專利名稱：發(fā)光裝置及其制造方法和圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別涉及一種在發(fā)光元件的周圍具有 反射板的發(fā)光裝置、該發(fā)光裝置的制造方法和使用了該發(fā)光裝置的圖 像顯示裝置。
背景技術(shù)：
為提高LED芯片的亮度而在LED芯片的周圍設(shè)置反射板的發(fā)光裝 置已經(jīng)成為眾所周知的技術(shù)。
用樹脂形成上述反射板為主流技術(shù)。
另外，為提高反射率而由金屬形成上述反射板的發(fā)光裝置也已經(jīng) 成為眾所周知的技術(shù)。
日本國專利申請(qǐng)公開特開2005-294292號(hào)公報(bào)(
公開日2005年 10月20日，以下稱為"專利文獻(xiàn)1")揭示了一種用樹脂形成上述反 射板的技術(shù)。另外，專利文獻(xiàn)1、日本國專利申請(qǐng)公開特開2004-282004號(hào)公報(bào)(
公開日2004年10月7日，以下稱為"專利文獻(xiàn) 2")、日本國專利申請(qǐng)公開特開2000-58924號(hào)公報(bào)(
公開日2000 年2月25日，以下稱為"專利文獻(xiàn)3")、日本國專利申請(qǐng)公開特開 2003-243719號(hào)公報(bào)(
公開日2003年8月29日，以下稱為"專利文 獻(xiàn)4")、日本國專利申請(qǐng)公開特開2005-294786號(hào)公報(bào)(
公開日
2005年10月20日，以下稱為"專利文獻(xiàn)5")揭示了由金屬形成上述 反射板的技術(shù)。
但是，如下所述，上述現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光裝置和圖像顯示裝置存在 這樣的問題，即由于制造方法和特性上的局限性，而不能自由地減 d、反射板間隔或反射板厚度，從而難以實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。
便攜式電話等設(shè)備的薄型化也要求該設(shè)備的背光燈所使用的LED 實(shí)現(xiàn)薄型化。
上述現(xiàn)有技術(shù)中由樹脂形成LED芯片周圍的反射板的發(fā)光裝置存 在這樣的問題，即由于向LED芯片的斜上方發(fā)出的光的一部分會(huì)透 過樹脂壁，因此，降低了 LED芯片的發(fā)光的反射率。
另一方面，在LED芯片周圍的反射板采用金屬反射板的發(fā)光裝置 中，由于光的反射率高，所以，向LED芯片的斜上方發(fā)出的光被反射 到發(fā)光裝置的光出射方向上，從而能夠提高發(fā)光裝置的亮度。
但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，LED芯片周圍的反射板采用金屬反射 板的發(fā)光裝置一般通過光刻法或蝕刻法形成金屬反射板。上述專利文 獻(xiàn)2揭示了 一種通過蝕刻法形成LED芯片周圍的反射板的技術(shù)內(nèi)容。
當(dāng)如上所述地通過光刻法或蝕刻法形成金屬反射板時(shí)，通過腐蝕 金屬板形成作為金屬反射板的壁面，因此，壁面將形成為研缽狀。因 此，安裝LED芯片的基板周圍可能會(huì)變得狹窄。所以，要形成較大的 研缽狀的底面，就需要增大上述反射板的間隔。這樣，就會(huì)影響發(fā)光 裝置的薄型化。
另外，在上述專利文獻(xiàn)3中，通過沖壓加工薄金屬板來形成金屬反 射板，但是，在該情況下也難以在安裝LED芯片的基板附近垂直地折 彎金屬板。在上述專利文獻(xiàn)4中，通過鑄造加工來形成金屬反射板，但 是，在該情況下也難以將金屬板形成得垂直于LED芯片，所以，不能 通過減小上述反射板的間隔來實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題而進(jìn)行開發(fā)的，其目的在于提 供一種通過減小反射板間隔來實(shí)現(xiàn)薄型化的發(fā)光裝置、該發(fā)光裝置的 制造方法以及使用了該發(fā)光裝置的圖像顯示裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明的發(fā)光裝置構(gòu)成為在基板上設(shè)置有 發(fā)光元件和反射板，該反射板被設(shè)置在上述發(fā)光元件的兩側(cè)的至少一 側(cè)，上述發(fā)光元件的發(fā)光被上述反射板的內(nèi)壁反射后進(jìn)行出射，該發(fā) 光裝置的特征在于，上述反射板的內(nèi)壁被形成得垂直于上述基板。
根據(jù)上述發(fā)明，在設(shè)置發(fā)光元件的基板上具備垂直形成的反射板 的內(nèi)壁。即，能夠確保用于固定發(fā)光元件的區(qū)域，并且減小發(fā)光元件
周圍的空間。由于能夠確保必要的貼片區(qū)域并減小上述反射板間隔， 因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。
本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在以下的描述中會(huì)變得十分明 了。以下，參照附圖來明確本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意
圖，表示在預(yù)定位置通過切割加工裁斷圖8所示的反射板和第2樹脂層 的情況。
圖2是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示在第l樹脂層上形成金屬層后的狀態(tài)。
