專利名稱：液晶顯示裝置陣列基板及其缺陷修補方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，更具體地說是涉及一種能夠修補點缺陷和 /或線缺陷的液晶顯示裝置陣列基板及其修補方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器作為平板顯示器的一種已被廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域中。通常， 液晶顯示器具有兩個含有電極的基板，用于產(chǎn)生電場，和設(shè)置在兩基板之間的 液晶層，并通過兩基板上的電極控制施加到該液晶層的電場強度來控制入射光 的透射率，/人而實現(xiàn)對顯示面板亮與暗的控制。圖l是典型的液晶顯示裝置陣列基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖1所示，多條柵極線12和數(shù)據(jù)線11相互交叉排列限定了多個像素區(qū)域，在各個像素區(qū)域中 分別設(shè)置了由氧化銦錫(ITO)形成的像素電極13以及對施加到該像素電極的 電壓進行控制的薄膜晶體管14 (ThinFilmTransistor, TFT),所述薄膜晶體管 14的柵極、源極和漏極分別電性連接?xùn)艠O線12、數(shù)據(jù)線11和像素電極13。但是，在實際生產(chǎn)中，常因為制造工藝及其他因素導(dǎo)致產(chǎn)生線缺陷和/或 點缺陷等問題。因此，需要修復(fù)點缺陷和/或線缺陷以提高液晶顯示裝置的成 品率，降低生產(chǎn)成本。當(dāng)發(fā)生線缺陷和/或點缺陷時，通常通過配置一條或多 條修補線并利用激光焊接技術(shù)進行修補。更具體的說，圖2是現(xiàn)有技術(shù)中利用 一條修補線進行點缺陷修補的液晶顯 示裝置陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖2所示，多條柵極線12與多條數(shù)據(jù) 線1 l相互交叉排列限定多個像素區(qū)域，在所述像素區(qū)域形成有多個像素電極， 這里為區(qū)別不同的像素電極，將圖2中所示位于上方的像素電極標(biāo)示為10,將 位于下方的像素電極標(biāo)示為20。在每個像素區(qū)域分別設(shè)有TFT，像素電極10對 應(yīng)的TFT包括有柵極13、源極14和漏極15,其中柵極13電性連接?xùn)艠O線12,源 極14電性連接數(shù)據(jù)線11，漏極15通過通孔16電性連接像素電極。所述漏極15還包括第 一延伸部15a與第二延伸部15b，第 一延伸部15a5t越4冊極線向上延伸 到相鄰像素，且與柵極線位于不同層，且兩者之間隔有絕緣層，因此彼此電性 隔離。在數(shù)據(jù)線11下方設(shè)置了修補線18,所述數(shù)據(jù)線11與修補線18位于不同層， 且兩者之間隔有絕緣層，因此彼此電性隔離。該修補線包括第一延伸部18a和 第二延伸部18b。如圖2所示，像素電極10所對應(yīng)的修補線第一延伸部18a與像 素電極1 O所對應(yīng)的TFT漏極的第二延伸部15b在區(qū)域B處至少部分重疊，但是由 于兩者位于不同層，且中間隔有絕緣層，因此正常情況下彼此電性隔離；像素 電極10所對應(yīng)的修補線第二延伸部18b與像素電極20所對應(yīng)的TFT漏極的第一 延伸部25a在區(qū)域A處至少部分重疊，但是由于兩者位于不同層，且中間隔有 絕緣層，因此正常情況下彼此電性隔離。當(dāng)像素電極10所對應(yīng)的像素的TFT發(fā)生各種缺陷導(dǎo)致無法正?？刂圃撓?素時，會使得該像素?zé)o法正常顯示。依照上述結(jié)構(gòu)，可以在重疊區(qū)域A和重疊 區(qū)域B用激光熔融的方法電性連接修補線第一延伸部18a與像素電極10所對應(yīng) 的TFT漏極的第二延伸部15b以及修補線第二延伸部18b與像素電極20所對應(yīng) 的TFT漏極的第二延伸部25a。依照該修補方式，像素電極20所對應(yīng)的TFT可以 同步控制像素電極IO,以此達到修補的目的。但是這種對像素點缺陷的修補并 非是完全修復(fù)，經(jīng)過修補的像素與正常像素之間還是存在著一定的差異?，F(xiàn)有技術(shù)中修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉位置的斷線缺陷是利用另外的修 補線進行的。圖3為修補交叉區(qū)域數(shù)據(jù)線斷線缺陷的陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖， 如圖3所示，數(shù)據(jù)線11與沖冊極線12交叉排列，修補線17的兩端分別與交叉位置 上方和下方的數(shù)據(jù)線部分重疊。修補線17與柵極線與數(shù)據(jù)線分別位于不同層， 且彼此都互相電性隔離，所述修補線可以用與像素電極同層的ITO來形成。當(dāng) 數(shù)據(jù)線在與柵極線的交叉位置發(fā)生斷線缺陷的時候，可以用激光熔融的方式分 別電性連接修補線兩端分別與數(shù)據(jù)線重疊的區(qū)域，這樣通過^f務(wù)補線17斷線缺陷 可以得到修補。此種技術(shù)不足之處在于如果同時發(fā)生點缺陷與線缺陷，則必須 分別設(shè)置修補線路，工藝比較復(fù)雜。綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中對像素點缺陷的修補并非是完全修復(fù)，因此經(jīng)過修 補的像素與正常像素之間還是存在著差異，在顯示效果上與其他正常狀態(tài)的像 素相比存在一定的偏差，無法達到與正常像素相同的顯示品質(zhì)。此外，現(xiàn)有技 術(shù)對于點缺陷與線缺陷的修補一般是分別設(shè)置修補線路，無法用一個修補線路 來同時實現(xiàn)線缺陷修補與點缺陷的修補。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置陣列基板及其修補方法，該陣列基板能夠?qū)?現(xiàn)像素點缺陷的完全修復(fù)，更進一步的，能夠修補線缺陷和/或點缺陷。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置陣列基板，其包括多 條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉設(shè)置并限定多個像素區(qū)域；像 素電極，位于所述像素區(qū)域；所述多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于柵極線 層和數(shù)據(jù)線層；薄膜晶體管，包括有源區(qū)、柵極、源極及漏極。所述陣列基板還包括第一修補線和第二修補線，所述第一修補線至少與數(shù) 據(jù)線部分重疊；所述第二修補線至少部分位于有源區(qū)上方且與所述第一修補線 至少部分重疊。所述第二修補線與數(shù)據(jù)線位于同 一層。所述第 一修補線與柵極線位于同 一層。所述第 一修補線與像素電極位于同 一層。所述第 一修補線沿著數(shù)據(jù)線延伸。所述薄膜晶體管損壞后由所述第二修補線與所述漏極、柵極、有源區(qū)構(gòu)成 修補后的薄膜晶體管代替。當(dāng)出現(xiàn)像素點缺陷時，按如下步驟進行修補電性連接缺陷像素所對應(yīng)的第 一修補線與數(shù)據(jù)線。電性連接所述第 一修補線與第二修補線。切斷缺陷像素的薄膜晶體管源極與數(shù)據(jù)線的連接。一種液晶顯示裝置陣列基板，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線正交設(shè)置并限定多個像素區(qū)域；像素電極，位于所述像素區(qū)域；所 述多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于柵極線層和數(shù)據(jù)線層；至少兩個有源 區(qū)，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；薄膜晶體管，包括第一有源區(qū)、柵極、源極及 漏極。所述陣列基板還包括第一修補線、第二修補線和第三修補線，所述第一修 補線至少與數(shù)據(jù)線部分重疊；所述第二修補線至少部分位于第二有源區(qū)上方且 與所述第一修補線至少部分重疊；所述第三修補線至少部分位于第二有源區(qū)上 方。所述第三修補線一部分與柵極線重疊，另一部分與像素電極重疊，且與第 二修補線位于同一層。所述第二修補線與數(shù)據(jù)線位于同 一層。 所述第 一修補線與柵極線位于同 一層。 所述第 一修補線與像素電極位于同 一層。 所述第 一修補線沿著數(shù)據(jù)線延伸。所述薄膜晶體管損壞后由所述第二修補線與所述第二有源區(qū)、第三修補 線、4冊;歐構(gòu)成的獨立的薄膜晶體管代替。當(dāng)出現(xiàn)像素點缺陷時，按如下步驟進行修補。電性連接缺陷像素所對應(yīng)的第 一修4卜線與數(shù)據(jù)線。電性連接所述第 一修補線與第二修補線。切斷缺陷像素的薄膜晶體管源極與數(shù)據(jù)線的連接。電性連接第三修補線與像素電極。與現(xiàn)有^R術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明修補后構(gòu)成一個新的薄膜晶體管，代替像素失效的薄膜晶體管，而 不必利用下一個像素的薄膜晶體管間接控制損壞像素，從而實現(xiàn)對陣列基板點 缺陷的完全修復(fù)，使陣列基板達到較好的顯示狀態(tài)。本發(fā)明可以用于修補數(shù)據(jù)線上斷線、數(shù)據(jù)線與柵極線交叉部位的短路、斷 路問題，以及點缺陷問題的所有結(jié)構(gòu)。


'通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其 它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部 分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。在附圖中，為清 楚明了，放大了層和區(qū)域的厚度。