專利名稱：液晶裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)方式涉及液晶裝置及電子設(shè)備，尤其涉及一種利用了
OCB (Optically Compensated Birefringence)模式的液晶裝置。
背景技術(shù)：
在OCB模式的液晶裝置中，封入在一對(duì)基板間的液晶層被構(gòu)成為能 夠取得噴射(spray)取向或彎曲(bend)取向中任意一種取向狀態(tài)。而且， 該液晶層在初始狀態(tài)下成為噴射取向，在進(jìn)行顯示時(shí)，通過施加轉(zhuǎn)移電壓 使其轉(zhuǎn)移為彎曲取向來使用。這樣的OCB模式的液晶裝置，由于在顯示 動(dòng)作時(shí)通過以彎曲取向的彎曲程度調(diào)制透過率來進(jìn)行顯示，所以，具有高 速響應(yīng)性。
圖18表示OCB模式的液晶裝置的像素構(gòu)造的例子，(a)是俯視圖， (b)是(a)中的D—D線的剖視圖。該液晶裝置的像素44如圖18 (b) 所示，具有元件基板IO、對(duì)置基板30、和配置在元件基板10及對(duì)置基板 30之間的液晶層40。如圖18 (a)所示，在元件基板10上形成有平行配 置的多根柵極線12和多根源極線14，并與柵極線12和源極線14的交叉 對(duì)應(yīng)地形成有TFT (Thin Film Transistor)元件20。而且，TFT元件20與 像素電極16電連接。像素電極16形成在被兩根柵極線12和兩根源極線 14包圍的區(qū)域。俯視情況下，在像素電極16與柵極線12及源極線14之 間設(shè)置有間隔。
在使液晶層40從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移時(shí)，首先在柵極線12與像 素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。此時(shí)，液晶層40中具有連接?xùn)艠O線12和 像素電極16的電力線。產(chǎn)生圖18 (b)所示的電場F。液晶層40中含有 的液晶分子40a根據(jù)電場F改變?nèi)∠蚍较?，向彎曲取向轉(zhuǎn)移。初始階段， 在柵極線12與像素電極16之間的凹部60或其附近，產(chǎn)生了彎曲取向的 轉(zhuǎn)移核。然后，通過在像素電極16與對(duì)置基板30上的公共電極36之間
施加轉(zhuǎn)移電壓，能夠以轉(zhuǎn)移核為起點(diǎn)，在像素電極16上擴(kuò)展彎曲取向區(qū) 域。這樣，可以進(jìn)行從噴射取向向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。這種轉(zhuǎn)移的方法例如 己被專利文獻(xiàn)1公開。
專利文獻(xiàn)l:特開2001—296519號(hào)公報(bào)
不過，在上述液晶裝置的情況下，轉(zhuǎn)移核主要在像素電極16的外側(cè) 的凹部60的位置產(chǎn)生。為了從該狀態(tài)開始在像素電極16上擴(kuò)展彎曲取向 區(qū)域，需要超過凹部60與像素電極16之間的階梯差地進(jìn)行擴(kuò)大，因此， 存在著彎曲取向區(qū)域難以擴(kuò)大的問題。基于該問題，為了在像素電極16 上擴(kuò)大彎曲取向區(qū)域，需要高的轉(zhuǎn)移電壓，因此，存在著向彎曲取向轉(zhuǎn)移 動(dòng)作時(shí)的耗電增大的問題。而且，在向彎曲取向轉(zhuǎn)移之際，需要到轉(zhuǎn)移核 中產(chǎn)生的彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16上的整個(gè)范圍為止，持續(xù)施加 轉(zhuǎn)移電壓，其中，像素越大，為了使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16上 的整個(gè)范圍所需要的時(shí)間越長。因此，作為使液晶裝置的耗電降低的目的 之一，需求一種能夠以更低的轉(zhuǎn)移電壓、在更短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行轉(zhuǎn)移的液晶 裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而提出的，可以作為以下的 方式或應(yīng)用例來實(shí)現(xiàn)。
(應(yīng)用例1) 一種液晶裝置，具備第一基板；與所述第一基板對(duì)置 配置的第二基板；配置在所述第一基板與所述第二基板之間的、能夠取得 噴射取向或彎曲取向中任意一種取向狀態(tài)的液晶層；在所述第一基板的所 述液晶層側(cè)形成的多根柵極線；在所述第一基板的所述液晶層側(cè)，俯視情 況下形成為與所述柵極線交叉的多根源極線；在所述第一基板的所述液晶 層側(cè)，對(duì)應(yīng)于所述柵極線與所述源極線的交叉而形成的開關(guān)元件；和形成 在所述第一基板的所述液晶層側(cè)，與所述開關(guān)元件電連接的像素電極；所 述像素電極在俯視情況下，與多根所述柵極線和多根所述源極線中至少和 所述像素電極相鄰的一根柵極線的一部分、或和所述像素電極相鄰的一根 源極線的一部分重疊。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，在對(duì)柵極線或源極線、和與其局部重疊的像素電極
之間施加了轉(zhuǎn)移電壓之際，與不重疊的情況相比，會(huì)在液晶層中產(chǎn)生具有 很多第一基板的法線方向的分量的電場。而且，該電場因電極間距離接近 而強(qiáng)度增大。根據(jù)這樣的電場，可以在液晶層中更加容易地產(chǎn)生彎曲取向 的轉(zhuǎn)移核。即，能夠以更低的轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核。并且，根 據(jù)上述構(gòu)成，由于在某一區(qū)域中柵極線或源極線與像素電極局部重疊，所 以，在該區(qū)域中，柵極線或源極線與像素電極之間不會(huì)形成間隙，從而無 法形成凹部。因此，在施加轉(zhuǎn)移電壓之際，轉(zhuǎn)移核不會(huì)嵌入到上述凹部， 能夠使彎曲取向區(qū)域容易地?cái)U(kuò)展到像素電極上。從而，能夠以低的轉(zhuǎn)移電 壓擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。其中，本說明書中"轉(zhuǎn)移電壓"是用于使液晶層從噴 射取向轉(zhuǎn)移為彎曲取向的電壓。而"俯視"是指從第一基板的法線方向觀 察。
(應(yīng)用例2)在上述液晶裝置中，所述像素電極形成為至少具有沿 著所述柵極線延伸的兩條邊、和沿著所述源極線延伸的兩條邊，與所述像 素電極重疊的所述一根柵極線或所述一根源極線，未對(duì)應(yīng)于和該像素電極 電連接的所述開關(guān)元件。
根據(jù)該構(gòu)成，像素電極和未與該像素電極自身電連接的柵極線或源極 線局部重疊。因此，即使因該重疊產(chǎn)生了寄生電容，也可將對(duì)顯示造成的 影響抑制得低。而且，通過限定與像素電極重疊的柵極線或源極線的數(shù)量 或重疊的面積，可以降低因該重疊而產(chǎn)生的寄生電容。
(應(yīng)用例3)在上述液晶裝置中，所述柵極線或所述源極線具有彎曲 部，所述像素電極的邊沿著所述柵極線的所述彎曲部或所述源極線的所述 彎曲部彎曲，所述像素電極在所述彎曲部中，俯視情況下與所述柵極線的 一部分或所述源極線的一部分重疊。
根據(jù)該構(gòu)成，當(dāng)在柵極線或源極線與像素電極之間施加了轉(zhuǎn)移電壓 時(shí)，可以在彎曲部的附近容易地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。因此，能夠以更低的轉(zhuǎn)移電 壓進(jìn)行向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。
(應(yīng)用例4)在上述液晶裝置中，所述彎曲部具有V字形狀或矩形狀 的部分。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，當(dāng)在柵極線或源極線與像素電極之間施加了轉(zhuǎn)移電 壓時(shí)，可以在V字形狀的角部或矩形狀的角部、或者角部之間接近的情況
下在邊部的附近，容易地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。由此，能夠以更低的轉(zhuǎn)移電壓進(jìn)行 彎曲取向的轉(zhuǎn)移。
(應(yīng)用例5)在上述液晶裝置中，具備在所述第一基板的所述液晶 層側(cè)之中，俯視情況下至少在沿著所述彎曲部的區(qū)域或具有沿著所述彎曲 部的邊的區(qū)域形成的反射膜；和在所述第二基板的所述液晶層側(cè)之中，俯 視情況下在與所述反射膜重疊的區(qū)域形成的液晶層厚調(diào)整層。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，通過轉(zhuǎn)移電壓的施加，會(huì)在形成有反射膜及液晶層 厚調(diào)整層的區(qū)域、或其附近產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。其中，形成有反射膜的區(qū)域的液 晶層的厚度，比沒有形成反射膜的區(qū)域的液晶層的厚度要小液晶層厚調(diào)整 層的厚度。因此，在形成有反射膜的區(qū)域，基于轉(zhuǎn)移電壓的電場強(qiáng)度變大， 彎曲取向區(qū)域在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)大。由此，根據(jù)上述構(gòu)成，能夠沿著反射膜形 成區(qū)域以短的時(shí)間擴(kuò)大彎曲取向區(qū)域。
