專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶介質(zhì)和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶介質(zhì)，并涉及包含這些介質(zhì)的液晶顯示器，尤其涉及通過(guò)有源矩陣尋址的顯示器，并特別涉及扭曲向列型的顯示器或平面內(nèi)切換型顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)被廣泛用于顯示信息。LCD用于直視顯示器，以及用于投影型顯示器。所用的電光學(xué)模式為例如具有其多種變體的扭曲向列(TN)模式、超扭曲向列(STN)模式、光學(xué)補(bǔ)償彎曲(OCB)模式和電控雙折射(ECB)模式，以及其它模式。所有這些模式都采用基本上垂直于基板，相應(yīng)地垂直于液晶層的電場(chǎng)。除了這些模式外，還有一些電光學(xué)模式，其采用基本上平行于基板，相應(yīng)地平行于液晶層的電場(chǎng)，例如，平面內(nèi)切換模式(如在例如DE 40 00 451和EP 0 588568中公開(kāi)的)。這種電光學(xué)模式尤其用于現(xiàn)代臺(tái)式監(jiān)視器的LCD并有望應(yīng)用于多介質(zhì)應(yīng)用的顯示器。本發(fā)明的液晶優(yōu)選用于這種類(lèi)型的顯示器。
對(duì)于這些顯示器，需要具有改進(jìn)性能的新型液晶介質(zhì)。對(duì)于許多應(yīng)用類(lèi)型而言尤其必須改進(jìn)響應(yīng)時(shí)間。因此，需要具有較低粘度(η)，尤其是具有較低旋轉(zhuǎn)粘度(γ1)的液晶介質(zhì)。在實(shí)際液晶介質(zhì)中，旋轉(zhuǎn)粘度與介質(zhì)的閾值電壓和操作電壓都相關(guān)。因此，例如對(duì)于具有清亮點(diǎn)為約75℃和閾值電壓為約2.0V的介質(zhì)，旋轉(zhuǎn)粘度優(yōu)選應(yīng)當(dāng)為75mPa·s或更低，優(yōu)選60mPa·s或更低，并且尤其是55mPa·s或更低。除了該參數(shù)，所述介質(zhì)還必須顯示出適當(dāng)寬的向列相范圍，適當(dāng)?shù)碾p折射(Δn)和介電各向異性(Δε)應(yīng)當(dāng)足夠高以允許合理低的操作電壓。Δε優(yōu)選應(yīng)當(dāng)高于4并且非常優(yōu)選高于5，但是優(yōu)選不高于15并且特別是不高于12，因?yàn)檫@對(duì)于至少合理高的電阻率將是不利的。
本發(fā)明的顯示器優(yōu)選通過(guò)有源矩陣(有源矩陣LCD，簡(jiǎn)稱(chēng)為AMD)，優(yōu)選通過(guò)薄膜晶體管(TFT)的矩陣進(jìn)行尋址。然而本發(fā)明的液晶還能有利地用于采用其它已知尋址方式的顯示器。
有多種不同的顯示器模式，其采用低分子量液晶材料連同聚合物材料一起構(gòu)成的復(fù)合體系。這些為例如聚合物分散液晶(PDLC)體系，向列型曲線排列相(NCAP)體系，和聚合物網(wǎng)絡(luò)(PN)體系，例如公開(kāi)于WO 91/05 029中的體系，或軸對(duì)稱(chēng)微區(qū)(ASM)體系和其它體系。與這些相對(duì)照，本發(fā)明特別優(yōu)選的模式采用在表面上取向的液晶介質(zhì)自身。這些表面典型地被預(yù)處理以獲得液晶材料的均一排列。本發(fā)明的顯示器模式優(yōu)選采用基本上平行于復(fù)合層的電場(chǎng)。
適用于LCD和尤其適用于IPS顯示器的液晶組合物從例如JP07-181 439(A)、EP 0 667 555、EP 0 673 986、DE 195 09 410、DE19528 106、DE 195 28 107、WO 96/23 851和WO 96/28 521中已知。然而，這些組合物確實(shí)具有嚴(yán)重的缺點(diǎn)。它們中的大部分，除了其它缺點(diǎn)外，尤其導(dǎo)致不利的長(zhǎng)的響應(yīng)時(shí)間，具有過(guò)低的電阻率值和/或需要過(guò)高的操作電壓。另外，許多現(xiàn)有的液晶材料在低溫下貯存時(shí)不是特別穩(wěn)定。
因此，特別需要具有對(duì)于實(shí)際應(yīng)用而言適當(dāng)?shù)男阅?，例如寬的向列相范圍，根?jù)所用的顯示器模式適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)各向異性Δn，高的Δε和特別低的粘度的液晶介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
已經(jīng)令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)具有適當(dāng)高的Δε，適當(dāng)?shù)南喾秶?，和Δn的液晶介質(zhì)，其不顯示出現(xiàn)有技術(shù)材料的缺點(diǎn)或至少只在顯著更小的程度上顯示這些缺點(diǎn)。
本申請(qǐng)的這些改進(jìn)的液晶介質(zhì)包含至少如下組分-第一介電正性組分，組分A，其包含式I的介電正性化合物
其中，R1為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，并優(yōu)選為烷基或烯基，最優(yōu)選為烷基，X1為鹵素，優(yōu)選Cl或F，并且最優(yōu)選Cl，L彼此獨(dú)立地為Cl或F，優(yōu)選F，和n和m彼此獨(dú)立地各自為0-4的整數(shù)，優(yōu)選為0、1或2，并且最優(yōu)選它們之一為1并且另一個(gè)為0，和-第二介電正性組分，組分B，其包含一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，和-任選的介電中性組分，組分C，其包含一種或多種具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物。
在介質(zhì)中組分A的濃度優(yōu)選為0.1％-20％，更優(yōu)選0.5％-15％，甚至更優(yōu)選1％-10％，并且最優(yōu)選1.5％-8％。
所述第一介電正性組分，組分A，優(yōu)選包含式Ia的介電正性化合物，更優(yōu)選其主要由式Ia的介電正性化合物組成，甚至更優(yōu)選其基本上由式Ia的介電正性化合物組成，并最優(yōu)選其完全由式Ia的介電正性化合物組成， 其中，R1和X1具有在上述式I中給定的各自的含義，和L11和L12之一為F，并且另一個(gè)為H。
