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液晶介質(zhì)和液晶顯示器的制作方法

文檔序號:3816431閱讀:331來源:國知局

專利名稱::液晶介質(zhì)和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及液晶介質(zhì)以及涉及含有這些介質(zhì)的液晶顯示器,尤其涉及有源矩P車尋址的顯示器,更特別涉及4a^向列(TN)、平面切換(IPS)或邊緣場切換(FFS)型的顯示器。
背景技術(shù)
:液晶顯示器(LCD)用于信息顯示的許多領(lǐng)域。LCD用于直一見顯示^用于投影型顯示器。所用的電光模iU:,例如,M向列(TN)、超4a^向列(STN)、光學(xué)4hf嘗彎曲(0CB)和電控雙折射(ECB)模式以及^門的樹變體、和其它。所有這些模式利用差o^上與a或液晶M直的電場。除了這些模式,還有利用^Mi與l^il液晶層平行的電場的電爐式,例如,平面切換(IPS)模式(例如,^iHf于DE4000451和EP0588568)和邊緣場切換(FFS)模式,其中存在強(qiáng)"ii^場",即接近于電M的強(qiáng)電場,^4A^:(cell)的、具有強(qiáng)垂直^i:和水平分量的電場。后面兩種電^式特別用于現(xiàn)代臺式監(jiān)視器的LCD并意圖用于電視^M^多^^應(yīng)用的顯示器。本發(fā)明的液晶M用于這類顯示器。通常,具有相當(dāng)?shù)偷慕殡姼飨虍恖i值的介電正性液晶介質(zhì)用于FFS顯示器,但絲些情況下具有僅僅約3或更低的介電各向異性的液晶介質(zhì)也用于IPS顯示器。對于這些顯示器,要求具有^ii性能的新型液晶介質(zhì)。對許多類型的應(yīng)用而言尋址時間特別必須得到醋。因此,要求具有更j^占度(T!)、尤其pl^f氐旋轉(zhuǎn)粘度(YJ的液晶介質(zhì)。特別是對于監(jiān)視器應(yīng)用,旋轉(zhuǎn)粘紐該為80mPa's或更低,M60mPas或更低,且特別M55mPa.s或更低。除了這些^^t,介質(zhì)還必須具有合適^l和位置的向列相范圍以a宜的雙折射率(厶n),且介電各向異性(As)應(yīng)當(dāng)足夠高以允if^理低的,電壓?!鱯應(yīng)當(dāng)M大于2,且非常M大于3,^a怖&不大于25,JL特別不大于20,因為il將防止至少相當(dāng)高的電阻率。對于作為筆i2^用顯示器的應(yīng)用或其它移動應(yīng)用而言,旋轉(zhuǎn)粘度應(yīng)當(dāng)M為120mPas或更低,JL特別他^為100mPa.s或更低。介電各向異li(△s)》b^:應(yīng)當(dāng)M大于8JX^i^大于12。本發(fā)明的顯示H^it過有源矩陣(有源矩陣LCD,簡稱為AMD)尋址,優(yōu)i&tit^膜晶體管(TFT)的矩陣。然而,本發(fā)明的液晶顯示H^可以有利地用于具有其它已知尋址方式的顯示器中。存在各種不同的^^]低分子量液晶材料與聚*材料的復(fù)合本系的顯示器模式。這些是,例如,如W091/05029中所乂>開的聚#沐液晶(PDLC)、向列曲糊P'J相(NCAP)和聚a網(wǎng)絡(luò)(PN)體系,或軸對##(:疇(ASM)體系及其它。與這些相反,才娥本發(fā)明而尤M選的模式^^JM面上取向的液晶介質(zhì)自身。這些表面通常被預(yù)處理以實現(xiàn)液晶材料的均勻排列。本發(fā)明的顯示器模式^t使用與復(fù)合層l^平行的電場。適合于LCD、且尤其適合于IPS顯示器的液晶組合物例如從JP07-181439(A)、EP0667555、EP0673986、DE19509410、DE19528106、DE19528107、WO96/23851和WO96/28521已知。^a是,這些組^具有嚴(yán)重的銑氛。^ii些缺陷中,它們的大多數(shù)不利地導(dǎo)致長的尋址時間、具有不充分的電阻賴和/或要^it高的辦電壓。另外,還需要絲LCD的4&顯行為。,性能以;SJi有儲存期的^^jH^blL必要的。因此,極其需要具有用于實際應(yīng)用的合適性能的液晶介質(zhì),所述合適的性能例如寬的向列相范圍、對應(yīng)于所用的顯示器類型的合適的光學(xué)各向異性厶n、高的厶e、以;5UC其為了尤其短的響應(yīng)時間的^^占度。
發(fā)明內(nèi)容令人驚奇地,現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)能夠獲得具有合適高的厶s、合適的相范圍和An,妙顯示、或至少僅姊絲少的禾l^tJ^示賄技術(shù)的材料的缺點的液晶介質(zhì)。本發(fā)明的這些a的液晶介質(zhì)包舍-一種或多種介電正性的式IA的4^^,一種或多種介電正性的式IB的^^/和一種或多種介電正性的式IC的^^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>z"至z"toUf蟲立iik^示-CH2CH廠,~cf2cf2-,-coo~,反"Oh:h-,反-cfk:f-,-csc-,_ch2o-,-CF20-或賴,^t-CH2CH2-,~coo~,反-cih:h-或j^:,特別^-CF2(K^4#,且非常m^,L"和I/^Dtb^立i^示H,F或C1,優(yōu)選H或F,M—個或兩個、JX^i^兩個都表示F,X'表示H或F,且f表示CH2或0,優(yōu)選012,以及一^i^一種或多種選自式n和m的^^物的化^#:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