專利名稱：液晶顯示器設(shè)備的陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)設(shè)備的陣列基板，尤其涉及一種 能夠防止靜電損壞的LCD設(shè)備的陣列基板。
背景技術(shù)：
一種現(xiàn)有技術(shù)中的液晶顯示器(LCD)設(shè)備利用了液晶分子的光學(xué)各 向異性和偏振特性。所述液晶分子由于細(xì)長的形狀而具有確定的排列方向。 所述液晶分子的排列方向能夠通過施加跨過所述液晶分子的電場(chǎng)來控制。換 句話說，當(dāng)所述電場(chǎng)的強(qiáng)度和方向改變時(shí)，所述液晶分子的排列也改變。因 為入射光基于由所述液晶分子的光學(xué)各向異性導(dǎo)致的所述液晶分子的取向 而折射，所以可通過控制透光率來顯示圖像。
所述LCD設(shè)備包括作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)，該LCD設(shè)備 被稱為有源矩陣LCD (AM-LCD)設(shè)備，因其具有高分辨率和顯示活動(dòng)圖 像的良好特性，所以所述AM-LCD設(shè)備被廣泛使用。
圖1是顯示所述現(xiàn)有技術(shù)的LCD設(shè)備的平面示意圖。在圖1中，所述 LCD設(shè)備1包括濾色器基板(未示出)、陣列基板10和它們之間的液晶層 (未示出)。在每個(gè)所述濾色器基板(未示出)和所述陣列基板IO上限定了 用于顯示圖像的顯示區(qū)域AA和所述顯示區(qū)域AA周圍的非顯示區(qū)域 (NAA)。所述濾色器基板(未示出)、所述陣列基板10以及所述液晶層(未 示出)組成了液晶面板。
雖然未示出，但是在所述濾色器基板(未示出)的下表面上形成黑 矩陣，其用于阻擋來自背光單元(未示出)的光且與所述非顯示區(qū)域NAA 相對(duì)應(yīng)；濾色器層，其包括紅、綠和藍(lán)顏色的子濾色器且與所述顯示區(qū)域 AA相對(duì)應(yīng)；以及在所述濾色器層的整個(gè)下表面上的公共電極。在所述陣列基板10的所述顯示區(qū)域AA內(nèi)形成多條柵極線20、多條數(shù) 據(jù)線30、多個(gè)薄膜晶體管(TFTs) T和多個(gè)像素電極70。所述柵極線20接 收掃描信號(hào)。所述數(shù)據(jù)線30接收數(shù)據(jù)信號(hào)且與所述柵極線20交叉以限定像 素區(qū)域P。每個(gè)所述TFTs T設(shè)置在所述柵極線20和所述數(shù)據(jù)線30的每個(gè) 交叉部。每個(gè)所述像素電極70被連接至每個(gè)TFT，且設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域 P內(nèi)。
另外，在所述陣列基板10的所述非顯示區(qū)域NAA內(nèi)形成多條柵極延 長線22和多條數(shù)據(jù)延長線32。每條所述柵極延長線22被連接至每條柵極 線20，且將來自驅(qū)動(dòng)集成電路(IC) 35的掃描信號(hào)施加到所述每條柵極線 20。每條數(shù)據(jù)延長線32被連接至每條數(shù)據(jù)線30，且將來自驅(qū)動(dòng)IC 35的數(shù) 據(jù)信號(hào)施加到所述每條數(shù)據(jù)線30。
在所述非顯示區(qū)域NAA的邊緣形成公共電壓線50。所述公共電壓線 50將來自外部公共電壓產(chǎn)生單元(未示出)的公共信號(hào)經(jīng)過柔性印刷電路 (FPC)90，通過液晶面板四個(gè)角處的多個(gè)導(dǎo)電單元86，施加到在所述濾色 器基板(未示出)的整個(gè)表面上的所述公共電極(未示出)。在所述驅(qū)動(dòng)IC 35的兩側(cè)分別形成第一和第二測(cè)試焊墊60和62，該第一和第二測(cè)試焊墊 60和62用于測(cè)試所述掃描和數(shù)據(jù)信號(hào)的特性，例如所述信號(hào)的波形或/和幅 值。連接至所述FPC90的焊墊單元75位于驅(qū)動(dòng)IC 35的下側(cè)。連接至所述 FPC卯的所述焊墊單元75通過FPC連接器92接收來自外部系統(tǒng)(未示出) 的驅(qū)動(dòng)電壓。所述導(dǎo)電單元186可包括銀點(diǎn)。
在一周期內(nèi)，由通過所述驅(qū)動(dòng)IC 35和所述TFTT施加到所述公共電極 (未示出)的所述公共電壓和施加到所述像素電極70的所述數(shù)據(jù)信號(hào)之間 的電壓差改變液晶層(未示出)中液晶分子的排列，在上述LCD設(shè)備1中 通過控制由液晶分子的排列決定的透光率顯示圖像。
