專利名稱：圖案的形成方法、以及液晶顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖案的形成方法、以及液晶顯示裝置的制造方法。
技術(shù)背景在制造具有電子電路或集成電路等的布線的器件中，例如使用光刻 法。該光刻法是在預(yù)先涂敷有導(dǎo)電膜的基板上涂敷被稱之為抗蝕劑的感光 性材料，照射電路圖案進(jìn)行顯影，與抗蝕劑圖案對(duì)應(yīng)來(lái)蝕刻導(dǎo)電膜，由此 形成薄膜的布線圖案。該光刻法需要真空裝置等大型的設(shè)備與復(fù)雜的工 序，而且材料使用效率也為數(shù)％左右，不得不廢棄其大部分，所以制造成 本高。與此相對(duì)，提出了從液滴噴頭以液滴狀噴出液體材料的液滴噴出法、 使用所謂噴墨法在基板上形成布線圖案的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)l)。 該方法中，在基板上涂敷分散有金屬微粒等導(dǎo)電性微粒的功能液、即布線圖案形成用墨水(ink)并直接形成圖案，隨后進(jìn)行熱處理或激光照 射，將其變換成薄膜的導(dǎo)電膜圖案。通過(guò)該方法具有下述優(yōu)點(diǎn)不需要光 刻工藝，使得工序大大簡(jiǎn)化，同時(shí)原材料的使用量也少。 專利文獻(xiàn)l:特開2002 — 72502號(hào)公報(bào)然而，當(dāng)使用噴墨法在基板上形成膜圖案時(shí)，通常為了防止墨水的擴(kuò) 展，形成被稱之為圍堰(bank)的堤壩結(jié)構(gòu)。對(duì)圍堰的表面實(shí)施疏液處理 以防止墨水附著，但此時(shí)由于整個(gè)圍堰被疏液化，所以圍堰的側(cè)面與墨水 的潤(rùn)濕性變差，存在著墨水不能順利地進(jìn)入圍堰內(nèi)的問(wèn)題。另外，由于圍 堰的側(cè)面使墨水彈起，所以得到的膜也成為不均勻的膜。因此，需要提高 由圍堰劃分的墨水噴出區(qū)域的潤(rùn)濕性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種可以 穩(wěn)定形成高可靠性的圖案的圖案形成方法、以及液晶顯示裝置的制造方 法。本發(fā)明的圖案形成方法，是通過(guò)在基板上配置功能液來(lái)形成圖案的方 法，其特征在于，包括在上述基板上形成圍堰膜的工序、對(duì)該圍堰膜的 表面實(shí)施疏液處理的工序、使已實(shí)施疏液處理的上述圍堰膜形成圖案而形 成圍堰的工序、實(shí)施將由該圍堰劃分的圖案形成區(qū)域的表面的羥基烷基化 的表面改性處理的工序、在上述圖案形成區(qū)域配置上述功能液的工序、和 對(duì)該功能液進(jìn)行燒成來(lái)形成圖案的工序。通過(guò)本發(fā)明的圖案形成方法，利用表面改性處理，將由圍堰劃分的圖 案形成區(qū)域的表面、即圍堰的側(cè)面以及在圍堰內(nèi)露出的基板表面的羥基 (一OH)烷基化，例如被甲基(一CH》取代。這里，例如在使用了含 有烴系分散介質(zhì)的物質(zhì)作為功能液的情況下，表面被甲基(一CH3)取代 的圖案形成區(qū)域，成為相對(duì)于上述功能液潤(rùn)濕性高的區(qū)域。由此，配置在 上述圖案形成區(qū)域的功能液，在被實(shí)施了疏液處理的圍堰的上面被彈開， 在具有高潤(rùn)濕性的圖案形成區(qū)域中良好地潤(rùn)濕擴(kuò)展。因此，通過(guò)使功能液順利地進(jìn)入圖案形成區(qū)域，可以形成膜厚均勻、 可靠性高的圖案。在上述圖案的形成方法中，作為上述表面改性處理，優(yōu)選使六甲基硅 氮烷的蒸氣與上述圖案形成區(qū)域的表面接觸。根據(jù)該構(gòu)成，通過(guò)使上述圖案形成區(qū)域的表面與六甲基硅氮烷 ((CH3)3SiNHSi(CH3)3)的蒸氣接觸，可以良好地進(jìn)行上述羥基(一OH)的 烷基化(甲基化)。由此，可以提高上述圖案形成區(qū)域內(nèi)的潤(rùn)濕性。在上述圖案的形成方法中，優(yōu)選使用含有烴系分散介質(zhì)的物質(zhì)作為上 述功能液。根據(jù)該構(gòu)成，通過(guò)上述表面改性處理而被甲基(一CH3)等烷基取代 的圖案形成區(qū)域，可以成為相對(duì)于功能液具有高潤(rùn)濕性的狀態(tài)。在上述圖案的形成方法中，優(yōu)選具備在配置上述功能液的工序之前， 對(duì)上述圍堰進(jìn)行燒成的工序。例如，當(dāng)通過(guò)在圍堰膜的表面涂敷氟樹脂來(lái)實(shí)施圍堰的疏液處理時(shí)，
在燒成圍堰時(shí)，由上述氟樹脂熱分解而形成的升華物質(zhì)與圍堰內(nèi)、即上述 圖案形成區(qū)域的表面的羥基(一OH)結(jié)合，附著在圖案形成區(qū)域內(nèi)。于 是，該升華物質(zhì)將引起圖案形成區(qū)域內(nèi)的潤(rùn)濕性降低，無(wú)法形成良好的圖 案。為了形成良好的圖案，在燒成圍堰之后，利用氫氟酸(HF)對(duì)上述 圖案形成區(qū)域?qū)嵤┣逑刺幚?，由此因?yàn)樾枰ド鲜錾A物質(zhì)，所以圖案 的形成工序變得繁瑣。鑒于此，如果采用本發(fā)明，則通過(guò)上述的表面改性處理將上述升華物質(zhì)容易結(jié)合的圖案形成區(qū)域內(nèi)的羥基(一OH)取代成甲基(一CH3)，由此可以防止升華物質(zhì)附著在上述圖案形成區(qū)域內(nèi)。因此，不需要基于上述氫氟酸的清洗處理，可以簡(jiǎn)化圖案的形成工序?；蛘?，在上述圖案的形成方法中，當(dāng)在上述圖案形成區(qū)域配置了上述功能液之后，優(yōu)選一并燒成上述圍堰和所配置的上述功能液。根據(jù)該構(gòu)成，由于可省略圍堰的燒成工序，所以可以實(shí)現(xiàn)圖案形成工序中的處理時(shí)間的縮短。在上述圖案的形成方法中，作為形成上述圍堰膜的材料，優(yōu)選使用含有聚硅氮烷、聚硅垸、聚硅氧烷中任意一種的材料。根據(jù)該構(gòu)成，由于形成圍堰膜的材料包含了含有聚硅氮烷、聚硅烷、聚硅氧烷中任意一種的無(wú)機(jī)質(zhì)材料，所以圍堰的耐熱性高，且圍堰與基板之間的熱膨脹率減小。為此，由功能液干燥時(shí)的熱等導(dǎo)致的圍堰劣化得到抑制，可以將圖案形成良好的形狀。因此，如果采用本發(fā)明，則能夠以高精度穩(wěn)定地形成圖案。此時(shí)，作為形成上述圍堰膜的材料，優(yōu)選使用由含有聚硅氮垸、聚硅烷、聚硅氧垸中任意一種的感光性材料構(gòu)成的材料。根據(jù)該構(gòu)成，通過(guò)使用感光性材料，可以容易地形成圍堰的圖案。 在上述圖案的形成方法中，優(yōu)選在上述圍堰內(nèi)形成的圖案是布線。 根據(jù)該構(gòu)成，可以以高精度穩(wěn)定地形成均勻膜厚的布線。 在上述圖案的形成方法中，優(yōu)選在上述圍堰內(nèi)形成的圖案是透明電極。根據(jù)該構(gòu)成，例如能夠以均勻的膜厚和良好的精度形成由例如ITO 等構(gòu)成的透明電極。
在上述圖案的形成方法中，優(yōu)選在上述圍堰內(nèi)形成的圖案是設(shè)置在液 晶顯示裝置的濾色器。根據(jù)該構(gòu)成，可以以均勻的膜厚和良好的精度形成液晶顯示裝置的濾 色器。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，是具備濾色器的液晶顯示裝置的 制造方法，其特征在于，在制造上述濾色器時(shí)，包括在基體上形成圍堰 膜的工序、對(duì)該圍堰膜的表面實(shí)施疏液處理的工序、使已實(shí)施了疏液處理 的上述圍堰膜形成圖案而形成圍堰的工序、實(shí)施將由該圍堰膜劃分的濾色 器形成區(qū)域的表面的羥基垸基化的表面改性處理的工序、在上述濾色器形 成區(qū)域配置濾色器形成材料的工序、和對(duì)上述濾色器形成材料進(jìn)行燒成來(lái) 形成上述濾色器的工序。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，通過(guò)表面改性處理使得濾色器形成區(qū)域的表面的羥基(一OH)被烷基化，例如被甲基(一CH3)取代，所以濾色器形成區(qū)域成為相對(duì)于例如含有烴系分散介質(zhì)的濾色器形成 材料具有高潤(rùn)濕性的狀態(tài)。而且，在上述濾色器形成區(qū)域配置的濾色器形 成材料，在實(shí)施了疏液處理的圍堰上面被彈幵，在具有良好潤(rùn)濕性的濾色 器形成區(qū)域良好地潤(rùn)濕擴(kuò)展。由此，通過(guò)濾色器形成材料順利地進(jìn)入濾色器形成區(qū)域，可以形成具 有均勻膜厚且可靠性高的濾色器。因此，具備該濾色器的液晶顯示裝置也 具有高可靠性。本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，是具備在由圍堰劃分的區(qū)域形成的導(dǎo)電膜圖案的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括在基體上形成圍堰膜的工序、對(duì)該圍堰膜的表面實(shí)施疏液處理的工序、使已實(shí)施了疏液處理的上述圍堰膜形成圖案而形成圍堰的工序、實(shí)施將由該圍堰劃分的導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域的表面的羥基烷基化的表面改性處理的工序、在上述導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域配置導(dǎo)電性功能液的工序、和對(duì)上述導(dǎo)電性功能液進(jìn)行燒成而形成上述導(dǎo)電膜圖案的工序。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，通過(guò)表面改性處理使得導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域的表面的羥基(一OH)烷基化，例如被甲基(一CH3)取代，所以圖案形成區(qū)域成為相對(duì)于例如含有烴系分散介質(zhì)的導(dǎo)電性功能
