專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置。更具體地講，本發(fā)明涉及一種可以防止由于污染造成的圖像品質(zhì)下降的顯示裝置。
背景技術(shù)：
近來，顯示裝置包括液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置、有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置等。這些顯示裝置應(yīng)用于各種設(shè)備中，如大屏幕電視機(jī)、筆記本電腦和蜂窩電話。
上述顯示裝置包括一對彼此面對的基底。例如，液晶顯示裝置包括兩個彼此面對的基底和置于其間的液晶層。將電場施加到液晶層的液晶上，液晶的取向根據(jù)電場的施加而變化以顯示相應(yīng)的圖像。
將顯示圖像的區(qū)域定義為顯示區(qū)，該顯示區(qū)包括兩個基底的中心部分。在邊緣部分形成密封劑圖案以將兩個基底附著在一起。
可利用包含聚合物樹脂的化合物來形成密封劑圖案。然而，當(dāng)兩個基底被附著在一起時，包含在密封劑圖案中的化合物會擴(kuò)散到顯示區(qū)中。這會污染顯示區(qū)，從而劣化顯示裝置的圖像品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種可通過防止顯示區(qū)的污染而保持高品質(zhì)圖像的顯示裝置。
本發(fā)明的另外的特征將在下面的描述中提出，一部分通過描述將變得清楚，或者可通過實(shí)施本發(fā)明而了解。
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一基底，包括顯示區(qū)；第二基底，面對第一基底；密封劑圖案，布置在第一基底和第二基底中的一個之上且在顯示區(qū)外面，密封劑圖案包含第一化合物；分隔物圖案，布置在第一基底和第二基底中的一個之上且在密封劑圖案和顯示區(qū)之間，分隔物圖案包含與第一化合物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的第二化合物，以防止第一化合物擴(kuò)散到顯示區(qū)中。
應(yīng)該理解，上面的一般性描述和下面的具體描述是示例性和解釋性的，并意圖對要求保護(hù)的發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并與描述一起用來解釋本發(fā)明的原理，其中，包括的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，附圖包含在該說明書的一部分中并組成該說明書的一部分。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的分解透視圖。
圖2是圖1的平面示意圖。
圖3是沿著圖2中的線I-I′截取的剖視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面示意圖。
圖5是沿著圖4中的線II-II′截取的剖視圖。
圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E和圖6F是示出圖3中的液晶顯示裝置的制造工藝的剖視圖。
圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是示出圖5中的液晶顯示裝置的制造工藝的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行了更加充分的描述，本發(fā)明的實(shí)施例示出在附圖中。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使本公開徹底，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在附圖中相同的標(biāo)號表示相同的元件。
應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)印吧稀?，或者被稱作“連接到”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱作“直接”在另一元件或?qū)印吧稀被颉爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的分解透視圖。
參照圖1，該裝置包括彼此面對的第一基底100和第二基底200，以及置于第一基底100和第二基底200之間的液晶(未示出)。顯示圖像的顯示區(qū)DA限定于第一基底100上。顯示區(qū)DA包括第一基底100的中心部分而不包括第一基底100的邊緣部分。
