區(qū)域的第1半導(dǎo)體層。 另一方面，構(gòu)成圖像信號供給電路的另一部分的其他電路，具備多個第2 晶體管，該第2晶體管分別包括具有第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層。即， 第1及第2晶體管，作為具有LDD結(jié)構(gòu)的晶體管而構(gòu)成。在此，本發(fā)明 中的所謂"LDD區(qū)域"，是指通過例如離子滲入法等的雜質(zhì)注入或者雜質(zhì) 摻雜而對半導(dǎo)體層注入比源、漏區(qū)域少量的雜質(zhì)的區(qū)域。
在本發(fā)明中，尤其是，在第2晶體管中的第2LDD區(qū)域，含有與第l 晶體管中的第1 LDD區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃 度高于預(yù)定濃度。即，其他電路所具備的第2晶體管的第2LDD區(qū)域的雜 質(zhì)濃度，比移位寄存器所具備的第1晶體管的第1 LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度高。 若換言之，則移位寄存器所具備的第1晶體管的第1 LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度， 比其他電路所具備的第2晶體管的第2LDD區(qū)域的雜質(zhì)濃度低。
因而，能夠降低移位寄存器所具備的第1晶體管中的導(dǎo)通電流，并能 夠提高其他電路所具備的第2晶體管中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位 寄存器所具備的第1晶體管中的消耗電流，并能夠提高其他電路所具備的 第2晶體管的晶體管功能。因此，能夠謀求晶體管的長壽命化，并能夠提 高其他電路的驅(qū)動能力。其結(jié)果，若依照于本發(fā)明中的第2電光裝置，則 可以謀求該電光裝置的長壽命化并且進行高質(zhì)量的圖像顯示。
本發(fā)明的電子設(shè)備為了解決上述問題，具備上述的本發(fā)明所涉及的第 1或第2電光裝置(但是，也包括其各種方式)。
若依照于本發(fā)明的電子設(shè)備，因為具備上述的本發(fā)明的笫1或第2電 光裝置，所以能夠?qū)崿F(xiàn)可以進行高質(zhì)量的圖像顯示的投影型顯示裝置、電 視機、便攜電話機、電子筆記本、文字處理機、取景器型或監(jiān)視器直視型 的磁帶錄像機、工作站、可視電話機、POS終端、觸摸面板等的各種電子 設(shè)備。并且,作為本發(fā)明的電子設(shè)備，也可以實現(xiàn)例如電子紙等的電泳裝 置，電子發(fā)射裝置(Field Emission Display及Conduction Electron-Emitter
Display,場致電子發(fā)射顯示器及傳導(dǎo)電子發(fā)射顯示器)，采用了這些電泳 裝置、電子發(fā)射裝置的顯示裝置。
本發(fā)明的作用及其他優(yōu)點可以由接下來進行說明的用于實施的最佳方 式加以明確。


圖l是表示第1實施方式所涉及的液晶裝置的整體構(gòu)造的俯視圖。
圖2是圖i的n-n，線剖面圖。
圖3是表示第1實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造的框圖。 圖4是表示移位寄存器的構(gòu)造的電路圖。
圖5是表示移位寄存器所含的時鐘控制倒相器的構(gòu)造的電路圖。 圖6是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路所含的邏輯電路的構(gòu)造的電路圖。
圖7是表示構(gòu)成移位寄存器所含的N溝道型TFT與采樣開關(guān)的TFT 的具體性構(gòu)造的剖面圖。
圖8是表示作為應(yīng)用了電光裝置的電子設(shè)備的一例的投影機的構(gòu)造的 俯視圖。
符號說明
6a…數(shù)據(jù)線，7…采樣電路，7a…采樣開關(guān)，10…TFT陣列M， 10a… 圖像顯示區(qū)域，11a…掃描線，20…對向141， 50…液晶層，51…移位寄存 器，71…采樣開關(guān)用TFT， 52…邏輯電路，101…數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，102… 外部電路連接端子，104…掃描線驅(qū)動電路，511n…移位寄存器晶體管， 540…使能電路，700…像素部
具體實施例方式
以下，關(guān)于本發(fā)明的實施方式參照附圖進行^沈明。在以下的實施方式 中，以作為本發(fā)明的電光裝置之一例的驅(qū)動電路內(nèi)置型的TFT有源矩陣驅(qū) 動方式的液晶裝置為例。
第1實施方式
關(guān)于第1實施方式所涉及的液晶裝置，參照圖1~圖7進行說明。
