專利名稱：發(fā)光裝置、圖像形成裝置、顯示裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
在具備有機(jī)EL(Electro Luminescent)元件或無機(jī)EL元件等的EL元件的發(fā)光裝置中，在其較多的用途上期望著發(fā)光光譜的窄帶化和出射光量的增大?？膳e出在EL元件及其基板之間配置介質(zhì)反射鏡而構(gòu)成微型空腔的發(fā)光裝置，作為能夠?qū)崿F(xiàn)這些期望的發(fā)光裝置(專利文獻(xiàn)1)。該發(fā)光裝置為底部發(fā)射型，來自EL元件的光透過其基板而出射。
背景技術(shù)：
在具備EL元件的發(fā)光裝置中，EL元件的基板非常厚。因此，從出射光量增大的觀點(diǎn)來看，來自EL元件的光從與基板相反一側(cè)出射的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置比底部發(fā)射型的發(fā)光裝置更優(yōu)選。此外，在頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置中，也期望著出射光量的進(jìn)一步增大。并且，在將具有有機(jī)EL元件的發(fā)光裝置用作電子照相方式的圖像形成裝置的曝光裝置的用途上和用作顯示圖像的顯示裝置的用途上，期望著發(fā)光光譜的進(jìn)一步窄帶化。于是，考慮將專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)應(yīng)用于頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。
但是，在應(yīng)用專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置中，在其制造中，需要在基板上形成的EL元件上形成介質(zhì)反射鏡，由于該形成存在EL元件損壞較大之虞。由于損壞較大的EL元件的發(fā)光特性明顯變差，因此難以將專利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)應(yīng)用在頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置中。
專利文獻(xiàn)1日本特許第3274527號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在此，本發(fā)明提供一種可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化或出射光量的增大的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置、圖像形成裝置、顯示裝置以及電子設(shè)備。
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備基板；光反射層，形成在上述基板上并對光進(jìn)行反射；第一電極，形成在上述光反射層上并使光透過；發(fā)光層，形成在上述第一電極上并發(fā)光；第二電極，形成在上述發(fā)光層上，并使來自上述發(fā)光層的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射；和導(dǎo)電性半反射層，形成在上述第二電極上，并使來自上述第二電極的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述第二電極的逸出功為4電子伏特以下，上述導(dǎo)電性半反射層由光反射率比上述第二電極高的金屬材料形成。
在該發(fā)光裝置中，發(fā)光層所發(fā)出的光透過第二電極以及導(dǎo)電性半反射層。因此，該發(fā)光裝置可為頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。此外，該發(fā)光裝置中，可構(gòu)成為通過發(fā)光層所發(fā)出的光在光反射層和導(dǎo)電性半反射層之間往返而使特定波長的光的強(qiáng)度增強(qiáng)的諧振結(jié)構(gòu)即微型空腔。因此，通過本發(fā)明，能夠提供一種在發(fā)光層上不形成介質(zhì)反射鏡也可構(gòu)成微型空腔的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。如上所述，通過本發(fā)明，可提供一種可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的頂部出射型的發(fā)光裝置。
此外，在本發(fā)光裝置中，在逸出功為4電子伏特以下的第二電極上，層疊有光的反射率比第二電極高的導(dǎo)電性半反射層，通過導(dǎo)電性半反射層而不是第二電極來提供必要的大部分反射。通過采用這種結(jié)構(gòu)，與將逸出功為4電子伏特以下的第二電極形成得較厚且不需要導(dǎo)電性半反射層的結(jié)構(gòu)相比，能夠使第二電極以上的層所吸收的光降低。因此，通過該發(fā)光裝置，可實(shí)現(xiàn)出射光量的增大。
另外，第一電極、發(fā)光層以及第二電極構(gòu)成發(fā)光元件?？衫窘?jīng)過激子的激發(fā)狀態(tài)而發(fā)光的EL元件作為該發(fā)光元件。作為EL元件，可例示發(fā)光層由有機(jī)材料形成的有機(jī)EL元件和發(fā)光層由無機(jī)材料形成的無機(jī)EL元件。
在上述發(fā)光裝置中，上述金屬材料中也可包含有銀、鎂或鋁。通過采用這種金屬材料，能可靠地得到上述效果。另外，從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，鋁比銀優(yōu)選，鎂比鋁優(yōu)選，從出射光量的增大的角度來看，鎂比鋁優(yōu)選、銀比鎂優(yōu)選。
在上述發(fā)光裝置中，上述光反射層的形成材料中也可包含有銀、鎂或鋁。通過采用這種金屬材料，能可靠地得到上述效果。另外，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，包含銀的材料優(yōu)選，從提高發(fā)光裝置的制造的容易型的角度來看包含鋁的材料優(yōu)選。
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備基板；反射層，形成在上述基板上并對光進(jìn)行反射；透明層，形成在上述反射層上并使光透過；第一電極，形成在上述透明層上并使光透過；發(fā)光層，形成在上述第一電極上并發(fā)光；和第二電極，形成在上述發(fā)光層上，并使來自上述發(fā)光層的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述透明層由消光系數(shù)比上述第一電極小的材料形成，上述第二電極的逸出功為4電子伏特以下。
在該發(fā)光裝置中，發(fā)光層所發(fā)出的光透過第二電極。因此，該發(fā)光裝置可為頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。此外，該發(fā)光裝置中，可構(gòu)成為通過發(fā)光層所發(fā)出的光在光反射層和第二電極厚第二電極上的層之間往返而使特定波長的光的強(qiáng)度增強(qiáng)的諧振結(jié)構(gòu)即微型空腔。因此，通過本發(fā)明，能夠提供一種在發(fā)光層上不形成介質(zhì)反射鏡也可構(gòu)成微型空腔的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。如上所述，通過本發(fā)明，可提供一種可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置。
此外，在本發(fā)光裝置中，由于在反射層和第一電極之間存在透明層，因此通過不使第一電極變厚而使透明層變厚，可使光反射層和第二電極或第二電極上的層之間的距離和發(fā)光層的發(fā)光主波長滿足規(guī)定的關(guān)系，并且可使發(fā)光主波長的光充分共振。由于透明層的形成材料的消光系數(shù)比第一電極的形成材料的消光系數(shù)小，因此使透明層變厚一方比使第一電極變厚一方更能抑制光的吸收。也即通過該發(fā)光裝置，可實(shí)現(xiàn)出射光量的進(jìn)一步增大。
另外，第一電極、發(fā)光層以及第二電極構(gòu)成發(fā)光元件。可例示經(jīng)過激子的激發(fā)狀態(tài)而發(fā)光的EL元件作為該發(fā)光元件?？衫景l(fā)光層由有機(jī)材料形成的有機(jī)EL元件和發(fā)光層由無機(jī)材料形成的無機(jī)EL元件來作為EL元件。
在上述發(fā)光裝置中，上述透明層的形成材料也可為二氧化硅或氮化硅，上述反射層的形成材料中也包括銀、鎂或鋁。通過上述那樣，能可靠地得到上述消光。另外，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，包含銀的材料優(yōu)選，從提高發(fā)光裝置的制造的容易型的角度來看包含鋁的材料優(yōu)選。
在上述發(fā)光裝置中，上述第一電極的厚度小于60納米，按照上述反射層與上述第二電極之間的距離和上述發(fā)光層的發(fā)光主波長滿足規(guī)定的關(guān)系的方式，設(shè)定上述透明層及上述發(fā)光層的一方或兩方的厚度也可。如果第一電極的厚度小于60納米，則需要使透明層、發(fā)光層以及第二電極的至少一個(gè)變厚。從出射光量增大的角度來看，使透明層以及發(fā)光層的一方或兩方變厚比使第二電極變厚優(yōu)選。由上可知，通過該方式，可實(shí)現(xiàn)出射光量的進(jìn)一步增大。另外，在此所述的規(guī)定的關(guān)系，為發(fā)光主波長的光在光反射層和第二電極之間往返而充分被增強(qiáng)后從第二電極出射的條件，與該方式中的共振條件大致一致。也即該方式中的規(guī)定條件的滿足與大致滿足該方式中的共振條件等價(jià)。
在上述發(fā)光裝置中，也可還具備導(dǎo)電性反射層，形成在上述第二電極上，并使來自上述第二電極的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述導(dǎo)電性半反射層由光反射率比上述第二電極高的金屬材料形成。通過該方式，與將逸出功為4電子伏特以下的第二電極形成得較厚且不需要導(dǎo)電性半反射層的結(jié)構(gòu)相比，能夠降低第二電極以上的層所吸收的光。因此，通過該發(fā)光裝置，可實(shí)現(xiàn)出射光量的增大。