本發(fā)明優(yōu)選采用的式Ia化合物的各向同性折光指數(shù)(niso)為1.57或更大，其以niso＝(ne+2no)/3形式從折光指數(shù)ne和no計(jì)算而得，所述折光指數(shù)ne和no由所研究的化合物在ZLI-4792中的10％溶液外推而得。
特別優(yōu)選的式Ia的化合物選自子式Ia-1至Ia-4， 其中，R1具有上述式I中給定的含義。
所述第二介電正性組分，組分B，優(yōu)選包含具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，更優(yōu)選其主要由具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，甚至更優(yōu)選其基本上由具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，并最優(yōu)選其完全由具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成。
該組分，組分B，優(yōu)選包含選自式II和III的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，更優(yōu)選其主要由選自式II和III的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，甚至更優(yōu)選其基本上由選自式II和III的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，并最優(yōu)選其完全由選自式II和III的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，
其中，R2和R3彼此獨(dú)立地為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，并且R2和R3優(yōu)選為烷基或烯基， 至 彼此獨(dú)立地為 L21，L22，L31和L32彼此獨(dú)立地為H或F，優(yōu)選L21和/或L31為F，X2和X3彼此獨(dú)立地為鹵素、具有1-3個(gè)C原子的鹵化烷基或鹵化烷氧基，或具有2或3個(gè)C原子的鹵化烯基或烯氧基，優(yōu)選F、Cl、-OCF3或-CF3，最優(yōu)選F、Cl或-OCF3，Z3為-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或單鍵，優(yōu)選-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-或單鍵，并且最優(yōu)選-COO-、反式-CH＝CH-、反式或單鍵，和
l、m、n和o彼此獨(dú)立地為0或1。
在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案中，組分B包含選自式II-1和II-2化合物的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，更優(yōu)選其主要由選自式II-1和II-2化合物的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，甚至更優(yōu)選其基本上由選自式II-1和II-2化合物的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，并最優(yōu)選其完全由選自式II-1和II-2化合物的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成， 其中參數(shù)具有上述式II中所給定的各自含義，并且在式II-1中，參數(shù)L23和L24彼此獨(dú)立地，并且獨(dú)立于其它參數(shù)地，為H或F。
組分B優(yōu)選包含選自式II-1和II-2化合物的化合物，其中L21和L22，或L23和L24，都為F。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，組分B包含選自式II-1和II-2化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24都為F。
優(yōu)選組分B包含一種和/或多種式II-1的化合物。所述式II-1的化合物優(yōu)選選自式II-1a至II-1i的化合物，

其中參數(shù)具有如上所給定的各自含義。
組分B優(yōu)選包含選自式II-1a至II-1e化合物的化合物，其中L21和L22，和/或L23和L24，都為F。
在優(yōu)選的實(shí)施方案中，組分B包含選自式II-1a至II-1e化合物的化合物，其中L21、L22、L23和L24都為F。
尤其優(yōu)選的式II-1的化合物為 其中R2具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式II-2的化合物。優(yōu)選所述式II-2的化合物選自式II-2a至II-2d的化合物，
其中參數(shù)具有如上所給定的各自含義，并優(yōu)選L21和L22都為F，并且L31和L32都為H，或L21、L22、L31和L32都為F。
尤其優(yōu)選的式II-2的化合物為，
其中R2具有如上所給定的含義。
在本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，組分B包含選自式III-1和III-2的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，更優(yōu)選其主要由選自式III-1和III-2的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，甚至更優(yōu)選其基本上由選自式III-1和III-2的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成，并最優(yōu)選其完全由選自式III-1和III-2的一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物組成， 其中參數(shù)具有在上述式III中給定的各自含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-1的化合物。式III-1的化合物優(yōu)選選自式III-1a和III-1b的化合物，