圖3是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示通過切割加工從圖2所示的金屬層側(cè)進(jìn)行切割，削去上述金屬 層和形成在其下方的第l樹脂層的一部分從而形成了反射板的狀態(tài)。
圖4是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示已被實(shí)施了安裝LED芯片所需的加工處理的第2樹脂層。
圖5是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示在圖3所示的第l樹脂層及反射板的上部貼合了圖4所示的第 2樹脂層的狀態(tài)。
圖6是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示在顛倒圖5所示的第l樹脂層、反射板和第2樹脂層從而使上 述第2樹脂層處在下方之后，再從上述反射板上除去上述第l樹脂層后 的狀態(tài)。
圖7是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示在圖6所示的第2樹脂層的預(yù)定^i置安裝了 LED芯片等所需 元件等的狀態(tài)。
圖8是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的示意 圖，表示用樹脂對(duì)在圖7中安裝的LED芯片等的上部進(jìn)行成型封裝的 狀態(tài)。
圖9是表示本發(fā)明的圖像顯示裝置的示意圖。
圖10是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示在預(yù)定位置通過切割加工裁斷圖17所示的反射板和第2樹脂 層的情況。
圖11是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示在第l樹脂層上形成了金屬層的狀態(tài)。
圖12是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示通過切割加工從圖11所示的金屬層側(cè)進(jìn)行切割，削去上述金 屬層和形成在其下方的第l樹脂層的一部分從而形成了反射板的狀態(tài)。
圖13是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示已被實(shí)施了要搭載并安裝LED芯片所需的加工處理的第2樹 脂層。
圖14是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示在圖12所示的第l樹脂層及反射板的上部貼合了圖13所示的 第2樹脂層的狀態(tài)。
圖15是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示在顛倒圖14所示的第l樹脂層、反射板和第2樹脂層從而使 上述第2樹脂層處在下方之后，再從上述反射板上除去上述第l樹脂層 后的狀態(tài)。
圖16是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示在圖15所示的第2樹脂層的預(yù)定位置安裝了 LED芯片等所需 元件等的狀態(tài)。
圖17是表示本發(fā)明的發(fā)光裝置的制造方法的另一實(shí)施方式的示意 圖，表示用樹脂對(duì)在圖16中安裝的LED芯片等的上部進(jìn)行成型封裝的 情況。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施方式l)
以下，根據(jù)圖1~9說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。 圖1是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的示意圖。在本實(shí)施方式的 發(fā)光裝置ll中，在第2樹脂層4上搭載有LED芯片7。另外，在上述
第2樹脂層4上設(shè)置有反射板2,在上述反射板2的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于反 射上述LED芯片7的出射光的反射面9。另外，用由樹脂8成型封裝 上述LED芯片7和上述反射板2。
上述第2樹脂層4是搭載本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的LED芯片7 的樹脂層，對(duì)其材質(zhì)并不作特別的限定。優(yōu)選諸如酚醛樹脂基板等的 樹脂基板、環(huán)氧玻璃樹脂基板等的基板。另外，第2樹脂層4相當(dāng)于本 發(fā)明所述的"基板"。
另外，連接LED芯片7的電極和上述金屬制的反射板2，可以將 一對(duì)上述反射板2作為本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的電極。
關(guān)于上述反射板2的材質(zhì)，只要是形成發(fā)光裝置11的反射面9的 材質(zhì)即可，并不對(duì)其作特別的限定?？筛鶕?jù)上述發(fā)光裝置11的發(fā)光波 長等選擇適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)，但優(yōu)選諸如銀等的材質(zhì)。
較之于樹脂材質(zhì)的反射板2，采用金屬材質(zhì)的反射板2能夠提高內(nèi) 壁對(duì)LED芯片的發(fā)光的反射率，其中，上述內(nèi)壁形成了反射面9。向 LED芯片的斜上方發(fā)出的光從下述開口面出射，即發(fā)光裝置ll的由 相鄰的上述反射面9形成并與第2樹脂層對(duì)置的開口面、以及發(fā)光裝置 11的由反射面9和第2樹脂層形成的開口面。具體而言，LED芯片的 發(fā)光被上述反射面9反射至樹脂8的頂面和側(cè)面，透過樹脂8的頂面和 側(cè)面后出射。因此，能夠提高發(fā)光裝置11的出光效率。
