專利名稱：液晶顯示裝置及其缺陷修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置及其缺陷修復(fù)方法，特別涉及具有有源元件的液晶顯示裝置及其缺陷修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
具有作為有源元件的TFT(Thin Film Transistor薄膜晶體管)的液晶顯示裝置中，一般地像素被設(shè)置成矩陣狀。而且，在各個像素中分別設(shè)置像素電極和對寫入到該像素電極的電壓進行控制的TFT。并且，TFT的控制信號從柵極布線供給，寫入到像素電極的電壓從源極布線供給。
但是，在安裝有多個經(jīng)復(fù)雜的制造工藝而形成的TFT的液晶顯示裝置中，要無缺陷地制造全部的TFT是困難的。因此，需要修復(fù)有缺陷的TFT以提高液晶顯示裝置的制造成品率。作為其修復(fù)方法，有在液晶顯示裝置中設(shè)置冗余TFT結(jié)構(gòu)的方法。
具體地說，是在專利文獻1中記載的如下結(jié)構(gòu)在設(shè)置在陣列襯底的柵極布線與源極布線的交點處的各像素中，設(shè)置進行常規(guī)驅(qū)動的TFT和備用TFT。因此，在該液晶顯示裝置中，在進行常規(guī)驅(qū)動的TFT有缺陷的情況下，對備用TFT的漏電極與像素電極的重疊部分施加激光等光能，使漏電極與像素電極電連接，由備用TFT來驅(qū)動像素。即，在專利文獻1中，通過將有缺陷的TFT替換為備用TFT，由此，使點缺陷得到修復(fù)。
專利文獻1特開平4-149411號公報但是，在專利文獻1所示的現(xiàn)有的冗余TFT結(jié)構(gòu)中，在正常像素與修復(fù)后的像素(以下，也稱為修復(fù)像素)之間，像素電極與柵電極間的寄生電容Cgd不同。因此，即使施加相同的電壓，在正常像素與修復(fù)像素之間，保持電壓也不同，在正常像素與修復(fù)像素之間產(chǎn)生亮度差。即，由于在正常像素與修復(fù)像素之間視覺辨認度不同，所以，無法修復(fù)成與正常像素相同的顯示品質(zhì)。
并且，在現(xiàn)有的冗余TFT結(jié)構(gòu)的情況下，由于在一個像素上連接2個TFT，所以，寄生電容Cgd增大至約2倍，液晶的保持電壓降低。其結(jié)果是，產(chǎn)生顯示不均勻等顯示品質(zhì)的降低。另外，由于柵極布線或源極布線的布線負載電容也增加至約2倍，所以，若將現(xiàn)有的冗余TFT結(jié)構(gòu)應(yīng)用于高分辨率的液晶顯示裝置中，往往會發(fā)生由驅(qū)動信號的延遲等引起的顯示不均勻。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可將起因于TFT的點缺陷修復(fù)成正常像素并且顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置及其缺陷修復(fù)方法。
本發(fā)明的液晶顯示裝置包括多條柵極布線；與上述柵極布線正交地設(shè)置的多條源極布線；多個像素電極，和上述柵極布線與上述源極布線的交叉部對應(yīng)，設(shè)置成矩陣狀；為每個上述像素電極配置的第一TFT部，具有與上述柵極布線連接的第一柵電極、與上述源極布線連接的第一源電極、與上述像素電極連接的第一漏電極；為每個上述像素電極配置的第二TFT部，具有第二柵電極、第二源電極和第二漏電極，其中，上述第二TFT部不具有在平面上與上述柵極布線以及上述像素電極之中至少一個重疊的部分，上述第二柵電極與上述柵極布線間以及上述第二漏電極與上述像素電極間的至少其中之一未進行電連接。
在本發(fā)明所述的液晶顯示裝置中，第二TFT部不具有在平面上與柵極布線以及像素電極之中至少一個重疊的部分，第二柵電極與柵極布線間以及第二漏電極與像素電極間的至少其中之一未進行電連接，所以，可提供一種將起因于TFT的點缺陷修復(fù)成正常像素并且顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。


圖1是表示本發(fā)明實施方式1的液晶顯示裝置的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是表示本發(fā)明實施方式1的液晶顯示裝置的修復(fù)處理后的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是表示本發(fā)明實施方式1的液晶顯示裝置的驅(qū)動波形的圖。
圖4是表示本發(fā)明實施方式1的液晶顯示裝置的一個像素的等效電路的電路圖。
圖5是表示本發(fā)明實施方式1的液晶顯示裝置的修復(fù)處理后的一個像素的等效電路的電路圖。