>或F,艇L21、L22、L"和l/2;^匕獨立g示H或F,L"和/或C^4示F,y和X3;feW^f蟲立i4^示鹵素、具有1至3個碳原子的鹵代^iW^基、或具有2或3個碳原子的囟代埽^烯氧基,優(yōu)選F、Cl、-OCF3或"CF3,非常F、Cl或-OCF3,Z3表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO"、>^~CH=CH-、反-CF《F-、-0120-或,,>fti^~CH2CH2-、-C00~、反-CH《H-或賴,非常^it"COO-,^^CH-CH-或轉(zhuǎn),以及m表示O、l或3,她1或3,JUl^i^1,以及n表示O、1、2或3,艦l、2或3,JX^J^1,且在X2不表示F的情況下,m也可以表示2,—ii^一種或多種式IV的^^;R"和R"被此獨立地具有上述式n中對于R2所述的含義,優(yōu)選R"表示;^和R"表示^Mit!U^者R41表示烯#R"表示M,其中,和u兩次,它們^UfotM蟲立地,表示toM蟲立地,并且若14Z"和Z"彬b^立地,MZ"出現(xiàn)兩次,^jDI^f蟲立地,表示-CH2CH廣,-COO-,^^-CH-CH-,反-CF-CF-,-CH20-,~CF20-、-C三C-或,,M它們中的一個或多個表示,,且p表示0、1或2,M0或1。式IA、IB、IC、11和111的化*優(yōu)選為介電正性^^物,優(yōu)選具有大于3的介電各向異t生。式IV的化^7艦為介電中性^^,她具有-1.5至3的介電各向異性。本發(fā)明的介質(zhì)^lfe^H"青況下包^-"種或多種具有大于3的介電各向異性的式IA、IB和IC的介電正性4^^,且其中#^具有上狄I中所述的相應(yīng)含義。本發(fā)明的液晶介質(zhì)M包含總計1至30%、5至25%式IA的化^,1至30%、他42至20y。式IB的化合物,和1至30%、M2至20%式IC的化^。單一^^物以1至20%、M1至15%的濃)^使用。尤其是,如^使用兩種或更多種同系化合物、即相同式的化洽物的#—情況下,該限制適用。如果僅使用式所迷^^物的單一物質(zhì),即僅僅一種同系化洽物,其濃度范圍可為2至20%,皿3至14%。介質(zhì)中式IA、IB和IC的化^稱的濃度M為10%至50%的范圍,更M12°/。至40%的范圍,甚至更^15°/。至35°/。的范圍,非常M20%至30%的范圍,最M23。/。至30y。的范圍。如絲介質(zhì)中^JU各自式IA、IB和/或IC的單一同系^^,其^^^艦1%至20%的范圍,如絲介質(zhì)中^^I各自式IA、IB和/或IC的兩種或更多種同系>(^^,則<^]1%至15%的單一同系4^^。在本發(fā)明的艦實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)在^Hf況下包^-"種或多種式IA的^^,其選自式IA-1至IA-12的^^/,to式IA-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>其中,Ri具有上^Al中所表示的含義。在本發(fā)明的M實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)在#~"情況下包t種或多種式IB的化合物,其選自式IB-l至IB-13的4^物,M式IB-1和/或IB-2和/或IB-6和/或IB-13:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>舊-13FF其中,R'具有上i^iUB中所表示的含義。在本發(fā)明的他逸實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)在^""情況下包^"種或多種式IC的化合物,其選自式IC-l至IC-3的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>其中,W具有上狄IC中所表示的含義。除了選自式IA至IC、或它們優(yōu)選的子式的^^物的^^"卜,本發(fā)明的介質(zhì)包^~種或多種介電各向異性大于3的介電正性^^/,其選自式n和in。^^發(fā)明的m實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^^-種或多種選自式n-i至II-4的化合物的化合物,皿式II-1和/或II-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>其中參數(shù)具有上述式n所述的相應(yīng)含義,且l"和l"彬匕獨立j4^示h或f,艦l"表示f,且具有對于^而給出的含義之一,JUt式ii-l和ii-4的情況下,f^^i4示F或0CF3,尤^逸f,且在式ii-3的情況下,廠o和;fetM蟲立^^示或O,其中排除式IA、IB和IC的^^^,和/或選自式ffl-1和in-2的化M:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>其中,^!fc具有上iiiun中所給出的含義。在優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)另外或除式m-i和/或m-2的化a"卜,還包^~~種或多種式111-3的^^7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>其中,參數(shù)具有上i^斤述的相應(yīng)含義,且^:l/和L32;fc^蟲立且獨立于其它Wt表示H或F。