雖然硅基玻璃陣列基板10上不感生靜電。但是，在所述陣列基板10 上形成電極和布線的步驟中，由于處理室內(nèi)的顆?；蛎}沖型電流的原因，在 所述驅(qū)動(dòng)IC 35以及第一和第二測(cè)試焊墊60和62處可能感生靜電。
由于在所述驅(qū)動(dòng)IC 35以及第一和第二測(cè)試焊墊60和62處感生的靜電 流入所述柵極線20和所述數(shù)據(jù)線30，所以不能獲得所期望的TFT的操作。 因此，降低了產(chǎn)品的成品率。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種LCD設(shè)備的陣列基板，其基本上克服了由于 現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后闡述，并且部分地會(huì)從描述中變 得清楚，或者可在本發(fā)明的實(shí)際應(yīng)用中獲得教導(dǎo)。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn) 將通過在書面的說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)認(rèn)識(shí)并獲 得。
為了實(shí)現(xiàn)符合本發(fā)明目的的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，如具體和泛泛所述的， 一種液晶顯示器設(shè)備的陣列基板，包括具有顯示區(qū)域和在所述顯示區(qū)域周 圍的非顯示區(qū)域的基板；在所述基板上并在所述顯示區(qū)域中的柵極線、數(shù)據(jù) 線、薄膜晶體管和像素電極；在所述基板上并在所述非顯示區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)集 成電路；分別在所述驅(qū)動(dòng)集成電路兩側(cè)的第一和第二測(cè)試焊墊；在所述基板 上并沿所述非顯示區(qū)域的邊緣的公共電壓線；以及在所述基板上并在所述顯 示區(qū)域中的第一和第二靜電保護(hù)單元，第一靜電保護(hù)單元將第一測(cè)試焊墊連 接至所述公共電壓線，第二靜電保護(hù)單元將第二測(cè)試焊墊連接至所述公共電 壓線。
應(yīng)當(dāng)理解，前述的概括說明和下面的詳細(xì)說明是示例性和解釋性的， 并且是為了對(duì)如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解且構(gòu)成本說明書的一部分，解釋了 本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。 圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)的LCD設(shè)備的平面示意圖； 圖2是顯示按照本發(fā)明的LCD設(shè)備的平面示意圖3是沿m-iir線部分的截面圖4是圖2中"A"部分的放大平面圖； 圖5是沿圖4中V-V'線部分的截面圖； 圖6是圖2中"B"部分的放大平面圖7是沿圖6中vn-vir線部分的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將對(duì)附圖中描繪的優(yōu)選實(shí)施例和實(shí)例進(jìn)行詳細(xì)討論。
在本發(fā)明中，用于測(cè)試掃描信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和公共電壓的幅值或/和波 形的多個(gè)測(cè)試焊墊被連接至多個(gè)靜電保護(hù)單元。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備的平面示意圖，圖3是沿III-III，線 的部分的截面圖。在圖2和圖3中，根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備包括濾色器基 板105、陣列基板110和它們之間的液晶層115。用于顯示圖像的顯示區(qū)域 AA和在所述顯示區(qū)域AA周圍的非顯示區(qū)域(NAA)被限定在每個(gè)所述濾 色器基板105和所述陣列基板110上。用于將光投射到所述陣列基板110上 的背光單元196設(shè)置在陣列基板110下面。背光單元196可與陣列基板110 隔開。所述濾色器基板105、所述陣列基板110以及所述液晶層115組成了 液晶面板125。
在所述濾色器基板105的第一基板101的下表面上形成黑矩陣112， 用于阻擋來自背光單元196的光，該黑矩陣112與所述顯示區(qū)域AA中像素 區(qū)域P之間的間隔以及所述非顯示區(qū)域NAA相對(duì)應(yīng)；包括紅、綠、藍(lán)顏色 子濾色器116a、 116b、 116c且與所述顯示區(qū)域AA相對(duì)應(yīng)的濾色器層116; 在所述濾色器層116上的覆蓋層114;以及在所述覆蓋層114的整個(gè)下表面 上的公共電極180。