多條柵極線110和多條數(shù)據(jù)線140形成在第一基底100上并限定像素區(qū)PA。像素區(qū)PA表示用于顯示圖像的單個單元。各像素區(qū)PA具有相同的結(jié)構(gòu)。
各像素區(qū)PA包括像素電極160和薄膜晶體管T。薄膜晶體管T包括連接到柵極線110的柵電極、連接到數(shù)據(jù)線140的源電極、連接到像素電極160的漏電極。第二基底200包括對應(yīng)于像素電極160的共電極230。
在液晶顯示裝置的操作過程中，將柵極導(dǎo)通信號施加到柵極線110以導(dǎo)通薄膜晶體管T。另外，通過數(shù)據(jù)線140傳輸攜帶有圖像信息的數(shù)據(jù)信號并將該數(shù)據(jù)信號施加到像素電極160，共電壓被施加到共電極230。取決于像素電極160和共電極230之間的電壓差的電場使液晶的取向發(fā)生變化，從而顯示圖像。
液晶會暴露于各種外來物質(zhì)并會被污染。當(dāng)液晶被污染時，圖像品質(zhì)會劣化。液晶的污染物之一可為密封劑圖案300。
密封劑圖案300形成在第一基底100上顯示區(qū)DA的外部。密封劑圖案300也可與顯示區(qū)DA的外部對應(yīng)地形成在第二基底200上。密封劑圖案300包含可通過熱或光而被固化的樹脂。該樹脂將第一基底100和第二基底200結(jié)合在一起。當(dāng)密封劑圖案300被固化時，包含在密封劑圖案300中的第一化合物會擴(kuò)散到顯示區(qū)DA中并污染液晶。
為了防止由于第一化合物造成的液晶污染，可形成分隔物圖案400。分隔物圖案400形成在第一基底100和第二基底200中的一個上。分隔物圖案400用作在密封劑圖案300和顯示區(qū)DA之間的物理屏障，以阻滯第一化合物的運(yùn)動。
第一化合物包括胺類化合物(amine-based compound)。比如，第一化合物用化學(xué)式N2H3CO(CH2)nCON2H3表示(其中，n表示大于或等于1的整數(shù))。具體地講，第一化合物用下面的化學(xué)式1或化學(xué)式2的結(jié)構(gòu)表示。
<化學(xué)式1>
<化學(xué)式2>
分隔物圖案400包含與第一化合物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的第二化合物。第二化合物包括環(huán)氧類化合物(epoxy-based compound)，該環(huán)氧類化合物可以通過聚合含有環(huán)氧基(epoxide)的丙烯酰單體(acryl monomers)形成。關(guān)于該聚合的化學(xué)反應(yīng)用下面的反應(yīng)方程式1表示。
<反應(yīng)方程式1>
n為正整數(shù)R，R′-NH-CO-，-CO-O-，-O-，-S-，-SOO-，-OH，-F，-Cl，-Br，-I，-CO-N-CO-，-N-，-NH2，-N＝N-，-CO-H，-CO-.
-CO-O-CO-，-NH-CO-NH-在反應(yīng)方程式1中，反應(yīng)物是包含環(huán)氧基的丙烯酰單體，產(chǎn)物是通過聚合反應(yīng)得到的聚合物。在反應(yīng)方程式1中，用虛線指出的部分表示環(huán)氧基。R和R′具有包括下列官能團(tuán)之一的結(jié)構(gòu)酰胺官能團(tuán)(-NH-CO-)、酯官能團(tuán)(-CO-O-)、醚官能團(tuán)(-O-)、硫官能團(tuán)(-S-)、砜官能團(tuán)(-SOO-)、羥基官能團(tuán)(-OH)、鹵素官能團(tuán)(-F，-Cl，-Br，-I)、酰亞胺官能團(tuán)(-CO-N-CO-)、氮雜官能團(tuán)(-N-)、氨基官能團(tuán)(-NH2)、偶氮官能團(tuán)(-N＝N-)、醛基官能團(tuán)(-CO-H)、羰基官能團(tuán)(-CO-)、酐官能團(tuán)(-CO-O-CO-)和脲官能團(tuán)(-NH-CO-NH-)。
具體地講，優(yōu)選化學(xué)穩(wěn)定的下列官能團(tuán)之一酰胺官能團(tuán)(-NH-CO-)、酯官能團(tuán)(-CO-O-)、醚官能團(tuán)(-O-)、硫官能團(tuán)(-S-)和羰基官能團(tuán)(-CO-)。
如上所述，當(dāng)密封劑圖案300的第一化合物包括胺類化合物，并且分隔物圖案400的第二化合物包括環(huán)氧類化合物時，第一化合物和第二化合物根據(jù)下面的胺和環(huán)氧化物的化學(xué)反應(yīng)而進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
當(dāng)?shù)谝换衔镉没瘜W(xué)式1表示時，第一化合物和第二化合物的化學(xué)反應(yīng)用下面的反應(yīng)方程式2表示。