(應(yīng)用例6)在上述液晶裝置中，所述像素電極的至少對(duì)置的兩條邊， 沿著所述柵極線的所述彎曲部或所述源極線的所述彎曲部彎曲，所述反射 膜及所述液晶層厚調(diào)整層在俯視情況下，在連接所述對(duì)置的兩條邊的區(qū)域 中，形成為一體連接。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，從像素電極的對(duì)置的兩條邊到像素電極的中央部， 可一體連接地設(shè)置液晶層的厚度小的區(qū)域。因此，能夠以在上述兩條邊的 附近產(chǎn)生的轉(zhuǎn)移核為起點(diǎn)，使彎曲取向區(qū)域短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展到像素電極的中 央部。
(應(yīng)用例7)在上述液晶裝置中，所述反射膜及所述液晶層厚調(diào)整層 具有隨著遠(yuǎn)離所述像素電極的彎曲的邊而寬度增大的部分。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，從像素電極的上述對(duì)置的兩條邊朝向中央部擴(kuò)大的 彎曲取向區(qū)域，在中央部附近具有與上述兩條邊平行的速度分量地?cái)U(kuò)大。 由此，由于在沒有形成反射膜及液晶層厚調(diào)整層的區(qū)域中，彎曲取向區(qū)域 也具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大，所以，能夠在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(應(yīng)用例8)在上述液晶裝置中，所述反射膜及所述液晶層厚調(diào)整層 在所述像素電極的中央部，形成在以放射狀擴(kuò)展的區(qū)域。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，從像素電極的上述對(duì)置的兩條邊朝向中央部擴(kuò)大的 彎曲取向區(qū)域，在反射膜及液晶層厚調(diào)整層以放射狀擴(kuò)展的部分中，具有
沿著該部分的延伸方向的各種速度分量地?cái)U(kuò)大。由此，由于在沒有形成反 射膜及液晶層厚調(diào)整層的區(qū)域中，彎曲取向區(qū)域也具有上述速度分量地?cái)U(kuò) 大，所以，能夠在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(應(yīng)用例9) 一種具備上述液晶裝置的電子設(shè)備。 根據(jù)該構(gòu)成，能夠獲得一種在短時(shí)間內(nèi)或以低的耗電使液晶裝置轉(zhuǎn)移 為彎曲取向模式的電子設(shè)備。


圖1表示液晶裝置的構(gòu)成，(a)是立體圖，(b)是(a)中的A—A
線的剖視圖。
圖2是表示噴射取向及彎曲取向的液晶分子的取向狀態(tài)的示意圖。 圖3是顯示區(qū)域的放大俯視圖。
圖4是液晶裝置的顯示區(qū)域中的各種元件、布線等的等效電路圖。 圖5是表示像素構(gòu)成的圖，(a)是從對(duì)置基板側(cè)觀察時(shí)的俯視圖， (b)是(a)中的B1—B1線的剖視圖。 圖6是圖5 (a)中的C一C線的剖視圖。 圖7是表示像素的構(gòu)成的圖，(a)是俯視圖，
一B2線的剖視圖。
圖8是表示像素的構(gòu)成的圖， 一B3線的剖視圖。
圖9是表示像素的構(gòu)成的圖， 一B4線的剖視圖。
圖IO是表示像素的構(gòu)成的圖: 一B5線的剖視圖。
圖U是表示像素的構(gòu)成的圖: 一B6線的剖視圖。
圖12是表示像素的構(gòu)成的圖: 一B7線的剖視圖。
圖13是表示像素的構(gòu)成的圖: 一B8線的剖視圖。
(a)是俯視圖， (a)是俯視圖， (a)是俯視圖， (a)是俯視圖， (a)是俯視圖， (a)是俯視圖，
(b)是(a)中的B2 (b)是(a)中的B3 (b)是(a)中的B4 (b)是(a)中的B5 (b)是(a)中的B6 (b)是(a)中的B7 (b)是(a)中的B8
圖14是表示像素的構(gòu)成的圖，(a)是俯視圖，(b)是(a)中的B9 一B9線的剖視圖。
圖15是表示像素的構(gòu)成的圖，(a)是俯視圖，(b)是(a)中的B10 一B10線的剖視圖。
圖16是作為電子設(shè)備的移動(dòng)電話機(jī)的立體圖。
圖17是表示變形例的像素的構(gòu)成的俯視圖。
圖18表示OCB模式的液晶裝置的像素構(gòu)造的例子，(a)是俯視圖， (b)是(a)中的D—D線的剖視圖。
圖中l(wèi)一液晶裝置，IO —元件基板，U—第一基板，12—柵極線， 14一源極線，15 —電容線，16 —像素電極，18 —反射膜，20 —作為開關(guān)元 件的TFT元件，23、 24—層間絕緣層，30 —對(duì)置基板，31 —第二基板，32 一彩色濾波器，34—遮光層，35 —液晶層厚調(diào)整層，36 —公共電極，40 — 液晶層，40a—液晶分子，41一密封劑，43 —顯示區(qū)域，44一像素，50 — 轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置，52 —彎曲部，IOO —作為電子設(shè)備的移動(dòng)電話機(jī)。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖，對(duì)液晶裝置及電子設(shè)備的實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中， 在以下所示的各附圖中，為了將各構(gòu)成要素設(shè)為能夠在附圖上識(shí)別程度的 大小，所以，使各構(gòu)成要素的尺寸和比例與實(shí)際的適當(dāng)不同。 (第一實(shí)施方式)
<八.液晶裝置的構(gòu)成>
圖l表示了液晶裝置l的構(gòu)成，(a)是立體圖，(b)是(a)中的A 一A線的剖視圖。液晶裝置1是利用了TFT元件20 (圖4)作為開關(guān)元件 的有源矩陣型的液晶裝置，并且，是OCB模式的液晶裝置。液晶裝置1 具有借助框狀的密封劑41而對(duì)置貼合的元件基板10及對(duì)置基板30。被元 件基板10、對(duì)置基板30和密封劑41包圍的空間中，封入有能夠取得噴射 取向或彎曲取向中任意一個(gè)取向狀態(tài)的液晶層40。元件基板10比對(duì)置基 板30大，以一部分相對(duì)于對(duì)置基板30突出的狀態(tài)與之貼合。在該突出的 部位，安裝有用于驅(qū)動(dòng)液晶層40的驅(qū)動(dòng)IC42。
液晶裝置1在封入了液晶層40的顯示區(qū)域43中進(jìn)行顯示。液晶層40
初期成為圖2 (a)所示的噴射取向，在進(jìn)行顯示時(shí)，轉(zhuǎn)移成圖2 (b)所 示的彎曲取向來使用。從噴射取向向彎曲取向的轉(zhuǎn)移，通過對(duì)液晶層40 施加轉(zhuǎn)移電壓來進(jìn)行。在彎曲取向中，液晶層40中含有的液晶分子40a 以弓狀排列，通過改變?cè)摴螤畹膹澢某潭?，來調(diào)制透過率，從而進(jìn)行 顯示。
圖3是顯示區(qū)域43的放大俯視圖。如該圖所示，液晶裝置1具有多 個(gè)與紅、綠、藍(lán)對(duì)應(yīng)的像素44R、 44G、 44B (以下，在不區(qū)分對(duì)應(yīng)的顏色 的情況下也簡單稱為像素44)。像素44被配置成矩陣狀，配置于某一列 的像素44的顏色全都相同。換言之，像素44被配置成對(duì)應(yīng)的顏色排列為 條紋狀。在相鄰的像素44之間的區(qū)域形成有遮光層34。而且，由行方向 相鄰排列的3個(gè)像素44R、 44G、 44B構(gòu)成的像素組，成為顯示的最小單 位(像素)。液晶裝置1通過在各像素組中調(diào)節(jié)像素44R、 44G、 44B的 亮度平衡，可以進(jìn)行各種顏色的顯示。
<8.等效電路>
圖4是液晶裝置1的顯示區(qū)域43中的各種元件、布線等的等效電路 圖。在顯示區(qū)域43中，交叉地形成有多條柵極線12和多條源極線14。像 素44與柵極線12和源極線14的交叉對(duì)應(yīng)地設(shè)置，按每個(gè)像素44形成有 像素電極16。而且，沿著柵極線12形成有電容線15，在像素電極16與 電容線15之間形成有輔助電容15a。
在與柵極線12和源極線14的交叉對(duì)應(yīng)的位置上，形成有用于對(duì)像素 電極16進(jìn)行通電控制的、作為開關(guān)元件的TFT元件20。 TFT元件20的 源極端子與源極線14電連接。TFT元件20的柵極端子與柵極線12電連 接。TFT元件20的漏極端子與像素電極16電連接。
