專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置以及其制造方法，尤其涉及一種板內(nèi)切換(IPS)有源矩陣液晶顯示裝置以及制造方法，該有源矩陣液晶具有寬的孔徑比和清晰對(duì)比度。
背景技術(shù)：
近些年，開(kāi)始流行將IPS(板內(nèi)切換)方法應(yīng)用于大尺寸電視機(jī)監(jiān)控器。IPS方法使得能通過(guò)施加橫向電場(chǎng)，在平行于基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)液晶分子軸，來(lái)顯示圖像。由于根據(jù)IPS方法的視角對(duì)分子軸的上升角度沒(méi)有依賴(lài)性，因此IPS方法的視角特性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于TN(扭轉(zhuǎn)向列)方法。然而，與TN方法相比，IPS方法需要更高精確度的單元間隙的面內(nèi)均勻性。
單元間隙的意思是在其間插入液晶層的兩個(gè)相對(duì)基板之間的距離。
在設(shè)置多個(gè)球型間隔物以形成單元間隙的常規(guī)方法中，該多個(gè)球形間隔物并沒(méi)有被固定到基板上，而是在液晶顯示面板上移動(dòng)。因此，液晶顯示面板的面內(nèi)均勻性的精確度受到限制。當(dāng)在顯示區(qū)域中設(shè)置多個(gè)球形間隔物時(shí)，球形間隔物擾亂在間隔物附近的液晶分子的取向。該受到擾亂的取向引起黑色狀態(tài)的光泄漏。近些年，由于對(duì)于電視機(jī)或醫(yī)療器械的清晰對(duì)比度顯示的要求變得強(qiáng)烈，因此該使用多個(gè)球形間隔物的方法并不是優(yōu)選的。由此，在相對(duì)基板上形成柱狀間隔物的方法尤其對(duì)于大尺寸產(chǎn)品組變得很必要。
柱狀間隔物被周期性設(shè)置，并與在顯示區(qū)域外的布線等上的位置處具有TFT(薄膜晶體管)的一側(cè)上基板相接觸，以保持TFT基板和相對(duì)基板之間的間隙。柱型間隔物的數(shù)目變得越大，接觸區(qū)域就變得越寬，且間隙就變得越均勻。如果將外力沿著與基板表面平行的方向施加到基板之一上，在兩個(gè)基板之間發(fā)生暫時(shí)滑動(dòng)。當(dāng)柱狀間隔物的數(shù)目大時(shí)，則柱狀間隔物與TFT基板接觸的面積也大。當(dāng)該數(shù)目過(guò)大時(shí)，在多個(gè)柱狀間隔物和TFT基板之間的摩擦力很強(qiáng)，則滑動(dòng)基板不會(huì)回到初始位置。另一方面，如果柱狀間隔物的數(shù)目過(guò)小，則垂直于基板的外力會(huì)導(dǎo)致基板的塑性形變。當(dāng)塑性形變發(fā)生時(shí)，即使外力消失，具有局部不均勻性的間隙仍會(huì)保留下來(lái)。為了解決這個(gè)問(wèn)題，在日本專(zhuān)利特許公報(bào)No.3680730中公開(kāi)了一種方法。以下，將參考附圖描述該方法。
圖16A和16B示出柱狀間隔物在設(shè)置了掃描信號(hào)線1601的位置處與基板接觸。圖16A示出了正常狀態(tài)下的輔助柱體的結(jié)構(gòu)。通過(guò)柵極絕緣膜1603，在掃描信號(hào)線1601上的預(yù)定位置處形成基座圖案1615。該基座圖案1615沒(méi)有在其它位置處形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，如果不施加外力，則僅僅是與基座圖案1615相對(duì)的柱狀間隔物1617(以下稱(chēng)作主柱體)與TFT基板1618接觸，以保持兩個(gè)基板之間的間隙。根據(jù)與基座圖案厚度相等的高度差，與在未形成基座圖案的位置處的基板相對(duì)的柱狀間隔物1617(以下稱(chēng)作輔助柱體)并不與TFT基板1618接觸。圖16B示出了在對(duì)基板施加與其垂直的外力的情況下的輔助柱體結(jié)構(gòu)。垂直外力導(dǎo)致基板的塑性形變。此時(shí)，輔助柱體與TFT基板接觸，并以分散外力的方式接收外力。由于柱狀間隔物與TFT基板接觸的接觸面積小，因此幾乎不發(fā)生由平行于基板的外力導(dǎo)致的問(wèn)題。
圖17和18示出了實(shí)際像素結(jié)構(gòu)的實(shí)例。圖17是示出根據(jù)常規(guī)液晶顯示裝置的TFT基板的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖18是沿著圖17中的虛線取得的像素截面圖。
如圖18中所示，在TFT基板1818上形成了由第一金屬層制成的掃描信號(hào)線1801以及與掃描信號(hào)線1801平行的共用信號(hào)線1802。柵極絕緣膜1803被形成于掃描信號(hào)線1801和共用信號(hào)線1802上。在柵極絕緣膜1803上形成了由第二金屬層制成的圖像信號(hào)線1804、薄膜晶體管1805、源極1806和基座圖案1815。鈍化膜1807被形成于圖像信號(hào)線1804、薄膜晶體管1805、源極1806和基座圖案1815上。具有光敏性的外涂膜1808被涂敷到鈍化膜1807上。
外涂膜1808例如是由丙烯酸樹(shù)脂制成的透明膜。通過(guò)曝光，去除了與像素電極1809和源極1806之間的接觸孔1811、共用電極1810和共用信號(hào)線1802之間的接觸孔1812、和其中裝配了柱狀間隔物的孔1816的各位置相對(duì)應(yīng)的部分外涂膜1808。而且，基板被蝕刻，并因此去除了柵極絕緣膜1803和鈍化膜1807。通過(guò)上述處理，形成了在像素電極和源極之間的接觸孔1811以及共用電極和共用信號(hào)線之間的接觸孔1912。
接下來(lái)，在外涂膜1808上形成了像素電極1809和共用電極1810，所述像素電極1809和共用電極1810是透明電極。此時(shí)，同樣在圖像信號(hào)線1804上形成共用電極1810，以屏蔽電場(chǎng)。像素電極1809經(jīng)由接觸孔1811與源極1806電氣連接。共用電極1810經(jīng)由接觸孔1812與共用信號(hào)線1802電氣連接。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，如果不施加外力，則在主柱體位置處，柱狀間隔物1817在基座圖案1815上與TFT基板接觸。相反，在輔助柱體位置處，由于沒(méi)有形成基座圖案1815，所以柱狀間隔物1817不與TFT基板接觸。然而，由于基座圖案是浮置型電極，所以在基座圖案和掃描信號(hào)線之間耦合的電容、以及基座圖案與其他電極如圖像信號(hào)線的短路將對(duì)信號(hào)傳輸帶來(lái)不利影響。因此，優(yōu)選的是在不需要金屬基座圖案的情形下形成臺(tái)階(即高度差)。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問(wèn)題作出了本申請(qǐng)。本申請(qǐng)的主要目的是提供具有臺(tái)階的液晶顯示裝置，其中在柱狀間隔物和線之間沒(méi)有電容耦合，且柱狀間隔物與其他電極不會(huì)發(fā)生短路，并且還提供了其制造方法。