<反應(yīng)方程式2>
當(dāng)?shù)谝换衔镉没瘜W(xué)式2表示時，第一化合物和第二化合物的化學(xué)反應(yīng)用下面的反應(yīng)方程式3表示。
<反應(yīng)方程式3>
如反應(yīng)方程式2和反應(yīng)方程式3中所示，環(huán)氧類第二化合物的一部分或者全部可以與胺類第一化合物化合。在反應(yīng)方程式2和反應(yīng)方程式3中，構(gòu)成第二聚合化合物的單個分子(n)的一部分(k)與第一化合物反應(yīng)，構(gòu)成第二聚合化合物的單個分子(n)中的剩余部分(1)不與第一化合物反應(yīng)。第二化合物中與第一化合物反應(yīng)的部分不需要連續(xù)地與第一化合物鄰近。鄰近部分的一部分或者全部與第一化合物反應(yīng)。
在反應(yīng)過程中，第二化合物的結(jié)構(gòu)從環(huán)狀變?yōu)殒湢?，包含在第一化合物中的氨基中的一個氫與包含在環(huán)氧類第二化合物中的氧化合。
通過上述化學(xué)反應(yīng)，第一化合物與第二化合物化合，可以防止化合物擴(kuò)散到顯示區(qū)DA中。如反應(yīng)方程式2和反應(yīng)方程式3中所示，由于沒有附加產(chǎn)物生成，因此沒有來自化學(xué)反應(yīng)的附加產(chǎn)物的液晶污染。
因此，借助于分隔物圖案400，通過物理地且化學(xué)地阻滯來自密封劑圖案300的污染物，可防止在顯示區(qū)DA內(nèi)的液晶污染，從而提高液晶顯示裝置的圖像品質(zhì)。
圖2是圖1的平面示意圖。參照圖2，液晶顯示裝置包括彼此面對的第一基底100和第二基底200，以及限定在第一基底100上的顯示區(qū)DA。密封劑圖案300沿著第一基底100的邊緣部分形成并形成閉環(huán)。分隔物圖案400形成在顯示區(qū)DA和密封劑圖案300之間。分隔物圖案400在密封劑圖案300內(nèi)形成閉環(huán)，分隔物圖案400阻滯來自密封劑圖案300的污染物(用箭頭指出)以防止污染物擴(kuò)散到顯示區(qū)DA中。
圖3是沿著圖2中的線I-I′截取的剖視圖。
參照圖3，薄膜晶體管T的柵電極111形成在第一基底100的預(yù)定區(qū)域上。柵極絕緣層120形成在柵電極111上，以基本覆蓋第一基底100的整個表面。半導(dǎo)體圖案130形成在柵極絕緣層120上并與柵電極111疊置。源電極141和漏電極142彼此面對地形成在半導(dǎo)體圖案130上。半導(dǎo)體圖案130包括有源圖案131和歐姆接觸圖案132。有源圖案131在薄膜晶體管T操作過程中形成溝道，歐姆接觸圖案132沿著源電極141和漏電極142被分開。
鈍化層150形成在薄膜晶體管T上，以基本覆蓋第一基底100的整個表面。像素電極160形成在鈍化層150上。接觸孔150h形成在鈍化層150內(nèi)以暴露漏電極142。像素電極160通過接觸孔150h與漏電極142電連接。
光屏蔽層圖案210和濾色器220形成在第二基底200上。濾色器220形成在對應(yīng)于像素區(qū)PA的區(qū)域中。為了顯示彩色圖像，濾色器220可以是紅色濾色器、綠色濾色器或者藍(lán)色濾色器，紅色、綠色和藍(lán)色是光的三原色。光屏蔽層圖案210在像素區(qū)PA的外部區(qū)域屏蔽光的透射。共電極230形成在光屏蔽層圖案210和濾色器220上，以面對像素電極160。隔離件500形成在共電極230上，以保持在第一基底100和第二基底200之間的預(yù)定距離。
密封劑圖案300和分隔物圖案400布置在第一基底100和第二基底200的邊緣部分上。密封劑圖案300形成在第一基底100上且密封劑圖案300的上表面部分與第二基底200接觸。分隔物圖案400形成在第二基底200上且分隔物圖案400的下表面部分與第一基底100分開。分隔物圖案400可形成在第一基底100上且分隔物圖案400的上表面部分與第二基底200分開。來自密封劑圖案的污染物可通過被分開的部分運(yùn)動，然而，由于污染物與包含在分隔物圖案400中的化合物的化學(xué)反應(yīng)，所以污染物到顯示區(qū)DA中的擴(kuò)散被阻滯。如果分隔物圖案400和第一基底100之間的間隙太大，則盡管有分隔物圖案400的化學(xué)阻滯，污染物仍會擴(kuò)散到顯示區(qū)DA中。因此分隔物圖案400和第一基底100之間的間隙需有一個上限，優(yōu)選地該間隙可為第一基底100和第二基底200之間的距離的大約10％或小于10％。
圖4是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的液晶顯示裝置的平面示意圖。與先前解釋的共同部分的詳細(xì)描述將在下列描述中省略。
