專利名稱：襯底和使用該襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種襯底和使用這種襯底的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，
可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可
選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成對應(yīng)于所述IC的 單層的電路圖案。可以將該圖案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部 分(例如，包括一部分管芯、 一個(gè)或多個(gè)管芯)上，所述襯底具有輻射敏 感材料(抗蝕劑)層。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部 分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將 全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃 描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所 述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一 個(gè)目標(biāo)部分。
在光刻中所面臨的最大的問題之一是污染。例如，襯底的污染可能增 加在襯底上的一個(gè)圖案或多個(gè)圖案中的缺陷的數(shù)量。在透鏡元件上的污染 可能使其難于精確地將圖案應(yīng)用到襯底上。污染可能出問題的另一種情況 是浸沒式光刻。在浸沒式光刻中，浸沒流體被用于增加用于光刻設(shè)備中的 投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。因此，浸沒流體可以被用在投影系統(tǒng)的最終元件及 其襯底之間。浸沒流體可以被抗蝕劑或者其它材料的顆粒或薄片污染，所 述抗蝕劑或者其它材料的顆粒或薄片從襯底或從沉積到襯底上的層分離 出來。這種污染可能使得將(圖案化的)輻射束精確地經(jīng)由浸沒流體投影 到襯底上的操作變得十分困難或成為不可能。

發(fā)明內(nèi)容
旨在提供例如至少一種襯底以及使用所述至少一種襯底的至少一種 方法，所述襯底消除或減輕了在本文中或其它處所指出的現(xiàn)有技術(shù)中的至 少一個(gè)問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的 方法，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備中，所述襯底包括剛性支撐 層以及設(shè)置在所述剛性支撐層上的可變形層；將所述襯底的所述可變形層 與所述設(shè)備的表面形成接觸，污染物將從所述設(shè)備的所述表面上去除；引 起在所述可變形層和所述設(shè)備的將被去除的污染物所在的所述表面之間 的相對運(yùn)動以將污染物從所述表面移除；以及去除被移除的污染物。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種適用于從用于光刻中的設(shè)備去除污 染物的襯底，所述襯底的尺寸被設(shè)計(jì)成適合于被光刻設(shè)備所處理，所述襯 底包括剛性支撐層；以及設(shè)置在所述剛性支撐層上的可變形層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種從至少部分地被用在光刻中的設(shè)備 所容納的流體去除污染物的方法，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備 中，所述襯底包括一系列凸起或凹陷，所述一系列凸起或凹陷相對于所述 流體是易被浸濕的或不易被浸濕的，以促進(jìn)污染物從所述流體轉(zhuǎn)移到用于 清潔的襯底；將所述襯底置于將被去除的污染物所在的流體附近，以使得 所述污染物被從所述流體去除，并被沉積到所述凸起上或所述凹陷中；以 及將所述襯底從所述設(shè)備中卸載。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種適合于從至少部分地被用于光刻中 的設(shè)備所容納的流體中去除污染物的襯底，所述襯底的尺寸被設(shè)計(jì)成適合 于被光刻設(shè)備處理，所述襯底包括一系列凸起或凹陷，所述凸起或凹陷相 對于所述流體是易被浸濕的或不易被浸濕的，以促進(jìn)污染物從所述流體轉(zhuǎn) 移到用于清潔的襯底。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的
方法，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述
襯底上，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域配 置用于吸引污染物，所述第二區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域不同的極性或電
荷，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域?qū)儆谝韵虑闆r中的一種帶極性并且?guī)д姾伞O性并且?guī)ж?fù)電荷、非極性的并且?guī)д姾?、以及?br> 極性的并且?guī)ж?fù)電荷；以及將所述襯底從所述設(shè)備中卸載。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種適合于從用于光刻中的設(shè)備去除污 染物的襯底，所述襯底的尺寸被設(shè)計(jì)成適合于被光刻設(shè)備處理，所述襯底 包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域配置用于吸引污染 物，所述第二區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域不同的極性或電荷，所述第一區(qū)域 和第二區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域?qū)儆谝韵虑闆r中的一種帶極性的并且?guī)д?荷、帶極性的并且?guī)ж?fù)電荷、非極性的并且?guī)д姾?、以及非極性的并且 帶負(fù)電荷。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的 方法，所述方法包括將第一襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到 所述第一襯底上，所述第一襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所述 區(qū)域?qū)儆谝韵虑闆r中的一種帶極性的并且?guī)д姾?、帶極性的并且?guī)ж?fù) 電荷、非極性的并且?guī)д姾伞⒁约胺菢O性的并且?guī)ж?fù)電荷；將所述第一
襯底從所述設(shè)備中卸載；將第二襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引
到所述第二襯底上，所述第二襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所 述區(qū)域具有與所述第一襯底的區(qū)域不同的極性或電荷，所述第二襯底的區(qū) 域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性的并且?guī)д姾?、帶極性的并且?guī)?br> 負(fù)電荷、非極性的并且?guī)д姾?、以及非極性的并且?guī)ж?fù)電荷；以及將所 述第二襯底從所述設(shè)備中卸載。


在此僅借助示例，參照所附示意圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在所 附示意圖中，相對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相對應(yīng)的部分，且其中-圖l示出光刻設(shè)備；