液具有高潤(rùn)濕性的狀態(tài)。此外，在上述導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域配置的導(dǎo)電性 功能液，在實(shí)施了疏液處理的圍堰上面被彈開，在具有良好潤(rùn)濕性的導(dǎo)電 膜圖案形成區(qū)域良好地潤(rùn)濕擴(kuò)展。由此，通過(guò)導(dǎo)電性功能液順利地進(jìn)入導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域，可以形成 具有均勻膜厚且可靠性高的導(dǎo)電膜圖案。該導(dǎo)電膜圖案在液晶顯示裝置中 例如被用作布線或透明電極，因此，具備該導(dǎo)電膜圖案的液晶顯示裝置也 具有高可靠性。


圖1是表示本發(fā)明的圖案的形成工序的圖。 圖2是液滴噴出裝置的概略立體圖。圖3是用于說(shuō)明基于壓電方式的液狀體的噴出原理的圖。圖4是表示一并燒成時(shí)的圖案的形成工序的圖。圖5是表示分開燒成時(shí)的圖案的形成工序的圖。圖6是對(duì)第二實(shí)施方式的圖案的形成方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖7是對(duì)第三實(shí)施方式的圖案的形成方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖8是對(duì)第三實(shí)施方式的圖案的形成方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖9是對(duì)第三實(shí)施方式的圖案的形成方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖IO是對(duì)第三實(shí)施方式的圖案的形成方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。圖11是表示具有薄膜晶體管的基板的一例的示意圖。圖12是用于說(shuō)明制造薄膜晶體管的工序的圖。圖13是從對(duì)置基板側(cè)觀察液晶顯示裝置的俯視圖。圖14是沿著圖13的H—H'線的剖面圖。圖15是液晶顯示裝置的等效電路圖。圖16是該液晶顯示裝置的局部放大圖。圖中Bo—圍堰膜，B、 66、 614 —圍堰，L—功能液，P—基板，5 — 布線(圖案)，A、 34、 71 —圖案形成區(qū)域，19一像素電極(導(dǎo)電膜圖案)， 23 —濾色器，40 —柵極布線(圖案)，41、 612 —柵電極(圖案)，42 —源 極布線(圖案)，43、 615—源電極(圖案)，44、 616 —漏電極(圖案)， 611a、 614a—槽(圖案形成區(qū)域)，100 —液晶顯示裝置。
具體實(shí)施方式
以下，參照

本發(fā)明。首先，對(duì)本發(fā)明所涉及的圖案的形成方 法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。 (圖案的形成方法)首先，在基板上形成作為形成圍堰的材料的圍堰膜。在本實(shí)施方式中， 當(dāng)形成上述圍堰膜時(shí)，進(jìn)行使該圍堰膜與基板P的密接性提高的處理。具體而言如圖l (a)所示，對(duì)上述基板P實(shí)施HMDS處理120秒左右。該 HMDS處理是使六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)的蒸氣與上述基板P的表面接觸的處理。此外，使用加熱板對(duì)基板P進(jìn)行加熱處理(條件 95°C、 60秒)。通過(guò)以上的工序，在基板P上形成使圍堰和基板P之間的密接性提高 的HMDS層(未圖示)。該HMDS層通過(guò)將基板P表面的羥基(一OH) 取代成甲基(一CH3)而構(gòu)成。然而，如果基板表面的羥基(一OH)全部被甲基(一CH3)取代， 則在圍堰膜Bo和基板P之間無(wú)法獲得足夠的密接性。因此，按照使基板 P的表面成為羥基(一OH)和甲基(一CH》混合存在的狀態(tài)進(jìn)行上述 HMDS處理。由此，可以使圍堰膜Bo以密接于基板P上的狀態(tài)形成。在上述HMDS處理之后，利用旋涂、噴涂、輥涂、模涂、浸涂等規(guī) 定的方法，如圖1 (b)所示，在基板P上與圍堰高度一致地形成上述圍 堰膜Bo。然后，使用加熱板對(duì)在基板P上形成的圍堰膜Bo進(jìn)行預(yù)烘焙(干 燥條件95°C/60sec)。其中，作為上述基板P可以舉出玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料膜、 金屬板等各種材料。進(jìn)而，還包括在這些種原材料基板的表面形成了半導(dǎo) 體膜、金屬膜、電介質(zhì)膜、有機(jī)膜等作為基底層的板材。在本實(shí)施方式中， 使用玻璃基板作為上述基板P。另外，作為上述圍堰膜Bo的形成材料，可以任意使用有機(jī)系的材料 (丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯樹脂、蜜胺樹脂等高分子材料)或無(wú)機(jī) 系的材料，但從耐熱性角度出發(fā)，優(yōu)選使用無(wú)機(jī)系材料。作為這樣的無(wú)機(jī)質(zhì)的圍堰材料，例如可以舉出聚硅氮烷、聚硅烷、
聚硅氧烷、硅氧垸系抗蝕劑、聚硅垸系抗蝕劑等骨架中含有硅的高分子無(wú) 機(jī)材料或感光性無(wú)機(jī)材料，含有石英玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基倍半 矽氧烷聚合物、氫化垸基倍半矽氧烷聚合物、聚芳基醚中任意一個(gè)的旋壓玻璃(spin-on glass)膜，金剛石膜、以及氟化無(wú)定形碳膜等。進(jìn)而，作 為無(wú)機(jī)質(zhì)的圍堰材料，例如可以使用氣凝膠、多孔質(zhì)二氧化硅等。在本實(shí)施方式中，作為上述圍堰膜Bo使用以聚硅氮烷為主要成分的 無(wú)機(jī)質(zhì)材料所構(gòu)成的膜，特別是使用了含有聚硅氮烷和光酸發(fā)生劑的感光 性聚硅氮烷組合物那樣的發(fā)揮正型功能的感光性聚硅氮烷。由此，利用后 述的曝光處理和顯影處理使圍堰膜B。直接形成圖案，可以形成圍堰B。在基板P上形成了圍堰膜B()之后，如圖1 (c)所示，對(duì)該圍堰膜Bo 的表面實(shí)施疏液處理。具體而言，在本實(shí)施方式中，利用旋涂法在上述圍 堰膜Bo上涂敷例如住友3M公司制的EGC-1700、 EGC-1720 (2:1稀釋品) 等氟系樹脂材料(PVDF， PTFE)F。然后，使用加熱板對(duì)上述氟系樹脂材 料F進(jìn)行預(yù)烘焙(干燥條件95'C/60sec)。圍堰膜BQ的表面基于上述氟系樹脂材料而對(duì)后述的在圍堰內(nèi)配置的功能液顯示疏液性。涂敷上述氟系 樹脂材料F的工序除了旋涂之外，還可以使用噴涂、輥涂、模涂、浸涂、 噴墨法等各種方法。其中，作為上述疏液處理，例如可以采用在大氣氣氛中以四氟甲烷為 處理氣體的等離子體處理法(CF4等離子處理法)。就CF4等離子處理的 條件而言，例如等離子功率為50 1000W，四氟甲垸氣體流量為50 100ml/min、相對(duì)于等離子放電電極的基體搬送速度為0.5 1020mm/sec， 基體溫度為70 90'C。另外，作為處理氣體不限于四氟甲烷(四氟化碳)， 還可以使用其他碳氟系的氣體。此外，不限于上述等離子處理，還可以使 用減壓等離子處理法或基于FAS的氣相處理法。接著，如圖1 (d)所示，使用掩模將圍堰膜Bo曝光，在對(duì)圍堰膜Bo 加濕之后，如圖1 (e)所示，進(jìn)行顯影處理。通過(guò)加濕之后進(jìn)行顯影， 可以除去導(dǎo)致光透過(guò)率降低的圍堰膜Bo中的氮成分。其中，就曝光條件 而言，例如為10mj，就加濕處理的條件而言，溫度25°C、濕度80% RH、加濕時(shí)間4分鐘。另夕卜，就顯影處理的條件而言，顯影液TMAH 2.38%、溫度25°C、顯影時(shí)間1分鐘。顯影之后可以根據(jù)需要進(jìn)行除