液晶裝置1基于這樣的電路結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行顯示時(shí)如下所述動(dòng)作。其中， 對(duì)于液晶裝置1的從噴射取向到彎曲取向的轉(zhuǎn)移動(dòng)作，將在后面敘述。
各源極線14被供給圖像信號(hào)Sl、 S2、 ...、 Sm。柵極線12被以規(guī)定 的定時(shí)按脈沖方式或連續(xù)地供給掃描信號(hào)G1、 G2、 ...、 Gn。并且，如果 從柵極線12向TFT元件20的柵極端子供給掃描信號(hào)G1、 G2、…、Gn， 使得TFT元件20成為導(dǎo)通狀態(tài)，則以規(guī)定的定時(shí)從源極線14供給的圖像 信號(hào)S1、 S2.....Sm會(huì)經(jīng)由丁FT元件20施加給像素電極16。
由施加給像素電極16的規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1、 S2、 ...、 Sm、和公 共電極36 (圖5 (b))的電位決定的電壓成為驅(qū)動(dòng)電壓，被施加給液晶 層40。上述驅(qū)動(dòng)電壓被液晶層40的電容及輔助電容15a保持一定時(shí)間。 如果對(duì)液晶層40施加驅(qū)動(dòng)電壓，則液晶分子40a的取向狀態(tài)根據(jù)被施加 的電壓等級(jí)而變化。由此，可調(diào)制入射到液晶層40中的光，能夠?qū)崿F(xiàn)灰 度顯示。
〈C.剖面構(gòu)造〉
圖5是表示像素44的構(gòu)成的圖，(a)是從對(duì)置基板30側(cè)觀察時(shí)的 俯視圖，(b)是(a)中的B1—Bl線的剖視圖。圖6是圖5 (a)中的C 一C線的剖視圖。下面，參照這些附圖，對(duì)像素44的構(gòu)成進(jìn)行說明。
如圖6所示，元件基板10以作為第一基板的基板11為基體構(gòu)成。作 為基板ll，可以使用玻璃基板或石英基板等。在基板11的液晶層4(H則， 形成有柵極線12和電容線15。在基板11與柵極線12及電容線15之間， 還可以設(shè)置有由氧化硅(Si02)等構(gòu)成的絕緣層。在柵極線12的上層， 隔著由氧化硅(Si02)等形成的層間絕緣層23形成有半導(dǎo)體層20a。半導(dǎo) 體層20a例如可以由非晶硅或多晶硅等構(gòu)成。而且，以一部分與半導(dǎo)體層 20a重疊的狀態(tài)，形成有源電極20s和漏電極20d。源電極20s可以與源極 線14 (圖5 (a)) —體形成。由半導(dǎo)體層20a、源電極20s、漏電極20d 和柵極線12等構(gòu)成TFT元件20。柵極線12兼具TFT元件20的柵電極 20g的功能。柵極線12 (柵電極20g)、源電極20s、漏電極20d、源極線 14、電容線15例如可以由含有鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、 鉬(Mo)等高熔點(diǎn)金屬中的至少一個(gè)的金屬單體、合金、金屬硅化物、 多晶硅化物、將它們層疊的構(gòu)件、或?qū)щ娦远嗑Ч璧葮?gòu)成。
在TFT元件20的上層，隔著由氧化硅(Si02)等構(gòu)成的層間絕緣層 24形成有像素電極16。像素電極16借助設(shè)置于層間絕緣層24的接觸孔 21，與TFT元件20的漏電極20d電連接。像素電極16例如可以由具有透 光性的ITO (Indium Tin Oxide)構(gòu)成。像素電極16與電容線15對(duì)置，在 與電容線15之間構(gòu)成輔助電容15a (圖4)。在像素電極16上，形成有 由聚酰亞胺構(gòu)成的取向膜(未圖示)。元件基板10由從基板11到取向膜 的要素構(gòu)成。
對(duì)置基板30以作為第二基板的基板31為基體構(gòu)成。作為基板31，可 以使用玻璃基板或石英基板等。在基板31的液晶層40側(cè)形成有彩色濾波 器32。彩色濾波器32構(gòu)成為包括與紅、綠、藍(lán)各色對(duì)應(yīng)的三種色要素， 這些色要素分別被配置在像素44R、 44G、 44B中。而且，在與彩色濾波 器32相同的層中形成有遮光層34 (圖3)。
在彩色濾波器32上形成有由ITO構(gòu)成的公共電極36。公共電極36 形成為遍及顯示區(qū)域43 (圖1)的近似整體。在公共電極36上形成有由 聚酰亞胺構(gòu)成的取向膜(未圖示)。對(duì)置基板30由從基板31到取向膜的 要素構(gòu)成。
在元件基板10與對(duì)置基板30之間，如上所述配置有液晶層40。元件 基板10及對(duì)置基板30的取向膜在俯視下沿著柵極線12的方向(圖5 (a) 中的橫方向)都被實(shí)施了研磨處理。由此，液晶層40中含有的液晶分子 40a在電壓非施加時(shí)，在沿著柵極線12的方向上取向。因此，液晶層40 在電壓非施加時(shí)成為平行取向。液晶層40中可以使用一般的向列型液晶。 例如，可以設(shè)液晶層40的厚度為5pm，液晶分子40a的An為0.15。
在元件基板IO、對(duì)置基板30的外側(cè)分別配置有未圖示的偏光板。這 兩個(gè)偏光板的透過軸被配置成相互近似正交，并且，被配置成與取向膜的 研磨處理的方向(即，柵極線12的延伸方向)近似成45度的角度。另外， 根據(jù)需要，可以在偏光板與元件基板10或?qū)χ没?0之間配置相位差板。 作為相位差板，可以使用V4板或組合了人/2及X/4板的相位差板。并且， 可以根據(jù)需要，在偏光板與元件基板10或?qū)χ没?0之間配置光學(xué)補(bǔ)償 膜。作為該光學(xué)補(bǔ)償膜，可以使用使折射率各向異性為負(fù)的盤狀液晶分子 (Discotic Liquid Qystals)等混合取向而成的負(fù)的單軸性介質(zhì)(例如富士 膠片制造的WV膜)、使折射率各向異性為正的向列型液晶分子(Nematic Liquid Crystals)等混合取向而成的正的單軸性介質(zhì)(例如新日本石油制造 的NH膜)等，還可以將負(fù)的單軸性介質(zhì)與正的單軸性介質(zhì)組合使用。另 外，也可以使用各方向的折射率滿足nx>ny>nz的雙軸性介質(zhì)或負(fù)的C一 Plate等。
并且，在元件基板10的外側(cè)配置有具有光源、反射器、導(dǎo)光板等的 背光燈(未圖示)。
<D.平面構(gòu)造>
圖5 (a)表示了上述的構(gòu)成要素中，元件基板10中包含的要素的平 面配置。多條柵極線12被配置成相互并行，多條源極線14也被配置成相 互并行。柵極線12與源極線14被配置成俯視下相互交叉，本實(shí)施方式中 被配置成近似正交。
像素電極16形成為具有沿著相鄰的兩條柵極線12延伸的兩條邊、和 沿著相鄰的兩根源極線14延伸的兩條邊。而且，像素電極16被配置在由 相鄰的兩根柵極線12和相鄰的兩根源極線14包圍的區(qū)域。
這里，柵極線12具有V字形狀的彎曲部52。而且，像素電極16的 邊中的沿著柵極線12的邊，沿著柵極線12的彎曲部52彎曲成V字形狀。 并且，像素電極16在包括彎曲部52的部位，按照俯視下與柵極線12的 一部分重疊的方式，形成為向柵極線12的方向突出。
〈E.轉(zhuǎn)移動(dòng)作〉
具有以上構(gòu)造的液晶裝置1通過如下所述迸行動(dòng)作，可以使液晶層40 從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移。
首先，在第一步驟中，對(duì)柵極線12與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。 該轉(zhuǎn)移電壓例如可以設(shè)為5V的交流的矩形波，施加時(shí)間例如設(shè)為0.5秒。 通過向柵極線12施加轉(zhuǎn)移用的信號(hào)，并且，在導(dǎo)通了TFT元件20的狀態(tài) 下對(duì)源極線14施加轉(zhuǎn)移用的信號(hào)，由此向像素電極16供給該信號(hào)，來進(jìn) 行該步驟。
圖5 (b)表示了此時(shí)在液晶層40中產(chǎn)生的電場E及液晶分子40a的 舉動(dòng)。如該圖所示，在柵極線12與像素電極16重疊的區(qū)域中，由于柵極 線12與像素電極16位于極近距離，所以，在柵極線12與像素電極16之 間會(huì)產(chǎn)生具有很多基板ll的法線方向(以下也稱作縱向)的分量的電場E。 例如，電場E與在柵極線12和像素電極16之間不重疊的現(xiàn)有液晶裝置中 的電場F (圖18)相比，具有更多縱向的分量。并且，液晶分子40a沿著 電場E的方向改變?nèi)∠蚍较颉４藭r(shí)，由于電場E具有很多縱向的分量，所 以，液晶分子40a也將取向方向改變?yōu)榭v向。在液晶分子40a取得這樣的 舉動(dòng)時(shí)，容易發(fā)生從噴射取向向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。因此，通過產(chǎn)生電場E， 可以使液晶層40容易地產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核。即，在第一步驟中，能
夠以低的轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核。