在所述陣列基板110的第二基板102的所述顯示區(qū)域AA內(nèi)形成多條柵 極線120、多條數(shù)據(jù)線130、多個(gè)薄膜晶體管(TFTs)T和多個(gè)像素電極170。 所述柵極線120接收掃描信號(hào)。所述數(shù)據(jù)線130接收數(shù)據(jù)信號(hào)且與所述柵極 線120交叉以限定多個(gè)像素區(qū)域P。每個(gè)所述TFTsT設(shè)置在所述柵極線120 和所述數(shù)據(jù)線130的每個(gè)交叉部。每個(gè)所述像素電極170被連接至每個(gè)TFT 且設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)。雖然未示出，但是TFTT包括柵極電極； 半導(dǎo)體層，其包括本征非晶硅的有源層和摻有雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層； 源極電極和漏極電極。所述柵極電極被連接至所述柵極線120，所述源極電 極被連接至所述數(shù)據(jù)線130。所述漏極電極與所述源極電極隔開。所述像素 電極170被連接至所述漏極電極。
另外，在所述陣列基板110的第二基板102的所述非顯示區(qū)域NAA內(nèi) 形成多條柵極延長線122和多條數(shù)據(jù)延長線132。每條所述柵極延長線122 被連接至每條柵極線120,且向所述每條柵極線120施加來自驅(qū)動(dòng)集成電路(IC) 135的掃描信號(hào)。每條所述數(shù)據(jù)延長線132被連接至每條數(shù)據(jù)線130， 且向所述每條數(shù)據(jù)線130施加來所述自驅(qū)動(dòng)IC 135的數(shù)據(jù)信號(hào)。
在所述非顯示區(qū)域NAA的邊緣形成公共電壓線150。所述公共電壓線 150將來自外部公共電壓產(chǎn)生單元(未示出)的公共信號(hào)經(jīng)過柔性印刷電路
(FPC) 190，通過在所述液晶面板125的四個(gè)角處的多個(gè)導(dǎo)電單元186，施 加到在所述濾色器基板105的整個(gè)表面上的所述公共電極180。在所述驅(qū)動(dòng) IC 135的兩側(cè)分別形成第一和第二測(cè)試焊墊160和162，該第一和第二測(cè)試 焊墊160和162用于測(cè)試掃描和數(shù)據(jù)信號(hào)的特性，例如所述信號(hào)的波形或/ 和幅值。第一和第二測(cè)試焊墊160和162中的一個(gè)測(cè)試施加到所述柵極線 120的掃描信號(hào)的特性，另一個(gè)測(cè)試施加到所述數(shù)據(jù)線130的數(shù)據(jù)信號(hào)的特 性。
第一和第二靜電保護(hù)單元ESDI和ESD2設(shè)置在第一測(cè)試焊墊160與所 述公共電壓線150之間以及第二測(cè)試焊墊162與所述公共電壓線150之間。 第一測(cè)試焊墊160通過第一靜電保護(hù)單元ESD1被連接至公共電壓線150， 第二測(cè)試焊墊162通過第二靜電保護(hù)單元ESD2被連接至公共電壓線150。 連接至所述FPC 190的焊墊單元175位于驅(qū)動(dòng)IC 135的下側(cè)。連接至所述 FPC 190連接的悍墊單元175通過FPC連接器192接收來自外部系統(tǒng)(未示 出)的驅(qū)動(dòng)電壓。
所述導(dǎo)電單元186可包括金球、銀點(diǎn)和銀膠。在共平面開關(guān)(IPS)模 式的LCD設(shè)備中，不僅所述像素電極，而且與所述像素電極平行且與所述 像素電極交替設(shè)置地所述公共電極也形成在所述陣列基板上，并且LCD設(shè) 備具有公共類型存儲(chǔ)的存儲(chǔ)電容，其中與所述像素電極重疊以形成所述存儲(chǔ) 電容的存儲(chǔ)線形成在所述非顯示區(qū)域內(nèi)且與所述柵極線平行。在共平面開關(guān) (in-plane switching: IPS)模式的LCD設(shè)備中，在第一測(cè)試焊墊160或第二 測(cè)試焊墊162的一側(cè)可形成第三測(cè)試焊墊，第三測(cè)試焊墊用于測(cè)試施加到所 述公共電極或所述存儲(chǔ)線上的所述公共信號(hào)的特性，例如，所述信號(hào)的波形 或/和幅值。在這種情況下，可形成連接第三測(cè)試焊墊與公共電壓線的第三 靜電保護(hù)單元。第一到第三測(cè)試焊墊中每一個(gè)的數(shù)目根據(jù)所述LCD設(shè)備的 模式來確定?？捎卸鄠€(gè)第一測(cè)試焊墊160和多個(gè)第二測(cè)試焊墊162。在這種 情況下，第一和第二靜電保護(hù)單元ESD1和ESD2的數(shù)目分別對(duì)應(yīng)于第一和