圖2A到圖2C示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底和所述襯底的使用； 圖3A到圖3B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底和所述襯底的使用； 圖4A到圖4E示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底和這些襯底的使用；以
及
圖5A到圖5D示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底和所述襯底的使用。
具體實(shí)施例方式
盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但
應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、 磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示器、薄膜磁頭等的制造。對于普 通的技術(shù)人員，應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使 用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯底"或 "目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例 如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn) 行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以 將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以
處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層ic，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也
可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括
紫外輻射(例如具有約365、248、 193、 157或126nm的波長)和極紫夕卜(EUV) 輻射(例如，具有在5-20nm范圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電 子束。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用 于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo) 部分上期望的圖案完全相符。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分 上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括 掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型 相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的 示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿 不同方向反射入射的輻射束；以這種方式，被反射的輻射束被圖案化。
圖l示意性地示出光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括
照射系統(tǒng)(照射器)IL，用于調(diào)節(jié)輻射束PB (例如，紫外輻射或極紫外輻射)；
支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，用于支撐圖案形成裝置(例如掩模) MA并與配置用于將圖案形成裝置相對于PL精確地定位的第一定位裝置 PM相連；
襯底臺(例如晶片臺)WT，用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶 片)W，并與配置用于將襯底相對于PL精確地定位的第二定位裝置PW相 連；
投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PL，所述投影系統(tǒng)PL配置用 于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束PB的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上；以及
浸沒罩IH (有時(shí)稱為浸沒頭)，所述浸沒罩IH用于至少部分地將浸沒 流體(未示出)保持在投影系統(tǒng)PL和襯底W的一部分之間。
如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射 鏡陣列)。
支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成 裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境 中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機(jī)械 的、真空的或其他夾持技術(shù)，例如在真空條件下的靜電夾持。所述支撐結(jié) 構(gòu)MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。 所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于 投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與 更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè) 備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下， 不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定向反 射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳 到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分 (例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如 果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào) 整裝置AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所 述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為(T-外部和^內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此 外，所述照射器IL通常包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。 所述照射器提供經(jīng)過調(diào)節(jié)的輻射束PB，以在其橫截面中具有所需的均勻性 和強(qiáng)度分布。
所述照射系統(tǒng)也可以包括各種類型的光學(xué)部件，包括折射型、反射型、 和反射折射型光學(xué)部件，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射束，且這種部件也可 以在下文被統(tǒng)稱或單獨(dú)地稱為"透鏡"。