這里，產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核的位置(圖5 (a) 、 (b)中的轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置50) 俯視下分布在柵極線12與像素電極16的交界附近。
接下來的第二步驟中，在像素電極16與公共電極36之間施加轉(zhuǎn)移電 壓。該轉(zhuǎn)移電壓例如可以設(shè)為5V的交流的矩形波。該步驟中，在像素電 極16上的液晶層40中產(chǎn)生具有基板11的法線方向的分量的電場(縱電 場)?？衫迷撾妶?，在像素電極16上的廣闊范圍中驅(qū)動(dòng)液晶分子40a。 結(jié)果，以第一步驟中產(chǎn)生的轉(zhuǎn)移核為起點(diǎn)，彎曲取向區(qū)域在像素電極16 上擴(kuò)展。彎曲取向區(qū)域例如在圖5 (a) 、 (b)中，沿著以轉(zhuǎn)移核發(fā)生位 置50為起點(diǎn)而描繪的箭頭所示的方向擴(kuò)展。
其中，由于轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置50如上所述，俯視下位于柵極線12與像 素電極16的交界附近，所以，轉(zhuǎn)移核的至少一部分產(chǎn)生在像素電極16上。 因此，在以轉(zhuǎn)移核為起點(diǎn)，彎曲取向區(qū)域向像素電極16上擴(kuò)展時(shí)，彎曲 取向區(qū)域不需要超越大的階差。因此，可容易地?cái)U(kuò)展彎曲取向區(qū)域，進(jìn)而 能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓將彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16上。
并且，在柵極線12與像素電極16重疊的區(qū)域中，由于俯視下在柵極 線12與像素電極16之間沒有形成間隙，不會(huì)在柵極線12與像素電極16 之間形成凹部，所以，轉(zhuǎn)移核不會(huì)嵌入到這樣的凹部中而難以向該凹部之 外擴(kuò)展。因此，可容易地?cái)U(kuò)展彎曲取向區(qū)域，進(jìn)而能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓將 彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16上。
綜上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在第一步驟中能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生 彎曲取向的轉(zhuǎn)移核，第二步驟中能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。 因此，在液晶裝置l中，可以降低從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移所需要的耗 電。而且，作為顯示動(dòng)作所使用的驅(qū)動(dòng)電路，可使用更低耐壓規(guī)格的驅(qū)動(dòng) 電路。
〈F.第一實(shí)施方式的變形例〉
第一實(shí)施方式是柵極線12與像素電極16 —部分重疊的構(gòu)成，但也可 進(jìn)行取代，形成源極線14與像素電極16—部分重疊的構(gòu)成。該情況下， 在轉(zhuǎn)移動(dòng)作的第一步驟中，對(duì)源極線14與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。 而且，優(yōu)選在源極線14中設(shè)置彎曲部，沿著該彎曲部使像素電極16的邊
彎曲。
或者，也可以采用將像素電極16重疊在柵極線12及源極線14的每
一個(gè)上的構(gòu)成。該情況下，優(yōu)選在柵極線12及源極線14上設(shè)置彎曲部， 使像素電極16的邊沿著該彎曲部彎曲。
另外，在圖5 (a)中柵極線12與像素電極16重疊的部分的寬度，被 從柵極線12的寬度的一成描繪為2成左右，但不限定于此，可以以任意 的寬度重疊。例如，即使在重疊的部分的寬度幾乎為零、像素電極16的 邊與柵極線12的外形線俯視下實(shí)質(zhì)一致的情況下，也可以得到本實(shí)施方 式的效果。
以上說明中，彎曲部的數(shù)量可以為像素電極16的平均每條邊為一個(gè)， 也可以為兩個(gè)以上。如果設(shè)為兩個(gè)以上，則可以在更多的位置產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。
此外，也可以形成在柵極線12及源極線14上沒有彎曲部的構(gòu)成。該 情況下，通過柵極線12或源極線14與像素電極16 —部分重疊，也能夠 以更低的轉(zhuǎn)移電壓進(jìn)行向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。
(第二實(shí)施方式)
接著，對(duì)第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的不同 點(diǎn)在于柵極線12與像素電極16在俯視下的相對(duì)位豈關(guān)系，其他點(diǎn)與第一 實(shí)施方式相同。
圖7是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B2—B2線的剖視圖。如圖7 (a)所示，俯 視情況下，像素電極16a僅與隔著像素電極16a配置的兩根柵極線12a、 12b中未借助TFT元件20與該像素電極16a電連接(未對(duì)應(yīng))的柵極線 12b的一部分重疊。即，在圖7 (a)中，像素電極16a與配置在該像素電 極16a的上側(cè)的柵極線12b局部重疊，與配置在該像素電極16a的下側(cè)的 柵極線12a不重疊。其中，與像素電極16a重疊的柵極線12b未與該像素 電極16a電連接。因此，即使因?yàn)樵撝丿B產(chǎn)生了寄生電容，也可將對(duì)顯示 造成的影響抑制得低。
另外，如圖7 (b)所示，俯視情況下，柵極線12a僅與隔著該柵極線 12a的兩個(gè)像素電極16a、 16b中的一方像素電極16b重疊。這樣，通過限
定柵極線12與像素電極16重疊的面積，可降低因該重疊而產(chǎn)生的寄生電 容。
而且，在柵極線12與像素電極16重疊的部位，與第一實(shí)施方式同樣, 能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核，并且，能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓 擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。因此，可降低從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移所需要的耗 電。另外，作為顯示動(dòng)作中使用的驅(qū)動(dòng)電路，可以利用更低耐壓規(guī)格的驅(qū) 動(dòng)電路。
由于俯視下將柵極線12與像素電極16重疊的作法會(huì)招致寄生電容增 加這一作用，所以，以往沒有釆用這樣的作法，但根據(jù)本實(shí)施方式的構(gòu)成， 不僅可抑制寄生電容的影響，而且還能夠享受該重疊帶來的好處，也就是 使得轉(zhuǎn)移容易化。
(第三實(shí)施方式)
接著，對(duì)第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第二實(shí)施方式的不同 之處在于柵極線12、源極線14、像素電極16在俯視下的形狀及它們的相 對(duì)位置關(guān)系，其他方面與第二實(shí)施方式相同。
圖8是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B3 —B3線的剖視圖。如圖8 (a)所示，本 實(shí)施方式中，沒有在柵極線12上設(shè)置彎曲部，而在源極線14a、 14b上設(shè) 置有V字狀的彎曲部52。對(duì)于像素電極16a而言，沿源極線14a、 14b的 邊沿著源極線14a、 14b的彎曲部52彎曲成V字狀，沿著柵極線12的邊 不彎曲。而且，源極線14a、 14b相對(duì)像素電極16a的一條邊具有兩個(gè)彎 曲部52。在轉(zhuǎn)移動(dòng)作之際，第一步驟中在源極線14a和像素電極16a之間 施加轉(zhuǎn)移電壓。
俯視情況下，像素電極16a僅與隔著像素電極16a配置的兩根源極線 14a、 14b中未借助TFT元件20與該像素電極16a電連接(未對(duì)應(yīng))的源 極線14b的一部分重疊。g卩，在圖8 (a)中，像素電極16a與在該像素電 極16a的右側(cè)配置的源極線14b局部重疊，與在該像素電極16a的左側(cè)配 置的源極線14a不重疊。其中，與像素電極16a重疊的源極線14b不與該 像素電極16a電連接。因此，即使因該重疊產(chǎn)生了寄生電容，也可以將對(duì)
顯示造成的影響抑制得低。
另外，如圖8 (b)所示，俯視情況下，源極線14b僅與隔著該源極線
14b的兩個(gè)像素電極16a、 16b中的一方像素電極16a重疊。這樣，通過限 定源極線14與像素電極16重疊的面積，可降低因該重疊而產(chǎn)生的寄生電 容。
