專利名稱：：液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置。更詳細(xì)而言，涉及通過在像素內(nèi)形成兩個以上的疇而能夠?qū)崿F(xiàn)高顯示品質(zhì)的矩陣型液晶顯示裝置的制造方法和矩陣型液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
：液晶顯示裝置作為低耗電的顯示裝置，能夠被輕量化、薄型化，因此被廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、個人計算機(jī)用監(jiān)視器等中。但是，液晶顯示裝置通常通過與施加電壓相對應(yīng)的液晶分子的傾斜角度來控制光的偏光，因此具有光透過率的角度依賴性。由此，在液晶顯示裝置中，根據(jù)視角方向的不同，會發(fā)生對比度下降、中間色調(diào)顯示時的灰度等級反轉(zhuǎn)等。因此，一般液晶顯示裝置在視場角特性不充分這一點上存在改善的余地。于是，開發(fā)有將液晶分子的取向和傾斜方向在像素內(nèi)分割成兩個以上的區(qū)域的取向分割技術(shù)。根據(jù)該技術(shù)，當(dāng)向液晶層施加電壓時，由于液晶分子在像素內(nèi)向不同的方向傾斜，因此能夠改善液晶顯示裝置的視場角特性。其中，液晶分子的取向方位不同的各區(qū)域也被稱為疇，取向分割也被稱為多疇。作為進(jìn)行取向分割的液晶模式，在水平取向模式中，能夠舉出多疇扭曲向列(TN:TwistNematic)模式、多疇雙折射控制(ECB:ElectricallyControledBirefringence:電控雙折射)模式、多疇OCB(OpticallyCompensatedBirefringence:光學(xué)補(bǔ)償雙折射)模式等。另一方面，在垂直取向模式中，能夠舉出多疇垂直取向(MVA:Multi-DomainVerticalAlignment)模式、PVA(PatternedVerticalAlignment:垂直取向構(gòu)型)模式等，在各個模式的液晶顯示裝置中，進(jìn)行了用于實現(xiàn)進(jìn)一步的廣視場角化的各種改良。作為這樣的進(jìn)行取向分割的方法，能夠舉出摩擦法、光取向法等。在摩擦法中，提出有使摩擦區(qū)域和非摩擦區(qū)域通過基于抗蝕劑的圖案化而分離進(jìn)行取向分割的方法。但是，因為摩擦法是通過用巻繞在輥上的布來摩擦取向膜表面而進(jìn)行取向處理，所以會發(fā)生由于布的毛、碎片等雜質(zhì)、靜電引起開關(guān)元件的破壞、特性改變、劣化等不良問題，存在改善的余地。與此相對，光取向法是使用光取向膜作為取向膜材料，通過在光取向膜上照射紫外線等光線，在取向膜中產(chǎn)生取向限制力的取向方法。由此，能夠非接觸地進(jìn)行取向膜的取向處理，因此能夠抑制在取向處理中的污染、雜質(zhì)等的產(chǎn)生。此外，通過在曝光時使用光掩模，能夠在取向膜面內(nèi)的各區(qū)域中以不同的條件進(jìn)行光照射，因此能夠容易地形成具有期望的設(shè)計的疇。作為利用現(xiàn)有的光取向法的取向分割的方法，例如在將像素分割成兩個疇的情況下，能夠舉出以下的方法。即，準(zhǔn)備以與各像素相對應(yīng)地一半一半地配置有透光部和遮光部的光掩模，首先對像素的一半?yún)^(qū)域進(jìn)行第一曝光之后，使光掩模偏移半間距(half-pitch)左右，對像素的剩余區(qū)域以與第一曝光不同的條件進(jìn)行第二曝光的方法。如果使用這樣的光取向法，能夠容易地使用光掩模將各像素分割為兩個以上的疇。此外，例如，在專利文獻(xiàn)1中，公開有通過光取向法進(jìn)行取向處理，形成VAECB(VerticalAlignmentECB)模式的技術(shù)。此外，近年來，特別是液晶顯示裝置的大型化迅速發(fā)展，液晶電視迅速地進(jìn)入從40型到60型這種在現(xiàn)有技術(shù)中曾為等離子體電視的主戰(zhàn)場的尺寸領(lǐng)域中。但是，將這樣的60型級別的液晶顯示裝置通過上述現(xiàn)有的光取向法進(jìn)行取向分割是非常困難的。其理由是，在工廠內(nèi)能夠設(shè)置的曝光裝置的尺寸上有限制，能夠?qū)?0型級別的基板一次性曝光的曝光裝置實際上是不可能設(shè)置在工廠內(nèi)的，因此對60型級別的基板整個面一次性進(jìn)行曝光是不可能的。因此，在對大型的液晶顯示裝置進(jìn)行取向分割的情況下，必須分割多次對基板進(jìn)行曝光。此外，在對20型級別的比較小型的液晶顯示裝置通過光取向法進(jìn)行分割取向處理的情況下，也能夠想到從使曝光裝置的尺寸盡可能小的要求出發(fā)，而必須進(jìn)行分割曝光的情況。但是，這樣將基板分為多次進(jìn)行曝光而制作的液晶顯示裝置，導(dǎo)致在顯示畫面上能夠清楚地看到各曝光區(qū)域間的接縫。因此，在通過對基板分割進(jìn)行曝光以進(jìn)行液晶顯示裝置的取向分割的情況下，在抑制顯示畫面上的接縫的產(chǎn)生、提高成品率的這些問題點上還存在改善的余地。專利文獻(xiàn)l:日本特開2001—281669號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)狀而提出的，其目的是提供一種在像素內(nèi)形成兩個以上的疇的液晶顯示裝置中，即使在將基板分割進(jìn)行取向處理的情況下，也能夠抑制在顯示畫面上產(chǎn)生接縫，提高成品率的液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置。本發(fā)明的發(fā)明人們對即使通過分割基板進(jìn)行曝光而進(jìn)行取向分割也不能視覺辨認(rèn)出顯示畫面上的接縫的液晶顯示裝置的制造方法進(jìn)行了各種研究，最后著眼于分割基板進(jìn)行曝光時的曝光方式。并且發(fā)現(xiàn)，即使在同一曝光區(qū)域內(nèi)假設(shè)中心附近和周邊附近的照射條件相異，該差異在面內(nèi)連續(xù)變化，人的眼睛也幾乎識別不出，另一方面，即使裝置精度、光掩模的圖案精度等為最大限度的高精度，實際上也不可能使分割并曝光的基板的各曝光區(qū)域間的照射條件完全一致，即使相鄰的曝光區(qū)域間的照射條件的差別很微小，不連續(xù)的條件鄰接，導(dǎo)致人的眼睛識別出接縫。因此，本發(fā)明的發(fā)明人們進(jìn)一步進(jìn)行研究，發(fā)現(xiàn)作為接縫產(chǎn)生的主要原因，考慮有例如在相鄰的曝光區(qū)域間的照射量偏差、作為掩模和基板的間隔的鄰近間隙的偏差、進(jìn)行偏振紫外線照射的情況下的其偏光軸偏差等，在其中導(dǎo)致識別出接縫的最大的原因是相鄰的曝光區(qū)域間的光掩模的對準(zhǔn)精度的不同。即，可知即使是使對準(zhǔn)精度在曝光裝置上盡可能地為高精度，但是在現(xiàn)有的技術(shù)水平下也無法避免士數(shù)(im左右的對準(zhǔn)偏差，而且即使在該土數(shù)pm的對準(zhǔn)偏差的范圍中，在相鄰的曝光區(qū)域的邊界也確實地被人的眼睛識別為接縫。而且，發(fā)現(xiàn)到當(dāng)產(chǎn)生該光掩模的對準(zhǔn)偏差時，在像素內(nèi)取向方位不同的區(qū)域間，即疇間的邊界產(chǎn)生的暗線的位置和寬度在接縫兩側(cè)不連續(xù)地變化，作為其結(jié)果，導(dǎo)致識別出接縫，并且還發(fā)現(xiàn)在分割基板進(jìn)行曝光時，通過與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)具有半色調(diào)(halftone)部的光掩模，以相鄰曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式進(jìn)行曝光，由此能夠使接縫附近的暗線的位置和寬度連續(xù)變化，作為其結(jié)果，即使通過分割基板進(jìn)行曝光而進(jìn)行取向分割處理，也能夠?qū)崿F(xiàn)在顯示畫面上看不到接縫的液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置，從而想到能夠很好地解決上述課題，達(dá)成本發(fā)明。艮口，本發(fā)明是一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置包括一對相對的基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域，上述制造方法包括將基板面內(nèi)分割為兩個以上的曝光區(qū)域，在每個曝光區(qū)域中通過光掩模進(jìn)行取向膜的曝光的曝光工序，上述曝光工序以相鄰的曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式進(jìn)行曝光，上述光掩模具有與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)的半色調(diào)部。此外，本發(fā)明是一種液晶顯示裝置，其包括一對相對的基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域，在上述取向方位不同的區(qū)域間產(chǎn)生的暗線的位置和寬度在相鄰像素中連續(xù)變化。以下詳細(xì)敘述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法包括將基板面內(nèi)分割為兩個以上的曝光區(qū)域，在每個曝光區(qū)域中通過光掩膜進(jìn)行取向膜的曝光的曝光工序。因為這樣分為多次對基板進(jìn)行曝光，所以即使是大型的液晶顯示裝置，也能夠使用通常的裝置尺寸的曝光裝置，遍及基板整個面地進(jìn)行取向分割處理。其中，作為曝光區(qū)域的分割方式?jīng)]有特別限定，適當(dāng)設(shè)定即可，例如，能夠舉出將基板二等分的方式、條紋狀地分割為三的方式、矩陣狀地分割為四的方式等。上述取向膜通過曝光進(jìn)行取向處理，通常是由液晶的取向方位與光照射的方向或光的照射區(qū)域的移動方向相對應(yīng)地產(chǎn)生變化的材料形成的光取向膜。而且，光取向膜也可以通過光照射產(chǎn)生取向限制力。此外，在本說明書中，取向方位是指將包含在液晶層中的液晶分子的傾斜方向投影在基板面上時所示的方位。上述光掩模具有使光線透過的透光部和對光線進(jìn)行遮光的遮光部。透光部只要是能夠透過光線則無特別限定，可以使用透明的樹脂等形成，優(yōu)選為什么也沒有形成的開口部。此外，作為光掩模，優(yōu)選在玻璃等透明基板上形成有鉻等金屬膜圖案。光掩模能夠與期望的疇形狀相結(jié)合，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定圖案，其中，優(yōu)選上述光掩模具有透光部和遮光部的重復(fù)圖案。由此，相對通常排列為矩陣狀的像素能夠高效地進(jìn)行取向處理。而且，作為重復(fù)圖案并無特別限定，優(yōu)選為條紋圖案和點圖案。本發(fā)明的曝光工序以相鄰的曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式進(jìn)行曝光。即，本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法包括將基板面分割為兩個以上的曝光區(qū)域，并且以相鄰的曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式，在每個曝光區(qū)域中通過光掩模對取向膜進(jìn)行曝光的曝光工序。因此，在本發(fā)明中，通常，接縫附近的像素的取向膜的一部分或全部通過兩個以上的光掩模重復(fù)地進(jìn)行兩次以上的曝光(以下也稱為"重疊曝光")。作為重復(fù)的曝光區(qū)域(以下也稱為"重疊區(qū)域")的面積沒有特別限定，但盡可能大的情況下能夠使相鄰的曝光區(qū)域間的暗線的位置和寬度更為平滑連接。另一方面，當(dāng)重疊區(qū)域過大時，光掩模變大，曝光裝置尺寸也變大。因此，從實現(xiàn)抑制接縫的產(chǎn)生和曝光裝置尺寸的小型化的觀點出發(fā)，重疊區(qū)域的面積優(yōu)選為足以視覺辨認(rèn)不出接縫的程度的大小，更具體而言，作為重疊區(qū)域的寬度，優(yōu)選為1080mm左右，更優(yōu)選為3060mm左右，特別優(yōu)選4050mm左右。此外，以不重復(fù)的曝光區(qū)域的照射量，即通過一個光掩模，僅對取向膜進(jìn)行一次曝光的通常的區(qū)域的照射量為100%時，重疊曝光的區(qū)域(通過多個光掩模進(jìn)行兩次以上曝光的區(qū)域)的照射量的合計(以下也稱為"合計照射量")優(yōu)選為50200%，更優(yōu)選為70150%。當(dāng)合計照射量不足50%時，重疊區(qū)域的中心附近的合計照射量不足，不能夠賦予取向膜以充分的取向限制力，就在該位置導(dǎo)致看到斑駁的情況。此外，如果合計照射量超過200°/。，則在使用靈敏度高的材料作為取向膜的材料的情況下，在重疊區(qū)域中存在電特性惡化的情況，更具體而言，產(chǎn)生DC殘留、燒接(焼色付^)等，電壓保持率下降。作為上述曝光工序的曝光方法并無特別限定，但優(yōu)選同時曝光和掃描曝光。SP，上述曝光工序優(yōu)選在對基板和光源的至少一個進(jìn)行掃描的同時進(jìn)行曝光的方式(掃描曝光)，或?qū)⒒搴凸庠匆怨潭ǖ臓顟B(tài)進(jìn)行曝光的方式(同時曝光)。掃描的同時進(jìn)行曝光的方法只要是使基板面上的光線的照射位置移動并進(jìn)行曝光則沒有特別限定，也被稱為掃描曝光。作為掃描曝光的具體的方式，例如能夠舉出使光源和/或基板移動，同時將從該光源發(fā)出的光線照射在基板面上的方式。相比于使光源和被曝光區(qū)域固定并在被曝光區(qū)域內(nèi)同時進(jìn)行曝光的同時曝光，掃描曝光在基板面內(nèi)的照射光量等的穩(wěn)定性優(yōu)異，因此能夠有效地抑制取向方位、預(yù)傾角等取向膜的特性的偏差。此外，裝置可以為小型，所以能夠降低裝置成本。而且，因為光掩模可以較小，所以能夠提高掩模本身的精度。而且，在掃描曝光中掃描光源的情況下，光源與光掩模通常一體移動。此外，預(yù)傾角是指在液晶層上沒有施加電壓的狀態(tài)(斷開狀態(tài)，無電壓施加時)下，取向膜表面與取向膜附近的液晶分子的長軸方向所成的角度。而且，在掃描曝光中，在掃描方向上配置有透光部的間距不同的其他面板的情況下，必須配合該面板而更換掩模，但另一方面，在同時曝光中，通過預(yù)先在掩模內(nèi)形成有多個面板用的圖案，能夠?qū)Σ煌N類的面板一次進(jìn)行曝光。此外，同時曝光也被稱為一同曝光。在進(jìn)行上述掃描曝光的情況下，優(yōu)選通過圖像檢測用攝像機(jī)等，在讀取基板上的圖案的同時控制基板和/或光源的掃描方向。由此，即使在基板歪斜的情況下，也能夠沿著像素排列進(jìn)行高精度的掃描曝光。作為在讀取中使用的基板上的圖案并無特別限定，但優(yōu)選沿著掃描方向周期性或連續(xù)地設(shè)置，其中，優(yōu)選設(shè)置在基板上的總線、黑矩陣(BM)等。此外，在本發(fā)明中，上述曝光工序，也根據(jù)被曝光的取向膜的材料而定，但是優(yōu)選相對于基板面的法線從傾斜方向入射紫外線。由此，在各液晶模式中能夠容易地對液晶層附加適宜的預(yù)傾角，其結(jié)果，能夠提高液晶分子的響應(yīng)速度。