10第二測(cè)試焊墊160和162的數(shù)目。
即使在所述陣列基板110上形成電極和布線的步驟中，因?yàn)樘幚硎覂?nèi) 的顆粒或脈沖型電流導(dǎo)致在所述驅(qū)動(dòng)IC 135以及第一和第二測(cè)試焊墊160 和162上感生了靜電，由于存在第一和第二靜電保護(hù)單元ESDI和ESD2， 所以在所述驅(qū)動(dòng)IC 135與第一和第二測(cè)試焊墊160和162上也沒有損壞。 所述靜電通過第一和第二靜電保護(hù)單元ESD1和ESD2流入公共電壓線150。 因?yàn)殪o電通過沿所述陣列基板110邊緣的所述公共電壓線150被均勻分布到 所述液晶面板125的整個(gè)區(qū)域上，所以總體上液晶面板125具有等電位的條 件，這樣防止了由所述靜電導(dǎo)致的損壞或使該損壞最小化。
圖4是圖2中"A"部分的放大平面圖，圖5是沿圖4中V-V，線部分 的截面圖。圖4和圖5顯示了用于測(cè)試所述數(shù)據(jù)線的所述數(shù)據(jù)信號(hào)的第一測(cè) 試焊墊。
在圖4和圖5中，所述在陣列基板110的所述非顯示區(qū)域NAA內(nèi)形成 第一金屬材料的所述公共電壓線150。所述公共電壓線150可與(圖2的) 柵極線120形成在相同的層，并可由與形成所述柵極線120相同的材料形成。 所述公共電壓線150上形成無機(jī)絕緣材料的柵極絕緣層145。所述無機(jī)絕緣 材料包括二氧化硅或氮化硅中的一種。
在所述柵極絕緣層145上以及在所述公共電壓線150的一側(cè)形成本征 非晶硅的第一半導(dǎo)體圖案140。第一半導(dǎo)體圖案140與所述公共電壓線150 隔開。第一半導(dǎo)體圖案140可與(圖2的)TFTT的有源層(未示出)形成 在相同的層并可由形成所述TFT T的有源層相同材料形成。在所述柵極絕緣 層145上，在第一半導(dǎo)體圖案140的兩側(cè)分別形成第一和第二放電線182 和184。第一放電線182的一部分與第一半導(dǎo)體圖案140的一部分重疊，第 二放電線184的一部分與第一半導(dǎo)體圖案140的一部分重疊。第二放電線 184延伸以形成第一測(cè)試焊墊160。第一和第二放電線182和184的每一條 以及第一測(cè)試焊墊160與(圖2的)數(shù)據(jù)線130形成在相同的層，且由與形 成所述數(shù)據(jù)線130相同材料形成。第一測(cè)試焊墊160可具有比第二放電線 184更大的寬度。第二放電線184位于第一半導(dǎo)體圖案140與第一測(cè)試焊墊 160之間。
包括第一接觸孔CH1、第二接觸孔CH2和多個(gè)第一測(cè)試焊墊開口孔DPH1的鈍化層155，形成在包括第一靜電保護(hù)單元ESD1的所述陣列基板 110上。所述鈍化層155可由無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料形成。所述無機(jī) 絕緣材料可包括二氧化硅和氮化硅中的一種。第一和第二接觸孔CH1和 CH2分別暴露所述公共電壓線150和第一放電線182，多個(gè)第一測(cè)試焊墊開 口孔DPH1暴露第一測(cè)試焊墊160。
在所述鈍化層155上形成第一連接圖案172。第一連接圖案172的一側(cè) 經(jīng)第一接觸孔CH1被連接至所述公共電壓線150，且第一連接圖案172的 另一側(cè)經(jīng)第二接觸孔CH2被連接至第一放電線182。第一連接圖案172可 以是透明的。透明導(dǎo)電材料包括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO) 中的一種。第一連接圖案172可與(圖2的)像素電極170形成在相同的層， 并由與形成所述像素電極170相同材料形成。第一放電線182、第二放電線 184、第一半導(dǎo)體圖案140和第一連接圖案172組成了第一靜電保護(hù)單元 ESD1。
當(dāng)在形成上述LCD設(shè)備的步驟中，由于處理室內(nèi)的顆粒或脈沖型電流 在驅(qū)動(dòng)IC 135以及第一和第二測(cè)試焊墊160和162處感生靜電時(shí)，所述靜 電不是通過所述驅(qū)動(dòng)IC 135流入所述柵極延長線122、所述柵極線120、所 述數(shù)據(jù)延長線132和所述數(shù)據(jù)線130，而是通過第一靜電保護(hù)單元ESD1的 第一半導(dǎo)體圖案140流入所述公共線150。因?yàn)樗鲮o電經(jīng)過所述公共電壓 線150被均勻分布到所述液晶面板125的整個(gè)區(qū)域上，所以所述液晶面板 125總體上具有等電位的條件，這樣防止了由所述靜電導(dǎo)致的損壞或使該損 壞最小化。