而且，在源極線14與像素電極16重疊的部位，與第一實(shí)施方式同樣， 能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核，并且，能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓 擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。因此，可降低從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移所需要的耗 電。另外，作為顯示動(dòng)作所使用的驅(qū)動(dòng)電路，可以利用更低耐壓規(guī)格的驅(qū) 動(dòng)電路。
<第三實(shí)施方式的變形例>
第三實(shí)施方式可與第二實(shí)施方式組合實(shí)施。即，在柵極線12及源極 線14上都形成彎曲部，使像素電極16的邊沿著它們的彎曲部彎曲。轉(zhuǎn)移 動(dòng)作之際，在第一步驟中對(duì)柵極線12與像素電極16之間、及源極線14 與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。并且，將像素電極16配置成和未與該 像素電極16電連接(未對(duì)應(yīng))的柵極線12及源極線14局部重疊。根據(jù) 該構(gòu)成，能夠在更多的位置產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，從而可更容易地進(jìn)行向彎曲取向 的轉(zhuǎn)移。
(第四實(shí)施方式)
接著，對(duì)第四實(shí)施方式迸行說明。本實(shí)施方式是對(duì)第一實(shí)施方式施加 了變更的方式，以下主要說明與第一實(shí)施方式不同的部分。其他部分與第 一實(shí)施方式相同。
圖9是表示本實(shí)施方式的液晶裝置I中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B4—B4線的剖視圖。如圖9 (a)所示，像 素電極16具有俯視情況下沿著柵極線12及源極線14延伸的邊，俯視下 未與柵極線12及源極線14重疊。柵極線12具有V字狀的彎曲部52，像 素電極16的沿著柵極線12的邊沿著彎曲部52彎曲為V字狀。
而且，俯視情況下在沿著柵極線12的彎曲部52的區(qū)域或具有沿著所 述彎曲部52的邊的區(qū)域中，形成有由鋁構(gòu)成的反射膜18。本實(shí)施方式中，
在像素電極16的配置區(qū)域中沿著柵極線12的兩條邊的區(qū)域中形成有反射
膜18。如圖9 (b)所示，反射膜18形成在基板U的液晶層40側(cè)。更具 體而言，例如可以形成在層間絕緣層24與像素電極16之間。配置了像素 電極16的區(qū)域中，配置有反射膜18的區(qū)域成為有助于反射顯示的反射顯 示區(qū)域，沒有配置反射膜18的區(qū)域成為有助于透過顯示的透過顯示區(qū)域。 在反射顯示區(qū)域中，利用反射膜18反射從對(duì)置基板30側(cè)入射的光，進(jìn)行 顯示。在透過顯示區(qū)域，使從元件基板10側(cè)入射的光向?qū)χ没?0側(cè)透 過來進(jìn)行顯示。
另外，在基板31的液晶層40側(cè)中至少俯視下與反射膜18重疊的區(qū) 域，形成有液晶層厚調(diào)整層35。因此，液晶層厚調(diào)整層35至少被配置在 反射顯示區(qū)域。液晶層厚調(diào)整層35可以由具有透光性的樹脂等構(gòu)成，例 如可以形成在彩色濾波器32與公共電極36之間的層中。按照反射顯示區(qū) 域中的液晶層40的厚度比透過顯示區(qū)域中的液晶層40的厚度薄的方式， 來調(diào)整液晶層厚調(diào)整層35的厚度。在使反射顯示區(qū)域中的液晶層40的厚 度為透過顯示區(qū)域中的液晶層40的厚度的1/2的情況下，反射顯示區(qū)域中 的液晶層40的厚度約為2.5pm。由此，在反射顯示區(qū)域與透過顯示區(qū)域之 間，可使入射光在液晶層40內(nèi)通過的距離大致相等。因此，可將反射顯 示和透過顯示的光學(xué)條件設(shè)定為能夠得到高品位顯示的狀態(tài)。另外，如圖 9 (b)所示，除了俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域之外，液晶層厚調(diào)整層 35還可以配置在被隔著柵極線12對(duì)置的兩個(gè)反射膜18形成區(qū)域夾持的區(qū)域。
但在這樣的構(gòu)成中進(jìn)行轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)，首先在第一步驟中對(duì)柵極線12 與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。由此，俯視情況下在柵極線12與像素 電極16之間的位置(圖9 (a) 、 (b)中的轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置50或其附近， 產(chǎn)生彎曲取向的轉(zhuǎn)移核。然后，在第二工序中通過對(duì)像素電極16與公共 電極36之間施加轉(zhuǎn)移電壓，使轉(zhuǎn)移核擴(kuò)展到像素電極16上的整體。這里， 由于在轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置50或其附近配置有液晶層厚調(diào)整層35，所以，液 晶層40的厚度、即像素電極16與公共電極36之間的距離減小。由此， 上述第二步驟中在液晶層40中產(chǎn)生的電場強(qiáng)度，比沒有液晶層厚調(diào)整層 35時(shí)大。因此，在第二步驟中，能夠沿著配置有液晶層厚調(diào)整層35的區(qū)
域快速擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域?；蛘?，能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。 因此，能夠降低從噴射取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移所需要的耗電。而且，作為顯 示動(dòng)作所使用的驅(qū)動(dòng)電路，可以利用更低耐壓規(guī)格的驅(qū)動(dòng)電路。為了在像 素電極16上更快擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域，優(yōu)選將反射膜18及液晶層厚調(diào)整層
35延伸設(shè)置到像素電極16的中央附近。
<第四實(shí)施方式的變形例>
上述實(shí)施方式是在沿著像素電極16中與柵極線12鄰接的兩條邊的區(qū) 域中都配置了反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的構(gòu)成，但也可以是僅在沿 著上述兩條邊中的一條邊的區(qū)域中配置反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的 構(gòu)成。
而且，上述實(shí)施方式是在柵極線12中設(shè)置彎曲部52、在沿著彎曲部 52的區(qū)域中配置反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的構(gòu)成，但也可以取而代 之，形成在源極線14上設(shè)置彎曲部，在沿著該彎曲部的區(qū)域中配置反射 膜18及液晶層厚調(diào)整層35的構(gòu)成?；蛘?，在柵極線12及源極線14中都 形成彎曲部，沿著它們的彎曲部配置反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35。
并且，還可以是在柵極線12及源極線14沒有彎曲部的構(gòu)成。該情況 下，通過在沿著柵極線12或源極線14的區(qū)域中、或具有沿著柵極線12 或源極線14的邊的區(qū)域中，配置反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35，可以擴(kuò) 大液晶層40中產(chǎn)生的電場強(qiáng)度，能夠以更低的轉(zhuǎn)移電壓更快速地進(jìn)行向 彎曲取向的轉(zhuǎn)移。
另外，在圖9 (b)中，描繪了具有透過性的像素電極16與反射膜18 俯視下重疊的構(gòu)成，但也可以將像素電極16配置在除了反射膜18的配置 區(qū)域之外的區(qū)域。該情況下，通過將像素電極16與反射膜18電連接，還 可以將反射膜18的形成區(qū)域用作像素電極。即，可以將由像素電極16和 反射膜18構(gòu)成的復(fù)合像素電極用作像素電極。本實(shí)施方式的像素電極包 括本變形例的上述復(fù)合像素電極。因此，在本實(shí)施方式中，可以將"像素 電極16"替換為上述復(fù)合像素電極，根據(jù)本變形例的構(gòu)成，能夠得到與本 實(shí)施方式同樣的作用及效果。
此外，液晶層厚調(diào)整層35不必一定形成在俯視下不與反射膜18的形 成區(qū)域重疊的區(qū)域。例如，在本實(shí)施方式中，液晶層厚調(diào)整層35還配置
在被隔著柵極線12對(duì)置的兩個(gè)反射膜18形成區(qū)域夾持的區(qū)域，即便在該
