專利名稱：一種液晶顯示裝置及其像素陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種具有高顯示質(zhì)量的液 晶顯示裝置及其像素陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置具有輕、薄、低耗電等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、移動(dòng) 電話及個(gè)人數(shù)字助理等現(xiàn)代化信息設(shè)備。目前，市場(chǎng)對(duì)于液晶顯示裝置的性 能要求是高對(duì)比度、高亮度、高色彩飽和度、快速反應(yīng)以及廣視角等特性。
為了實(shí)現(xiàn)廣視角，現(xiàn)有技術(shù)中開發(fā)出了多種技術(shù)，如扭轉(zhuǎn)向列型液晶 顯示裝置(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(In-plane switching, IPS)液晶顯示裝置、邊際電場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching, FFS) 液晶顯示裝置以及多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment, MVA) 液晶顯示裝置等。
多域垂直配向式液晶顯示器在彩色濾光基板或薄膜晶體管陣列基板上設(shè) 有配向凸起物或狹縫，它們可以使得液晶分子呈多方向排列，得到多個(gè)不同 的配向域(Domain)。因此多域垂直配向式液晶顯示器有利于實(shí)現(xiàn)廣視角顯示。
美國(guó)專利第6,922,183號(hào)公開了一種多域垂直配向式液晶顯示器，圖1為 這種多域垂直配向式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。注意，為了清楚地描述該結(jié)構(gòu)， 圖中省略了彩色濾光片基板。如圖1所示，在這種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)中， 一個(gè)像素被分成兩個(gè)子像素， 一個(gè)像素的像素電極P(m，n)也被分成兩個(gè)子像 素電極，即第一子像素電極SPl(m,n)和第二子像素電極SP2(m，n)，兩個(gè)子像 素電極SPl(m,n)與SP2(m,n)之間由狹縫124電性隔離。第一子像素電極SPl(m，n)和第二子像素電極SP2(m，n)由兩個(gè)開關(guān)元件分別進(jìn)行控制，這兩個(gè)開 關(guān)元件例如第一薄膜晶體管(TFT) Sl(m,n)及第二薄膜晶體管S2(m，n)。第一 薄膜晶體管Sl(m,n)及第二薄膜晶體管S2(m,n)的柵極分別與掃描線SL(m)及 SL(m+l)電性連接，第一薄膜晶體管Sl(m，n)及第二薄膜晶體管S2(m,n)的源極 分別和數(shù)據(jù)線DLl(n)及DL2(n)電性連接，第薄膜晶體管Sl(m,n)及第二薄 膜晶體管S2(m，n)的漏極分別與第一子像素電極SPl(m,n)及第二子像素電極 SP2(m,n)連接。
圖2為圖i的像素結(jié)構(gòu)沿剖面線i-r所取的剖面圖。如圖2所示，該像素
結(jié)構(gòu)包括第一基板102、第二基板122及液晶分子126。黑矩陣104及彩色濾 光層106形成于第一基板102的一個(gè)表面上，第一絕緣層108覆蓋了黑矩陣 104及彩色濾光層106。公共電極110形成于第一絕緣層108上，在公共電極 上設(shè)有多個(gè)凸起131，配向膜112覆蓋了公共電極110及多個(gè)凸起131 。
另夕卜，掃描線SL(m)及SL(m+l)形成于第二基板122與公共電極110相對(duì) 的那個(gè)表面上，柵極絕緣層120覆蓋掃描線SL(m)及SL(m+l)，數(shù)據(jù)線DL(n) (圖2中未示出)形成于柵極絕緣層120上，鈍化層118覆蓋數(shù)據(jù)線DL(n)。 第一子像素電極SPl(m,n)及第二子像素電極SP2(m,n)形成于鈍化層118上， 掃描線SL(m)及SL(m+l)上方相應(yīng)地設(shè)有多個(gè)間隙130，用于分隔相鄰兩個(gè)像 素的像素電極，且第一子像素電極SPl(m,n)及第二子像素電極SP2(m,n)之間 還設(shè)有狹縫124，用于將第一子像素電極及第二子像素電極電性隔離。配向膜 116覆蓋第一子像素電極SPl(m，n)及第二子像素電極SP2(m,n)。液晶分子126 被密封于第一基板102及第二基板122之間。