其中參數(shù)具有如上給定的各自含義，并且參數(shù)L33和L34，彼此獨(dú)立地和獨(dú)立于其它參數(shù)地，為H或F。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2的化合物。式III-2的化合物優(yōu)選選自式III-2a至III-2h的化合物，

其中參數(shù)具有如上給定的各自含義，并且L35和L36彼此獨(dú)立地并獨(dú)立于其它參數(shù)地，為H或F。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-1a的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-1a-1至III-1a-6的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式II-2a的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2a-1至III-2a-4的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2b的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2b-1至III-2b-6的化合物，
其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種選自式III-2c和III-2d化合物的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2c-1和III-2d-1的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2e的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2e-1至III-2e-5的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2f的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2f-1至III-2f-5的化合物，
其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2g的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2g-1至III-2g-3的化合物，
其中R3具有如上給定的含義。
組分B優(yōu)選包含一種或多種式III-2h的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式III-2h-1至III-2h-3的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
另外或除了式III-1和/或III-2化合物外，本發(fā)明的介質(zhì)可包含一種或多種式III-3的化合物， 其中參數(shù)具有在上述式III中給定的各自含義，并優(yōu)選式III-3a的化合物， 其中R3具有如上給定的含義。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含介電中性組分，組分C。該組分具有介電各向異性為-1.5至3。優(yōu)選它包含具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物，優(yōu)選主要由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，并更優(yōu)選基本上由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，并特別優(yōu)選完全由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成。該組分優(yōu)選包含一種或多種式IV的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物，更優(yōu)選主要由式IV的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，更優(yōu)選基本上由式IV的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，并特別優(yōu)選完全由式IV的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成， 其中，式I的化合物從式IV中排除，R41和R42彼此獨(dú)立地具有在上述式II中對(duì)R2給出的含義，優(yōu)選R41為烷基和R42為烷氧基， 彼此獨(dú)立地，和在 出現(xiàn)兩次的情況下，這些同樣也彼此獨(dú)立地，為 優(yōu)選 中至少一個(gè)為 Z41和Z42彼此獨(dú)立地，并且在Z41出現(xiàn)兩次的情況下，這些同樣也彼此獨(dú)立地，為-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵，優(yōu)選它們中的至少一個(gè)為單鍵，和，p為0、1或2，優(yōu)選0或1。
所述介電中性組分，組分C，優(yōu)選包含一種或多種選自式IV-1至IV-6化合物的化合物， 其中從式IV-1中排除式I的化合物，R41和R42具有在上述式IV中給出的各自含義，并且在式IV-1、IV-4和IV-5中，R41優(yōu)選為烷基或烯基，優(yōu)選烯基，和R42優(yōu)選為烷基或烯基，優(yōu)選烷基，在式IV-2中，R41和R42優(yōu)選為烷基，和在式IV-3中，R41優(yōu)選為烷基或烯基，優(yōu)選為烷基，并且R42優(yōu)選為烷基或烷氧基，優(yōu)選為烷氧基。
所述介電中性組分，組分C，優(yōu)選包含選自式IV-1、IV-3、IV-4和IV-5化合物的一種或多種化合物，優(yōu)選式IV-1的一種或多種化合物，和選自式IV-3和IV-4的一種或多種化合物，優(yōu)選式IV-1、IV-3和IV-4中每個(gè)式的一種或多種化合物，并且最優(yōu)選式IV-1、IV-3、IV-4和IV-5中每個(gè)式的一種或多種化合物。
所述介電中性組分，組分C，優(yōu)選包含選自式IV-1a、IV-1b、IV-4a和IV-4b、IV-6a和IV-6b化合物的一種或多種化合物， 其中，R為具有1-5個(gè)，優(yōu)選具有1-3個(gè)C原子的烷基，R’為H，或具有1-3個(gè)，優(yōu)選具有1-2個(gè)C原子的烷基，優(yōu)選H或甲基，和R”為H，或具有1-3個(gè)，優(yōu)選具有1-2個(gè)C原子的烷基，優(yōu)選H。