本發(fā)明的第一示范性方面提供了有源矩陣液晶顯示裝置，這包括第一基板，與第一基板相對(duì)的第二基板，以及夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。第一基板包括掃描信號(hào)線；與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線；與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線；在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管；被連接到薄膜晶體管的電極之一的像素電極；被連接到共用信號(hào)線的共用電極；被夾持在掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、與像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間的絕緣膜；和在其中形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上形成的第一凹進(jìn)部分。第二基板包括向第一基板突出并彼此高度幾乎相等的多個(gè)柱狀間隔物，被形成在第一基板、與位于與第一凹進(jìn)部分對(duì)應(yīng)的位置處的柱狀間隔物的端部之間的間隙，且該柱狀間隔物位于和達(dá)到第一基板的第一凹進(jìn)部分所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處。
本發(fā)明的第二示范性方面提供了有源矩陣液晶顯示裝置，其包括第一基板，與第一基板相對(duì)的第二基板，和夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。第一基板包括掃描信號(hào)線；與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線；與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線；在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉處形成薄膜晶體管；與薄膜晶體管的電極之一連接的像素電極；與共用信號(hào)線連接的共用電極；絕緣膜，其被夾持在掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、和像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間；和基座，其在形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上形成，該基座是通過(guò)去除絕緣膜而形成的。第二基板包括多個(gè)柱狀間隔物，其向第一基板突出并且彼此高度幾乎相同。柱狀間隔物位于與基座達(dá)到第一基板的位置處。間隙在第一基板、和位于與基座所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的柱狀間隔物之間形成。
本發(fā)明的第三示范性方面提供了一種制造有源矩陣液晶顯示裝置的方法，該有源矩陣液晶顯示裝置具有第一基板、與第一基板相對(duì)的第二基板、和夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。該方法包括在第一基板上形成掃描信號(hào)線，與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線，與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線，在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管，與薄膜晶體管的電極之一連接的像素電極，連接到共用信號(hào)線的共用電極，位于掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、和像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間的絕緣膜，以及在其上形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上的第一凹進(jìn)部分；和在第二基板上與第一凹進(jìn)部分對(duì)應(yīng)的位置處形成的第一柱狀間隔物；和在第二基板上的與第一凹進(jìn)部分所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處形成的第二柱狀間隔物。第一柱狀間隔物向第一基板突出。間隙被形成于第一基板和第一柱狀間隔端部之間。第二柱狀間隔物向第一基板突出，并達(dá)到第一基板。第二柱狀間隔物的高度等于第一柱狀間隔物的高度。
本發(fā)明的第四示范性方面提供了一種制造有源矩陣液晶顯示裝置的方法，該有源矩陣液晶顯示裝置具有第一基板、與第一基板相對(duì)的第二基板、和夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。該方法包括在第一基板上形成掃描信號(hào)線，與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線，與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線，在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管，連接到薄膜晶體管的電極之一的像素電極，連接到共用信號(hào)線的共用電極，位于掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、和像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間的絕緣膜，以及通過(guò)留下絕緣膜而在形成有薄膜晶體管的一側(cè)的第一基板表面上形成的基座；和位于第二基板上的與基座對(duì)應(yīng)的位置處的第一柱狀間隔物，和位于第二基板上的與基座所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的第二柱狀間隔物。第一柱狀間隔物向第一基板突出，并達(dá)到第一基板。第二柱狀間隔物向第一基板突出。在第一基板和第二柱狀間隔物的端部之間形成間隙。第二柱狀間隔物的高度等于第一柱狀間隔物的高度。
由此，由于本申請(qǐng)能形成臺(tái)階而不形成金屬基座圖案，因此本申請(qǐng)具有基于輔助柱體結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。而且，本申請(qǐng)能提供高質(zhì)量液晶顯示裝置而對(duì)信號(hào)傳輸沒(méi)有不利影響，這是由于沒(méi)有電容耦合且沒(méi)有柱狀間隔物與其他電極的短路。
根據(jù)結(jié)合附圖的以下描述本申請(qǐng)的其他示范性特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見(jiàn)，其中，貫穿其附圖，相似的參考符號(hào)表示相同或相似的部件。


結(jié)合附圖，根據(jù)以下詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的示范性特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見(jiàn)，附圖中圖1是示出根據(jù)本申請(qǐng)第一至第三實(shí)施例的液晶顯示裝置像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2是示出根據(jù)本申請(qǐng)第一實(shí)施例的液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3A是示出根據(jù)本申請(qǐng)第二實(shí)施例的液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3B示出了用于形成根據(jù)本申請(qǐng)第二實(shí)施例液晶顯示裝置輔助柱體的凹進(jìn)部分的工序步驟；圖4A是示出根據(jù)本申請(qǐng)第三實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖4B示出了用于形成根據(jù)本申請(qǐng)第三實(shí)施例液晶顯示裝置中主柱體的基座的工序步驟；圖5是示出根據(jù)本申請(qǐng)第四至第六實(shí)施例的液晶顯示裝置像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；圖6是示出根據(jù)本申請(qǐng)第四實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖
圖7是示出根據(jù)本申請(qǐng)第五實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8A是示出根據(jù)本申請(qǐng)第六實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖8B示出了用于形成根據(jù)本申請(qǐng)第六實(shí)施例液晶顯示裝置中主柱體基座的工序步驟；圖9是示出根據(jù)第七至第九實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖10是示出根據(jù)本申請(qǐng)第七實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖11是示出根據(jù)本申請(qǐng)第八實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖12是示出根據(jù)本申請(qǐng)第九實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖13是示出根據(jù)第十和第十一實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖14是示出根據(jù)本申請(qǐng)第十實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖15是示出根據(jù)本申請(qǐng)第十一實(shí)施例液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的截面圖；圖16A和16B是示出常規(guī)液晶顯示裝置輔助柱體結(jié)構(gòu)效果的示意圖；圖17是示出常規(guī)液晶顯示裝置像素結(jié)構(gòu)的平面圖實(shí)例；圖18是常規(guī)液晶顯示裝置像素截面圖實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本申請(qǐng)的示范性實(shí)施例。
本申請(qǐng)的有源矩陣液晶顯示裝置包括其中形成TFT等開(kāi)關(guān)元件的基板(以下稱(chēng)作TFT基板)，另一基板(以下，稱(chēng)作相對(duì)基板)和插入其間的液晶。根據(jù)彩色顯示方法的有源矩陣液晶顯示裝置的相對(duì)基板是由玻璃等制成的透明絕緣基板，其上形成了紅綠藍(lán)(RGB)顏色的有色層、用于阻擋不必要的光線通過(guò)的黑矩陣。為了在TFT基板和相對(duì)基板之間保持間隙，在黑矩陣上的預(yù)定位置處形成幾乎相同高度的多個(gè)柱狀間隔物，且這些間隔物向著TFT基板突出。另一方面，在根據(jù)單色方法的有源矩陣液晶顯示裝置的相對(duì)基板上，可在無(wú)需形成RGB顏色的有色層的情形下形成黑矩陣和柱狀間隔物。通過(guò)部分地暴露出光致抗蝕劑樹(shù)脂材料來(lái)形成這些柱狀間隔物。柱狀間隔物包括主柱體和輔助柱體，該主柱體在未被施加外力時(shí)與TFT基板接觸，該輔助柱體在被施加外力時(shí)與TFT基板接觸。而且，柱狀間隔物可以以多種方法形成。TFT基板包括由玻璃等制成的透明絕緣基板，其上設(shè)置了掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線以便以預(yù)定角度相互交叉，并且還基本與掃描信號(hào)線平行地設(shè)置了共用信號(hào)線。TFT被設(shè)置在由掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線包圍的每個(gè)像素中。源極被連接到圖像信號(hào)線，漏極被連接到像素電極，該像素電極沿著像素中的圖像信號(hào)線延伸。替換地，漏極可以被連接到圖像信號(hào)線，源極可以被連接到像素電極。沿著圖像信號(hào)線在像素中延伸的共用電極被連接到共用信號(hào)線。像素電極和共用電極被交替設(shè)置以形成梳齒狀電極。然后，通過(guò)在具有從圖像信號(hào)線經(jīng)由TFT提供的像素電位的像素電極、與具有共用電位的共用電極之間產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)，將液晶驅(qū)動(dòng)到每個(gè)像素中。
通過(guò)蝕刻與輔助柱體位置對(duì)應(yīng)的一部分TFT基板，在TFT基板中形成了凹進(jìn)部分，以使與柱狀間隔物的主柱體對(duì)應(yīng)的部分和與柱狀間隔物的輔助柱體對(duì)應(yīng)的部分高度相互不同。替換地，也可以通過(guò)蝕刻與輔助柱體位置對(duì)應(yīng)的一部分鈍化膜，在TFT基板中形成凹進(jìn)部分。而且，替換地，也可以通過(guò)蝕刻外涂膜而留下與主柱體位置對(duì)應(yīng)的部分，在TFT基板中形成基座，以留下具有預(yù)定厚度的膜。
由于可獲得高度差而不形成金屬基座圖案，因此可以獲得由于輔助柱體結(jié)構(gòu)而帶來(lái)的優(yōu)點(diǎn)。如果將垂直外力施加到基板，則基板以分散外力的方式接收該外力。如果與基板表面平行地施加外力、然后釋放該外力，則基板返回到初始位置。這種輔助柱體結(jié)構(gòu)有利地防止了由于電容耦合導(dǎo)致的對(duì)信號(hào)傳輸?shù)牟焕绊懀⒎乐沽酥鶢铋g隔物與其他電極的短路。因此，能提供具有高質(zhì)量的液晶顯示裝置。
而且，根據(jù)本申請(qǐng)，柱狀間隔物被形成于相反基板上，且在TFT基板上形成臺(tái)階。替換地，柱狀間隔物也可被形成于TFT基板上，且臺(tái)階可被形成于相反基板上。以下，將描述的是液晶顯示裝置采取橫向電場(chǎng)施加方法。替換地，液晶顯示裝置也可采用其他液晶顯示方法，如垂直電場(chǎng)施加方法。以下，將描述的是TFT結(jié)構(gòu)是在柵極的上層上具有半導(dǎo)體層的反交錯(cuò)型。替換地，也可以使用在半導(dǎo)體層的上層上具有柵極的正交錯(cuò)型。而且，下文將描述的是在TFT基板上的掃描信號(hào)線的位置處形成柱狀間隔物。替換地，柱狀間隔物可以在共用信號(hào)線或圖像信號(hào)線的位置處形成，而不是在掃描信號(hào)線處形成。而且，柱狀間隔物也可是除了掃描信號(hào)線之外，還被形成在共用信號(hào)線或圖像信號(hào)線的位置處。
(第一示范性實(shí)施例)圖1是示出在根據(jù)第一示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中包括的TFT基板的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是沿著圖1中的虛線取得的截面圖，示出了由虛線表示的像素結(jié)構(gòu)。而且，如果不具有凹進(jìn)部分113，則增加由DD’表示的截面圖。