所述輻射束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT上的所述圖案形成裝置(例 如，掩模)MA上。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束PB通過 透鏡PL，所述PL通過由浸沒罩IH所保持的浸沒流體將輻射束聚焦到所述 襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干 涉儀器件)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的 目標(biāo)部分C定位于所述輻射束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī) 械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置 傳感器(圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對于所述輻射束PB 的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述定位裝置PM和PW的一部分 的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)載物臺 MT和WT的移動。然而，在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐 結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形 成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、 P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA 和襯底W。
應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括各種類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)、和反射折射型光學(xué)系統(tǒng)， 如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之 類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語"投影透鏡"可以認(rèn)為是與 更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個(gè)或 更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種"多臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺和/或支撐結(jié)構(gòu)，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其他臺和/或支撐結(jié)構(gòu)用于 曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)臺和/或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步驟。
所述光刻設(shè)備也可以是其中至少一部分襯底可以被具有相對高折射 率的液體(例如水)覆蓋的類型，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之 間的空隙。浸沒液也可以被應(yīng)用于光刻設(shè)備中的其它空隙中，例如掩模和 投影系統(tǒng)的第一元件之間。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑是本領(lǐng) 域所公知的。
可以將所述設(shè)備用于以下模式的至少一種
1. 在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束PB的整個(gè)圖案一次投影到 目標(biāo)部分C上的同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止(即， 單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可 以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單 一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C 上的同時(shí)，對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動 態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投 影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝 光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃 描方向)。
3. 在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu) MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目 標(biāo)部分C上的同時(shí)，對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描。在這種模式中， 通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃 描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這 種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型 的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 如上所述，在光刻中遇到的問題是污染物。光刻設(shè)備的一部分的污染 物的減少以及在可能情況下的消除是需要的。例如，光刻設(shè)備的元件的污染物的減少可能減少被投影到襯底上的一個(gè)圖案或多個(gè)圖案中的缺陷的 數(shù)量。不斷地減小用于將圖案應(yīng)用到襯底上的輻射的波長意味著尺寸更 小的污染物甚至問題更嚴(yán)重。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于減少光刻設(shè)備的 一部分的污染物的方法是使用己經(jīng)被特殊處理和/或被特殊設(shè)計(jì)用于從光 刻設(shè)備中去除污染物的襯底。這種用于清潔的襯底可能通過光刻設(shè)備(例 如，用于將輻射投影到襯底上的設(shè)備、涂覆模塊、烘箱或用于光刻工藝中 的任何其它設(shè)備)，以減少光刻設(shè)備的污染物。這種襯底可以在物理上與 將被減少和/或去除的污染物所在的表面相接觸，或可以吸引污染物，由 此將所述污染物從鄰近的環(huán)境中提取出。這種用于清潔的襯底對于減少在 采用浸沒流體的光刻設(shè)備中的污染物尤其有用。
由于所涉及的工藝的屬性，污染物在浸沒式光刻中更普遍。例如，從 圖1可以看出，浸沒罩IH至少部分地將浸沒流體保持在投影系統(tǒng)PL和襯底
W之間。通過浸沒罩IH以及其所保持的浸沒流體將壓力施加在襯底W的頂 面(即，在其它的可能的層之間設(shè)置有抗蝕劑層的襯底W的一側(cè))上。所 述壓力可能使得抗蝕劑或沉積在襯底W上的其它層的一部分變得疏松，甚 至剝落。這可能導(dǎo)致浸沒罩和/或浸沒流體的污染，結(jié)果可能減小這兩者 的有效性。
圖2A示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于清潔的襯底CW1。用于清潔的 襯底CW1包括標(biāo)準(zhǔn)襯底1，所述標(biāo)準(zhǔn)襯底l用作剛性支撐層。襯底l是標(biāo)準(zhǔn) 的，這是因?yàn)樗膶挾扰c可能覆蓋有抗蝕劑層并采用圖l的光刻設(shè)備進(jìn)行 圖案化的襯底的寬度相同(例如，所述襯底可能是例如具有200mm或 300mm直徑的基本成圓柱形狀的晶片)。參考圖2A，襯底1設(shè)置有刷層2。 刷層2可以由多個(gè)獨(dú)立的刷、纖維、股繩等制成。例如，所述刷、纖維、 股繩可以由PVA (聚乙烯醇)海綿制成。用于形成刷層2的刷、纖維、股 繩可能是被緊密地填塞，以使得刷層2有效地形成連續(xù)的、未被破壞的層。 替代地，如圖2B所示，刷層2可以被填塞得較松，以使得制成層2的纖維不 形成連續(xù)的層。當(dāng)然，襯底表面可能在不同的區(qū)域上具有填塞得緊密和填 塞得較松的刷層2的組合。