在上述方式中，上述導(dǎo)電型半反射的形成材料中也可包含有銀、鎂或鋁。通過上述方式，能可靠地得到上述效果。另外，從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，鋁比銀優(yōu)選，鎂比鋁優(yōu)選，從出射光量的增大的角度來看，鎂比鋁優(yōu)選、銀比鎂優(yōu)選。
此外在上述方式中，上述第一電極的厚度小于60納米，按照上述反射層與上述導(dǎo)電性半反射層之間的距離和上述發(fā)光層的發(fā)光主波長滿足規(guī)定的關(guān)系的方式，設(shè)定上述透明層、上述發(fā)光層以及上述導(dǎo)電性半反射層中的至少一個(gè)的厚度也可。如果第一電極的厚度小于60納米，則需要使透明層、發(fā)光層、第二電極以及導(dǎo)電性半反射層中的至少一個(gè)變厚。從出射光量增大的角度來看，使透明層、發(fā)光層以及導(dǎo)電性半反射層的至少一方變厚比使第二電極變厚優(yōu)選。由上可知，通過該方式，可實(shí)現(xiàn)出射光量的進(jìn)一步增大。另外，在此所述的規(guī)定的關(guān)系，為發(fā)光主波長的光在光反射層和導(dǎo)電性半反射層之間往返而充分被增強(qiáng)后從導(dǎo)電性半反射層出射的條件，與該方式中的共振條件大致一致。也即該方式中的規(guī)定條件的滿足與大致滿足該方式中的共振條件等價(jià)。
此外，本發(fā)明提供一種具備上述發(fā)光裝置或上述各方式的電子設(shè)備。例如為下述圖像形成裝置和顯示裝置，該圖像形成裝置的特征在于，具備上述發(fā)光裝置和圖像載體，使上述圖像載體帶電，對上述圖像載體的帶電之面照射來自上述發(fā)光裝置的光而形成潛像，并使調(diào)色劑附著在上述潛像而形成顯像，且將上述顯像復(fù)制到其他物體，該顯示裝置的特征在于，具備上述發(fā)光裝置，接受用于顯示圖像的圖像數(shù)據(jù)的供給而使上述發(fā)光層以該圖像數(shù)據(jù)所對應(yīng)的亮度發(fā)光，由此顯示該圖像。通過這種電子設(shè)備，可得到發(fā)光裝置的發(fā)光光譜的窄帶化或出射光量的增大所引起的各種效果(例如提高圖像形成裝置所形成的圖像的質(zhì)量或提高顯示裝置所顯示的圖像的質(zhì)量)。


圖1為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置10的一部分的剖視圖。
圖2為表示從發(fā)光裝置10的發(fā)光元件12輻射的且從發(fā)光裝置10出射的光(出射光)的光譜的圖。
圖3為表示圖2的出射光的特性的圖。
圖4為表示來自發(fā)光裝置10的變形例(第一變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖5為表示圖4的出射光的特性的圖。
圖6為表示在第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中，使導(dǎo)電性半反射層17的厚度(p)變化時(shí)的出射光的光譜的圖。
圖7為表示圖6的出射光的特性的圖。
圖8為表示來自與第一變形例的發(fā)光裝置相比較的現(xiàn)有例(第一現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖9為表示圖8的出射光的特性的圖。
圖10為表示來自與第一變形例的發(fā)光裝置的變形例(第二變形例)有關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖11為表示圖10的出射光的特性的圖。
圖12為表示來自與第一變形例的發(fā)光裝置的變形例(第三變形例)有關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖13為表示圖12的出射光特性的圖。
圖14為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置20的一部分的剖視圖。
圖15為表示從發(fā)光裝置20的發(fā)光元件22G輻射的且從發(fā)光裝置20出射的G光的光譜的圖。
圖16為表示圖15的出射光的特性的圖。
圖17為表示從發(fā)光元件22B輻射的且從發(fā)光裝置20出射的B光的光譜的圖。
圖18為表示圖17的出射光的特性的圖。
圖19為表示來自與發(fā)光裝置20相比較的現(xiàn)有例(第二現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(G光)的光譜的圖。
圖20為表示圖19的出射光的特性的圖。
圖21為表示來自與發(fā)光裝置20相比較的現(xiàn)有例(第二現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(B光)的光譜的圖。
圖22為表示圖21的出射光的特性的圖。
圖23為表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置50的一部分的剖視圖。
圖24為表示從發(fā)光裝置50的發(fā)光元件52輻射的且從發(fā)光裝置50出射的光(出射光)的光譜的圖。
圖25為表示圖24的出射光的特性的圖。
圖26為表示來自發(fā)光裝置50的變形例(第四變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖27為表示圖26的出射光的特性的圖。
圖28為表示來自發(fā)光裝置50的其他變形例(第五變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖29為表示圖28的出射光的特性的圖。
圖30為表示來自發(fā)光裝置50的又一個(gè)其他變形例(第六變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖31為表示圖30的出射光的特性的圖。
圖32為表示來自與發(fā)光裝置50和各變形例的發(fā)光裝置相比較的現(xiàn)有例(第三現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。
圖33為表示圖32的出射光的特性的圖。
圖34為表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置60的一部分的剖視圖。
圖35為表示從發(fā)光裝置60的發(fā)光元件62G輻射的且從發(fā)光裝置60出射的G光的光譜的圖。
圖36為表示圖35的出射光的特性的圖。
圖37為表示從發(fā)光元件62B輻射的且從發(fā)光裝置60出射的B光的光譜的圖。
圖38為表示圖37的出射光的特性的圖。
圖39為表示來自發(fā)光裝置60的變形例(第七變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(G光)的光譜的圖。
圖40為表示圖39的出射光的特性的圖。
圖41為表示來自發(fā)光裝置60的其他變形例(第八變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(G光)的光譜的圖。
圖42為表示圖41的出射光的特性的圖。
圖43為表示來自發(fā)光裝置60的其他變形例(第八變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(B光)的光譜的圖。
圖44為表示圖43的出射光的特性的圖。
圖45為表示來自與發(fā)光裝置60相比較的現(xiàn)有例(第四現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(G光)的光譜的圖。
圖46為表示圖45的出射光的特性的圖。
圖47為表示來自與發(fā)光裝置60相比較的現(xiàn)有例(第四現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(B光)的光譜的圖。
圖48為表示圖47的出射光的特性的圖。
圖49為將發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50用作曝光裝置的圖像形成裝置的一例的縱剖視圖。
圖50為將發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50用作線型曝光裝置的另一圖像形成裝置的一例的縱剖視圖。
圖51為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖52為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的攜帶電話機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖。
圖53為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的攜帶信息終端的結(jié)構(gòu)的圖。
圖中10、20、60-發(fā)光裝置；11、51-基板；12、22B、22G、22R、52、62B、62G、62R-發(fā)光元件；13、23、53、63-光反射層；14、24B、24G、24R、54、64B、64G、64R-作為第一電極的透明電極；15、55、65B、65G、65R-發(fā)光層；16、26、56、66-作為第二電極的半反射電極；17、27、57、67-導(dǎo)電性半反射層；18、28、58、68-透明輔助電極；19、29、59、69-密封層；25B、25G、25R-發(fā)光層；41、42-透明層。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明相關(guān)的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在這些附圖中，使各層和各部件的尺寸的比率適當(dāng)?shù)夭煌趯?shí)際的尺寸。
(第一實(shí)施方式)圖1為表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置10的一部分的剖視圖。該發(fā)光裝置10具有在基板上配置的多個(gè)發(fā)光元件12。在圖中，只例示了三個(gè)發(fā)光元件12。各發(fā)光元件12為有機(jī)EL元件即OLED(OrganicLight Emitting Diode)元件。也即發(fā)光裝置10為有機(jī)EL裝置。
基板11由例如玻璃形成，其厚度為例如500μm。基板11上形成有對光進(jìn)行全反射的光反射層13。光反射層13可進(jìn)行光的共振而由光反射率高的材料形成，其上面平滑，其厚度為例如200nm。光反射層13的形成材料具體而言為銀，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，為鋁也可，為包括銀或鋁的一方或兩方的合金也可。