相反極性的數(shù)據(jù)信號(hào)分別通過(guò)第一薄膜晶體管Sl(m,n)及第二薄膜晶體管 S2(m,n)，輸入至第一子像素電極SPl(m,n)及第二子像素電極SP2(m,n)，可驅(qū) 動(dòng)整個(gè)像素。施加于公共電極110上的電壓作為公共電壓Vcom，大于公共電 壓Vcom的電壓定義為正極性電壓，且小于公共電壓Vcom的電壓定義為負(fù)極 性電壓。在選擇了該像素，并且第一薄膜晶體管Sl(m，n)及第二薄膜晶體管S2(m，n)導(dǎo)通時(shí)，具有正極性電壓+V及負(fù)極性電壓-V的數(shù)據(jù)信號(hào)分別被輸入 至第一子像素電極SPl(m,n)及第二子像素電極SP2(m,n)中。另外，正極性電 壓+V及公共電壓Vcom之間的電壓差和負(fù)極性電壓-V及公共電壓Vcom之間 的電壓差大體相等，從而在兩個(gè)子像素中顯示相同的灰階值(greylevel)。
當(dāng)具有不同極性的電壓被施加于第一子像素電極SPl(m，n)及第二子像素 電極SP2(m,n)上時(shí)，由于間隙130、狹縫124以及凸起131的作用，液晶分子 126形成多個(gè)具有相反視覺(jué)特性的顯示域，從而得到了具有廣視角的多域垂直 配向式液晶顯示器。
圖3為圖1所示的MVA LCD的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖。其中，每一像素 被兩根掃描線所驅(qū)動(dòng)。在該像素陣列結(jié)構(gòu)中， 一對(duì)掃描線分別與一行像素中 所有第一子像素電極及所有第二子像素電極電性連接。以第m行的像素為例， 第m行中所有第一子像素電極與掃描線SLl(m)電性連接，而第m行中所有 第二子像素電極與掃描線SL2(m)電性連接。此外， 一列中的第二子像素電極
及下一列的第一子像素電極與同一數(shù)據(jù)線電性連接，例如，第二子像素電極 SP2(m, n)及第一子像素電極SPl(m， n-l)皆與數(shù)據(jù)線DL(n-l)電性連接。
當(dāng)圖3所示的像素陣列被驅(qū)動(dòng)時(shí)，每一掃描線逐一地被掃描，也就是說(shuō)， 每一行的第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管依序被打開，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)將 被輸入至第一子像素電極及第二子像素電極。例如，當(dāng)掃描線SLl(m)被掃描 而使得第一薄膜晶體管S1 (m, n-l)及S1 (m, n)被打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信 號(hào)線分別將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (n-l)及DL (n)輸入至第一子像素電極SP1 (m, n-l)及SP1 (m,n)。之后，掃描線SL2 (m)被掃描，第二薄膜晶體管S2 (m， n-l)及S2 (m,n)被打開，而對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)將分別經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (n-2) 及DL (n-l)被輸入至第二子像素電極SP2 (m,n-l)及SP2 (m， n)。
上述像素陣列結(jié)構(gòu)中，同一像素中的第一子像素電極和第二子像素電極 分別電性連接不同的數(shù)據(jù)線，因此兩個(gè)子像素電極上可以輸入極性相反的數(shù) 據(jù)信號(hào)，從而可以實(shí)現(xiàn)子像素反向驅(qū)動(dòng)。例如，第一子像素電極SP1 (m ， n)及SP1 (m+l , n)是通過(guò)數(shù)據(jù)線DL (n)輸入負(fù)極性的數(shù)據(jù)信號(hào)，而第二子像素電 極SP2 (m , n)及SP2 (m+l , n)通過(guò)數(shù)據(jù)線DL (n-l)輸入正極性的數(shù)據(jù)信號(hào)。
圖4為圖3所述像素陣列結(jié)構(gòu)的各子像素極性示意圖，如圖所示，雖然 同一像素中的兩個(gè)子像素電極極性相反，但是兩個(gè)相鄰像素之間的相鄰子像 素極性相同，這樣會(huì)產(chǎn)生電容耦合的問(wèn)題，同時(shí)也會(huì)使得顯示時(shí)候產(chǎn)生閃爍 (Flicker)現(xiàn)象，從而影響顯示畫質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置及其像素陣列基板，用以提高畫質(zhì)的表 現(xiàn)能力。