圖6是表示本發(fā)明實施方式2的液晶顯示裝置的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖7是表示本發(fā)明實施方式3的液晶顯示裝置的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖8是表示本發(fā)明實施方式4的液晶顯示裝置的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明實施方式5的液晶顯示裝置的一個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實施例方式
實施方式1使用圖1、2說明本實施方式的液晶顯示裝置。圖1是表示具有冗余TFT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中的缺陷修復(fù)前的1個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。另外，圖2是表示圖1的液晶顯示裝置中的缺陷修復(fù)后的1個像素結(jié)構(gòu)的平面圖。首先，在圖1中，以交叉的方式設(shè)置柵極布線1與源極布線2，在該交叉部附近設(shè)置TFT3，該TFT3用于常規(guī)的驅(qū)動。在該TFT 3中，設(shè)置用于與源極布線2連接的源電極4、通過接觸孔6與像素電極12連接的漏電極5。使用柵極布線1作為TFT3的柵電極。
并且，在本實施方式的液晶顯示裝置中，由于具有冗余TFT結(jié)構(gòu)，所以，除了在常規(guī)的驅(qū)動中所使用的TFT之外，還包括備用的TFT。在圖1中，在源極布線2與TFT3之間設(shè)置備用的TFT7。在該TFT 7中，包括未與柵極布線1連接的柵電極8、未與源極布線2連接的源電極9和通過接觸孔11與像素電極12連接的漏電極10。
另外，如圖1所示，本實施方式的備用的TFT7不具有在平面上與柵極布線1重疊的部分，具有未與柵極布線1電連接的柵電極8。并且，由于TFT3以及TFT7的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的TFT的結(jié)構(gòu)大致相同，所以，不特別地進行詳細的說明。
可以在玻璃襯底上重復(fù)進行多次成膜、照相制版，由此，形成圖1所示的圖形。具體地說，在玻璃襯底上，除了圖1所示的柵極布線1、源極布線2、漏電極5、10、像素電極12以外，還形成有未圖示的柵極絕緣膜、非晶Si等半導(dǎo)體層、保護膜。圖1所示的玻璃襯底形成本實施方式的液晶顯示裝置的陣列襯底。并且，對于液晶顯示裝置來說，除了陣列襯底以外，還具有在玻璃襯底上形成有濾色片等的對置襯底，但是，由于這不是本發(fā)明的本質(zhì)部分，故省略其詳細的說明。
然后，在制造步驟中所設(shè)置的陣列檢查裝置對已完成的陣列襯底進行電學(xué)的或光學(xué)的檢查，由此，檢測圖形不良等的TFT缺陷。當(dāng)存在缺陷的情況下，將陣列襯底運送到激光修復(fù)裝置。該激光修復(fù)裝置根據(jù)從上述的陣列檢查裝置發(fā)送到主服務(wù)器的缺陷位置信息，可即時地移動到缺陷位置，從而可通過目視確認檢測出的TFT缺陷。
在通過TFT缺陷的目視確認判斷為可修復(fù)的情況下，用激光修復(fù)裝置進行如下的缺陷修復(fù)處理(修復(fù)處理)。首先，將被判定為TFT缺陷的、用于常規(guī)驅(qū)動的TFT3斷開。具體地說，用激光等將TFT3的漏電極5與接觸孔6之間切斷。在圖2中，在TFT3的漏電極5與接觸孔6之間形成切斷部13。由此，漏電極5與像素電極12的電連接被切斷。
其后，用激光CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相淀積)等部分成膜方法連接?xùn)艠O布線1與TFT7的柵電極8。在圖2中，用部分成膜部14連接?xùn)艠O布線1與柵電極8。同樣地，用激光CVD等部分成膜方法連接源極布線2與TFT7的源電極9。在圖2中，用部分成膜部15連接源極布線2與源電極9。通過設(shè)置部分成膜部14、15，TFT7可對像素電極12施加預(yù)定的電壓，與TFT3所驅(qū)動的其它像素同樣地進行驅(qū)動。
在進行了以上的修復(fù)處理后，使陣列襯底與形成有濾色片、對置電極等的對置襯底重疊，形成液晶面板。向該液晶面板注入液晶，并組裝偏振片、驅(qū)動IC和背光源等，完成液晶顯示裝置。