首先，關(guān)于本實施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)造，^^照圖1及圖2進 行說明。在此，圖l是表示本實施方式中的液晶裝置的整體構(gòu)造的俯視圖，
圖2是圖i的n-n，線剖面圖。
在圖l及圖2中，在本實施方式所涉及的液晶裝置中，相對配置有TFT 陣列J4！ 10與對向基tl 20。在TFT陣列基tl 10與對向141 20之間封入 液晶層50,將TFT陣列I4110與對向皿20，通過設(shè)置于位于圖像顯示 區(qū)域10a的周圍的密封區(qū)域的密封件54相互粘接。
在圖1中，與配置有密封件54的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)并行，在對向M 20側(cè)設(shè)置有對圖像顯示區(qū)域10a的框緣區(qū)域進行限定的遮光性的框緣遮光 膜53。在位于配置有密封件54的密封區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域，沿TFT陣列基 板10的一邊設(shè)置有與后述的采樣電路7 —起構(gòu)成本發(fā)明所涉及的"圖像信 號供給電路"的一例的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及外部電路連接端子102。在 比沿該一邊的密封區(qū)域靠內(nèi)側(cè)的區(qū)域，設(shè)有采樣電路7，其由框緣遮光膜 53覆蓋。在沿相鄰該一邊的2條邊的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)設(shè)有掃描線驅(qū)動電路 104，其由框緣遮光膜53覆蓋。進而，為了連接如此地設(shè)置于圖像顯示區(qū) 域10a的兩側(cè)的二個掃描線驅(qū)動電路104之間，沿TFT陣列基板10剩余 的一邊設(shè)置多條布線105，且由框緣遮光膜53覆蓋。并且，在TFT陣列 MlO上，在相向?qū)ο蚧?0的4個角部的區(qū)域，配置用于以上下導(dǎo)通 材料107對兩141之間進行連接的上下導(dǎo)通端子106。由此，能夠在TFT 陣列Hl 10與對向基板20之間取得電導(dǎo)通。
在TFT陣列J4！ 10上，形成有用于對外部電路連接端子102、數(shù)據(jù) 線驅(qū)動電路101、掃描線驅(qū)動電路104、上下導(dǎo)通端子106等進行電連接的 引繞布線。
在圖2中，在TFT陣列 10上，形成有配置了像素開關(guān)用TFT( Thin Film Transistor,薄膜晶體管)、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的疊層結(jié)構(gòu)。在 圖像顯示區(qū)域10a中，在像素開關(guān)用TFT、掃描線、數(shù)據(jù)線等布線的上層， 矩陣狀地設(shè)置有由ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)等透明材料構(gòu)成 的像素電極9a。在像素電極9a上，形成有取向膜。另一方面，在對向基 板20中的與TFT陣列基板10的對向面上，形成有遮光膜23。遮光膜23，
例如由遮光性金屬膜等形成，在對向^4!20上的圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)，圖 形化為例如柵格狀等。在遮光膜23上，由ITO等透明材料構(gòu)成的對向電 極21與多個像素電極9a相對向而形成為整面狀。在對向電極21上形成有 取向膜。液晶層50，例如由一種或混合了多種類型的向列液晶的液晶構(gòu)成， 在這一對取向膜間，為預(yù)定的取向狀態(tài)。
還有，雖然在此未進行圖示，但是在TFT陣列基板10上，除了數(shù)據(jù) 線驅(qū)動電路101、掃描線驅(qū)動電路104之外，也可以形成有用于對制造過 程中、出廠時的該液晶裝置的質(zhì)量、缺陷等進行檢查的檢查電路、檢查用 圖形等。
接下來，關(guān)于本實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造，參照圖3 圖6 進行說明。在此，圖3是表示本實施方式所涉及的液晶裝置的電構(gòu)造的框 圖。圖4是表示移位寄存器的構(gòu)造的電路圖。圖5是表示移位寄存器所含 的時鐘控制倒相器的構(gòu)造的電路圖。圖6是表示數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路所含的邏 輯電路的構(gòu)造的電路圖。
在圖3中，本實施方式所涉及的液晶裝置，在TFT陣列基板10上， 具備掃描線驅(qū)動電路104，數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及采樣電路7。