本發(fā)明的目的之一是，提供了一種液晶顯示裝置像素陣列基板，所述的 像素陣列基板包括多個(gè)像素電極，形成在所述的基板上，每個(gè)所述的像素 電極具有兩個(gè)子像素電極；多個(gè)開關(guān)元件，形成在所述的基板上，并且每個(gè) 所述的開關(guān)元件與一個(gè)所述的子像素電極電性連接；多條數(shù)據(jù)線，形成在所 述的基板上，與多個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的開關(guān)元件電性連接，用于向任意兩個(gè)相 鄰的子像素電極上施加極性相反的電壓信號(hào)。
本發(fā)明的目的之一是，提供了一種液晶顯示裝置像素陣列基板，所述的 像素陣列基板包括多個(gè)像素電極，形成在所述的基板上，每個(gè)所述的像素 電極具有兩個(gè)子像素電極，分別為第一子像素電極和第二子像素電極；多個(gè) 薄膜晶體管，形成在所述的基板上，并且每個(gè)所述的薄膜晶體管與一個(gè)所述 的子像素電極電性連接；其特征在于，所述任意兩個(gè)相鄰像素電極的第一子 像素電極所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管連接不同的數(shù)據(jù)線。
本發(fā)明的目的之一是，提供了一種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液 晶顯示裝置包括第一基板和第二基板；共同電極，形成在所述的第一基板 上；多個(gè)像素電極，形成在所述的第二基板上，每個(gè)所述的像素電極具有兩 個(gè)子像素電極，分別為第一子像素電極和第二子像素電極；多個(gè)薄膜晶體管，形成在所述的第二基板上，并且每個(gè)所述的薄膜晶體管與一個(gè)所述的子像素
電極電性連接；其特征在于，所述任意兩個(gè)相鄰像素電極的第一子像素電極 所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管連接不同的數(shù)據(jù)線。
本發(fā)明的有一效果在于，使像素陣列結(jié)構(gòu)中，任意兩個(gè)相鄰像素電極的 第一子像素電極分別電性連接不同的數(shù)據(jù)線，因此每一個(gè)相鄰的子像素上施 加的電壓的極性均是相反的，可以顯著降低子像素之間的電容耦合問(wèn)題，同 時(shí)可以顯著降低顯示時(shí)候產(chǎn)生的閃爍(Flicker)現(xiàn)象，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的畫質(zhì)表 現(xiàn)。


圖1為現(xiàn)有的MVALCD的像素結(jié)構(gòu)圖2為圖1的MVALCD中沿剖面線I-I'所示的剖面圖3為圖1的MVALCD的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖4為圖3中的像素陣列結(jié)構(gòu)的各子像素極性示意圖5為本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖6為圖5中單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示意圖7為依照?qǐng)D6像素陣列結(jié)構(gòu)所實(shí)現(xiàn)的各子像素極性示意圖；
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合

本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
如圖5所示，為本發(fā)明的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖。這里以像素電極左邊的 數(shù)據(jù)線來(lái)定義像素電極的縱坐標(biāo)，以像素電極所對(duì)應(yīng)的掃描線對(duì)來(lái)定義像素 電極的橫坐標(biāo)，如像素電極P (x,y)即是由位于像素電極左邊的第y條數(shù) 據(jù)線DL(y)與像素電極所對(duì)應(yīng)的第x對(duì)掃描線SLl(x)、 SL2 (x)來(lái)定義的。 同理，像素電極P (x+l， y+l)即是由位于像素電極左邊的第(y+l)條數(shù)據(jù)線DL(y+l)與像素電極所對(duì)應(yīng)的第(x+l)對(duì)掃描線SLl(x+l)、 SL2(x+l)來(lái)定義的。
如圖6所示，為圖5中單個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，該像素被分成兩 個(gè)子像素(sub-pixels)，像素電極P(x,y)可以被分成兩個(gè)子像素電極，如第 一子像素電極SPl(x，y)及第二子像素電極SP2(x，y)。
第一子像素電極SPl(x， y)及第二子像素電極SP2(x, y)之間通過(guò)一狹縫 424而彼此電性隔離，第一子像素電極SPl(x，y)及第二子像素電極SP2(x，y) 分別由兩個(gè)開關(guān)元件所控制，此兩開關(guān)元件例如是第一薄膜晶體管(thin film transistor, TFT) Tl(x, y)及第二薄膜晶體管T2(x，y)。