對進行了上述修復(fù)處理(點缺陷修復(fù))的像素與正常像素的電特性進行比較。首先，圖3示出了1個像素的驅(qū)動波形。在圖3中，圖示了低電平為Vgl、高電平為Vgh的柵極信號和相對于共用電位Vcom以預(yù)定幅度變動的源極信號。而且，在圖3的驅(qū)動波形中，在考慮理想的TFT的情況下，在柵極信號接通的時刻(從Vgl變化到Vgh的時刻)，源極信號的電壓對像素電極充電，在柵極信號關(guān)斷的時刻(從Vgh變化到Vgl的時刻)，該時刻的源極信號的電壓被保持在像素電極上。
但是，在常規(guī)制造的TFT中，由于柵電極與漏電極之間存在的寄生電容Cgd、和源電極與漏電極之間存在的寄生電容Csd的影響，保持在像素電極上的電位降低。圖3中，以粗線表示常規(guī)制造的TFT的像素電極電位。在圖3所示的像素電極電位中，尤其是在柵極信號關(guān)斷時的寄生電容Cgd造成的保持電壓降低量(ΔVgd)很大。并且，寄生電容Csd造成的保持電壓降低量為ΔVsd，在圖3中示出。
保持電壓的降低量ΔVgd與Cgd/(Clc+Cgd)成比例。其中，Clc表示液晶電容。因此，在假定Clc為0.3pF、Cgd為0.02pF左右的情況下，與進行常規(guī)驅(qū)動的TFT為1個時相比，追加備用的TFT使TFT成為2個時，保持電壓的降低量ΔVgd約增大為1.8倍。保持電壓的降低量ΔVgd增大，施加于液晶上的電壓降低，所以，在常黑的液晶顯示裝置的情況下，發(fā)生亮度的降低。
因此，在本實施方式的液晶顯示裝置中，采用圖1所示的圖形的陣列襯底。因此，TFT7不具有在平面上與柵極布線1重疊的部分，柵電極8未與柵極布線1連接，所以，沒有寄生電容Cgd。圖4示出了本實施方式的液晶顯示裝置的1個像素的等效電路。另外，圖5示出了修復(fù)處理后的本實施方式的液晶顯示裝置的1個像素的等效電路。
寄生電容的大小與電極平板的面積(電極在平面上重疊的面積)成比例。因此，如圖1所示，由于本實施方式的液晶顯示裝置的備用TFT7不與柵極布線1以及源極布線2重疊，所以，柵極布線1或源極布線2與TFT7的各布線之間所產(chǎn)生的寄生電容與液晶電容Clc相比要小得多，可忽略不計。因此，在圖4所示的等效電路中，TFT7的寄生電容僅被記載為源電極與漏電極之間所存在的寄生電容Cds18，沒有記載其它的寄生電容。
因此，在本實施方式1的液晶顯示裝置中，如圖4所示，針對像素的液晶電容Clc19的寄生電容Cgd僅為TFT3的寄生電容Cgd16。因此，在本實施方式中，即使是具有TFT3以及TFT7的冗余TFT結(jié)構(gòu)，保持電壓的降低量ΔVgd也較小，可得到顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。
圖5是修復(fù)處理后的等效電路，TFT3的漏電極3與像素電極12斷開，TFT7的柵電極8與柵極布線1連接，TFT7的源電極9與源極布線2連接。因此，在修復(fù)處理后，由于將TFT3的寄生電容Cgd16以及寄生電容Csd17與像素電極12斷開，所以，在驅(qū)動像素時可忽略該寄生電容。
另一方面，使備用的TFT7分別與柵極布線1、源極布線2連接，由此，寄生電容Cgd20以及寄生電容Cds18與像素電極12連接。因此，在修復(fù)處理后，追加了TFT7的寄生電容Cgd20以及寄生電容Cds18。但是，該寄生電容Cgd20以及寄生電容Cds18的電容量與TFT3的寄生電容Cgd16以及寄生電容Csd17大致相等。
因此，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在修復(fù)處理的前后，像素電極12與柵極布線1、源極布線2之間的寄生電容幾乎不發(fā)生變化。因此，即使在與正常像素相同的驅(qū)動條件下對修復(fù)處理后的像素進行驅(qū)動，也可得到與正常像素同等的顯示特性。
并且，作為本實施方式的液晶顯示裝置的變形例，考慮圖1所示的TFT7的源電極8與源極布線2連接的結(jié)構(gòu)(未圖示)。即使是本變形例的結(jié)構(gòu)，TFT7也不具有在平面上與柵極布線1重疊的部分，柵電極8與柵極布線1未進行電連接，所以，可得到與本實施方式同樣的效果。但是，在本變形例中，由于源電極8與柵極布線2連接，所以，通過TFT7在像素電極12上追加寄生電容Cds。因此，將本變形例的修復(fù)像素與正常像素進行比較，保持電壓降低了與所追加的寄生電容Cds相應(yīng)的大小。
實施方式2圖6示出了本實施方式的液晶顯示裝置的缺陷修復(fù)前的1個像素的平面圖。在圖6中，TFT3的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT3的結(jié)構(gòu)相同，但TFT7的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT7的結(jié)構(gòu)不同。具體地說，圖6所示的TFT7與圖1所示的TFT7相比，源電極9與源極布線2連接，將柵極布線1用作柵電極8。另外，圖6所示的TFT7在漏電極10與像素電極12之間不具有重疊的部分，漏電極10與像素電極12斷開。