圖1是典型的液晶顯示裝置陣列基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術(shù)修補點缺陷的液晶顯示裝置陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是現(xiàn)有技術(shù)修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的線缺陷的液晶顯示裝置 陣列基^L的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是實施例一所述液晶顯示裝置陣列基板的局部的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是圖4中沿I-I方向的剖-現(xiàn)圖； 圖6是圖4中沿n-n方向的剖視圖；圖7是實施例一修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是實施例一修補像素點缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是實施例一修補數(shù)據(jù)線上非交叉處線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IO是實施例二所述液晶顯示裝置陣列基板的局部的結(jié)構(gòu)示意11是圖IO中沿I-I方向的剖視圖；圖12是圖10中沿II-II方向的剖視圖；圖13是實施例二修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是實施例二修補像素點缺陷時的結(jié)構(gòu)示意圖。圖15是實施例二修補數(shù)據(jù)線上非交叉處線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16是實施例三所述液晶顯示裝置陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖17是實施例三修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的線缺陷的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對 本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明 能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背 本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。 實施例一在以下本實施例所述的結(jié)構(gòu)中，既可以修補線缺陷又可以修補點缺陷。參照圖4 圖9說明本實施例液晶顯示裝置陣列基板的結(jié)構(gòu)和修補方法。圖4是本實施例的液晶顯示裝置陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖4所示， 203為數(shù)據(jù)線，201為柵極線，數(shù)據(jù)線203與柵極線201分別設(shè)置于數(shù)據(jù)線層 與柵極線層，多條數(shù)據(jù)線與多條柵極線交叉設(shè)置限定多個像素區(qū)域，在每個像 素區(qū)域內(nèi)設(shè)有TFT與像素電極，為了更顯著的表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征，圖4 中只示意出了位于交叉位置的TFT213以及分別位于棚-極線201上方與下方的 兩個像素區(qū)域的部分^象素電極210a和210b,所述TFT213包括有源區(qū)211、 漏極208，源極209,柵極，其中源極209電性連接數(shù)據(jù)線203,柵極電性連 接?xùn)艠O線(圖中所示，柵極為柵極線201的一部分)漏極208通過接觸孔215 與像素電極210a電性連接。圖5為圖4中沿I-I方向的剖^見圖，其中221為玻璃基板，201為柵極線， 222為柵極絕緣層，211為有源區(qū)，208為漏極，209為源極，223為鈍化層， 210a為像素電極，215為通孔。如圖5所示，有源區(qū)211位于柵極線201及才冊 極絕緣層222上方，源極209與漏極208設(shè)置在有源區(qū)上方，像素電極210a 由通孔215電性連接漏極208。在本實施例中，數(shù)據(jù)線下方設(shè)有第一修補線205,有源區(qū)211上方設(shè)有第二》務(wù)補線207,第二4務(wù)補線207與第一4務(wù)補線205至少部分重疊，如圖4所示， 像素電極210a所對應(yīng)的數(shù)據(jù)線下方的第一修補線205與第二修補線207在區(qū) 域A處重疊，同時像素電極210b所對應(yīng)的數(shù)據(jù)線下方的第一修補線205與第 二^多補線207在區(qū)域B處重疊。圖6為圖4中沿II-II方向的剖一見圖，其中221為玻璃^^反，201為棚4及線， 205為第一修補線，222為柵極絕緣層，211為有源區(qū)，207為第二修補線，203 為數(shù)據(jù)線，223為鈍化層。如圖6所示，在玻璃基板221上形成有棚-極線201 與第一修補線205,柵極絕緣層222覆蓋柵-極線201與第一修補線205，有源 區(qū)211位于柵極絕緣層222上方，第二》務(wù)補線207位于有源區(qū)211的上，且第 二修補線與數(shù)據(jù)線203位于同一層。本實施例所述的結(jié)構(gòu)可用于修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的缺陷。參照圖 7所示，數(shù)據(jù)線203在與棚-極線201交叉的位置發(fā)生斷線缺陷，G為斷線處。 