水處理。除水通過(guò)在真空氣氛下例如將基板P放置5分鐘而進(jìn)行。通過(guò)以上的工序，使圍堰膜Bo形成圖案，在基板P上形成圍堰B。由該圍堰B劃分的區(qū)域成為圖案形成區(qū)域34。接著，對(duì)于形成了上述圍堰B的基板P，進(jìn)行表面改性處理。該表面 改性處理是對(duì)由圍堰B所劃分的圖案形成區(qū)域34表面的羥基(一OH)進(jìn) 行烷基化(甲基化)的處理。具體而言，在本實(shí)施方式中，作為表面改性處理，對(duì)形成有圍堰B 的基板P實(shí)施120秒的HMDS處理。通過(guò)該HMDS處理，將由圍堰B劃 分的圖案形成區(qū)域34的表面、即圍堰B的側(cè)面以及在圍堰B內(nèi)露出的基 板P的羥基(一OH)由甲基(—CH3)取代。這里，通過(guò)如上所述在形 成圍堰膜Bo時(shí)進(jìn)行的HMDS處理，基板P的表面成為羥基(一OH)和 甲基(一CH3)混合存在的狀態(tài)。因此，表面改性處理(HMDS處理)將在露出于上述圍堰B內(nèi)的基 板P的表面所殘存的羥基(一OH)由甲基(一CH3)取代。從而，通過(guò) 表面改性處理，成為在構(gòu)成圖案形成區(qū)域34的圍堰B的側(cè)面、以及露出 于圍堰B內(nèi)的基板P的表面賦予了甲基(一CH3)的狀態(tài)。在進(jìn)行了上述表面改性處理之后，進(jìn)行對(duì)上述圖案形成區(qū)域34配置 功能液(墨水)的工序。作為本發(fā)明中的功能液(墨水)，可以使用各種 材料。上述功能液是指通過(guò)將液中含有的膜成分膜化而形成具有規(guī)定功能 的膜(功能膜)的液體。作為該功能，包括電氣/電子功能(導(dǎo)電性、 絕緣性、壓電性、熱電性、介電性等)、光學(xué)功能(光選擇吸收、反射性、 偏光性、光選擇透過(guò)性、非線性光學(xué)行、熒光或磷光等的發(fā)光、光色性等)、 磁功能(硬磁性、軟磁性、非磁性、透磁性等)、化學(xué)功能(吸附性、解 吸性、催化性、吸水性、離子傳導(dǎo)性、氧化還原性、電化學(xué)特性、電致色 變性等)、機(jī)械功能(耐磨損性等)、熱功能(傳熱性、絕熱性、紅外線放 射性等)、生物體功能(生物體相容性、抗血栓性等)等各種功能。在本 實(shí)施方式中，例如使用了含有導(dǎo)電性微粒的布線形成用功能液。作為在上述圖案形成區(qū)域34上配置該功能液的方法，優(yōu)選使用液滴 噴出法、即所謂的噴墨法。通過(guò)使用液滴噴出法，與旋涂法等其他涂敷技
術(shù)相比，液體材料的消費(fèi)可被較少浪費(fèi)，具有容易控制在基板上配置的功 能液的量與位置的優(yōu)點(diǎn)。布線形成用的功能液由在分散介質(zhì)中分散有導(dǎo)電性微粒的分散液構(gòu) 成。作為導(dǎo)電性微粒，例如除了含有金、銀、銅、鈀、錳、以及鎳中任意 一種的金屬微粒之外，還可以使用它們的氧化物、以及導(dǎo)電性聚合物或超 導(dǎo)體的微粒等。在本實(shí)施方式中，使用了錳作為導(dǎo)電性微粒。為了提高分散性，這些導(dǎo)電性微粒還可以在表面涂敷有機(jī)物等而使 用。作為在導(dǎo)電性微粒的表面涂敷的涂敷材料，例如可舉出二甲苯、甲苯 等有機(jī)溶劑或檸檬酸等。導(dǎo)電性微粒的粒徑優(yōu)選為lnm以上0.1um以下。如果大于0.1um， 則有可能在后述的液體噴頭的噴嘴發(fā)生阻塞。另外，如果小于lnm，則涂 敷劑相對(duì)導(dǎo)電性微粒的體積比增大，得到的膜中的有機(jī)物的比例過(guò)多。作為分散介質(zhì)，使用可以分散上述導(dǎo)電性微粒的介質(zhì)，尤其是使用了 烴系的介質(zhì)。例如，可以例示正庚烷、正辛垸、硅烷、十二烷、十四烷、 甲苯、二甲苯、異丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氫化萘、十氫化萘、 環(huán)己基苯等烴系化合物。烴系化合物在微粒的分散性和分散液的穩(wěn)定性、 還有在液滴噴出法(噴墨法)中應(yīng)用的容易程度方面出色。其中，如上所述表面被甲基(一CH3)取代的圖案形成區(qū)域34，對(duì)含 有這樣的烴系分散介質(zhì)的功能液(墨水)具有非常高的潤(rùn)濕性，顯示親液 性。另一方面，由于在對(duì)上述圖案形成區(qū)域34進(jìn)行劃分的圍堰B的上面， 形成有上述氟系樹脂材料F，所以對(duì)上述功能液顯示疏液性。因此，即便在由圍堰B劃分的區(qū)域(圖案形成區(qū)域34)微細(xì)的情況 下，功能液也會(huì)在圍堰B的上面被彈幵，順利地進(jìn)入到圖案形成區(qū)域34 內(nèi)。上述功能液的表面張力優(yōu)選在0.02N/m以上0.07N/m以下的范圍內(nèi)。 在用液滴噴出法噴出液體時(shí)，表面張力如果不到0.02N/m，則墨水組成物 相對(duì)噴嘴面的潤(rùn)濕性增大，所以容易產(chǎn)生飛行彎曲，如果超過(guò)0.07N/m， 則噴嘴前端處的彎月面的形狀不穩(wěn)定，難以控制噴出量和噴出時(shí)機(jī)。為了 調(diào)節(jié)表面張力，可以在不大幅降低與基板的接觸角的范圍內(nèi)，向上述分散 液中微量添加氟系、硅酮系、非離子系等的表面張力調(diào)節(jié)劑。非離子系表 面張力調(diào)節(jié)劑有助于提高液體向基板的潤(rùn)濕性，改進(jìn)膜的流平性，防止膜 的微細(xì)凹凸不平的發(fā)生等。上述表面張力調(diào)節(jié)劑根據(jù)需要可以含有醇、醚、 酯、酮等有機(jī)化合物。上述分散液的粘度優(yōu)選為lmPa s以上50mPa s以下。當(dāng)使用液滴 噴出法以液滴噴出液體材料時(shí)，在粘度小于lmPa*s的情況下，噴嘴周 邊部容易因墨水的流出而被污染，另外，在粘度大于50mPa"的情況下， 噴嘴孔處的阻塞頻率增高，難以順利地噴出液滴。作為液滴噴出法的噴出技術(shù)，可以舉出帶電控制方式、加壓振動(dòng)方式、 電氣機(jī)械轉(zhuǎn)換式、電熱轉(zhuǎn)換方式、靜電吸引方式等。帶電控制方式是利用 帶電電極對(duì)材料賦予電荷，利用偏轉(zhuǎn)電極控制材料的飛翔方向而使其從噴 嘴噴出的方式。另外，加壓振動(dòng)方式是向材料施加30kg/cn^左右的超高 壓將材料噴到噴嘴前端側(cè)的方式，在不施加控制電壓的情況下，材料前進(jìn) 從噴嘴被噴出，當(dāng)施加控制電壓時(shí)，在材料間發(fā)生靜電排斥，材料飛散而 無(wú)法從噴嘴噴出。此外，電氣機(jī)械轉(zhuǎn)換方式是利用了壓電元件接收脈沖電 信號(hào)而發(fā)生變形的性質(zhì)的方式，通過(guò)使壓電元件發(fā)生變形，借助撓性物質(zhì) 向儲(chǔ)留有材料的空間施加壓力，從該空間擠出材料而使其從噴嘴噴出的方 式。而且，電熱轉(zhuǎn)換方式是通過(guò)在儲(chǔ)留有材料的空間內(nèi)設(shè)置的加熱器，急 劇地使材料氣化而產(chǎn)生氣泡，由氣泡的壓力使空間內(nèi)的材料噴出的方式。 靜電吸引方式是向儲(chǔ)留有材料的空間內(nèi)施加微小壓力，在噴嘴中形成材料 的彎月面，以該狀態(tài)施加靜電引力后引出材料的方式。另外，除此之外， 還可以使用利用通過(guò)電場(chǎng)改變流體的粘性的方式、或利用放電火花飛濺的 方式等技術(shù)。液滴噴出法具有不浪費(fèi)材料且能夠確實(shí)可靠地將需要量的材 料配置在需要位置的優(yōu)點(diǎn)。其中，利用滴液噴出法噴出的液狀材料(流動(dòng) 體)的一滴的量，例如為1 300ng。在本實(shí)施方式的圖案的形成方法中，通過(guò)使用上述的布線形成用功能 液，可以形成具有導(dǎo)電性的圖案。該導(dǎo)電性圖案作為布線被用于各種器件。圖2是作為本實(shí)施方式的圖案(布線)的形成方法中所使用的裝置的 一例，是表示利用液滴噴出法在基板上配置液體材料的液滴噴出裝置(噴 墨裝置)IJ的簡(jiǎn)要構(gòu)成的立體圖。液滴噴出裝置IJ具備液滴噴頭101、 X軸方向驅(qū)動(dòng)軸104、 Y軸方向?qū)蜉S105、控制裝置CONT、平臺(tái)(stage) 107、清潔機(jī)構(gòu)108、基臺(tái) 109、和加熱器115。平臺(tái)107是對(duì)由該液滴噴出裝置IJ設(shè)置了墨水(液體材料)的基板P 進(jìn)行支承的構(gòu)件，具備將基板P固定于基準(zhǔn)位置的未圖示的固定機(jī)構(gòu)。液滴噴頭101是具備多個(gè)噴嘴的多噴嘴型液滴噴頭，使其長(zhǎng)度方向與 Y軸方向一致。多個(gè)噴頭在液滴噴頭101的下面沿著Y軸方向排列并被 設(shè)置成具有一定間隔。