在光反射層13上形成多個(gè)發(fā)光元件12。各發(fā)光元件12具有形成在光反射層13上的透明電極(第一電極)14、形成在透明電極14上且厚度為170nm的發(fā)光層15、和形成在發(fā)光層15上的半透明的半反射電極(第二電極)16。透明電極14為使入射光透過的電極，由折射率為1.7的ITO(Indium Tin Oxide)形成，其厚度為125nm。
將經(jīng)過激發(fā)由空穴和電子的再結(jié)合所產(chǎn)生的激子而發(fā)光的發(fā)光層、層疊在用于將空穴注入到該發(fā)光層的空穴注入層上來形成發(fā)光層15。由此可明確，在本實(shí)施方式中，透明電極14為陽極，半反射電極16為陰極，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，將陰陽極顛倒也可?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm，其形成材料的折射率為例如1.45。空穴注入層上的發(fā)光層的厚度為120nm，其形成材料的折射率為例如1.67。另外，用于將發(fā)光層15按每發(fā)光元件12進(jìn)行劃分的隔壁形成也可，不形成也可。此外，對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，使發(fā)光層15不包括空穴注入層也可，使發(fā)光層15包括空穴輸送層、電子注入層或電子輸送層也可。
半反射電極16為與所有的發(fā)光層15共同的厚度為5nm的電極，覆蓋所有的發(fā)光層15。此外，半反射電極16為可進(jìn)行光的共振的半透明反射鏡，使來自發(fā)光層15的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射。此外，半反射電極16由電子注入性的金屬形成，其逸出功為4eV(電子伏特)以下。半反射電極16的形成材料具體為鈣，但也可將本實(shí)施方式變形，而將半反射電極16的形成材料采用為鋰、鍶、鋇、銫、鐿或釤。
在半反射電極16上形成有半透明的導(dǎo)電性半反射層17。導(dǎo)電性半反射層17使來自半反射電極16的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，并覆蓋半反射電極16，由與半反射電極16相比光反射率高且消光系數(shù)小的金屬形成，其厚度為8nm。導(dǎo)電性半反射層17的形成材料具體為銀，但也可對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，而由鎂、鉑或者鋁形成導(dǎo)電性半反射層17。
在導(dǎo)電性半反射層17上形成透明輔助電極18。透明輔助電極18為對半反射電極16的導(dǎo)電性進(jìn)行輔助的透明電極，且覆蓋導(dǎo)電性半反射層17。透明輔助電極18由ITO形成，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而由銦鋅氧化物或銦鎵氧化物形成也可。透明輔助電極18的厚度為100nm，但在得到足夠的導(dǎo)電性的范圍內(nèi)任意地確定也可。另外，也可在與發(fā)光元件12不重疊的部分中，在透明輔助電極18上或代替透明輔助電極18而設(shè)置金屬輔助電極。金屬輔助電極為對半反射電極16的導(dǎo)電性進(jìn)行輔助的金屬電極，由不透明且導(dǎo)電率高的金屬形成。
在透明輔助電極18上形成密封層19。密封層19用來保護(hù)所有的發(fā)光元件12不受外部氣體影響，由透明的無機(jī)材料形成。因此，由發(fā)光層15的發(fā)光所引起的輻射光通過半反射電極16、導(dǎo)電性半反射層17、透明輔助電極18以及密封層19而出射。另一方面，由于存在光反射層13，所以輻射光不從基板11出射。也即發(fā)光裝置10為來自發(fā)光元件12的光從與基板11相反一側(cè)的頂部出射的發(fā)射型的發(fā)光裝置。另外，在本實(shí)施方式中，采用通過成膜來形成密封層19的膜密封方法，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，而采用其他的公知的密封方法也可。
各發(fā)光元件12與光反射層13以及導(dǎo)電性半反射層17一起構(gòu)成諧振結(jié)構(gòu)即微型空腔。因此，光反射層13和導(dǎo)電性半反射層17之間的距離即共振距離(L)和微型空腔內(nèi)的各層的厚度以及折射率被規(guī)定為大致滿足共振條件，即波長為λ的光在光反射層13和導(dǎo)電性半反射層17之間往返而使波長為λ的光增強(qiáng)后從發(fā)光裝置10出射的條件。
具體地來說，在各微型空腔中，光反射層13和導(dǎo)電性半反射層17之間的光路長設(shè)為d時(shí)，按照d＝3/4·λ的方式?jīng)Q定L。λ為發(fā)光層15的發(fā)光主波長，具體地來說為630nm。因此，按照d與3/4·630＝472.5nm大致一致的方式?jīng)Q定L。另外，上述條件式(d＝3/4·λ)以三級次光為對象，在對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而以不同級次的光為對象的情況下，上述條件式也不同。
圖2為表示從發(fā)光元件12輻射的并從發(fā)光裝置10出射的光(出射光)的光譜的圖。圖3為表示圖2的出射光的特性的圖。如上述圖所示，出射光的光譜的半幅值帶寬(半幅寬度)為52.5nm。該半幅值寬度為現(xiàn)有的頂部出射型的發(fā)光裝置(現(xiàn)有裝置)中的出射光的光譜的半幅值帶寬以下。也即發(fā)光裝置10實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化。
此外，出射光束對發(fā)光元件12的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.301。該效率比現(xiàn)有裝置中的效率高。也即發(fā)光裝置10實(shí)現(xiàn)出射光量的增大。另外，出射光的基于CIEI931的色度的x值即CIEI931x為0.685，出射光的CIEI931的色度的y值即CIEI931y為0.315。
此外，關(guān)于出射光中的、沿與出射面的法線所構(gòu)成的角為±15度的范圍內(nèi)的方向(正面方向)行進(jìn)的光(正面出射光)，半幅值寬度為51.5nm，光功率對發(fā)光元件12的總輻射光的光功率的比率即正面方向功率取出效率為0.02746。即，發(fā)光裝置10對于正面出射光也實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
此外，在上述±15度范圍的邊緣行進(jìn)的出射光(正面緣出射光)相對沿真實(shí)正面行進(jìn)的出射光(真正面出射光)的色差即真緣色差(真邊緣色差)為0.004。這是非常小的值，表示出射光的色度不太依賴于眺望方向。另外，真緣色差為真正面出射光和正面緣出射光之間的CIE1931x的差的二次方和真正面出射光和正面緣出射光之間的CIE1931y的差的二次方之和的正的平方根。
圖4為表示來自與發(fā)光裝置10的變形例(第一變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖5為表示圖4的出射光的特性的圖。該發(fā)光裝置的光反射層13由鋁形成。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為53.3nm，總光通量取出效率為0.212。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值寬度為52.0nm，正面方向的功率取出效率為0.02166。也即該發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
在發(fā)光裝置10和第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置之間對半幅值帶寬、總光通量取出效率、正面方向功率取出效率進(jìn)行比較，可明確從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的觀點(diǎn)來看作為光反射層13的形成材料銀比鋁優(yōu)選。另一方面，從發(fā)光裝置的制造容易性提高的觀點(diǎn)來看，鋁比銀優(yōu)選。
圖6為表示在第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中，使導(dǎo)電性半反射層17的厚度(p)變化時(shí)的出射光的光譜的圖。圖7為表示圖6的出射光的特性的圖。其中，在圖6中，只表示p＝5，8，20nm時(shí)的光譜。由上述圖可明確，如果導(dǎo)電性半反射層17變厚，則半幅值帶寬變窄，另一方面正面方向功率取出效率降低。反過來，如果導(dǎo)電性半反射層17變薄，則半幅值帶寬變寬，另一方面正面方向功率取出效率提高。正面方向功率取出效率最大的情況為p＝8nm的情況，此時(shí)的發(fā)光裝置為第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置。
圖8為表示來自與第一變形例的發(fā)光裝置相比較的現(xiàn)有例(第一現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖9為表示圖8的出射光的特性的圖。第一現(xiàn)有例為在第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中，使半反射電極16變厚且不需要導(dǎo)電性半反射層17的發(fā)光裝置。具體地來說，第一現(xiàn)有例相關(guān)的發(fā)光裝置中的半反射電極16由鈣形成，其厚度為15nm。
在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為60.6nm，總光通量取出效率為0.202。此外，對于正面出射光，半幅值帶寬為59.0nm，正面方向功率取出效率為0.01923。如果將上述數(shù)值與第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中的數(shù)值相比較，則可知無論從發(fā)光光譜的窄帶化的觀點(diǎn)還是出射光量的增大的觀點(diǎn)來看，第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置一方均優(yōu)異。由此可知，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的觀點(diǎn)來看，在薄的半反射電極16上層疊光反射率較高且光消失系數(shù)小的導(dǎo)電性半反射層17后的結(jié)構(gòu)一方優(yōu)于僅為較厚的半反射電極16的結(jié)構(gòu)。