第一薄膜晶體管Tl(x,y)由柵極、半導(dǎo)體層405a、源極406a及漏極407a 組成；第二薄膜晶體管T2(x， y)由柵極、半導(dǎo)體層405b、源極406b及漏極407b 組成。第一薄膜晶體管Tl(x，y)及第二薄膜晶體管T2(x，y)的柵極分別與掃描 線(scan lines) SLl(x)及SL2(x)電性連接(如圖6所示，柵極為掃描線的一部分)， 且第一薄膜晶體管Tl(x，y)及第二薄膜晶體管Tl(x，y)的源極406a、 406b分 別和數(shù)據(jù)線(data lines) DL (y)及DL (y+l)電性連接。第一薄膜晶體管Tl(x， y)及第二薄膜晶體管T2(x，y)的漏極407a、 407b分別通過(guò)通孔404a、 404b與 第一子像素電極SPl(x, y)及第二子像素電極SP2(x， y)電性連接。
其中，在第一子像素電極SPl(x,y)與第二子像素電極SP2(x,y)上分別設(shè) 有多個(gè)開口 408，優(yōu)選地，本發(fā)明中，狹縫424與開口 408平行設(shè)置。401為 存儲(chǔ)電容電極，其與像素電極構(gòu)成存儲(chǔ)電容，具體地，存儲(chǔ)電容電極401與 第一子像素電極SPl(x, y)中間隔有柵極絕緣層和鈍化層，構(gòu)成第一子存儲(chǔ)電 容，，存儲(chǔ)電容電極401與第二子像素電極SP2(x， y)中間隔有柵極絕緣層和鈍 化層，構(gòu)成第二子存儲(chǔ)電容。優(yōu)選地，為增大存儲(chǔ)電容，在存儲(chǔ)電容電極401 與第一子像素電極SPl(x, y)、第二子像素電極SP2(x， y)之間分別設(shè)有輔助金 屬層402a、 402b，所述輔助金屬層402a、 402b位于柵極絕緣層與鈍化層之間， 輔助金屬層402a、 402b分別通過(guò)通孔403a、 403b穿過(guò)鈍化層與第一子像素電 極SPl(x, y)、第二子像素電極SP2(x, y)電性相連。每一像素分別由兩根掃描線及兩根數(shù)據(jù)線所驅(qū)動(dòng)，第一子像素電極及第 二子像素電極分別由不同的掃描線及數(shù)據(jù)線通過(guò)第一薄膜晶體管及第二薄膜
晶體管(或者第二薄膜晶體管及第一薄膜晶體管)來(lái)驅(qū)動(dòng)。如圖6所示，第 一子像素電極SPl(x, y)由掃描線SLl(x)與數(shù)據(jù)線DL(y)通過(guò)第一薄膜晶體管 Tl(x， y)來(lái)驅(qū)動(dòng)，第二子像素電極SP2(x， y)由掃描線SL2(x)與數(shù)據(jù)線DL(y+l) 通過(guò)第二薄膜晶體管T2(x,y)來(lái)驅(qū)動(dòng)。因此數(shù)據(jù)線DL(y)、 DL(y+l)的數(shù)據(jù)信號(hào) 可以通過(guò)第一薄膜晶體管Tl(x， y)、第二薄膜晶體管T2(x, y)分別傳輸?shù)降谝?子像素電極SPl(x, y)、第二子像素電極SP2(x, y)。
同理，如圖5所示，與像素電極P(x， y)相鄰的像素電極P(x， y+l)的兩個(gè) 子像素電極SPl(x， y+l)及SP2(x， y+l)分別通過(guò)第二薄膜晶體管T2(x， y+l)及第 一薄膜晶體管Tl(x,y+l)來(lái)驅(qū)動(dòng)，第一薄膜晶體管Tl(x，y+l)、第二薄膜晶體 管T2(x，y+l)的柵極分別電性連接掃描線SLl(x)、 SL2(x)(圖中所示，所述薄 膜晶體管的柵極為掃描線的一部分)，第一薄膜晶體管Tl(x， y+l)、第二薄膜 晶體管T2(x, y+l)的源極分別連接像素P(x, y+l)相鄰的兩根數(shù)據(jù)線DL(y+l)及 DL(y+2)，第一薄膜晶體管Tl(x，y+l)、第二薄膜晶體管T2(x, y+l)漏極則分別 電性連接第二子像素電極SP2(x, y+l)、第一子像素電極SPl(x, y+l)，因此數(shù) 據(jù)線DL(y+l)、 DL(y+2)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過(guò)第一薄膜晶體管Tl(x, y+l)、第 二薄膜晶體管T2(x， y+l)分別傳輸?shù)降诙酉袼仉姌OSP2(x, y+l)、第一子像素 電極SPl(x, y+l)。由于相鄰數(shù)據(jù)線施加的是極性相反的電壓，因此每一行像 素電極中任意兩個(gè)相鄰像素電極的第一子像素電極上施加的電壓極性均相 反，同理，每一行像素電極中任意兩個(gè)相鄰像素電極的第二子像素電極上施 加的電壓極性也均相反。