在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11中，利用切割機(jī)進(jìn)行切割加工，對(duì)上 述第2樹脂層4上形成的金屬層10實(shí)施切削處理從而形成上述反射板 2,上述反射面9形成在上述反射板2的內(nèi)側(cè)。通過切割加工，能夠?qū)?上述反射面9形成得垂直于金屬層10。這樣，上述反射面9可形成得 垂直于第2樹脂層。
另外，對(duì)用于成型封裝的樹脂8并不作特別限定，但優(yōu)選能夠?qū)?LED芯片7等實(shí)施機(jī)械保護(hù)并且能夠有效透過LED芯片7的發(fā)光的材 質(zhì)。例如，優(yōu)選環(huán)氧樹脂等。此外，也可以進(jìn)一步含有用于調(diào)整LED 芯片7的發(fā)光的構(gòu)件，例如，轉(zhuǎn)換LED芯片7的發(fā)光波長的熒光物質(zhì) 等。
如上所述，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11通過切割加工在反射板2上 形成反射面9,因此，較之于過去通過蝕刻加工形成反射面的結(jié)構(gòu)，能 夠以良好的加工精度形成反射面9。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行蝕刻加工時(shí)，由于腐蝕劑的活性等不同， 將導(dǎo)致金屬層的腐蝕量產(chǎn)生偏差。其結(jié)果，內(nèi)壁的厚度不均，固定 LED芯片的貼片區(qū)域的形狀就會(huì)出現(xiàn)偏差。即，LED芯片發(fā)光的取出 效率變得不穩(wěn)定。
另外，在原理上，蝕刻加工方法是通過腐蝕金屬板來形成反射面 的，所以，壁面將形成為研缽狀。因此，可能導(dǎo)致安裝LED芯片的基 板附近變得比較狹窄。
對(duì)此，如果按照實(shí)施方式所述那樣通過切割加工進(jìn)行切削，就能 夠垂直于第2樹脂層進(jìn)行切削。因此，內(nèi)壁可保持一定的厚度(等于反 射板2的厚度)，所以，LED芯片7發(fā)光的取出效率可保持穩(wěn)定。
另外，通過切割加工進(jìn)行切削，能夠垂直于第2樹脂層4地進(jìn)行切 削。即，固定LED芯片7等的貼片區(qū)域可保持一定的大小，并且，可 減小LED芯片7周圍的空間。因此，能夠確保必要的貼片區(qū)域并減小 上述反射板2的間隔。另外，因?yàn)榍懈罴庸さ募庸ぞ葍?yōu)于蝕刻加工的 加工精度，所以，能夠減小上述反射板2形成時(shí)的必要加工誤差。因此 ,能夠較大地設(shè)定LED芯片7等在貼片工序中的偏差容許值。
另外，也可以為，在通過切割加工形成上述反射面9后，對(duì)該反射 面9進(jìn)一步實(shí)施蝕刻加工處理。
通過切割加工進(jìn)行切削處理后，成為反射面9的切削面有時(shí)會(huì)^L損 傷，這將導(dǎo)致照射在反射面9上的光發(fā)生漫射現(xiàn)象。例如，從切削面的 斜下方照射的光在反射后不一定向斜上方出射。
另一方面，通過對(duì)所形成的上述反射面9進(jìn)行蝕刻加工，可形成光 滑的反射面9。即，通過對(duì)上述切削面(即，反射面9)進(jìn)行蝕刻加工 而形成光滑的切削面，能夠向斜上方高精確地反射從斜下方入射的光 。其結(jié)果，能夠盡可能不使光發(fā)生漫射地以較短距離將光導(dǎo)出至樹脂8 的頂面和側(cè)面。即，能夠有效地控制LED芯片7的發(fā)光的反射方向， 從而可提高發(fā)光裝置11的出光效率。 另外，在上述實(shí)施方式中，成為上述發(fā)光裝置11的反射板2的構(gòu) 件采用了金屬層10，以此為例進(jìn)行了說明。但是，也可以用樹脂層代 替上述金屬層10。
另外，也可以對(duì)上述反射面9實(shí)施鍍敷處理。上述反射面9的內(nèi)壁 被鍍敷金屬，可有效地反射LED芯片7的發(fā)光。因此，能夠提高反射 率，從而提高發(fā)光裝置11的出光效率。并不對(duì)鍍敷的金屬進(jìn)行特別限 制，但優(yōu)選根據(jù)上述發(fā)光裝置11的發(fā)光波長等來選擇適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)。例 如，優(yōu)選銀等金屬。
以下，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法。
圖2是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法的示意圖，表示 在第l樹脂層l上形成了金屬層IO的狀態(tài)。
第1樹脂層1是在制造本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11時(shí)使用的構(gòu)件， 對(duì)其材質(zhì)并不作特別的限制。另外，金屬層IO形成在第1樹脂層1上 。第l樹脂層1優(yōu)選采用不會(huì)腐蝕上述金屬層IO的材質(zhì)。另外，第1 樹脂層l優(yōu)選在分離上述金屬層IO和上述第l樹脂層1時(shí)上述第l樹 脂層1不會(huì)附著在上述金屬層IO上的材質(zhì)。另外，"第l樹脂層"相 當(dāng)于本發(fā)明所述的"樹脂層"，"金屬層10"相當(dāng)于本發(fā)明所述的" 反射板層"。
通過切割加工來切削上述第1樹脂層1和金屬層10。在借助于切 割加工進(jìn)行切削時(shí)，例如，用膠帶將上述第l樹脂層1固定在操作臺(tái)等 上，然后進(jìn)行切割加工即可。