通過外部電路連接端子102 (參照圖1),對掃描線驅(qū)動電路104，供 給Y時鐘信號CLY、反相Y時鐘信號CLYinv、 Y起動脈沖DY、以及電 源VDDY及VSSY。掃描線驅(qū)動電路104，當對其輸入Y起動脈沖DY時， 以基于Y時鐘信號CLY ;S^相Y時鐘信號CLYinv的定時，依次生成掃
描信號Gl.....Gm并進行輸出。還有，電源VSSY的電位，比電源VDDY
的電位4氐。
數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路IOI，具備移位寄存器51及邏輯電路52。還有，邏輯 電路52，為本發(fā)明所涉及的"其他電路"的一例。
在通過外部電路連接端子102 (參照圖1)，對移位寄存器51供給X 時鐘信號CLX、反相X時鐘信號CLXinv、 X起動脈沖DX、傳輸方向控 制信號DIR、反相傳輸方向控制信號DIRinv、以及電源VDDX及VSSX。 還有，反相X時鐘信號是X時鐘信號CLX的反相信號，反相傳輸方向控 制信號DIRinv是傳輸方向控制信號DIR的反相信號。并且，電源VSSX
的電位，比電源VDDX的電位低。
移位寄存器51是雙向移位寄存器，構(gòu)成為，基于X時鐘信號CLX及 反相X時鐘信號CLXinv以及傳輸方向控制信號DIR^^相傳輸方向控制 信號DIRinv，使X起動脈沖DX沿從右向左的方向或者從左向右的方向依 次轉(zhuǎn)移，從各級(即，從后述的圖4中的第1級到第n級的各級)依次輸 出傳輸信號Pi (i = l.....n)。
更具體地，如示于圖4地，移位寄存器51的一級構(gòu)成為，包括4個時 4中控制倒相器511、 512、 513及514。
時鐘控制倒相器511，以當傳輸方向控制信號DIR為高電平時可以轉(zhuǎn) 移而使傳輸方向固定于從左向右的方向的方式構(gòu)成及連接。
時鐘控制倒相器512，以當反相傳輸方向控制信號DIRinv為高電平時 可以轉(zhuǎn)移而使傳輸方向固定于從右向左的方向的方式構(gòu)成及連接。
還有，傳輸方向控制信號DIR ^^相傳輸方向控制信號DIRinv，通 常為高電平及低電平互逆的關(guān)系。
時鐘控制倒相器513，構(gòu)成及連接為若傳輸方向固定于從左向右的 方向，則當反相X時鐘信號CLXinv為高電平時，對通過時鐘控制倒相器 511轉(zhuǎn)移的信號進行轉(zhuǎn)移；并且若傳輸方向固定于從右向左的方向，則當 反相X時鐘信號CLXinv為高電平時，對通過時鐘控制倒相器512轉(zhuǎn)移的 信號進行反饋。
時鐘控制倒相器514，構(gòu)成及連接為若傳輸方向固定于從右向左的 方向，則當X時鐘信號CLX為高電平時，對通過時鐘控制倒相器512轉(zhuǎn) 移的信號進行轉(zhuǎn)移；并且若傳輸方向固定于從左向右的方向，則當X時鐘 信號CLX為高電平時，對通過時鐘控制倒相器511轉(zhuǎn)移的信號進行^Jt。
還有，X時鐘信號CLX ^L^相X時鐘信號CLXinv，通常為高電平及 低電平互逆的關(guān)系。
在此，參照圖5 (b)進行說明，對在圖5(a)簡要而示的時鐘控制倒 相器514的具體的電路構(gòu)造。還有，關(guān)于其他的時鐘控制倒相器511、 512 及513，也僅以輸入時鐘輸入端子的X時鐘信號CLX及反相X時鐘信號 CLXinv，分別變成傳輸方向控制信號DIR及反相傳輸方向控制信號DIRinv 、反相傳輸方向控制信號DIRinv及傳輸方向控制信號DIR、以 及反相X時鐘信號CLXinv及X時鐘信號CLX，電路構(gòu)成全都相同。
如示于圖5(b)地，時鐘控制倒相器514，在電源VSSX與電源VDDX 之間，具備X時鐘信號CLX輸入于其柵的N溝道型TFT;轉(zhuǎn)移的信號 分別輸入它們的柵且并聯(lián)連接的P溝道型TFTN及溝道型TFT;和反相X 時鐘信號輸入于其柵的P溝道型TFT。更具體地，在X時鐘信號CLX輸 入于柵的N溝道型TFT的源電連接有電源VSSX，該N溝道型TFT的漏、 與轉(zhuǎn)移的信號輸入柵的N溝道型TFT的源電連接。進而，在反相X時鐘 信號輸入于柵的P溝道型TFT的源電連接有電源VDDX，該P溝道型TFT 的漏、與所轉(zhuǎn)移的信號輸入柵的P溝道型TFT的源電連接。此外，所轉(zhuǎn)移 的信號輸入柵的P溝道型TFT及N溝道型TFT的各漏互相電連接而作為 共用漏而構(gòu)成。
在圖3中，通過外部電路連接端子102 (參照圖1)，對邏輯電路52 供給有例如4個序列的使能信號ENB1 ENB4及預(yù)充電用選擇信號NRG。
邏輯電路52，具有基于使能信號ENB1 ENB4對從移位寄存器51依
次輸出的傳輸信號Pi (i=l.....n)進行整形，并以此為^5出最終輸出采
樣電路驅(qū)動信號Si (i-l.....n)的功能。
更具體地，如示于圖6地，邏輯電路52，具備使能電路540，預(yù)充 電用電路521 ;S^相電路523。
在圖6中，使能電路540，具備對從移位寄存器51輸出的傳輸信號 Pi的波形進行整形的邏輯電路。更具體地，使能電路540,由作為對應(yīng)于 移位寄存器51的各級而設(shè)置的單位電路的"與非"電路540A而構(gòu)成。