圖10為表示來自第一變形例的發(fā)光裝置的變形例(第二變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖11為表示圖10的出射光的特性的圖。該發(fā)光裝置的導(dǎo)電性半反射層17由鋁形成，其厚度為6nm。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為44.5nm，總光通量取出效率為0.136。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值帶寬為44.1nm，正面方向功率取出效率為0.14448。也即該發(fā)光裝置可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖12為表示來自第一變形例的發(fā)光裝置的變形例(第三變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖13為表示圖12的出射光的特性的圖。該發(fā)光裝置的導(dǎo)電性半反射層17由鎂形成，其厚度為5nm。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為41.0nm，總光通量取出效率為0.137。此外，對于正面出射光，半幅值帶寬為40.8nm，正面方向功率取出效率為0.01589。也即該發(fā)光裝置可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
如果在第一～第三變形例相關(guān)的發(fā)光裝置之間對半幅值帶寬、總光通量取出效率、正面方向功率取出效率進(jìn)行相互比較，則可知從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看作為導(dǎo)電性半反射層17的材料，銀比鋁優(yōu)選，鎂比鋁優(yōu)選。另一方面，從出射光量增大的角度來看，作為導(dǎo)電性半反射層17的材料，鎂比鋁優(yōu)選，銀比鎂優(yōu)選。
(第二實(shí)施方式)圖14為表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置20的一部分的剖視圖。該實(shí)施方式與第一實(shí)施方式不同之處在于可顯示彩色圖像。該發(fā)光裝置20為適于彩色圖像的顯示的發(fā)光裝置，在光反射層23上具有配置為矩陣狀的多個(gè)像素。每個(gè)像素具有一個(gè)發(fā)出接近紅色的R光的發(fā)光元件22R、一個(gè)發(fā)出接近綠色的G光的發(fā)光元件22G、一個(gè)發(fā)出接近藍(lán)色的B光的發(fā)光元件22B。比發(fā)光元件22R、22G、22B更靠近下側(cè)的結(jié)構(gòu)與發(fā)光裝置10中比發(fā)光元件12更靠近下側(cè)的結(jié)構(gòu)相同，但也可具有光反射層23來代替光反射層13。光反射層23與光反射層13的不同之處僅在于由鋁形成這一點(diǎn)。
發(fā)光元件22R、22G、22B分別具有與發(fā)光裝置10的發(fā)光元件12相同的結(jié)構(gòu)。例如發(fā)光元件22R按照由透明電極24R和半反射電極26夾持發(fā)光層25R的方式構(gòu)成，透明電極24R、發(fā)光層25R以及半反射電極26的形成材料以及厚度與透明電極14、發(fā)光層15以及半反射電極16相同。
其中，發(fā)光元件22G的發(fā)光層25G的發(fā)光主波長為550nm，發(fā)光元件22B的發(fā)光層25B的發(fā)光主波長為480nm。此外，發(fā)光層25G以及發(fā)光層25B中所包括的空穴注入層上的發(fā)光層的厚度分別為80nm。此外，按照大致滿足共振條件的方式，使發(fā)光元件22G的透明電極24G的厚度為115nm，使發(fā)光元件22B的透明電極24B的厚度為60nm，。因此，如圖所示，發(fā)光層的上面沒有形成一個(gè)平面，而在半反射電極26上具有凹凸。
比發(fā)光元件22R、22G、22B更靠近上側(cè)的結(jié)構(gòu)，除了有沿半反射電極26的凹凸這點(diǎn)之外，與發(fā)光裝置10中的發(fā)光元件12的上側(cè)的結(jié)構(gòu)相同。即半反射電極26上層疊10nm膜厚的銀制的導(dǎo)電性半反射層27，在其上層疊透明輔助電極28，在透明輔助電極28上層疊密封層29。透明輔助電極28以及密封層29的形成材料以及厚度與發(fā)光裝置10中的透明輔助電極18以及密封層19相同。
來自發(fā)光裝置20的出射光的光譜中、從發(fā)光元件22R輻射的且從發(fā)光裝置20出射的R光的光譜，與圖4所示的光譜(來自與第一變形例相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜)相同。因此，發(fā)光裝置20針對R光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖15為表示從發(fā)光元件22G輻射的且從發(fā)光裝置20出射的G光的光譜的圖。圖16為表示圖15的出射光的特性的圖。如上述圖所示，G光的光譜的半幅值帶寬為44.6nm。該半幅值帶寬為現(xiàn)有裝置中的G光的光譜的半幅值帶寬以下。此外，出射光束對發(fā)光元件22G的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.231。該效率比現(xiàn)有裝置中的G光相關(guān)的總光通量取出效率高。也即發(fā)光裝置20對G光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，由圖16可知，發(fā)光裝置20對正面出射光(G光)也實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖17為表示從發(fā)光元件22B輻射的且從發(fā)光裝置20出射的B光的光譜的圖。圖18為表示圖17的出射光的特性的圖。如上述圖所示，B光的光譜的半幅值帶寬為25.3nm。該半幅值帶寬為現(xiàn)有裝置中的B光的光譜的半幅值帶寬以下。此外，出射光束對發(fā)光元件22B的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.095。該效率比現(xiàn)有裝置中的B光相關(guān)的總光通量取出效率高。也即發(fā)光裝置20對B光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，由圖18可知，發(fā)光裝置20對正面出射光(B光)也實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
根據(jù)以上內(nèi)容可認(rèn)為，發(fā)光裝置20對于R光、G光、B光全部實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，對于發(fā)光裝置20，也能進(jìn)行與對發(fā)光裝置10的變形相同的變形。
圖19以及圖21為分別表示來自與發(fā)光裝置20比較的現(xiàn)有例(第二現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖19為與G光相關(guān)的光譜，其基于圖20所示的數(shù)據(jù)。圖21為與B光相關(guān)的光譜，其基于圖22所示的數(shù)據(jù)。
第二現(xiàn)有例為在發(fā)光裝置20中增厚半反射電極16且不需要導(dǎo)電性半反射層17的發(fā)光裝置。具體地來說，第二現(xiàn)有例相關(guān)的發(fā)光裝置中的半反射電極26由鈣形成，其厚度為15nm。在該發(fā)光裝置中，關(guān)于G光，出射光的光譜的半幅值帶寬為56.2nm，總光通量取出效率為0.228。出射光的光譜的半幅值帶寬為54.2nm，正面方向功率取出效率為0.02354。此外，關(guān)于B光，出射光的光譜的半幅值帶寬為28.7nm，總光通量取出效率為0.092，正面出射光的光譜的半幅值帶寬為27.0nm，正面方向功率取出效率為0.01057。
如果將上述數(shù)值與發(fā)光裝置20中的數(shù)值進(jìn)行比較，則可知無論從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，還是從出射光量的增大的觀點(diǎn)來看，發(fā)光裝置20一方均優(yōu)異。由此可知，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，在較薄的半反射電極26上層疊光反射率較高且光消失系數(shù)小的導(dǎo)電性半反射層27的結(jié)構(gòu)優(yōu)于僅為較厚的半反射電極26的結(jié)構(gòu)，這樣的傾向不依賴于發(fā)光元件的發(fā)光主波長。
(其他變形)在上述的各種發(fā)光裝置中，采用有機(jī)EL元件即OLED元件作為發(fā)光元件，但并不將本發(fā)明的范圍限定于OLED元件，也可使用其他適當(dāng)?shù)陌l(fā)光元件。作為其他適當(dāng)?shù)陌l(fā)光元件的一例，可舉出無機(jī)EL元件。此外，為了容易理解本發(fā)明而對例示的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的細(xì)微部分具體地進(jìn)行說明，本發(fā)明不限定于此而采用其他結(jié)構(gòu)也可。
(應(yīng)用)可將上述各種的發(fā)光裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備。例如發(fā)光裝置10以及其他變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置，可用作對圖像形成裝置的圖像載體的感光面進(jìn)行光照射的線型曝光裝置、或通過接收用于顯示圖像的圖像數(shù)據(jù)的供給而使各發(fā)光元件以該圖像數(shù)據(jù)所對應(yīng)的亮度進(jìn)行發(fā)光來顯示該圖像的顯示裝置。在用作曝光裝置的情況下，將發(fā)光元件12排列在將圖像載體的感光面的行進(jìn)方向橫切的方向。在用作顯示裝置的情況下，將發(fā)光元件12配置成矩陣狀。此外例如，發(fā)光裝置20及其變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置可用作顯示裝置。