本發(fā)明的介質(zhì)^it包^"^t或多種選自式n-l至II-4的^^的^^;,其中L"和1/2和/或L"和L24兩者表示F。在M的實施方案中,介質(zhì)包^"^種或多種選自式II-2和II-4的化合物的其中L2、L22、L"和L24都表示F。介質(zhì)M包^"種或多種式n-i的4b^物。式n-1的化^^teit自式n-la至II-lf的4^#:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>其中^:具有Jii^斤述的相應(yīng)含義,且L23、L24、L"和L26;fctb^立iU蟲立于其它#^,表示H或F,未式II-la、n-lb和II-lc中,L"和L22兩者都表示F,在式n-ld和n-le中,L"和L"兩者都表示F,和/或L"和L24兩者都表示F,以及在式n-if中,l21、l"和l25表示f且l26表示h。尤^te的式ii-i的化^是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>其中,R2具有Jii^斤述的含義。^h質(zhì)to包^-種或多種式n-2的4^物,^i^自式n-2a至n-2j<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>其中參數(shù)具有Jii^斤述的相應(yīng)含義,且L"至1^匕獨立地表示H或F,優(yōu)選L"和L28兩者都表示H,尤M^L26表示H,且其中排除式IA、IB和IC的^^。本發(fā)明的介質(zhì)M包^-種或多種選自式n-ia至n-ij的化M的化合物,其中L"和L22兩者都表示F和/或L"和L24兩者都表示F。在他迄的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^~~種或多種選自式II-2a至II-2j的4^物的^^物,其中L21、L22、L"和L"都表示F。尤,逸的式II-2化^是下列式的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula>其中W和X2具有Jii^斤述的含義,且X2^t4示F,且其中排除式IA、IB和IC的4^^。本發(fā)明的介質(zhì)M包^"種或多種式II-3的化合物,^iiit自式II-3a至II-3c的化^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>其中^t具有以上所述的相應(yīng)含義,且L"和L22微兩者都表示F,且其中排除式IA、IB和IC的^^。在to的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^""種或多種式n-4的^^,優(yōu)選式II一4a,—U-4aFF其中^lt具有以上所給出的含義,且X2^4示F或0CF3,尤^itF。本發(fā)明的介質(zhì)M包^^種或多種式HI-1的化合物,^i^自式III-la和m-lb的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^"種或多種式m-ib的化合物,其優(yōu)選選自式m-lb-1至m-lb-4的化合物的組,M式m-lb-4:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)M包^-"種或多種式m-2的4^物,^i^先自式in-2a至m-2j的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中##1具有上文所給出的含^iL優(yōu)選其中^t具有上文所述的相應(yīng)含義,且錄L33、IAL"和L"tok^蟲立并獨立于其它錄,表示H或F。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含一種或多種式ni-2a的化合物,其優(yōu)選選自式m-2a-l至lII-2a-5的^^/:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含一種或多種式III-2b的化合物,其優(yōu)選選自式ffl-2b-l和m-2b-2的4^物,M式III-2b-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含一種或多種式m-2c的化合物,其優(yōu)選選自式m匿2c-l至III-2c-5的^^M:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage33</formula>其中R3具有上文所述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)M包^""種或多種選自式m-2d和lll-2e的4化物的4^物,^itit自式m-2d-l和in-2e-l的4^物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>其中R3具有Jii^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^—種或多種式ni-2f的化合物,其優(yōu)選選自式m-2f-l至lII-2f-5的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage34</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^"種或多種式m-2g的化合物,其優(yōu)選選自式IU<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^—種或多種式in-2h的化*,其優(yōu)選選自式m-2h-l至lII-2h-3的化合物,M式III-2h-3:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>lll-2h-3其中^:具有上i^斤給出的含義,且X3^^示F。