在本發(fā)明另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，該實(shí)施方案可能與前述的一個(gè)實(shí)施方案相同或是不同的一個(gè)，本發(fā)明的液晶混合物包含組分C，該組分C包含選自式IV的化合物，優(yōu)選主要由式IV的化合物組成，更優(yōu)選基本上由式IV的化合物組成，并且最優(yōu)選完全由式IV的化合物組成，所述化合物選自如上所示的式IV-1至IV-6的化合物，和任選地，式IV-7至IV-14的化合物，
其中，R41和R42彼此獨(dú)立地為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，和L4為H或F。
另選或除了式II和/或III的化合物外，本發(fā)明的介質(zhì)可包含一種或多種式V的介電正性化合物， 其中，R5為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，并且R1優(yōu)選為烷基或烯基， 至 彼此獨(dú)立地為 L51和L52彼此獨(dú)立地為H或F，優(yōu)選L51為F，和X5為鹵素、具有1-3個(gè)C原子的鹵化烷基或烷氧基，或具有2或3個(gè)C原子的鹵化烯基或烯氧基，優(yōu)選為F、Cl、-OCF3或-CF3，最優(yōu)選為F、Cl或-OCF3，Z5為-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-或-CH2O-，優(yōu)選-CH2CH2-、-COO-或反式-CH＝CH-，并且最優(yōu)選-COO-或-CH2CH2-，和q為0或1。
本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含一種或多種式V的化合物，所述化合物優(yōu)選選自式V-1和V-2的化合物， 其中參數(shù)具有如上給定的各自含義，并且參數(shù)L53和L54彼此獨(dú)立地，并獨(dú)立于其它參數(shù)地，為H或F，并且Z5優(yōu)選為-CH2-CH2-。
式V-1的化合物優(yōu)選選自式V-1a和V-1b的化合物， 其中R5具有如上給定的含義。
式V-2的化合物優(yōu)選選自式V-2a至V-2d的化合物，
其中R5具有如上給定的含義。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含另一種介電中性組分，組分D。該組分具有介電各向異性為-1.5至3。
優(yōu)選它包含具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物，優(yōu)選主要由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，優(yōu)選基本上由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，并且特別優(yōu)選完全由具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成。該組分優(yōu)選包含一種或多種式VI的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物，更優(yōu)選主要由式VI的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，更優(yōu)選基本上由式VI的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成，并且特別優(yōu)選完全由式VI的具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物組成， 其中，R61和R62彼此獨(dú)立地具有在上述式II中對(duì)R2給出的含義，優(yōu)選R61為烷基和R62為烷基或烯基， 和在其出現(xiàn)兩次的情況下，在每次出現(xiàn)的情況下彼此獨(dú)立地，為 優(yōu)選至少一個(gè) 為 Z61和Z62彼此獨(dú)立地，并且在Z61出現(xiàn)兩次的情況下，同樣這些也彼此獨(dú)立地，為-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵，優(yōu)選它們中的至少一個(gè)為單鍵，和，r為0、1或2，優(yōu)選為0或1。
所述介電中性組分，組分D，優(yōu)選包含選自式VI-1和VI-2的化合物的一種或多種化合物， 其中R61和R62具有上述式VI中給定的各自含義，并且R61優(yōu)選為烷基，和在式VI-1中，R62優(yōu)選為烯基，優(yōu)選為-(CH2)2-CH＝CH-CH3，和在式VI-2中，R62優(yōu)選為烷基。
所述介電中性組分，組分D，優(yōu)選包含選自式VI-1和VI-2的化合物的一種或多種化合物，其中R61優(yōu)選為正烷基，和在式VI-1中，R62優(yōu)選為烯基，和在式VI-2中，R62優(yōu)選為正烷基。
除了組分A和B之外，本發(fā)明的液晶混合物優(yōu)選還包含至少一種另外的組分。該第三組分可以是組分C和D中的任一種，優(yōu)選所存在的該第三組分為組分C。
顯而易見(jiàn)，本發(fā)明的混合物還可包含所有組分A、B、C和D。
本發(fā)明的液晶混合物額外可包含另一種任選的組分，組分E，該組分E具有負(fù)介電各向異性，并包含介電負(fù)性化合物，優(yōu)選主要由介電負(fù)性化合物組成，更優(yōu)選基本上由介電負(fù)性化合物組成，并且最優(yōu)選完全由介電負(fù)性化合物組成，所述介電負(fù)性化合物優(yōu)選為式VII， 其中，R71和R72彼此獨(dú)立地具有在上述式II中對(duì)R2給出的含義， 為 優(yōu)選為 為 Z71和Z72彼此獨(dú)立地，為-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵，優(yōu)選它們中的至少一個(gè)為單鍵，并最優(yōu)選兩個(gè)都是單鍵，L71和L72彼此獨(dú)立地，為C-F或N，優(yōu)選它們中的至少一個(gè)為C-F，并且最優(yōu)選它們兩個(gè)都是C-F，和k為0或1。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含組分A至E并特別是選自式I至VII化合物的化合物，優(yōu)選主要由組分A至E并特別是選自式I至VII化合物的化合物組成，并且最優(yōu)選完全由組分A至E并特別是選自式I至VII化合物的化合物組成。