區(qū)域沒有配置液晶層厚調(diào)整層35的情況下，也能夠沿著形成有液晶層厚 調(diào)整層35的區(qū)域，以低的轉(zhuǎn)移電壓或在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(第五實(shí)施方式)
接著，對(duì)第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第四實(shí)施方式的不同 之處在于反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在俯視下的形狀及配置位置，其 他點(diǎn)與第四實(shí)施方式相同。
圖IO是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B5—B5線的剖視圖。如圖10 (a)所示， 在本實(shí)施方式中，像素電極16的邊中沿著柵極線12的對(duì)置的兩條邊，沿 著柵極線12的V字狀彎曲部52彎曲，反射膜18形成為俯視下與連接上 述對(duì)置的兩條邊的區(qū)域連接一體。而且，液晶層厚調(diào)整層35 (圖10 (b)) 至少形成在俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域。因此，反射膜18及液晶層厚 調(diào)整層35被配置在俯視情況下連接圖10 (a)的像素電極16的上側(cè)的邊 和下側(cè)的邊中彎曲的部分的區(qū)域。而且，反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35 具有隨著遠(yuǎn)離像素電極16的上述兩條邊(即，彎曲的邊)而寬度增大的 部分。反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在一個(gè)例子中如圖10 (a)所示， 可以具有在接近像素電極16的周邊的部分寬度變窄，隨著靠近像素電極 16的中央部而寬度變寬的部分。即，可以形成越靠近像素電極16的中央 部寬度越寬的構(gòu)成。其中，液晶層厚調(diào)整層35如圖10 (b)所示，除了俯 視下與反射膜18重疊的區(qū)域之外，還配置在被隔著柵極線12對(duì)置的兩個(gè) 反射膜18形成區(qū)域夾持的區(qū)域。
在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)，彎曲取向區(qū)域在形成了反射膜18及液晶層厚調(diào)整層 35的區(qū)域中，因?yàn)橐壕?0的厚度小而快速擴(kuò)展。因此，根據(jù)本實(shí)施方 式的構(gòu)成，能夠在短時(shí)間內(nèi)使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16的中央部。 另外，彎曲取向區(qū)域在像素電極16中寬度寬的部分中，沿著其寬度寬的 部分?jǐn)U大。因此，從像素電極16的沿著柵極線12的邊的附近朝向像素電 極16的中央部擴(kuò)大的彎曲取向區(qū)域，在中央部附近具有與上述邊平行的 速度分量(即，與柵極線12平行的速度分量)地?cái)U(kuò)大。由此，即使當(dāng)彎
曲取向區(qū)域在沒有形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的區(qū)域中擴(kuò)展時(shí)， 也會(huì)具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大。因此，可使彎曲取向區(qū)域在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展 到像素電極16上的整體。
(第六實(shí)施方式)
接著，對(duì)第六實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式的不同
之處在于柵極線12、源極線14、像素電極16、反射膜18及液晶層厚調(diào)整 層35在俯視下的形狀及配置位置，其他點(diǎn)與第五實(shí)施方式相同。
圖U是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B6—B6線的剖視圖。如圖11 (a)所示， 本實(shí)施方式中在柵極線12上沒有彎曲部，而在源極線14上設(shè)置有V字狀 的彎曲部52。對(duì)于像素電極16而言，沿著源極線14的邊沿著源極線14 的彎曲部52彎曲成V字狀，沿著柵極線12的邊不彎曲。因此，在轉(zhuǎn)移動(dòng) 作之際，第一步驟中在源極線14與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。
反射膜18被配置在像素電極16中連接沿著源極線14的兩條邊中彎 曲了的部分的區(qū)域。而且，液晶層厚調(diào)整層35 (圖ll (b))至少形成在 俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域。反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35具有在 接近像素電極16的周邊的部分寬度窄、隨著接近像素電極16的中央部而 寬度變寬的部分。即，越靠近像素電極16的中央部，寬度越寬。其中， 液晶層厚調(diào)整層35如圖11 (b)所示，除了俯視下與反射膜18重疊的區(qū) 域之外，還配置在被隔著源極線14對(duì)置的兩個(gè)反射膜18形成區(qū)域夾持的 區(qū)域。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)也能夠以短時(shí)間使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展 到像素電極16的中央部。而且，從像素電極16a的沿著源極線14的邊的 附近朝向像素電極16的中央部擴(kuò)大的彎曲取向區(qū)域，在中央部附近具有 與上述邊平行的速度分量(即，與源極線14平行的速度分量)地?cái)U(kuò)大。 彎曲取向區(qū)域的擴(kuò)展軌跡的一個(gè)例子，由圖ll (a)中的箭頭表示。由此， 即使當(dāng)彎曲取向區(qū)域在沒有形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的區(qū)域中 擴(kuò)展時(shí)，也會(huì)具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大。因此，可使彎曲取向區(qū)域在短時(shí) 間內(nèi)擴(kuò)展到像素電極16上的整體。
<第六實(shí)施方式的變形例>
第六實(shí)施方式可與第五實(shí)施方式組合實(shí)施。即，在柵極線12及源極 線14上都形成彎曲部，使像素電極16的邊沿著它們的彎曲部彎曲。在轉(zhuǎn)
移動(dòng)作之際，第一步驟中在柵極線12與像素電極16之間、及源極線14 與像素電極16之間施加轉(zhuǎn)移電壓。并且，在連接像素電極16中沿著兩根 柵極線12的邊彎曲了的部分的區(qū)域、和連接沿著兩根源極線14的邊彎曲 了的部分的區(qū)域，形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35。 g卩，形成在將像 素電極16的上下左右的邊連接成"+"形狀的區(qū)域。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可 以在更多的位置產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，從而能夠更容易且在更短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行彎曲取 向的轉(zhuǎn)移。
(第七實(shí)施方式)
接著，對(duì)第七實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第四實(shí)施方式的不同 之處在于柵極線12、像素電極16、反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在俯 視下的相對(duì)位置，其他點(diǎn)與第四實(shí)施方式相同。
圖12是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B7—B7線的剖視圖。如圖12 (a)所示， 柵極線12具有V字形狀的彎曲部52。而且，像素電極16的邊中沿著柵 極線12的邊，沿著柵極線12的彎曲部52彎曲成V字形狀。并且，像素 電極16在包括彎曲部52的部位按照俯視下與柵極線12的一部分重疊的 方式，形成為向柵極線i2的方向突出。因此，反射膜18也被配置成俯視 下與柵極線12局部重疊。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，可以在第四實(shí)施方式的效果上，得到第一實(shí)施方式 的效果。即，當(dāng)在柵極線12與像素電極16之間施加了轉(zhuǎn)移電壓之際，在 液晶層40中產(chǎn)生具有很多縱向分量的電場。因此，容易進(jìn)行從噴射取向 向彎曲取向的轉(zhuǎn)移，可在轉(zhuǎn)移核發(fā)生位置50更容易地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。而且， 在柵極線12與像素電極16重疊的區(qū)域，轉(zhuǎn)移核的至少一部分產(chǎn)生在像素 電極16上。因此，在以轉(zhuǎn)移核為起點(diǎn)，彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16 上時(shí)，彎曲取向區(qū)域不需要跨越大的階差。根據(jù)這一特征，能夠以更低的 轉(zhuǎn)移電壓使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素電極16上。并且，在轉(zhuǎn)移核發(fā)生位