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^"種或多種式m-2i的化合物,其優(yōu)選選自式IU-2i-l和m-2i-2的化合物,優(yōu)選式m-2i-2:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>其中Wt具有Jii^斤給出的^^義,且X3^4示F。本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包^—種或多種式III-2j的化合物,其優(yōu)選選自式ffl-2;1-1和111-21]'-2的化^4勿,M式III-2j-l:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>其中員具有Jli^斤給出的含義。另外或除了式m-i和/或m-2的卩^物,本發(fā)明的介質(zhì)還可以包^^種或多種式m-3的化#<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中參數(shù)具有Jii:式in中所述的相應(yīng)含義。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>III-3這些^^^itii自式m-3a和in-3b:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>其中R3具有上i^斤述的含義。川-3b本發(fā)明的液晶介質(zhì)M包含介電中'l^且分,組分C。該組分具有-l,5至3范圍的介電各向異性。它艦包括介電各向異!^^-l.5至3范圍的介電中性化合物,更mi要由它們組成,甚至更^i^上由它們組成,尤^te完全由它們桑誠。該組^^包^"-種或多種介電各向異I"錄-l.5至3范圍的式IV的介電中性^r^物,更^fti^i要由它們組成,甚至更^J-^上由它們組成,非常M完全由它們組成。介電中'H^且分,組分C,M包^""種或多種選自式IV-l至式IV-6的化合物的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula>其中R"和R"具有以上式IV中所述的相應(yīng)含義,且在式IV-1、IV-5和IV-6中R"^^4示^il烯基,^#基,且R"^4示^4il烯基,^^,在式IV-2中R"和R"^^4示^iL在式IV-4中R"^^4示^il烯基,更優(yōu)介電中性組分,組分C,她包—種或多種選自式IV-1、IV-4、IV-5和IV-6的化合物的^^,M—種或多種式IV-1的^^和一種或多種選自式IV-4和IV-5的化洽物,更^t每個式IV-1、IV-4和IV-5的一種或多種^S^,且非常^i^^—式IV-1、IV-4、IV-5和IV-6的一種或多種^^的。在M的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^-種或多種式IV-5的化合物,更^f^i^自式CCP-V-n和/或CCP-nVi和/或CCP-Vn~m的其相應(yīng)子式,更M式CCP-V-n和/或CCP-V2-n,且非常^^i^自式CCP-V-l和CCP-V2-1。這些縮寫(首字,略詞)的定義在下表D中說明或由表A至C而言是顯而易見的。在同^H^的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^"種或多種式IV-1的4^^,更^i^自式CC-n"m、CC-n-V、CC-n-Vm、CC-V-V、CC-V-Vn和/或式CC-nV-Vm的其相應(yīng)的子式,更M式CC-n-V和/或CC-n-Vm,且非常^^it自式CC-3-V、CC-4-V、CC-5-V、CC-3-VI、CC-4-Vl、CC-5-Vl、CC-3-V2和CC-V-VI的組。這些縮寫(首字,略詞)的定義同樣在下表D中說明或由表A至C中顯而易見的。在本發(fā)明進(jìn)一步怖&的可以與前面的相同或不同的實施方案中,本發(fā)明的液晶濕^b包^^且分C,該組分C包含選自如上所述的式IV-1至IV-6的式IV的^^和任選的式IV-7至IV-13的化合物的組的式IV的化合物,所述組分C優(yōu)^i要由它們組成,非常M完全由它們組成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula>其中R"和R";fet匕獨立g示具有1至7個減原子的M^、;^IL基、氟^^!Umi^,具有2至7個麟子的烯基、烯緣^Jitti^W基,以及i;表示H或F。在怖&的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^—種或多種式IV-8的化合物,更^iti^自式CPP-3-2、CPP-5-2和CGP-3-2的其相應(yīng)子式,更M式CPP-3-2和/或CGP-3-2,且非常尤^i4式CPP-3-2。這些縮寫(首字,略詞)的定#下表d中說明或由表a至c是顯而易見的。本發(fā)明的液晶介質(zhì)M包^^種或多種式V的^g^;Z"和Z52,tobl蟲立地,MZ51出現(xiàn)兩次,它們^Ltob^立地,表示-CH2CH廣,-coo-,^^ch<h-,《j~cf=cf-,-ch2(k-cf20-或^^:,*它們中的一個或多個表示械且r表示O、1或2,M0或1,特別Ml。