從液滴噴頭101的噴嘴向由被平臺(tái)107支承的基板 P噴出上述的含有導(dǎo)電性微粒的墨水。在X軸方向驅(qū)動(dòng)軸104上連接有X軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)102。 X軸方向 驅(qū)動(dòng)馬達(dá)102是步進(jìn)式馬達(dá)等，當(dāng)從控制裝置CONT提供X軸方向的驅(qū) 動(dòng)信號(hào)時(shí)，使X軸方向驅(qū)動(dòng)軸104旋轉(zhuǎn)。當(dāng)X軸方向驅(qū)動(dòng)軸104旋轉(zhuǎn)時(shí)， 液滴噴頭101沿著X軸方向移動(dòng)。Y軸方向?qū)蜉S105被固定成不與基臺(tái)109相對(duì)移動(dòng)。平臺(tái)107具備 Y軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)103。 Y軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)103是步進(jìn)式馬達(dá)等，當(dāng)從控 制裝置CONT提供Y軸方向的驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，平臺(tái)107沿著Y軸方向移動(dòng)?？刂蒲b置CONT向液滴噴頭101提供用于控制液滴噴出的電壓。另 外，向X軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)102提供對(duì)液滴噴頭101的X軸方向的移動(dòng)進(jìn) 行控制的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)，向Y軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)103提供對(duì)平臺(tái)107的Y 軸方向的移動(dòng)進(jìn)行控制的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)。清潔機(jī)構(gòu)108用于使液滴噴頭清潔。在清潔機(jī)構(gòu)108中具備未圖示的 Y軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。通過(guò)該Y軸方向驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)，清潔機(jī)構(gòu)108沿 著Y軸方向?qū)蜉S105移動(dòng)。清潔機(jī)構(gòu)108的移動(dòng)也被控制裝置CONT 控制。加熱器115在這里是通過(guò)燈退火對(duì)基板P進(jìn)行熱處理的機(jī)構(gòu)，使在涂 敷于基板P上的液體材料中所含有的溶劑蒸發(fā)和干燥。該加熱器115的電 源接通和斷開也由控制裝置CONT來(lái)控制。液滴噴出裝置IJ在相對(duì)掃描液滴噴頭101和支承基板P的平臺(tái)107 的同時(shí)向基板P噴出液滴。這里，在以下的說(shuō)明中，以X軸方向?yàn)閽呙?方向，以與X軸方向正交的Y軸方向?yàn)榉菕呙璺较颉Ｒ虼?，液滴噴頭101的噴嘴沿著作為非掃描方向的Y軸方向以一定間隔排列設(shè)置。另外，在 圖2中，液滴噴頭101相對(duì)于基板P的行進(jìn)方向成直角配置，但可以調(diào)節(jié) 液滴噴頭101的角度，使其與基板P的行進(jìn)方向交叉。由此，通過(guò)調(diào)節(jié)液 滴噴頭101的角度，可以調(diào)節(jié)噴嘴間的間距。另外，還可以任意調(diào)節(jié)基板 P和噴嘴面的距離。圖3是用于說(shuō)明利用壓電方式的液體材料噴出原理的圖。在圖3中，與收容液體材料(布線圖案用墨水、功能液)的液體室 121相鄰設(shè)置有壓電元件122。借助具備對(duì)液體材料進(jìn)行收容的材料容器 的液體材料供給系統(tǒng)123向液體室121提供液體材料。壓電元件122與驅(qū)動(dòng)電路124連接，借助該驅(qū)動(dòng)電路124向壓電元件 122施加電壓，使壓電元件122變形，由此，使得液體室121發(fā)生變形， 從噴嘴25噴出液體材料。此時(shí)，通過(guò)改變施加電壓的值，可控制壓電元 件122的變形量。另外，通過(guò)改變施加電壓的頻率，可控制壓電元件122 的變形速度。由于基于壓電方式的液滴噴出不對(duì)材料進(jìn)行加熱，所以具有 難以影響材料組成的優(yōu)點(diǎn)。然而，對(duì)于在上述基板P上形成的圍堰B、以及在圖案形成區(qū)域34配置的功能液而言，需要分別進(jìn)行燒成處理。其中，上述圍堰B和功能 液的燒成工序可以一并進(jìn)行，還可以分別(分開)進(jìn)行。以下，區(qū)分一并燒成和分開燒成進(jìn)行說(shuō)明。 (一并燒成的情況)首先，對(duì)一并燒成的情況進(jìn)行說(shuō)明。在一并燒成中，如上所述， 一并 進(jìn)行圍堰B及配置在圖案形成區(qū)域34內(nèi)的功能液的燒成工序。如此進(jìn)行 一并燒成，可以省略圍堰的燒成工序，所以可實(shí)現(xiàn)圖案形成工序中處理時(shí) 間的縮短。首先，使用基于液滴噴出裝置IJ (參照?qǐng)D2)的液滴噴出法，將功能 液配置于圖案形成區(qū)域34。具體而言，如圖4 (a)所示，從液滴噴頭101 以液滴形式噴出含有布線圖案形成用材料的功能液L。噴出后的液滴如圖 4 (b)所示，被配置在基板P上的圍堰B、 B之間的槽狀圖案形成區(qū)域34。 作為液滴噴出的條件，例如可以在墨水重量4 7ng/dot、墨水速度(噴出
速度)5 7m/sec下進(jìn)行。另外，噴出液滴的氣氛優(yōu)選被設(shè)成溫度60°C以 下、濕度80%以下。由此，液滴噴頭101的噴嘴可以在不堵塞的情況下 進(jìn)行穩(wěn)定的液滴噴出。
此時(shí)，被噴出液滴的圖案形成區(qū)域34被圍堰B、 B包圍，所以可以 阻止液滴擴(kuò)展到規(guī)定位置以外。
而且，由于通過(guò)氟系樹脂材料F對(duì)圍堰B、 B的上面賦予了疏液性， 所以噴出后的液滴的一部分即使跳落到圍堰B上也會(huì)彈開，流落到圍堰 B、 B之間的槽狀圖案形成區(qū)域34內(nèi)。
另外，由于對(duì)在圖案形成區(qū)域34的底部35露出的基板P的表面、以 及圍堰B的側(cè)面賦予了甲基(一CH3)，所以噴出后的液滴(由烴系分散 介質(zhì)構(gòu)成的功能液L)在圖案形成區(qū)域34內(nèi)進(jìn)一步展開，被均勻配置在 圖案形成區(qū)域34內(nèi)。
接著，如圖4 (c)所示，對(duì)整個(gè)基板P實(shí)施曝光處理。由此，通過(guò) 在后述的燒成處理之前進(jìn)行曝光，可以促進(jìn)圍堰材料中的羥基(一OH) 的消去反應(yīng)。
接著，利用加熱板對(duì)基板P進(jìn)行干燥處理(條件120°C、 2分鐘)。 作為進(jìn)行后烘焙的方法，除了上述加熱板之外，還可以利用電爐、燈退火 進(jìn)行。作為在燈退火中使用的光的光源，沒(méi)有特別限制，可以使用紅外線 燈、氙燈、YAG激光器、氬激光器、二氧化碳激光器、XeF、 XeCl、 XeBr、 KrF、 KrCl、 ArF、 ArCl等激元激光器等作為光源。 (燒成處理)
就已被實(shí)施干燥處理后的功能膜而言，為了使微粒之間有很好的電接 觸，需要完全除去分散介質(zhì)。另外，為了提高分散性，當(dāng)在導(dǎo)電性微粒的 表面涂敷有機(jī)物等涂敷材料時(shí)，還需要除去該涂敷材料。為此，對(duì)噴出工 序后的基板P實(shí)施熱處理和/或光處理(燒成處理)。作為該燒成處理的條 件，在220'C下進(jìn)行30分鐘。
熱處理和/或光處理通常在大氣中進(jìn)行，但根據(jù)需要還可以在氮?dú)狻?氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛下進(jìn)行。就熱處理和/或光處理的處理溫度而 言，考慮分散介質(zhì)的沸點(diǎn)(蒸氣壓)、氣氛氣體的種類或壓力、微粒的分 散性與氧化性等熱行為、涂敷材料的有無(wú)與量、基材的耐熱溫度等來(lái)適當(dāng)
進(jìn)行確定。例如，為了除去由有機(jī)物構(gòu)成的涂敷材料，需要在約30(TC下 進(jìn)行燒成。此時(shí)，例如可以預(yù)先在圍堰B以及液體材料的干燥膜上涂敷
低熔點(diǎn)玻璃等。
在本實(shí)施方式中，由于如上所述作為圍堰B的形成材料(圍堰膜Bo)， 使用了以聚硅氮烷為主要成分的材料，所以圍堰B (圍堰膜Bo)因上述 熱處理而被燒結(jié)，成為硅氧烷骨架的結(jié)構(gòu)。