在"與非，，電路540A的柵，輸入從移位寄存器51的相對應(yīng)的各級輸 出的傳輸信號Pi、與通過外部電路連接端子102供給于4條使能供給線81 的使能信號ENB1 ENB4之一。
"與非"電路540A,通過對所輸入的傳輸信號Pi及使能信號 ENBl ENB4的邏輯與進行運算而進行傳輸信號Pi的整形。由此，"與非" 電路540A，生成對于傳輸信號Pi實施了整形的信號即整形信號Qai并進 行輸出。還有，在各單位電路中，除了 "與非，，電路540A之外，也可以
設(shè)置反相電路等，其使輸入"與非"電路的傳輸信號Pi或便能信號
ENB1 ENB4、以及從"與非"電路輸出的整形信號Qai的邏輯進行反相。
通過使能電路540基于脈沖寬度更窄的使能信號ENB1 ENB4的波形 而修整傳輸信號Pi的波形，最終限制脈沖寬度、脈沖周期等的脈沖形狀。
這樣，因為使能電路540與邏輯電路一體形成、且由NAND (與非) 電路540A構(gòu)成，所以基本上不增加電路元件、布線數(shù)量，就能夠?qū)⑹鼓?電路540設(shè)為簡易的構(gòu)造。
在圖6中，預(yù)充電用電路521，具備與移位寄存器51的各級對應(yīng)而設(shè) 置的單位電路521A。單位電路521A，通過使供給于預(yù)充電用信號供給線 83的預(yù)充電用選擇信號NRG的邏輯進行反相的反相電路521a、與將在反 相電路521a中邏輯被反相的預(yù)充電用選擇信號NRG及整形信號Qai輸入 于柵的"與非"電路521b，實質(zhì)上作為"或非"電路而形成。在單位電路 521A中，對整形信號Qai及預(yù)充電用選擇信號NRG的邏輯與進行運算， 將整形信號Qai及預(yù)充電用選擇信號NRG的任一，作為輸出信號Qbi進 行輸出。這樣一來，所輸出的輸出信號Qbi,通過2個反相電路523，作 為采樣電路驅(qū)動信號Si (i = l.....n)而輸出。
若依照于這樣的邏輯電路52的電路構(gòu)造，則可以將預(yù)充電用電路521 設(shè)為簡易的構(gòu)造，可以不增加電路元件或布線數(shù)量地形成預(yù)充電用電路 521。
在圖3中，采樣電路7，為本發(fā)明所涉及的"其他電路，，的一例，具 備多個由N溝道型TFT構(gòu)成的采樣開關(guān)7a。還有，采樣開關(guān)7a，也可以 由P溝道型TFT、或者互補型TFT構(gòu)成。
通過外部電路連接端子102、及6條(N-6)圖像信號線107對采樣 電路7供給串行一并行展開(或者相展開)成6相(或者6序列)的圖像 信號VID1 VID6，。而且，采樣電路7，構(gòu)成為各采樣開關(guān)7a，根據(jù)從 數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101輸出的采樣電路驅(qū)動信號S1、…、Sn，對以6條數(shù)據(jù) 線6a為1組的每個數(shù)據(jù)線組，供給圖像信號VID1 VID6。從而，在本實 施方式中，因為按每個數(shù)據(jù)線組對多條數(shù)據(jù)線6a進行驅(qū)動，所以可抑制驅(qū) 動頻率。
還有，關(guān)于圖像信號的相展開數(shù)(即，串行一并行展開的圖像信號的
序列數(shù))，并不限于6相。即，也可以構(gòu)成為將串行一并行展開成9相、 12相、24相、48相、96相、…等的圖像信號，通過9條、12條、24條、 48條、96條、…等的圖像信號線，供給于采樣電路7。
在圖3中，本實施方式所涉及的液晶裝置，在占據(jù)該TFT陣列M 10的中央的圖像顯示區(qū)域10a (參照圖1)中，具備縱向橫向布線的數(shù)據(jù) 線6a及掃描線lla。在對應(yīng)于它們的交點的各^象素部700中，具備排列 成矩陣狀的液晶元件118的像素電極9a，及用于對像素電極9a進行開關(guān) 控制的像素開關(guān)用TFT30。還有，在本實施方式中，以掃描線lla的總條 數(shù)為m條(其中，m為2以上的自然數(shù))，以數(shù)據(jù)線6a的總條數(shù)為nx6 條(其中，n為2以上的自然數(shù))進行說明。
在圖3中，如果著眼于一個^f象素部700的構(gòu)造，則在4象素開關(guān)用TFT30 的源電極，電連接有供給圖像信號VIDk (其中，k=l、 2、 3、…6)的數(shù) 據(jù)線6a，另一方面，在像素開關(guān)用TFT30的柵電極，電連接有供給掃描 信號Gj(其中，j = l、 2、 3、…m)的掃描線lla,并且在^f象素開關(guān)用TFT30 的漏電極，連接液晶元件118的像素電極9a。在此，在各像素部700中， 液晶元件118,在像素電極9a與對向電極21之間夾持液晶。從而，各像 素部700，對應(yīng)于掃描線lla與數(shù)據(jù)線6a的各交點，排列成矩陣狀。