在本申請(qǐng)中的“包含”在組成方面意思是指所涉及的實(shí)體，例如所述介質(zhì)或所述組分，包含所涉及的所述一種或多種組分，或所述一種或多種化合物，優(yōu)選以總濃度為10％或更多，并且最優(yōu)選20％或更多。
在此方面，“主要由......組成”意思是指所涉及的實(shí)體包含55％或更多，優(yōu)選60％或更多，和最優(yōu)選70％或更多的所涉及的所述一種或多種組分或所述一種或多種化合物。
在此方面，“基本上由......組成”意思是指所涉及的實(shí)體包含80％或更多，優(yōu)選90％或更多，和最優(yōu)選95％或更多的所涉及的所述一種或多種組分或所述一種或多種化合物。
在此方面，“完全由......組成”意思是指所涉及的實(shí)體包含98％或更多，優(yōu)選99％或更多，和最優(yōu)選100.0％的所涉及的所述一種或多種組分或所述一種或多種化合物。
組分E優(yōu)選包含一種或多種式VII的化合物，優(yōu)選主要由一種或多種式VII的化合物組成，和最優(yōu)選完全由一種或多種式VII的化合物組成，所述式VII的化合物優(yōu)選選自式VII-1至VII-3的化合物，
其中，R71和R72具有在上述式VI中給定的各自含義。
在式VII-1至VII-3中，R71優(yōu)選為正烷基或1-E-烯基，并且R72優(yōu)選為正烷基或烷氧基。
同樣，上文中沒(méi)有明確提及的其它介晶(mesogenic)化合物也可任選地和有利地用于本發(fā)明的介質(zhì)中。這些化合物對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是已知的。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)的一般性特征為清亮點(diǎn)為60℃或更高，優(yōu)選70℃或更高，更優(yōu)選75℃或更高，特別是80℃或更高。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)在589nm(NaD)和20℃下的Δn優(yōu)選為0.060或更高至0.160或更低，更優(yōu)選為0.070或更高至0.125或更低，并且最優(yōu)選為0.080或更高至0.115或更低。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)在1kHz和20℃下的Δε優(yōu)選為3.0或更高，更優(yōu)選為4.0或更高。
本發(fā)明介質(zhì)的向列相的范圍優(yōu)選至少?gòu)?℃或更低至70℃或更高，更優(yōu)選至少?gòu)?20℃或更低至70℃或更高，最優(yōu)選至少?gòu)?30℃或更低至75℃或更高，和特別是至少?gòu)?40℃或更低至75℃或更高。
在本發(fā)明第一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，液晶介質(zhì)的Δn為0.110或更高至0.140或更低，更優(yōu)選為0.115或更高至0.135或更低，并且最優(yōu)選為0.120或更高至0.130或更低，而Δε優(yōu)選為4.0或更高至7.0或更低。在該實(shí)施方案中，介質(zhì)優(yōu)選包含一種或多種式II和/或式III-2f的化合物，和/或它們優(yōu)選不包含具有端CF3基團(tuán)或端OCF3基團(tuán)的聯(lián)苯化合物，和/或具有清亮點(diǎn)為60℃或更高。
在本發(fā)明第二個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，液晶介質(zhì)的Δn為0.085或更高至0.125或更低，更優(yōu)選為0.090或更高至0.120或更低，并且最優(yōu)選為0.095或更高至0.115或更低，而Δε優(yōu)選為5.0或更高，優(yōu)選為6.0或更高，更優(yōu)選為7.0或更高，甚至更優(yōu)選為8.0或更高，和最優(yōu)選為5.0或更高至12.0或更低。
在該實(shí)施方案中，本發(fā)明介質(zhì)的向列相的范圍優(yōu)選至少?gòu)?20℃或更低至70℃或更高，更優(yōu)選至少?gòu)?20℃或更低至70℃或更高，最優(yōu)選至少?gòu)?30℃或更低至70℃或更高，和特別是至少?gòu)?40℃或更低至70℃或更高。
在本發(fā)明的第三個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，液晶介質(zhì)的Δn為0.070或更高至0.120或更低，更優(yōu)選為0.075或更高至0.115或更低，并且最優(yōu)選為0.080或更高至0.110或更低，而Δε優(yōu)選為4.0或更高，更優(yōu)選為4.0或更高至14.0或更低，和最優(yōu)選為4.0或更高至12.0或更低，或者特別優(yōu)選為6.0或更高至11.0或更低。
在該實(shí)施方案中，本發(fā)明介質(zhì)的向列相的范圍優(yōu)選至少?gòu)?20℃或更低至75℃或更高，更優(yōu)選至少?gòu)?30℃或更低至70℃或更高，最優(yōu)選至少?gòu)?30℃或更低至75℃或更高，和特別是至少?gòu)?30℃或更低至80℃或更高。
優(yōu)選本發(fā)明介質(zhì)在-20℃的溫度下在散裝(bulk)中的貯存穩(wěn)定性(LTS散裝)為120h或更長(zhǎng)，更優(yōu)選500h或更長(zhǎng)，和最優(yōu)選1,000h或更長(zhǎng)。
更優(yōu)選本發(fā)明介質(zhì)在-30℃的溫度下在散裝中的貯存穩(wěn)定性(LTS散裝)為120h或更長(zhǎng)，更優(yōu)選500h或更長(zhǎng)，和最優(yōu)選1,000h或更長(zhǎng)。
最優(yōu)選本發(fā)明介質(zhì)在-40℃的溫度下在散裝中的貯存穩(wěn)定性(LTS散裝)為120h或更長(zhǎng)，更優(yōu)選250h或更長(zhǎng)，和最優(yōu)選500h或更長(zhǎng)。
本發(fā)明介質(zhì)在-20℃的溫度下，更優(yōu)選在-30℃的溫度下，和最優(yōu)選在-40℃的溫度下，在盒中的貯存穩(wěn)定性(LTS盒)優(yōu)選為250h或更長(zhǎng)，更優(yōu)選500h或更長(zhǎng)，和最優(yōu)選1,000h或更長(zhǎng)。
在“晶種(seed)”試驗(yàn)后，PUQU-2-F的濃度的相對(duì)變化優(yōu)選為15％或更少，更優(yōu)選8％或更少，甚至更優(yōu)選3％或更少，和最優(yōu)選0.1％或更少。