例如，在圍堰材料的聚硅氮烷是聚甲基硅氮烷(一(SiCH"NH^n —) 時(shí)，聚甲基硅氮垸因加濕處理而部分水解，成為[SiCH3(麗)(0H)]的形態(tài)。 接著，通過(guò)燒成而縮合，成為聚甲基硅氧烷[一 (SiCH3Ch.5) —]。由此形 成的聚甲基硅氧烷成為主成分的骨架是無(wú)機(jī)質(zhì)，所以相對(duì)于熱處理具有高 的耐性。另外，在使用塑料作為上述基板P的情況下，優(yōu)選在室溫以上 IO(TC以下進(jìn)行。
通過(guò)上述的工序，噴出工序后的功能液L被確保微粒間的電接觸，變 換成圖4 (d)所示的布線(圖案)5。
其中，通過(guò)反復(fù)進(jìn)行上述干燥處理和功能液配置工序，可在基板P 上層疊多層功能液的液滴，形成膜厚較厚的圖案。另外，在上述干燥處理 前后，向基板P上噴出含有不同導(dǎo)電性微粒的功能液，進(jìn)行上述的燒成工 序，由此可以形成層疊了多種不同材料而成的高性能布線。
另外，在上述實(shí)施方式中，作為圍堰膜Bo的形成材料，使用了含有 以聚硅氮烷為主要成分的材料和光酸發(fā)生劑的感光性聚硅氮烷，但也可以 使用含有聚硅氧烷和光酸發(fā)生劑的感光性聚硅氧烷作為圍堰材料。由此， 不需要在上述實(shí)施方式中進(jìn)行的加濕處理。其理由在于，當(dāng)在圍堰材料的 主要成分中使用了聚硅氮烷時(shí)，通過(guò)加濕具有除去氮成分的效果，但當(dāng)圍 堰材料的主成分使用了聚硅氧烷時(shí)，由于不含氮成分，所以不需要進(jìn)行加 濕處理。因此，可以省略加濕工序，所以可消除對(duì)基板P進(jìn)行加濕期間的 等待時(shí)間，由此可以提高生產(chǎn)率。 (分幵燒成的情況)
接著，對(duì)分開燒成的情況進(jìn)行說(shuō)明。在分開燒成中，分別進(jìn)行圍堰B 和配置在圖案形成區(qū)域34內(nèi)的功能液L的燒成工序，具體而言，在進(jìn)行 圍堰B的燒成處理之后，進(jìn)行上述功能液L的燒成處理。
首先，如圖5 (a)所示，對(duì)整個(gè)基板P的面進(jìn)行曝光處理，由此， 可以促進(jìn)圍堰材料中的羥基(一OH)的消去反應(yīng)。然后，如圖5 (b)所 示，燒成圍堰B (條件220°C、 IO分鐘)。通過(guò)這樣的燒成處理，圍堰B 的形成材料(圍堰膜BQ)被燒結(jié)，成為硅氧烷骨架的結(jié)構(gòu)。具體而言， 上述圍堰B是由聚甲基硅氧烷(一 (SiCH30u) —)構(gòu)成的。
不過(guò)，圍堰B的上面可以通過(guò)如上所述使氟系樹脂材料F成膜而被 賦予疏液性。如果對(duì)于具有如此構(gòu)成的圍堰B迸行燒成處理，則由上述 氟系樹脂材料F熱分解而形成的升華物質(zhì)與羥基(一OH)結(jié)合，由此可 能會(huì)附著在上述圖案形成區(qū)域34內(nèi)。
升華物質(zhì)使圖案形成區(qū)域34內(nèi)的潤(rùn)濕性降低，成為阻礙在該圖案形 成區(qū)域34內(nèi)形成良好布線(圖案)的主要因素。因此，升華物質(zhì)特別是 像分幵燒成那樣在功能液配置工序之前燒成圍堰B的情況下會(huì)成為問(wèn)題。 為此，為了形成良好的圖案，需要通過(guò)利用氫氟酸(HF)進(jìn)行清洗處理， 除去升華物質(zhì)，由此導(dǎo)致工序變得繁瑣。
但是，在本實(shí)施方式的圖案的形成方法中，由于通過(guò)上述的表面改性 處理用甲基(一CH3)取代了上述升華物質(zhì)容易結(jié)合的圖案形成區(qū)域34 內(nèi)的羥基(一OH)，所以，通過(guò)升華物質(zhì)與羥基(一OH)結(jié)合，可以防 止其附著于圖案形成區(qū)域34。由此，可以不需要進(jìn)行用于除去升華物質(zhì) 的上述氫氟酸清洗工序，不僅可簡(jiǎn)化形成圖案時(shí)的工序，還可以在上述圖 案形成區(qū)域34內(nèi)形成良好的布線(圖案)。
接著，使用基于液滴噴出裝置IJ (參照?qǐng)D2)的液滴噴出法，將功能 液配置在圖案形成區(qū)域34。
在本實(shí)施方式中，使用與上述一并燒成相同的功能液L，從液滴噴頭 101以液滴形式噴出。噴出后的液滴如圖5 (c)所示，被配置在基板P上 的圍堰B、 B之間的圖案形成區(qū)域34。作為液滴噴出的條件，與一并燒成 時(shí)一樣，以墨水重量4 7ng/dot、墨水速度(噴出速度)5 7m/sec的條 件進(jìn)行。另外，噴出液滴的氣氛被設(shè)定成溫度60'C以下、濕度80%以下， 由此，可以在不堵塞液滴噴頭101的噴嘴的情況下進(jìn)行穩(wěn)定的液滴噴出。
此時(shí)，由于被噴出液滴的圖案形成區(qū)域34被圍堰B、 B包圍，所以， 可以阻止液滴擴(kuò)展到規(guī)定位置以外。
而且，由于利用氟系樹脂材料F對(duì)圍堰B、 B的上面賦予了疏液性， 所以，噴出后的液滴的一部分即使被噴到圍堰B上也會(huì)彈開，流落到圍 堰B、 B之間的圖案形成區(qū)域34。
另外，由于對(duì)在圖案形成區(qū)域34的底部露出的基板P的表面、及圍 堰B的側(cè)面賦予了甲基(一CH3)，所以，噴出后的液滴(由烴系分散介 質(zhì)構(gòu)成的功能液L)在圖案形成區(qū)域34內(nèi)進(jìn)一步擴(kuò)展，使得墨水被均勻 地配置在圖案形成區(qū)域34內(nèi)。
接著，利用例如加熱板使在上述圖案形成區(qū)域34內(nèi)配置的功能液L 干燥。為了完全除去已實(shí)施了干燥處理的功能膜(功能液)的分散介質(zhì)， 實(shí)施熱處理和/或光處理(燒成處理)。作為該燒成處理的條件，以220°C 進(jìn)行了30分鐘。
由于由聚甲基硅氧垸構(gòu)成的圍堰B，其成為主成分的骨架是無(wú)機(jī)質(zhì)， 所以相對(duì)于熱處理具有高耐性。因此，圍堰B的耐熱性增高，而且圍堰B 和基板P之間的熱膨脹率之差減小，所以因在功能液L干燥時(shí)或燒成時(shí) 的熱等而導(dǎo)致的圍堰B的劣化得到抑制，圖案可以形成為良好的形狀。 例如，在圍堰B和功能液的上面預(yù)先涂敷低熔點(diǎn)玻璃等，當(dāng)燒成功能液 時(shí)或?yàn)榱顺チＷ拥耐糠蟛牧匣驘Y(jié)而進(jìn)行燒成時(shí)，燒成溫度有時(shí)會(huì)達(dá)到 30(TC以上的高溫，但即便在這樣的情況下，通過(guò)圍堰B由無(wú)機(jī)質(zhì)的材料 形成，可以得到足夠的耐久性。
如上所述，利用本實(shí)施方式的圖案的形成方法，由于即便在分開燒成 圍堰B和功能液的情況下，也會(huì)防止在圖案形成區(qū)域34內(nèi)產(chǎn)生雜質(zhì)，所 以如圖5 (d)所示，可以在上述圖案形成區(qū)域34內(nèi)形成良好的布線(圖 案)5。
(第二實(shí)施方式)
接著，參照?qǐng)D6說(shuō)明本發(fā)明的圖案形成方法的第二實(shí)施方式。其中， 在本實(shí)施方式中，對(duì)于和第一實(shí)施方式相同的部件或部位，附加相同的符 號(hào)，并省略詳細(xì)的說(shuō)明。
本實(shí)施方式的圖案形成方法包括在基板P上形成圍堰B的圍堰形 成工序、以及在由圍堰B劃分的線狀圖案形成區(qū)域(圖案形成區(qū)域)A
配置功能液L的材料配置工序。圍堰形成工序使用第一實(shí)施方式的方法。 本實(shí)施方式的圖案形成方法中，在由圍堰B劃分的線狀圖案形成區(qū)
域A配置功能液L，通過(guò)干燥該功能液L，在基板P上形成布線5。此時(shí)， 由于由圍堰B限定布線5的形狀，所以如圖6所示，鄰接的圍堰B、B之 間的寬度減小等，通過(guò)適當(dāng)形成圍堰B，可實(shí)現(xiàn)布線5的微細(xì)化或細(xì)線化。 此時(shí)，由第一實(shí)施方式的方法形成的圍堰B的側(cè)面被甲基取代，相對(duì)于 功能液L顯示親液性，所以，即使圍堰B、 B之間的寬度減小，功能液L 也可以通過(guò)毛細(xì)管現(xiàn)象等順利地進(jìn)入到圍堰B、 B內(nèi)，其中，在形成了布 線5之后，可以從基板P除去圍堰B，也可以原樣地殘留在基板P上。
另外，在本實(shí)施方式的圖案形成方法中，當(dāng)在基板P上形成圍堰B 時(shí)，對(duì)于由圍堰B劃分的線狀圖案形成區(qū)域A，擴(kuò)大其部分的寬度。艮口， 在與上述圖案形成區(qū)域A的軸方向相關(guān)的規(guī)定位置，設(shè)置一個(gè)或多個(gè)由 寬度比其他區(qū)域的寬度W寬的寬度Wp (Wp>W)形成的部分(以后，根 據(jù)稱為寬幅部As)。
在本實(shí)施方式的圖案形成方法中，通過(guò)局部(寬幅部As)較寬地形 成由圍堰B劃分的圖案形成區(qū)域A的寬度，在配置功能液L時(shí)，功能液 L的一部分會(huì)退避到該寬幅部As，防止功能液L從圍堰B溢出。