當本實施方式所涉及的液晶裝置動作時，通過從掃描線驅(qū)動電路104 輸出的掃描信號Gj (其中，j = l、 2、 3、…m)，線依次地選擇各掃描線 lla。在對應(yīng)于選中的掃描線lla的《象素部700中，當對^^素開關(guān)用TFT30 供給掃描信號Gj時，像素開關(guān)用TFT30變成導(dǎo)通狀態(tài)，該像素部700成 為選擇狀態(tài)。通過使像素開關(guān)用TFT30僅在一定期間閉合其開關(guān)，由數(shù)據(jù) 線6a以預(yù)定的定時對液晶元件118的像素電極9a供給圖像信號VIDk。 由此，對液晶元件118，施加通過像素電極9a及對向電極21的各自的電 位所限定的施加電壓。由于液晶因所施加的電平使分子集合的配向、M 發(fā)生變化，對光進行調(diào)制，可以進行灰度等級顯示。如果為常白模式，則 才艮據(jù)以各^^素的單位施加的電壓相對于入射光的透射率減少，如果為常黑 模式，則根據(jù)以各像素的單位施加的電壓相對于入射光的透射率增加，作
為整體從本實施方式所涉及的液晶裝置出射具有相應(yīng)于圖像信號VID1 VID6的對比度的光。
在此，為了防止所保持的圖像信號發(fā)生泄漏，與液晶元件118并聯(lián)附加有存儲電容70。存儲電容70的一側(cè)電極，與像素電極9a并聯(lián)而連接于TFT30的漏，另一側(cè)電極，為了變成固定電位，連接于電位固定的電容布線400。
還有，對上下導(dǎo)通端子106，供給共用電位的共用電源LCC,上述的對向電極21的基準電位基于共用電源而限定。
接下來，關(guān)于包括于本實施方式所涉及的液晶裝置的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路及采樣電路的TFT的具體的構(gòu)造，參照圖7進行說明。在此，圖7是表示 移位寄存器所含的N溝道型TFT與構(gòu)成采樣開關(guān)的TFT的具體的構(gòu)造的剖面圖。
在圖7中，作為移位寄存器51所含的N溝道型TFT的移位寄存器用TFT511n，形成于設(shè)置在TFT陣列14110上的基底絕緣膜12上。作為構(gòu)成采樣開關(guān)7a的N溝道型TFT的采樣開關(guān)用TFT71也形成在基底絕緣膜12上。
在圖7中，移位寄存器用TFT511n，具備半導(dǎo)體層411n，柵電極 511nG,柵絕緣膜411ni,源布線511nS及漏布線511nD。
半導(dǎo)體層411n,具有溝道區(qū)域411nC，LDD區(qū)域411nLl及411nL2， 源區(qū)域411nS，和漏區(qū)域411nD。
源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD，形成于溝道區(qū)域411nC的兩側(cè)。在源 區(qū)域411nS與溝道區(qū)域411nC之間，形成有LDD區(qū)域411nLl，在漏區(qū)域 411nD與溝道區(qū)域411nC之間，形成有LDD區(qū)域411nL2。源區(qū)域411nS、漏區(qū)域411nD、LDD區(qū)域411nLl及411nL2，是通過例如離子注入法等的雜質(zhì)注入(即摻雜)而在半導(dǎo)體層411n中注入雜質(zhì)離子而成的雜質(zhì)區(qū)域，LDD區(qū)域411nLl及411nL2形成為，與源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD相比雜質(zhì)的濃度變低。
在本實施方式中，在作為N溝道型TFT的移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS、漏區(qū)域411nD、LDD區(qū)域411nLl及411nL2，摻雜有例
如磷(P)離子等N型雜質(zhì)離子。更具體地，在源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD， 以高濃度(例如，1.3x1015 "/cm2，，程度)摻雜有例如磷(P)離子等N 型雜質(zhì)離子，在LDD區(qū)域411nLl及411nL2，以低濃度(例如，2.5x1013 "/cm2，，程度)摻雜有例如磷(P)離子等N型雜質(zhì)離子。
還有，移位寄存器51所含的P溝道型TFT，作為自對準型的TFT而 構(gòu)成，在移位寄存器51所含的P溝道型TFT所含的半導(dǎo)體層的源區(qū)域及 漏區(qū)域，以預(yù)定濃度(例如，1.3x1014 "/cm2，，程度)摻雜有例如氟化 硼(BF2)、硼(B)離子等P型雜質(zhì)離子。
還有，源布線511nS，通過層間絕緣膜41及42相比半導(dǎo)體層411n形 成于上層側(cè)，通過貫通該層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜411ni而開孔 的接觸孔810s電連接于源區(qū)域411nS。漏布線511nD，與源布線511nS由 同一膜形成，通過貫通層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜411ni而開孔的 接觸孔810d電連接于漏區(qū)域411nD。相比源布線511nS及漏布線511nD 在上層側(cè)形成有層間絕緣膜44。