參照圖4，提供了在其上限定顯示區(qū)DA的第一基底100和面對第一基底100的第二基底200，密封劑圖案300沿著第一基底100的邊緣部分形成。分隔物圖案400形成在顯示區(qū)DA和密封劑圖案300之間，以阻滯污染物(用箭頭指出)。
密封劑圖案300密封第一基底100和第二基底200之間的空間，并形成閉環(huán)以在其中容納液晶。分隔物圖案400對應(yīng)于密封劑圖案300，然而，分隔物圖案400并不形成閉環(huán)。因此，分隔物圖案400可包括為形成矩形形狀而放置的不連續(xù)的斷。來自密封劑圖案300的污染物(用箭頭指出)可被分隔物圖案400阻滯而不擴(kuò)散到顯示區(qū)DA中。在分隔物圖案400的兩個斷之間的開口部分，污染物與分隔物圖案400的接觸面積增大，因而為防止污染物擴(kuò)散的化學(xué)反應(yīng)速度增加。
圖5是沿著圖4中的線II-II′截取的剖視圖。
參照圖5，薄膜晶體管T的柵電極111、柵極絕緣層120、半導(dǎo)體圖案130、源電極141、漏電極142、鈍化層150和像素電極160形成在第一基底100上。
光屏蔽層圖案210、濾色器220、共電極230和隔離件500形成在第二基底200上。
密封劑圖案300和分隔物圖案400形成在第一基底100和第二基底200的邊緣部分上。密封劑圖案300形成在第一基底100上，且密封劑圖案300的上表面部分與第二基底200接觸。分隔物圖案400形成在第一基底100上，且分隔物圖案400的上表面部分與第二基底200分開。分隔物圖案400可在第二基底200上形成，且分隔物圖案400的下表面部分與第一基底100分開。分隔物圖案400和第二基底200之間的間隙可為第一基底100和第二基底200之間的距離的大約10％或小于10％。
凹凸形狀401形成在分隔物圖案400的上表面部分。分隔物圖案400的上表面部分的表面積由于凹凸形狀401而增大。由于表面積增大，所以來自密封劑圖案300的污染物與分隔物圖案400的接觸面積增大。結(jié)果，有效地防止污染物擴(kuò)散的化學(xué)反應(yīng)速度增加。為了進(jìn)一步增大污染物與分隔物圖案400的接觸面積，凹凸形狀401也可形成在分隔物圖案400的面對密封劑圖案300的側(cè)表面上。
圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E和圖6F是示出圖3中的液晶顯示裝置的制造工藝的剖視圖。
參照圖6A，光屏蔽層圖案210和濾色器220形成在第二基底200上?？赏ㄟ^在第二基底200上涂覆包含光致抗蝕劑成分的光屏蔽層，然后將該光屏蔽層圖案化，來形成光屏蔽層圖案210。在曝光和顯影工藝過程中形成圖案。通過顯影工藝去除涂覆在對應(yīng)于像素區(qū)的區(qū)域上的光屏蔽層。
可通過在第二基底200上涂覆彩色光致抗蝕劑層，然后將涂覆的彩色光致抗蝕劑層圖案化，來形成濾色器220。濾色器220填充光屏蔽層的被去除的區(qū)域，該區(qū)域在光屏蔽層圖案化過程中被去除。對于紅色/綠色/藍(lán)色濾色器，執(zhí)行三次關(guān)于彩色光致抗蝕劑層的圖案化過程。
參照圖6B，共電極230形成在濾色器220上?？赏ㄟ^在濾色器220上沉積氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電層來形成共電極230。如果需要，則可在濾色器220和共電極230之間另外地形成保護(hù)層(over coatinglayer)(未示出)，以使第二基底200的表面平坦化。
參照圖6C，將包含光致抗蝕劑成分的材料層450涂覆在共電極230上。材料層450可包含通過聚合含有環(huán)氧基的丙烯酰單體而得到的聚合物。該聚合物可用下面的在反應(yīng)方程式1中所述的化學(xué)式3表示。
<化學(xué)式3>
n為正整數(shù)R，R′-NH-CO-，-CO-O-，-O-，-S-，-SOO-，-OH，-F，-Cl，-Br，-I，-CO-N-CO-，-N-，-NH2，-N＝N-，-CO-H，-CO-，-CO-O-CO-，-NH-CO-NH-接下來，執(zhí)行關(guān)于材料層450的曝光工藝。在曝光工藝過程中，利用了對材料層450的預(yù)定區(qū)域進(jìn)行曝光的光掩模600。光掩模600包括透光區(qū)610和光屏蔽區(qū)620。
參照圖6D，描述被曝光的材料層450的顯影工藝。當(dāng)材料層450包含負(fù)性光致抗蝕劑成分時，在曝光工藝中去除未曝光部分。相反，當(dāng)材料層450包含正性光致抗蝕劑成分時，在曝光工藝中去除曝光部分。在圖6D中，通過使用負(fù)性成分來形成材料層450。通過顯影工藝，材料層450被圖案化以同時形成分隔物圖案400和隔離件500。