式V的^^她為具有-1.5至3的介電各向異f生的介電中性^^。本發(fā)明的介質(zhì)M包^"種或多種選自式V-1和V-2的化合物的化^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>V-1<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>V-2其中R"和R"具有上述式V中所述的相應(yīng)含義,且R"伏i^^示烷基,式V-1中,R"^^4示烯基,優(yōu)選-(CH2)2-CH-CH-CH3,iL在式V-2中R52>^^示^&il烯基,^-((^2)2-01=CH2或-(CH》2-CH=CH-CH3。本發(fā)明的介質(zhì)M包^"種或多種選自式V-1和V-2的化合物,在所i^V-l和V-2中R"伏i44示n-M,結(jié)式V-1中R52^^示烯基,且在式V-2中R"^4示n-絲。在他逸的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^^種或多種式V-1的4^物,更^i^其子式PP-n-2Vm的化合物,甚至更優(yōu)選式PP-1-2V1的4^物。這些縮寫(首字,略詞)的定義示于下表D中或由表A至CU而易見的。在M的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)包^""種或多種式V-2的化合物,更優(yōu)選其子式PGP-n-m、PGP-n-2V和PGP-n-2Vm的化合物,甚至更優(yōu)選子式PGP-3"fli、PGP-n-2V和PGP-n-Vl,非常^i4i^自式PGP-3-2、PGP-3-3、PGP-3-4、PGP-3-5、PGP-1-2V、PGP-2-2V和PGP-3-2V。這些縮寫(首字辦略詞)的定義示于下表D中或由表A至CA^而易見的。另外或除了式II和/或III的化洽物,本發(fā)明的介質(zhì)可以包^-種或多種式VI的介電正性4t^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula>VI其中,R6表示具有1至7個^f、子的M、^H^、^^^^^^li^,具有2至7個^^f、子的烯基、烯KJ^、^HJ^il^f^^基,且^^^烯基,或L"和L";fcH^蟲立;^示H或F,優(yōu)選L"表示F,以及X6表示鹵素、具有1至3個喊原子的鹵代^^4il;^基、或具有2或3個碳原子的鹵代烯M烯氧基,優(yōu)選F、Cl、-0CF3或"CF"非常優(yōu)選F、Cl或-OCF"<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>q表示0或1。本發(fā)明的介質(zhì)to包^-種或多種式VI的化合物,^Li^自式VI-l和VI<formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula>其中^t具有Jii^斤述的相應(yīng)含義,且械L。和L";fcH^蟲立J^蟲立于其它錄,表示H或F,且Z6^44示-CH2-CH廠。式VI-1的^r^^^i^自式VI-la和VI-lb的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>其中R6具有上i^斤述的含義。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>式VI-2的化^b^i&逸自式VI-2a至VI-2d的化^;:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula>其中R6具有上i^斤述的含義。另夕卜,本發(fā)明的液晶介質(zhì)可以包^""種或多種式vn的^^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>「或F,Z"和Z72船l^蟲立g示-CH2CH廠、~C00-、^^CH-CH-、^~CF=CF-、~CH20-、-CF20-或,,怖逸它們中的一個或多個表示牟建,且非常優(yōu)選兩者都表示單健,t表示0、l或2,M0或1,更Ml,和X'具有上iiiUl中對于f所述的含義,或另夕卜,獨立于R7,可以具有對于R7所述的含義之一。式vn的^f^^M為介電正性^^。另外,本發(fā)明的液晶介質(zhì)可以包^""種或多種式VIII的^^,81,82O)~~R82v川#巾,R"和R82被此獨立地具有上述式II中對于R2所述的含義,、表示A8145<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>Z"和Z82;fetb獨立地x^示-CH2CH2-、~C00-、^j~CH-CH-、A"CF-CF-、~CH20-、-CF20"或,,優(yōu)選它們中的一個或多個表示牟睫,且非常怖&兩者都表示單鍵,L"和1/2勸匕獨立#示C-F或N,優(yōu)^L"和L82中的一個或兩個表示C-F,且非常to兩者都表示C-F,以及s表示0或1。式vni的^n^7她為介電負(fù)性^^。本發(fā)明的介質(zhì)艦包^-"種或多種式Vffl的化絲,^選自式vni"i至vin"3的^*<formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>VIII-3其中R"和R"具有上ii^Vin中所述的相應(yīng)含義。在式VII卜1至VIII"3中,R"^i^示n-^4ill-E-烯基,且R82^44示n-本發(fā)明的液晶介質(zhì)to包^^種或多種選自式IA、IB、ic和n至vin的^^7,艦式IA、IB、IC和n至VII的4^^,且更艦式IA、IB、IC和n、m和/或iv和/或vi的化合物。