在圖7中，作為構(gòu)成采樣開關(guān)7a (參照圖3)的N溝道型TFT的采 樣開關(guān)用TFT71，具備半導(dǎo)體層74，柵電極71G，柵絕緣膜75，源布 線71S及漏布線71D。
半導(dǎo)體層74，具有溝道區(qū)域74C， LDD區(qū)域74L1及74L2，源區(qū) 域74S,和漏區(qū)域74D。
源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D,形成于溝道區(qū)域74C的兩側(cè)。在源區(qū)域74S 與溝道區(qū)域74C之間形成有LDD區(qū)域74Ll，在漏區(qū)域74D與溝道區(qū)域 74C之間形成有LDD區(qū)域74L2。源區(qū)域74S、漏區(qū)域74D、LDD區(qū)域74L1 及74L2，是通過例如離子注入法等的雜質(zhì)注入在半導(dǎo)體層74中注入雜質(zhì) 離子而成的雜質(zhì)區(qū)域，LDD區(qū)域74L1及74L2形成為，與源區(qū)域74S及 漏區(qū)域74D相比雜質(zhì)的濃度變低。
在本實施方式中，尤其，在N溝道型TFT即移位寄存器用TFT71中 的源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D，含有與N溝道型TFT即移位寄存器用 TFT511n中的源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì) (即，例如磷(P)離子等的N型雜質(zhì))。進而，源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D中的雜質(zhì)的濃度，變得比源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高。 更具體地，在源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD,如上所述，例如以1.3 x 1015 "/cm2"程度摻雜有例如磷(P)離子等的N型雜質(zhì)離子，與此相對，在 源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D，例如，以2.3x1015 "/cm2，，程度摻雜有與源 區(qū)域41 lnS及漏區(qū)域41 lnD所含的雜質(zhì)同 一種類的雜質(zhì)。
還有，在LDD區(qū)域74L1及74L2，例如，以2.5 x 1013 " / cm2，，程 度摻雜，與源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)(若換言 之，則與LDD區(qū)域411nLl及411nL2所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì))所。 即，LDD區(qū)域74L1及74L2中的N型雜質(zhì)的濃度，基本等于LDD區(qū)域 411nLl及411nL2中的N型雜質(zhì)的濃度。
因而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電流，并且能夠提高 采樣開關(guān)用TFT71中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄存器用TFT511n 中的消耗電流，并且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71的晶體管功能。因此，能 夠謀求移位寄存器51的長壽命化，并且能夠提高采樣開關(guān)電路7的驅(qū)動能 力。該結(jié)果，可以謀求該液晶裝置的長壽命化并且進行高質(zhì)量的圖像顯示。
還有，源布線71S，通過層間絕緣膜41及42相比半導(dǎo)體層74形成于 上層側(cè)，通過貫通該層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜75而開孔的接觸孔 8s電連接于源區(qū)域74S。漏布線71D，與源布線71S由同一膜形成，通過 貫通層間絕緣膜41及42以及柵絕緣膜75而開孔的接觸孔8d電連接于漏 區(qū)域74D。相比源布線71S及漏布線71D在上層側(cè)形成有層間絕緣膜44。