圖3是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法的示意圖，表示 通過切割加工從上述金屬層IO側(cè)進(jìn)行切割，削去上述金屬層IO和形成 在其下方的第l樹脂層1的一部分從而形成反射板2的狀態(tài)。
在通過切削而形成的凹部3中，形成搭載有LED芯片7的發(fā)光裝 置ll的內(nèi)面，該內(nèi)面成為反射面9。
圖4是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法的示意圖，表示 已被實(shí)施了要搭載并安裝LED芯片7所需的加工處理的第2樹脂層4
在圖4中表示了預(yù)先形成的金屬圖形6和圖形5,其中，金屬圖形 6是與反射板2接合的部分，圖形5是在LED芯片7安裝后用于進(jìn)行 安裝的部分。
在上述第2樹脂層4上形成有在搭載LED芯片7后用于進(jìn)行安裝 的配線和用于搭載相關(guān)元件的配線等。另外，金屬圖形6是接合上述第 2樹脂層和上述反射板2的部分，優(yōu)選的是，對(duì)金屬圖形6進(jìn)行加工處 理使得能夠貼合上述第2樹脂層和上述反射板2。
另外，可以將連接LED芯片7的電極連接至上述金屬制的反射板 2,將一對(duì)上述反射板2作為本實(shí)施方式的發(fā)光裝置ll的電極。
接著，將上述第2樹脂層4和上述反射板2對(duì)置，并將上述第2樹 脂層和上述反射板2貼合在一起。
圖5是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法的示意圖，表示 在圖3所示的第l樹脂層l及反射板2的上部貼合了上述第2樹脂層4 的狀態(tài)。上述第2樹脂層4和上述反射板2貼合在一起，并使得如圖4 中所示的在LED芯片7安裝后用于進(jìn)行安裝的部分等與上述反射板.2 對(duì)置。
并不對(duì)上述第2樹脂層和上述反射板2的貼合方法作特別的限制， 例如，可利用粘合劑粘合的方法、釬焊接合反射板2和第2樹脂層4上 預(yù)先形成的金屬圖形6的方法等。在上述通過釬焊接合的情況下，也可 以在上述反射板2上，或者在上述第2樹脂層4的預(yù)先形成的金屬圖形 6上形成釬焊層?？赏ㄟ^焊料鍍敷來形成上述釬焊層。優(yōu)選的是，在上 述工序中對(duì)上述第2樹脂層4與上述反射板2接觸并貼合的部位實(shí)施適 于貼合方法的加工處理。
接著，顛倒圖5所示的第l樹脂層、反射板2和第2樹脂層4從而 將上述第2樹脂層4配置在下方。
圖6是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置11的制造方法的示意圖，表示 在顛倒圖5所示的第l樹脂層1、反射板2和第2樹脂層4從而將上述 第2樹脂層4配置在下方之后，再從上述反射板2上除去上述第l樹脂 層l后的狀態(tài)。
然后，如圖7所示，在第2樹脂層4上的用于進(jìn)行安裝的圖形5上
安裝LED芯片7等的所需元件，從而形成具有多個(gè)LED芯片7的平面 狀發(fā)光裝置IIA，之后，如圖8所示，用樹脂8對(duì)安裝了 LED芯片7 等的槽內(nèi)(凹部3A)實(shí)施成型封裝。
然后，如圖l所示，在預(yù)定位置通過切割加工裁斷圖8所示的由樹 脂8成型封裝的上述反射板2和上述第2樹脂層4，從而分離成單個(gè)的 發(fā)光元件。在通過切割加工進(jìn)行裁斷時(shí)，例如，用膠帶將上述第2樹脂 層4固定在操作臺(tái)等上進(jìn)行切割加工即可。
如上所述，在本實(shí)施方式中，通過切割加工形成發(fā)光裝置的反射 板，所以具有反射板的發(fā)光裝置能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。周此，本發(fā)明可用 于具有LED芯片的發(fā)光裝置等的各種發(fā)光裝置及其部件的制造領(lǐng)域。 另外，諸如液晶電視機(jī)、PC監(jiān)視器、便攜式電話等應(yīng)用了本發(fā)明的顯 示裝置中的背光燈等能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
另外，在上述實(shí)施方式中，通過切割加工切削上述第l樹脂層1和 金屬層10而形成了成為反射板的內(nèi)壁表面。也可以對(duì)通過切割加工進(jìn) 行切削后所形成的上述內(nèi)壁實(shí)施蝕刻加工。
即，在本實(shí)施方式的方法中通過切割加工來切削成為發(fā)光裝置的 反射板的構(gòu)件，所以，具有反射板的發(fā)光裝置能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。進(jìn)而 ,諸如液晶電視機(jī)、PC監(jiān)視器等應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置中的背光燈 等能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
圖9是表示本實(shí)施方式的圖像顯示裝置12的示意圖。圖像顯示裝 置12具有液晶面板13和背光燈14。在背光燈14內(nèi)設(shè)置有本實(shí)施方式 的發(fā)光裝置ll作為背光燈14的光源。
如上所述，在本實(shí)施方式中，通過切割加工形成發(fā)光裝置的反射 板，所以具有反射板的發(fā)光裝置能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。因此，本發(fā)明可用 于具有LED芯片的發(fā)光裝置等的各種發(fā)光裝置及其部件的制造領(lǐng)域。 另外，諸如液晶電視機(jī)、PC監(jiān)視器、便攜式電話等應(yīng)用了本發(fā)明的顯 示裝置中的背光燈等能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。 (實(shí)施方式2)以下，根據(jù)圖10~ 17說明本發(fā)明的另一實(shí)施方式。在實(shí)施方式1 中，說明了在LED芯片的兩側(cè)設(shè)置反射板的結(jié)構(gòu)。但并不限于此，也 可在LED芯片的兩側(cè)的任意 一側(cè)、即，LED芯片的 一側(cè)設(shè)置反射板。