在“晶種”試驗(yàn)后，PUQU-3-F的濃度的相對(duì)變化優(yōu)選為10％或更少，更優(yōu)選5％或更少，甚至更優(yōu)選3％或更少，和最優(yōu)選0.1％或更少。
所用組分A的濃度優(yōu)選為總混合物的1％至15％，更優(yōu)選2％至10％，更優(yōu)選2％至8％，和最優(yōu)選3％至7％。
所用組分B的濃度優(yōu)選為總混合物的10％至70％，更優(yōu)選15％至65％，更優(yōu)選20％至60％，和最優(yōu)選30％至50％。
所用組分C的濃度優(yōu)選為總混合物的15％至85％，更優(yōu)選30％至80％，更優(yōu)選35％至70％，和最優(yōu)選40％至60％。
所用組分D的濃度優(yōu)選為總混合物的0％至40％，更優(yōu)選0％至30％，更優(yōu)選0％至20％，和最優(yōu)選4％至15％。
所用組分E的濃度優(yōu)選為總混合物的0％至30％，優(yōu)選0％至15％，和最優(yōu)選1％至10％。
任選地，為了調(diào)節(jié)物理性能，本發(fā)明介質(zhì)可包含另外的液晶化合物。這些化合物是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。它們?cè)诒景l(fā)明介質(zhì)中的濃度優(yōu)選為0％至30％，更優(yōu)選0％至20％，和最優(yōu)選1％至15％。
液晶介質(zhì)優(yōu)選包含50％至100％，更優(yōu)選70％至100％，和最優(yōu)選80％至100％，和特別是90％至100％的組分A、B、C和D的總量，優(yōu)選組分A、B和C的總量，其又分別包含式I、II、III、IV、V、VI和VII的一種或多種化合物，優(yōu)選主要分別由式I、II、III、IV、V、VI和VII的一種或多種化合物組成，和最優(yōu)選分別完全由式I、II、III、IV、V、VI和VII的一種或多種化合物組成，所述化合物優(yōu)選式I、II、III、IV、V和VI的化合物。
在本申請(qǐng)中，術(shù)語(yǔ)“介電正性”意思是化合物或組分的Δε＞3.0，“介電中性”指具有-1.5≤Δε≤3.0，和“介電負(fù)性”指具有Δε＜-1.5。Δε是在頻率為1kHz和在20℃下測(cè)定的。各化合物的介電各向異性由各單個(gè)化合物在向列型主體混合物中的10％溶液的結(jié)果確定。在相應(yīng)化合物在主體混合物中的溶解度小于10％的情況下，將所述濃度降至5％。試驗(yàn)混合物的電容在具有垂面排列和具有沿面排列的盒(cell)兩者中確定。兩種類(lèi)型的盒的盒間隙為約20μm。施加的電壓為具有頻率為1kHz的矩形波，并且均方根值典型地為0.5V至1.0V，但是總是將其選擇為低于相應(yīng)試驗(yàn)混合物的電容閾值。
對(duì)于介電正性化合物，混合物ZLI-4792，和對(duì)于介電中性，以及介電負(fù)性化合物，混合物ZLI-3086，它們都是Merck KGaA，德國(guó)的產(chǎn)品，分別用作主體混合物。這些化合物的介電常數(shù)由在加入所研究的化合物時(shí)主體混合物的各自值的變化確定。將所述值外推至所研究化合物的濃度為100％。
對(duì)在20℃測(cè)量溫度下具有向列相的組分的自身進(jìn)行測(cè)量，所有其它組分如化合物那樣處理。
術(shù)語(yǔ)“閾值電壓”在本申請(qǐng)中指光學(xué)閾值，并對(duì)于10％相對(duì)對(duì)比度(V10)給出，并且術(shù)語(yǔ)“飽和電壓”指光學(xué)飽和，并對(duì)于90％相對(duì)對(duì)比度(V90)給出，上述兩種情況都是指在如果沒(méi)有另外明確說(shuō)明的情況下。電容閾值電壓(V0)，也稱(chēng)Freedericksz閾值(VFr)，其僅在如果明確提及時(shí)使用。
在本申請(qǐng)中給出的參數(shù)的范圍都包括極限值，除非另外明確說(shuō)明。
在整個(gè)本申請(qǐng)中，除非另外明確說(shuō)明，所有濃度以質(zhì)量百分比計(jì)給出并相對(duì)于各自的完整混合物計(jì)，所有溫度以攝氏度(攝氏溫度)計(jì)給出，并且所有溫度差以攝氏度計(jì)給出。所有物理性能根據(jù)“MerckLiquid Crystals，Physical Properties of Liquid Crystals(Merck液晶，液晶的物理性能)”，Status 1997年11月，Merck KGaA，德國(guó)已經(jīng)測(cè)定和被確定，并對(duì)于20℃的溫度給出，除非另外明確說(shuō)明。光學(xué)各向異性(Δn)在波長(zhǎng)為589.3nm下測(cè)定。介電各向異性(Δε)在頻率為1kHz下測(cè)定。閾值電壓，以及所有其它電光學(xué)性能已用在Merck KGaA，德國(guó)制備的試驗(yàn)盒測(cè)定。用于確定Δε的試驗(yàn)盒具有約20μm的盒間隙。電極為圓形ITO電極，具有1.13cm2的面積和保護(hù)環(huán)。取向?qū)訛橛糜诖姑嫒∠?ε‖)的卵磷脂和得自JapanSynthetic Rubber的用于沿面取向(ε⊥)的聚酰亞胺AL-1054。電容用采用具有0.3Vrms電壓的正弦波的頻率響應(yīng)分析器Solatron 1260確定。在電光學(xué)測(cè)量中使用的光為白光。所用的裝置為可商購(gòu)的Autronic Melchers，德國(guó)的裝置。特性電壓已經(jīng)在垂直觀察下確定。閾值電壓(V10)、中灰度電壓(V50)和飽和電壓(V90)已經(jīng)分別對(duì)于10％、50％和90％的相對(duì)對(duì)比度進(jìn)行測(cè)定。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)可包含通常濃度的另外的添加劑和手性摻雜劑。這些另外的成分的總濃度基于總混合物計(jì)為0％-10％，優(yōu)選0.1％-6％。所用的單個(gè)化合物的濃度各優(yōu)選為0.1％-3％。對(duì)于本申請(qǐng)中液晶介質(zhì)的液晶組分和化合物的濃度的數(shù)值和范圍，這些添加劑和類(lèi)似添加劑的濃度不考慮在內(nèi)。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)由多種化合物，優(yōu)選3-30種，更優(yōu)選4-20種和最優(yōu)選4-16種化合物組成。這些化合物以常規(guī)方式混合。通常，將所需量的以較少量使用的化合物溶解于以較大量使用的化合物中。如果溫度高于以較高濃度使用的化合物的清亮點(diǎn)，特別容易觀察到完全的溶解過(guò)程。然而還可能通過(guò)其它常規(guī)方法，例如用所謂的預(yù)混合物或用所謂的多瓶體系制備所述介質(zhì)，所述預(yù)混合物可以為例如多種化合物的同系或低共熔混合物，所述多瓶體系的成分是準(zhǔn)備好以使用混合物自身。