進而，在本實施方式中尤其是，上述的邏輯電路52，包括N溝道型 TFT，該N溝道型TFT與采樣開關(guān)用TFT71基本同樣地構(gòu)成。即，在上 述的邏輯電路52所含的N溝道型TFT中的源區(qū)域及漏區(qū)域，與采樣開關(guān) 用TFT71同樣地，包括與移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS及漏 區(qū)域411nD所含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)。另外，邏輯電路52所含的N溝 道型TFT中的源區(qū)域及漏區(qū)域中的雜質(zhì)的濃度，也變得比移位寄存器用 TFT511n的源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高。更具體地， 在邏輯電路52所含的源區(qū)域及漏區(qū)域，與源區(qū)域74S及漏區(qū)域74D同樣 地，例如，以2.3 x 1015" / 112"程度摻雜有與源區(qū)域411nS及漏區(qū)域411nD
所含的雜質(zhì)同 一種類的雜質(zhì)。
還有，在本實施方式中，上述的邏輯電路52所含的P溝道型TFT， 作為自對準型的TFT而構(gòu)成，在該P溝道型TFT所含的半導(dǎo)體層的源區(qū) 域及漏區(qū)域，以預(yù)定濃度(例如，1.3x1014 "/cm2"程度)摻雜有例如 氟化硼(BF2)離子等的P型雜質(zhì)離子。
因而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電流，并且能夠提高 邏輯電路52所含的N溝道型TFT中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄 存器用TFT511n中的消耗電流，并且能夠提高邏輯電路52所含的N溝道 型TFT的晶體管功能。
如上所述，若依照于本實施方式所涉及的液晶裝置，則能夠降低移位 寄存器51所含的N溝道型TFT中的消耗電流，并且能夠分別提高采樣開 關(guān)電路7及邏輯電路52所含的N溝道型TFT的晶體管功能。該結(jié)果為， 可以謀求該液晶裝置的長壽命化并且進行高質(zhì)量的圖像顯示。
還有，作為本實施方式的變形例，代替采樣開關(guān)用TFT71中的源區(qū)域 74S及漏區(qū)域74D中的雜質(zhì)的濃度(及邏輯電路52所含的N溝道型TFT 中的源區(qū)域及漏區(qū)域)變得比移位寄存器用TFT511n中的源區(qū)域411nS 及漏區(qū)域411nD中的雜質(zhì)的濃度高或者除此之外，也可以構(gòu)成為采樣開 關(guān)用TFT71中的LDD區(qū)域74L1及74L2中的N型雜質(zhì)的濃度(及邏輯 電路52所含的N溝道型TFT中LDD區(qū)域中的N型雜質(zhì)的濃度)，變得 比移位寄存器用TFT511n中的LDD區(qū)域411nLl及411nL2中的N型雜 質(zhì)的濃度高。在該情況下，也能夠降低移位寄存器用TFT511n中的導(dǎo)通電 流，并且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71(及邏輯電路52所含的N溝道型TFT ) 中的導(dǎo)通電流。從而，能夠降低移位寄存器用TFT511n中的消耗電流，并 且能夠提高采樣開關(guān)用TFT71 (及邏輯電路52所含的N溝道型TFT )的 晶體管功能。
電子設(shè)備
接下來，關(guān)于將作為上述的電光裝置的液晶裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備 的情況，參照圖8進行說明。在以下，關(guān)于將該液晶裝置用作光閥的投影 機進行說明。在此，圖8是表示投影機的構(gòu)造例的俯視圖。
如圖8所示，在投影機1100內(nèi)部，設(shè)置由卣素燈等的白色光源構(gòu)成的 燈單元1102。將從該燈單元1102射出的投影光，通過配置于光導(dǎo)1104內(nèi) 的4片鏡體1106及2片分色鏡1108分離成RGB的3原色，并入射于作 為對應(yīng)于各原色的光閥的液晶面板1110R、 1110B及1110G。
液晶面板1110R、 1110B及1110G的構(gòu)造，與上述的液晶裝置相同， 由從圖像信號處理電路供給的R、 G、 B的原色信號分別驅(qū)動。然后，通 過這些液晶面板調(diào)制了的光，從3個方向入射于分色棱鏡1112。在該分色 棱鏡1112中，R光及B光折射卯度，另一方面G光則直行。從而，合成 各色的圖像的結(jié)果，通過投影透鏡1114，在屏幕等上投影出彩色圖像。
在此，若著眼于由各液晶面板1110R、 1110B及1110G產(chǎn)生的顯示4象， 則由液晶面板1110G產(chǎn)生的顯示像，相對于由液晶面板1110R、 1110B產(chǎn) 生的顯示像需要進行左右翻轉(zhuǎn)。
還有，因為通過分色鏡1108，對應(yīng)于R、 G、 B的各原色的光入射于 液晶面板1110R、 1110B及1110G，所以不必i殳置濾色器。