(第三實(shí)施方式)圖23為表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置50的一部分的剖視圖。該實(shí)施方式與第一實(shí)施方式不同之處在于，在光反射層13和透明電極14之間配置透明層。該發(fā)光裝置50具有在基板51上配置的多個(gè)發(fā)光元件52。在圖中，例示了三個(gè)發(fā)光元件52。各發(fā)光元件52為有機(jī)EL元件即OLED(Organic Light Emitting Diode)元件。也即發(fā)光裝置50為有機(jī)EL裝置。
基板51由例如玻璃形成，其厚度為例如500μm。在基板51上形成對光進(jìn)行全反射的光反射層53。光反射層53可進(jìn)行光的共振，由光反射率較高的材料形成，其上面平滑，其厚度為例如200nm。光反射層53的形成材料具體為銀，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而為鋁也可，為包括銀或鋁的一方或兩方的合金也可。
在光反射層53上形成使光透過的透明層41，在透明層41上形成多個(gè)發(fā)光元件52。各發(fā)光元件52具有在光反射層53上形成的透明電極(第一電極)54、在透明電極54上形成的厚度為170nm的發(fā)光層55、和在發(fā)光層55上形成的半透明的半反射電極(第二電極)56。透明電極54為使入射光透過的電極，由折射率為1.7的ITO(Indium Tin Oxide)形成，其厚度為透明電極54作為電極能夠充分發(fā)揮作用的最小限的厚度(可確保導(dǎo)電型的最小限的厚度)以上，小于60nm。由于ITO的消光系數(shù)較大，因此為了降低后述的共振中的光的損耗而應(yīng)盡量使透明電極54變薄。因此，在本實(shí)施方式中，透明電極54的厚度設(shè)為30nm。
透明層41由與ITO相比消光系數(shù)較小的材料形成，其厚度為135nm。透明層41的形成材料具體是折射率為1.49的二氧化硅，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而由折射率為1.87的氮化硅形成也可。此時(shí)，透明層41的厚度為105nm。
將經(jīng)過激發(fā)由空穴和電子的再結(jié)合所產(chǎn)生的激子而發(fā)光的發(fā)光層、層疊在用于將空穴注入到該發(fā)光層的空穴注入層上來形成發(fā)光層55。由此可知，在本實(shí)施方式中，透明電極54為陽極，半反射電極56為陰極，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而使陰陽極反轉(zhuǎn)也可?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm，其形成材料的折射率為例如1.45。空穴注入層上的發(fā)光層的厚度為120nm，其形成材料的折射率為例如1.67。另外，將發(fā)光層55按每發(fā)光元件52進(jìn)行劃分的隔壁形成也可，不形成也可。此外，對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，使發(fā)光層55不包括空穴注入層也可，使發(fā)光層55包括空穴輸送層、電子注入層或電子輸送層也可。
半反射電極56為與所有的發(fā)光層55共同的厚度為5nm的電極，覆蓋所有的發(fā)光層55。此外，半反射電極56為可進(jìn)行光的共振的半透明反射鏡，使來自發(fā)光層55的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射。此外，半反射電極56由電子注入性的金屬形成，其逸出功為4eV(電子伏特)以下。半反射電極56的形成材料具體為鈣，但將本實(shí)施方式變形而將半反射電極56由鋰、鍶、鋇、銫、鐿或釤形成也可。
在半反射電極56上形成有半透明的導(dǎo)電性半反射層57。導(dǎo)電性半反射層57使來自半反射電極56的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，并覆蓋半反射電極56，由與半反射電極56相比光反射率高且消光系數(shù)小的金屬形成，其厚度為8nm。導(dǎo)電性半反射層57的形成材料具體為銀，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而由鎂、鉑或者鋁形成導(dǎo)電性半反射層57也可。
在導(dǎo)電性半反射層57上形成透明輔助電極58。透明輔助電極58為對半反射電極56的導(dǎo)電性進(jìn)行輔助的透明電極，且覆蓋導(dǎo)電性半反射層57。透明輔助電極58由ITO形成，但對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而由銦鋅氧化物或銦鎵氧化物形成也可。透明輔助電極58的厚度為100nm，在得到足夠的導(dǎo)電性的范圍內(nèi)任意地確定也可。另外，也可在與發(fā)光元件52不重疊的部分中，在透明輔助電極58上或代替透明輔助電極58而設(shè)置金屬輔助電極。金屬輔助電極為對半反射電極56的導(dǎo)電性進(jìn)行輔助的金屬電極，由不透明且導(dǎo)電率高的金屬形成。
在透明輔助電極58上形成密封層59。密封層59用來保護(hù)所有的發(fā)光元件52不受外部氣體影響，由透明的無機(jī)材料形成。因此，由發(fā)光層55的發(fā)光所引起的輻射光通過半反射電極56、導(dǎo)電性半反射層57、透明輔助電極58以及密封層59而出射。另一方面，由于存在光反射層53，因此輻射光不從基板51出射。也即發(fā)光裝置50為將來自發(fā)光元件52的光從與基板51相反一側(cè)的頂部出射的發(fā)射型的發(fā)光裝置。另外，在本實(shí)施方式中，采用通過成膜來形成密封層59的膜密封方法，但也可對本實(shí)施方式進(jìn)行變形，而采用其他的公知的密封方法。
各發(fā)光元件52與光反射層53、透明層41以及導(dǎo)電性半反射層57一起構(gòu)成諧振結(jié)構(gòu)即微型空腔。因此，光反射層53和導(dǎo)電性半反射層57之間的距離即共振距離(L)和微型空腔內(nèi)的各層的厚度以及折射率被規(guī)定為大致滿足共振條件，即波長為λ的光在光反射層53和導(dǎo)電性半反射層57之間往返而使波長為λ的光增強(qiáng)后從發(fā)光裝置50出射的條件。
具體地來說，在各微型空腔中，在光反射層53和導(dǎo)電性半反射層57之間的光路長設(shè)為d時(shí)，按照d＝3/4·λ的方式?jīng)Q定L。λ為發(fā)光層55的發(fā)光主波長，具體地來說為630nm。因此，按照d與3/4·630＝472.5nm大致一致的方式?jīng)Q定L。另外，上述條件式(d＝3/4·λ)以三級次光為對象，在對本實(shí)施方式進(jìn)行變形而以不同級次的光為對象的情況下，上述條件式也不同。
圖24為表示從發(fā)光元件52輻射的并從發(fā)光裝置50出射的光(出射光)的光譜的圖。圖25為表示圖24的出射光的特性的圖。如上述圖所示，出射光的光譜的半幅值帶寬為49.6nm。該半幅值寬度為現(xiàn)有的頂部出射型的發(fā)光裝置(現(xiàn)有裝置)中的出射光的光譜的半幅值帶寬以下。也即發(fā)光裝置50實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化。
此外，出射光束對發(fā)光元件52的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.299。該效率比現(xiàn)有裝置中的效率高。也即發(fā)光裝置50實(shí)現(xiàn)出射光量的增大。另外，出射光的基于CIEI931的色度的x值即CIEI931x為0.688，出射光的基于CIEI931的色度的y值即CIEI931y為0.311。
此外，關(guān)于出射光中的、沿與出射面的法線所構(gòu)成的角為±15度的范圍內(nèi)的方向(正面方向)行進(jìn)的光(正面出射光)，半幅值寬度為48.3nm，光功率對發(fā)光元件52的總輻射光的光功率的比率即正面方向功率取出效率為0.03143。也即發(fā)光裝置50針對正面出射光也實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
此外，在上述±15度范圍的邊緣行進(jìn)的出射光(正面緣出射光)相對沿真實(shí)正面行進(jìn)的出射光(真正面出射光)的色差即真緣色差為0.005。這是非常小的值，表示出射光的色度不太依賴于眺望方向。另外，真緣色差為真正面出射光和正面緣出射光之間的CIE1931x的差的二次方和真正面出射光和正面緣出射光之間的CIE1931y的差的二次方之和的正的平方根。
圖26為表示來自發(fā)光裝置50的變形例(第四變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖27為表示圖26的出射光的特性的圖。在該發(fā)光裝置中，將半反射電極56的厚度設(shè)為15nm來代替不包括導(dǎo)電性半反射層57。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為57.4nm，總光通量取出效率為0.272。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值寬度為55.4nm，正面方向的功率取出效率為0.02709。也即該發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
在發(fā)光裝置50和與第四變形例相關(guān)的發(fā)光裝置之間，對半幅值帶寬、總光通量取出效率、正面方向功率取出效率進(jìn)行比較，可明確從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的觀點(diǎn)來看，將半反射電極56變薄且必須具有導(dǎo)電性半反射層57一方比增厚半反射電極56且不需要導(dǎo)電性半反射層57一方要優(yōu)選。
圖28為表示來自發(fā)光裝置50的不同其他的變形例(第五變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖29為表示圖28的出射光的特性的圖。該發(fā)光裝置的光反射層53由鋁形成。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為51.3nm，總光通量取出效率為0.224。此外，對于正面出射光，半幅值帶寬為49.6nm，正面方向功率取出效率為0.02593。也即該發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