通常，當(dāng)將液體配置到由圍堰B劃分的區(qū)域時(shí)，因液體表面張力的 作用等，有時(shí)液體會(huì)難以流入到該區(qū)域，或者液體難以在該區(qū)域內(nèi)擴(kuò)展。 與此相對(duì)，本實(shí)施方式的圖案形成方法中，設(shè)置有線寬差的部分的液體流 動(dòng)成為誘因，促進(jìn)功能液向圖案形成區(qū)域A的流入，或者功能液在圖案 形成區(qū)域A內(nèi)的擴(kuò)展，可防止功能液從圍堰B溢出。其中，在配置功能 液L時(shí)，當(dāng)然需要適當(dāng)設(shè)定功能液相對(duì)于圖案形成區(qū)域A的配置量。
由此，在本實(shí)施方式的圖案形成方法中，可防止配置功能液L時(shí)功能 液L從圍堰B溢出，使得布線5正確地形成為需要的形狀，因此，能夠 以良好的精度穩(wěn)定形成細(xì)線狀的布線5。
另外，在本實(shí)施方式中，由于利用第一實(shí)施方式所示的方法形成了圍 堰B，所以僅有圍堰B的上面被疏液化，利用表面改性處理將圖案形成區(qū) 域A內(nèi)烷基化(甲基化)，可以成為親液性的狀態(tài)。因此，即便在形成 微細(xì)布線5的情況下，功能液L也會(huì)順利地進(jìn)入到圍堰B， B內(nèi)，使得膜
的均勻性也提高。
這里，在由圍堰B劃分的圖案形成區(qū)域A中，寬幅部As的寬度Wp 優(yōu)選是其他部分的寬度W的110 500%。由此，可以確實(shí)可靠地防止配 置功能液L時(shí)功能液L從圍堰B溢出。另外，如果上述的比例不到110 %，則功能液不會(huì)充分退避到寬度寬的部分，所以不優(yōu)選。此外，如果超 過(guò)500。％ ，則在實(shí)現(xiàn)基板P上空間的有效利用方面不優(yōu)選。
其中，圖案形成區(qū)域A的形狀不限于圖6所示的形狀，還可以為其 他形狀。圖案形成區(qū)域A的寬幅部As的個(gè)數(shù)與大小、配置位置、配置間 距等可以根據(jù)圖案的材質(zhì)與寬度、或者要求精度而適當(dāng)設(shè)定。
(第三實(shí)施方式)
接著，參照?qǐng)D7和圖8說(shuō)明本發(fā)明的圖案形成方法的第三實(shí)施方式。 其中，在本實(shí)施方式中，對(duì)于和第一、第二實(shí)施方式相同的部件和部位附 加相同的符號(hào)，并省略詳細(xì)的說(shuō)明。
圖7中，在基板P上，通過(guò)圍堰B形成了具有第一寬度H1的第一槽 部34A (寬幅區(qū)域)、和以與該第一槽部34A連接的方式具有第二寬度 H2的第二槽部34B (窄幅區(qū)域)。第一寬度H1形成得比功能液的飛翔徑 大。第二寬度H2比第一寬度Hl窄。換言之，第二寬度H2為第一寬度 Hl以下。而且，圖7中，第一槽部34A以沿著X軸方向延伸的方式形成， 第二槽部34B以沿著方向與X軸方向不同的Y軸方向延伸的方式形成。 該圍堰B利用第一實(shí)施方式的方法形成。
為了在上述的槽部34A、 34B形成布線5，首先，如圖8 (a)所示， 由液滴噴頭101在第一槽部34A的規(guī)定位置配置含有用于形成布線5的 布線形成用墨水的功能液L的液滴。當(dāng)將功能液L的液滴配置在第一槽 部34A時(shí)，使用液滴噴頭101從第一槽部34A的上方向第一槽部34A噴 出液滴。在本實(shí)施方式中，如圖8 (a)所示，功能液L的液滴沿著第一 槽部34A的長(zhǎng)度方向(X軸方向)以規(guī)定間隔配置。此時(shí)，功能液L的 液滴也被配置在第一槽部34A中第一槽部34A和第二槽部34B連接的連 接部37附近(交叉區(qū)域)。
如圖8 (b)所示，配置在第一槽部34A的功能液L因自流動(dòng)而在第
一槽部34A內(nèi)潤(rùn)濕擴(kuò)展。并且，配置在第一槽部34A的功能液L因自流 動(dòng)也潤(rùn)濕擴(kuò)展到第二槽部34B。由此，無(wú)需從第二槽部34B上直接向第二 槽部34B噴出液滴，就可以將功能液L配置在第二槽部34B。此時(shí)，圍 堰B的側(cè)面優(yōu)選是相對(duì)于功能液L具有良好潤(rùn)濕性的狀態(tài)，但在第一實(shí) 施方式的方法中，由于圍堰B的側(cè)面沒(méi)有被疏液化，所以，即使減小圍 堰B、 B之間的寬度，功能液L也會(huì)因?yàn)槊?xì)管現(xiàn)象等順利地進(jìn)入到圍堰 B、 B內(nèi)。
這樣，通過(guò)將功能液L配置到第一槽部34A，可以基于配置在該第一 槽部34A的功能液L的自流動(dòng)(毛細(xì)管現(xiàn)象)，將功能液L配置到第二槽 部34B。因此，即使不從圍堰B上向第二寬度H2(窄幅)的第二槽部34B 噴出功能液L的液滴，也可以通過(guò)向第一寬度H1 (寬幅)的第一槽部34A 噴出功能液L的液滴，順利地將功能液L配置于第二槽部34B。
特別是在第二槽部34B的寬度H2窄、從液滴噴頭101噴出的液滴直 徑(飛翔中的液滴直徑)大于寬度H2的情況下，也可以基于功能液L的 自流動(dòng)順利地將功能液L配置到第二槽部34B。并且，由于第二槽部34B 的寬度H2窄，所以功能液L會(huì)通過(guò)毛細(xì)管現(xiàn)象被順利地配置到第二槽部 34B。因此，可形成具有期望形狀的圖案。此外，因?yàn)榭梢詫⒐δ芤篖順 利地配置在窄幅的第二槽部34B,所以可實(shí)現(xiàn)圖案的細(xì)線化(微細(xì)化)。 另一方面，由于第一槽部34A的寬度H1寬，所以，即使從圍堰B上向第 一槽部34A噴出功能液L的液滴，也可以避免功能液L的一部分沾在圍 堰B的上面而存在殘?jiān)鼩埩舻牟涣记闆r。因此，可以穩(wěn)定形成發(fā)揮期望 特性的布線5。
而且，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在第一槽部34A中的第一槽部34A和 第二槽部34B連接的連接部37附近配置功能液L，所以在功能液L潤(rùn)濕 擴(kuò)展時(shí)，可以使其容易地流入第二槽部34B，從而可更順利地將功能液L 配置在第二槽部34B。
并且，在本實(shí)施方式中，由于利用第一實(shí)施方式所示的方法形成了圍 堰B，所以可以僅將圍堰B的上面疏液化，將由圍堰B劃分的圖案形成 區(qū)域內(nèi)親液化。因此，即便在形成微細(xì)布線5的情況下，功能液L也會(huì)順 利地進(jìn)入到圍堰B、 B內(nèi)，布線5的均一性也會(huì)提高。
在將功能液L配置到第一槽部34A和第二槽部34B之后，與上述的 第一實(shí)施方式一樣，經(jīng)過(guò)中間干燥工序和燒成工序，可以形成布線5。
其中，如圖9所示，可以向第二槽部34B噴出配置僅由功能液L的 溶劑構(gòu)成的功能液La，然后如上所述配置功能液L。這樣，通過(guò)在第二 槽部34B噴出配置功能液La，功能液L容易流入到第二槽部34B，可以 更順利地在第二槽部34B配置功能液L。其中，因?yàn)楣δ芤篖a不含導(dǎo)電 性微粒，所以不具有導(dǎo)電性。因此，即便是圍堰B上有功能液L的殘?jiān)?殘留的情況，也不會(huì)使布線5的期望特性發(fā)生變化。
另外，在圖7 圖9中，具有第一寬度H1 (寬幅)的第一槽部34A 的延伸方向與具有第二寬度H2 (窄幅)的第二槽部34B的延伸方向彼此 不同，但如圖10所示，具有寬幅寬度H1的第一槽部34A的延伸方向與 具有窄幅寬度H2的第二槽部34B的延伸方向可以相同。在該情況下，如 圖10 (a)所示，通過(guò)將功能液L配置在第一槽部34A，基于該功能液L 的自流動(dòng)，如圖IO (b)所示，也可以將功能液L配置在第二槽部34B。 另外，在此情況下，通過(guò)將第一槽部34A和第二槽部34B的連接部37形 成為自第一槽部34A向第二槽部34B逐漸變窄那樣的錐形，可以使配置 在第一槽部34A的功能液L順利地流入到第二槽部34B。 (薄膜晶體管)
本發(fā)明的圖案形成方法，可以用于形成圖11所示的作為開關(guān)元件的 薄膜晶體管(TFT)以及與其連接的布線。圖11中，在具有TFT的TFT 基板P上具備柵極布線40、與該柵極布線40電連接的柵電極41、源極 布線42、與該源極布線42電連接的源電極43、漏電極44、與漏電極44 電連接的像素電極45。柵極布線40形成為沿著X軸方向延伸，柵電極 41形成沿著Y軸方向延伸。
而且，柵電極41的寬度H2比柵極布線40的寬度H1窄。通過(guò)使用 本發(fā)明的圖案形成方法，可以形成柵極布線40及柵電極41、源極布線42、 源電極43、以及漏電極44。
以下，參照?qǐng)D12說(shuō)明制造TFT的方法。
如圖12 (a)所示，首先利用光刻法，在已洗凈的玻璃基板610的上 面，形成用于設(shè)置一個(gè)像素間距的1/20 1/10的槽(圖案形成區(qū)域)611a
的第一層圍堰611。作為該圍堰611，優(yōu)選使用含有以聚硅氮烷為主成分
的無(wú)機(jī)質(zhì)材料。
圍堰611利用第一實(shí)施方式所示的方法形成。因此，圍堰611成為只 有上面被疏液化而側(cè)面未被疏液化的狀態(tài)。另外，對(duì)于上述槽6Ua內(nèi)而 言，通過(guò)上述表面改性處理將表面的羥基用甲基取代。