圖IO是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的示意圖。在本實(shí)施方式的 發(fā)光裝置31的第2樹脂層24上搭載有LED芯片27。另外，在上述第 2樹脂層24上設(shè)置有反射板22，在上述反射板22的內(nèi)側(cè)設(shè)置有用于反 射上述LED芯片27的發(fā)光的反射面29。另外，由樹脂28成型封裝上 述LED芯片27和上述反射板22。
在本實(shí)施方式中，僅在LED芯片27的一側(cè)設(shè)置反射板22。另外 ，反射板22、第2樹脂層24和樹脂28的材質(zhì)分別與實(shí)施方式1中的 反射板2、第2樹脂層4和樹脂8相同。LED芯片27也與實(shí)施方式1 中的LED芯片7相同。
以下，說明本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法。
圖ll是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法的示意圖，表示 在第1樹脂層21上形成了金屬層30的狀態(tài)。
第l樹脂層21和金屬層30的材質(zhì)與圖2所示的第l樹脂層l和金 屬層10大致相同。
圖12是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法的示意圖，表示 通過切割加工從上述金屬層30側(cè)進(jìn)行切割，削去上述金屬層30和形成 在其下方的第l樹脂層21的一部分從而形成了反射板22的狀態(tài)。
在通過切割形成的凹部23中，形成搭載LED芯片27的發(fā)光裝置 31的內(nèi)面，該內(nèi)面成為反射面29。另外，凹部23比圖3所示的凹部3 更寬，反射板22也比圖3所示的反射板2更寬。
圖13是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法的示意圖，表示 已被實(shí)施了要搭載并安裝LED芯片27所需的加工處理的第2樹脂層24。
在第2樹脂層24上設(shè)有在LED芯片27安裝后用于進(jìn)行安裝的圖 形25、以及與反射板22接合的金屬圖形26。在圖4中，在金屬圖形6 之間設(shè)置一列圖形5。而在圖13中，在金屬圖形26之間設(shè)有兩列圖形25。
接著，將上述第2樹脂層24和上述反射板22對(duì)置，并將上述第2 樹脂層24和上述反射板22貼合在一起。
圖14是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法的示意圖，表示 在圖12所示的第1樹脂層21及反射板22的上部貼合了上述第2樹脂 層24的狀態(tài)。上述第2樹脂層24和上述反射板22貼合在一起，并使 得圖13所示的在LED芯片27安裝后用于進(jìn)行安裝的部分等與上述反 射板22對(duì)置。
接著，顛倒圖14所示的第l樹脂層21、反射板22和第2樹脂層 24從而將上述第2樹脂層24配置在下方。
圖15是表示本實(shí)施方式的發(fā)光裝置31的制造方法的示意圖，表示 在顛倒圖14所示的第l樹脂層21、反射板22和第2樹脂層24從而將 上述第2樹脂層24配置在下方之后，再從上述反射板22上除去上述第 1樹脂層21后的狀態(tài)。
然后，如圖16所示那樣，在第2樹脂層24上的用于進(jìn)行安裝的圖 形25上安裝LED芯片27等的所需元件，從而形成具有多個(gè)LED芯片 27的平面狀發(fā)光裝置31A,之后，如圖17所示，用樹脂28對(duì)安裝了 LED芯片7等的槽內(nèi)(凹部23A和L字部23B)實(shí)施成型封裝。
然后，如圖IO所示，在預(yù)定位置通過切割加工裁斷圖17所示的由 樹脂28成型封裝后的上述反射板22和上述第2樹脂層24，從而分離 成單個(gè)的發(fā)光元件。在通過切割加工進(jìn)行裁斷時(shí)，例如，用膠帶將上 述第2樹脂層24固定在操作臺(tái)等上進(jìn)行切割加工即可。
另外，圖9所示的圖像顯示裝置12可以具有本實(shí)施方式的發(fā)光裝 置31作為背光燈14的光源。
如上所述，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，上述反射板的內(nèi)壁被形 成得垂直于上述基板。
另外，如上所述，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法為，通過切 割加工來切削上述反射板層，從而形成上述反射板的內(nèi)壁。
另外，如上所述，本實(shí)施方式的圖像顯示裝置使用了上述發(fā)光裝置。
根據(jù)本實(shí)施方式的方法，由于通過切割加工來形成上述反射板的 內(nèi)壁，所以，較之于過去的蝕刻加工技術(shù)，能夠以良好的加工精度形 成反射面。
另外，通過切割加工進(jìn)行切削，能夠垂直地切削反射板的內(nèi)壁。 因此，上述反射板能夠保持一定的厚度，從而發(fā)光元件發(fā)光的取出效 率可保持穩(wěn)定。