通過(guò)添加合適的添加劑，本發(fā)明的液晶介質(zhì)可以如下方式改性使得它們可用于所有已知類(lèi)型的液晶顯示器，其使用液晶介質(zhì)本身，例如TN-、TN-AMD、ECB-AMD、VAN-AMD、IPS和OCB LCD，并且特別是可用于復(fù)合體系，如PDLC、NCAP、PN LCD，和特別是可用于ASM-PA LCD。
所述液晶的熔點(diǎn)T(C，N)、從近晶相(S)到向列相(N)的轉(zhuǎn)變T(S，N)和清亮點(diǎn)T(N，I)以攝氏度計(jì)給出。
在給定溫度T下本發(fā)明介質(zhì)在散裝中的貯存穩(wěn)定性(LTS散裝)通過(guò)目測(cè)檢查測(cè)定。將2g所研究介質(zhì)填充于適當(dāng)尺寸的密閉的玻璃容器(瓶)中，該容器放置于在預(yù)定溫度下的冰箱中。每24h檢查該瓶子的近晶相和結(jié)晶的出現(xiàn)。對(duì)于每種物質(zhì)和在每個(gè)溫度下，貯存2個(gè)瓶子。如果在兩個(gè)相應(yīng)瓶子中的至少一個(gè)中觀察到結(jié)晶或近晶相的出現(xiàn)，則終止試驗(yàn)，并記錄在觀察到較高有序相出現(xiàn)的那次檢查之前的最后一次檢查的時(shí)間作為各自的貯存穩(wěn)定性。
為了確定在給定溫度T下本發(fā)明介質(zhì)在LC盒中的貯存穩(wěn)定性(LTS盒)，將該介質(zhì)填充入具有取向?qū)雍途哂屑s3cm2的表面積、約3cm2的電極面積和6μm盒間隙的TN型LC試驗(yàn)盒中。所述盒在由所述LC覆蓋的區(qū)域中沒(méi)有間隔物。只在邊緣使用密封間隔物。將所述盒密封，將偏振器連接到所述盒上，并將盒放置于在預(yù)定溫度下的帶有窗口和內(nèi)部照明的冰箱的冷凍箱中。通常對(duì)于所研究的每個(gè)溫度，將3個(gè)盒中的每個(gè)盒填充有給定的LC。對(duì)冷凍箱內(nèi)部的盒每24h通過(guò)窗口目測(cè)檢查近晶相和結(jié)晶的出現(xiàn)。這里同樣，記錄在給定的試驗(yàn)盒組中第一個(gè)盒中觀察到出現(xiàn)較高有序相的那次檢查之前的最后一次檢查的時(shí)間作為各自的貯存穩(wěn)定性。
對(duì)于所謂的“晶種”試驗(yàn)，將1g所研究的各混合物中的每種在散裝中保持在20℃的溫度下，并隨后用微小晶種晶體PUQU-2-F(1-10mg)摻雜，在20℃的溫度下貯存96h。然后通過(guò)目測(cè)檢查關(guān)于晶體的體積是否已增長(zhǎng)或其是否沒(méi)有變化或甚至減小方面而研究該樣品。然后通過(guò)GC-MS分析剩余的向列型液晶混合物，并將該混合物的組成與摻雜前各自散裝材料的組成相比較。
本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含，一種或多種式Ia-4的化合物，和/或一種或多種式II，優(yōu)選式II-2的化合物和最優(yōu)選選自子式II-2a-2和II-2d-1的化合物，和/或一種或多種式III，優(yōu)選式III-2的化合物和最優(yōu)選選自子式III-2f-3、III-2f-4和III-2f-5的化合物，和/或-種或多種式IV-1，優(yōu)選子式IV-1b的化合物，和/或一種或多種式VI，優(yōu)選子式VI-2的化合物。
在本申請(qǐng)中，和特別是在如下實(shí)施例中，所述液晶化合物的結(jié)構(gòu)由縮寫(xiě)，也稱(chēng)為首字母縮略詞表示。所述縮寫(xiě)向相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換直接根據(jù)下述兩個(gè)表A和B進(jìn)行。所有基團(tuán)CnH2n+1和CmH2m+1是分別具有n或m個(gè)C原子的直鏈烷基。表B的解釋是不證自明的。表A僅列出所述結(jié)構(gòu)的核心的縮寫(xiě)。單個(gè)化合物由所述核心的縮寫(xiě)后面連接連字符和如下指明取代基R1、R2、L1和L2的代號(hào)表示

表A
表B






本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選包含，-七種或更多種，優(yōu)選八種或更多種選自表A和B的化合物的優(yōu)選具有不同結(jié)構(gòu)式的化合物，和/或-一種或多種，更優(yōu)選兩種或更多種，優(yōu)選三種或更多種選自表A的化合物的優(yōu)選具有不同結(jié)構(gòu)式的化合物，和/或-三種或更多種，更優(yōu)選四種或更多種，更優(yōu)選五種或更多種選自表B的化合物的優(yōu)選具有不同結(jié)構(gòu)式的化合物。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例下文中給出的實(shí)施例是舉例說(shuō)明本發(fā)明，而不是以任何方式限制它。
然而，組合物的物理性能向本領(lǐng)域技術(shù)人員舉例說(shuō)明可獲得何種性能，并且在何范圍內(nèi)它們可以被改進(jìn)。因此，特別是可優(yōu)選獲得的各種性能的組合對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是清楚限定的。
實(shí)施例1實(shí)現(xiàn)了具有下表給出的組成和性能的液晶混合物。

該混合物具有有利的物理性能，例如Δn、特性電壓和適度低的旋轉(zhuǎn)粘度。因此，它同樣好地適用于以TN模式操作的顯示器。它還具有在-30℃的溫度下的向列相下優(yōu)異的穩(wěn)定性。
對(duì)比例2實(shí)現(xiàn)具有下表給出的組成和性能的液晶主體混合物。

將在散裝下的該混合物保持在20℃的溫度下并用微小的PUQU-2-F晶種晶體摻雜，在20℃的溫度下貯存96h，然后通過(guò)GC-MS分析剩余的向列相液晶混合物。
所得結(jié)果與實(shí)施例2的結(jié)果一起示于下表中用于比較。
實(shí)施例2實(shí)施例2.1和2.2向?qū)Ρ壤?的混合物中加入2％和5％擇一的GP-2-CL，并檢查各自混合物。
結(jié)果示于下表中。