在上述第一層圍堰形成工序之后的柵極掃描電極形成工序中，以充滿 由圍堰611劃分的作為描畫區(qū)域的上述槽611a內(nèi)的方式，通過(guò)由噴墨法 噴出含有烴系分散介質(zhì)的功能液，形成柵極掃描電極612。
此時(shí)，作為功能液中含有的導(dǎo)電性材料，可以適當(dāng)采用Ag、 Al、 Au、 Cu、鈀、Ni、 W—Si、導(dǎo)電性聚合物等。對(duì)于如此形成的柵極掃描電極 612而言，因?yàn)轭A(yù)先對(duì)圍堰611賦予了足夠的疏液性，所以不會(huì)從作為親 液區(qū)域的槽611a滲出，可以形成微細(xì)的布線圖案。
利用上述的工序，在基板610上形成具備由圍堰611和柵電極612構(gòu) 成的平坦上面的第一導(dǎo)電層Al。
而且，為了獲得槽611a內(nèi)的良好噴出結(jié)果，如圖12(a)所示，作為 該槽611a的形狀，優(yōu)選采用準(zhǔn)錐形(朝向噴出源的倒錐形狀)。由此，可
以使噴出的液滴充分地進(jìn)入到里面。
接著，如圖12 (b)所示，利用等離子CVD法進(jìn)行柵極絕緣膜613、 活性層621、接觸層609的連續(xù)成膜。通過(guò)改變?cè)蠚怏w和等離子條件， 形成氮化硅膜作為柵極絕緣膜613，形成非晶硅膜作為活性層621，形成 n+型硅膜作為接觸層609。在利用CVD法形成的情況下，需要300 350 。C的熱過(guò)程，但如上所述，通過(guò)由以聚硅氮垸為主成分的無(wú)機(jī)系材料形成 圍堰，可以避免與透明性、耐熱性有關(guān)的問(wèn)題。
在上述半導(dǎo)體層形成工序之后的第二層圍堰形成工序中，如圖12(c) 所示，利用光刻法在柵極絕緣膜613的上面形成第二層圍堰614，所述圍 堰614用于設(shè)置一個(gè)像素間距的1/20 1/10且與上述槽611a交叉的槽(圖 案形成區(qū)域)614a。作為該圍堰614,在形成后需要具有透光性和疏液性， 作為其原材料，與先前的圍堰611 —樣優(yōu)選使用含有以聚硅氮烷為主成分 的無(wú)機(jī)質(zhì)材料。該圍堰614也可以利用第一實(shí)施方式所示的方法形成。
因此，在由該圍堰614劃分的槽614a的表面，通過(guò)表面改性處理取 代為甲基。
在上述第二層圍堰形成工序之后的源/漏電極形成工序中，以充滿由
圍堰614劃分的作為描畫區(qū)域的上述槽614a內(nèi)的方式，通過(guò)利用噴墨法 噴出由含有導(dǎo)電性材料的烴系分散介質(zhì)構(gòu)成的功能液，如圖12 (d)所示， 形成與上述柵電極612交叉的源電極615和漏電極616。
作為此時(shí)的導(dǎo)電性材料，可以適當(dāng)采用Ag、 Al、 Au、 Cu、鈀、Ni、 W—Si、導(dǎo)電性聚合物等。對(duì)于由此形成的源電極615和漏電極616而言， 因?yàn)轭A(yù)先對(duì)圍堰614的上面賦予足夠的疏液性，所以在具有親液性的槽 614a內(nèi)很好地潤(rùn)濕擴(kuò)展，可以形成微細(xì)的布線圖案。
而且，按照對(duì)配置有源電極615和漏電極616的槽614a進(jìn)行掩埋的 方式配置了絕緣材料617。利用上述的工序，形成由圍堰614和絕緣材料 617構(gòu)成的平坦上面620。通過(guò)以上的工序，可以制造TFT。
并且，可以在上面620形成像素電極618。具體而言，通過(guò)與上述方 法同樣地對(duì)上述上面620實(shí)施表面改性處理等，形成圍堰(未圖示)。然 后，在由圍堰劃分的像素電極形成區(qū)域(導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域)配置像素 電極形成用墨水(導(dǎo)電性功能液)。此時(shí)，由于像素電極形成用墨水在像 素電極形成區(qū)域很好地潤(rùn)濕擴(kuò)展，所以，可以形成具有高可靠性的由均勻 膜厚構(gòu)成的像素電極(ITO) 618。此外，像素電極618借助接觸孔619 與漏電極616連接。
另外，也可以利用上述實(shí)施方式的圖案形成方法形成所有開關(guān)元件的 柵電極?？梢杂蒙鲜鰧?shí)施方式的圖案形成方法形成一部分柵電極，利用光 刻工序形成一部分柵電極。鑒于其他元件的形成方法，可以通過(guò)生產(chǎn)率好 的方法進(jìn)行。
同樣，可以利用上述實(shí)施方式的圖案形成方法形成所有的柵極布線。 還可以用上述實(shí)施方式的圖案形成方法形成一部分柵極布線，利用光刻工 序形成一部分柵極布線。鑒于其他元件和布線的形成方法，可以利用生產(chǎn) 率好的方法進(jìn)行。
接著，參照

液晶顯示裝置。圖13是從與各構(gòu)成要素一起表 示的對(duì)置基板側(cè)觀察液晶顯示裝置的俯視圖，圖14是圖13的沿著H—H' 線的剖面圖。圖15是表示窄液晶顯示裝置的圖像顯示區(qū)域中形成為矩陣
狀的多個(gè)像素中的各種元件、布線等的等效電路圖，圖16是液晶顯示裝 置的部分放大剖面圖。其中，在以下說(shuō)明所使用的各圖中，由于使各層和 各部件成為在附圖上可以辨識(shí)的大小，所以各層和各部件的縮尺不同。
在圖13和圖14中，就液晶顯示裝置100而言，通過(guò)作為光固化性封 入材料的密封材料52貼合成對(duì)的TFT陣列基板10和對(duì)置基板20，向由 該密封材料52劃分的區(qū)域內(nèi)封入液晶50并保持。密封材料52在基板面 內(nèi)的區(qū)域形成為封閉的框狀，不具備液晶注入口，也沒(méi)有用密封材料進(jìn)行 密封的痕跡。
在TFT陣列基板10的液晶50側(cè)，設(shè)置有與未圖示的TFT連接的像 素電極19。另外，在對(duì)置基板20的液晶50側(cè)設(shè)置有對(duì)置電極21，在與 上述各像素電極19對(duì)向的位置，形成有例如紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B) 的濾色器23。
在密封材料52的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)區(qū)域，形成有由遮光性材料構(gòu)成的 周邊分離部。在密封材料52的外側(cè)區(qū)域，沿著TFT陣列基板10的一個(gè) 邊形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路201和安裝端子202，沿著與該一個(gè)邊鄰接的兩 條邊形成有掃描線驅(qū)動(dòng)電路204。在TFT陣列基板10的剩余一條邊設(shè)置 有多根布線205，所述多根布線205用于連接在像素顯示區(qū)域的兩側(cè)設(shè)置 的掃描線驅(qū)動(dòng)電路204之間。而且，在對(duì)置基板20的角部的至少一處， 配設(shè)有用于使TFT陣列基板10和對(duì)置基板20之間電導(dǎo)通的基板間導(dǎo)通 材料206。
另外，代替在TFT陣列基板10上形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路201和掃描線 驅(qū)動(dòng)電路204，例如可以借助各向異性導(dǎo)電膜將安裝有驅(qū)動(dòng)用LSI的TAB (Tape Automated Bonding)基板和在TFT陣列基板10的周邊部形成的端 子組電氣和機(jī)械連接。其中，在液晶顯示裝置100中，根據(jù)所使用的液晶 50的禾中類、艮卩TN (TwistedNematic)模式、STN (super twistednematic) 模式等的動(dòng)作模式，或者正常白模式/正常黑模式的不同，將相位差板、 偏振片等配置在規(guī)定的方向，但在這里省略了圖示。
上述液晶顯示裝置100通過(guò)本發(fā)明的制造方法而形成。本制造方法的 特征在于，具有在由圍堰劃分的區(qū)域形成導(dǎo)電膜圖案(例如像素電極9、 TFT30、以及與其連接的布線)的工序、或者形成濾色器23的工序。關(guān)
于除此之外的構(gòu)成，可以利用以往公知的工序形成。
具體而言，液晶顯示裝置100與上述圖案形成方法相同地形成圍堰， 在由該圍堰劃分的導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域配置功能液并燒成，由此構(gòu)成像素
電極19和TFT 30等。
這里，對(duì)于液晶顯示裝置100而言，舉例說(shuō)明為了使顯示圖像彩色化 而具備的形成濾色器23的工序。
首先，通過(guò)使已實(shí)施疏液處理的圍堰膜形成圖案，在上述對(duì)置基板 20上形成圍堰，形成由該圍堰劃分的濾色器形成區(qū)域。然后，在通過(guò)表 面改性處理(HMDS處理)使得表面的羥基(一OH)被甲基(一CH3) 取代的濾色器形成區(qū)域，利用液滴噴出裝置IJ配置功能液(濾色器形成 材料)。其中，上述功能液可使用含有烴系分散介質(zhì)的材料。