但是，如"M.Kimum，其他三人，"Photo-RubbingMethod:ASingle-ExposureMethodtoStableLiquid-CrystalPretiltAngleonPhoto-AlignmentFilm",IDW，04:proceedingsofthe11thInternationalDisplayWorkshops,IDW，04Publicationcommittee,2004年，LCT2-1,p.35-38"中公開的光取向法所示，在預(yù)傾角的發(fā)現(xiàn)基于光的照射區(qū)域的移動方向的情況下，不需要使光線相對于基板面傾斜入射，能夠相對于基板面大致垂直地入射。上述紫外線優(yōu)選為偏振紫外線。通過將這樣的各向異性的紫外線照射在取向膜上，能夠容易地引起取向膜內(nèi)的分子的各向異性的再排列或化學(xué)反應(yīng)。從而，能夠更均勻地控制取向膜附近的液晶分子的取向方位。其中，紫外線的波長范圍根據(jù)曝光的取向膜的材料適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定即可。本發(fā)明的光掩模具有與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)的半色調(diào)部。g卩，上述光掩模在與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域中具有半色調(diào)部。由此，能夠有效地抑制視覺辨認(rèn)出接縫的情況。其結(jié)果，能夠提高分割基板進(jìn)行取向處理的液晶顯示裝置的成品率。關(guān)于不會視覺辨認(rèn)出接縫的理由在后面詳細(xì)敘述。因此，半色調(diào)部優(yōu)選配置在光掩模的形成有透光部的區(qū)域內(nèi)的端側(cè)(周邊側(cè))，更優(yōu)選配置在端部(周邊)。而且，在本說明書中，半色調(diào)部是指配置有相比于半色調(diào)部以外(重復(fù)的曝光區(qū)域以外)的透光部具有較小的開口率的透光部的部分。此外，開口率是指半色調(diào)部的各透光部的面積相對于半色調(diào)部以外的透光部的平均面積的比率(百分率)。如此處所說明的，在本發(fā)明中使用的光掩模通常在與重復(fù)的曝光區(qū)域(重疊區(qū)域)對應(yīng)的部分的全部或一部分上形成有半色調(diào)部。作為上述半色調(diào)部的方式，優(yōu)選隨著接近光掩模的端部而透光部的開口率減小的方式。而且，在本說明書中，光掩模的端部，更具體而言，是指位于與重復(fù)的曝光區(qū)域以外的區(qū)域(通常的曝光區(qū)域)對應(yīng)的區(qū)域的相反側(cè)的光掩模的端部。由此，能夠更平滑地連接相鄰的曝光區(qū)域間的暗線的位置和寬度。作為這樣的半色調(diào)部中的開口率的變化的方法，優(yōu)選(1)開口率的變化以線性函數(shù)表示的方式，(2)開口率的變化以三角函數(shù)表示的方式。即，上述半色調(diào)部優(yōu)選開口率的變化以線性函數(shù)表示，此外，上述半色調(diào)部優(yōu)選開口率的變化以三角函數(shù)表示。根據(jù)(1)，能夠防止在半色調(diào)部產(chǎn)生不連續(xù)的分級。根據(jù)(2)，除了能夠防止不連續(xù)的分級的產(chǎn)生之外，因為在半色調(diào)部的兩端，開口率的變化的微分系數(shù)實質(zhì)上為O，所以能夠更平滑地連接重疊區(qū)域與其以外的區(qū)域的暗線的位置和寬度。從這樣的觀點出發(fā)，作為半色調(diào)部的開口率的變化的方式，也可以說是優(yōu)選開口率基于線性函數(shù)變化的方式，或基于三角函數(shù)變化的方式。此外，作為半色調(diào)部的透光部的方式，優(yōu)選(A)隨著接近光掩模的端部而透光部的長度變短的方式、(B)隨著接近光掩模的端部而透光部的寬度變窄的方式、(C)設(shè)置有具有相對于將透光部配置區(qū)域的寬度2等分的中心線呈線對稱的形狀的透光部的方式、(D)設(shè)置有具有臺階形狀的透光部的方式。S卩，上述半色調(diào)部優(yōu)選隨著接近光掩模的端部而透光部的長度變短，上述半色調(diào)部優(yōu)選隨著接近光掩模的端部而透光部的寬度變窄，上述半色調(diào)部優(yōu)選設(shè)置有具有相對于將透光部配置區(qū)域的寬度2等分的中心線呈線對稱的形狀的透光部，上述半色調(diào)部優(yōu)選設(shè)置有具有臺階形狀的透光部。具有(A)方式的光掩模適于掃描曝光用的掩模，由此能夠容易地控制重疊區(qū)域的合計照射量。此外，具有(B)方式的光掩模適于同時曝光用和掃描曝光用的掩模，由此能夠更有效地使暗線的位置和寬度在接線的左右連續(xù)地連接。其中，透光部的長度通常是指縫隙圖案中長邊方向的長度，在點圖案中是掃描曝光的掃描方向的長度。而且，透光度的長度也可以是在縫隙圖案中長邊方向的長度。另一方面，透光部的寬度通常是指縫隙圖案中的短邊的方向的長度，在點圖案中是與掃描曝光的掃描方向大致垂直方向的長度。而且，透光部的寬度也可以是在縫隙圖案中相對長邊方向大致垂直的方向的長度。根據(jù)(C)方式，能夠更有效地使暗線的位置和寬度在接線的左右連續(xù)地連接。其中，透光部配置區(qū)域是指在半色調(diào)部中透光部的開口率未減少的情況下的透光部所占的區(qū)域，艮口，假設(shè)在半色調(diào)部中也具有在半色調(diào)部以外的光掩模所具有的透光部的配置圖案的情況下的透光部所占的區(qū)域。此外，透光部配置區(qū)域的寬度是指與透光部的寬度相同的方向上的透光部配置區(qū)域的長度。而且，在該方式中，透光部不需要具有相對將透光部配置區(qū)域的寬度嚴(yán)格地2等分的中心線嚴(yán)格地線對稱的形狀，也可以具有相對將透光部配置區(qū)域的寬度大致2等分的中心線實質(zhì)上線對稱的形狀。再者具有(D)方式的光掩模適于掃描曝光用的掩模，由此能夠使從重疊區(qū)域中的合計照射量的100%的偏差比較小。而且，在上述(B)方式中，優(yōu)選(B—l)上述光掩模的透光部的中心位置的間隔相同的方式、(B—2)上述半色調(diào)部的透光部從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)分割配置的方式。根據(jù)(B—1)的方式，在光掩模的大致整個區(qū)域中，透光部的中心位置的間隔沒有變化，因此半色調(diào)部的曝光區(qū)域的位置的變化更為連續(xù)，能夠使暗線的位置和寬度的變化在接線的左右更連續(xù)地變化。而且，在上述(B—l)方式中，光掩模只要是透光部的中心位置的間隔實質(zhì)上相同即可，沒有必要透光部的中心位置的間隔嚴(yán)格相同。這樣，上述(B—l)方式也可以是在半色調(diào)部中，透光部的中心與透光部配置區(qū)域的中心大致一致的方式。即，上述光掩模也可以是在半色調(diào)部中，其中心與透光部配置區(qū)域的中心大致一致的方式。此外，根據(jù)(B—2)方式，半色調(diào)部的透光部以從中心向兩側(cè)打開的方式變細(xì)，因此通過與具有(B—l)方式的光掩模并用，能夠進(jìn)一步將重疊曝光的區(qū)域的面積抑制得更小，能夠有效地抑制電特性的惡化，更具體而言，能夠有效地抑制殘留DC、燒接等的發(fā)生、電壓保持率的下降等。而且，在上述(B—2)方式中，半色調(diào)部更優(yōu)選透光部從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)大致均等地分割配置的方式。上述(A)、(B)、(C)、(D)、(B—1)和(B—2)方式，也可以根據(jù)需要在光掩模內(nèi)適當(dāng)?shù)亟M合使用。此外，上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法的各優(yōu)選方式，也能夠適當(dāng)?shù)亟M合使用。此外，本發(fā)明的光源的種類、曝光量、光掩模的尺寸等曝光的各種條件，根據(jù)期望的取向方位、預(yù)傾角等取向膜的形成條件而適當(dāng)設(shè)定即可。此處，對在分割基板進(jìn)行取向處理的情況下，視覺辨認(rèn)出接縫的原因和利用本發(fā)明不會視覺辨認(rèn)出接縫的理由進(jìn)行說明。首先，對視覺辨認(rèn)出接縫的原因進(jìn)行說明。在分割基板進(jìn)行曝光時，如果掩模的對準(zhǔn)偏移，則因為在相鄰的曝光區(qū)域間，暗線的位置偏移，因此在曝光區(qū)域間的疇的面積比變得不同。因此，由于各曝光區(qū)域的光學(xué)特性不同，特別是在從傾斜方向觀察顯示畫面時，在各曝光區(qū)域間的亮度變得不連續(xù)，作為其結(jié)果，各曝光區(qū)域的邊界被視覺辨認(rèn)為接縫。此外，在相鄰的曝光區(qū)域間的暗線的寬度不同的情況下，由于在曝光區(qū)域間的疇的亮度變得不同，因此與暗線的位置偏移的情況相同，導(dǎo)致各曝光區(qū)域間的亮度變得不連續(xù)，作為其結(jié)果，各曝光區(qū)域的邊界被清楚地視覺辨認(rèn)為接縫。接著，說明不會視覺辨認(rèn)出接縫的理由。在光掩模的半色調(diào)部，如果使透光部逐漸變細(xì)等，使開口率連續(xù)地變化，則透光部的端部的位置，即暗線形成的位置逐漸變化。此外，如果利用半色調(diào)部的透光部逐漸變短等而使開口率連續(xù)變化的光掩模進(jìn)行掃描曝光，則重疊區(qū)域的合計照射量逐漸變化，因此暗線形成的位置也逐漸變化。從而，在重疊區(qū)域中，疇的面積比和曝光區(qū)域間的亮度也連續(xù)變化，因此不會視覺辨認(rèn)出接縫。此外，在暗線的寬度在曝光區(qū)域間不同的情況下，與暗線的位置偏移的情況相同，通過使用具有半色調(diào)部的光掩模，在重疊區(qū)域中，暗線的寬度逐漸變化，因此不會視覺辨認(rèn)出接縫。這樣在本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，即使假設(shè)在接縫的左右，掩模的對準(zhǔn)相互向反方向偏移，因為能夠使用半色調(diào)部使接縫的暗線的偏移的不連續(xù)性變得連續(xù)化，所以難以視覺辨認(rèn)出接縫。從而，使用本發(fā)明的制造方法，即使是60型級別的非常大的液晶顯示裝置，也能夠以高成品率制造。而且，在本說明書中，暗線是指，與通過總線、黑矩陣等遮光體遮敝來自背光源的光的區(qū)域不同，由于取向方位與偏光板的偏光軸方向大致相同或大致正交而在顯示畫面上產(chǎn)生的亮度低、暗的線。即使取向分割的像素的各疇內(nèi)在電壓施加時液晶分子的傾倒方向相同，在不同的疇間液晶分子的傾倒方向也相互不同。此外，因為液晶分子是連續(xù)彈性體，所以在不同的疇間，液晶分子以使向不同的方向傾倒的液晶分子彼此連續(xù)連接的方式進(jìn)行取向。從而，例如在4疇取向的不同疇間，在正面觀察液晶顯示裝置時，液晶分子的取向方位與液晶顯示裝置中通常具有的偏光板的偏光軸方向大致相同或大致正交。關(guān)于透過液晶分子在與該偏光板的偏光軸方向大致相同或大致正交的方向上取向的區(qū)域的偏光，不會發(fā)生基于液晶分子的延遲(相位差)。因此，在該區(qū)域中，透過設(shè)置在背光源側(cè)的下側(cè)偏光板的偏光，在液晶層不受任何影響，被設(shè)置在顯示畫面?zhèn)鹊纳蟼?cè)偏光板切斷。其結(jié)果，在液晶分子在與偏光板的偏光軸方向大致相同或大致正交的方向上取向的區(qū)域，成為亮度低、暗的線(在本說明書稱暗線)。作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，只要必須包括上述曝光工序，則對其他的工序并無特別限定。根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置包括一對相對的基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，而且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域。作為根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)，只要必須具有這樣被取向分割的矩陣型液晶顯示裝置的標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)要素，則對其他結(jié)構(gòu)要素并無特別限定。而且，在本說明書中，取向方位不同的兩個以上的區(qū)域是指，在液晶層上施加有一定的閾值以上或低于一定的閾值的電壓時(電壓施加時)，或在液晶層上沒有施加電壓時(無電壓施加時)，包括在液晶層中的液晶分子傾斜的方向相互不同的多個區(qū)域，即所謂的疇。這樣，取向方位不同的兩個以上的區(qū)域優(yōu)選是在液晶層上施加的電壓變化時，包括在液晶層中的液晶分子傾斜方向相互不同的多個區(qū)域。上述一對相對的基板中的任一個基板，優(yōu)選是矩陣狀設(shè)置有作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(以下也稱為"TFT")和像素電極的TFT陣列基板。此外，上述一對相對的基板中的另一個基板，優(yōu)選是具有濾色器和共用電極的濾色器基板(以下也稱為"CF基板")。這樣，根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置優(yōu)選是有源矩陣型液晶顯示裝置，但也可以是單純矩陣型液晶顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明制造單純矩陣型液晶顯示裝置的情況下，第一基板和第二基板通常是設(shè)置有條紋狀的信號電極(列電極)的基板和設(shè)置有與該信號電極正交的條紋狀的掃描電極(行電極)的基板的組合。而且，在本說明書中，像素在有源矩陣型液晶顯示裝置中由像素電極和與此相對的共用電極規(guī)定。此外，在單純矩陣型液晶顯示元件中，由條紋狀的信號電極和掃描電極的交叉部規(guī)定。此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，光掩模的圖案能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定，因此根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置只要是具有兩個以上的疇的液晶模式則無特別限定，能夠具有作為水平取向模式的多疇TN模式、多疇STN(SuperTwistedNematic:超扭曲向列)模式、多疇ECB模式和多疇OCB模式、以及作為垂直取向模式的MVA模式和PVA模式等多疇的全部的液晶模式。其中，作為根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置的液晶模式，優(yōu)選多疇TN模式和多疇VATN模式。而且，在制造水平取向模式的液晶顯示裝置的情況下，上述液晶層優(yōu)選包括具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，另一方面，在制造垂直取向模式的液晶顯示裝置的情況下，上述液晶層優(yōu)選包括具有負(fù)的介電常數(shù)各向異性的液晶分子。