本實施例中，可以依照如下步驟進行修補首先分別在斷線處G兩端的第一 修補線205與數(shù)據(jù)線203重疊的區(qū)域各取一個焊接點C和D,利用激光將焊 接點C和D處數(shù)據(jù)線與第一修補線之間的柵極絕緣層擊穿，從而使數(shù)據(jù)線203 與其下方的第一修補線205電性連接；然后再用同樣的方法將第一修補線與第 二修補線的重疊區(qū)域A和B處的柵極絕緣層擊穿，從而使第二修補線207與 其下方的第一修補線205電性連接，此時，信號從數(shù)據(jù)線203上經(jīng)由焊接點C 傳輸至第一修補線205,然后再經(jīng)由重疊區(qū)域A傳輸至第二修補線207,再經(jīng) 由重疊區(qū)域B傳輸至第一修補線205,最后經(jīng)由焊接點D傳輸至數(shù)據(jù)線203 上，即數(shù)據(jù)線203上的信號由焊接點C和D以及重疊區(qū)域A和B所形成的橋優(yōu)選的，本修補方式中，可以用激光切斷源極209與數(shù)據(jù)線203的電連接。 此時有源區(qū)211、第二修補線207、柵極(圖中所示，柵極為柵極線201的一 部分)及漏極208可以構(gòu)成一個新的薄膜晶體管，代替原來的薄膜晶體管213。同時，本實施例也可用于修補像素點缺陷。參照圖8所示，當(dāng)薄膜晶體管 213因例如源極209與漏極208發(fā)生短路的原因而導(dǎo)致TFT失效時，可以依照如下步驟進行修補首先切斷源極209與數(shù)據(jù)線203的電連接，如圖8所示的， 將源極209在位置F處切斷；而后電性連接數(shù)據(jù)線203與第一修補線205，如 圖8所示，在^f象素電才及210b對應(yīng)的數(shù)據(jù)線203與位于其下方的第一4務(wù)補線205 的重疊位置選取一個焊接點D,用激光將焊接點D處數(shù)據(jù)線與第一修補線之 間的柵極絕緣層擊穿；最后電性連接第二修補線207與第一修補線205,如圖 8所示，用激光將第一修補線與第二修補線的重疊區(qū)域B處的柵極絕緣層擊穿。 此時，數(shù)據(jù)線上的信號由焊接點D以及重疊區(qū)域B傳輸?shù)降诙扪a線207上， 因為原來TFT的源極209已經(jīng)和數(shù)據(jù)線203切斷，失去了原有功能，而第二 修補線207位于有源區(qū)211上方，可以取代原來源極209的功能，并與漏極 208及柵極(圖中所示，柵極為柵極線201的一部分)構(gòu)成一個新的薄膜晶體 管，代替像素失效的薄膜晶體管213，從而實現(xiàn)對陣列基板點缺陷的完全修復(fù)。 另外，上述修補點缺陷的步驟中，也可以不在焊接點D和重疊區(qū)域B處 進行激光處理，而在像素電極210a對應(yīng)的數(shù)據(jù)線203與位于其下方的第一修 補線205的重疊位置選取一個焊接點C,用激光將焊接點C處數(shù)據(jù)線與第一修 補線之間的柵極絕緣層擊穿，同時用激光將第 一修補線與第二修補線的重疊區(qū) 域A處的柵極絕緣層擊穿，從而使得數(shù)據(jù)線上的信號可以由焊接點C以及重 疊區(qū)域A傳輸?shù)降诙扪a線207上，同樣可以實現(xiàn)對陣列基板點缺陷的完全 修復(fù)。當(dāng)然，上述修補點缺陷的步驟中，也可以同時對焊接點C和D以及重疊 區(qū)域A和B處激光處理來進行^修補。以上只揭示了本實施例分別修復(fù)線缺陷和點缺陷的情況，但并不僅限于 此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，依照本實施例的修補結(jié)構(gòu)也能夠同時修補數(shù) 據(jù)線在與柵極線交叉處發(fā)生斷線缺陷和像素點缺陷。另外，依照本實施例揭示的結(jié)構(gòu)還可以對發(fā)生在數(shù)據(jù)線其他位置的斷線缺 陷進行修補，具體如下所述。圖9是本實施例修補數(shù)據(jù)線非交叉位置的斷線缺陷時液晶顯示裝置陣列 基板局部結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖9所示，數(shù)據(jù)線203在與柵極線201交叉位置以外其他位置上發(fā)生斷線，例如斷線處E，依照本發(fā)明，可以依如下步驟進行修 補分別在斷線處E兩端第一修補線205與數(shù)據(jù)線203重疊的區(qū)域各取一個焊 接點C和D，然后利用激光將焊接點C和D處第一修補線與數(shù)據(jù)線之間的柵 極絕緣層擊穿，從而使數(shù)據(jù)線203在C和D處分別與其下方的第一修補線205 電性連接，因而數(shù)據(jù)線上的信號可以通過第一修補線205進行傳輸，從而實現(xiàn) 對斷線處E的修補。因此，依照本實施例的修補結(jié)構(gòu)，可以同時修補數(shù)據(jù)線在各個位置發(fā)生斷 線缺陷和像素點缺陷。實施例二在以下本實施例所述的結(jié)構(gòu)中，既可以修補線缺陷又可以修補點缺陷。參 照圖10 圖15說明本實施例液晶顯示裝置陣列基板的結(jié)構(gòu)和修補方法。圖IO是本實施例的液晶顯示裝置陣列基板局部結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例結(jié) 構(gòu)的特點是設(shè)置了第二有源區(qū)，其能夠在原薄膜晶體管失效時形成一個新的薄 膜晶體管，從而達到獨立修補點缺陷的目的，同時也能夠如實施例——樣修補 發(fā)生在數(shù)據(jù)線上的線缺陷。