圖6是圖2中"B"部分的放大平面圖，圖7是沿圖6中VII-Vn'線的 部分的截面圖。圖6和圖7顯示了用于測(cè)試所述柵極線的所述掃描信號(hào)的第 一測(cè)試焊墊。
在圖6和圖7中，在所述陣列基板110的所述非顯示區(qū)域NAA內(nèi)形成 第一金屬材料的所述公共電壓線150。在所述陣列基板110的所述非顯示區(qū) 域NAA內(nèi)也形成了與所述公共電壓線150隔開的第二測(cè)試焊墊162。第二 測(cè)試焊墊162與(圖2的)柵極線120形成在相同的層，并由與形成所述柵 極線120相同的材料形成。在所述公共電壓線150和第二測(cè)試焊墊162上形 成無機(jī)絕緣材料的所述柵極絕緣層145。所述無機(jī)絕緣材料包括二氧化硅或氮化硅中的一種。
在所述柵極絕緣層145上形成本征非晶硅的第二半導(dǎo)體圖案142，且第 二半導(dǎo)體圖案142設(shè)置在所述公共電壓線150與第二測(cè)試焊墊162之間。第 二半導(dǎo)體圖案142可與(圖2的)TFTT的有源層(未示出)形成在相同的 層，并由與形成所述TFT T的有源層相同的材料形成。在所述柵極絕緣層 145上，在第二半導(dǎo)體圖案142的兩側(cè)分別形成第三和第四放電線186和 188。第三放電線186的一部分與第二半導(dǎo)體圖案142的一部分重疊，第四 放電線188的一部分與第二半導(dǎo)體圖案142的一部分重疊。第三和第四放電 線186和188的每一條與(圖2的)數(shù)據(jù)線130形成在相同的層，并由與形 成所述數(shù)據(jù)線130相同的材料形成。第三放電線186位于第二半導(dǎo)體圖案 142與第二測(cè)試焊墊162之間。第二測(cè)試焊墊162可具有比第三放電線186 更大的寬度。
! 包括第三接觸孔CH3、第四接觸孔CH4、第五接觸孔CH5、第六接觸 孔CH6和多個(gè)第二測(cè)試焊墊開口孔DPH2的鈍化層155，形成在包括第二 靜電保護(hù)單元ESD2的陣列基板110上。第三、第四、第五和第六接觸孔 CH3、 CH4、 CH5和CH6分別暴露公共電壓線150、第四放電線188、第三 放電線186和第二測(cè)試焊墊162，且多個(gè)第二測(cè)試焊墊開口孔DPH2暴露第 二測(cè)試焊墊162。
在鈍化層155上形成第二連接圖案174和第三連接圖案176。第二連接 圖案174的一側(cè)經(jīng)第三接觸孔CH3被連接至公共電壓線150，第二連接圖 案174的另一側(cè)經(jīng)第四接觸孔CH4被連接至第四放電線188。第三連接圖 案176的一側(cè)經(jīng)第五接觸孔CH5被連接至第三放電線186，第三連接圖案 176的另一側(cè)經(jīng)第六接觸孔CH6被連接至第二測(cè)試焊墊162。第二和第三連 接圖案174和176的每一個(gè)都可由透明導(dǎo)電材料形成。所述透明導(dǎo)電材料包 括銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)中的一種。第二和第三連接圖 案174和176中每一個(gè)都可以與(圖2的)像素電極170形成在相同的層， 并可由與形成所述像素電極170相同的材料形成。第三放電線186、第四放 電線188以及第二半導(dǎo)體圖案142、第二連接圖案174和第三連接圖案176 組成了第二靜電保護(hù)單元ESD2。
在本發(fā)明的LCD設(shè)備中，因?yàn)樗鲮o電保護(hù)單元被連接至所述測(cè)試焊墊和所述公共電壓線，所以防止了由靜電導(dǎo)致的損壞或使該損壞最小化。
本發(fā)明的原理在LCD設(shè)備中的應(yīng)用不受其大小的限制。此外，本發(fā)明 的原理可應(yīng)用于共平面開關(guān)(IPS)模式的LCD設(shè)備，該模式的LCD設(shè)備 中不僅像素電極，而且與像素電極平行且與像素電極交替設(shè)置的公共電極也 形成在陣列基板上，且LCD設(shè)備具有公共類型存儲(chǔ)的存儲(chǔ)電容。