它們特別優(yōu)^i要由這些4^^組成,甚至更Ei^本由這些^^組成,且非常M完全由這些^^7組成。本申請中,與組M有關(guān)的"包含"意指相應(yīng)的實體,即介質(zhì)或組分,優(yōu)選以10%或更多、更優(yōu)選20%或更多的總包含所述一種組分或多種組分或一種^^7或多種^^。^匕方面,"主要由……《M;,意指相應(yīng)的實體包含55%或更多、絲60%或更多、且非常優(yōu)選70%或更多的所述一種組分或多種組分或一種^^物或多種^^;。&匕方面,"M由……《線"意指相應(yīng)的實體包含80%或更多、M90°/?;蚋?、且更優(yōu)選95^或更多的所述一種組分或多種組分或K^物或多種扭匕方面,"實際完全由……細(xì)威"或"完全由……《1^"意指相應(yīng)的實體包含98%或更多、99°/。或更多、且更怖急100%的所述一種組分或多種組分或一種4^^或多種^^;。.胡硇接別的主AH化j^^;可以^fi^ILi^右糸litlut太鬼胡中^^J。這勒b^對于;M頁域技^^員是7^的。本發(fā)明的液晶介質(zhì)^4具有60"C或更高的澄清點,更艦65C或更高,特別M70t:或更高,且非常特別優(yōu)選75X:或更高。^^發(fā)明^h質(zhì)的向列相M至少從ox:或更^f^^伸至70'c或更高,更^E少從-20X:或更低至751C或更高,非常M至少從-30匸或更低至75'C或更高,且特別至少從-4ox:或更低至8ox:或更高。47本發(fā)明液晶介質(zhì)的Ae,在1kHz和20t:下,>^4是2或更高,更優(yōu)選4或更高,且非常te6或更高。厶s特別她25或更小,并縣一些艇實施方案中她20或更小。本發(fā)明液晶介質(zhì)的An,在589nm(Na。)和20C下,優(yōu)i^A在0.070或更大到0.150或更小的范圍,更^i^0.080或更大到0.140或更小的范圍,甚至更M在0.090或更大到0.135或更小的范圍,且非常特別在0.100或更^J'J0.130或更小的范圍。^申請的艦實施方案中,本發(fā)明液晶介質(zhì)的厶nf6it^0.080或更大,更MQ.Q9Q或更大。在本發(fā)明的優(yōu)選實施方案中,液晶介質(zhì)的An優(yōu)M在0.090或更大到0.120或更小的范圍,更f^泉0.095或更;U'J0.115或更小的范圍,且非常M在0.100或更大到0.105或更小的范圍,同時,△s優(yōu)i^l在5或更;U!Jll或更小的范圍,M在6或更WjIO或更小的范圍,特別M在7或更大到9或更小的范圍。在該實施方案中,本發(fā)明介質(zhì)的向列相^i^少從-2(TC或更寸gU^伸到70t:或更高,更to至少從-20。c或更伯測70x:或更高,非常M至少從-3o匸或更^f)J70"C或更高,特別至少從-4ox:或更^^95X:或更高。^^發(fā)明的佐選實施方案中,本發(fā)明液晶介質(zhì)的An^^0.080或更大到O.1300或更小,且Ae是7或更大至25或更小。才l^t本發(fā)明,式IA、IB和IC的化^;在介質(zhì)中M以整個';^^物的1。/0至50%、更*1%至30%、甚至更M2/。至30°/。且非常皿3%至30%的總濃度饑選自式n和m的^^優(yōu)逸以整個';^^物的2%至60%、更優(yōu)選3%至35%,甚至更M4%至20%且非常優(yōu)逸5%至15%的總濃度偵月。式lV的化^^te以整個^^^的5%至70%、更他^20%至65%,甚至更優(yōu)選30%至60%且非常優(yōu)選40%至55%的總濃度使用。式V的4t^to以整個:;^^的0%至30%、更優(yōu)選0%至15。/。且非常M1%至10%的總濃^^吏用。式VI的化r^優(yōu)選以整個》l^物的0%至50°/。、更M1%至40°/。、甚至更優(yōu)選5/。至30%且非常優(yōu)選10%至20%的總濃度使用。本發(fā)明的介質(zhì)可以<鏈包含其它的液晶^^以便調(diào)節(jié)物理性能。這類化*對于;^頁域技^^員是^^的。它們在本發(fā)明的介質(zhì)中的濃度優(yōu)選0%至30%,更_優(yōu)&0.1%至20%,且非常怖逸1%至15%。在M的實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)中式CC-3-V化^的的^LA50%至65%,特別條55%至60%。^^發(fā)明的另-^實施方案中,本發(fā)明的介質(zhì)中式CC-3-V化合物的M是10%至35%,特別優(yōu)選11%至25。/。且非常特別優(yōu)選12%至20°/。。液晶^h質(zhì)M包^^總共50%至100%,更M70°/。至100%,最皿80%至100%,特別地90%至100%的式IA、IB、IC和II至VII的4^物,所述^^^it自式IA、IB、IC和II至VI的^ft^,特別M式IA、IB、IC和II至V的^^,特別是式iA、ib、ic、n、m、iv、v和vn的^^,且非常特別M式ia、ib、ic、n、m、iv和v的化a。它們^^i要由這些^^組成,且更優(yōu)選實際上完全由這些4^^組成。在M的實施方案中,在備lt況下的液晶介質(zhì)包^il些式的每個式的一種或多種4^物。在本申請中,術(shù)語"介電正性"表示其中Ae〉3.0的化《^或組分,"介電中性,,表示其中-l.5<△s<3.0那些,"介電負(fù)性"表示其中△s<-1.5的那些?!鱡在頻率lkHz和20。C下測定。