參照圖10所示，303為數(shù)據(jù)線，301為柵極線，數(shù)據(jù)線303與柵極線301 分別設(shè)置于數(shù)據(jù)線層與柵極線層，多條數(shù)據(jù)線與多條柵極線交叉設(shè)置限定多個 像素區(qū)域，在每個像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有TFT與像素電極，為了更顯著的表示本發(fā) 明的結(jié)構(gòu)特征，圖10中只示意出了位于交叉位置的TFT313以及分別位于柵 極線301上方與下方的兩個像素區(qū)域的部分〗象素電才及310a和310b,所述 TFT313包括第一有源區(qū)311a、漏極308，源極309,柵極(圖中所示，柵 極為柵極線301的一部分)，其中源極309電性連接數(shù)據(jù)線303,漏極308通 過接觸孔315與像素電極310a電性連接。在本實施例中，數(shù)據(jù)線下方"i史有第一^f奮補線305，獨立于第一有源區(qū)311a 還設(shè)有第二有源區(qū)311b,所述第二有源區(qū)311b設(shè)置在棚-極線301的上方，在 第二有源區(qū)311b上方i殳有第二》務(wù)補線307和第三修補線316。第二》務(wù)補線307 與第一》務(wù)補線305至少部分重疊，如圖IO所示，l象素電才及310a所對應(yīng)的數(shù)據(jù)線下方的第一修補線305與第二修補線307在區(qū)域A處重疊，同時像素電極 310b所對應(yīng)的數(shù)據(jù)線下方的第一修補線305與第二修補線307在區(qū)域B處重 疊。第三〗務(wù)補線316與^f象素電才及310a至少部分重疊，并通過通孔314與^f象素 電極310a電性連接。圖11為圖10中沿I-I方向的剖S見圖，其中321為玻璃基板，301為柵極 線，305為第一修補線，322為柵極絕緣層，311b為第二有源區(qū)，307為第二 修補線，303為數(shù)據(jù)線，323為鈍化層。如圖ll所示，在玻璃基板321上形成 有柵極線301與第一修補線305,柵極絕緣層322覆蓋柵極線301與第一修補 線305，第二有源區(qū)311b位于棚-極絕緣層322上方，第二修補線307位于第 二有源區(qū)311b的上，且第二修補線307與數(shù)據(jù)線303位于同一層。圖12為圖10中沿n-II方向的剖視圖，其中321為玻璃基板，301為4冊極 線，322為柵極絕緣層，311b為第二有源區(qū)，307為第二修補線，316為第三 修補線，323為鈍化層，310a為像素電極，314為通孔。如圖12所示，在玻 璃基板321上形成有柵極線301, 4冊極絕緣層322覆蓋柵極線301,第二有源 區(qū)31 lb位于4冊極線301及4冊極絕緣層322上方，第二修補線307位于第二有 源區(qū)311b的上方，且與第三修補線位于同一層，第三修補線316也位于第二 有源區(qū)311b上方，l象素電才及310a由通孔314與第三》務(wù)補線連4矣。本實施例所述的結(jié)構(gòu)可修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的缺陷，例如參照圖 13所示，當(dāng)數(shù)據(jù)線303與4冊;敗線301的交叉處G發(fā)生短路時，即凄t據(jù)線303 與柵極線301在G處電性連接，可依照如下步驟進行修補用激光在數(shù)據(jù)線 303與柵極線交叉位置以外的El和E2處將數(shù)據(jù)線切斷；而后電性連接數(shù)據(jù)線 303與第一修補線305,如圖13所示，在像素電極310a對應(yīng)的數(shù)據(jù)線303與 位于其下方的第一修補線305的重疊位置選取一個焊接點C，以及在像素電極 310b對應(yīng)的數(shù)據(jù)線303與位于其下方的第一修補線305的重疊位置選取一個 焊接點D,用激光將焊接點C, D處數(shù)據(jù)線與第一修補線之間的柵極絕緣層擊 穿；最后電性連接第二修補線307與第一修補線305，如圖13所示，用激光 將第一修補線與第二修補線的重疊區(qū)域A和B處的柵極絕緣層擊穿。此時，信號從數(shù)據(jù)線303上經(jīng)由焊接點C傳輸至第一修補線305,然后再經(jīng)由重疊區(qū) 域A傳輸至第二修補線307，再經(jīng)由重疊區(qū)域B傳輸至第一修補線305,最后 經(jīng)由焊接點D傳輸至數(shù)據(jù)線303上，即數(shù)據(jù)線303上的信號由焊接點C和D 以及重疊區(qū)域A和B所形成的橋型通路CABD傳輸，從而完成對交叉處G發(fā) 生短路時的修補。優(yōu)選的，本^f務(wù)補方式中，可以用激光切斷源極309與數(shù)據(jù)線303的電連4妄。 此時位于第二有源區(qū)311b上的第三修補線316、同樣設(shè)置在第二有源區(qū)311b 上方的第二修補線307以及第二柵極(圖中所示，柵極為柵極線301的一部分) 構(gòu)成一個新的薄膜晶體管代替失效的原薄膜晶體管313。