本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，在不脫離本發(fā)明精神或范疇的情況下，可對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附的權(quán)利要求和 其等效內(nèi)容的范疇內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1、一種用于液晶顯示器設(shè)備的陣列基板，包括具有顯示區(qū)域和在所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域的基板；在所述基板上且在所述顯示區(qū)域中的柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極；在所述基板上且在所述非顯示區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)集成電路；分別在所述驅(qū)動(dòng)集成電路兩側(cè)的第一和第二測(cè)試焊墊；在所述基板上且沿所述非顯示區(qū)域的邊緣的公共電壓線；以及在所述基板上且在所述顯示區(qū)域中的第一和第二靜電保護(hù)單元，所述第一靜電保護(hù)單元將所述第一測(cè)試焊墊連接至所述公共電壓線，所述第二靜電保護(hù)單元將所述第二測(cè)試焊墊連接至所述公共電壓線。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的陣列基板，其中所述薄膜晶體管包括 連接至所述柵極線的柵極電極；設(shè)置在柵極絕緣層上且與所述柵極電極相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上且連接至所述數(shù)據(jù)線的源極電極；以及 在所述半導(dǎo)體層上且與所述源極電極隔開的漏極電極； 其中所述半導(dǎo)體層包括本征非晶硅的有源層和摻有雜質(zhì)的非晶硅的歐 姆接觸層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中所述第一靜電保護(hù)單元包括 半導(dǎo)體圖案；分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案兩側(cè)的第一放電線和第二放電線；以及 連接圖案；其中所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述公共電壓線上的所述柵極絕緣層上， 且位于所述公共電壓線與所述第一測(cè)試焊墊之間；所述第一和第二放電線的一部分與所述半導(dǎo)體圖案重疊，且所述第二 放電線自所述第一測(cè)試焊墊延伸；所述連接圖案將第一放電線連接至所述公共電壓線。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述半導(dǎo)體圖案由與形成所 述有源層相同的材料形成，并與所述有源層形成在相同的層上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述第一和第二放電線中的 每一條由與形成所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，并與所述數(shù)據(jù)線形成在相同的 層上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述第一測(cè)試焊墊具有比所 述第二放電線更大的寬度。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，進(jìn)一步包括鈍化層，所述鈍化層 包括暴露所述公共電壓線的第一接觸孔和暴露所述第一放電線的第二接觸 孔，所述連接圖案設(shè)置在所述鈍化層上且通過所述第一接觸孔接觸所述公共 電壓線以及通過所述第二接觸孔接觸所述第一放電線。
8、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述連接圖案由與形成所述 像素電極相同的材料形成，并與所述像素電極形成在相同的層上。
9、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中所述第二靜電保護(hù)單元包括 半導(dǎo)體圖案；分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案兩側(cè)的第一放電線和第二放電線；以及 第一連接圖案和第二連接圖案；其中所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述公共電壓線上的所述柵極絕緣層上， 且位于所述公共電壓線與所述第二測(cè)試焊墊之間，所述第一和第二放電線的 一部分與所述半導(dǎo)體圖案重疊，且其中所述第一連接圖案將所述第二放電線 連接至所述公共電壓線，所述第二連接圖案將所述第一放電線連接至所述第 二測(cè)試焊墊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中所述半導(dǎo)體圖案由與形成所述有源層相同的材料形成，且與所述有源層形成在相同的層上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中所述第一和第二放電線中 的每一條由與形成所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，且與所述數(shù)據(jù)線形成在相同 的層上。