^^物的介電各向異f生以相應(yīng)單一^^物在向列主體^^的中的10%溶液的結(jié)果確定。如^目應(yīng)^^在向列主體^^^中的溶解度低于10%,則i^l減少至5。/。。在具有垂面排列的#具有沿面排列的盒中測定^/^的電容。兩類盒的盒厚度為約20|am。施&的電壓是具有l(wèi)kHz頻率和均方才艮值(effectivevalue)典型地為0.5V至1.OV的矩形波,但其總是凈^^#(氐于相應(yīng)^^物的電容閾值?!鱡定義為(sll-s丄),同時e化是(e1l+2s丄)/3用于介電正性^^的主體^^是^^ZLI-4792,用于介電中'脈介電負(fù)性4t^物的是"^物ZLI-3086,兩者都來自德國的MerckKGaA?;衔锏膶υ?0'C的測量溫度下具有向列相的組分自身進(jìn)行測量,所有其它:H^物那#^理。在這兩種情況下,除非另有說明,本申請中的術(shù)語"閾值電壓"是指光學(xué)閾^tibft于10%的相對對比度(V。)給出,術(shù)語"妙電壓"是指光學(xué)#且對于90y。的相對對比度(V卯)給出。電容閾值電壓(V。),楊為Freedericks閾值(VpJ,僅在明確M時才使用。除非另有說明,本申請中所述^t的范圍都包括iiM。對于性能的各種范圍所述的不同的上限值和下P艮值toki且合產(chǎn)生附加的優(yōu)選范圍。在整個本申請中,除非另外明確說明,適用下列糾和定義。所有狄以重量百分比給出勤目對于相應(yīng)的整個^^7,所有溫度以攝ML給出,il^斤有溫度差以度lt^給出。除非另外明確說明,所有物理性能都是根據(jù)"MerckLiquidCrystals,PhysicalPropertiesofLiquidCrystals",StatusNov.1997,德國MerckKGaA進(jìn)行測定,且對于201C的溫度而給出。光學(xué)各向異f生(厶n)在波長589.3nm下測定。介電各向異性(厶s)在1kHz頻率下測定。閾值電壓以A^斤有其它的電光學(xué)性能已經(jīng)使用德國MerckKGaA生產(chǎn)的^盒測定。用于測定As的"^i^r具有約20Mm的盒厚度。電相^^具有1.13cm2面積和防護(hù)環(huán)的圓形ITO電極。對于垂面取向(sII)取向?qū)邮莵碜匀毡綨issanChemicals的SE-1211,對于沿面取向(s丄)取向^i^Ut自日本JapanSyntheticRubber的^yt胺AL-1054。電^^^^J^Solatron1260頻率^分析^^置測定,該分析裝置使用電壓0.3V鵬的正弦波。電光學(xué)測量中所用的光是白光。此處佳月如下的裝置,該裝置使用了商業(yè)上獲得的來自德國Autronic-Melchers生產(chǎn)的DMS設(shè)備。在垂直觀察下測定特征電壓。閾值電壓(Vl。),中M(mid-grey)電壓(V5。)和#(V9。)電壓分別對于10%、50%和90%的相對對比度而測定。本發(fā)明的液晶介質(zhì)可以進(jìn)一步包^t常濃變的添加劑和手性摻雜劑。這些進(jìn)一步組分基于整個^^的總濃度在0%至10%的范圍,優(yōu)逸0.1%至6%。所使用的單^M^^的M均to^0.1%至3%的范圍。當(dāng)#申請中^^液晶介質(zhì)的液晶組^^^的值和M范圍時,不考慮逸些和類似添加劑的M。本發(fā)明的液晶介質(zhì)由多種^^^試,怖&3至30,更怖&4至20,且非常優(yōu)選4至16種4^物。這些^^物用傳統(tǒng)方式混合。通常,將所需量的以較小的量^^的^^溶解在以較大的量^^的^^b中。如影顯度高于以較高'^1使用的化合物的澄清點,特別容易觀幕到溶解過程的完成。也可以用其它傳統(tǒng)方法制備該介質(zhì),例如使用所謂的預(yù)混物或使用所謂的"多瓶(mulUbottle)"體系,所述預(yù)混物可以是例如多種4^物的均質(zhì)或共晶混合物,所述多瓶體系的成分是準(zhǔn)4^f吏用的混^的自身。通過添加合適的添加劑,本發(fā)明的液s曰日^h質(zhì)可以以可用于所有已知類型的液晶顯示器的方式被改性,或者佳月液晶介質(zhì)自身,例如TN、TN-細(xì)、ECB-扁、VAN-AMD、IPS-AMD、FFS-AMDLCD,或者用于復(fù)輯系中,例如PDLC、NCAP、PNLCD,JX其用于ASM-PALCD中。所有溫度,例如液晶的熔點T(C,N)或T(C,S)、從近晶(S)到向列(N)相的轉(zhuǎn)變T(S,N)和澄清點T(N,1)以攝^1給出。所有溫U以度録給出。在本發(fā)明中,且特別是下述實施例中,介晶^^的結(jié)構(gòu)通過^^作首字,略詞的縮寫表示。在這些首字,略詞中,化學(xué)式^^)下表A至C縮寫為如下。所有基團(tuán)CnH^、CJU和dH2w或CJk—"C^w和dH2H分別表示^^有n、m和1個碳原子的直^iJL烯基,他^1E-烯基。表A列出了用于^^核心結(jié)構(gòu)的環(huán)^i單元的編石馬,而表B列出了i^^基團(tuán)。表C給出了左手側(cè)或右手側(cè)端M碼的含義。首字母縮略詞由具有^^i^接基團(tuán)的環(huán)狀單元的編碼、其后的第一連字符和左手側(cè)端基編碼、以^^;字符和右手側(cè)端^)碼構(gòu)成。表D列出了化洽物的結(jié)構(gòu)以及它們對應(yīng)的縮寫。