此外，本實施例也能修補像素點缺陷，參照圖14所示，當(dāng)源極309與漏 極308發(fā)生短路而導(dǎo)致薄膜晶體管313失效，從而使陣列基板發(fā)生點缺陷時， 可用激光將源極309在F處切斷，使其與數(shù)據(jù)線303斷路，則廢棄原有薄膜晶 體管313;而后電性連接數(shù)據(jù)線303與第一修補線305,如圖14所示，在像素 電極310b對應(yīng)的數(shù)據(jù)線303與位于其下方的第一修補線305的重疊位置選取 一個焊接點D，用激光將焊接點D處數(shù)據(jù)線與第一修補線之間的柵極絕緣層 擊穿；最后電性連接第二修補線307與第一修補線305,如圖14所示，用激 光將第一修補線與第二修補線的重疊區(qū)域B處的柵極絕緣層擊穿。此時數(shù)據(jù) 線上的信號由焊接點D以及重疊區(qū)域B傳輸?shù)降诙扪a線307,通孔314使 第三修補線316和像素電極310a電性連接，此時位于第二有源區(qū)311b上的第 三修補線316、同樣設(shè)置在第二有源區(qū)311b上方的第二修補線307以及第二 才冊極(圖中所示，柵才及為片冊極線301的一部分)構(gòu)成一個新的薄膜晶體管代替 失效的原薄膜晶體管313,其中，第二修補線307作為新的薄膜晶體管的源極， 第三修補線316作為新的薄膜晶體管的漏極，第二柵極(圖中所示，柵極為柵 極線301的一部分)作為新的薄膜晶體管的4冊極。由于新的薄膜晶體管完全獨 立于原有的薄膜晶體管313,并可單獨工作，代替失效的薄膜晶體管313,從 而實現(xiàn)對薄膜晶體管的完全修復(fù)，達到良好的顯示效果。另外，上述修補點缺陷的步驟中，也可以不在焊接點D和重疊區(qū)域B處進行激光處理，而在像素電極310a對應(yīng)的數(shù)據(jù)線303與位于其下方的第一修 補線305的重疊位置選取一個焊接點C,用激光將焊接點C處數(shù)據(jù)線與第一修 補線之間的柵極絕緣層擊穿，同時用激光將第一修補線與第二修補線的重疊區(qū) 域A處的柵極絕緣層擊穿，從而使得數(shù)據(jù)線上的信號可以由焊接點C以及重 疊區(qū)域A傳輸?shù)降诙扪a線307上，同樣可以實現(xiàn)對陣列基板點缺陷的完全 修復(fù)。當(dāng)然，上述修補點缺陷的步驟中，也可以同時對焊接點C和D以及重疊 區(qū)域A和B處激光處理來進^H'務(wù)補。需要說明的是，本實施例也可不設(shè)置所述的通孔314，而是第三修補線在 314處與像素電極310a重疊，且之間有絕緣層，修補時用激光將絕緣層擊穿 即可。與實施例 一相同，以上只揭示了本實施例分別修復(fù)線缺陷和點缺陷的情 況，但并不僅限于此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚，依照本實施例的修補結(jié)構(gòu) 也能夠同時修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處發(fā)生斷線缺陷和像素點缺陷。本實施例揭示的結(jié)構(gòu)也可以對發(fā)生在數(shù)據(jù)線上非交叉位置的斷線缺陷進 行修補，具體如下所述圖15是本實施例修補數(shù)據(jù)線非交叉位置的斷線缺陷時液晶顯示裝置陣列 基^1局部結(jié)構(gòu)示意圖。參照圖15所示，數(shù)據(jù)線303在與片冊才及線301交叉位置 以外其他位置上發(fā)生斷線，例如斷線處E,依照本發(fā)明，可以依如下步驟進朽-修補分別在斷線處E兩端第一修補線305與數(shù)據(jù)線303重疊的區(qū)域各取一個 焊接點C和D,然后利用激光將焊接點C和D處第一修補線與數(shù)據(jù)線之間的 柵極絕緣層擊穿，從而使數(shù)據(jù)線303在C和D處分別與其下方的第一修補線 305電性連接，因而數(shù)據(jù)線上的信號可以通過第一修補線305進行傳輸，從而 實現(xiàn)對斷線處E的修補。依照本實施例的修補結(jié)構(gòu)，可以同時修補數(shù)據(jù)線在各個位置發(fā)生斷線缺陷 和像素點缺陷。實施例三上述第一修補線并不限于以上實施例揭示的結(jié)構(gòu)，只要同時與數(shù)據(jù)線與第 二修補線部分重疊即可實現(xiàn)修補數(shù)據(jù)線在交叉位置的斷線缺陷與點缺陷的功能。以下本實施例參照圖16和圖17說明上述的液晶顯示裝置陣列基板的結(jié)構(gòu) 和^l^卜方法。圖16是本實施例的液晶顯示裝置陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖16 所示，403為數(shù)據(jù)線，401為柵極線，數(shù)據(jù)線403與4冊極線401分別設(shè)置于數(shù) 據(jù)線層與柵極線層，多條數(shù)據(jù)線與多條柵極線交叉設(shè)置限定多個像素區(qū)域，在 每個像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有TFT與像素電極，為了更顯著的表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征， 圖16中只示意出了位于交叉位置的TFT413以及分別位于柵極線401上方與 下方的兩個像素區(qū)域的部分4象素電極410a和410b,所述TFT413包括有源 區(qū)411 、漏極408、源極409及柵極(圖中所示，對冊極為柵極線401的一部分)， 其中源極409電性連接數(shù)據(jù)線403,漏極408通過接觸孔415與像素電極410a 電性連接。