通過(guò)預(yù)先蝕刻，在與在TFT基板相對(duì)的相對(duì)基板上形成的柱狀間隔物217的輔助柱體相對(duì)的位置處形成凹進(jìn)部分213?？赏ㄟ^(guò)在使用光掩模的普通曝光工藝之后進(jìn)行濕法蝕刻，來(lái)容易地形成凹進(jìn)部分213。如果通過(guò)凹進(jìn)部分213形成的臺(tái)階過(guò)大，則輔助柱體不與TFT基板接觸，即使施加垂直于基板的外力也是這樣。因此，通過(guò)凹進(jìn)部分213形成的臺(tái)階并沒(méi)有作為期望的輔助柱體來(lái)工作。另一方面，如果通過(guò)凹進(jìn)部分213形成的臺(tái)階過(guò)小，則當(dāng)不施加外力時(shí)輔助柱體與TFT基板接觸。優(yōu)選的是，通過(guò)凹進(jìn)部分213形成的臺(tái)階厚度從200nm到300nm。而且，根據(jù)第一示范性實(shí)施例，凹進(jìn)部分213不形成在與柱狀間隔物217的主柱體對(duì)應(yīng)的位置處。
在所蝕刻的TFT基板218上形成由第一金屬層Cr(鉻)等制成的掃描信號(hào)線201和與掃描信號(hào)線201平行的共用信號(hào)線202，掃描信號(hào)線201和共用信號(hào)線202的厚度不受限制。如果這些信號(hào)線的厚度與TFT基板218的凹進(jìn)部分213的深度相同，則輔助柱體與其接觸的表面基本平坦。
在掃描信號(hào)線201和共用信號(hào)線202上形成由絕緣材料如SiOx或SiNx制成的柵極絕緣膜203。在柵絕緣膜203上形成由非晶硅、多晶硅等制成的島狀半導(dǎo)體層。而且，在柵極絕緣膜203上形成由第二金屬層Cr等制成的圖像信號(hào)線203。在柵極絕緣膜203上形成源極206，且之后形成薄膜晶體管205。在圖像信號(hào)線204、薄膜晶體管205和源極206上形成由SiNx等絕緣材料制成的鈍化膜207。具有光敏性的外涂膜208被涂敷到鈍化膜207上。
外涂膜208例如是由丙烯酸樹(shù)脂制成的透明膜。通過(guò)曝光去除與像素電極和源極之間的接觸孔211、共用電極和共用信號(hào)線之間的接觸孔212、和其中配置了輔助柱體的孔216的位置對(duì)應(yīng)的部分外涂膜208。通過(guò)蝕刻，去除與所去除的外涂膜208的位置對(duì)應(yīng)的一部分鈍化膜207，且之后，形成在像素電極和源極之間的接觸孔211。去除柵極絕緣膜203和鈍化膜207，且之后，形成在共用電極和共用信號(hào)線之間的接觸孔212。之后，形成像素電極209和共用電極210，其包括由ITO(氧化銦錫)等制成的透明電極。還在圖像信號(hào)線204上形成共用電極204，以屏蔽電場(chǎng)。像素電極209經(jīng)由接觸孔211與源極206電連接。共用電極210經(jīng)由接觸孔212與共用信號(hào)線202電連接。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，如果不施加外力，則柱狀間隔物217作為主柱體在不蝕刻的位置214處與TFT基板218接觸。由于凹進(jìn)部分213，柱狀間隔物217作為輔助柱體不與TFT基板218接觸。因此，在無(wú)需布置金屬基座圖案的情形下形成了臺(tái)階，且因此，輔助柱體的結(jié)構(gòu)是有利的。而且，防止了由于電容耦合對(duì)信號(hào)傳輸?shù)牟焕绊懞椭鶢铋g隔物與其他電極的短路。對(duì)于根據(jù)第一示范性實(shí)施例的制造方法來(lái)說(shuō)，其與常規(guī)技術(shù)相比，曝光數(shù)目增加了一個(gè)，這是因?yàn)門(mén)FT基板218是被預(yù)先蝕刻的。隨后的工藝與常規(guī)技術(shù)中的相同。
(第二示范性實(shí)施例)接下來(lái)，將參考圖3A和3B描述根據(jù)本申請(qǐng)第二示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖3A是示出根據(jù)第二示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。圖3B示意性示出了其中形成了用于輔助柱體的凹進(jìn)部分的每個(gè)順序工藝的截面圖。而且，平面圖與圖1的相同。而且，如果不具有凹進(jìn)部分113，則增加由DD’表示的截面。與第一示范性實(shí)施例的不同在于在與柱狀間隔物317的輔助柱體相對(duì)的位置處形成的凹進(jìn)部分313的制造方法。該凹進(jìn)部分313不是通過(guò)蝕刻TFT基板318、而是通過(guò)蝕刻鈍化膜307來(lái)形成的。其他方面與第一示范性實(shí)施例的那些相同。
圖3B中示出了凹進(jìn)部分313的形成方法。在形成凹進(jìn)部分312的曝光工藝中，通過(guò)普通的曝光工藝，完全去除了在形成接觸孔312的位置處的一部分樹(shù)脂膜(圖中虛波浪線的右側(cè))。另一方面，通過(guò)半色調(diào)曝光工藝(圖中稱(chēng)作曝光)，減薄了在形成凹進(jìn)部分313的位置處的一部分樹(shù)脂膜(圖中虛波浪線的左側(cè))。在該首次蝕刻之后，鈍化膜307和柵極絕緣膜303被完全去除，且之后，形成接觸孔312(指的是圖中的干法蝕刻1)。接下來(lái)，通過(guò)灰化(指的是圖中的灰化)，去除了在形成凹進(jìn)部分313的位置處被減薄的樹(shù)脂膜。在第二次蝕刻之后，鈍化膜307和柵極絕緣膜303被去除(指的是圖中的干法蝕刻2)，且其他部分的樹(shù)脂膜被去除，并且因此形成凹進(jìn)部分313(指的是圖中的抗蝕劑剝離)。優(yōu)選的是，由鈍化膜307和柵極絕緣膜303形成的凹進(jìn)部分313的高度差的深度從200nm到300nm，與第一實(shí)施例中相同。
由此，如果不施加外力，則作為主柱體的柱狀間隔物317在未蝕刻位置314處與TFT基板318接觸。由于凹進(jìn)部分313，作為輔助柱體的柱狀間隔物317不與TFT基板318接觸。如上所述，第二示范性實(shí)施例獲得與第一示范性實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。而且，根據(jù)第二示范性實(shí)施例的制造方法，蝕刻工藝的數(shù)目比常規(guī)技術(shù)增加一個(gè)，而不增加曝光工藝數(shù)目。
(第三示范性實(shí)施例)參考圖4A和4B描述根據(jù)本申請(qǐng)第三示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖4A是示出根據(jù)第三示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。圖4B示范性示出了用于制造主柱體基座的每一順序工藝的截面圖。而且，該實(shí)施例的平面圖與圖1中的相同。主柱體被裝配到用于容納圖1柱體的外涂膜的孔416內(nèi)。
與第一和第二示范性實(shí)施例不同的是設(shè)置在與柱狀間隔物417相對(duì)的位置處的基座形狀。根據(jù)第三示范性實(shí)施例，基座不是在與柱狀間隔物417的輔助柱體相對(duì)的位置處形成的凹進(jìn)部分，而是在與柱狀間隔物417的主柱體相對(duì)的位置處形成的突出部分。該突出部分通過(guò)去除在半色調(diào)曝光工藝中具有預(yù)定厚度的光敏有機(jī)膜(即外涂膜408)來(lái)形成。其他結(jié)構(gòu)與第一和第二示范性實(shí)施例中相同。
如圖4B中所示，通過(guò)普通曝光工藝，去除了與輔助柱體(圖的右側(cè))的位置對(duì)應(yīng)的外涂膜408的一部分，且之后，形成孔416。通過(guò)半色調(diào)曝光工藝(指的是圖中的曝光)，留下了具有預(yù)定厚度的與主柱體部分(圖的左側(cè))的位置對(duì)應(yīng)的外涂膜408的一部分，且因此，以預(yù)定厚度留下的部分形成了基座415(指的是圖中的鍛燒)。優(yōu)選的是，基座415的厚度在從200nm到300nm的范圍內(nèi)。