另外，由于反射板的內(nèi)壁被形成得垂直于設(shè)置發(fā)光元件的基板， 所以，能夠確保用于固定發(fā)光元件的區(qū)域，并且減小發(fā)光元件周圍的 空間。由于能夠使得固定上述發(fā)光元件等的貼片區(qū)域保持一定的大小 ，所以，可確保必要的貼片區(qū)域并減小上述反射板的間隔。即，能夠 實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。
另外，因?yàn)榍懈罴庸さ募庸ぞ葍?yōu)于現(xiàn)有技術(shù)的蝕刻加工的加工 精度，所以能夠減小上述反射板的內(nèi)壁形成時(shí)的必要加工誤差。因此 ，可在貼片鍵合上述發(fā)光元件等的工序中較大地設(shè)定偏差容許值。
另外，由于本實(shí)施方式的圖像顯示裝置使用了上述發(fā)光裝置，所 以，圖像顯示裝置能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
因此，本發(fā)明起到這樣的效果，即，能夠提供一種可減小反射板 間隔從而實(shí)現(xiàn)薄型化的發(fā)光裝置、該發(fā)光裝置的制造方法以及使用了 該發(fā)光裝置的圖像顯示裝置。
另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，優(yōu)選的是，上述發(fā)光元件為
LED元件；通過切割加工形成上述反射板的內(nèi)壁。
另外，為了解決上述課題，本實(shí)施方式的圖像顯示裝置的特征在 于，使用了上述發(fā)光裝置。
根據(jù)上述發(fā)明，在設(shè)置發(fā)光元件的基板上具備垂直形成的反射板 的內(nèi)壁。即，能夠確保用于固定發(fā)光元件的區(qū)域并減小發(fā)光元件周圍 的空間。這樣，由于能夠確保所需的貼片區(qū)域并減小上述反射板的間 隔，因此，可實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的薄型化。
另外，由于本實(shí)施方式的圖像顯示裝置使用了上述發(fā)光裝置，所 以能夠?qū)崿F(xiàn)圖像顯示裝置的薄型化。
另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，上述反射板的內(nèi)壁優(yōu)選由金 屬形成。
由于反射板的內(nèi)壁由金屬形成，所以能夠以較高的反射率反射上 述發(fā)光元件的發(fā)光，使其出射到發(fā)光裝置的由上述反射板形成并與上 述基板對(duì)置的開口面以及發(fā)光裝置的由上述反射板和上述基板形成的 開口面。
另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，優(yōu)選的是，在通過切割加工 形成上述反射板的內(nèi)壁后，對(duì)其進(jìn)一步實(shí)施蝕刻加工處理。
根據(jù)上述，在通過切割加工形成反射板后，對(duì)上述反射板的內(nèi)壁 進(jìn)一步實(shí)施蝕刻加工處理，因此，能夠形成光滑的切削面。通過形成 光滑的切削面，能夠盡可能不使發(fā)光元件的發(fā)光發(fā)生漫射地以較短距 離將其導(dǎo)出至發(fā)光裝置的由上述反射板形成并與上述基板對(duì)置的開口 面以及發(fā)光裝置的由上述反射板和上述基板形成的開口面。
另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，優(yōu)選進(jìn)一步對(duì)上述反射板的 內(nèi)壁進(jìn)行金屬鍍敷處理，并優(yōu)選鍍銀。
根據(jù)上述，通過對(duì)反射板的內(nèi)壁實(shí)施金屬鍍敷處理，可有效地反 射發(fā)光元件的發(fā)光。即，能夠提高發(fā)光裝置的出光效率。
另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置中，優(yōu)選的是， 一對(duì)上述反射板 的內(nèi)壁分別與上述發(fā)光元件的電極電連接。
由此，通過電連接反射板和電極，可使得LED芯片的熱量容易從 電極進(jìn)行傳導(dǎo)。
為了解決上述課題，本實(shí)施方式提供一種發(fā)光裝置的制造方法， 在該發(fā)光裝置中的發(fā)光元件的兩側(cè)的至少一側(cè)具有反射板，該制造方 法的特征在于，包括在樹脂層上形成反射板層的步驟；切削上述反 射板層至上述樹脂層為止，從而形成上述反射板的步驟；接合基板和 上述反射板的步驟,其中，該基板和上述樹脂層對(duì)置并夾持上述反射 板；從上述反射板上除去上述樹脂層的步驟；以及在上述基板的反射 板側(cè)的表面安裝上述發(fā)光元件的步驟，其中，在切削上述反射板層至 上述樹脂層為止從而形成上述反射板的步驟中，通過切割加工來切削 上述反射板層從而形成上述反射板的內(nèi)壁。另外，在本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述 反射板由金屬構(gòu)成，將上述反射板的內(nèi)壁形成得垂直于上述基板。
根據(jù)上述發(fā)明，通過切割加工形成上述反射板的內(nèi)壁。因此，較 之于過去通過蝕刻加工的技術(shù)，能夠以良好的加工精度來形成上述反 射板的內(nèi)壁。
另外，通過切割加工，能夠垂直地切削反射板的內(nèi)壁。因此，上 述反射板能夠保持一定的厚度，從而發(fā)光元件發(fā)光的取出效率可保持 穩(wěn)定。
由于上述反射板的內(nèi)壁由金屬形成，所以能夠以較高的反射率反 射上述發(fā)光元件的發(fā)光，使其出射到發(fā)光裝置的由上述反射板形成并 與上述基板對(duì)置的開口面以及發(fā)光裝置的由上述反射板和上述基板形 成的開口面。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，在接合基板 和上述反射板的步驟中，包括在接合之前預(yù)先在上述基板和上述反射 板的接合面上形成由焊料鍍敷構(gòu)成的釬焊層的步驟,其中，上述基板 和上述樹脂層對(duì)置并夾持上述反射板。