第一修補線405,位于柵極線層，與數(shù)據(jù)線至少部分重疊；第二修 補線407,位于數(shù)據(jù)線層，設(shè)置在有源區(qū)411上方，且第二修補線407與第一 修補線405至少部分重疊，像素電極41 Oa所對應(yīng)的第 一修補線405與第二修 補線407在區(qū)域A處重疊，同時像素電極410b所對應(yīng)的第一修補線405與第 二<務(wù)補線407在區(qū)域B處重疊。以上所述的結(jié)構(gòu)與實施例一都類似，不同之處在于，第一修補線405并不 像實施例一中沿著數(shù)據(jù)線403的方向延伸，而是僅與數(shù)據(jù)線403交叉重疊，且 之間隔有柵極絕緣層；像素電極410a所對應(yīng)的第一修補線405與數(shù)據(jù)線403 在區(qū)域C處重疊，同時4象素電極410b所對應(yīng)的第一》務(wù)補線405與數(shù)據(jù)線403 在區(qū);或D處重疊。本實施例所述的結(jié)構(gòu)可修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處的缺陷，例如參照圖 17所示，當(dāng)數(shù)據(jù)線403與棚-極線401的交叉處G發(fā)生短路時，即數(shù)據(jù)線403 與柵極線401在G處電性連接，可依照如下步驟進行修補用激光在數(shù)據(jù)線 403與柵極線交叉位置以外的El和E2處將數(shù)據(jù)線切斷；利用激光將短路處G 兩端的第一修補線405與數(shù)據(jù)線403重疊區(qū)域C和D的柵極絕緣層擊穿，從而使數(shù)據(jù)線403與其下方的第一修補線405電性連接；然后再用同樣的方法將 第一修補線與第二修補線的重疊區(qū)域A和B處的柵極絕緣層擊穿，從而使第 二修補線407與其下方的第一修補線405電性連接，此時，信號從數(shù)據(jù)線403 上經(jīng)由焊接點C傳輸至第一修補線405，然后再經(jīng)由重疊區(qū)域A傳輸至第二 修補線407，再經(jīng)由重疊區(qū)域B傳輸至第一修補線405，最后經(jīng)由焊接點D傳 輸至數(shù)據(jù)線403上，即數(shù)據(jù)線403上的信號由焊接點C和D以及重疊區(qū)域A 和B所形成的橋型通路CABD傳輸，從而完成對交叉處G發(fā)生短路時的修補。優(yōu)選的，本修補方式中，可以用激光切斷源極409與數(shù)據(jù)線403的電連接。 此時有源區(qū)411、第二修補線407、柵極(圖中所示，柵極為柵極線401的一 部分)與漏極408可以構(gòu)成一個新的薄膜晶體管，代替原來的薄膜晶體管413。同樣的，本實施例也夠能修補像素點缺陷，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚， 依照本實施例的修補結(jié)構(gòu)也能夠同時修補數(shù)據(jù)線在與柵極線交叉處發(fā)生斷線 缺陷和像素點缺陷，在此不再贅述。因此，利用本發(fā)明的修補結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)對像素點缺陷的完全修復(fù)修補，而 且能夠修補像素點缺陷和/或數(shù)據(jù)線上的各種線缺陷。以上所述，僅是本發(fā)明 的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳 實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。實施例中僅揭示了 一個或兩個有源區(qū)的結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)也可以是多個， 該結(jié)構(gòu)修補方法與以上實施例也相同，在此不再重復(fù)。需要說明的是，所述第 一修補線并不局限于實施例所述的位置，也可以由透明導(dǎo)電材料組成且位于所 述數(shù)據(jù)線上方(與像素電極形成于同一層)。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可 利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修 飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示裝置陣列基板，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉設(shè)置并限定多個像素區(qū)域；像素電極，位于所述像素區(qū)域；所述多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于柵極線層和數(shù)據(jù)線層；薄膜晶體管，包括有源區(qū)、柵極、源極及漏極；其特征在于所述陣列基板還包括第一修補線和第二修補線，所述第一修補線至少與數(shù)據(jù)線部分重疊；所述第二修補線至少部分位于有源區(qū)上方且與所述第一修補線至少部分重疊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述第 二修補線與數(shù)據(jù)線位于同一層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述第 一修補線與柵極線位于同 一層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述第 一修補線與像素電極位于同 一層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在 于所述第一修補線沿著數(shù)據(jù)線延伸。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述薄 膜晶體管損壞后由所述第二修補線與所述漏極、柵極、有源區(qū)、構(gòu)成修補后的 薄膜晶體管代替。