如果不施加外力，則由于基座415，作為主柱體的柱狀間隔物417與TFT基板418接觸。作為輔助柱體的柱狀間隔物417在不形成基座415的位置不與TFT基板418接觸。因此，獲得了與上述的相同的優(yōu)點(diǎn)。而且，根據(jù)第三示范性實(shí)施例的制造方法，工藝數(shù)目和常規(guī)技術(shù)相比不增加。
(第四示范性實(shí)施例)接下來(lái)，參考圖5和6描述根據(jù)本申請(qǐng)第四示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖5是示出在根據(jù)第四示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的TFT基板上包括的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖6是沿著圖5中的虛線取得的截面圖，示出了由虛線表示的像素結(jié)構(gòu)。而且，如果不具有凹進(jìn)部分513，則增加由DD’表示的截面。
與第一示范性實(shí)施例不同在于，除了在圖像信號(hào)線上方區(qū)域之外，具有光敏性的外涂膜608被去除。其他步驟與第一示范性實(shí)施的相同。
如圖6中所示，通過(guò)蝕刻，在與輔助柱體相對(duì)的位置處的TFT基板618中預(yù)先形成凹進(jìn)部分613。在TFT基板618上形成掃描信號(hào)線601和與掃描信號(hào)線601平行的共用信號(hào)線602。柵極絕緣膜603被形成于這些線上。島狀半導(dǎo)體層和圖像信號(hào)線604被形成于柵極絕緣膜603上。源極606被形成于柵極絕緣膜603上，且之后，形成薄膜晶體管605。鈍化膜607被形成于這些線和TFT上方。
具有光敏性的外涂膜608被涂敷到鈍化膜607上方。通過(guò)曝光，除了圖像信號(hào)線604上的區(qū)域之外，外涂膜608被去除。由于去除了在顯示區(qū)域內(nèi)的外涂膜608，因此外涂膜不限于透明膜，且例如，也可將有色膜如非自硬性酚醛(novolac)樹(shù)脂涂敷到外涂膜上。
之后，通過(guò)蝕刻，去除柵極絕緣膜603和鈍化膜607，且之后，形成在像素電極和源極之間的接觸孔607、和在共用電極和共用信號(hào)線之間的接觸孔612。之后，形成像素電極609和共用電極610，其包括透明電極。
由此，如果不施加外力，則作為主柱體的柱狀間隔物617在未蝕刻位置614處與TFT基板618接觸。由于凹進(jìn)部分613，作為輔助柱體的柱狀間隔物617不與TFT基板618接觸。因此，獲得了與第一至第三示范性實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)第四示范性實(shí)施例的制造方法，曝光工藝的數(shù)目比常規(guī)技術(shù)增加一個(gè)，這是因?yàn)榕c第一示范性實(shí)施例中相同，需要預(yù)先蝕刻基板。用于制造的隨后工藝與常規(guī)技術(shù)的那些相同。
(第五示范性實(shí)施例)接下來(lái)，參考圖7描述根據(jù)本申請(qǐng)第五示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖7是示出根據(jù)第五示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。平面圖與圖5相同。而且，如果不具有凹進(jìn)部分513，則增加由DD’表示的截面圖。
與第四示范性實(shí)施不同的是，凹進(jìn)部分713不是通過(guò)蝕刻基板、而是通過(guò)蝕刻鈍化膜707而形成的。其他結(jié)構(gòu)與第四示范性實(shí)施例中的相同。形成凹進(jìn)部分713的方法與圖3B中的方法相同。
由此，如果不施加外力，則作為主柱體的柱狀間隔物717在未蝕刻位置714處與TFT基板718接觸。由于凹進(jìn)部分713，作為輔助柱體的柱狀間隔物717不與TFT基板接觸。由于這個(gè)原因，獲得了與第四示范性實(shí)施例中相同的優(yōu)點(diǎn)。而且，根據(jù)第五示范性實(shí)施例的制造方法，蝕刻工藝的數(shù)目比常規(guī)技術(shù)的多一個(gè)。曝光數(shù)目與常規(guī)技術(shù)相比不增加。
(第六示范性實(shí)施例)
接下來(lái)，參考圖8A和8B描述根據(jù)本申請(qǐng)第六示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖8A是示出根據(jù)第六示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖8B示意性示出了其中形成了用于主柱體的基座的每一順序工藝的截面圖。而且，平面圖與圖5的相同。與第四和第五示范性實(shí)施例的不同在于在與柱狀間隔物817相對(duì)的位置處的基座的形狀。根據(jù)第六示范性實(shí)施例，基座不是在TFT基板818中形成的凹進(jìn)部分，而是通過(guò)在半色調(diào)曝光工藝中留下預(yù)定厚度的光敏外涂膜808而形成的突起部分。其他結(jié)構(gòu)與第四和第五實(shí)施例中相同。
如圖8B中所示，通過(guò)普通曝光工藝，去除了與輔助柱體的位置對(duì)應(yīng)的外涂膜808的一部分(圖的中心部分)、和除了在圖像信號(hào)線上方的區(qū)域之外的大部分外涂膜808(圖的右側(cè)部分)。另一方面，在半色調(diào)曝光工藝(指的是圖中的曝光)中，留下了具有預(yù)定厚度的與主柱體的位置對(duì)應(yīng)的一部分外涂膜(圖的左側(cè)部分)，并且因此留有預(yù)定厚度的部分被制作成基座815(指的是圖中的鍛燒)。優(yōu)選基座815的厚度在從200nm到300nm的范圍內(nèi)。
由此，如果不施加外力，則通過(guò)提供TFT基板818中的高度差，作為主柱體的柱狀間隔物817由于基座815而與TFT基板818接觸。相反，作為輔助柱體的柱狀間隔物817在不形成基座815的位置不與TFT基板818接觸。因此，獲得了與第四和第五示范性實(shí)施例中相同的優(yōu)點(diǎn)。而且，關(guān)于根據(jù)第六示范性實(shí)施例的制造方法，工藝數(shù)目與常規(guī)技術(shù)相比不增加。
(第七示范性實(shí)施例)將參考圖9和10描述根據(jù)本申請(qǐng)第七示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖9是示出在根據(jù)第七示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置中的TFT基板上包括的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖10是沿著圖9的虛線取得的部分結(jié)構(gòu)的截面圖。而且，如果不具有凹進(jìn)部分913則增加由DD’表示的截面。
與第四示范性實(shí)施例不同之處在于在與圖像信號(hào)線1004相同的層上同時(shí)形成像素電極1009。其他工藝與第四示范性實(shí)施例中相同。
如圖10中所示，在TFT基板1018中，通過(guò)預(yù)先蝕刻TFT基板，在與輔助主體相對(duì)的位置處形成凹進(jìn)部分1013。在TFT基板1018上形成了由第一金屬層Cr等制成的掃描信號(hào)線1001和與掃描信號(hào)線1001平行的共用信號(hào)線1002。柵極絕緣膜1003被形成在掃描信號(hào)線1001和共用信號(hào)線1002上方，且之后，島狀半導(dǎo)體層被形成在柵極絕緣膜1003上。而且，由第二金屬層制成的圖像信號(hào)線1004被形成在柵極絕緣膜1003上。像素電極1009被形成在柵極絕緣膜1003上，且之后，形成了薄膜晶體管1005。鈍化膜1007被形成在圖像信號(hào)線1004、薄膜晶體管1005和像素電極1009上方。