還有，除了參照圖8而進行了說明的電子設(shè)備之外，還可舉出可移動 型的個人計算機、便攜電話機、液晶電視機、取景器型、監(jiān)視器直視型的 磁帶錄像機、汽車導(dǎo)航裝置、呼機、電子筆記本、計算器、文字處理機、 工作站、可視電話機、POS終端、具備觸摸面板的裝置等。而且，不用說 該電光裝置也可以應(yīng)用于這些各種電子設(shè)備中。
并且本發(fā)明，除了上迷的實施方式所-沈明的液晶裝置以外，也可以應(yīng) 用于在硅基板上形成元件的反射型液晶裝置(LCOS)、等離子體顯示器 (PDP)、場致發(fā)射型顯示器(FED， SED)、有機EL顯示器、數(shù)字微 鏡器件(DMD)、電泳裝置等。
本發(fā)明，并不限于上迷的實施方式，在不違反從技術(shù)方案及專利說明 書整體所獲知的發(fā)明的要旨或思想的范圍內(nèi)可以對本發(fā)明做出適當變更， 伴隨其變更的電光裝置及具備該電光裝置的電子設(shè)備也包括于本發(fā)明的技 術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上，具備:互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線，設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個像素的多個像素部，和圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他電路，所述移位寄存器具備多個第1晶體管并且依次輸出傳輸信號，所述第1晶體管分別包括具有第1源、漏區(qū)域的第1半導(dǎo)體層，所述其他電路具備多個第2晶體管并且基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù)線對所述像素部供給圖像信號，所述第2晶體管分別包括具有第2源、漏區(qū)域的第2半導(dǎo)體層；在所述第2源、漏區(qū)域，含有與在所述第1源、漏區(qū)域以預(yù)定濃度所含有的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
2. 按照權(quán)利要求l所述的電光裝置，其特征在于， 所述其他電路，包括使能電路，使用多個序列的使能信號對所述依次輸出的傳輸信號進行 整形將其作為整形信號進行輸出，和采樣電路，根據(jù)所述整形信號或基于所述整形信號的信號對所述圖寸象 信號進行采樣，供給于所述數(shù)據(jù)線。
3. —種電光裝置，其特征在于， 在l^gL上，具備互相交叉的多條數(shù)據(jù)線及多條掃描線， 設(shè)置于對應(yīng)于所述交叉處的每個4象素的多個像素部，和 圖像信號供給電路，包括(i)移位寄存器和(ii)其他電路，所述移 位寄存器具備多個第1晶體管并且依次輸出傳輸信號，所述第1晶體管分 別包括具有第1溝道區(qū)域、第1源、漏區(qū)域以及形成于所述第1溝道區(qū)域 及所述第1源、漏區(qū)域之間的第1 LDD區(qū)域的第1半導(dǎo)體層，所述其他電 路具備多個第2晶體管并且基于所述依次輸出的傳輸信號、通過所述數(shù)據(jù) 線對所述像素部供給圖像信號，所述第2晶體管分別包措具有第2溝道區(qū) 域、第2源、漏區(qū)域以及形成于所述第2溝道區(qū)域及所述第2源、漏區(qū)域 之間的第2LDD區(qū)域的第2半導(dǎo)體層；在所述第2 LDD區(qū)域，包含與在所述第1 LDD區(qū)域以預(yù)定濃度所包 含的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于所述預(yù)定濃度。
4. 一種電子設(shè)備，其特征在于具備如權(quán)利要求1~3中的任何一項所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置及電子設(shè)備。在液晶裝置等的電光裝置中，延長裝置壽命并進行高質(zhì)量的圖像顯示。電光裝置，在基板(10)上，具備數(shù)據(jù)線(6a)及掃描線(11a)，多個像素部(700)，和由(i)具備多個第1晶體管(511n)并依次輸出傳輸信號的移位寄存器(51)、與(ii)具備多個第2晶體管(71)并基于從移位寄存器依次輸出的傳輸信號，通過數(shù)據(jù)線在像素部供給圖像信號的其他電路(7，52)構(gòu)成的圖像信號供給電路。進而，在第2晶體管中的第2源、漏區(qū)域(74S，74D)，包含與第1晶體管中的第1源、漏區(qū)域(411nS，411nD)以預(yù)定濃度所包括的雜質(zhì)同一種類的雜質(zhì)，其濃度高于該預(yù)定濃度。
文檔編號G02F1/1362GK101373779SQ20081021260
公開日2009年2月25日 申請日期2008年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者望月宏明 申請人:精工愛普生株式會社