刷層2可以通過加熱襯底1而被附著到襯底1上，以使得刷層2與襯底1 熔合?？蛇x地或附加地，刷層2可以采用任何合適的粘合劑被粘合，例如可以采用基于丙烯酸的壓力敏感的粘合劑。例如從美國明尼蘇達(dá)州的3M 公司可以獲得這種粘合劑。典型的示例是3M的VHB粘合劑。襯底l自身可 以由硅、石英、金屬或任何合適的材料制成。
在使用中，用于清潔的襯底CWl可以通過光刻設(shè)備和/或其它工具， 以使得刷層2與被污染的表面形成接觸。將刷層2與這種表面形成接觸可以 通過所述表面和/或用于清潔的襯底CWl的運(yùn)動，或者通過用于清潔的襯 底CW1的尺寸(例如襯底l和/或刷層2的厚度)的適當(dāng)設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)。例如， 用在光刻中的常規(guī)的襯底可能為大約lmm厚。在合適的情況下，光刻設(shè)備 被設(shè)計(jì)以提供在襯底和光刻設(shè)備的元件之間的間隙程度。襯底l和/或刷層 2的組合厚度可能是0.5mm-3.5mm，以使得在刷層2和光刻設(shè)備的至少一個(gè) 元件之間沒有間隙(即，刷層2接觸所述元件)。
圖2C示出使用用于清潔的襯底CW1的示例。浸沒罩IH被示出設(shè)置在 投影系統(tǒng)PL的下面(例如圖1的浸沒罩IH和投影系統(tǒng)PL)。用于清潔的襯 底CW1被定位，以使得刷層2與浸沒罩IH形成接觸。在浸沒罩IH的最下表 面上的污染物可以通過將用于清潔的襯底CWl相對于浸沒罩IH移動和/或 將浸沒罩IH相對于用于清潔的襯底CW1移動而被去除。
污染物可以被用于形成刷層2的材料所吸收，或者污染物可以被容納 到刷層2上和/或刷層2的刷之間。刷層2也可以或可選地從浸沒罩IH的最下
表面上移除污染物。被移除的污染物可以被浸沒流體洗掉，所述浸沒流體 可以被浸沒罩IH保持在用于清潔的襯底CW1和投影系統(tǒng)PL之間。刷層2期 望是可變形的，以便不對浸沒罩IH造成損壞。
通過將污染物從浸沒罩IH的最下表面去除，消除了所述污染物被移除 并對浸沒流體和經(jīng)由投影系統(tǒng)PL被輻射曝光的襯底產(chǎn)生污染的可能性。
圖3A示出與圖2A類似的用于清潔的襯底，圖3B示出與參照圖2C所示 的使用相似的使用。圖3A示出用于清潔的襯底CW2，所述用于清潔的襯 底CW2包括襯底3，所述襯底3用作剛性支撐層，在所述剛性支撐層上設(shè)置 有海綿層4?？梢圆捎谜澈蟿?例如，參照圖2A的用于清潔的襯底CW1所 述的粘合劑)和/或通過加熱襯底3，使海綿層4附著到襯底3上，以使得海 綿層4部分地在襯底3上熔化，并與襯底3結(jié)合。
用于清潔的襯底CW2可以具有用于光刻中的標(biāo)準(zhǔn)尺寸。例如，用于清潔的襯底CW2可以是具有200mm直徑或300mm直徑、或具有其它任何合適 尺寸的用于光刻設(shè)備中的晶片，并可以基本上為圓柱形狀。這使得用于清 潔的襯底CW2可以被以與設(shè)置有抗蝕劑層的襯底可能具有的方式相同的 方式裝載到光刻設(shè)備中，以及在光刻設(shè)備周圍移動。襯底3可以由任何任 何合適的材料制成，例如硅、石英、金屬等。海綿層4可以由任何合適的 材料制成。特別好的材料是PVA海綿。這種海綿公知為在被浸濕時(shí)變得很 軟，且在從表面上去除污染物方面具有優(yōu)勢。用于海綿層4的可選的或附 加的材料是聚氨酯。
在使用中，用于清潔的襯底CW2可以通過光刻設(shè)備和/或其它工具， 以使得將海綿層4與被污染的表面形成接觸。將海綿層4與這種表面形成接 觸能夠通過表面和/或用于清潔的襯底CW2的運(yùn)動，或者通過對用于清潔 的襯底CW2的尺寸(例如襯底3和域海綿層4的厚度)的合適設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)。 例如，用在光刻中的常規(guī)襯底可能是大約lmm厚。在合適的情況下，光刻 設(shè)備被設(shè)計(jì)用于提供在襯底和光刻設(shè)備的元件之間的間隙程度。襯底3和/ 或海綿層4的組合厚度可能是0.5mm-3.5mm，以使得在海綿層4和光刻設(shè)備 的至少一個(gè)元件之間沒有間隙(即，海綿4層與所述元件相接觸)。
圖3B示出圖3A的用于清潔的襯底CW2的使用。在圖3B中，可以看出， 用于清潔的襯底CW2已經(jīng)被裝載到例如圖1的光刻設(shè)備中。用于清潔的襯 底CW2的位置使得海綿層4與浸沒罩IH的最下表面相接觸。用于清潔的襯 底CW2相對于浸沒罩IH的運(yùn)動(反之亦然)使得海綿層4與浸沒罩IH的最 下表面相摩擦，并從所述表面上去除污染物。污染物(例如薄片或顆粒) 可能被附著到海綿層4的表面，或容納在海綿層4的表面或本體中的孔中。 替代地或附加地，海綿層4可能從浸沒罩IH的最下表面移除污染物。如果 在海綿層4用在浸沒罩IH上的同時(shí)，浸沒流體被浸沒罩IH保持，則浸沒流 體可能清洗掉己經(jīng)被移除的污染物。海綿層4是根據(jù)需要可變形的，以便 不對浸沒罩IH造成損壞。
當(dāng)圖2A和圖3A的用于清潔的襯底CW1 、 CW2中的一者或兩者已經(jīng)被 用于清潔浸沒罩IH時(shí)，它們可以在后面的步驟中被再次用于對相同的浸沒 罩IH進(jìn)行清潔，或者對于其它的浸沒罩(或其它的設(shè)備)進(jìn)行清潔。在被 再次使用之前，從浸沒罩IH去除并沉積在刷層2或海綿層4上的污染物應(yīng)當(dāng)被去除。這能夠通過對層2、 4進(jìn)行漂洗或其它的工藝來完成?？蛇x地，層 2、 4可以從支撐所述層2、 4的各個(gè)襯底上剝離并被另一個(gè)清潔層所替代。 可選地，可以使用新的置換用的用于清潔的襯底?？蛇x地，新層2、 4可以 被重疊在被污染的層上。
在圖2A和圖3A的用于清潔的襯底CW1、 CW2中的一者或兩者被用于 清潔浸沒罩IH之前，刷層2或海綿層4可以被例如超純凈水等浸濕。浸濕所 述層2、 4可以使之更易于形變，和/或?qū)谋砻?例如，浸沒罩IH的最下 表面)上去除污染物更有用。
盡管己經(jīng)描述了圖2A和圖3A的用于清潔的襯底CW1 、 CW2在使用中 用于清洗浸沒罩IH，但是它們中的一者或兩者可以被替代地或附加地用于 清潔另一個(gè)表面。另一個(gè)表面的清潔能夠以與浸沒罩IH的清潔方式相同的 方式實(shí)現(xiàn)。即，用于清潔的襯底CW1、 CW2可以被移動到刷層2或海綿層4 與表面形成接觸的位置上，以使得所述層可以與所述表面摩擦，并從所述 表面上去除污染物。
替代圖2A和圖3A的、包括刷層或海綿層的用于清潔的襯底CW1、 CW2，或除去所述襯底CW1、 CW2之外，可以使用任何合適的(可變形
的)層或其他結(jié)構(gòu)(或多個(gè)結(jié)構(gòu))。
圖4A示出用于清潔的襯底CW3，所述用于清潔的襯底CW3包括已經(jīng) 設(shè)置有圖案化的頂面的襯底IO。該圖案包括一系列凸起11和凹陷12。襯底 10由相對于用在例如圖1的光刻設(shè)備中的浸沒流體的不易被浸濕的材料制 成，或被處理以使得凸起11和凹陷12相對于浸沒流體是不易被浸濕的。
圖4B示出另一個(gè)實(shí)施例。圖4B示出用于清潔的襯底CW4。在該實(shí)施 例中，襯底20已經(jīng)設(shè)置有一系列的凸起21和凹陷22。在該實(shí)施例中，所述 一系列的凸起21和凹陷22設(shè)置有層23，層23相對于所使用的浸沒流體是不 易被浸濕的。例如，層23可以是HMDS (六甲基二硅胺垸)層。
圖4C示出另一個(gè)實(shí)施例。圖4C示出用于清潔的襯底CW5。在該實(shí)施 例中，襯底30已經(jīng)設(shè)置有層31，層31相對于浸沒流體是不易被浸濕的。層 31設(shè)置有一系列的凸起21和凹陷22。例如，層31可以是HMDS (六甲基二 硅胺垸)層。
圖4A到圖4C的用于清潔的襯底可以具有用于光刻中的標(biāo)準(zhǔn)尺寸。例如，所述用于清潔的襯底可以是具有200mm的直徑或300mm的直徑或任何 其他尺寸的、用在光刻設(shè)備中的晶片，并可以基本成圓柱形狀。這使得， 所述用于清潔的襯底可以以與設(shè)置有抗蝕劑層的襯底可能采用的方式相 同的方式被裝載到光刻設(shè)備中，并被在光刻設(shè)備周圍移動。