7、 一種權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置陣列基板的修補方法，其特征在于 當(dāng)出現(xiàn)像素點缺陷時，按如下步驟進行修補電性連接缺陷^象素所對應(yīng)的第 一修補線與數(shù)據(jù)線；電性連接所述第 一修補線與第二修補線；切斷缺陷像素的薄膜晶體管源極與數(shù)據(jù)線的連接。
8、 一種液晶顯示裝置陣列基板，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與 所述多條柵極線正交設(shè)置并限定多個像素區(qū)域；像素電極，位于所述像素區(qū)域; 所述多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于柵極線層和數(shù)據(jù)線層；至少兩個有源區(qū)，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；薄膜晶體管，包括第一有源區(qū)，柵極、源極與 漏極；其特征在于所述陣列基板還包括第一修補線、第二修補線和第三修補線， 所述第一修補線至少與數(shù)據(jù)線部分重疊；所述第二修補線至少部分位于第二有 源區(qū)上方且與所述第一修補線至少部分重疊；所述第三修補線至少部分位于第 二有源區(qū)上方。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述第 三修補線一部分與柵極線重疊，另一部分與像素電極重疊，且與第二修補線位 于同一層。
10、 4艮據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述第 二修補線與數(shù)據(jù)線位于同 一層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述 第一修補線與柵極線位于同一層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征在于所述 第 一修補線與像素電極位于同 一層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求8至12任一項所述的液晶顯示裝置陣列基板，其特征 在于所述第一修補線沿著數(shù)據(jù)線延伸。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置陣列基^1,其特征在于所述 薄膜晶體管損壞后由所述第二修補線與所述第二有源區(qū)、第三修補線、柵極構(gòu)成的獨立的薄膜晶體管代替。
15、 一種權(quán)利要求8所述液晶顯示裝置陣列基板的修補方法，其特征在于 當(dāng)出現(xiàn)像素點缺陷時，按如下步驟進行修補電性連接缺陷像素所對應(yīng)的第 一〗奮補線與數(shù)據(jù)線；電性連接所述第 一修補線與第二修補線；切斷缺陷像素的薄膜晶體管源極與數(shù)據(jù)線的連接。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置陣列基板的缺陷修補方法，其 特征在于電性連接第三修補線與像素電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置陣列基板，其包括多條柵極線；多條數(shù)據(jù)線，與所述多條柵極線交叉設(shè)置并限定多個像素區(qū)域；像素電極，位于所述像素區(qū)域；所述多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線分別設(shè)置于柵極線層和數(shù)據(jù)線層；薄膜晶體管，包括有源區(qū)、柵極、源極及漏極，其中所述柵極、源極與漏極分別電性連接?xùn)艠O線、數(shù)據(jù)線與像素電極；同時公開了一種液晶顯示裝置陣列基板的點和/或線缺陷的修補方法。通過本發(fā)明修補后可構(gòu)成一個新的薄膜晶體管，代替像素失效的薄膜晶體管，從而實現(xiàn)對陣列基板點缺陷的完全修復(fù)，使陣列基板達到較好的顯示狀態(tài)，同時可以用于修補數(shù)據(jù)線上斷線、數(shù)據(jù)線與柵極線交叉部位的短路、斷路問題，以及點缺陷問題的所有結(jié)構(gòu)。
文檔編號G02F1/13GK101216644SQ20071030569
公開日2008年7月9日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者喬艷冰, 健 朱, 朱慶華 申請人:昆山龍騰光電有限公司