置50或其附近配置有反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35，使得液晶層40的 厚度減小。因此，基于轉(zhuǎn)移電壓的電場強(qiáng)度增大，能夠以低的轉(zhuǎn)移電壓在 短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(第八實(shí)施方式)
接著，對(duì)第八實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第七實(shí)施方式的不同 之處在于反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在俯視下的形狀及配置位置，其 他點(diǎn)與第七實(shí)施方式相同。
圖13是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B8—B8線的剖視圖。如圖13 (a)所示， 在本實(shí)施方式中，像素電極16的邊中沿著柵極線12的對(duì)置的兩條邊，沿 著柵極線12的彎曲部52彎曲成V字狀。反射膜18形成在俯視下連接上 述對(duì)置的兩條邊的區(qū)域。而且，液晶層厚調(diào)整層35 (圖13 (b))至少形 成在俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域。因此，反射膜18及液晶層厚調(diào)整層 35被配置在連接俯視下圖13 (a)中的像素電極16的上側(cè)的邊和下側(cè)的 邊中彎曲了的部分的區(qū)域。并且，反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35具有隨 著遠(yuǎn)離像素電極16的上述兩條邊(即，彎曲的邊)而寬度增大的部分。 反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在一個(gè)例子中如圖13 (a)所示，可以具 有在接近像素電極16的周邊的部分寬度窄、隨著接近像素電極16的中央 部寬度變寬的部分。即，可以形成越靠近像素電極16的中央部，寬度越 寬的構(gòu)成。另外，液晶層厚調(diào)整層35如圖13 (b)所示，除了俯視下與反 射膜18重疊的區(qū)域之外，還配置在被隔著柵極線12對(duì)置的兩個(gè)反射膜18 形成區(qū)域夾持的區(qū)域。
根據(jù)上述構(gòu)成，在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)能夠以短時(shí)間使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像 素電極16的中央部。而且，像素電極16中從沿著柵極線12的邊的附近 朝向像素電極16的中央部擴(kuò)大的彎曲取向區(qū)域，在中央部附近具有與上 述邊平行的速度分量(即，與源極線12平行的速度分量)地?cái)U(kuò)大。彎曲 取向區(qū)域的擴(kuò)展軌跡的一個(gè)例子，由圖13 (a)中的箭頭表示。由此，即 使當(dāng)彎曲取向區(qū)域在沒有形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的區(qū)域中擴(kuò) 展時(shí)，也會(huì)具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大。因此，可使彎曲取向區(qū)域在短時(shí)間
內(nèi)擴(kuò)展到像素電極16上的整體。
另外，由于柵極線12與像素電極16局部重疊，所以，能夠以更低的 轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，從而可更容易地?cái)U(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(第九實(shí)施方式)
接著，對(duì)第九實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第八實(shí)施方式的不同
之處在于反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在俯視下的形狀及配置位置，其
他點(diǎn)與第八實(shí)施方式相同。
圖14是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B9—B9線的剖視圖。如圖14 (a)所示， 在本實(shí)施方式中，反射膜18被配置在像素電極16的連接沿著柵極線12 的對(duì)置的兩條邊彎曲了的部分的區(qū)域，并且，在像素電極16的中央部附 近，還配置在沿著與其交叉的方向延伸的區(qū)域。而且，液晶層厚調(diào)整層35 (圖14 (b))至少形成在俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域。更詳細(xì)而言， 反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35被配置在連接上述兩條邊彎曲了的部分 的、沿著與源極線14平行的方向(圖14 (a)中的上下方向)延伸的帶狀 區(qū)域；和在中央部與之交叉的、沿著與柵極線12平行的方向(圖14 (a) 中的左右方向)延伸的帶狀區(qū)域。換言之，反射膜18及液晶層厚調(diào)整層 35在像素電極16的中央部附近，形成在"+"形狀的區(qū)域。本實(shí)施方式是 反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35具有隨著遠(yuǎn)離像素電極16彎曲了的邊而 寬度增大的部分的一個(gè)方式。另外，液晶層厚調(diào)整層35如圖14 (b)所示， 除了俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域之外，還配置在被隔著柵極線12對(duì)置 的兩個(gè)反射膜18形成區(qū)域夾持的區(qū)域。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)能夠以短時(shí)間使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到 像素電極16的中央部。而且，像素電極16中從沿著柵極線12的邊的附 近朝向像素電極16的中央部擴(kuò)大的彎曲取向區(qū)域，沿著反射膜18的形成 區(qū)域具有與源極線14平行的速度分量地?cái)U(kuò)展。并且，在像素電極16的中 央部附近，具有與之交叉的、沿著與柵極線12平行的帶狀區(qū)域的速度分 量地?cái)U(kuò)展。因此，即使當(dāng)彎曲取向區(qū)域在沒有形成反射膜18及液晶層厚 調(diào)整層35的區(qū)域中擴(kuò)展時(shí)，也會(huì)具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大。從而，可使
彎曲取向區(qū)域在短時(shí)間內(nèi)擴(kuò)展到像素電極16上的整體。
另外，由于柵極線12與像素電極16局部重疊，所以，能夠以更低的
轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，從而可更容易地?cái)U(kuò)展彎曲取向區(qū)域。 (第十實(shí)施方式)
接著，對(duì)第十實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式與第八實(shí)施方式的不同
之處在于反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35在俯視下的形狀及配置位置，其 他點(diǎn)與第八實(shí)施方式相同。