在圖4A到4C中，所述凸起和凹陷可以以任何方便的方式采用蝕刻、 輻射曝光或任何適合于所使用的材料的工藝形成。目前，超純凈水已經(jīng)被 作為最適合的浸沒流體提出，所述流體被用于光刻設(shè)備中，例如如圖l所 示。如果水是浸沒流體，則被稱為不易被浸濕的上述表面或結(jié)構(gòu)是疏水的。 當(dāng)然，如果所述浸沒流體不是水，則被稱為不易被浸濕的上述表面和結(jié)構(gòu) 將相對于替代的浸沒流體是不易被浸濕的。
襯底或在襯底上的層可能是固有不易被浸濕的(例如，HMDS是疏水 的)，或者所述襯底或所述層可以被處理以使它們成為不易被浸濕的。例 如，所述襯底和/或所述層可以暴露在等離子體中，以使它們成為不易被 浸濕的。
圖4D和圖4E示出圖4A的用于清潔的襯底CW3的使用。然而，應(yīng)當(dāng)理 解的是，用于清潔的襯底CW4和用于清潔的襯底CW5可以以相同的方式被 使用。圖4D示出圖1中的投影系統(tǒng)PL和浸沒罩IH。浸沒罩IH至少部分地將 浸沒流體40保持在投影系統(tǒng)PL和用于清潔的襯底CW3之間。用于清潔的 襯底CW3可以被相對于浸沒罩IH保持靜止，或者更優(yōu)選相對于浸沒罩IH 被移動(和/或浸沒罩IH相對于用于清潔的襯底CW3被移動)。位于浸沒流 體40中的小點(diǎn)表示污染物41。可以看出，由于用于清潔的襯底CW3的凸起 11和凹陷12是不易被浸濕的，且浸沒流體40不會流入凹陷12。污染物41將 隨著時(shí)間朝向用于清潔的襯底CW3流動或下降。這可能是由于重力或其它
力，例如范德瓦爾斯力的原因。
圖4E示出污染物41已經(jīng)朝向用于清潔的襯底CW3下落或流動的情 況。污染物41可以被附著到用于清潔的襯底CW3上，或落入凹陷12。然后， 用于清潔的襯底CW3可以被從光刻設(shè)備中去除。所述用于清潔的襯底CW3 可以被用于清潔污染物，以使得其可以被用于在后面的時(shí)間里清潔相同的 浸沒罩IH，或用于清潔另一個(gè)浸沒罩(或其它設(shè)備)。替代地，例如，依 賴于所述用于清潔的襯底如何被構(gòu)造，沉積在所述襯底上的層可以被剝離以去除所述污染物。所述層可以被替換，所述用于清潔的襯底被再次使用。
圖4A到4C的用于清潔的襯底已經(jīng)被描述為設(shè)置有一系列凸起和凹 陷，所述凸起和凹陷相對于所使用的浸沒流體是不易被浸濕的。這不是必 需的。在一個(gè)實(shí)施例中，所述凸起可以具有不易被浸濕的屬性，而所述凹 陷可以具有易被浸濕的屬性。在另一個(gè)實(shí)施例中，所述凸起可以具有易被 浸濕的屬性，而所述凹陷可以具有不易被浸濕的屬性。在又一個(gè)實(shí)施例中， 所述凸起和所述凹陷都具有易被浸濕的屬性?？傊?，所述凹陷和/或凸起 應(yīng)當(dāng)為合適的易被浸濕的或不易被浸濕的，以促進(jìn)污染物從浸沒流體轉(zhuǎn)移 到所述用于清潔的襯底。
盡管圖4A到圖4C的用于清潔的襯底已經(jīng)被參照浸沒罩和/或浸沒流 體的清潔所描述，但是它們可以被用在其它的情況下。例如，它們可以尤 其被用在污染物將從任何流體中去除的情況中。所述流體可以是液體或氣 體。
圖5A示出用于清潔的襯底CW6的平面圖。用于清潔的襯底CW6包括 具有鑲嵌圖案51 (mosaic pattern)的襯底50。鑲嵌圖案51可以被直接設(shè)置 到襯底50中或襯底50上，或者可以被設(shè)置到沉積在襯底50上的至少一個(gè)層
中或所述至少一個(gè)層上。
用于清潔的襯底CW5可以具有用于光刻中的標(biāo)準(zhǔn)尺寸。例如，用于清 潔的襯底CW5可以是具有200mm的直徑或300mm的直徑或任何其他尺寸 的、用在光刻設(shè)備中的晶片，并可以基本成圓柱形狀。這使得，所述用于 清潔的襯底CW5可以以與設(shè)置有抗蝕劑層的襯底可能采用的方式相同的 方式被裝載到光刻設(shè)備中，并被在光刻設(shè)備周圍移動。襯底50可以由任何 合適的材料制成，例如硅、石英、金屬等。
圖5B以更詳細(xì)的方式示出鑲嵌圖案51的橫截面。示出四個(gè)獨(dú)立的圖 案區(qū)段51a、 51b、 51c和51d，且這四個(gè)圖案區(qū)段在襯底50上被重復(fù)。每個(gè) 圖案區(qū)段51a、 51b、 51c或51d被設(shè)計(jì)成吸引具有特定屬性的污染物顆粒。 即，第一圖案區(qū)段51a可以設(shè)置用于吸引帶正電荷的顆粒；第二圖案區(qū)段 51b可以設(shè)置用于吸引帶負(fù)電荷的顆粒；第三圖案區(qū)段51c可以設(shè)置用于吸 引具有極性屬性的顆粒；以及第四圖案區(qū)段51d可以設(shè)置用于吸引具有非 極性屬性的顆粒。圖案區(qū)段51a、 51b、 51c或51d可以設(shè)置用于吸引具有電荷和極性的組合中的一種的污染物。第一圖案區(qū)段51a可以設(shè)置用于吸引 帶正電荷的極性污染物。第二圖案區(qū)段51b可以設(shè)置用于吸引帶負(fù)電荷的 極性污染物。第三圖案區(qū)段51c可以設(shè)置用于吸引帶正電荷的非極性污染 物。第四圖案區(qū)段51d可以設(shè)置用于吸引帶負(fù)電荷的非極性污染物。所述 圖案區(qū)段可以通過利用ZETA電勢效應(yīng)吸引中性污染物(即本身不帶電 荷)，其中本身不具有電荷的污染物可能獲得被浸沒污染物的流體所影響 的負(fù)表面電荷或正表面電荷。在水中，例如離子類型和濃度，更特別地酸 或堿屬性(即pH值)影響所述ZETA電勢。
所述圖案區(qū)段可以由用于吸引具有所需屬性的顆粒的任何合適的材 料制成(或者以任何合適的方式處理)。例如，第一圖案區(qū)段51a可能是裸 硅(例如，襯底50自身的被暴露的區(qū)域)。該區(qū)段將帶負(fù)電荷并且是極性 表面。因此，其將吸引帶正電荷的極性污染物。第二圖案區(qū)段51b可能是 胺功能化硅。所述區(qū)段可能帶正電荷，并可能是極性表面。因此，所述區(qū) 段將吸引帶負(fù)電荷的極性污染物。第三圖案區(qū)段51c可能是被HMDS處理 過的硅。因此，所述區(qū)段將帶負(fù)電荷，并成為非極性表面。因此，該區(qū)段 將吸引帶正電荷的非極性污染物。第四區(qū)段51d可能包括被HMDS處理過 的硅，所述被HMDS處理過的硅是胺功能化的。因此該區(qū)段將帶正電荷， 并成為非極性表面。因此，該區(qū)段將吸引帶負(fù)電荷的非極性污染物。
第一、第二、第三和第四圖案區(qū)段51a、 51b、 51c和51d可以以任何合 適的方式被設(shè)置，例如鑲嵌的(例如棋盤狀)圖案、同心環(huán)陣列、環(huán)、環(huán) 的片段、橫跨襯底50的線性帶狀陣列或任何合適的圖案。
圖5C示出圖1的光刻設(shè)備的投影系統(tǒng)PL和浸沒罩IH。浸沒罩IH至少部 分地將浸沒流體60保持在投影系統(tǒng)PL和用于清潔的襯底CW6之間?？梢?看出，浸沒流體60包含污染物61。用于清潔的襯底CW6被以期望的方式相 對于浸沒罩IH和浸沒流體60運(yùn)動(反之亦然)，以便將圖案51的大面積暴 露給浸沒罩IH和浸沒流體60。
圖5D示出當(dāng)浸沒流體60和其包含的污染物61位于用于清潔的襯底 CW6附近時(shí)，隨時(shí)間出現(xiàn)的情況。可以看出，由于圖案表面51的屬性(參 照圖5A和5B所述)，污染物已經(jīng)被吸引到圖案表面51。用于清潔的襯底 CW6可以在一定時(shí)間之后被從浸沒流體60和浸沒罩IH附近去除。然后，用于清潔的襯底CW6可以被清潔，以從其圖案表面51去除污染物61。所述清 潔過程可以例如從所述圖案表面去除污染物，或替代地，去除圖案表面51 自身。如果合適，所述圖案表面可以被重新應(yīng)用到襯底50，或者可以采用 另一個(gè)用于清潔的襯底。
具有四個(gè)不同的重復(fù)的圖案區(qū)段不是必需的?？梢圆捎镁哂胁煌妼?性(例如電荷和極性)的兩個(gè)圖案區(qū)段，或甚至三個(gè)圖案區(qū)段。圖案區(qū)段 的數(shù)量可能依賴于試圖被從所述表面或用于光刻設(shè)備(或其它工具)中的 流體去除的污染物。