在上述專利文獻(xiàn)5中，用釬焊或金屬膏將由金屬材質(zhì)構(gòu)成的反射構(gòu) 件固定在電路基板上。而根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過鍍敷釬焊，將反射板形 成在基板上。因此，無需象專利文獻(xiàn)5那樣用焊料或金屬膏進(jìn)行固定。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，在切削上述 反射板層至上述樹脂層為止從而形成上述反射板的步驟中，通過切割 加工切削上述反射板層，之后，進(jìn)一步實(shí)施蝕刻處理，從而形成上述 反射板的內(nèi)壁。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，還包括對(duì)上 述反射板的內(nèi)壁實(shí)施金屬鍍敷的步驟。
并且，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，上述金屬鍍 敷為鍍銀。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述基板 的反射板側(cè)的表面上安裝上述發(fā)光元件的步驟中安裝多個(gè)上述發(fā)光元 件；還包括將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有l(wèi)個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置的 步驟。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述基板 的反射板側(cè)的表面上安裝上述發(fā)光元件的步驟中，在反射板之間設(shè)置1
列上述發(fā)光元件；在將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有l(wèi)個(gè)發(fā)光元件的發(fā) 光裝置的步驟中，在通過上述反射板、垂直于上述基板的表面且平行 于上述發(fā)光元件的列方向的面以及通過上述發(fā)光元件之間、垂直于上 述基板的表面且垂直于上述發(fā)光元件的列方向的面切割上述發(fā)光裝置 ,從而將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)在發(fā)光元件的兩側(cè)具有反射板的發(fā) 光裝置。
另外，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的制造方法優(yōu)選的是，在上述基板 的反射板側(cè)的表面安裝上述發(fā)光元件的步驟中，在反射板之間配置兩 列上述發(fā)光元件；在將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有l(wèi)個(gè)發(fā)光元件的發(fā) 光裝置的步驟中，在通過上述反射板并垂直于上述基板的表面且平行 于上述發(fā)光元件的列方向的面、通過上述發(fā)光元件之間并垂直于上述 基板的表面且平行于上述發(fā)光元件的列方向的面、以及通過上述發(fā)光
面切割上述發(fā)光裝置，從而將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)在發(fā)光元件的 一側(cè)具有反射板的發(fā)光裝置。
以上，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，上述具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├?僅僅是揭示本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的示例，本發(fā)明并不限于上述具體示 例，不應(yīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行狹義的解釋，可在本發(fā)明的精神和本發(fā)明的范 圍內(nèi)進(jìn)行各種變更來實(shí)施之。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光裝置，在基板上設(shè)置有發(fā)光元件和設(shè)置在上述發(fā)光元件的兩側(cè)中的至少一側(cè)的反射板，從上述發(fā)光元件發(fā)出的光被上述反射板的內(nèi)壁反射后進(jìn)行出射，該發(fā)光裝置的特征在于上述反射板的內(nèi)壁被形成為垂直于上述基板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述發(fā)光元件是LED元件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述反射板的內(nèi)壁是通過切割加工形成的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述反射板的內(nèi)壁由金屬構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述反射板的內(nèi)壁是在切割加工后進(jìn)一步實(shí)施蝕刻而形成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述反射板的內(nèi)壁被進(jìn)一步實(shí)施金屬鍍敷處理。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于 上述金屬鍍敷為鍍銀。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于 一對(duì)上述反射板分別與上述發(fā)光元件的電極電連接。