圖15是表示本實(shí)施方式的液晶裝置1中的像素44的構(gòu)成的圖，(a) 是俯視圖，(b)是(a)中的B10—B10線的剖視圖。如圖15 (a)所示， 在本實(shí)施方式中，反射膜18被配置在像素電極16的連接沿著柵極線12 的對(duì)置的兩條邊彎曲了的部分的區(qū)域，并且，在像素電極16的中央部附 近形成在以放射狀擴(kuò)展的區(qū)域。而且，液晶層厚調(diào)整層35 (圖15 (b)) 至少形成在俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域。更詳細(xì)而言，反射膜18及液 晶層厚調(diào)整層35被配置在連接上述兩條邊彎曲了的部分的、沿著與源極 線14平行的方向(圖15 (a)中的上下方向)延伸的帶狀區(qū)域；和在中央 部與之交叉的、兩個(gè)帶狀區(qū)域。這里，與源極線14平行的帶狀區(qū)域、和 與之交叉的兩個(gè)帶狀區(qū)域的延伸方向成60度的角度。因此，反射膜18及 液晶層厚調(diào)整層35的配置位置，在像素電極16的中央部附近成"*"形， 以帶狀區(qū)域的交點(diǎn)為起點(diǎn)，向六個(gè)方向以放射狀擴(kuò)展。另外，液晶層厚調(diào) 整層35如圖15 (b)所示，除了俯視下與反射膜18重疊的區(qū)域之外，還 配置在被隔著柵極線12對(duì)置的兩個(gè)反射膜18形成區(qū)域夾持的區(qū)域。
根據(jù)這樣的構(gòu)成，在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)能夠以短時(shí)間使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到 像素電極16的中央部。而且，像素電極16中從沿著柵極線12的邊的附 近朝向像素電極16的中央部擴(kuò)大的彎曲取向區(qū)域，沿著反射膜18的形成 區(qū)域具有與源極線14平行的速度分量地?cái)U(kuò)展。并且，在像素電極16的中 央部附近，具有與之交叉的放射狀的速度分量地?cái)U(kuò)展。在本實(shí)施方式中， 具有相對(duì)源極線14的延伸方向成60度角度的方向的速度成分地?cái)U(kuò)展。彎 曲取向區(qū)域的擴(kuò)展軌跡的一個(gè)例子由圖15 (a)中的箭頭表示。因此，即 使當(dāng)彎曲取向區(qū)域在沒有形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35的區(qū)域中擴(kuò)
展時(shí)，也會(huì)具有上述速度分量地?cái)U(kuò)大。從而，可使彎曲取向區(qū)域在短時(shí)間 內(nèi)擴(kuò)展到像素電極16上的整體。
另外，由于柵極線12與像素電極16局部重疊，所以，能夠以更低的 轉(zhuǎn)移電壓產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核，從而可更容易地?cái)U(kuò)展彎曲取向區(qū)域。
(電子設(shè)備)
上述的液晶裝置1，例如能夠搭載到移動(dòng)電話機(jī)等電子設(shè)備中使用。
圖16是作為電子設(shè)備的移動(dòng)電話機(jī)100的立體圖。移動(dòng)電話機(jī)100具有 顯示部110及操作按鈕120。顯示部110可以通過在內(nèi)部組裝的液晶裝置 1，針對(duì)利用操作按鈕120輸入的內(nèi)容和以接收信息為代表的各種信息進(jìn) 行顯示。這種構(gòu)成的電子設(shè)備能夠使液晶裝置1在短時(shí)間內(nèi)或以低的耗電 轉(zhuǎn)移為彎曲取向模式。而且，作為顯示動(dòng)作使用的驅(qū)動(dòng)電路，可以利用更 低耐壓規(guī)格的驅(qū)動(dòng)電路。
另外，液晶裝置1除應(yīng)用于上述移動(dòng)電話機(jī)100之外，還可在便攜式 計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、車載設(shè)備、音頻設(shè)備等各種設(shè)備中使用。 而且，液晶裝置1可以作為光閥組裝到投影儀等投射型顯示裝置中來使用。
以上對(duì)各種實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但還能夠?qū)ι鲜鰧?shí)施方式例如施加 以下的變形。
(變形例l)
設(shè)置于柵極線12或源極線14的彎曲部52的形狀不限定于V字形狀， 例如也可以包括圖17所示的矩形狀的部分。根據(jù)這樣的構(gòu)成，當(dāng)在柵極 線12或源極線14與像素電極16之間施加了轉(zhuǎn)移電壓時(shí)，可以在彎曲部 52的附近容易地產(chǎn)生轉(zhuǎn)移核。 (變形例2)
在上述第五實(shí)施方式或第六實(shí)施方式中，還可以加入第九實(shí)施方式或 第十實(shí)施方式的特征。即，即使在俯視下柵極線12或源極線14不與像素 電極16重疊的情況下，也可以在像素電極16的中央部附近的"+"形狀的 區(qū)域或擴(kuò)展為放射狀的區(qū)域，形成反射膜18及液晶層厚調(diào)整層35。根據(jù) 這樣的構(gòu)成，在轉(zhuǎn)移動(dòng)作時(shí)能夠以更短的時(shí)間使彎曲取向區(qū)域擴(kuò)展到像素 電極16上的整體。
權(quán)利要求
1、一種液晶裝置，具備第一基板；與所述第一基板對(duì)置配置的第二基板；配置在所述第一基板與所述第二基板之間的、能夠取得噴射取向或彎曲取向中任意一種取向狀態(tài)的液晶層；在所述第一基板的所述液晶層側(cè)形成的多根柵極線；在所述第一基板的所述液晶層側(cè)，俯視情況下形成為與所述柵極線交叉的多根源極線；在所述第一基板的所述液晶層側(cè)，對(duì)應(yīng)于所述柵極線與所述源極線的交叉而形成的開關(guān)元件；和形成在所述第一基板的所述液晶層側(cè)，與所述開關(guān)元件電連接的像素電極；所述像素電極在俯視情況下，與多根所述柵極線和多根所述源極線中至少和所述像素電極相鄰的一根柵極線的一部分、或和所述像素電極相鄰的一根源極線的一部分重疊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶裝置，其特征在于， 所述像素電極形成為至少具有沿著所述柵極線延伸的兩條邊、和沿著所述源極線延伸的兩條邊，與所述像素電極重疊的所述一根柵極線或所述一根源極線，未對(duì)應(yīng)于 和該像素電極電連接的所述開關(guān)元件。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶裝置，其特征在于，所述柵極線或所述源極線具有彎曲部，所述像素電極的邊沿著所述柵極線的所述彎曲部或所述源極線的所 述彎曲部彎曲，所述像素電極在所述彎曲部中，俯視情況下與所述柵極線的一部分或 所述源極線的一部分重疊。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶裝置，其特征在于， 所述彎曲部具有V字形狀或矩形狀的部分。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的液晶裝置，其特征在于，具備反射膜，其至少形成在所述第一基板的所述液晶層側(cè)之中俯視情況下沿著所述彎曲部的區(qū)域或具有沿著所述彎曲部的邊的區(qū)域；和液晶層厚調(diào)整層，其形成在所述第二基板的所述液晶層側(cè)之中俯視情 況下與所述反射膜重疊的區(qū)域。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶裝置，其特征在于， 所述像素電極的對(duì)置的兩條邊，沿著所述柵極線的所述彎曲部或所述源極線的所述彎曲部彎曲，所述反射膜及所述液晶層厚調(diào)整層在俯視情況下，在連接所述對(duì)置的 兩條邊的區(qū)域中形成為一體連接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置，其特征在于，所述反射膜及所述液晶層厚調(diào)整層具有隨著遠(yuǎn)離所述像素電極的彎 曲的邊而寬度增大的部分。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶裝置，其特征在于，所述反射膜及所述液晶層厚調(diào)整層在所述像素電極的中央部，形成在 以放射狀擴(kuò)展的區(qū)域。
9、 一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1 8中任意一項(xiàng)所述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種容易實(shí)現(xiàn)向彎曲取向的轉(zhuǎn)移的液晶裝置及電子設(shè)備。液晶裝置(1)具有基板(11)、與基板(11)對(duì)置配置的基板(31)、和配置在基板(11)與基板(31)之間的、能夠取得噴射取向或彎曲取向中任意一種取向狀態(tài)的液晶層(40)。而且，在基板(11)的液晶層(40)側(cè)形成有多根柵極線(12)、形成為俯視下與柵極線(12)交叉的多根源極線(14)、TFT元件(20)和像素電極(16)。像素電極(16)俯視下與柵極線(12)的一部分重疊。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101364015SQ200810129719
公開日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2008年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者土屋豐, 春山明秀, 河西利幸, 澤渡彩映 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社