如果在發(fā)光裝置50和第五變形例相關(guān)的發(fā)光裝置之間對半幅值寬度、總光通量取出效率、正面方向功率取出效率進(jìn)行比較，則可知從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，作為光反射層53的形成材料，銀比鋁優(yōu)選。另一方面，從發(fā)光裝置制造的容易性的角度來看，鋁比銀優(yōu)選。
圖30為表示來自發(fā)光裝置50的另一其他變形例(第六變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖31為表示圖30的出射光的特性的圖。在該發(fā)光裝置中，光反射層53由鋁形成，透明層41由氮化硅形成。透明層41的厚度為105nm。在該發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為55.2nm，總光通量取出效率為0.281。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值帶寬為53.8nm，正面方向功率取出效率為0.02516。也即該發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
如果在第五變形例和第六變形例之間比較半幅值帶寬，則可知從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，作為透明層41的形成材料二氧化硅比氮化硅優(yōu)選。另外，對于總光通量取出效率，優(yōu)選氮化硅，對于正面方向功率取出效率，優(yōu)選二氧化硅。
圖32為表示來自與發(fā)光裝置50或各變形例的發(fā)光裝置相比較的現(xiàn)有例(第三現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖33為表示圖32的出射光的特性的圖。第三現(xiàn)有例為在第四變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中，由鋁形成光反射層53，增厚透明電極54且不需要透明層41的例子。透明電極54的厚度為125nm。
在第三現(xiàn)有例相關(guān)的發(fā)光裝置中，出射光的光譜的半幅值帶寬為60.6nm，總光通量取出效率為0.202。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值帶寬為59.0nm，正面方向功率取出效率為0.01923。如果將上述數(shù)值與發(fā)光裝置50或其他變形例相關(guān)的各發(fā)光裝置中的數(shù)值相比，則可知無論從發(fā)光光譜的窄帶化的角度還是出射光量的增大的角度，發(fā)光裝置50或其變形例相關(guān)的各發(fā)光裝置一方均優(yōu)異。根據(jù)上述內(nèi)容，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，可以說使透明電極54變薄且必需消光系數(shù)較小的透明層41的結(jié)構(gòu)一方優(yōu)于使透明電極54變厚且不需要透明層41的結(jié)構(gòu)一方。
另外，從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，作為導(dǎo)電性半反射層57的材料，鋁比銀優(yōu)選，鎂比鋁優(yōu)選。另一方面，從出射光量增大的角度來看，作為導(dǎo)電性半反射層57的材料，鎂比鋁優(yōu)選，銀比鎂優(yōu)選。此外，光反射層53的形成材料為鎂時(shí)，也可得到上述各種效果。
(第四實(shí)施方式)圖34為表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式相關(guān)的發(fā)光裝置60的一部分的剖視圖。該實(shí)施方式與第三實(shí)施方式不同之處在于，采用可顯示彩色圖像的結(jié)構(gòu)這一點(diǎn)。該發(fā)光裝置60為適于顯示彩色圖像的發(fā)光裝置，在透明層42上具有配置為矩陣狀的多個(gè)像素。每個(gè)像素具有一個(gè)發(fā)出接近紅色的R光的發(fā)光元件62R、一個(gè)發(fā)出接近綠色的G光的發(fā)光元件62G、一個(gè)發(fā)出接近藍(lán)色的B光的發(fā)光元件62B。在比透明層42更靠近下側(cè)的結(jié)構(gòu)與發(fā)光裝置50中比透明層41更靠近下側(cè)的結(jié)構(gòu)相同。
透明層42與發(fā)光裝置50的透明層41不同之處在于厚度不一樣這一點(diǎn)。透明層42的厚度在發(fā)光元件62R的下側(cè)為130nm、在發(fā)光元件62G的下側(cè)為135nm、在發(fā)光元件62B的下側(cè)為35nm。厚度不同的層的形成例如可通過將同一材料的成膜分為多次來進(jìn)行而實(shí)現(xiàn)。
發(fā)光元件62R、62G、62B分別具有與發(fā)光裝置50的發(fā)光元件52相同的結(jié)構(gòu)。例如發(fā)光元件62R按照在透明電極64R和半反射電極66之間夾持發(fā)光層65R的方式構(gòu)成，透明電極64R、發(fā)光層65R以及半反射電極66的形成材料以及厚度與透明電極54、發(fā)光層55以及半反射電極56相同。
其中，發(fā)光元件62G的發(fā)光層65G的發(fā)光主波長為550nm，發(fā)光元件62B的發(fā)光層65B的發(fā)光主波長為480nm。此外，發(fā)光層65G以及發(fā)光層65B中所包括的空穴注入層上的發(fā)光層的厚度分別為80nm。此外，透明電極64G以及64B的厚度分別為30nm。因此，如圖所示，發(fā)光層65R、65G以及65B的上面沒有形成一個(gè)平面，而在半反射電極66上具有凹凸。
比發(fā)光元件62R、62G、62B更靠近上側(cè)的結(jié)構(gòu)，除了具有沿半反射電極66的凹凸這一點(diǎn)之外，與發(fā)光裝置50中的發(fā)光元件52的上側(cè)的結(jié)構(gòu)大致相同。即在半反射電極66上層疊銀制的導(dǎo)電性半反射層67，在其上層疊透明輔助電極68，在透明輔助電極68上層疊密封層69。透明輔助電極68以及密封層69的形成材料以及厚度與發(fā)光裝置50中的透明輔助電極58及密封層59相同。導(dǎo)電性半反射層67的厚度在發(fā)光元件62R的上側(cè)為8nm、在發(fā)光元件62G的上側(cè)為15nm、在發(fā)光元件62B的上側(cè)為18nm。
來自發(fā)光裝置60的出射光的光譜中、從發(fā)光元件62R輻射的且從發(fā)光裝置60出射的R光的光譜，與圖24中所示的光譜(來自發(fā)光裝置50的出射光的光譜)相同。因此，發(fā)光裝置60針對R光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖35為表示從發(fā)光元件62G輻射的且從發(fā)光裝置60出射的G光的光譜的圖。圖36為表示圖35的出射光的特性的圖。如上述圖所示，G光的光譜的半幅值帶寬為30.9nm。該半幅值帶寬為現(xiàn)有裝置中的G光的光譜的半幅值帶寬以下。此外，出射光束對發(fā)光元件62G的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.311。該效率比現(xiàn)有裝置中的G光相關(guān)的總光通量取出效率高。也即發(fā)光裝置60針對G光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，由圖36可知，發(fā)光裝置60針對正面出射光(G光)實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖37為表示從發(fā)光元件62B輻射的且從發(fā)光裝置60出射的B光的光譜的圖。圖38為表示圖37的出射光的特性的圖。如上述圖所示，B光的光譜的半幅值帶寬為17.8nm。該半幅值帶寬為現(xiàn)有裝置中的B光的光譜的半幅值帶寬以下。此外，出射光束對發(fā)光元件62B的總輻射光束的比率即總光通量取出效率為0.123。該效率比現(xiàn)有裝置中的B光相關(guān)的總光通量取出效率高。也即發(fā)光裝置60針對B光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，根據(jù)圖38可知，發(fā)光裝置60針對正面出射光(B光)實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
根據(jù)以上內(nèi)容可以說，發(fā)光裝置60針對R光、G光、B光全部實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。另外，對于發(fā)光裝置60，也能進(jìn)行與對發(fā)光裝置50的變形相同的變形。
圖39為表示來自發(fā)光裝置60的變形例(第七變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光(G光)的光譜的圖。圖40為表示圖39的出射光的特性的圖。在該發(fā)光裝置中，將半反射電極66的厚度設(shè)為22nm來代替不具有導(dǎo)電性半反射層67。在該發(fā)光裝置中，G光的光譜的半幅值帶寬為47.9nm，總光通量取出效率為0.296。此外，關(guān)于正面出射光，半幅值寬度為47.4nm，正面方向功率取出效率為0.03157。也即該發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。根據(jù)上述內(nèi)容，從發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大的角度來看，可以說使半反射電極66變薄且必需導(dǎo)電性半反射層67的一方比使半反射電極66變厚且不需要導(dǎo)電性半反射層67的一方要優(yōu)選，這樣的傾向不依賴于發(fā)光元件的發(fā)光主波長。
圖41以及圖43分別為表示來自發(fā)光裝置60的變形例(第八變形例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖41的光譜為圖42中所示的特性的G光的光譜，圖43的光譜為圖44所示的特性的B光的光譜。在該發(fā)光裝置中，光反射層63由鋁形成，半反射電極66的厚度在發(fā)光層65G的上側(cè)為22nm，在發(fā)光層65B的上側(cè)為17nm，不需要導(dǎo)電性半反射層67。