參照圖6E，除了對于第二基底200的工藝之外，執(zhí)行對于第一基底100的工藝。在第一基底100上形成包括柵電極111、半導(dǎo)體圖案130、源電極141和漏電極142的薄膜晶體管T。在薄膜晶體管T上形成鈍化層150。在鈍化層150上形成像素電極160。
參照圖6F，密封劑圖案300被布置在第一基底100的邊緣部分上。第一基底100和第二基底200布置成彼此面對。當(dāng)密封劑圖案300通過熱或光被固化并且第一基底100和第二基底200被附著在一起時，完成了液晶顯示面板的制造。
通過上述工藝，同時形成分隔物圖案400和隔離件500。因此，可省略用于形成分隔物圖案400的單獨(dú)的工藝以提高工藝效率。
圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是示出圖5中的液晶顯示裝置的制造工藝的剖視圖。
參照圖7A，包括柵電極111、半導(dǎo)體圖案130、源電極141和漏電極142的薄膜晶體管T形成在第一基底100上。鈍化層150形成在薄膜晶體管T上，像素電極160形成在鈍化層150上。
在第一基底100的整個表面上形成材料層450以覆蓋鈍化層150和像素電極160。材料層450可包含通過聚合含有環(huán)氧基的丙烯酰單體而得到的聚合物材料，該聚合物材料用化學(xué)式3表示。
執(zhí)行關(guān)于材料層450的曝光工藝。在曝光工藝中使用光掩模600′，光掩模600′包括透光區(qū)610′和半透光區(qū)630′。在半透光區(qū)630′，一部分光根據(jù)材料層450的相應(yīng)區(qū)域的位置透過半透光區(qū)630′?？墒褂冒肷{(diào)掩?；蛳犊p式掩模作為光掩模600′。
圖7B示出了關(guān)于被曝光的材料層450的顯影工藝。在材料層450中包含有正性或負(fù)性的光致抗蝕劑成分。如圖7B中所示，當(dāng)光致抗蝕劑成分為正性時，完全曝光的部分被去除，通過剩余部分形成分隔物圖案400。材料層450的剩余部分通過半透光區(qū)630′被部分曝光。結(jié)果，形成凹凸形狀401。
凹凸形狀可形成在分隔物圖案400的側(cè)表面上，也可形成在分隔物圖案400的上表面上。在將材料層450圖案化并形成分隔物圖案400后，側(cè)面部分可形成為凹凸形狀。
參照圖7C，光屏蔽層圖案210、濾色器220、共電極230和隔離件500形成在第二基底200上。
參照圖7D，密封劑圖案300涂覆于第一基底100的邊緣部分，第一基底100和第二基底200被布置為它們彼此面對。密封劑圖案300通過熱或光固化，且第一基底100和第二基底200被結(jié)合在一起，從而完成液晶顯示面板的制造。
根據(jù)上述工藝，隔離件500和分隔物圖案400可采用不同的材料單獨(dú)地形成。此時，可通過使用具有高彈性的材料形成隔離件500，使得隔離件500具有彈性并可保持第一基底100和第二基底200之間的距離。
如上所述，由于使用與密封劑圖案起化學(xué)反應(yīng)的材料形成分隔物圖案，所以分隔物圖案物理地和化學(xué)地阻滯污染物，從而提供了一種可具有高品質(zhì)圖像的顯示裝置。
本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下，可以對本發(fā)明作出各種修改和各種改變。因此，只要本發(fā)明的這些修改和改變落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本發(fā)明意圖覆蓋本發(fā)明的這些修改和改變。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括第一基底，包括顯示區(qū)；第二基底，面對所述第一基底；密封劑圖案，布置在所述第一基底和所述第二基底中的一個之上并且在所述顯示區(qū)外，所述密封劑圖案包含第一化合物；分隔物圖案，布置在所述第一基底和所述第二基底中的一個之上并且位于所述密封劑圖案和所述顯示區(qū)之間，所述分隔物圖案包含第二化合物，所述第二化合物與所述第一化合物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)以防止所述第一化合物擴(kuò)散到所述顯示區(qū)中。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一化合物包括胺類化合物，所述第二化合物包括環(huán)氧類化合物。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述環(huán)氧類化合物包括通過聚合含有環(huán)氧基官能團(tuán)的丙烯酰單體而得到的聚合物材料。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述聚合物材料包括下面的化學(xué)式 n為正整數(shù)R，R′-NH-CO-，-CO-O-，-O-，-S-，-SOO-，-OH，-F，-Cl，-Br，-I，-CO-N-CO-，-N-，-NH2，-N＝N-，-CO-H，-CO-，-CO-O-CO-，-NH-CO-NH-