如以上所說明的，本發(fā)明也可以是包括通過具有半色調(diào)部的光掩模使設(shè)置在基板的表面的取向膜曝光的工序，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域的液晶顯示裝置的制造方法。此外，本發(fā)明也可以是包括通過具有第一半色調(diào)部的第一光掩模使取向膜的第一曝光區(qū)域曝光的第一曝光工序、和將具有第二半色調(diào)部的第二光掩模以與通過第一半色調(diào)部曝光的區(qū)域相對應(yīng)配置第二光色調(diào)部的方式進(jìn)行定位之后，通過第二光掩模對與取向膜的第一曝光區(qū)域局部重復(fù)的第二曝光區(qū)域進(jìn)行曝光的第二曝光工序，并且在像素內(nèi)具有兩個以上取向方位不同的區(qū)域的液晶顯示裝置的制造方法。再者，本發(fā)明也可以是一種包括相對的一對基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域的液晶顯示裝置的制造方法，上述制造方法包括通過在遮光區(qū)域內(nèi)形成有多個透光部的第一光掩模使取向膜曝光，由此形成第一曝光區(qū)域的第一曝光工序；和通過在遮光區(qū)域內(nèi)形成有多個透光部的第二光掩模使取向膜的與第一曝光區(qū)域局部重復(fù)的區(qū)域曝光，由此形成第二曝光區(qū)域的第二曝光工序，上述第一光掩模和第二光掩模在與第一曝光區(qū)域和第二曝光區(qū)域重復(fù)的曝光區(qū)域(重疊區(qū)域)對應(yīng)的區(qū)域具有半色調(diào)部，上述第二曝光工序是對在第一曝光工序中通過第一光掩模的半色調(diào)部曝光過的像素內(nèi)的至少一部分的取向膜通過第二光掩模進(jìn)行曝光。以下詳細(xì)敘述本發(fā)明的液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置包括一對相對的基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域。因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置適于被取向分割的矩陣型液晶顯示裝置，具有優(yōu)異的視場角特性。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，在取向方位不同的區(qū)域(疇)間產(chǎn)生的暗線的位置和寬度在相鄰的像素中連續(xù)變化。此外，上述暗線優(yōu)選在顯示畫面的整體中顯示這樣的關(guān)系。在理想地被取向分割的液晶顯示裝置中，疇間通常產(chǎn)生的暗線的位置和寬度在各像素中具有相同的位置和寬度。但是，在進(jìn)行取向分割處理的情況下，通常由于處理裝置的精度的極限、處理條件的偏差等原因，暗線的位置和寬度很多情況下在各像素間不均勻。與此相對，例如即使在各像素間，暗線的位置和寬度不同，如本發(fā)明的液晶顯示裝置所示，暗線的位置和寬度在相鄰的像素間連續(xù)變化，由此亮度也連續(xù)變化，因此在顯示畫面上變得視覺辨認(rèn)不出接縫。而且，作為制造本發(fā)明的液晶顯示裝置的方法并無特別限定，這樣由于暗線的位置和寬度連續(xù)變化，能夠適用上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法。而且，在本說明書中，暗線的位置是指在總線上、黑矩陣上等的液晶顯示面板面內(nèi)的除去遮光體區(qū)域(配置有遮光體的區(qū)域)的液晶取向區(qū)域中，在不同的疇間亮度表示出極小值的位置。此外，暗線的寬度是指相對暗線大致垂直方向的亮度截面曲線中為最大亮度的卯％的兩點間的距離。而且，暗線的位置和寬度的測定，能夠以下述方式進(jìn)行例如在偏光板正交尼科耳配置的偏光顯微鏡下放置液晶顯示面板，在對每個像素進(jìn)行像素照片的攝影之后，實施攝影的各圖像的圖像處理。在本發(fā)明中，暗線的位置和寬度在相鄰像素中連續(xù)變化是指在相鄰像素中，優(yōu)選位置的變化量不足5pm并且寬度的變化量為3pm以下，更優(yōu)選位置的變化量為2pm以下并且寬度的變化量為3pm以下。由此，本發(fā)明的液晶顯示裝置的亮度更連續(xù)地變化，因此能夠更有效地抑制在顯示畫面上視覺辨認(rèn)出接縫。上述一對相對的基板，與上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中的基板相同，在本發(fā)明的液晶顯示裝置為有源矩陣型液晶顯示裝置的情況下，優(yōu)選為TFT陣列基板和CF基板，此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置為單純矩陣型液晶顯示裝置的情況下，通常是設(shè)置有信號電極的基板和設(shè)置有掃描電極的基板的組合。在本發(fā)明中，上述取向膜只要能夠發(fā)現(xiàn)取向限制力則沒有特別限定，能夠舉出通過研磨、離子束照射或等離子體照射而取向處理過的樹脂膜，通過光照射而取向處理過的光取向膜，和斜向蒸鍍過的SiOx等無機(jī)物等，但其中優(yōu)選光取向膜。由此，使用上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法能夠容易地制造本發(fā)明的液晶顯示裝置。此外，作為上述光取向膜的材料，只要是通過光照射產(chǎn)生取向限制力，并且取向方位與光照射的方向或光的照射區(qū)域的移動方向相應(yīng)地變化的材料，則無特別限定，能夠舉出包含感光性基的樹脂等，其中，優(yōu)選通過光照射產(chǎn)生選自交聯(lián)反應(yīng)(包括二聚化反應(yīng))、異構(gòu)化反應(yīng)和光致再取向中的至少一個反應(yīng)或取向的材料。即，上述光取向膜優(yōu)選通過光照射產(chǎn)生選自交聯(lián)反應(yīng)、異構(gòu)化反應(yīng)和光致再取向中的至少一個反應(yīng)或取向。由此，相比于光分解型的光取向膜材料，能夠有效地抑制預(yù)傾角的偏差。光照射中能夠使用的光線無特別限定，優(yōu)選偏振紫外線。此外，作為產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)(包括二聚化反應(yīng))、異構(gòu)化反應(yīng)、光致再取向等的取向膜材料，并無特別限定，能夠舉出包括4一查耳酮基(下述化學(xué)式(l))、4'一查耳酮基(下述化學(xué)式(2))、香豆素基(下述化學(xué)式(3))和肉桂酰基(下述化學(xué)式(4))等感光性基的聚酰亞胺等。而且，下述化學(xué)式(4)的肉桂?；聂驶M(jìn)一步與氧原子結(jié)合的肉桂酸基(C6H5—CH=CH—COO—)，具有容易合成的優(yōu)點。因此，作為光取向膜的材料，優(yōu)選包含肉桂酸基的聚酰亞胺。此外，在通過離子束照射或等離子體照射進(jìn)行取向處理的情況下，作為掩模，優(yōu)選使用例如由金屬構(gòu)成的掩模。[化學(xué)式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>上述液晶層包括液晶分子而構(gòu)成，作為液晶分子并無特別限定，也可以包括多個液晶材料。液晶模式優(yōu)選為水平取向模式或垂直取向模式。即，在本發(fā)明中，優(yōu)選上述液晶層包括具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，上述取向膜設(shè)置在兩個基板的液晶層側(cè)的表面上，并且在施加電壓低于閾值時液晶分子相對于取向膜表面大致水平地取向，此外，優(yōu)選上述液晶層包括具有負(fù)的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，上述取向膜設(shè)置在兩個基板的液晶層側(cè)的表面，并且在施加電壓低于閾值時液晶分子相對于取向膜表面大致垂直地取向。在上述水平取向模式或垂直取向模式的液晶顯示裝置中，疇數(shù)能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，優(yōu)選為兩個以上、四個以下。艮口，上述水平取向模式或垂直取向模式的液晶顯示裝置中，上述取向方位不同的區(qū)域(疇)優(yōu)選設(shè)置為每個像素兩個以上、四個以下，更優(yōu)選每一個像素設(shè)置為四個。由此，能夠抑制制造工序的復(fù)雜化，實現(xiàn)視場角特性優(yōu)異的液晶顯示裝置。當(dāng)疇為兩個時，在顯示畫面中，例如上下、左右的某一個方向能夠被廣視場角化，而不能夠提高另一個方向的視場角特性。另一方面，通過使疇為四個，在能夠使上下左右的任一個方向均廣視場角化的同時，也能夠使得任一個方向的視場角特性大致相同，艮口，能夠?qū)崿F(xiàn)對稱性優(yōu)異的視場角特性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)沒有視場角依賴性的液晶顯示裝置。作為取向分割為四個疇的情況下的疇的配置方式?jīng)]有特別限定，能夠舉出矩陣狀、目字狀等條紋狀等。雖然可以使疇為四個以上，但由于制造工藝變得煩雜，取向處理時間也變長。此外，已知四疇的取向分割和在其以上的取向分割之間的視場角特性在實用上沒有很大的差別。此外，在本發(fā)明中，優(yōu)選液晶模式為多疇TN模式或多疇VATN模式。即，在上述水平取向模式或垂直取向模式的液晶顯示裝置中，液晶顯示裝置優(yōu)選在俯視基板時，設(shè)置在一個基板上的取向膜和設(shè)置在另一個基板上的取向膜的表面附近的取向方位大致正交。由此，能夠使本發(fā)明的液晶顯示裝置廣視場角化。其中，VATN(VerticalAlignmentTwistedNematic:垂直取向扭曲向列)模式是通過在相互的基板中使用取向處理方向正交的垂直取向膜，液晶分子垂直取向并且具有扭曲結(jié)構(gòu)的模式。此外，取向膜的表面附近的液晶分子的取向方位優(yōu)選與取向膜的表面的取向控制方位(取向控制方向)相同。作為本發(fā)明的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)，只要必須這樣的結(jié)構(gòu)要素而形成，則既可以包括其他結(jié)構(gòu)要素，也可以不包括其他結(jié)構(gòu)要素，沒有特別限定，例如暗線的一部分或全部可以通過BM等遮光體(遮光部件)覆蓋。在暗線的一部分由遮光部件覆蓋的情況下，使未由遮光體覆蓋的部分的暗線的位置和寬度連續(xù)連接即可。此外，在液晶顯示裝置的全部像素中在暗線完全由遮光體遮光的情況下，如果遮光體的位置和寬度連續(xù)且平滑地連接，則能夠達(dá)到與本發(fā)明的液晶顯示裝置相同的作用效果。這樣，本發(fā)明的液晶顯示裝置也可以是包括一對相對的基板、設(shè)置在上述基板間的液晶層、設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜、和設(shè)置在至少一個基板上的遮光體，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域的液晶顯示裝置，其中，上述遮光體配置在取向方位不同的區(qū)域間，并且其位置和寬度在相鄰的像素中連續(xù)變化。而且，在暗線由遮光體完全遮光的情況下，優(yōu)選以使暗線不會伸出至顯示區(qū)域(像素開口部)的方式，使遮光體的寬度比暗線的寬度寬。此外，關(guān)于具有遮光體的本發(fā)明的液晶顯示裝置，能夠適當(dāng)適用上述本發(fā)明的液晶顯示裝置的優(yōu)選方式。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，即使在像素內(nèi)形成有兩個以上的疇的液晶顯示裝置中分割基板進(jìn)行取向處理的情況下，也能夠抑制在顯示畫面上產(chǎn)生接縫，能夠提高成品率。從而，能夠穩(wěn)定地制造60型級別的大型的液晶顯示裝置，并且能夠使曝光裝置小型化。此外，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，暗線的位置和寬度連續(xù)變化，因此能夠抑制在顯示畫面上產(chǎn)生接縫。圖1是用于說明實施方式1的畫面接續(xù)曝光工藝的截面示意圖。圖2(a)是表示實施方式1的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，(b)的左圖是表示在一個像素中的作為第一基板的TFT陣列基板和作為第二基板的CF基板的表面上設(shè)置的垂直取向膜面上實施的紫外線照射處理的方向、和施加閾值以上的電壓時的液晶層的中層附近的液晶分子的取向方位的平面示意圖，(b)的右圖是表示上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P和下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q的平面示意圖。圖3(a)是表示在一個像素中的作為第一基板的TFT陣列基板的表面上設(shè)置的垂直取向膜面上實施的紫外線照射處理的方向的平面示意圖，(b)是表示在一個像素中的作為第二基板的CF基板的表面上設(shè)置的垂直取向膜面上實施的紫外線照射處理的方向的平面示意圖。圖4是用于說明實現(xiàn)四疇的取向分割用的紫外線照射方向的示意圖，(a)是表示對TFT陣列基板的紫外線照射處理方向的平面示意圖，(b)是表示對CF基板的紫外線處理方向的平面示意圖，(c)是表示對TFT陣列基板或CF基板的紫外線照射處理的方式的立體示意圖，(d)是表示對TFT陣列基板或CF基板的紫外線照射處理的方式的截面示意圖。圖5是用于說明實施方式1的畫面接續(xù)曝光方法的平面示意圖。圖6是用于說明已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式1的畫面接續(xù)曝光法的上面示意圖、和表示重疊區(qū)域的掩模圖案的放大平面示意圖，(a)是表示對TFT陣列基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖、和表示用于對TFT陣列基板進(jìn)行曝光的光掩模的重疊區(qū)域中的光掩模圖案的放大示意圖，(b)是表示對CF基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖、和表示用于對CF基板進(jìn)行曝光的光掩模的重疊區(qū)域中的光掩模圖案的放大示意圖。圖7是用于說明未進(jìn)行消除接縫處理的比較方式的畫面接續(xù)曝光法的上面示意圖，(a)是表示對TFT陣列基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖，(b)是表示對CF基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖。圖8是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的未進(jìn)行消除接縫處理的比較方式的光掩模的示意圖，(a)是表示光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖9是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的己進(jìn)行消除接縫處理的實施方式1的光掩模的示意圖，(a)是表示重疊區(qū)域的光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖IO是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式1的其他光掩模的示意圖，(a)是表示重疊區(qū)域的光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖11是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的實施方式1的光掩模的重疊區(qū)域中的參數(shù)的示意圖。圖12是表示在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的實施方式2的光掩模的重疊區(qū)域的透光部的開口率變化的圖表，(a)是表示合計照射量最大50%的三角函數(shù)的圖表，(b)是表示合計照射量最大100%的三角函數(shù)的圖表。圖13是表示在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的實施方式2的光掩模的重疊區(qū)域的透光部的開口率變化的其他圖表，(a)是表示合計照射量最大150%的三角函數(shù)的圖表，(b)是表示合計照射量最大200%的三角函數(shù)的圖表。圖14(a)是表示在畫面接續(xù)曝光工藝的接縫檢驗實驗中使用的實施方式1的TFT陣列基板用的光掩模的上面示意圖，(b)是表示三個像素(1RGB)單位的示意圖。圖15(a)是表示在畫面接續(xù)曝光工藝的檢驗實驗中使用的實施方式1的CF基板用的光掩模的上面示意圖，(b)是表示三個像素(lRGB)單位的示意圖。圖16是表示在接縫檢驗實驗中使用的面板的施加電壓一透過率特性的圖表。圖n是用于說明在接縫檢驗實驗中，在預(yù)先使光掩模的圖案偏移的狀態(tài)下使基板被曝光后的面板的一個像素的平面示意圖。圖18是用于說明為接縫檢驗實驗用而試制的面板的各曝光區(qū)域和接縫檢驗實驗中的觀察方向的平面示意圖。圖19是在接縫檢驗實驗中，在預(yù)先使光掩模的圖案偏移的狀態(tài)下使基板被曝光后的面板的接線的左右區(qū)域的像素照片。圖20是用于說明在接縫檢驗實驗中，在預(yù)先使光掩模的圖案偏移的狀態(tài)下使基板被曝光后的面板的暗線的位置和寬度的亮度特性圖(亮度截面曲線)。圖21是表示在接縫檢驗實驗中，在預(yù)先使光掩模的圖案偏移的狀態(tài)下使基板被曝光后的面板的暗線的位置和寬度的解析結(jié)果的圖表，(a)表示重疊區(qū)域的暗線的位置，(b)表示重疊區(qū)域的暗線的寬度。圖22是說明實施方式2的畫面接續(xù)曝光工藝的方式的示意圖，(a)是表示掃描曝光裝置的立體示意圖和表示TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)的平面示意圖，(b)是表示在一個像素中在TFT陣列基板和CF基板的表面上設(shè)置的垂直取向膜面上實施的紫外線照射處理的方向和施加閾值以上的電壓時的液晶層的中層附近的液晶分子的取向方位的平面示意圖。圖23是用于說明已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式2的畫面接續(xù)曝光法的上面示意圖，(a)是表示對TFT陣列基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖，(b)是表示對CF基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖。圖24是用于說明未進(jìn)行消除接縫處理的比較方式的畫面接續(xù)曝光法的上面示意圖，(a)是表示對TFT陣列基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖，(b)是表示對CF基板的第一次曝光和第二次曝光的方式的上面示意圖。圖25是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式2的光掩模圖案的平面示意圖。圖26是表示接縫檢驗實驗用的光掩模的重疊區(qū)域中的各位置的透光部的開口率的圖。圖27是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式1的再其他光掩模的示意圖，(a)是表示重疊區(qū)域中的光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖28是表示在接縫檢驗實驗中，在預(yù)先使光掩模的鄰近間隙不同的狀態(tài)下使基板被曝光后的面板的暗線的位置和寬度的解析結(jié)果的圖表，(a)表示重疊區(qū)域的暗線的位置，(b)表示重疊區(qū)域的暗線的寬度。圖29是表示使用圖25中所示的光掩模進(jìn)行掃描曝光的區(qū)域的示意圖。圖30是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的己進(jìn)行消除接縫處理的實施方式2的光掩模的示意圖，(a)是表示重疊區(qū)域的光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖31是用于說明圖30所示的光掩模的重疊區(qū)域中的各透光部的尺寸的透光部的平面示意圖，(a)表示TFT陣列基板用的光掩模的重疊區(qū)域的各透光部，(b)表示CF基板用的光掩模的重疊區(qū)域的各透光部。圖32是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的已進(jìn)行消除接縫處理的實施方式2的其他光掩模的示意圖，(a)是表示重疊區(qū)域中的光掩模的圖案和配置關(guān)系的平面示意圖，(b)是表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光的區(qū)域的示意圖。圖33是用于說明在畫面接續(xù)曝光工藝中所使用的己進(jìn)行消除接縫處理的實施方式2的再其他光掩模的平面示意圖，(a)表示TFT陣列基板用的光掩模的重疊區(qū)域中的圖案，(b)表示CF基板用的光掩模的重疊區(qū)域中的圖案。符號說明1:第一基板(TFT陣列基板)2:第二基板(CF基板)3:液晶層3a:液晶分子4、4a、4b:透明電極5:取向膜5a、5b:垂直取向膜6:像素7a、7b:水平取向膜8:鄰近間隙9:偏振紫外線10:預(yù)傾角11:重疊區(qū)域12:半色調(diào)部13:大尺寸基板14:一次分割曝光中被曝光的區(qū)域15:光源16:基板17:圖像檢測用攝像機(jī)18:接線右區(qū)域19:接線左區(qū)域20:接線21:遮光區(qū)域22:總線23:TFT24:偏光板24a:上側(cè)偏光板24b:下側(cè)偏光板25:相位差板26:區(qū)域La(區(qū)域Lb)的像素27:區(qū)域Ra(區(qū)域Rb)的像素101:液晶顯示裝置200、200a、200b、300、301、302、303:光掩模P:上側(cè)偏光板的偏光軸方向Q:下側(cè)偏光板的偏光軸方向S:透光部L:遮光部PX:X方向的像素間距Py:y方向的像素間距y:透光部的長度Ll、L2、L3、L4、Rl、R2、R3、R4:疇LA、RB、Lb、Rb:區(qū)域具體實施例方式以下揭示實施方式，參照附圖進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不僅限定于這些實施方式。(實施方式1)對于本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置，依次按照1.液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)、2.曝光方法、3.畫面接續(xù)曝光工藝、4.光掩模圖案、和5.試制面板檢驗實驗的順序進(jìn)行說明。1.液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)首先對本發(fā)明的實施方式1的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。本實施方式的液晶顯示裝置具有四疇VATN模式的液晶模式。圖2(a)是表示實施方式1的液晶顯示裝置中的一個像素的結(jié)構(gòu)的截面示意圖。如圖2(a)所示，液晶顯示裝置101包括作為相對的一對基板的第一基板1(例如TFT陣列基板)和第二基板2(例如CF基板)、和設(shè)置在第一基板1和第二基板2之間的液晶層3。在第一基板1的液晶層3側(cè)的表面上，設(shè)置有用于在液晶層3上施加驅(qū)動電壓的透明電極4a、和透明電極4a上的垂直取向膜5a。此外，同樣地，在第二基板2的液晶層3側(cè)的表面上，也設(shè)置有用于在液晶層3上施加驅(qū)動電壓的透明電極4b、和透明電極4b上的垂直取向膜5b。而且，在第一基板1和第二基板2上，從基板側(cè)開始依次配置有相位差板25和偏光板24。相位差板25不設(shè)置也可以，但從擴(kuò)大液晶顯示裝置的視場角的觀點出發(fā)，優(yōu)選設(shè)置。此外，相位差板25也可以僅配置在單側(cè)的基板上。這樣，液晶顯示裝置101包括所謂的液晶顯示面板。其中，在本實施方式中，設(shè)第一基板1側(cè)的偏光板為下側(cè)偏光板24b、第二基板2側(cè)的偏光板為上側(cè)偏光板24a。液晶層3含有例如介電常數(shù)各向異性為負(fù)的向列液晶材料(負(fù)型向列液晶材料)，配置在第一基板1的液晶層3側(cè)的表面所設(shè)置的垂直取向膜5a與第二基板2的液晶層3側(cè)的表面所設(shè)置的垂直取向膜5b之間。液晶層3內(nèi)的液晶分子3a在未在液晶層3上施加驅(qū)動電壓時(無電壓施加時)相對垂直取向膜5a、5b的表面大致垂直地取向。實際上，此時，液晶分子3a相對垂直取向膜5a、5b的表面具有從0.r左右到數(shù)度左右的若干個傾角(預(yù)傾角)而傾斜取向。另一方面，當(dāng)在與液晶層3的層面垂直的方向上施加驅(qū)動電壓，該驅(qū)動電壓為某閾值以上的大小時，由于該預(yù)先設(shè)定的預(yù)傾角，液晶分子3a向一定的方向傾斜。在施加有充分的驅(qū)動電壓時，液晶層3的液晶分子3a相對第一基板1和第二基板2的面大致平行取向。此時液晶分子3a傾斜的方向，由設(shè)置在第一基板1上的垂直取向膜5a和設(shè)置在第二基板2上的垂直取向膜5b的表面的取向控制方向(取向方位)規(guī)定。本實施方式的液晶顯示元件101中，該垂直取向膜5a、5b的表面的取向方位，能夠通過使用具有與像素尺寸和像素間距相對應(yīng)地設(shè)計的透光部的光掩模，僅在各像素的期望的部分從相對基板面的傾斜方向?qū)嵤┳贤饩€處理而進(jìn)行規(guī)定。圖2(b)是表示在一個像素中，在作為第一基板的TFT陣列基板和作為第二基板的CF基板的表面設(shè)置的垂直取向膜面上實施的紫外線照射處理的方向、最終的液晶分子的取向膜表面上的預(yù)傾角方向及閾值以上的電壓施加時的取向方位、和上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P及下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q的上面示意圖。在圖2(b)中，表示液晶分子3a，特別是液晶層3的中層附近(單元的中央附近)的液晶分子的傾斜方位。此外，在作為第一基板的TFT陣列基板上實施的紫外線照射方向以虛線箭頭表示，在作為第二基板的CF基板上實施的紫外線照射方向以實線箭頭表示。而且，在圖2(b)中，像素6被分割成8個區(qū)域，但因為取向方位為4個，所以本實施方式的液晶顯示裝置稱為四疇。如圖2(b)所示，本實施方式的液晶顯示裝置101使用負(fù)型的液晶材料，因此液晶分子3a在施加電壓時呈現(xiàn)90度扭曲取向，并且液晶分子的傾斜方向分為不同(具體而言，大致90°的差異)的四個疇進(jìn)行取向。即，本實施方式的液晶顯示裝置101具有四疇VATN模式的液晶模式。此外，本實施方式的液晶顯示裝置101，使用在俯視基板時，上側(cè)偏光板的偏光軸方向P和下側(cè)偏光板的偏光軸方向Q相互正交的正交偏光板。從而，在施加電壓時，從下側(cè)偏光板24b入射的光成為偏光軸方向P的偏光，在液晶層3中沿著液晶分子3a的扭曲90度旋光，成為偏光軸方向Q的偏光而從上側(cè)偏光板24a射出。其中，在本說明書中，偏光軸是指吸收軸。此外，上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P和下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q并不特別限定于上述方向，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可，但優(yōu)選俯視基板時的上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P和下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q所成的角為90度，即正交尼禾斗耳(cross隱Nicol)。而且，在本實施方式的液晶顯示裝置101中，如上所述在施加電壓時，俯視基板時的各疇中的液晶分子3a的傾倒方向相互成大致卯度的角度。從而，在不同的疇的邊界上，液晶分子3a以連續(xù)地連接相互向不同的方向傾倒的液晶分子3a的方式，即以將大致卯度2等分的方式進(jìn)行取向。此外，如圖2(b)所示，液晶層3的中層附近的液晶分子3a的傾倒方向相對上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P和下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q有大致45。的不同。其結(jié)果是，在不同的疇的邊界上的液晶分子的取向方位，成為與上側(cè)偏光板24a的偏光軸方向P或下側(cè)偏光板24b的偏光軸方向Q大致相同或大致正交的方位。從而，在不同的疇的邊界上，透過下側(cè)偏光板24b的偏光不會由于液晶分子3a而產(chǎn)生延遲(相位差)。即，透過下側(cè)偏光板24b的偏光在液晶層3不受任何影響。因此，透過下側(cè)偏光板24b的偏光不能透過上側(cè)偏光板24a，從而在不同的疇的邊界上產(chǎn)生亮度低、暗的線，即暗線。四疇VATN模式的取向分割的優(yōu)點是，能夠以分別對單側(cè)的基板照射兩次，共計4次的照射使像素取向分割成液晶分子3a的取向方位相互不同的四個疇，因此能夠?qū)崿F(xiàn)裝置臺數(shù)的減少、取向處理時間的縮短(節(jié)拍時間的縮短)。此外，將像素分割為四疇是從液晶顯示元件的廣視場角化的觀點出發(fā)的優(yōu)選方式。而且，在將像素分割為兩個疇的情況下，例如上下、左右的某一個方向能夠廣視場角化，但其他的方向的視場角特性不提高。另一方面，通過將像素分割為四個疇，能夠在上下左右的任一個方向均實現(xiàn)廣視場角化，并且能夠使任一個方向的視場角特性也大致相同，即，能夠?qū)崿F(xiàn)對稱性優(yōu)異的視場角特性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)沒有視場角依賴性的液晶顯示裝置。此外，雖然也可以將疇增加為四個以上，但由于工藝變得煩雜、且處理時間也變長，所以不優(yōu)選。