在該發(fā)光裝置中，對于G光，半幅值帶寬為49.9nm，總光通量取出效率為0.225，關(guān)于作為其一部分的正面出射光，半幅值帶寬為47.6nm，正面方向功率取出效率為0.02718。此外，對于B光，半幅值帶寬為25.1nm，總光通量取出效率為0.065，關(guān)于作為其一部分的正面出射光，半幅值帶寬為24.6nm，正面方向功率取出效率為0.00963。也即該發(fā)光裝置針對G光以及B光實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化以及出射光量的增大。
圖45以及圖47分別表示來自與發(fā)光裝置60相比較的現(xiàn)有例(第四現(xiàn)有例)相關(guān)的發(fā)光裝置的出射光的光譜的圖。圖45的光譜為圖46中所示的特性的G光，圖47的光譜為圖48中所示的特性的B光的光譜。第四現(xiàn)有例，從第八變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中去除透明層42，按照關(guān)于發(fā)光元件62G相關(guān)的微型空腔通過適當(dāng)設(shè)定透明電極64G的厚度來滿足共振條件、關(guān)于發(fā)光元件62B相關(guān)的微型空腔通過適當(dāng)設(shè)定透明電極64B的厚度來滿足共振條件的方式，將半反射電極66的厚度設(shè)為15nm。透明電極64G的厚度為115nm，透明電極64B的厚度為60nm。
在該發(fā)光裝置中，對于G光，出射光的光譜的半幅值帶寬為56.2nm，總光通量取出效率為0.228，正面出射光的光譜的半幅值帶寬為54.2nm，正面方向功率取出效率為0.02354。此外，對于B光，出射光的光譜的半幅值帶寬為28.7nm，總光通量取出效率為0.092，正面出射光的光譜的半幅值帶寬為27.0nm，正面方向功率取出效率為0.01057。
如果將這些數(shù)值與發(fā)光裝置60或第七變形例相關(guān)的發(fā)光裝置中的數(shù)值進(jìn)行比較，則可知無論從發(fā)光光譜的窄帶化的角度還是出射光量的增大的角度來看，發(fā)光裝置60或第七變形例相關(guān)的發(fā)光裝置一方均優(yōu)異。此外，如果將這些數(shù)值與第八實(shí)施例相關(guān)的發(fā)光裝置中的數(shù)值進(jìn)行比較，則可知從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，第八變形例相關(guān)的發(fā)光裝置一方優(yōu)異。另外，如果限于G光的正面方向，則無論從發(fā)光光譜的窄帶化的角度來看，還是出射光量的增大的角度來看，第八實(shí)施例相關(guān)的發(fā)光裝置一方均優(yōu)異。
(其他變形)在上述的各種發(fā)光裝置中，采用有機(jī)EL元件即OLED元件作為發(fā)光元件，但并沒有將本發(fā)明的范圍限定在OLED元件的意圖，也可使用其他適當(dāng)?shù)陌l(fā)光元件。作為其他的適當(dāng)?shù)陌l(fā)光元件的一例，可舉出無機(jī)EL元件。此外，為了使本發(fā)明容易理解，而對例示的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)的細(xì)微部分進(jìn)行具體地說明，但并沒有將本發(fā)明限定于此的意圖，也可為其他結(jié)構(gòu)。
(應(yīng)用)
可將上述各種發(fā)光裝置應(yīng)用于各種電子設(shè)備。例如發(fā)光裝置50及其變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置，可用作對圖像形成裝置的圖像載體的感光面進(jìn)行光照射的線型曝光裝置、或通過接收顯示圖像的圖像數(shù)據(jù)的供給而使各發(fā)光元件以該圖像數(shù)據(jù)所對應(yīng)的亮度發(fā)光從而顯示該圖像的顯示裝置。在用作曝光裝置的情況下，將發(fā)光元件52排列在將圖像載體的感光面的行進(jìn)方向橫切的方向。用作顯示裝置的情況下，將發(fā)光元件52配置成矩陣狀。此外例如，發(fā)光裝置60及其變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置可用作顯示裝置。
圖49為表示將發(fā)光裝置10用作曝光裝置的圖像形成裝置的一例的縱剖視圖。該圖像形成裝置為利用中間轉(zhuǎn)印介質(zhì)帶(belt intermediate transfermedium)方式的串聯(lián)型的彩色圖像形成裝置。
在該圖像形成裝置，將同樣結(jié)構(gòu)的四個(gè)曝光裝置10K、10C、10M、10Y分別配置在同樣結(jié)構(gòu)的四個(gè)感光體鼓(圖像載體)110K、110C、110M、110Y的曝光位置。曝光裝置10K、10C、10M、10Y為上述的發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50。
如該圖所示，在該圖像形成裝置中，設(shè)置有驅(qū)動(dòng)輥121和從動(dòng)輥122，在這些輥121、122中纏繞有無端的中間復(fù)制帶120，如箭頭所示在輥121、122的周圍旋轉(zhuǎn)。雖然未圖示，但也可設(shè)置向中間復(fù)制帶120付與張力的張力輥(tension roller)等的張力付與機(jī)構(gòu)。
在該中間復(fù)制帶120的周圍，互相隔開規(guī)定間隔配置四個(gè)在外周面具有感光層的感光體鼓110K、110C、110M、110Y。添附的K、C、M、Y分別意味著為了形成黑、藍(lán)綠色、品紅、黃色而使用。關(guān)于其他的部件也同樣。感光體鼓110K、110C、110M、110Y與中間復(fù)制帶120的驅(qū)動(dòng)同步地被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。
在各感光體鼓110(K、C、M、Y)的周圍，配置有電暈帶電器111(K、C、M、Y)、曝光裝置10(K、C、M、Y)、顯影器114(K、C、M、Y)。電暈帶電器111(K、C、M、Y)使所對應(yīng)的感光體鼓110(K、C、M、Y)的外周面均勻地帶電。曝光裝置10(K、C、M、Y)在感光體鼓的帶電的外周面寫入靜電潛像。各曝光裝置10(K、C、M、Y)按照多個(gè)EL元件的排列方向沿感光體鼓110(K、C、M、Y)的母線(主掃描方向)的方式設(shè)置。靜電潛像的寫入通過上述多個(gè)EL元件向感光體鼓照射光而進(jìn)行。顯影器114(K、C、M、Y)通過使作為顯影劑的調(diào)色劑付著在靜電潛像而在感光體鼓形成顯像即可視像。
通過這種四色的單色顯像形成臺(tái)(station)所形成的黑色、藍(lán)綠色、品紅、黃色的各顯像，通過在中間復(fù)制帶120上依次被一次復(fù)制從而在中間復(fù)制帶120上被疊加，其結(jié)果得到彩色的顯像。在中間復(fù)制帶120的內(nèi)側(cè)配置有四個(gè)一次復(fù)制電暈管(復(fù)制器)112(K、C、M、Y)。一次復(fù)制電暈管112(K、C、M、Y)分別被配置在感光體鼓110(K、C、M、Y)的附近，通過由感光體鼓110(K、C、M、Y)靜電地吸引顯像，而將顯像復(fù)制在通過感光體鼓和一次復(fù)制電暈管之間的中間復(fù)制帶120。
作為最終形成圖像的對象的片材(sheet)102，通過撿拾輥103從給紙盒101一張一張地被進(jìn)給，發(fā)送到與驅(qū)動(dòng)輥121接觸的中間復(fù)制帶120和二次復(fù)制輥126之間的輥隙中。中間復(fù)制帶120上的彩色顯像通過二次復(fù)制輥126一并被二次復(fù)制在片材102的一面上，通過作為定影部的定影輥對127被定影在片材102上。之后，片材102通過排紙輥對128向形成在裝置上部的排紙盒上排出。
圖50為表示將發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50用作線型曝光裝置的其他圖像形成裝置的一例的縱剖視圖。該圖像形成裝置是利用中間轉(zhuǎn)印介質(zhì)帶方式的旋轉(zhuǎn)顯象式的彩色圖像形成裝置。
在該圖所示的圖像形成裝置中，在感光體鼓(圖像載體)165的周圍，設(shè)置有電暈帶電器168、旋轉(zhuǎn)式的顯影單元161、曝光裝置167、中間復(fù)制帶169。
電暈帶電器168使感光體鼓165的外周面均勻地帶電。曝光裝置167在感光體鼓165的帶電的外周面上寫入靜電潛像。曝光裝置167為上述的發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50，按照多個(gè)EL元件的排列方向沿感光體鼓165的母線(主掃描方向)的方式被設(shè)置。靜電潛像的寫入通過上述的多個(gè)EL元件將光照射到感光體鼓而進(jìn)行。
顯影單元161為四個(gè)顯影器163Y、163C、163M、163K按照隔開90度的角間隔的方式配置的鼓，以軸161a為中心可沿逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。顯影器163Y、163C、163M、163K分別將黃色、藍(lán)綠色、品紅、黑色的調(diào)色劑供給感光體鼓165，并通過將作為顯影劑的調(diào)色劑付著在靜電潛像而在感光體鼓165形成顯像即可視像。
無端的中間復(fù)制帶169被纏繞在驅(qū)動(dòng)輥170a、從動(dòng)輥170b、一次復(fù)制輥166以及張力輥，在這些輥的周圍沿箭頭所示的方向旋轉(zhuǎn)。一次復(fù)制輥166通過從感光體鼓165靜電地吸引顯像而將顯像復(fù)制在通過感光體鼓和一次復(fù)制輥166之間的中間復(fù)制帶169。
具體地來說，在感光體鼓165的最初的一次旋轉(zhuǎn)中，通過曝光裝置167寫入用于黃色(Y)像的靜電潛像而通過顯影器163Y形成同色的顯像，進(jìn)而被復(fù)制在中間復(fù)制帶169。此外，在下一次旋轉(zhuǎn)中，通過曝光裝置167寫入用于藍(lán)綠(C)像的靜電潛像而通過顯影器163C形成同色的顯像，進(jìn)而按照被疊加在黃色的顯像上的方式被復(fù)制在中間復(fù)制帶169。之后，在如上那樣在感光體鼓165進(jìn)行四次旋轉(zhuǎn)的期間，將黃色、藍(lán)綠色、品紅、黑色的顯像依次疊加在中間復(fù)制帶169上，其結(jié)果將彩色的顯像形成在中間復(fù)制帶169上。在最終形成圖像的對象的片材的兩個(gè)面上形成圖像的情況下，以在中間復(fù)制帶169上復(fù)制表面和背面同色的顯像，接下來在中間復(fù)制帶169上復(fù)制表面和背面的下一個(gè)顏色的顯像的形式，在中間復(fù)制帶169上得到彩色的顯像。