另夕卜，與像素電極P(x,y)下方相鄰的像素電極P(x+l， y)的兩個(gè)子像素電 極SPl(x+l， y)及SP2(x+l， y)亦分別通過(guò)第二薄膜晶體管T2(x+l， y)及第一薄膜 晶體管Tl(x+l,y)來(lái)驅(qū)動(dòng)，第一薄膜晶體管Tl(x+l，y)、第二薄膜晶體管T2(x+l， y)的柵極分別電性連接掃描線SLl(x+l)、 SL2(x+l)(如圖6所示，所述薄膜晶體管的柵極為掃描線的一部分)，第一薄膜晶體管Tl(x+1， y)、第二薄膜晶體 管T2(x+1， y)的源極分別連接像素P(x+1， y)相鄰的兩根數(shù)據(jù)線DL(y)及 DL(y+l)，第一薄膜晶體管Tl(x+l，y)、第二薄膜晶體管T2(x+1， y)漏極則分別 電性連接第二子像素電極SP2(x+l， y)、第一子像素電極SPl(x+l， y)，因此數(shù) 據(jù)線DL(y)、 DL(y+l)的數(shù)據(jù)信號(hào)可以通過(guò)第一薄膜晶體管Tl(x+1， y)、第二薄 膜晶體管T2(x+1， y)分別傳輸?shù)降诙酉袼仉姌OSP2(x+l， y)、第一子像素電極 SPl(x+l，y)。由于相鄰數(shù)據(jù)線施加的是極性相反的電壓，因此每一列中任意兩 個(gè)相鄰像素電極的第一子像素電極上施加的電壓極性均相反，同理，每一列 像素電極中任意兩個(gè)相鄰像素電極的第二子像素電極上施加的電壓極性也均 相反。
當(dāng)圖5所示的像素陣列被驅(qū)動(dòng)時(shí)，每一掃描線逐一地被掃描，也就是說(shuō)， 每一行像素電極中的每個(gè)像素電極所對(duì)應(yīng)的第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體 管依序被打開，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)將被輸入至該像素的第一子像素電極及第二 子像素電極。例如，當(dāng)掃描線SLl(x)被掃描而使得第一薄膜晶體管Tl (x，y) 及T1 (x, y+l)被打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線分別將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (y)及 DL (y+l)輸入至像素電極P(x,y)的第一子像素電極SPl (x， y)及像素電極 P(x, y+l)的第二子像素電極SP2 (x, y+l)。之后，掃描線SL2 (x)被掃描， 第二薄膜晶體管T2 (x， y)及T2 (x， y+l)被打開，而對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)將分 別經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (y+l)及DL (y+2)被輸入至像素電極P(x， y)的第二子像 素電極SP2 (x，y)及像素電極P(x，y+l)的第一子像素電極SPl (x， y+l)。
同理，當(dāng)掃描線SLl(x+l)被掃描而使得第一薄膜晶體管Tl (x+l， y)及 Tl (x+l， y+l)被打開時(shí)，對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)信號(hào)線分別將經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (y)及 DL (y+l)輸入至像素電極P(x+l,y)的第二子像素電極SP2 (x+l，y)及像素 電極P(x+l，y+l)的第一子像素電極SPl (x+l，y+l)。之后，掃描線SL2 (x+l) 被掃描，第二薄膜晶體管T2 (x+l，y)及T2 (x+1, y+l)被打開，而對(duì)應(yīng)的 數(shù)據(jù)信號(hào)將分別經(jīng)由數(shù)據(jù)線DL (y+l)及DL (y+2)被輸入至像素電極P(x+4，y)的第一子像素電極SPl (x+l，y)及像素電極P(x+l，y+l)的第二子像素電極 SP2 (x+l， y+l)。
上述像素陣列結(jié)構(gòu)中，任意一個(gè)像素電極內(nèi)的第一子像素電極和第二子 像素電極分別電性連接不同的數(shù)據(jù)線，同時(shí)任意兩個(gè)相鄰像素電極的兩個(gè)第 一子像素電極或是第二子像素電極分別電性連接不同的數(shù)據(jù)線，因此可以實(shí) 現(xiàn)子像素反向驅(qū)動(dòng)。
圖7為依照本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)所實(shí)現(xiàn)的各子像素極性示意圖，依照本發(fā)明 結(jié)構(gòu)，任意兩個(gè)相鄰的子像素上施加的電壓的極性均是相反的，可以顯著降 低子像素之間的電容耦合問(wèn)題，同時(shí)可以顯著降低顯示時(shí)候產(chǎn)生的閃爍 (Flicker)現(xiàn)象，以實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的畫質(zhì)表現(xiàn)。