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中所述第二測(cè)試焊墊具有比 所述第一放電線更大的寬度。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，進(jìn)一步包括鈍化層，所述鈍化 層包括暴露所述公共電壓線的第一接觸孔、暴露所述第二放電線的第二接觸 孔、暴露所述第一放電線的第三接觸孔、以及暴露所述第二測(cè)試焊墊的第四 接觸孔，其中所述第一連接圖案設(shè)置在所述鈍化層上且通過所述第一接觸孔 接觸所述公共電壓線并通過所述第二接觸孔接觸所述第二放電線，所述第二 連接圖案設(shè)置在所述鈍化層上且通過所述第三接觸孔接觸所述第一放電線 并通過所述第四接觸孔接觸所述第二測(cè)試焊墊。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其中所述第一和第二連接圖案 中的每一個(gè)都由與形成所述像素電極相同的材料形成，并與所述像素電極形 成在相同的層上。
15、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第一測(cè)試焊墊由與形 成所述數(shù)據(jù)線相同的材料形成，且與所述數(shù)據(jù)線形成在相同的層上。
16、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第二測(cè)試焊墊由與形 成所述公共電壓線和所述柵極線相同的材料形成，且與所述公共電壓線和所 述柵極線形成在相同的層上。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第一靜電保護(hù)單元的 數(shù)目與所述第一測(cè)試焊墊的數(shù)目相對(duì)應(yīng)，所述第二靜電保護(hù)單元的數(shù)目與所述第二測(cè)試焊墊的數(shù)目相對(duì)應(yīng)。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述第一和第二測(cè)試焊墊 中的一個(gè)測(cè)試施加到所述柵極線的掃描信號(hào)，所述第一和第二測(cè)試焊墊中的 另一個(gè)測(cè)試施加到所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括與所述像素電極平 行的公共電極、用于測(cè)試施加到所述公共電極的公共信號(hào)的第三測(cè)試焊墊以 及連接至所述第三測(cè)試焊墊的第三靜電保護(hù)單元。
20、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括與所述像素電極重 疊以形成存儲(chǔ)電容的存儲(chǔ)線、用于測(cè)試施加到所述存儲(chǔ)線的信號(hào)的第三測(cè)試 焊墊以及連接至所述第三測(cè)試焊墊的第三靜電保護(hù)單元。
全文摘要
一種液晶顯示器設(shè)備的陣列基板，包括具有顯示區(qū)域和在顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域的基板；在基板上并在顯示區(qū)域中的柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極；在基板上并在非顯示區(qū)域中的驅(qū)動(dòng)集成電路；分別在驅(qū)動(dòng)集成電路兩側(cè)的第一和第二測(cè)試焊墊；在基板上沿非顯示區(qū)域的邊緣的公共電壓線；以及在基板上并在顯示區(qū)域中的第一和第二靜電保護(hù)單元，第一靜電保護(hù)單元將第一測(cè)試焊墊連接至公共電壓線，第二靜電保護(hù)單元將第二測(cè)試焊墊連接至公共電壓線。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101604103SQ200810188230
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2008年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月13日
發(fā)明者金炳究 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司