替代提供具有電屬性不同的鑲嵌圖案51的用于清潔的襯底，相同的主 要遠(yuǎn)離可以被應(yīng)用，但是采用多個(gè)襯底。例如，替代提供具有電屬性不同 的多個(gè)圖案區(qū)段的單個(gè)襯底，所述襯底可以僅僅設(shè)置有具有電屬性的單一 組合的區(qū)段。多個(gè)襯底中的每個(gè)可以設(shè)置有電屬性組不同或電屬性組合不 同的單一區(qū)段。這些襯底可以被連續(xù)地通過光刻設(shè)備，以清潔例如浸沒罩 和/或浸沒流體。例如，第一襯底可以如上所述設(shè)置有裸硅表面。第二襯 底可以設(shè)置有如上所述的胺功能化的硅表面。第三襯底可以設(shè)置有如上所 述的HMDS處理過的硅層。第四襯底可以設(shè)置有HMDS處理過的硅層，所 述硅層已經(jīng)被胺功能化，如上所述。盡管采用所述多個(gè)襯底清潔浸沒罩和 /或浸沒流體的工藝將起作用，但是其可能不是最有效的方法。例如，不 同的襯底將需要連續(xù)地通過所述設(shè)備，以便對之進(jìn)行清潔，而參照圖5A 和5B所述的襯底可以僅僅需要通過所述設(shè)備一次，這是由于其設(shè)置有電屬 性不同的多個(gè)區(qū)段。于是，從光刻設(shè)備中去除污染物可以采用具有至少兩 個(gè)區(qū)段的襯底更快地實(shí)現(xiàn)，所述至少兩個(gè)區(qū)段中的每個(gè)具有不同的電屬 性，以吸引不同屬性的污染物。
所有上述用于清潔的襯底可以被特別地和單獨(dú)地用作用于清潔的襯 底。然而，這些襯底也可以具有其它的目的和/或功能。例如，上述的清 潔功能可以被引入到襯底中，所述襯底正常情況下被用于卡盤溫度控制或 任何其它目的。例如，上述用于清潔的屬性可以被引入到參考襯底，所述 參考襯底用于對準(zhǔn)光刻設(shè)備的襯底臺、支撐結(jié)構(gòu)等。
應(yīng)當(dāng)理解，上述用于清潔的襯底可以在任何合適的時(shí)候被使用。例如， 所述用于清潔的襯底可以在覆蓋有抗蝕劑的襯底的每次曝光之前被使用。然而，這可能不是理想的，由于生產(chǎn)量可能會被負(fù)面地影響?？赡芨谕?在覆蓋有抗蝕劑的許多(例如一批)襯底被輻射束曝光之前采用上述至少 一個(gè)襯底實(shí)施清潔過程。
如上所述，例如在可能涉及剝?nèi)ヒ呀?jīng)被污染的用于清潔的襯底層等的 合適清潔之后，所述用于清潔的襯底可以被重新使用。替代地，所述用于 清潔的襯底可以被去掉，使用新的用于清潔的襯底，用于清潔光刻設(shè)備的 一部分?？蛇x地，可以在所述用于清潔的襯底上的已有的被污染的層等上 設(shè)置新層等。
在上述實(shí)施例中，所述凸起和凹陷如圖所示是均勻的。這不是必需的， 且所述凸起和凹陷的高度和深度可能在襯底的表面上是有變化的。具有不 同高度的凸起和凹陷可能增加空氣或浸沒流體的湍流，導(dǎo)致從表面或浸沒 流體去除污染物的效率增加。所述凸起的高度或凹陷的深度不應(yīng)當(dāng)使得所 述凸起和/或凹陷在結(jié)構(gòu)上是不穩(wěn)定的。作為通用的規(guī)則，用于形成所述 凸起或凹陷的特征應(yīng)當(dāng)僅為所述特征的寬度的五倍或不大于五倍。所述凸 起和凹陷的間距被定義為凸起的寬度加上相鄰的凹陷的寬度。所述間距可
以在50nm和1000nm之間變化。所述間距可以變化以優(yōu)先考慮凹陷中的污 染物的沉積(或者換句話說，是污染物的收集)。也應(yīng)當(dāng)理解，列狀的凹 陷和凸起的使用不是必需的。所述凸起和凹陷可能是可以保持污染物的任 何結(jié)構(gòu)。例如，所述凸起和凹陷可以由刮擦襯底的表面形成，例如采用化 學(xué)或機(jī)械剖光進(jìn)行。所述圖案不需要是規(guī)則的，且不規(guī)則的圖案可能也是 需要的，這是因?yàn)槠淇梢栽黾涌諝夂?或浸沒流體的湍流，由此增加去除 污染物的效率。
可以在任何一個(gè)時(shí)間或連續(xù)地使用多于一個(gè)的用于清潔襯底。例如， 當(dāng)一個(gè)襯底被用在光刻設(shè)備的一個(gè)部分中時(shí)，另一個(gè)用于清潔的襯底可以 被用在光刻設(shè)備的另一部分中。例如，光刻設(shè)備可以通過將一個(gè)襯底以輻 射曝光而工作，而另一個(gè)襯底被掃描以確定其拓?fù)洹Ｓ糜谇鍧嵉囊r底可以 被用于清潔在這兩個(gè)臺中和這兩個(gè)臺周圍的區(qū)域。
在此所述的多個(gè)用于清潔的襯底中的一個(gè)的至少一個(gè)方面可以被組 合用于單個(gè)襯底上。例如，用于清潔的襯底可能包括刷層和海綿層，或用 于清潔的襯底可能包括刷層和上述凸起和凹陷的布置。進(jìn)而，所述用于清潔的襯底在此已經(jīng)被主要描述為在所述襯底的一側(cè)上具有清潔功能。清潔 功能可能被設(shè)置在襯底的一個(gè)或更多個(gè)其它側(cè)上，以在其它表面在使用后
被污染時(shí)，提供進(jìn)一步的清潔(例如，同時(shí)清潔浸沒罩IH和襯底臺WT， 在襯底臺上，所述用于清潔的襯底被支撐以清潔浸沒罩IH)或者提供用于 在清潔中使用的"干凈的"表面。
如上所述，所述用于清潔的襯底可能被用于清潔光刻設(shè)備的任何合適 的表面。所述用于清潔的襯底甚至可以被用在光刻場外。然而，上述用于 清潔的襯底適合于在光刻中和在特定的浸沒式光刻中使用，在所述浸沒式 光刻中，浸沒罩和/或浸沒流體的污染是很大的問題，且在將來可能隨著 曝光波長的不斷降低而增加。采用用于清潔的襯底清潔用于光刻的設(shè)備的 顯著優(yōu)勢在于所述設(shè)備已經(jīng)配置用于處理襯底。這意味著所述設(shè)備可以通 過所述用于清潔的襯底而被清潔，而不必要打開或至少部分拆除所述設(shè) 備，否則，打開或至少部分拆除所述設(shè)備將允許其它的污染物進(jìn)入所述設(shè) 備。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā) 明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。以上的描述并不對本發(fā)明進(jìn)行限制。
權(quán)利要求
1. 一種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的方法，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備中，所述襯底包括剛性支撐層以及設(shè)置在所述剛性支撐層上的可變形層；將所述襯底的所述可變形層與所述設(shè)備的表面形成接觸，污染物將從所述設(shè)備的表面上去除；引起在所述可變形層和所述設(shè)備的所述表面之間的相對運(yùn)動，以將污染物從所述表面移除，其中污染物將從所述設(shè)備的所述表面被去除；以及去除被移除的污染物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述可變形層保持所述被移除的 污染物的至少一部分。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述襯底從所述設(shè)備中被卸載， 以將被移除的所述一部分污染物去除。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述被移除的污染物的至少一部 分采用流體去除。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述流體是浸沒流體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述設(shè)備是光刻設(shè)備的浸沒罩。
7. —種適用于從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的襯底，所述襯底的 尺寸被設(shè)計(jì)成適合于被光刻設(shè)備所處理，所述襯底包括剛性支撐層；以及設(shè)置在所述剛性支撐層上的可變形層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層包括多個(gè)刷。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層包括多個(gè)纖維。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層包括海綿。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層包括聚乙烯醇海綿。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層采用粘合劑被附 著到所述剛性支撐層上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述可變形層熔合到所述剛性 支撐層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述襯底為大致圓柱形狀。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述襯底具有大約200mm的直 徑或大約300mm的直徑。
16. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述襯底的深度選自大約0.5mm 到大約3.5mm的范圍。
17. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底，其中所述剛性支撐層由石英、硅或 金屬制成。
18. —種從至少部分地被用在光刻中的設(shè)備所容納的流體去除污染物 的方法，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備中，所述襯底包括一系列凸起或凹陷，所述一 系列凸起或凹陷相對于所述流體是易被浸濕的或不易被浸濕的，以促進(jìn)污 染物從所述流體轉(zhuǎn)移到用于清潔的襯底；將所述襯底置于將被去除的污染物所在的流體附近，以使得所述污染 物被從所述流體去除，并被沉積到所述凸起上或所述凹陷中；以及將所述襯底從所述設(shè)備中卸載。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括引入所述襯底和流體之間的相對運(yùn)動，其中污染物將從所述流體去除。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述設(shè)備是光刻設(shè)備的浸沒罩。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述流體是浸沒流體。
22. —種適合于從至少部分地被用于光刻中的設(shè)備所容納的流體中去 除污染物的襯底，所述襯底的尺寸被設(shè)計(jì)成適合于被光刻設(shè)備處理，所述 襯底包括一系列凸起或凹陷，所述凸起或凹陷相對于所述流體是易被浸濕 的或不易被浸濕的，以促進(jìn)污染物從所述流體轉(zhuǎn)移到用于清潔的襯底。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底由不易被浸濕的材料或易被浸濕的材料制成。
24. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述凸起或凹陷設(shè)置有不易被浸濕的或易被浸濕的涂層。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底設(shè)置有不易被浸濕的 材料層或易被浸濕的材料層，所述不易被浸濕的材料層或易被浸濕的材料 層經(jīng)過處理用于形成一系列凸起或凹陷。
26. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凸起或凹陷相對于 浸沒流體是不易被浸濕的或易被浸濕的。
27. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凸起或凹陷是疏水的或親水的。
28. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底包括一系列凹陷和凸 起，且所述凹陷和凸起相對于流體是不易被浸濕的。
29. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底包括一系列凹陷和凸 起，且所述凹陷和凸起相對于流體是易被浸濕的。
30. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底包括一系列凹陷和凸 起，且所述凹陷相對于流體是易被浸濕的，所述凸起相對于流體是不易被 浸濕的。
31. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底包括一系列凹陷和凸 起，且所述凹陷相對于流體是不易被浸濕的，所述凸起相對于流體是易被 浸濕的。
32. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凸起包含不同高度 的凸起。
33. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凹陷包含不同深度 的凹陷。
34. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凸起或凹陷在所述襯底上形成規(guī)則圖案。
35. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述一系列凸起或凹陷在所述襯底上形成不規(guī)則圖案。
36. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底為大致圓柱形狀。
37. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底具有大約200mm的直 徑或大約300mm的直徑。
38. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的襯底，其中所述襯底的深度選自大約 0.5mm到大約3.5mm的范圍。
39. —種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的方法，所述方法包括 將襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述襯底上，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域配置用于吸引污染 物，所述第二區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域不同的極性或電荷，所述第一區(qū)域 和第二區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性且?guī)д姾?、帶極性且?guī)ж?fù)電荷、非極性的并且?guī)д姾伞?以及帶非極性并且?guī)ж?fù)電荷；以及將所述襯底從所述設(shè)備中卸載。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中所述污染物將被從至少部分地被所述設(shè)備所容納的流體中去除。
41. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，包括將所述襯底置于流體附近，或與所述流體接觸，其中污染物將從所述流體中被去除。
42. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，還包括引入在所述襯底和流體之間的相對運(yùn)動，其中污染物將從所述流體中 被去除。
43. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中所述設(shè)備是光刻設(shè)備的浸沒罩。
44. 根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述流體是浸沒流體。
45. —種適合于從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的襯底，所述襯底的 尺寸被設(shè)計(jì)成適合于被光刻設(shè)備處理，所述襯底包括-第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域配置用于吸引污染 物，所述第二區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域不同的極性或電荷，所述第一區(qū)域 和第二區(qū)域中的每個(gè)區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性且?guī)д姾?、帶極性且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д姾?、非極 性的且?guī)ж?fù)電荷。
46. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域在所述襯底上被重復(fù)。
47. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中所述襯底包括第三區(qū)域，所述第三區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域不同的極性或電荷，所述第 三區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性的且?guī)д姾?、帶極性的且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д姾伞⒎菢O性的且?guī)ж?fù)電荷。
48. 根據(jù)權(quán)利要求47所述的襯底，其中所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域 和所述第三區(qū)域在所述襯底上被重復(fù)。
49. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中所述襯底包括第四區(qū)域，所述 第四區(qū)域帶有與所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域不同的極性 或電荷，所述第四區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性的且?guī)д姾?、帶極性的且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д姾伞?非極性的且?guī)ж?fù)電荷。
50. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的襯底，其中所述第一區(qū)域、所述第二區(qū)域、 所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域在所述襯底上被重復(fù)。
51. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域 形成下列之一棋盤狀圖案、同心環(huán)陣列、環(huán)的陣列、環(huán)段的陣列、線性帶狀陣列。
52. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中帶極性且?guī)д姾傻膮^(qū)域由胺功能化的硅表面提供。
53. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中帶極性且?guī)ж?fù)電荷的區(qū)域由硅表面提供。
54. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中非極性的且?guī)д姾傻膮^(qū)域由 六甲基二硅胺烷處理過的胺功能化的硅表面提供。
55. 根據(jù)權(quán)利要求45所述的襯底，其中非極性的且?guī)ж?fù)電荷的區(qū)域由 六甲基二硅胺垸處理過的硅表面提供。
56. —種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的方法，所述方法包括 將第一襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述第一襯底上，所述第一襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所述區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N 情況中的一種帶極性的且?guī)д姾伞O性且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д姾伞?非極性的且?guī)ж?fù)電荷；將所述第一襯底從所述設(shè)備中卸載；將第二襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述第二襯底上， 所述第二襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所述區(qū)域具有與所述第一襯底的區(qū)域不同的極性或電荷，所述第二襯底的區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況 中的一種帶極性的且?guī)д姾?、帶極性的且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д?荷、非極性的且?guī)ж?fù)電荷；以及將所述第二襯底從所述設(shè)備中卸載。
57. 根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，還包括將第三襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述第三襯底上， 所述襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所述區(qū)域具有與所述第一襯 底的區(qū)域和所述第二襯底的區(qū)域不同的極性或電荷，所述第三襯底的區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性的且?guī)д姾?、帶極性的且?guī)ж?fù)電荷、非極性的且?guī)д?荷、以及非極性的且?guī)ж?fù)電荷；以及將所述第三襯底從所述設(shè)備中卸載。
58. 根據(jù)權(quán)利要求57所述的方法，還包括將第四襯底裝載到所述設(shè)備中，以將污染物吸引到所述第四襯底上， 所述襯底包括配置用于吸引污染物的區(qū)域，且所述區(qū)域具有與所述第一襯 底的區(qū)域、所述第二襯底的區(qū)域和所述第三襯底的區(qū)域不同的極性或電 荷，所述第四襯底的區(qū)域?qū)儆谝韵滤姆N情況中的一種帶極性的且?guī)д姾?、帶極性的且?guī)ж?fù)電荷、極性的且?guī)д姾伞⒎菢O性的且負(fù)電荷；以及將所述第四襯底從所述設(shè)備中卸載。
59. 根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述污染物將被從至少部分地被所述設(shè)備所容納的流體去除。
60. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，包括將所述襯底置于所述流體附近或者與所述流體相接觸，其中所述污染物將被從流體中去除。
61. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，還包括引入所述襯底和流體之間的相對運(yùn)動，其中污染物將從所述流體去除。
62. 根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中所述設(shè)備是光刻設(shè)備的浸沒罩。
63. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中所述流體是浸沒流體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的方法以及一種適用于從用于光刻中的設(shè)備去除污染物的襯底，所述方法包括將襯底裝載到所述設(shè)備中，所述襯底包括剛性支撐層以及設(shè)置在所述剛性支撐層上的可變形層；將所述襯底的所述可變形層與所述設(shè)備的表面形成接觸，污染物將從所述設(shè)備的表面上去除；引起在所述可變形層和所述設(shè)備的將被去除的污染物所在的所述表面之間的相對運(yùn)動以將污染物從所述表面移除；以及去除被移除的污染物。本發(fā)明的其它方面也被描述和闡述。
文檔編號G03F7/20GK101446770SQ20081013603
公開日2009年6月3日 申請日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者伊哥·皮卓斯·瑪麗安·布克姆斯, 卡門·路莉婭·祖兒德西, 安東尼內(nèi)斯·馬丁內(nèi)斯·科尼利斯·皮卓斯·德瓊, 弗雷德里克·約翰內(nèi)斯·范德波卡德, 桑德拉·范德格拉夫, 漢斯·詹森, 理查得·約瑟夫·布魯爾斯, 皮特·弗朗西斯科斯·萬騰, 簡·克勞埃伍爾德, 雅克·考爾·約翰·范德多恩克, 馬丁內(nèi)斯·亨得利卡斯·安東尼內(nèi)斯·利恩德爾斯, 馬克斯·西奧多·威廉姆斯·范德黑杰登 申請人:Asml荷蘭有限公司