上文中以MVA液晶顯示裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明。但是應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明并
不限于MVA液晶顯示裝置，只要陣列基板的像素結(jié)構(gòu)中存在兩個(gè)子像素，就
可以采用本發(fā)明。上文的說(shuō)明中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。 但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員
可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。
1權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置像素陣列基板，其特征在于，所述的像素陣列基板包括多個(gè)像素電極，形成在所述的基板上，每個(gè)所述的像素電極具有兩個(gè)子像素電極；多個(gè)開關(guān)元件，形成在所述的基板上，并且每個(gè)所述的開關(guān)元件與一個(gè)所述的子像素電極電性連接；多條數(shù)據(jù)線，形成在所述的基板上，與多個(gè)子像素電極所對(duì)應(yīng)的開關(guān)元件電性連接，用于向任意兩個(gè)相鄰的子像素電極上施加極性相反的電壓信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述開關(guān)元件為 薄膜晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素陣列基板，其特征在于，每個(gè)所述的像素 電極的兩個(gè)子像素電極分別為第一子像素電極和第二子像素電極，所述每個(gè) 像素中的第一子像素電極與第二子像素電極分別對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管分別連接 不同的掃描線及數(shù)據(jù)線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的子像素電 極上設(shè)有多個(gè)開口。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的多個(gè)像素 電極排列為像素電極陣列；所述的數(shù)據(jù)線，用于向其中所述像素電極陣列中每一行像素電極中的任 意兩個(gè)子像素電極施加極性相反的電壓信號(hào)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的多個(gè) 像素電極排列為像素電極陣列；所述的數(shù)據(jù)線，用于向其中所述像素電極陣列中每一列像素電極中的任 意兩個(gè)子像素電極施加極性相反的電壓信號(hào)。
7. —種液晶顯示裝置像素陣列基板，其特征在于，所述的像素陣列基板包括多個(gè)像素電極，形成在所述的基板上，每個(gè)所述的像素電極具有兩個(gè)子像素電極，分別為第一子像素電極和第二子像素電極；多個(gè)薄膜晶體管，形成在所述的基板上，并且每個(gè)所述的薄膜晶體管與 一個(gè)所述的子像素電極電性連接；其特征在于，所述任意兩個(gè)相鄰像素電極的第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄 膜晶體管電性連接不同的數(shù)據(jù)線。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其特征在于，所述每個(gè)像素中 的第一子像素電極與第二子像素電極所分別對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管分別電性連接 不同的掃描線及數(shù)據(jù)線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其特征在于，所述第一子像素電極與第二子像素電極被一狹縫電性隔離。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的子像素電極上設(shè)有多個(gè)開口。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的多個(gè)開 口與所述的狹縫平行。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的像素陣列基板還包括儲(chǔ)存電容電極，設(shè)置于所述的狹縫之下，與所述的子像素電極構(gòu)成儲(chǔ)存電容。