注釋n.p.不存在對(duì)比例3實(shí)現(xiàn)了具有下表給出的組成和性能的液晶主體混合物。

將在散裝下的混合物保持在20℃的溫度下并用微小的PUQU-2-F晶種晶體摻雜，在20℃的溫度下貯存96h，然后通過(guò)GC-MS分析剩余的向列相液晶混合物。
所得結(jié)果與實(shí)施例3的結(jié)果一起示于下表中用于比較。
實(shí)施例3實(shí)施例3.1和3.2向?qū)Ρ壤?的混合物中加入2％和5％擇一的GP-2-CL，并檢查各自混合物。
結(jié)果示于下表中。

注釋n.p.不存在實(shí)施例4實(shí)現(xiàn)了具有下表給出的組成和性能的液晶混合物。

該混合物具有有利地低的Δn值，高的Δε值，和低的旋轉(zhuǎn)粘度。因此，它非常好地適用于以IPS模式操作的顯示器。它還具有在低溫下的向列相的良好穩(wěn)定性。
實(shí)施例5實(shí)現(xiàn)了具有下表給出的組成和性能的液晶混合物。

該混合物具有有利地低的Δn值，高的Δε值，和低的旋轉(zhuǎn)粘度。因此，它非常好地適用于以IPS模式操作的顯示器。它還具有在低溫下的向列相的良好的穩(wěn)定性。
權(quán)利要求
1.液晶介質(zhì)，其特征在于其包含-第一介電正性組分，組分A，其包含式I的介電正性化合物 其中，R1為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，或具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基，X1為鹵素，L彼此獨(dú)立地為Cl或F，和n和m彼此獨(dú)立地各自為0-4的整數(shù)，和-第二介電正性組分，組分B，其包含一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，和-非必要的介電中性組分，組分C，其包含一種或多種具有介電各向異性為-1.5至3的介電中性化合物。
2.權(quán)利要求1的液晶介質(zhì)，其特征在于在介質(zhì)中組分A的濃度為0.1％-20％。
3.權(quán)利要求1和2中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于所述介電正性組分，組分B，包含一種或多種選自式II和III化合物的化合物， 其中R2和R3彼此獨(dú)立地為具有1-7個(gè)C原子的烷基、烷氧基、氟化烷基或氟化烷氧基，具有2-7個(gè)C原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟化烯基， 至 彼此獨(dú)立地為 L21，L22，L31和L32彼此獨(dú)立地為H或F，X2和X3彼此獨(dú)立地為鹵素、具有1-3個(gè)C原子的鹵化烷基或烷氧基，或具有2或3個(gè)C原子的鹵化烯基或烯氧基，Z3為-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-或單鍵，和l、m、n和o彼此獨(dú)立地為0或1。
4.權(quán)利要求1至3中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于其包含一種或多種如在權(quán)利要求2中給出的式II的化合物。
5.權(quán)利要求1至4中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于其包含一種或多種如在權(quán)利要求2中給出的式III的化合物。
6.權(quán)利要求1至5中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于其包含一種或多種式IV的介電中性化合物， 其中，R41和R42彼此獨(dú)立地具有在權(quán)利要求2中的式II中對(duì)R2給出的含義， 彼此獨(dú)立地，和在 出現(xiàn)兩次的情況下，這些同樣也彼此獨(dú)立地，為 Z41和Z42彼此獨(dú)立地，并且在Z41出現(xiàn)兩次的情況下，這些同樣也彼此獨(dú)立地，為-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵，和，p為0、1或2。
7.權(quán)利要求1至6中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于其包含一種或多種式V的化合物， 其中，R61和R62彼此獨(dú)立地具有在權(quán)利要求3中的式II中對(duì)R2給出的含義， 和在其出現(xiàn)兩次的情況下，在每次出現(xiàn)的情況下都彼此獨(dú)立地，為 Z61和Z62彼此獨(dú)立地，并且在Z61出現(xiàn)兩次的情況下，這些同樣也彼此獨(dú)立地，為-CH2CH2-、-COO-、反式-CH＝CH-、反式-CF＝CF-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵，和，r為0、1或2。
8.液晶顯示器，其特征在于其包含權(quán)利要求1-7中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)。
9.權(quán)利要求8的液晶顯示器，其特征在于其通過(guò)有源矩陣尋址。
10.權(quán)利要求1-7中至少一項(xiàng)的液晶介質(zhì)用于液晶顯示器中的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及介電正性液晶介質(zhì)，其包含－第一介電正性組分，組分A，其包含式I的介電中性化合物，其中參數(shù)具有說(shuō)明書(shū)中給出的含義，和第二介電正性組分，組分B，其包含一種或多種具有介電各向異性大于3的介電正性化合物，和非必要的介電中性組分，組分C，其包含一種或多種具有介電各向異性為－1.5至3的介電中性化合物；并涉及它們?cè)谝壕э@示器中的用途，以及涉及包含這些介質(zhì)的液晶顯示器，特別是涉及有源矩陣顯示器，和特別涉及TN和IPS顯示器。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101037599SQ200710088569
公開(kāi)日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2007年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月17日
發(fā)明者M·柯贊塔, H·赫施曼, P·克施, V·雷芬拉斯, M·瑞特, C·霍克, 大桐小百合, 中島紳二 申請(qǐng)人:默克專(zhuān)利股份有限公司