光敏性的外涂膜1008被涂敷到鈍化膜1007上方。除了圖像信號(hào)線上方區(qū)域之外，外涂膜1008被去除。由于去除了在顯示區(qū)域內(nèi)的外涂膜1008，因此外涂膜不限于透明膜。例如，也可涂敷有色膜如酚醛清漆樹(shù)脂。通過(guò)蝕刻去除柵極絕緣膜1003和鈍化膜1007，且之后，形成在共用電極和共用信號(hào)線之間的接觸孔1012。之后，形成共用電極1010，其包括透明電極。還在圖像信號(hào)線1004上形成共用電極1010，且之后屏蔽電場(chǎng)。共用電極1010經(jīng)由接觸孔1012與共用信號(hào)線1002電連接。
由此，如果不施加外力，則通過(guò)在TFT基板1018中形成高度差，作為主柱體的柱狀間隔物1017在未蝕刻部分1014處與TFT基板1018接觸。相反，由于凹進(jìn)部分1013，作為輔助柱體的柱狀間隔物1017不與TFT基板1018接觸。由于這個(gè)原因，獲得與第四示范性實(shí)施例中相同的優(yōu)點(diǎn)。而且，對(duì)于根據(jù)第七示范性實(shí)施例的制造方法來(lái)說(shuō)，曝光工藝的數(shù)目與常規(guī)技術(shù)相比增加了一個(gè)，這是因?yàn)樾枰A(yù)先蝕刻基板。但是隨后的制造工藝與常規(guī)技術(shù)中相同。
(第八示范性實(shí)施例)參考圖11描述根據(jù)本申請(qǐng)第八實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖11是示出根據(jù)第八示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。平面圖與圖9的相同。而且，如果不具有凹進(jìn)部分1113，則增加由DD’表示的截面圖。
與第七示范性實(shí)施例的不同在于，不是通過(guò)蝕刻基板、而是通過(guò)蝕刻鈍化膜1107來(lái)形成凹進(jìn)部分1113。其他結(jié)構(gòu)與第七示范性實(shí)施例中相同。形成凹進(jìn)部分1113的方法與圖3B中示出的方法相同。由此，如果不施加外力，則通過(guò)形成TFT基板118終端臺(tái)階，作為主柱體的柱狀間隔物1117在未蝕刻位置1114處與TFT基板1118接觸。相反，由于凹進(jìn)部分1113，作為輔助柱體的柱狀間隔物1117不與TFT基板接觸。由于這個(gè)原因，獲得了與第七示范性實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)第八示范性實(shí)施例的制造方法，蝕刻工藝的數(shù)目與常規(guī)技術(shù)相比增加了一個(gè)。但是曝光數(shù)目于常規(guī)技術(shù)相比沒(méi)有增加。
(第九示范性實(shí)施例)參考圖12描述根據(jù)本申請(qǐng)第九示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖12是示出根據(jù)第九示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)的截面圖。而且，平面圖與圖9相同。
與第七和第八實(shí)施例的不同在于與柱狀間隔物1217相對(duì)的基座的形狀。根據(jù)第九示范性實(shí)施例，基座不是凹進(jìn)部分，而是通過(guò)在半色調(diào)曝光工藝中留下預(yù)定厚度的光敏外涂膜1208形成的突起部分。其他結(jié)構(gòu)與第七和第八實(shí)施例中的相同。
如圖8B中所示，在普通曝光工藝中，去除了與輔助柱體的位置對(duì)應(yīng)的一部分外涂膜1208、和除了圖像信號(hào)線1204上方的區(qū)域之外的大部分外涂膜1208。在半色調(diào)曝光工藝中，將與主柱體的位置對(duì)應(yīng)的一部分外涂膜1208留下預(yù)定厚度，且留下預(yù)定厚度的部分被制作成基座1215。優(yōu)選基座的厚度在從200nm到300nm的范圍內(nèi)。
由此，如果不施加外力，則通過(guò)形成TFT基板1218中的高度差，由于基座1215，作為主柱體的柱狀間隔物1217與TFT基板1218接觸。相反，作為輔助柱體的柱狀間隔物1217在不形成基座1215的位置處不與TFT基板1218接觸。由于這個(gè)原因，獲得與第七和第八實(shí)施例中相同的優(yōu)點(diǎn)。關(guān)于根據(jù)第九示范性實(shí)施例的制造方法，工藝數(shù)目于常規(guī)技術(shù)相比不增加。
(第十示范性實(shí)施例)參考圖13和14描述根據(jù)本申請(qǐng)第十實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖13是示出在根據(jù)第十示范性實(shí)施例液晶顯示裝置中的TFT基板中包括的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖14是沿著圖13的虛線取得的一部分結(jié)構(gòu)的截面圖。而且，如果不具有凹進(jìn)部分1313則增加由DD’表示的截面圖。
根據(jù)第十示范性實(shí)施例，在與掃描信號(hào)電極1401和共用信號(hào)線1402相同的層中同時(shí)形成共用電極1410。在與圖像信號(hào)線1404相同的層中同時(shí)形成像素電極1409。另一方面，不形成外涂膜。如圖14中所示，通過(guò)預(yù)先蝕刻TFT基板1418，凹進(jìn)部分1413被形成在與輔助柱體相對(duì)的位置處。掃描信號(hào)線1401、與掃描信號(hào)線1401和共用電極1410平行的共用信號(hào)線1402都是由第一金屬層Cr等制成的，并被形成于TFT基板1418上。柵極絕緣膜1403被形成在掃描信號(hào)線1401、共用信號(hào)線1402和共用電極1410上方。島狀半導(dǎo)體層被形成于柵極絕緣膜1403上。而且，由第二金屬層制成的圖像信號(hào)線1404和像素電極1409被形成于柵極絕緣膜1403上，且之后，形成薄膜晶體管1405。鈍化膜1407被形成于圖像信號(hào)線1404、薄膜晶體管1405和像素電極1409上方。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，像素不包括接觸孔，且相反，端子包括接觸孔。端子的接觸孔通過(guò)蝕刻形成。
由此，如果不施加外力，則通過(guò)在TFT基板中形成高度差，作為主柱體的柱狀間隔物1417在未蝕刻位置1414處與TFT基板1418接觸。相反，由于凹進(jìn)部分1413，作為輔助柱體的柱狀間隔物1417不與TFT基板接觸。由于這個(gè)原因，獲得與第一實(shí)施例中相同的優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于根據(jù)第十示范性實(shí)施例的制造方法來(lái)說(shuō)，曝光的數(shù)目比常規(guī)技術(shù)增加一個(gè)，這是因?yàn)轭A(yù)先蝕刻了基板。但是隨后的工藝與常規(guī)技術(shù)相同。
(第十一示范性實(shí)施例)參考圖15描述根據(jù)本申請(qǐng)第十一示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置及其制造方法。圖15是示出根據(jù)第十一示范性實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。平面圖與圖13相同。而且，如果不具有凹進(jìn)部分1513，則增加由DD’表示的截面圖。