而且，己知在四疇及其以上的疇之間，在視場角特性上，在實用中并沒有很大的差別。在本實施方式中以垂直取向型的液晶顯示裝置進(jìn)行了說明，但水平取向型的液晶顯示裝置也同樣能夠應(yīng)用。在水平取向型的液晶顯示裝置的情況下，液晶層3含有介電常數(shù)各向異性為正的向列液晶材料(正型向列液晶材料)，在圖2(a)中，配置在代替垂直取向膜5a、5b而設(shè)置在第一基板1的液晶層3側(cè)的表面上的水平取向膜7a與設(shè)置在第二基板2的液晶層3側(cè)的表面上的水平取向膜7b之間。2.曝光方法接著，使用圖3和圖4，對用于實現(xiàn)本實施方式的四疇VATN模式的液晶顯示裝置的曝光方法進(jìn)行說明。首先，讀取設(shè)置在基板上的對準(zhǔn)標(biāo)志，將條紋狀地配置有具有像素間距的大致一半的寬度的透光部和遮光部的光掩模200a對準(zhǔn)固定在與TFT陣列基板的期望的位置上。此處，在光掩模200a和TFT陣列基板1之間，如圖4(d)所示，設(shè)置有某間隔(鄰近間隙8)。該間隔是為了在使用大尺寸的光掩模時，不使光掩模由于自重?fù)锨c基板面接觸而設(shè)置的。而且，如圖3(a)和圖4(a)所示，沿著A方向從傾斜方向照射偏振紫外線。以后，稱該照射為A曝光。在圖4(c)中表示偏振紫外線9的傾斜方向照射的立體示意圖。其中，在TFT陣列基板、CF基板上，如圖4(d)所示，使用與偏振紫外線反應(yīng)，沿紫外線的照射方向在取向膜(未圖示)附近的液晶分子3a中產(chǎn)生預(yù)傾角IO的取向膜材料(光取向膜材料)。然后，在A曝光之后，如圖4(a)所示，使光掩模200a以例如x方向的像素間距Px的1/2間距的程度在x方向平行移動。之后，沿著B方向從傾斜方向照射偏振紫外線。以后稱該照射為B曝光。接著，如圖3(b)和圖4(b)所示，對CF基板用的光掩模200b也同樣地進(jìn)行對準(zhǔn)并實施A曝光。然后，在A曝光之后，使光掩模200b以例如與x方向正交的y方向的像素間距Py的1/4間距的程度在y方向平行移動。之后，實施B曝光。之后，在進(jìn)行通常的單元組合之后，注入液晶材料完成面板，實現(xiàn)如圖2(b)所示的這種在施加某閾值以上的電壓時取向分割為四疇的液晶顯示面板。最后，通過具有驅(qū)動器搭載工序、背光源安裝工序等的模塊制造工序，完成本實施方式的液晶顯示裝置。而且，為了實施四疇的取向分割，在本實施方式中當(dāng)進(jìn)行曝光時，對TFT陣列基板使用設(shè)置有具有x方向的像素間距的1/2間距的條紋圖案的光掩模200a，而對CF基板使用設(shè)置有具有y方向的像素間距的1/4間距的條紋圖案的光掩模200b，但并不限定于此，圖案也可以根據(jù)像素的布局、像素尺寸、面板的分辨率等進(jìn)行適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。此外，在本實施方式中將四個疇配置為矩陣狀，但并不特別限定于此，也可以配置為目字這樣的條紋狀，也可以為其以外的配置。另一方面，如本實施方式所示，優(yōu)選各疇的邊界沿著與像素的邊界大致平行的方向配置。作為在本實施方式中能夠使用的材料和能夠適用于本實施方式的制造工藝的條件，能夠例舉如下。但是，在本實施方式中能夠使用的材料和條件并不一定限定于以下所述。此外，在本實施方式中并不一定需要使用偏光，也可以使用無偏光(消光比1:1)，根據(jù)取向膜材料、制造工藝等進(jìn)行適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。*液晶材料An(雙折射)二0.060.14,As(介電常數(shù)各向異性)=—2.0一8.0，Tni(向列一各向同性(nematic-anisotropic)相轉(zhuǎn)變溫度)二60110。C。預(yù)傾角8589.9°單元厚度25pm照射量0.015J/cm2鄰近間隙10250um-光源低壓水銀燈、高壓水銀燈、重氫燈、金屬鹵化物燈、氬共振燈、氙燈、受激準(zhǔn)分子激光器。偏振紫外線的消光比(偏光度)1:160:1*紫外線照射方向從基板面法線方向的060。方向3.畫面接續(xù)曝光工藝以上敘述了取向分割為四疇的方法，在基板尺寸小的情況下，如圖4所示，僅進(jìn)行對TFT陣列基板的兩次照射(A曝光和B曝光)和對CF基板的兩次照射(A曝光和B曝光)的共計四次的照射即完成曝光處理。但是，在基板尺寸大的情況下，例如在作為最近的大型液晶TV的60型程度以上的基板尺寸的情況下，一次曝光不能夠使大尺寸基板的整個區(qū)域曝光(shot)。因此，在該情況下，必須進(jìn)行分成多次對基板進(jìn)行曝光的工藝(分割曝光工藝、畫面接續(xù)曝光工藝)。因此，使用圖1的實施方式中的畫面接續(xù)曝光工藝的概念圖，對畫面接續(xù)曝光工藝進(jìn)行說明。首先，如圖1(a)的左圖所示，對設(shè)置在作為第一基板或第二基板的大尺寸基板13上的取向膜5的左側(cè)照射兩次偏振紫外線9(A曝光和B曝光)。以后，稱這些照射為第一次曝光。接著，如圖1(a)的右圖所示，使基板、或光源和光掩模平行移動，在對準(zhǔn)并固定之后，此次對設(shè)置在大尺寸基板13上的取向膜5的右側(cè)照射兩次偏振紫外線9(A曝光和B曝光)。以后稱這些照射為第二次曝光。此時，大尺寸基板13在畫面接縫附近在將光掩模200以規(guī)定的距離重復(fù)的狀態(tài)下被曝光(重疊曝光)。即，如圖1(b)所示，大尺寸基板13在重復(fù)曝光的區(qū)域(重疊區(qū)域ll)中被曝光兩次。光掩模200具有基本如圖4所示的用于將各像素取向分割為四疇的條紋圖案(例如設(shè)置有具有像素的1/2間距、1/4間距程度的寬度的透光部S和遮光部L的圖案)，但在重疊區(qū)域11，如圖1(c)所示，具有半色調(diào)部12。在該半色調(diào)部12中，在條紋圖案的透光部(S)上附有規(guī)定的半色調(diào)圖案(漸變圖案(gradationpattern)),透光部(S)的開口率逐漸變化。半色調(diào)圖案的附加方法在后面詳細(xì)敘述，優(yōu)選盡可能平滑地或不產(chǎn)生不連續(xù)分級的附加方法。在本實施方式中，在光掩模200上設(shè)置半色調(diào)部，進(jìn)行重疊曝光的畫面接續(xù)曝光工藝，假設(shè)不設(shè)置半色調(diào)部而進(jìn)行畫面接續(xù)曝光，則與是否進(jìn)行重疊曝光無關(guān)，能夠清楚地視覺辨別接縫的邊界線(接線)。這是因為，即使裝置精度、光掩模精度、對準(zhǔn)精度等為最大限度地最小化，也不可能使分割曝光的左右或上下的曝光區(qū)域間的照射條件完全一致，而且，即使該分割曝光的區(qū)域間的照射條件的差別很微小，在分割曝光的區(qū)域間不連續(xù)的條件也仍然相鄰。而且，即使假設(shè)相同的曝光區(qū)域內(nèi)的中心附近和周邊附近的照射條件不同，因為該不同在同一曝光區(qū)域內(nèi)多連續(xù)變化，所以很少會被人的眼睛辨認(rèn)為接線。這樣，本發(fā)明的最大的目的在于提供一種液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置，其能夠有效地抑制在畫面接續(xù)曝光中作為最大問題的接縫的產(chǎn)生。此外，在圖1中對每一個基板進(jìn)行第一次曝光和第二次曝光的兩次曝光的情況進(jìn)行了描繪，但畫面接續(xù)曝光的次數(shù)(接續(xù)次數(shù))并不限定于兩次，可以為多次。在增加接續(xù)次數(shù)的情況下，能夠使掩模尺寸、光源尺寸和裝置尺寸減小，但由于接縫變多，因此能夠看到接縫而變得不良的概率增加。另一方面，如果將接續(xù)次數(shù)限制為必要的最小限度，則掩模尺寸、光源尺寸和裝置尺寸變得巨大，關(guān)系到工廠內(nèi)的裝置占據(jù)空間的增加、裝置的成本增加、巨大掩模的圖案的不均勻化的問題。因此，優(yōu)選根據(jù)基板的尺寸、工廠內(nèi)的布局等適當(dāng)決定接續(xù)次數(shù)。表1中集中表示了上述用于進(jìn)行將像素取向分割為四疇的曝光(A曝光和B曝光)，與畫面接續(xù)曝光(第一次曝光、第二次曝光、……的各曝光)的不同。表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>在本實施方式中，如圖5所示，因為相對于大尺寸基板13的外形(細(xì)線部)，由一次分割曝光而曝光的區(qū)域14(粗線部)小，所以畫面接續(xù)曝光工藝變得必需。曝光次數(shù)是，在TFT陣列基板中，因為相對第一次曝光和第二次曝光分別進(jìn)行用于將像素取向分割為四疇的A曝光和B曝光，所以共計2X2=4次曝光。此外，在CF基板中也是同樣，曝光次數(shù)是，因為相對第一次曝光和第二次曝光分別進(jìn)行用于取向分割為四疇的A曝光和B曝光，所以共計2X2=4次曝光。從而，曝光次數(shù)在每一個面板中為共計8次曝光。而且，在本實施方式中使用的光掩模200，如圖6所示，尺寸相比基板的一半大一些，在光掩模200的兩側(cè)的相對的兩個區(qū)域中設(shè)置有半色調(diào)部12。圖6(a)是表示TFT陣列基板1中的第一次曝光和第二次曝光的上面示意圖、和表示半色調(diào)部12的圖案的放大示意圖，(b)是表示CF基板2中的第一次曝光和第二次曝光的上面示意圖、和表示半色調(diào)部12的圖案的放大示意圖。如圖6所示，可知通過進(jìn)行畫面接續(xù)曝光工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)看不到接縫的液晶顯示裝置。此時，在光掩模200上設(shè)置的兩個半色調(diào)部12中，僅一個半色調(diào)部12配置在接縫附近，另一個半色調(diào)部12從基板伸出配置。而且，半色調(diào)部12的開口率在每3個像素(一個RGB單位)中線形狀變化。此外，如圖6的放大示意圖所示，半色調(diào)部12的圖案使用在TFT陣列基板1和CF基板2中的縫圖案的寬度均隨著朝向光掩模的端部而逐漸變窄的圖案。另一方面，如圖7所示，在使用尺寸剛好為基板的一半、且沒有半色調(diào)部的光掩模200進(jìn)行畫面接續(xù)曝光的情況下，與是否進(jìn)行重疊曝光無關(guān)，在基板的剛好中央線的地方能夠明確地看到接縫。這樣，可知在畫面接續(xù)曝光工藝中，必須使用具有半色調(diào)部的光掩模進(jìn)行重疊曝光。4.光掩模圖案以下使用圖810和圖27，對光掩模的半色調(diào)部的優(yōu)選圖案的附加方法詳細(xì)進(jìn)行說明。圖8表示沒有重疊曝光的區(qū)域、且沒有半色調(diào)部的光掩模圖案，圖9表示有重疊曝光的區(qū)域、并且有半色調(diào)部的光掩模圖案，圖IO表示有重疊曝光的區(qū)域、并且有半色調(diào)部的另一光掩模圖案，圖27表示有重疊曝光的區(qū)域、并且有半色調(diào)部的再另一光掩模圖案。具有圖9、10和27的圖案的光掩模是本發(fā)明的光掩模。另一方面，具有圖8的圖案的光掩模是預(yù)測會看到接縫的比較方式的光掩模。首先，使用圖8，對使用沒有半色調(diào)部的光掩模且沒有進(jìn)行重疊曝光的情況進(jìn)行說明。圖8(a)表示各光掩模的圖案和配置關(guān)系，(b)表示使用(a)中所示的光掩模進(jìn)行曝光時所曝光的區(qū)域。圖8(a)表示掩模對準(zhǔn)沒有偏差且正確地定位光掩模時的配置，上兩層表示第一次曝光(圖中的1st)時的A曝光(圖中的A)和B曝光(圖中的B)，下兩層表示第二次曝光(圖中的2nd)時的A曝光(圖中的A)和B曝光(圖中的B)。另一方面，在圖8(b)中，上層表示該正確定位時實際曝光的區(qū)域。該上層中的上兩層表示第一次曝光的A曝光時的曝光區(qū)域和B曝光時的曝光區(qū)域。此外，上層中的下兩層表示第二次曝光的A曝光時的曝光區(qū)域和B曝光時的曝光區(qū)域。其中，A曝光的曝光區(qū)域由左下傾斜的斜線表示，B曝光的曝光區(qū)域由左下傾斜的斜線格子表示。這樣，在正確地定位光掩模，以理想的左右相同的條件進(jìn)行曝光的情況下，A曝光和B曝光的邊界，即暗線的位置和寬度在接縫的左右完全相同因而不會看到接縫。但是，實際上，因為在接縫的左右以完全相同的條件進(jìn)行照射是不可能的，因此在使用該光掩模的情況下，會看到接縫。因此，考慮假設(shè)圖8的光掩模的對準(zhǔn)有偏差的情況。在裝置的對準(zhǔn)實力上，作為大尺寸基板和大型掩模的對準(zhǔn)精度，難以避免土數(shù)pm左右的偏差。圖8(b)的下層表示發(fā)生對準(zhǔn)偏差時的曝光區(qū)域的狀況，箭頭表示暗線產(chǎn)生的位置。具體而言，圖8(b)的下層假設(shè)第一次曝光時向右例如偏移5pm左右，在第二次曝光時向左例如偏移5pm左右的情況。在一個像素內(nèi)的縱方向產(chǎn)生的暗線，產(chǎn)生在A曝光和B曝光的邊界。因此，在接線的左側(cè)，暗線的位置向右方向偏移5pm左右，在接線的右側(cè)，暗線的位置向左方向偏移5pm左右。其結(jié)果，由于暗線的位置在接線的左右急劇變化，因此特別是從傾斜視角觀察時，在接縫的左右出現(xiàn)明確的亮度差，視覺辨認(rèn)出接線。在接線的左右出現(xiàn)亮度差的原因在后面詳細(xì)敘述，但根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人們的解析可知，是因為位于一個像素內(nèi)的四個疇的面積比在接縫的左右不同而引起的。此外，在光掩模的對準(zhǔn)偏差之外，也能考慮到其他導(dǎo)致看到接縫的原因，但根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人們的研究，判明對準(zhǔn)精度的誤差所引起的該對準(zhǔn)偏差是最大的原因。于是，本發(fā)明的發(fā)明人們主要著眼于即使在這樣發(fā)生光掩模的對準(zhǔn)偏差的情況下，也能夠使暗線的位置和暗線的寬度在接縫的左右連續(xù)且平滑地連接的光掩模圖案的設(shè)計。圖9表示本發(fā)明的發(fā)明人們從多次的試驗錯誤中發(fā)現(xiàn)的預(yù)想為優(yōu)選的光掩模的圖案。該光掩模在接縫附近的重疊區(qū)域中，具有如圖9所示的半色調(diào)部。在半色調(diào)部中，透光部S的寬度隨著朝向光掩模的端部而逐漸變細(xì)，在圖9(a)的各層的上部表示各透光部的開口率的值。其中，該半色調(diào)部也是具有相對將透光部配置區(qū)域的寬度2等分的中心線為線對稱的透光部的半色調(diào)部。此外，該半色調(diào)部也是透光部S的中心位置的間隔實質(zhì)上相同的半色調(diào)部。而且，各透光部的開口率的值在圖9所示的值之間也盡可能細(xì)致地連接，開口率變化的函數(shù)為線性函數(shù)。此外，在半色調(diào)部中，各透光部S隨著朝向光掩模的端部，從左右兩端開始每次lnm地、共計每次2pm地逐漸變細(xì)，半色調(diào)部中的透光部S的開口率連續(xù)地變化，直至最終為0%(完全遮光)。其中，使透光部S的兩端每次變細(xì)lpm左右，這是因為光掩模的最小描繪線寬通常為大致lpm。對預(yù)想這樣使透光部S的開口率變化可有效消除接縫的理由進(jìn)行敘述。圖9(b)的下層中與圖8(b)的下層的情況同樣，表示在第一次曝光時掩模向右偏移5fmi左右、在第二次曝光時掩模向左偏移5pm左右而進(jìn)行曝光的情況。實際上被曝光的區(qū)域在A曝光中以左下傾斜的斜線表示，在B曝光中以左下傾斜的斜線格子表示。