在圖像形成裝置中設(shè)置有使片材通過的片材傳輸路徑174。片材被從給紙盒178通過撿拾輥179被一張一張地取出，通過傳送輥沿片材傳輸路徑174行進(jìn)，從而通過與驅(qū)動(dòng)輥170a接觸的中間復(fù)制帶169和二次復(fù)制輥171之間的輥隙。二次復(fù)制輥171通過從中間復(fù)制帶169一并地靜電吸引彩色顯像，而在片材的單面上復(fù)制顯像。二次復(fù)制輥171通過未圖示的離合器(clutch)而與中間復(fù)制帶169接近或被隔開。并且，在向片材復(fù)制彩色的顯像時(shí)二次復(fù)制輥171與中間復(fù)制帶169抵接，在中間復(fù)制帶169中疊加顯像的期間與二次復(fù)制輥171分離。
如上所述，復(fù)制了圖像的片材被輸送到定影器172，使該片材通過定影器172的加熱輥172a和加壓輥172b之間，而使片材上的顯像固定。定影處理后的片材，被引入排紙輥對176而沿箭頭F的方向前進(jìn)。在雙面印刷的情況下，在片材的大部分通過排紙輥對176后，使排紙輥對176沿反方向旋轉(zhuǎn)，如箭頭G所示，被導(dǎo)入到雙面印刷用傳輸路徑175。并且，顯像通過二次復(fù)制輥171被復(fù)制到片材的另一面，再次由定影器172進(jìn)行定影處理后，由排紙輥對176排出片材。
以上，對圖像形成裝置進(jìn)行了例示，但發(fā)光裝置10以及發(fā)光裝置50也可應(yīng)用于其他電子照相方式的圖像形成裝置中。例如也可應(yīng)用于不使用中間復(fù)制帶而從感光體鼓直接將顯像復(fù)制到片材的類型的圖像形成裝置、形成黑白圖像的圖像形成裝置、采用感光體鼓作為圖像載體的圖像形成裝置中。與上述相同的應(yīng)用，對于發(fā)光裝置10或發(fā)光裝置50的變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置也可應(yīng)用。
圖51為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖。個(gè)人計(jì)算機(jī)2000具備作為顯示裝置的發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60和主體部2010。主體部2010中設(shè)置有電源開關(guān)2001以及鍵盤2002。
圖52為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的攜帶電話機(jī)的結(jié)構(gòu)的圖。攜帶電話機(jī)3000具備多個(gè)操作1鍵3001、滾動(dòng)鍵3002以及作為顯示裝置的發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60。通過對滾動(dòng)鍵3002進(jìn)行操作，而使顯示在發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60上的畫面滾動(dòng)。
圖53為表示采用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60作為顯示裝置的攜帶信息終端(PDAPersonal Digital Assistant)的結(jié)構(gòu)的圖。信息攜帶終端4000具備多個(gè)操作鍵4001、電源開關(guān)4002以及作為顯示裝置的發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60。如果對電源開關(guān)4002進(jìn)行操作，則將通訊錄或日程表的各種信息顯示在發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60。
另外，作為適用發(fā)光裝置20或發(fā)光裝置60的顯示裝置、或具有該顯示裝置的電子設(shè)備，除了圖51到圖53所示的設(shè)備外，還可舉出數(shù)碼照相機(jī)、電視機(jī)、攝像機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子記事本、電子紙、電子計(jì)算器、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、視頻播放器、具備觸摸屏等的設(shè)備。與上述相同的應(yīng)用，也可對與發(fā)光裝置20、60的變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置、發(fā)光裝置10、50、與發(fā)光裝置10、50的變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置進(jìn)行應(yīng)用。另外，通過采用濾色器和色變換層，也可在發(fā)光裝置10、50和應(yīng)用與發(fā)光裝置10、50的變形例相關(guān)的各種發(fā)光裝置中，顯示彩色圖像。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，具備基板；光反射層，形成在上述基板上并對光進(jìn)行反射；第一電極，形成在上述光反射層上并使光透過；發(fā)光層，形成在上述第一電極上并發(fā)光；第二電極，形成在上述發(fā)光層上，并使來自上述發(fā)光層的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射；和導(dǎo)電性半反射層，形成在上述第二電極上，并使來自上述第二電極的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述第二電極的逸出功為4電子伏特以下，上述導(dǎo)電性半反射層由光反射率比上述第二電極高的金屬材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述金屬材料中包含有銀、鎂或鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述光反射層的形成材料中包含有銀、鎂或鋁。
4.一種發(fā)光裝置，具備基板；反射層，形成在上述基板上并對光進(jìn)行反射；透明層，形成在上述反射層上并使光透過；第一電極，形成在上述透明層上并使光透過；發(fā)光層，形成在上述第一電極上并發(fā)光；和第二電極，形成在上述發(fā)光層上，并使來自上述發(fā)光層的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述透明層由消光系數(shù)比上述第一電極小的材料形成，上述第二電極的逸出功為4電子伏特以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述透明層的形成材料為二氧化硅或氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述反射層的形成材料中包含有銀、鎂或鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述第一電極的厚度小于60納米，按照上述反射層與上述第二電極之間的距離和上述發(fā)光層的發(fā)光主波長滿足規(guī)定的關(guān)系的方式，設(shè)定上述透明層及上述發(fā)光層的一方或兩方的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，還具備導(dǎo)電性反射層，形成在上述第二電極上，并使來自上述第二電極的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射，上述導(dǎo)電性半反射層由光反射率比上述第二電極高的金屬材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述導(dǎo)電性半反射層的形成材料中包含有銀、鎂或鋁。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述第一電極的厚度小于60納米，按照上述反射層與上述導(dǎo)電性半反射層之間的距離和上述發(fā)光層的發(fā)光主波長滿足規(guī)定的關(guān)系的方式，設(shè)定上述透明層、上述發(fā)光層以及上述導(dǎo)電性半反射層中的至少一個(gè)的厚度。
11.一種圖像形成裝置，具備權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置、和圖像載體，使上述圖像載體帶電，對上述圖像載體的帶電之面照射來自上述發(fā)光裝置的光而形成潛像，并使調(diào)色劑附著在上述潛像而形成顯像，且將上述顯像復(fù)制到其他物體。
12.一種顯示裝置，具備權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，接受用于顯示圖像的圖像數(shù)據(jù)的供給而以該圖像數(shù)據(jù)所對應(yīng)的亮度使上述發(fā)光層發(fā)光，由此顯示該圖像。
13.一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置。具備基板(11)；光反射層(13)，形成在基板(11)上并對光進(jìn)行反射；透明電極(14)，形成在光反射層(13)上并使光透過；發(fā)光層(15)，形成在透明電極(14)上并發(fā)光；半反射電極(16)，形成在發(fā)光層(15)上，并使來自發(fā)光層(15)的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射；和導(dǎo)電性半反射層(17)，形成在半反射電極(16)上，并使來自半反射電極(16)的一部分光透過而對另一部分光進(jìn)行反射。半反射電極(16)的逸出功為4電子伏特以下，導(dǎo)電性半反射層(17)由光反射率比半反射電極(16)高的金屬材料(例如銀)形成。從而在頂部發(fā)射型的發(fā)光裝置中，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光光譜的窄帶化或者出射光量的增大。
文檔編號G03G15/00GK101093877SQ20071011015
公開日2007年12月26日 申請日期2007年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月19日
發(fā)明者小林英和 申請人:精工愛普生株式會(huì)社