與第十示范性實(shí)施例不同在于不是通過(guò)蝕刻基板而是通過(guò)蝕刻鈍化層1507來(lái)形成凹進(jìn)部分1513。其他結(jié)構(gòu)與第十示范性實(shí)施例中相同。形成凹進(jìn)部分1513的方法與圖3B中示出的方法相同。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，像素不包括接觸孔，而是端子包括接觸孔。通過(guò)用半色調(diào)進(jìn)行的整體曝光來(lái)形成端子的接觸孔。
由此，如果不施加外力，則通過(guò)在TFT基板1518中形成高度差，作為主柱體的柱狀間隔物1517在未蝕刻位置1514處與TFT基板1518接觸。相反，作為輔助柱體的柱狀間隔物1517由于凹進(jìn)部分1513不與TFT基板接觸。由于這個(gè)原因，獲得與第十示范性實(shí)施例中相同的效果。關(guān)于根據(jù)第十一示范性實(shí)施例的制造方法，蝕刻數(shù)目比常規(guī)技術(shù)增加了一個(gè)。但是，曝光數(shù)目與常規(guī)技術(shù)相比不增加。
提供前述實(shí)施例以使本領(lǐng)域技術(shù)人員制作并使用本申請(qǐng)。而且，這些實(shí)施例的各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員都是容易理解的，并且在此限定的一般原理和具體實(shí)例可用于其他實(shí)施例，而不需使用創(chuàng)造性能力。因此，本申請(qǐng)不打算限于在此描述的實(shí)施例，而是依照由權(quán)利要求及其等價(jià)物的限定限制的最寬的范圍。
而且，注意，本發(fā)明人的意圖是保留所要求本發(fā)明的所有等價(jià)物，即使在執(zhí)行期間修改了權(quán)利要求也是如此。
本申請(qǐng)基于2006年7月15日提出的日本專(zhuān)利申請(qǐng)No.2006-165592，并且包括說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求、附圖和發(fā)明內(nèi)容。在此通過(guò)參考將上述日本專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)整體內(nèi)容并入本文。
雖然已經(jīng)關(guān)于一定優(yōu)選實(shí)施例描述了本申請(qǐng)，但是要理解，本申請(qǐng)包括的柱體不限于這些具體實(shí)施例。相反，對(duì)于本申請(qǐng)的主題，其打算包括所有替換方案、修改和等價(jià)物，如以下權(quán)利要求的精神和范圍所能包括的。
而且，本發(fā)明人的意圖是保留所要求發(fā)明的所有等價(jià)物，即使在執(zhí)行期間權(quán)利要求作出了修改也是如此。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣液晶顯示裝置，包括第一基板，包含掃描信號(hào)線；與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線；與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線；在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管；與薄膜晶體管的電極之一相連接的像素電極；與共用信號(hào)線相連接的共用電極；絕緣膜，其被夾持在掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、與像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間；和第一凹進(jìn)部分，其在形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板的表面上形成；與第一基板相對(duì)的第二基板，包含多個(gè)柱狀間隔物，其向第一基板突出，并且彼此高度幾乎相等，間隙，其在第一基板、和位于與第一凹進(jìn)部分對(duì)應(yīng)的位置處的柱狀間隔物的端部之間形成，和位于與達(dá)到第一基板的第一凹進(jìn)部分對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的柱狀間隔物；和被夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。
2.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，還包括第二凹進(jìn)部分，其在包括第一凹進(jìn)部分的區(qū)域內(nèi)的掃描信號(hào)線下方形成。
3.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，還包括第二凹進(jìn)部分，其在包括第一凹進(jìn)部分的區(qū)域內(nèi)的絕緣膜上形成。
4.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中第一凹進(jìn)部分深度從200到300納米。
5.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中液晶層包括具有在近似平行于第一基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的分子軸的液晶分子，該分子軸基于在像素電極和共用電極之間施加的電場(chǎng)而旋轉(zhuǎn)，該電場(chǎng)近似平行于第一基板的表面。
6.一種有源矩陣液晶顯示裝置，包括第一基板，包括掃描信號(hào)線；與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線；與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線；在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管；與薄膜晶體管的電極之一相連接的像素電極；與共用信號(hào)線相連接的共用電極；絕緣膜，其被夾持在掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、與像素電極和共用電極中至少一個(gè)之間；和基座，其在形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上形成，該基座是通過(guò)留下絕緣膜而形成的；與第一基板相對(duì)的第二基板，包括多個(gè)柱狀間隔物，其向第一基板突出，并且彼此高度基本相等，位于與達(dá)到第一基板的基座對(duì)應(yīng)的位置處的柱狀間隔物；和間隙，其在第一基板、和位于與基座所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的柱狀間隔物的端部之間；和被夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層。
7.如權(quán)利要求6的液晶顯示裝置，其中基座厚度從200到300納米。
8.權(quán)利要求6的液晶顯示裝置，其中液晶層包括具有在近似平行于第一基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的分子軸的液晶分子，該分子軸基于在像素電極和共用電極之間施加的電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)，且該電場(chǎng)近似平行于第一基板的表面。