在該情況下，最左邊的像素中的暗線的位置向右偏移5)im左右，最右邊的像素中的暗線的位置向左偏移5pm左右。從最左邊的像素開始向右依次觀察，可知在第二次曝光的B曝光中被曝光的區(qū)域逐漸接近暗線(產(chǎn)生于第一次曝光的A曝光和B曝光的邊界)，從最左邊開始在圖9(b)中的第四個像素的第二次曝光的B曝光中被曝光的區(qū)域的左端與暗線(產(chǎn)生于第一次曝光的A曝光和B曝光的邊界)正好并列。進(jìn)一步向右邊觀察，可知在第二次曝光的B曝光中被曝光的區(qū)域的左端，超越第一次曝光的A曝光和B曝光的邊界，從重疊區(qū)域的中心附近開始在右側(cè)中相反地向左推進(jìn)5pm左右。此外，在本發(fā)明的發(fā)明人們的研究中，可知光取向膜從相互相反的方向被照射時，后照射的方向具有優(yōu)勢，于是，液晶分子依據(jù)后照射的方向取向。因此，從重疊區(qū)域的中央附近朝向右方向，由于第二次曝光具有優(yōu)勢，所以在像素內(nèi)在縱方向產(chǎn)生的暗線在第二次曝光的A曝光和B曝光的邊界產(chǎn)生，因此從圖9(b)預(yù)想在縱方向產(chǎn)生的暗線位于向左方向偏移5pm左右的位置。其結(jié)果，在從最左邊的像素開始直至第四個像素的像素中，暗線的位置向右偏移5pm左右，另一方面，從左邊的第六個像素開始在右邊的像素中，暗線的位置向左偏移5pm左右。另一方面，從左邊開始的第五個像素中，在第二次曝光的A曝光和B曝光的邊界產(chǎn)生暗線，暗線的位置向左偏移，但是，因為第二次曝光時的透光部S的寬度變狹窄，所以暗線的位置不會偏移大過5pm。因此，預(yù)想通過使用圖9的光掩模進(jìn)行畫面接續(xù)曝光，能夠使暗線的位置在接線的左右連續(xù)連接。圖10表示預(yù)想為優(yōu)選的另一光掩模的圖案。該光掩模也如圖10所示，在接縫附近的重疊區(qū)域中具有半色調(diào)部。但是，在第一次曝光用的光掩模的半色調(diào)部中，透光部s以從中心向兩側(cè)分割的方式，即從透光部配置區(qū)域的中心向左右兩側(cè)以相等的寬度分開的方式，逐漸變細(xì)。由此，與圖9的光掩模同樣，能夠使暗線的位置在接線的左右連續(xù)連接，并且能夠使重疊曝光的區(qū)域(兩次曝光的區(qū)域)更小(第一次曝光和第二次曝光的最大位置偏移的部分作為兩次曝光的區(qū)域)，從而能夠抑制最大照射量。其中，最大照射量是指第一次曝光用的光掩模的透光部的開口率和與第一次曝光用的光掩模的透光部對應(yīng)的第二次曝光用的光掩模的透光部的開口率的合計的最大值。具體而言，圖IO所示的光掩模的左起第四個到第七個的像素中，第一次曝光時的光掩模的透光部的開口率和第二次曝光時的光掩模的透光部的開口率的合計分別為140%,在圖IO所示的光掩模中，能夠?qū)⒆畲笳丈淞恳种茷?40%。而且，與圖9同樣，在圖10(a)的各層的上部表示各透光部的開口率的值，各透光部的開口率的值在圖IO所示的值之間也盡可能細(xì)致地連接，開口率變化的函數(shù)為線性函數(shù)。此外，第一次曝光時的掩模的半色調(diào)部中，各透光部S隨著朝向光掩模的端部，從中心向兩端以每次作為光掩模的最小描繪線寬的lpm，共計每次2pm地逐漸變細(xì)，半色調(diào)部的透光部S的開口率連續(xù)變化直至最終為0%(完全遮光)。即，在第一次曝光時的掩模的半色調(diào)部中，各透光部S從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)分割而形成，被分割的各個透光部隨著朝向光掩模的端部而從透光部配置區(qū)域的中心側(cè)開始每次lpm地逐漸變細(xì)。另一方面，在第二次曝光時的掩模的半色調(diào)部中，與圖9同樣，各透光部S隨著朝向光掩模的端部，從兩端開始每次lpm地逐漸變細(xì)。圖27表示預(yù)想為優(yōu)選的再另一光掩模的圖案。該光掩模如圖27所示，在與圖IO同樣的圖案的基礎(chǔ)上，還在半色調(diào)部的端側(cè)的區(qū)域中具有透光部的長度逐漸變短的圖案。由此，能夠使半色調(diào)部的端部的開口率變化更為平滑地進(jìn)行變化，因此與圖9和圖IO的光掩模同樣，能夠使暗線的位置在接線的左右更連續(xù)地連接。此外，在半色調(diào)部的端部附近，能夠進(jìn)一步減小重疊曝光的區(qū)域(兩次曝光的區(qū)域)。而且，與圖9和圖10同樣，在圖27(a)的各層的上部表示各透光部的開口率的值，在圖27所示的值之間也盡可能細(xì)致地連接，開口率變化的函數(shù)在透光部的長度未變短的區(qū)域中為線性函數(shù)，在透光部的長度變短的區(qū)域中為透光部的長度每次變化1/2倍的指數(shù)函數(shù)。而且，在透光部的長度變短的區(qū)域中，透光部的長度的變化也可以是三角函數(shù)。另一方面，透光部的長度沒有變短的區(qū)域中的半色調(diào)部的附加方法與圖10的光掩模同樣。而且，圖9和圖IO所示的光掩模的半色調(diào)部中的透光部的開口率變化的函數(shù)也可以是三角函數(shù)。由此，使半色調(diào)部的兩端的開口率變化的微分系數(shù)實質(zhì)上為0，能夠比線性函數(shù)更平滑地連接暗線的位置。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制由視覺辨認(rèn)出接線而導(dǎo)致的不良的產(chǎn)生。作為使用的三角函數(shù)沒有特別限定，例如適用在實施方式2中所述的式(1)(4)等。5.試制面板檢驗實驗接著，使用具有圖9所示的圖案的光掩模試制實際的面板，并表示進(jìn)行檢驗實驗后的結(jié)果。圖14(a)和圖15(a)是表示在本檢驗實驗中所使用的光掩模300、301、302、303的外觀的上面示意圖。圖14(a)表示TFT陣列基板用的光掩模300、301，圖15(a)表示CF基板用的光掩模302、303。在本檢驗實驗中，使用7型尺寸的基板嘗試進(jìn)行了畫面接續(xù)曝光的實驗。如圖14(a)和圖15(a)所示，在第一次曝光中進(jìn)行對基板的左側(cè)的曝光，在第二次曝光中進(jìn)行對基板的右側(cè)的曝光。上層(LINE一A)是加進(jìn)本實施方式的光掩模的思想的、具有重疊區(qū)域11和半色調(diào)部12的掩模部，下層(LINE—B)是作為比較樣品，沒有重疊區(qū)域11和半色調(diào)部12的掩模部。在遮光區(qū)域21以外，基本設(shè)置有如圖4所示的用于進(jìn)行四疇的取向分割的條紋圖案。TFT陣列基板曝光用掩模300、301具備由具有像素的1/2間距的寬度的透光部S和遮光部L構(gòu)成的縱方向的條紋圖案，CF基板曝光用掩模302、303具備由具有像素的1/4間距的寬度的透光部S和遮光部L構(gòu)成的橫方向的條紋圖案。而且，在光掩模300、301的半色調(diào)部12中，縱方向的透光部S不是具有一個像素的1/2間距，而是使用其寬度逐漸變細(xì)的這種加入有圖9所示的思想的圖案，附加有半色調(diào)(漸變)。另一方面，在光掩模302、303的半色調(diào)部中，橫方向的透光部S不是具有一個像素的1/4間距，而是使用其寬度逐漸變細(xì)的這種加入有圖6(b)的思想的圖案，附加有半色調(diào)(漸變)。而且，本檢驗實驗中使用的7型面板的一個像素的尺寸是縱362.5(im、橫107pm。此外，如圖14(b)和圖15(b)所示，光掩模300、301的半色調(diào)部中的透光部S在三個像素(1RGB)單位，即321nm間距內(nèi)為同一開口率。艮卩，每三個像素(1RGB)使透光部S的開口率變化。而且，在半色調(diào)部12中，從兩側(cè)開始以其寬度每次變細(xì)作為最小柵格寬度的1.07pm的方式描繪有遮光部S。如果這樣描繪遮光部S，則作為結(jié)果，能夠以2%的進(jìn)度(step)使半色調(diào)部中的遮光部S的開口率變化。在本檢驗實驗中使光掩模300、301的半色調(diào)部中的遮光部S的開口率以線性函數(shù)的方式變化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)非常平滑的開口率的變化。另一方面，光掩模302、303的半色調(diào)部中的透光部S在一個像素單位，即362.5nm間距內(nèi)為同一開口率。g卩，每3個像素(1RGB)使透光部S的開口率變化。于是，在半色調(diào)部中，從兩側(cè)開始以其寬度每次變細(xì)作為最小柵格寬度的1.8125,的方式描繪有遮光部S。如果這樣描繪遮光部S，則作為結(jié)果，能夠以2n/。的進(jìn)度使半色調(diào)部中的遮光部S的開口率變化。在本檢驗實驗中使光掩模302、303的半色調(diào)部中的遮光部S的開口率以線性函數(shù)的方式變化。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)非常平滑的開口率的變化。作為半色調(diào)部中的遮光部S的開口率的變化率，在現(xiàn)狀中，如上所述，在本檢驗實驗中所使用的7型面板的像素尺寸中2%左右是極限，但作為變化率的值并不特別限定于2%，能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。但是，如果希望使液晶顯示裝置的制作成本較低，則掩模的描繪必須使用比較通用裝置作為描繪裝置進(jìn)行。于是，在該情況下，由于通過相比于半導(dǎo)體工藝中的超微細(xì)加工光刻工藝，精度較粗的工藝對掩模的描繪進(jìn)行處理，因此自然在能夠描繪的最小線寬中存在極限。該極限的最小線寬通常為大致lpm左右，難以通過亞微尺寸的線寬描繪掩模，進(jìn)一步將掩模的制造成本抑制得低價。因此，本發(fā)明的發(fā)明人們也考慮量產(chǎn)時的掩模成本，對以lpm左右的最小線寬能夠得到的2%的進(jìn)度(變化率)是否能夠消除接縫的問題進(jìn)行了銳意研究。圖26是光掩模300、301、302、303中的半色調(diào)部的各個位置的開口率的一覽表。而且，在圖26中，HT區(qū)間表示半色調(diào)部。LINE—A是存在有本發(fā)明的發(fā)明人們預(yù)想為最佳圖案的、加入圖6和圖9所示的思想的半色調(diào)部的列，LINE_B是圖8所示的沒有半色調(diào)部的能夠看到掩模的接縫的用于比較而設(shè)置的列。在液晶顯示面板的制造時使用的各材料和制造工藝的條件從已述的內(nèi)容中適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可，但在檢驗實驗中，液晶材料、預(yù)傾角、單元厚度、鄰近間隙和紫外線光源為以下所示的材料和條件。-液晶材料MLC6609(商品名，MerckLtd.，制造)，An二0.077，As=—3.7,Tni=80°C。預(yù)傾角89.0°單元厚度3.5pm鄰近間隙150pm.光源低壓水銀燈的偏振紫外線。使用波長范圍為260nm以上。偏振紫外線的消光比(偏光度)9:1然后將制作出的面板一度在比液晶材料的Tni點高的溫度下進(jìn)行30分鐘左右的退火處理之后，回到常溫。在該狀態(tài)下，將偏光板以正交尼科耳的方式配置，并在其間夾持面板，在光臺(lighttable)上觀察面板。其結(jié)果確認(rèn)完全沒有光漏，液晶分子相對于基板法線方向大致垂直地取向。然后接著在面板上施加30Hz的矩形波電壓，觀察施加電壓時的畫面的觀看效果。在觀察時，以在俯視面板時相對上下基板的紫外線的照射方位與鄰接于各個基板的偏光板的吸收軸方位一致的方式，配置面板和偏光板。圖16表示本檢驗實驗的面板的V(施加電壓)-T(透過率)特性的實測結(jié)果。圖16中縱軸是以施加7V的電壓時的透過光的強(qiáng)度為100時的各電壓施加時的透過率(％)。在該面板中從約2.5V附近開始液晶分子開始立起(開始傾斜)，從而透過率開始上升。在稍稍超過該閾值2.5V的程度的電壓附近觀察面板，在通過未設(shè)置半色調(diào)部的LINE—B而曝光的區(qū)域(以下也稱為"LINE—B區(qū)域")中，能夠清楚地目視確認(rèn)出畫面的接縫。如果進(jìn)一步提升電壓，則液晶分子進(jìn)一步傾倒，透過率上升，接縫的右邊和左邊均為明亮顯示。此時，雖然在LINE一B區(qū)域中仍然會看到接縫，但作為觀看效果，超過閾值若干的電壓范圍中接縫的觀看效果不會更強(qiáng)。從而，以下在觀察接縫時，施加包括在得到能夠最強(qiáng)烈地看到接縫的印象的電壓范圍中的2.84V的電壓進(jìn)行面板的觀察。如果將施加7V時設(shè)定為白顯示電壓的第255灰度等級，則2.84V在該面板中相當(dāng)于第96灰度等級，透過率為約12%。另一方面，在通過預(yù)想為最佳圖案的LINE—A而曝光的區(qū)域(以下也稱為"LINE—A區(qū)域")中，完全觀察不到在0>^_8區(qū)域中能夠看到的接縫，從而由實際的面板能夠確認(rèn)通過使用具有本實施方式的圖案的光掩模對光取向膜進(jìn)行曝光，完全消除接縫。此處，本發(fā)明的發(fā)明人們對在該LINE一B區(qū)域中能夠看到的接縫的產(chǎn)生原因進(jìn)行了研究。結(jié)果判明，在接縫的左右的照射量、偏光軸方向、鄰近間隙、消光比等曝光條件的不同當(dāng)然也是視覺辨認(rèn)出接縫的原因，但最大的原因是接縫的左右的掩模的對準(zhǔn)精度的不同。使第一次曝光(左曝光)時的掩模和第二次曝光(右曝光)時的掩模完美地定位于正確的位置在實際中是很困難的。此外，能夠預(yù)想到特別是基板尺寸變得越大時，則實際的曝光裝置的精度越差。進(jìn)而，可知掩模的對準(zhǔn)精度的實際值(誤差范圍)在士2^im46pm左右。于是，判明接縫是由于以下所示的原因而被視覺辨認(rèn)出來的。即，當(dāng)掩模的對準(zhǔn)在接縫的左右存在偏差時，則像素內(nèi)的四個疇的面積比相互不同。例如圖17所示，在TFT陣列基板側(cè)，第一次曝光時以掩模向右偏移的狀態(tài)對準(zhǔn)、且第二次曝光時以掩模向左偏移的狀態(tài)對準(zhǔn)，在這樣的狀態(tài)下對基板進(jìn)行照射的情況。在這種情況下，理論上對正面方向的光學(xué)特性沒有影響。但是，在從傾斜方向看面板時，變?yōu)槠骄赜^看面積比相互不同的四個疇(相對接線的左側(cè)的區(qū)域中的疇L1L4，和相對接線的右側(cè)的區(qū)域中的疇R1R4)。從而，在接縫的左右光學(xué)特性有較大的不同。這被認(rèn)為是看到接縫的最大的原因。于是，如圖17所示，本發(fā)明的發(fā)明人們制作了在故意使掩模的對準(zhǔn)預(yù)先偏移的狀態(tài)下照射過基板的面板。具體而言，如圖17所示，在第一次曝光時使掩模向右方向偏移6pm對TFT基板進(jìn)行照射，在第二次曝光時使掩模向左方向偏移6pm對TFT基板進(jìn)行照射，由此制作出面板。而且，為了使說明簡單，CF基板不使掩模偏移地照射。在該情況下，第一次曝光中的A曝光和B曝光均向右方向偏移6^im左右，第二次曝光中的A曝光和B曝光均相反地向左方向偏移6pm左右。在表2中表示這樣在掩模的對準(zhǔn)有偏差的狀態(tài)下曝光TFT基板的面板的目視觀察的結(jié)果，觀察時的施加電壓如上所述，為2.84V(第96灰度等級)，觀察時的頻率為30Hz。而且，如圖18所示，觀察是相對重疊區(qū)域ll、位于接線20右側(cè)的接線右區(qū)域18、位于接線20的左側(cè)的接線左區(qū)域19，從上方向、下方向、左方向、右方向、左上方向和右下方向進(jìn)行的。