因此，圖6所示的TFT7的寄生電容Cgd在常規(guī)的驅(qū)動時對像素電極電位沒有影響。因此，與實施方式1相同，圖6所示的本實施方式的液晶顯示裝置即使是具有TFT3以及TFT7的冗余TFT結(jié)構(gòu)，保持電壓的降低量ΔVgd也較小，可得到顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。并且，在圖6中，除TFT7的結(jié)構(gòu)以外，與圖1所示的結(jié)構(gòu)相同，故省略其詳細的說明。
然后，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3有缺陷的情況下，首先，用激光將TFT3的漏電極5與接觸孔6之間切斷。該切斷與實施方式1的圖2所示的切斷相同。然后，用激光CVD在圖6所示的TFT7的漏電極10與像素電極12之間形成部分成膜部(未圖示)，進行電連接。通過以上的處理，在本實施方式的液晶顯示裝置中，可將進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3替換成備用的TFT7，對像素進行驅(qū)動。
并且，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在修復(fù)處理的前后，像素電極12與柵極布線1、源極布線2之間的寄生電容也幾乎不發(fā)生變化。因此，在與正常像素相同的驅(qū)動條件下對修復(fù)處理后的像素進行驅(qū)動，也可得到與正常像素同等的顯示特性。
實施方式3圖7示出了本實施方式的液晶顯示裝置的缺陷修復(fù)前的1個像素的平面圖。在圖7中，TFT3的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT3的結(jié)構(gòu)相同，但TFT7的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT7的結(jié)構(gòu)不同。具體地說，圖7所示的TFT7與圖1所示的TFT7相比，將柵極布線1用作柵電極8，漏電極10與像素電極12之間不具有重疊的部分，漏電極10與像素電極12斷開。并且，圖7所示的TFT7與圖6所示的TFT7的不同之處在于，源電極9與源極布線2斷開。
如上所述，在本實施方式的液晶顯示裝置中，由于TFT7的漏電極10與像素電極12斷開，所以，TFT7的寄生電容Cgd在常規(guī)的驅(qū)動時對像素電極電位沒有影響。因此，與實施方式1相同，圖7所示的本實施方式的液晶顯示裝置即使是具有TFT3以及TFT7的冗余TFT結(jié)構(gòu)，保持電壓的降低量ΔVgd也較小，可得到顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。并且，在圖7中，除TFT7的結(jié)構(gòu)以外，與圖1所示的結(jié)構(gòu)相同，故省略其詳細的說明。
另外，本實施方式的液晶顯示裝置與實施方式2相比，由于備用的TFT7從源極布線2上切斷，所以，在常規(guī)驅(qū)動時，源極布線2的負載電容減輕。因此，在本實施方式的液晶顯示裝置中，能夠進行與未形成備用的TFT7的液晶顯示裝置相同的高速工作，能夠以高成品率無缺陷地制造高分辨率的液晶顯示裝置。
然后，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3有缺陷的情況下，首先，用激光將TFT3的漏電極5與接觸孔6之間切斷。該切斷與實施方式1的圖2所示的切斷相同。然后，用激光CVD在圖7所示的TFT7的漏電極10與像素電極12之間、以及源電極9與連接到源極布線2上的TFT3的源電極4之間形成部分成膜部(未圖示)，分別進行電連接。通過以上的處理，在本實施方式的液晶顯示裝置中，可將進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3替換成備用的TFT7，對像素進行驅(qū)動。
并且，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在修復(fù)處理的前后，像素電極12與柵極布線1、源極布線2之間的寄生電容也幾乎不發(fā)生變化。因此，即使在與正常像素相同的驅(qū)動條件下對修復(fù)處理后的像素進行驅(qū)動，也可得到與正常像素同等的顯示特性。