5.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述胺類化合物包括下面的化學(xué)式
6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案包含下面的化合物，所述化合物通過所述胺類化合物和所述環(huán)氧類化合物的化學(xué)反應(yīng)生成 1≤k≤n，k+l＝n，k為正整數(shù)R，R′-NH-CO-，-CO-O-，-O-，-S-，-SOO-，-OH，-F，-Cl，-Br，-I，-CO-N-CO-，-N-，-NH2，-N＝N-，-CO-H，-CO-，-CO-O-CO-，-NH-CO-NH-
7.如權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述胺類化合物包括下面的化學(xué)式
8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案包含下面的化合物，所述化合物通過所述胺類化合物和所述環(huán)氧類化合物的化學(xué)反應(yīng)生成 1≤k≤n，k+l＝n，k為正整數(shù)R，R′-NH-CO-，-CO-O-，-O-，-S-，-SOO-，-OH，-F，-Cl，-Br，-I，-CO-N-CO-，-N-，-NH2，-N＝N-，-CO-H，-CO-，-CO-O-CO-，-NH-CO-NH-
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案的表面包括凹凸形狀。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案通過曝光工藝形成，在所述曝光工藝中通過控制相應(yīng)區(qū)域內(nèi)的曝光量來得到所述凹凸形狀。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案具有的厚度小于所述第一基底和所述第二基底之間的距離。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案具有對應(yīng)于所述密封劑圖案的形狀。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括隔離件，所述隔離件形成在所述第一基底和所述第二基底中的一個之上，以保持所述第一基底和所述第二基底之間的距離。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案和所述隔離件包含相同的材料。
15.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案和所述隔離件通過同一工藝同時形成。
16.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案和所述隔離件包含不同的材料。
17.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案和所述隔離件通過不同的工藝不同時形成。
18.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案布置在所述第一基底上而不與所述第二基底接觸，所述分隔物圖案和所述第二基底之間的間隙等于或小于所述第一基底和所述第二基底之間的距離的10％。
19.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述分隔物圖案布置在所述第二基底上而不與所述第一基底接觸，所述分隔物圖案和所述第一基底之間的間隙等于或小于所述第一基底和所述第二基底之間的距離的10％。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置。該顯示裝置包括彼此面對的第一基底和第二基底、密封劑圖案和在密封劑圖案內(nèi)的分隔物圖案，其中，密封劑圖案包含將第一基底和第二基底附著在一起的第一化合物。分隔物圖案包含與第一化合物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)的第二化合物，以阻滯第一化合物的擴(kuò)散。
文檔編號G02F1/1339GK101093322SQ20071009636
公開日2007年12月26日 申請日期2007年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月23日
發(fā)明者金淵奎, 宋永杰, 文然奎, 金爭腍 申請人:三星電子株式會社