而且，在接線右區(qū)域18中，對位于LINE—A區(qū)域Ra的區(qū)域和位于LINE一B區(qū)域的區(qū)域RB進(jìn)行觀察，此外，在接線左區(qū)域19中，對位于LINE—A區(qū)域的區(qū)域U和位于LINE—B區(qū)域的區(qū)域LB進(jìn)行觀察。首先，在LINE—B區(qū)域中，即使是稍稍從正面方向傾斜視角，也能夠看到接線的左右的區(qū)域的明亮度不連續(xù)地不同，明確地看到接縫。特別是從上方向觀察面板時，接線的左區(qū)域LB相比于接線的右區(qū)域RB看來更為明亮。相反地從下方向觀察面板時，區(qū)域Rb相比于區(qū)域LB看來更為明亮。于是其結(jié)果是，在區(qū)域LB和區(qū)域RB之間明亮度不連續(xù)地連接，能夠由目視明確地識別出接縫。另一方面，在使用本實施方式的半色調(diào)圖進(jìn)行曝光的LINE—A區(qū)域中，看不到接縫。看起來從接線的左側(cè)到右側(cè)或從右側(cè)到左側(cè)，畫面平滑地連接。此外，雖然從上方向觀察面板時，看到區(qū)域La相比于區(qū)域Ra明亮。此外，從下方向觀察面板時，相反地區(qū)域Ra相比于區(qū)域La看來更亮，但是，其之間看起來亮度連續(xù)連接，于是目視識別不出接縫。而且，在區(qū)域la和區(qū)域U之間，區(qū)域Ra和區(qū)域Rb之向，不分別存在亮度差。<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>這樣在本實施方式的液晶顯示裝置中，即使在畫面接續(xù)曝光時在接縫的左右發(fā)生掩模對準(zhǔn)相互向相反方向偏移，也能夠通過使用具有半色調(diào)部的光掩模對基板進(jìn)行曝光，使接縫附近的畫面的明亮度的不連續(xù)性變得連續(xù)。其結(jié)果是，本發(fā)明的發(fā)明人們能夠提供一種能夠消除接縫、適于大尺寸基板的畫面接續(xù)曝光的液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置。此外，說明了掩模的對準(zhǔn)偏差是最大的產(chǎn)生接縫的原因。另一方面，其以外的在接縫的左右的曝光條件的不同，即照射量偏差、紫外線的偏光軸方向偏差、鄰近間隙偏差、消光比偏差等，不像掩模的對準(zhǔn)偏差那樣與接縫的產(chǎn)生緊密相關(guān)。此外，本發(fā)明的發(fā)明人們已確認(rèn)即使假設(shè)在這些除掩模的對準(zhǔn)偏差以外的偏差全部重在一起的狀態(tài)下進(jìn)行曝光工序，由這些偏差引起的接縫的產(chǎn)生頻率仍小于由掩模的對準(zhǔn)偏差引起的接縫的產(chǎn)生頻率。進(jìn)而，可知即使在掩模的對準(zhǔn)偏差以外的偏差全部重在一起的狀態(tài)下進(jìn)行曝光工序的情況下，與對準(zhǔn)偏差的情況相同，能夠完全消除接縫。以上為止從目視、實測、理論和考察面驗證了本實施方式的液晶顯示裝置的效果。于是，最后嘗試根據(jù)像素內(nèi)的暗線的位置和寬度的數(shù)據(jù)表示本實施方式的液晶顯示裝置中看不到接縫的情況。首先，在圖19中表示在上述檢驗實驗中使用的面板的區(qū)域LA(區(qū)域Lb)的像素26和區(qū)域Ra(區(qū)域Rb)的像素27的照片。在區(qū)域La(區(qū)域Lb)中預(yù)先使掩模向右方向偏移并對基板曝光，因此在縱方向產(chǎn)生的暗線向右偏。另一方面，在區(qū)域Ra(區(qū)域Rb)中預(yù)先使掩模向左方向偏移并對基板曝光，因此在縱方向產(chǎn)生的暗線向左偏。本檢驗實驗中的暗線的位置是，以橫方向(圖19的A1-A2線上)的左側(cè)的BM邊緣為原點，如圖20所示，暗線部分中亮度極小的位置。即，從橫方向(圖19的Al-A2線方向)的左側(cè)的BM邊緣到亮度極小的部分的距離是暗線的位置。此外，本檢驗實驗中的暗線的寬度是，同樣在橫方向(圖19的Al-A2線上)上，如圖20的亮度截面曲線所示，為最大亮度的90%的位置間的長度。于是，在偏光板為正交尼科耳配置的偏光顯微鏡下放置面板，并針對每個像素攝影像素照片，并對攝影的各圖像進(jìn)行圖像處理，將進(jìn)行暗線的位置和寬度的測量的結(jié)果表示在圖21中。在圖21(a)和(b)中表示進(jìn)行圖19的Al-A2線中的暗線的位置和寬度的測量的結(jié)果。從圖21(a)可知，在LINE一B區(qū)域中，在接線的左右，暗線的位置急劇變化，但在LINE一A區(qū)域中，在接線的左右，暗線的位置平滑變化。此外，關(guān)于暗線的寬度，在LINE_B區(qū)域中，雖然不像接線附近的暗線的位置那樣，但也是不連續(xù)地變化，與此相對，在LINE—A區(qū)域中，在重疊區(qū)域的中央，雖然暗線的寬度有變粗若干，但是平滑且連續(xù)地變化。接著，為了進(jìn)一步證明使用本實施方式的光掩模的接續(xù)曝光方法在暗線的寬度在接線的左右不連續(xù)的情況下也是有效的，通過在預(yù)先使鄰近間隙在接線的左右不同的狀態(tài)下對基板曝光而制作出面板。如果鄰近間隙不同，則通過光掩模的光的發(fā)散程度不同，暗線的寬度變得不同。鄰近間隙越小，基板和光掩模越接近密接地曝光，則暗線的寬度為更小的值。除鄰近間隙以外的面板制作條件與試制面板的檢驗實驗相同。此外，這里使用與上述檢驗實驗中使用的光掩模同樣的光掩模，進(jìn)行面板的制作和暗線的位置與寬度的測定。而且，在此次的檢驗實驗中，TFT陣列基板和CF基板均不使光掩模左右偏移而照射了基板。但是，關(guān)于TFT陣列基板，區(qū)域La(區(qū)域Lb)的曝光時的鄰近間隙為5(Him，另一方面，區(qū)域Ra(區(qū)域Rb)的曝光時的鄰近間隙為250pm，如此進(jìn)行照射。與圖21同樣，在圖28(a)和(b)中表示進(jìn)行暗線的位置和寬度的測量的結(jié)果。由圖28(b)可知，在LUNE—B區(qū)域中，在接線的左右，暗線的寬度急劇地變化，但在LINE—A區(qū)域中，暗線的寬度在接線的左右間平滑地變化。此外，關(guān)于暗線的位置，在LINE一B區(qū)域中，雖然不像接線附近的暗線的寬度那樣，但也同樣是不連續(xù)地變化，與此相對，在LINE一A區(qū)域中平滑且連續(xù)地變化。在目視中能夠看到接縫是由于暗線的位置和寬度這樣在接線的左右不連續(xù)變化而引起的。但是，如本實施方式的液晶顯示裝置，通過使用具有最佳半色調(diào)圖案的光掩模進(jìn)行重疊曝光，能夠使暗線的位置和寬度在接線的左右連續(xù)且平滑地連接。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)適合作為能夠制造在目視上即使視角傾斜也看不到接縫的大型液晶電視的制造工藝的畫面接續(xù)曝光。因此，本發(fā)明的效果非常大。此處，使用表3和表4，說明暗線的位置和寬度的變化量與視覺辨認(rèn)接縫的關(guān)系。表3是表示在通過檢驗實驗得到的面板中，相鄰的像素間的暗線的位置的最大變化量(差的最大值)和目視觀察結(jié)果的表。其中，具體而言，使用圖21(a)和28(a)中表示的暗線的位置的值計算鄰接的值之間的差的絕對值，從而求取暗線的位置的最大的變化量。此外，表4是表示在通過檢驗實驗得到的面板中，相鄰像素間的暗線的寬度的變化量(差的最大值)和目視觀察結(jié)果的表。其中，具體而言，使用圖21(b)和28(b)中表示的暗線的寬度的值計算鄰接的值之間的差的絕對值，從而求取暗線的寬度的最大的變化量。首先，關(guān)于暗線的位置，可知圖21(a)的LINE—A區(qū)域中的暗線的位置的差的最大值為1.511pm，此時完全看不到接縫。此外，可知圖21(b)的LINE—B區(qū)域中的暗線的位置的差的最大值為12.95pm，此時清楚地看到接縫。進(jìn)而可知圖28(a)的LINE—A區(qū)域中的暗線的位置的差的最大值為1.522|am，此時完全看不到接縫。此外，可知圖28(b)的LINE一B區(qū)域中的暗線的位置的差的最大值為4.348|im，此時基本上看不見接縫。接著，關(guān)于暗線的寬度，可知圖21(a)的LINE一A區(qū)域中的暗線的寬度的差的最大值為2.158,，此時完全看不到接縫。此外，可知圖21(b)的LINE—B區(qū)域中的暗線的位置的差的最大值為1.727,，此時完全看不到接縫。進(jìn)而可知圖28(a)的LINE—A區(qū)域中的暗線的寬度的差的最大值為2.826pim，此時完全看不到接縫。此外，可知圖28(b)的LINE一B區(qū)域中的暗線的寬度的差的最大值為7.826,，此時能夠看到接縫。根據(jù)這些結(jié)果可知，為了視覺辨認(rèn)不出接縫，即暗線的位置和寬度在相鄰的像素中連續(xù)變化，優(yōu)選相鄰的像素間的暗線的位置的變化量不足5pm，并且寬度的變化量在3nm以下，更優(yōu)選位置的變化量在2pm以下，并且寬度的變化量在3pm以下。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>其中，以上使用在像素內(nèi)顯露出縱方向和橫方向的全部暗線的結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置進(jìn)行了說明，但也可以采用暗線局部隱藏在BM等遮光體中的結(jié)構(gòu)。在該情況下，未隱藏在遮光體中的部分的暗線的位置和寬度連續(xù)連接即可。此外，在液晶顯示裝置的全部像素中縱方向和橫方向的暗線被BM等遮光體完全遮光的情況下，如果遮光體的位置和寬度連續(xù)且平滑地連接，則能夠達(dá)到與本實施方式的液晶顯示裝置同等的作用效果。而且，在暗線被遮光體完全遮光的情況下，優(yōu)選使遮光體的寬度比暗線的寬度粗，以使暗線不會伸出至顯示區(qū)域(像素開口部)。(實施方式2)接著，說明本發(fā)明的實施方式2的液晶顯示裝置。圖22是表示本實施方式的畫面接續(xù)曝光工藝的示意圖。在該工藝的情況下，如圖22(a)所示，采用光源15和光掩模200成為一體移動，或在光源15與光掩模200固定的狀態(tài)下移動基板16的掃描曝光。圖22(a)表示后者的移動基板的情況，表示出TFT陣列基板作為基板16。在光掩模200的旁邊安裝有圖像檢測用攝像機(jī)17，能夠以讀取基板16的總線22、BM等并且進(jìn)行追蹤的方式移動基板16。作為該畫面接續(xù)曝光工藝的優(yōu)點，能夠舉出能夠使曝光裝置小型化；能夠使曝光裝置的成本下降；因為較小的光掩模即可，所以能夠使用自身的精度較高的掩模等。此外，掃描曝光在基板面內(nèi)的照射量的穩(wěn)定性優(yōu)異，所以能夠有效地抑制取向方位、預(yù)傾角等的取向膜的特性的偏差。其反面，因為畫面的接續(xù)位置較多，所以會產(chǎn)生由視覺辨認(rèn)出接縫而引起的不良發(fā)生，從而存在降低成品率的風(fēng)險。圖23是表示在固定基板的狀態(tài)下，使光源與光掩模一體移動并同時進(jìn)行曝光的情況下的本實施方式的畫面接續(xù)曝光工藝的上面示意圖。在本實施方式中，在光掩模200上設(shè)置有重疊區(qū)域，在該處設(shè)置有半色調(diào)部12(漸變圖案)。其中，光源和光掩模的移動速度能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如能夠設(shè)定為6cm/sec。首先，以TFT陣列基板1的照射為例進(jìn)行說明，如圖23(a)所示，將光掩模200移動至進(jìn)行第一次曝光的規(guī)定的位置。然后在+y方向上使光源和光掩模的組合(以下也稱為頭)移動并同時進(jìn)行A曝光。在使頭移動的同時進(jìn)行A曝光直至TFT陣列基板1的上端之后，使光掩模200在+x方向移動x方向的像素間距的1/2，這次使頭向一y方向移動的同時進(jìn)行B曝光。接著在使頭向一x方向移動直至進(jìn)行第二次曝光的位置之后，使頭向+y方向移動并同時進(jìn)行A曝光。在移動頭的同時進(jìn)行A曝光直至TFT陣列基板1的上端之后，使光掩模200在+x方向上移動x方向的像素間距的1/2，這次使頭向一y方向移動并同時進(jìn)行B曝光。然后，重復(fù)進(jìn)行該掃描曝光的循環(huán)直至最終基板的全部區(qū)域被曝光。對于CF基板2，如圖23(b)所示，也同樣地進(jìn)行曝光。然后，在進(jìn)行通常的單元組合之后注入液晶材料，完成面板，在施加某閾值以上的電壓時，如圖22(b)所示實現(xiàn)液晶分子3a進(jìn)行取向的四疇的取向分割。即，當(dāng)電壓施加時俯視面板時，位于液晶層的中層附近的液晶分子3a在相對于TFT陣列基板l的曝光時的掃描方向A、B和CF基板2的曝光時的掃描方向A、B的大約45。方向上取向。而且，在本實施方式中，第一次曝光和第二次曝光、A曝光和B曝光的順序并不限于以上所述，可以適當(dāng)?shù)貨Q定。另一方面，如圖24所示，在使用不具有重疊區(qū)域和半色調(diào)部的光掩模進(jìn)行掃描曝光的情況下，導(dǎo)致視覺辨認(rèn)出由暗線的位置和寬度的不連續(xù)性引起的接縫。接著，對本實施方式的光掩模200的半色調(diào)的附加方法進(jìn)行說明。本實施方式的光掩模200基本上如圖4所示，在具有用于對各像素進(jìn)行四疇的取向分割的條紋圖案(設(shè)置有例如具有像素的1/2間距、1/4間距左右的寬度的透光部S和遮光部L的圖案)，并且在接縫附近以規(guī)定的距離設(shè)置有重疊區(qū)域。并且接縫附近的重疊區(qū)域中，設(shè)置有在條紋圖案的透光部S上附加有規(guī)定的漸變的半色調(diào)部。而且，半色調(diào)部中的透光部S的開口率逐漸變化。從而，具有與實施方式1中說明的光掩模同樣的圖案的光掩模，具體而言，具有圖9、圖10和圖27所示的圖案的光掩模，在本實施方式中也能夠使用。作為本實施方式的畫面接續(xù)曝光工藝的其他優(yōu)點，能夠舉出容易控制重疊曝光區(qū)域(通過多個光掩模進(jìn)行兩次以上曝光的區(qū)域)的合計照射量。在不太希望提高重疊區(qū)域11中的合計照射量的情況下，具體如圖25所示，在重疊區(qū)域ll中使透光部S的長度逐漸變短即可。由此，能夠容易地控制合計照射量。此外，本實施方式中的光掩模200的重疊區(qū)域中的透光部的長度y的函數(shù)，可以是實施方式1中說明的線性函數(shù)，但更優(yōu)選為三角函數(shù)。作為使用的三角函數(shù)并沒有特別限定，例如，優(yōu)選以下等函數(shù)在第一次曝光中，在0《x《Ax時，透光部的長度y-100(%)，在Ax《x《45時，透光部的長度y滿足下述式(1)，并且在第二次曝光中，在45—Ax《x《45時，透光部的長度y二100(%)，在0《x《45—Ax時，透光部的長度y滿足下述式(2)的函數(shù)；將上述函數(shù)中的式(1)換為下述式(3)，將式(2)換為下述式(4)的函數(shù)等。此處，如圖11所示，x表示重疊區(qū)域的位置(mm)，Ax表示重疊區(qū)域中的非半色調(diào)部的區(qū)域，即在設(shè)置有開口率100%的區(qū)域的情況下的該區(qū)域的長度(mm)。此外，透光部的長度y為100%是指具有與開口率100%的區(qū)域中的透光部的長度相同的長度。