實施方式4圖8示出了本實施方式的液晶顯示裝置的缺陷修復(fù)前的1個像素的平面圖。在圖8中，TFT3的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT3的結(jié)構(gòu)相同，但TFT7的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT7的結(jié)構(gòu)不同。具體地說，圖8所示的TFT7與圖1所示的TFT7相比，源電極9與源極布線2連接，漏電極10與像素電極12之間不具有重疊的部分，漏電極10與像素電極12斷開。并且，圖8所示的TFT7與圖6所示的TFT7的不同之處在于，柵電極8與柵極布線1之間不具有重疊的部分、柵電極8與柵極布線1斷開。
如上所述，在本實施方式的液晶顯示裝置中，由于TFT7的漏電極10與像素電極12、以及柵電極8與柵極布線1分別斷開，所以，TFT7的寄生電容Cgd在常規(guī)的驅(qū)動時對像素電極電位沒有影響。因此，與實施方式1相同，圖8所示的本實施方式的液晶顯示裝置即使是具有TFT3以及TFT7的冗余TFT結(jié)構(gòu)，保持電壓的降低量ΔVgd也較小，可得到顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。并且，在圖8中，除TFT7的結(jié)構(gòu)以外，與圖1所示的結(jié)構(gòu)相同，故省略其詳細的說明。
另外，本實施方式的液晶顯示裝置與實施方式2相比，由于TFT7的柵電極8從柵極布線1上切斷，所以，在常規(guī)驅(qū)動時，柵極布線1的負載電容減輕。因此，在本實施方式的液晶顯示裝置中，能夠進行與未形成備用的TFT7的液晶顯示裝置相同的高速工作，能夠以高成品率無缺陷地制造高分辨率的液晶顯示裝置。
然后，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3有缺陷的情況下，首先，用激光將TFT3的漏電極5與接觸孔6之間切斷。該切斷與實施方式1的圖2所示的切斷相同。然后，用激光CVD在圖8所示的TFT7的漏電極10與像素電極12之間、以及TFT7的柵電極8與柵極布線1之間形成部分成膜部(未圖示)，分別進行電連接。通過以上的處理，在本實施方式的液晶顯示裝置中，可將進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3替換成備用的TFT7，對像素進行驅(qū)動。
并且，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在修復(fù)處理的前后，像素電極12與柵極布線1、源極布線2之間的寄生電容也幾乎不發(fā)生變化。因此，即使在與正常像素相同的驅(qū)動條件下對修復(fù)處理后的像素進行驅(qū)動，也可得到與正常像素同等的顯示特性。
實施方式5圖9示出了本實施方式的液晶顯示裝置的缺陷修復(fù)前的1個像素的平面圖。在圖9中，TFT3的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT3的結(jié)構(gòu)相同，但TFT7的結(jié)構(gòu)與圖1所示的TFT7的結(jié)構(gòu)不同。具體地說，圖9所示的TFT7與圖1所示的TFT7相比，漏電極10與像素電極12之間不具有重疊的部分，漏電極10與像素電極12斷開。并且，圖9所示的TFT7與圖8所示的TFT7的不同之處在于，源電極9與源極布線2斷開。
如上所述，在本實施方式的液晶顯示裝置中，由于TFT7的柵電極8、源電極9和漏電極10與柵極布線1、源極布線2和像素電極12斷開，所以，TFT7的寄生電容Cgd在常規(guī)的驅(qū)動時對像素電極電位沒有影響。因此，與實施方式1相同，圖9所示的本實施方式的液晶顯示裝置即使是具有TFT3以及TFT7的冗余TFT結(jié)構(gòu)，保持電壓的降低量ΔVgd也較小，可得到顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置。并且，在圖9中，除TFT7的結(jié)構(gòu)以外，與圖1所示的結(jié)構(gòu)相同，故省略其詳細的說明。
另外，本實施方式的液晶顯示裝置與實施方式2相比，由于TFT7的柵電極8從柵極布線1上切斷、源電極9從源極布線2上切斷，所以，在常規(guī)驅(qū)動時，柵極布線1以及源極布線2的負載電容減輕。因此，在本實施方式的液晶顯示裝置中，能夠進行與未形成備用的TFT7的液晶顯示裝置相同的高速工作，能夠以高成品率無缺陷地制造高分辨率的液晶顯示裝置。
然后，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3有缺陷的情況下，首先，用激光將TFT3的漏電極5與接觸孔6之間切斷。該切斷與實施方式1的圖2所示的切斷相同。然后，用激光CVD在圖9所示的TFT7的漏電極10與像素電極12之間、TFT7的柵電極8與柵極布線1之間以及TFT7的源電極9與源極布線2之間形成部分成膜部(未圖示)，分別進行電連接。通過以上的處理，在本實施方式的液晶顯示裝置中，可將進行常規(guī)驅(qū)動的TFT3替換成備用的TFT7，對像素進行驅(qū)動。