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的子像素 電極下方設(shè)有輔助金屬層，該輔助金屬層通過(guò)通孔與所述的子像素電極電性 相連。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的多個(gè)像素 電極排列為像素電極陣列；其中所述像素電極陣列中每一行像素電極中的任意兩個(gè)相鄰像素電極的 第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管連接不同的數(shù)據(jù)線。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7或14所述的像素陣列基板，其特征在于，所述的多 個(gè)像素電極排列為像素電極陣列；其中所述像素電極陣列中每一列像素電極中的任意兩個(gè)相鄰像素電極的 第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管連接不同的數(shù)據(jù)線。
16. —種液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括 第一基板和第二基板；共同電極，形成在所述的第一基板上；多個(gè)像素電極，形成在所述的第二基板上，每個(gè)所述的像素電極具有兩 個(gè)子像素電極，分別為第一子像素電極和第二子像素電極；多個(gè)薄膜晶體管，形成在所述的第二基板上，并且每個(gè)所述的薄膜晶體 管與一個(gè)所述的子像素電極電性連接；其特征在于，所述任意兩個(gè)相鄰像素電極的第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄 膜晶體管電性連接不同的數(shù)據(jù)線。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述每個(gè)像素中的第一子像素電極與第二子像素電極所分別對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管分別電性連 接不同的掃描線及數(shù)據(jù)線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一子像 素電極與第二子像素電極被一狹縫電性隔離。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的第一子 像素電極與第二子像素電極上設(shè)有多個(gè)開口 。
20. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的多個(gè)像 素電極排列為像素電極陣列；其中所述像素電極陣列中每一行像素電極中的任意兩個(gè)相鄰像素電極的 第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接不同的數(shù)據(jù)線。
21.根據(jù)權(quán)利要求16或20所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的多 個(gè)像素電極排列為像素電極陣列；其中所述像素電極陣列中每一列像素電極中的任意兩個(gè)相鄰像素電極的 第一子像素電極所對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接不同的數(shù)據(jù)線。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置及其像素陣列基板，所述的像素陣列基板包括多個(gè)像素電極，形成在所述的基板上，每個(gè)所述的像素電極具有兩個(gè)子像素電極；多個(gè)開關(guān)元件，形成在所述的基板上，并且每個(gè)所述的開關(guān)元件與一個(gè)所述的子像素電極電性連接；多條數(shù)據(jù)線，形成在所述的基板上，與多個(gè)子像素所對(duì)應(yīng)的開關(guān)元件電性連接，用于向任意兩個(gè)相鄰的子像素電極上施加極性相反的電壓信號(hào)。本發(fā)明用以解決子像素的控制問(wèn)題，提高畫質(zhì)的表現(xiàn)能力。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101295115SQ20081011011
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
發(fā)明者廖家德, 簡(jiǎn)廷憲, 邱郁雯, 鐘德鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:昆山龍騰光電有限公司