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula>[數(shù)學(xué)式2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage47</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(3)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>(4)、90-2Ax.圖12和13表示使用上述式(1)式(4)計算出開口率的變化的結(jié)果。圖12(a)是使用式(1)和式(2)，令A(yù)x二O(mm)的情況下的結(jié)果，由此能夠使重疊區(qū)域中的通過第一次曝光和第二次曝光被兩次曝光的區(qū)域的合計照射量為最大50%。圖12(b)是使用式(3)和式(4)，令A(yù)x二O(mm)的情況下的結(jié)果，由此能夠使重疊區(qū)域的合計照射量為最大100%。圖13(a)是使用式(3)和式(4)，令A(yù)x=11.25(mm)的情況下的結(jié)果，由此能夠使重疊區(qū)域的合計照射量為最大150%。圖13(b)是使用式(3)和式(4)，令A(yù)x二22.5(mm)的情況下的結(jié)果，由此能夠使重疊區(qū)域的合計照射量為最大200%。這樣，在本實施方式中，通過適當(dāng)設(shè)定使用的三角函數(shù)的式子和Ax的值能夠得到期望的合計照射量。此外，通過使透光部的長度y，即開口率根據(jù)三角函數(shù)變化，則能夠使半色調(diào)部的兩端的開口率的變化的微分系數(shù)實質(zhì)上為0，能夠比線性函數(shù)更平滑地連接暗線的位置。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制由視覺辨認(rèn)出接縫而引起的不良的產(chǎn)生。因為在本實施方式的畫面接續(xù)曝光工藝中存在接續(xù)位置變多的情況，所以作為光掩模200的開口率的變化的函數(shù)，更優(yōu)選采用圖12和圖13所示的三角函數(shù)這樣的函數(shù)。此處，使用圖29，對通過控制合計照射量而使得視覺辨認(rèn)不出接縫的原因進(jìn)行說明。圖29是表示使用圖25所示的光掩模進(jìn)行掃描曝光時被曝光的區(qū)域的圖。與圖8(b)等同樣，圖29的上層表示掩模不偏移地進(jìn)行曝光的狀態(tài)，另一方面，下層表示掩模左右偏移而曝光的狀態(tài)。而且，上層的上下表示各透光部的開口率的值。如圖29的下層所示，因為各像素中的合計照射量逐漸變化，所以可知形成暗線的位置(圖中箭頭的位置)也逐漸變化。從而，可知使用圖25所示的光掩模進(jìn)行掃描曝光，也視覺辨認(rèn)不出接縫。此外，在不希望提高重疊區(qū)域中的合計照射量的情況下，也優(yōu)選圖30(a)所示的光掩模。而且，在圖30所示的光掩模中，假定光掩模的對準(zhǔn)精度為士3pm，第一次曝光和第二次曝光之間最大產(chǎn)生6pm的偏差的情況而設(shè)計出圖案。此外，圖30(b)的上層表示第一次曝光和第二次曝光時掩模不偏移地對基板進(jìn)行曝光的情況，圖30(b)的中層表示第一次曝光時在掩模向右偏移6pm左右的狀態(tài)下曝光基板的情況，圖30(b)的下層表示第一次曝光時在掩模向左偏移6pm左右的狀態(tài)下曝光基板的情況。該光掩模在接縫附近的重疊區(qū)域中，具有圖30所示的半色調(diào)部。并且，在半色調(diào)部中，如圖30(a)所示，形成有具有臺階形狀的透光部S，并且透光部S朝向半色調(diào)部的端部逐漸變小。更具體而言，在位于半色調(diào)部的中央附近的透光部中，設(shè)置有具有透光部的長度的大致一半長度的臺階部。此外，半色調(diào)部的透光部S具有相對將透光部配置區(qū)域的寬度2等分的中心線呈線對稱的形狀。此外，在半色調(diào)部的光掩模的端側(cè)設(shè)置有從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)分割的透光部S。此外，在半色調(diào)部的光掩模的端側(cè)，透光部S的長度隨著朝向光掩模的端部而逐漸變短。進(jìn)而，在半色調(diào)部的光掩模的端部的相反側(cè)，透光部S的兩端部分的長度隨著朝向光掩模的端部的相反側(cè)而逐漸變長。于是，從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)分割的透光部S相對于將其自身的寬度2等分的中心線呈線對稱。而且，作為具有臺階形狀的透光部的整體的形狀，更具體而言，優(yōu)選組合有多個四邊形的形狀，其中，更為優(yōu)選圖30(a)所示的金字塔狀組合有多個四邊形的形狀。此外，圖30中表示的光掩模的半色調(diào)部中的開口率的變化的函數(shù)為圖12(b)所示的三角函數(shù)。而且，在圖30所示的透光部S之間也形成有透光部，并且盡可能地使其開口率細(xì)致變化地連接。即，以重疊區(qū)域中的透光部S的開口率的合計為100%的方式，使半色調(diào)部的透光部S的開口率按照三角函數(shù)平滑變化。而且，圖30所示的光掩模中的各透光部S的尺寸如圖31所示。而且，在圖31中，柵格的間距為6pm。通過使用這樣的光掩模，與使用圖9、圖10、圖25和圖27中所示的光掩模的情況同樣，能夠在接線的左右連續(xù)地連接暗線的位置。此外，能夠有效地抑制重疊區(qū)域中的合計照射量。更具體而言，重疊區(qū)域中的合計照射量在光掩模的對準(zhǔn)沒有偏移的情況下，如圖30(b)的上層所示，為100%。另一方面，在光掩模的對準(zhǔn)存在偏差的情況下，如圖30(b)的中層和下層所示，在掩模的偏移寬度小于設(shè)置在透光部S的兩端的臺階部的寬度的情況下(圖30所示的光掩模的情況下，掩模的偏移寬度為6,以下的情況)，在位于重疊區(qū)域的像素的整個區(qū)域中，能夠?qū)⒑嫌嬚丈淞渴沼趶?00%偏差較小的50150%之間。然后，使用該光掩模實際進(jìn)行與實施方式1的評價試驗同樣的試驗，遍及正面方向和傾斜方向(全方位)，沒有視覺辨認(rèn)出接縫。此外，遍及黑色灰度等級、白色灰度等級和中間色調(diào)的全部灰度等級，沒有視覺辨認(rèn)出接線。而且，在本發(fā)明中，通過不同的光掩模進(jìn)行兩次以上曝光的區(qū)域的照射量的合計(合計照射量)，從100%的偏差越大，則預(yù)傾角的非對稱性越顯著，重疊區(qū)域變成紋理而被視覺辨認(rèn)。此外，在本實施方式這樣通過掃描曝光進(jìn)行曝光工序的情況下，通常，TFT陣列基板和CF基板的掃描方向在貼合基板的狀態(tài)下大致直行，因此相對其預(yù)傾角的非對稱性的裕度非常小。從而，能夠使得重疊區(qū)域中的合計照射量從100%的偏差比較小的圖30所示的光掩模，在本實施方式這樣通過掃描曝光進(jìn)行曝光工序的情況下特別有效。此處，對使用實施方式1和2所說明的各光掩模進(jìn)行掃描曝光的情況下的合計照射量進(jìn)行說明。在使用圖9和圖IO所示的光掩模進(jìn)行掃描曝光的情況下，重疊區(qū)域中的合計照射量與光掩模的對準(zhǔn)是否有偏差無關(guān)，為100%和200%中的一個。其中，在被重疊曝光的區(qū)域中，以最大200%的通常的倍數(shù)的照射量曝光取向膜。另一方面，在使用圖27所示的光掩模進(jìn)行掃描曝光的情況下，重疊區(qū)域中的透光部的長度逐漸變短的區(qū)域中的合計照射量也能夠為150%以下。此外，圖30所示的第一次曝光和第二曝光的光掩模的圖案，在半色調(diào)部的各透光部配置區(qū)域中，透光部和遮光部逆轉(zhuǎn)，并且透光部和遮光部的形狀為相對掃描方向的透光部配置區(qū)域的中心線反轉(zhuǎn)的關(guān)系。但是，當(dāng)然，本實施方式中的第一次曝光和第二次曝光的光掩模也可以如圖32(a)所示，具有在半色調(diào)部的各透光部配置區(qū)域中，透光部和遮光部的形狀不相對掃描方向的透光部配置區(qū)域的中心線反轉(zhuǎn)，而僅僅透光部和遮光部逆轉(zhuǎn)的圖案。由此，如圖32(b)所示，能夠與圖30所示的光掩模同樣，將重疊區(qū)域中的合計照射量收于50150%之間，并且視覺辨認(rèn)不出接線。此外，圖32所示的圖案也能夠如實施方式l所示利用在同時曝光用的光掩模上。即，在將圖32所示的光掩模使用于同時曝光的情況下，如圖33所示，對于第一次曝光和第二次曝光的各個光掩模，根據(jù)應(yīng)該曝光的像素的排列數(shù)，使用形成有多行具有臺階狀的圖案的縫的光掩模即可。而且，在圖32中，對與不同行的像素對應(yīng)的透光部間以實線劃分，但是實際上，透光部通常在列方向上連接。其中，本申請以2006年1月26日提出的日本國專利申請2006—17755號為基礎(chǔ)，基于巴黎條約和進(jìn)入國的法規(guī)主張優(yōu)選權(quán)。將該申請的全部內(nèi)容納入本申請作為參考。此外，本申請說明書中的"以上"和"以下"包括該數(shù)值(邊界值)。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置包括一對相對的基板、設(shè)置在該基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域，該制造方法的特征在于該制造方法包括將基板面內(nèi)分割為兩個以上的曝光區(qū)域，在每個曝光區(qū)域中通過光掩模進(jìn)行取向膜的曝光的曝光工序，該曝光工序以相鄰的曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式進(jìn)行曝光，該光掩模具有與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)的半色調(diào)部。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于-所述曝光工序是在對基板和光源的至少一個進(jìn)行掃描的同時進(jìn)行曝光。3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述曝光工序中從相對于基板面的法線傾斜的方向入射紫外線。4.如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述紫外線是偏振紫外線。5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述光掩模具有透光部和遮光部的重復(fù)圖案。6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部中，隨著朝向光掩模的端部而透光部的開口率減少。7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部的開口率的變化以線性函數(shù)表示。8.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部的開口率的變化以三角函數(shù)表示。9.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部中，隨著朝向光掩模的端部而透光部的長度變短。10.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部中，隨著朝向光掩模的端部而透光部的寬度變窄。11.如權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于.-所述光掩模的透光部的中心位置的間隔相同。12.如權(quán)利要求IO所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于:所述半色調(diào)部的透光部從透光部配置區(qū)域的中心向兩側(cè)分割配置。13.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部設(shè)置有具有相對將透光部配置區(qū)域的寬度2等分的中心線呈線對稱的形狀的透光部。14.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于所述半色調(diào)部設(shè)置有具有臺階形狀的透光部。15.—種液晶顯示裝置，其包括一對相對的基板、設(shè)置在該基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域，其特征在于在該取向方位不同的區(qū)域間產(chǎn)生的暗線的位置和寬度在相鄰像素中連續(xù)變化。16.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶層包括具有負(fù)的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，所述取向膜設(shè)置在兩個基板的液晶層側(cè)的表面上，并且在施加電壓低于閾值時，液晶分子相對于取向膜表面大致垂直地取向。17.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶層包括具有正的介電常數(shù)各向異性的液晶分子，所述取向膜設(shè)置在兩個基板的液晶層側(cè)的表面上，并且在施加電壓低于閾值時，液晶分子相對于取向膜表面大致水平地取向。18.如權(quán)利要求16或17所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述取向方位不同的區(qū)域在每一個像素中設(shè)置有2個以上、4個以下。19.如權(quán)利要求16或17所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶顯示裝置，在俯視基板時，設(shè)置在一個基板上的取向膜和設(shè)置在另一個基板上的取向膜的表面附近的取向方位大致正交。20.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述取向膜為光取向膜。21.如權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述取向膜通過光照射產(chǎn)生選自交聯(lián)反應(yīng)、異構(gòu)化反應(yīng)和光致再取向中的至少一個反應(yīng)或取向。全文摘要本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法和液晶顯示裝置，在像素內(nèi)形成有2個以上的疇的液晶顯示裝置中，即使分割基板進(jìn)行取向處理的情況下，也能夠抑制顯示畫面上產(chǎn)生接縫，能夠提高成品率。本發(fā)明是包括一對相對的基板、設(shè)置在所述基板間的液晶層、和設(shè)置在至少一個基板的液晶層側(cè)的表面的取向膜，并且在像素內(nèi)具有取向方位不同的兩個以上的區(qū)域的液晶顯示裝置的制造方法，其中，所述制造方法包括將基板面內(nèi)分割為兩個以上的曝光區(qū)域，在每個曝光區(qū)域中通過光掩模進(jìn)行取向膜的曝光的曝光工序，所述曝光工序以相鄰的曝光區(qū)域的一部分重復(fù)的方式進(jìn)行曝光，所述光掩模具有與重復(fù)的曝光區(qū)域?qū)?yīng)的半色調(diào)部。文檔編號G02F1/1337GK101390008SQ20078000355公開日2009年3月18日申請日期2007年1月25日優(yōu)先權(quán)日2006年1月26日發(fā)明者井上威一郎,宮地弘一,寺下慎一,箱井博之申請人:夏普株式會社