9.一種制造有源矩陣液晶顯示裝置的方法，該有源矩陣液晶顯示裝置具有第一基板、與第一基板相對(duì)的第二基板、和夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層，該方法包括在第一基板上形成掃描信號(hào)線，與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線，與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線，在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管，與薄膜晶體管的電極之一相連接的像素電極，與共用信號(hào)線相連接的共用電極，位于掃描信號(hào)線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、與像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間的絕緣膜，和在形成有薄膜晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上的第一凹進(jìn)部分；和在與第一凹進(jìn)部分對(duì)應(yīng)的位置處的第二基板上的第一柱狀間隔物，該第一柱狀間隔物向第一基板突出，并在第一基板和第一柱狀間隔物的端部之間形成間隙，和在與第一凹進(jìn)部分所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的第二基板上的第二柱狀間隔物，該第二柱狀間隔物向第一基板突出并達(dá)到第一基板，第二柱狀間隔物的高度與第一柱狀間隔物的高度相等。
10.如權(quán)利要求9的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成第一凹進(jìn)部分的步驟包括在第一基板上通過(guò)蝕刻形成第二凹進(jìn)部分。
11.如權(quán)利要求9的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成第一凹進(jìn)部分的步驟包括通過(guò)蝕刻在絕緣膜上形成第二凹進(jìn)部分。
12.如權(quán)利要求9的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成第一凹進(jìn)部分的步驟包括形成接觸孔，以將像素電極與薄膜晶體管的源極連接起來(lái)，且，絕緣膜是在源極和像素電極之間形成的鈍化膜。
13.如權(quán)利要求9的制造液晶顯示裝置的方法，其中絕緣膜包括在共用信號(hào)線和共用電極之間形成的柵極絕緣膜，和鈍化膜，且其中形成第一凹進(jìn)部分的步驟包括形成接觸孔，以將共用信號(hào)線和共用電極連接起來(lái)。
14.如權(quán)利要求9的制造液晶顯示裝置的方法，其中液晶層包括具有在近似平行于第一基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的分子軸的液晶分子，該分子軸基于在像素電極和共用電極之間施加的電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)，且該電場(chǎng)近似平行于第一基板的表面。
15.一種制造有源矩陣液晶顯示裝置的方法，該有源矩陣液晶顯示裝置具有第一基板、與第一基板相對(duì)的第二基板、和夾持在第一基板和第二基板之間的液晶層，包括在第一基板上形成掃描信號(hào)線，與掃描信號(hào)線平行的共用信號(hào)線，與掃描信號(hào)線和共用信號(hào)線交叉的圖像信號(hào)線，在掃描信號(hào)線和圖像信號(hào)線的交叉點(diǎn)處形成的薄膜晶體管，與薄膜晶體管的電極之一連接的像素電極，與共用信號(hào)線連接的共用電極，位于掃描線、共用信號(hào)線和圖像信號(hào)線中的至少一個(gè)、和像素電極和共用電極中的至少一個(gè)之間的絕緣膜，和在通過(guò)留下絕緣膜而在形成有薄場(chǎng)晶體管的一側(cè)上的第一基板表面上形成的基座；和在與基座對(duì)應(yīng)的位置處的第二基板上的第一柱狀間隔物，該第一柱狀間隔物向第一基板突出且達(dá)到第一基板，和在與基座所對(duì)應(yīng)的位置不同的位置處的第二基板上的第二柱狀間隔物，該第二柱狀間隔物向第一基板突出，在第一基板和第二柱狀間隔物的端部之間形成間隙，且第二柱狀間隔物的高度等于第一柱狀間隔物的高度。
16.如權(quán)利要求1 5的制造液晶顯示裝置的方法，其中絕緣膜包括在圖像信號(hào)線和像素電極之間形成的光敏有機(jī)膜，且其中形成基座的步驟包括形成接觸孔，以將圖像信號(hào)線和像素電極連接起來(lái)。
17.如權(quán)利要求16的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成基座的步驟包括涂敷光敏有機(jī)膜；以第一光量曝光在第一區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，和以小于第一光量的第二光量曝光在形成有基座的第二區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，其中第一區(qū)域包括形成有接觸孔的區(qū)域、和對(duì)應(yīng)于第二柱狀間隔物的區(qū)域；和去除第一區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，并留下在第二區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜。
18.如權(quán)利要求15的制造液晶顯示裝置的方法，其中絕緣膜包括在圖像信號(hào)線和覆蓋圖像信號(hào)線的共用電極之間形成的光敏有機(jī)膜，且其中形成基座的步驟包括在圖像信號(hào)線上形成光敏膜。
19.如權(quán)利要求18的制造液晶顯示裝置的方法，其中形成基座的步驟包括涂敷光敏有機(jī)膜；以第一光量曝光第一區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，和以小于第一光量的第二光量曝光在形成有基座的第二區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，其中第一區(qū)域不包括圖像信號(hào)線，而包括對(duì)應(yīng)于第二柱狀間隔物的區(qū)域；和去除在第一區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜，并留下在第二區(qū)域內(nèi)的光敏有機(jī)膜。
20.如權(quán)利要求15的制造液晶顯示裝置的方法，其中液晶層包括具有在近似平行于第一基板的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的分子軸的液晶分子，該分子軸基于施加到像素電極和共用電極之間的電場(chǎng)旋轉(zhuǎn)，且該電場(chǎng)近似平行于第一基板的表面。
全文摘要
公開(kāi)了一種有源矩陣液晶顯示裝置，包括第一基板，與第一基板相對(duì)的第二基板和夾持在第一和第二基板之間的液晶層。第一基板包括掃描信號(hào)線；共用信號(hào)線；圖像信號(hào)線；薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；連接到共用信號(hào)線的共用電極；絕緣膜，其夾持在所述線和所述電極之間；和凹進(jìn)部分。該第二基板包括柱狀間隔物，向第一基板突出并且彼此高度幾乎相同。間隙被形成于第一基板和對(duì)應(yīng)于凹進(jìn)部分的位置處的柱狀間隔物端部之間。位于不同位置處的柱狀間隔物達(dá)到第一基板。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101089711SQ20071011011
公開(kāi)日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者今野隆之 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社