9. 一種發(fā)光裝置的制造方法，該發(fā)光裝置在發(fā)光元件的兩側(cè)中的 至少一側(cè)具有反射板，該發(fā)光裝置的制造方法的特征在于，包括在樹脂層上形成反射板層的步驟；切削上述反射板層至上述樹脂層以形成上述反射板的步驟； 接合基板和上述反射板的步驟，其中，該基板和上述樹脂層隔著上述反射板對(duì)置；從上述反射板上除去上述樹脂層的步驟；以及 在上述基板的反射板側(cè)的表面安裝上述發(fā)光元件的步驟， 其中，在切削上述反射板層至上述樹脂層以形成上述反射板的步驟中，通過切割加工來切削上述反射板層，形成上述反射板的內(nèi)壁。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于 上述反射板由金屬形成， 垂直于上述基板形成上述反射板的內(nèi)壁。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于在接合隔著上述反射板與上述樹脂層對(duì)置的基板和上述反射板的步 驟中，包括在接合之前預(yù)先在上述基板的和上述反射板的接合面上形 成由焊料鍍敷構(gòu)成的釬焊層的步驟。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于 在切削上述反射板層至上述樹脂層以形成上述反射板的步驟中，在.通過切割加工切削上述反射板層之后，通過進(jìn)一步實(shí)施蝕刻處理來形 成上述反射板的內(nèi)壁。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9~12中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置的制造方 法，其特征在于還包括對(duì)上述反射板的內(nèi)壁實(shí)施金屬鍍敷的步驟。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于 上述金屬鍍敷為鍍銀。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于多個(gè)上述發(fā)光元件；還包括將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置的 步驟。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于 在上述基板的反射板側(cè)的表面上安裝上述發(fā)光元件的步驟中，在反射板之間配置 一 列上述發(fā)光元件，在將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置的步驟的列方向的面、以及通過上述發(fā)光元件之間垂直于上述基板的表面且 垂直于上述發(fā)光元件的列方向的面來切割上述發(fā)光裝置，由此將上述 發(fā)光裝置分割成多個(gè)在發(fā)光元件的兩側(cè)具有反射板的發(fā)光裝置。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于 在上述基板的反射板側(cè)的表面上安裝上述發(fā)光元件的步驟中，在反射板之間配置兩列上述發(fā)光元件；在將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)具有一個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光裝置的步驟的列方向的面、通過上述發(fā)光元件之間垂直于上述基板的表面且平行 于上述發(fā)光元件的列方向的面、以及通過上述發(fā)光元件之間垂直于上 述基板的表面且垂直于上述發(fā)光元件的列方向的面來切割上述發(fā)光裝 置，由此將上述發(fā)光裝置分割成多個(gè)在發(fā)光元件的一側(cè)具有反射板的 發(fā)光裝置。
18. —種使用了發(fā)光裝置的圖像顯示裝置，在該發(fā)光裝置中，在 基板上設(shè)置有發(fā)光元件和設(shè)置在上述發(fā)光元件的兩側(cè)中的至少一側(cè)的 反射板，從上述發(fā)光元件發(fā)出的光被上述反射板的內(nèi)壁反射后進(jìn)行出 射，上述反射板的內(nèi)壁被形成為垂直于上述基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可減小反射板間隔從而實(shí)現(xiàn)薄型化的發(fā)光裝置、該發(fā)光裝置的制造方法以及使用了該發(fā)光裝置的圖像顯示裝置。在本發(fā)光裝置中，在第2樹脂層(4)上設(shè)置有LED芯片(7)和反射板(2)，該反射板(2)被設(shè)置在上述LED芯片(7)的兩側(cè)，上述LED芯片(7)的發(fā)光被上述反射板(2)的反射面(9)反射。在本發(fā)光裝置中，反射板(2)的反射面(9)被形成得垂直于設(shè)置LED芯片(7)的第2樹脂層(4)。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101174666SQ200710184868
公開日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月31日
發(fā)明者太田清久, 竹本理史, 緒方伸夫 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社