并且，在本實施方式的液晶顯示裝置中，在修復(fù)處理的前后，像素電極12與柵極布線1、源極布線2之間的寄生電容也幾乎不發(fā)生變化。因此，即使在與正常像素相同的驅(qū)動條件下對修復(fù)處理后的像素進行驅(qū)動，也可得到與正常像素同等的顯示特性。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括多條柵極布線；與上述柵極布線正交地設(shè)置的多條源極布線；多個像素電極，和上述柵極布線與上述源極布線的交叉部對應(yīng)，設(shè)置成矩陣狀；為每個上述像素電極配置的第一TFT部，具有與上述柵極布線連接的第一柵電極、與上述源極布線連接的第一源電極、與上述像素電極連接的第一漏電極；為每個上述像素電極配置的第二TFT部，具有第二柵電極、第二源電極和第二漏電極，上述第二TFT部不具有在平面上與上述柵極布線以及上述像素電極之中至少一個重疊的部分，上述第二柵電極與上述柵極布線間以及上述第二漏電極與上述像素電極間的至少其中之一未進行電連接。
2.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，第二TFT部不具有在平面上與上述柵極布線重疊的部分，上述第二柵電極與上述柵極布線間以及上述第二源電極與上述源極布線間未進行電連接。
3.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，第二TFT部不具有在平面上與上述像素電極重疊的部分，上述第二漏電極與上述像素電極間未進行電連接。
4.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，第二TFT部不具有在平面上與上述像素電極重疊的部分，上述第二源電極與上述源極布線間以及上述第二漏電極與上述像素電極間未進行電連接。
5.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，第二TFT部不具有在平面上與上述柵極布線以及上述像素電極重疊的部分，上述第二柵電極與上述柵極布線間以及上述第二漏電極與上述像素電極間未進行電連接。
6.如權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其特征在于，第二TFT部不具有在平面上與上述柵極布線以及上述像素電極重疊的部分，上述第二柵電極與上述柵極布線間、上述第二源電極與上述源極布線間以及上述第二漏電極與上述像素電極間未進行電連接。
7.一種對權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的任一項記載的液晶顯示裝置的缺陷進行修復(fù)的方法，其特征在于，包括如下步驟從上述像素電極上將有缺陷的上述第一TFT部的上述第一漏電極切斷；用預(yù)定的成膜方法，對與存在缺陷的上述第一TFT部對應(yīng)的上述第二TFT部的上述第二柵電極與上述柵極布線間、上述第二源電極與上述源極布線間以及第二漏電極與上述像素電極間的未進行電連接的部分進行連接。
8.如權(quán)利要求7的液晶顯示裝置的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，上述成膜方法是激光CVD法。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種可將起因于TFT的點缺陷修復(fù)成正常像素并且顯示品質(zhì)較高的液晶顯示裝置及其缺陷修復(fù)方法。本發(fā)明的液晶顯示裝置包括多條柵極布線(1)；多條源極布線(2)；設(shè)置成矩陣狀的多個像素電極(12)；為每個像素電極(12)配置的TFT(3)，具有與柵極布線(1)連接的柵電極、與源極布線(2)連接的源電極(4)、與像素電極(12)連接的漏電極(5)；為每個像素電極(12)配置的TFT(7)，具有柵電極(8)、源電極(9)和漏電極(10)。而且，TFT(7)不具有在平面上與柵極布線(1)和像素電極(12)之中至少之一重疊的部分，柵電極(8)與柵極布線(1)間以及漏電極(5)與像素電極(12)間之中至少之一未進行電連接。
文檔編號G02F1/1362GK101067688SQ20071010235
公開日2007年11月7日 申請日期2007年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月1日
發(fā)明者橫溝政幸 申請人:三菱電機株式會社