由此，在上面被賦予疏液性、側(cè)面被賦予親液性的濾色器形成區(qū)域配 置的功能液，可良好地潤(rùn)濕擴(kuò)展，成為均勻的膜厚。使該功能液干燥而形 成的濾色器具有均勻的膜厚且可靠性高。濾色器通過(guò)阻斷透過(guò)濾色器的光 的特定波長(zhǎng)成分，對(duì)光賦予顏色，因其厚度的不同導(dǎo)致阻斷的光量會(huì)發(fā)生 變化，所以濾色器的厚度是影響濾色器的性能的重要因素。因此，本實(shí)施 方式的液晶顯示裝置100具備厚度均勻且性能高的濾色器，液晶顯示裝置 100自身的可靠性也高。
在具有這樣結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置100的圖像顯示區(qū)域，如圖15所示， 多個(gè)像素100a構(gòu)成為矩陣狀，同時(shí)在這些像素100a中分別形成有像素開 關(guān)用的TFT (開關(guān)元件)30，提供像素信號(hào)S1、 S2、…、Sn的數(shù)據(jù)線6a 與TFT 30的源極電連接。寫入到數(shù)據(jù)線6a的像素信號(hào)Sl、 S2、…、Sn 可以按照該順序以線順序被供給，也可以向鄰接的多個(gè)數(shù)據(jù)線6a分組供 給。另外，在TFT30的柵極電連接有掃描線3a，以規(guī)定的時(shí)間向掃描線 3a按順序以線順序脈沖施加掃描信號(hào)Gl、 G2、…、Gn。
像素電極19與TFT30的漏極電連接，通過(guò)將作為開關(guān)元件的TFT30 接通一定期間，將從數(shù)據(jù)線6a提供的像素信號(hào)Sl、 S2、…、Sn以規(guī)定的 定時(shí)寫入到各像素。這樣，經(jīng)由像素電極19寫入到液晶的規(guī)定電平的像 素信號(hào)S1、 S2、…、Sn，在圖14所示的對(duì)置基板20的對(duì)置電極21之間 被保持一定期間。其中，為了防止保持的像素信號(hào)S1、 S2、…、Sn泄漏，
與在像素電極19和對(duì)置電極21之間形成的液晶電容并列施加存儲(chǔ)電容 60，與公共導(dǎo)線3b連接。例如，像素電極19的電壓被存儲(chǔ)電容60保持 一段時(shí)間，該時(shí)間比施加源極電壓的時(shí)間長(zhǎng)3位數(shù)。由此，電荷的保持特 性得到改善，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)比度比高的液晶顯示裝置100。
圖16是具有底柵型TFT30的液晶顯示裝置100的部分放大剖面圖， 在構(gòu)成TFT陣列基板10的玻璃基板P上，利用本發(fā)明的制造方法形成有 作為導(dǎo)電性膜的柵極布線61。
在柵極布線61上借助由SiNx構(gòu)成的柵極絕緣膜62層疊有由非晶硅 (a—Si)層構(gòu)成的半導(dǎo)體層63。與該柵極布線部分對(duì)置的半導(dǎo)體層63 的部分成為溝道區(qū)域。半導(dǎo)體層63上層疊有用于獲得歐姆接合的例如由 n+型a—Si層構(gòu)成的接合層64a和64b，在溝道區(qū)域的中央部的半導(dǎo)體層 63上，形成有用于保護(hù)溝道的由SiNx構(gòu)成的絕緣性蝕刻阻止膜65。其中， 這些柵極絕緣膜62、半導(dǎo)體層63、以及蝕刻阻止膜65，通過(guò)蒸鍍(CVD) 后實(shí)施抗蝕劑涂敷、感光/顯影、光蝕刻，如圖所示形成圖案。
進(jìn)而，接合層64a、 64b和由ITO構(gòu)成的像素電極19也同樣成膜，并 且被實(shí)施光蝕刻，可以如圖所示形成圖案。而且，在像素電極19、柵極 絕緣膜62、以及蝕刻阻止膜65上分別突出設(shè)置圍堰66…，使用上述的液 滴噴出裝置IJ向這些圍堰66…之間噴出銀化合物的液滴，由此可以形成 源極線、漏極線。
本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100，由于可以高精度地穩(wěn)定形成像素電 極9、濾色器23、或者TFT30，所以可得到高品質(zhì)與性能。
權(quán)利要求
1.一種圖案的形成方法，通過(guò)在基板上配置功能液來(lái)形成圖案，包括在所述基板上形成圍堰膜的工序；對(duì)該圍堰膜的表面實(shí)施疏液處理的工序；使已實(shí)施了疏液處理的所述圍堰膜形成圖案而形成圍堰的工序；實(shí)施將由該圍堰劃分的圖案形成區(qū)域的表面的羥基烷基化的表面改性處理的工序；在所述圖案形成區(qū)域配置所述功能液的工序；和對(duì)該功能液進(jìn)行燒成而形成圖案的工序。
2. 如權(quán)利要求l所述的圖案的形成方法，其特征在于， 作為所述表面改性處理，使六甲基硅氮烷的蒸氣接觸所述圖案形成區(qū)域的表面。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的圖案的形成方法，其特征在于， 作為所述功能液，使用含有烴系的分散介質(zhì)的物質(zhì)。
4. 如權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在于， 具備在配置所述功能液的工序之前，對(duì)所述圍堰進(jìn)行燒成的工序。
5. 如權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在于， 一并燒成所述圍堰和所配置的所述功能液。
6. 如權(quán)利要求1 5中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在于， 作為形成所述圍堰膜的材料，使用含有聚硅氮垸、聚硅烷、聚硅氧垸中任意一種的材料。
7. 如權(quán)利要求6所述的圖案的形成方法，其特征在于， 作為形成所述圍堰膜的材料，使用由含有聚硅氮烷、聚硅垸、聚硅氧烷中任意一種的感光性材料構(gòu)成的材料。
8. 如權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在于， 在所述圍堰內(nèi)形成的圖案是布線。
9. 如權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在于，在所述圍堰內(nèi)形成的圖案是透明電極。
10. 如權(quán)利要求1 7中任意一項(xiàng)所述的圖案的形成方法，其特征在 于，在所述圍堰內(nèi)形成的圖案是設(shè)置在液晶顯示裝置中的濾色器。
11. 一種液晶顯示裝置的制造方法，是具備濾色器的液晶顯示裝置的 制造方法，在制造所述濾色器時(shí)，包括在基體上形成圍堰膜的工序； 對(duì)該圍堰膜的表面實(shí)施疏液處理的工序；使已實(shí)施了疏液處理的所述圍堰膜形成圖案而形成圍堰的工序； 實(shí)施將由該圍堰膜劃分的濾色器形成區(qū)域的表面的羥基烷基化的表 面改性處理的工序；在所述濾色器形成區(qū)域配置濾色器形成材料的工序；和 對(duì)所述濾色器形成材料進(jìn)行燒成來(lái)形成所述濾色器的工序。
12. —種液晶顯示裝置的制造方法，是具備在由圍堰劃分的區(qū)域形成 的導(dǎo)電膜圖案的液晶顯示裝置的制造方法，包括-在基體上形成圍堰膜的工序； 對(duì)該圍堰膜的表面實(shí)施疏液處理的工序；使已實(shí)施了疏液處理的所述圍堰膜形成圖案而形成圍堰的工序； 實(shí)施將由該圍堰劃分的導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域的表面的羥基烷基化的 表面改性處理的工序；在所述導(dǎo)電膜圖案形成區(qū)域配置導(dǎo)電性功能液的工序；和 對(duì)所述導(dǎo)電性功能液進(jìn)行燒成來(lái)形成所述導(dǎo)電膜圖案的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以穩(wěn)定形成具有高可靠性的圖案的圖案形成方法、以及液晶顯示裝置的制造方法。是通過(guò)在基板(P)上配置功能液形成圖案的方法。在基板(P)上形成圍堰膜(B₀)，對(duì)圍堰膜(B₀)的表面實(shí)施疏液處理(F)。然后，使已實(shí)施了疏液處理(F)的圍堰膜(B₀)形成圖案，形成圍堰。實(shí)施將由該圍堰劃分的圖案形成區(qū)域的表面的羥基烷基化的表面改性處理。在進(jìn)行了表面改性處理之后，在圖案形成區(qū)域配置功能液，并燒成功能液，形成圖案。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101114121SQ20071013693
公開日2008年1月30日 申請(qǐng)日期2007年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月25日
發(fā)明者守屋克之, 平井利充 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社