表A:Sf;R單元<formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula>表B:連接基團(tuán)E""CH2CH2-V~CH=CH-X"CF-CH-XI-CH=CF-B-CF=CF-T-OC-W~CF2CF2—th2flKlZ-C(H)"ZI-0~C0~0-CH廣O-01"0~CH2-Q-CF2-0-QI-0-CF2-T-CsC-表C:端基左手邊-n--nO-.V--nV--Vn--nVm--N--S--F--CL--M--0-CnH2n+1-CH-CH2-CnH2n-CH-CH2-CnH2n-CH=CH-CmH2m+1-N=C=S-F-CI-CFH2-CF2H-CF3右手邊單獨朋CnH2n+TCnH2n+1-0-CH2=CH-CH2-CH-CnH2n+rCnH2n+1-CH=CH-CmH2m'N5C-S=C=N-F-Cl-CFH2-CF2H-CF3-nnVnV-其中,n和m各表示m,JL^個點"…"是;M^格其它縮寫的占錄。下表示出說明性結(jié)構(gòu)和它們的相應(yīng)縮寫。示出它們;^了說明縮寫細(xì),J的含義。它們i^示^i^f^]的^^。表D:說明性結(jié)構(gòu)-0-CmH2m+iCH-CH2CH=CH-CmH2m+1CC-n-mVCnH2n+1~^(]]>~hQ>_(CH2):CH=CH~C,H2I+1CC-n-mVICnH2n+1CC-n-mCC-n-OmCC-n-VCnH2n+lCC-n-Vm-OCFH2-OCF2H-OCF3-0-CH-CF2-"C-H-C5G-CnH2n+1-CsC--CH=CH--CO-O--O-CO--CO--CF-CF-CFH20-CF2HO-CF30-CF2-CH-0-H-CSC-CnH2n+1-C5C--CsC--...A...CH-CH--...V...-CO-O--...Z...-O-CO--...Z,...-CO--...K...-CF=CF--...W...200X.t2|D^oAwNIIl咖歸tfFMDTXnNooooAAA<formula>formulaseeoriginaldocumentpage55</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage59</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage62</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage63</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage67</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula>4^發(fā)明的M實施方案中,介晶介質(zhì)包^^種或多種選自表E的^^。下表,表F,示出^^本發(fā)明的介晶介質(zhì)中M用作手性摻雜劑的說明性^^。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage68</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage70</formula>R/S-50"^it^發(fā)明to的實施方案中,介晶介質(zhì)包^-"種或多種選自表F的^r^。本發(fā)明的介晶介質(zhì)M包含兩種或更多種、M四種或更多種^^b,其選自由上ii4格中的化^組成的組。械明的液晶介質(zhì)艦包含—七種或更多種、優(yōu)i^/V種或更多種^^物,伏選^^具有三種或更多種、優(yōu)選四種或更多種不同的式,其選自表D的4^物。實施例下述實施例i兌明;^發(fā)明,但不以^f可形式限制本發(fā)明。然而,這些物理'M向4^頁域^^Mv員顯示了可以實現(xiàn)何種性能以及它們可以在何種范圍內(nèi)^ii。因此,特別地,可M實現(xiàn)的^ft性能的結(jié)合對^4貞^^支#員而言是明確的。<table>tableseeoriginaldocumentpage71</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>實施例5<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>實施例6<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage74</column></row><table>權(quán)利要求1、液晶介質(zhì),其特征在于,其包含-一種或多種介電正性的式IA的化合物,一種或多種介電正性的式IB的化合物,和一種或多種介電正性的式IC的化合物其中,R1表示具有1至7個碳原子的烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基,具有2至7個碳原子的烯基、烯氧基、烷氧基烷基或氟代烯基,id="icf0002"file="A2009102039080002C2.tif"wi="17"he="7"top="160"left="33"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>和id="icf0003"file="A2009102039080002C3.tif"wi="20"he="8"top="159"left="59"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>彼此獨立地表示id="icf0005"file="A2009102039080003C1.tif"wi="22"he="21"top="29"left="30"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0006"file="A2009102039080003C2.tif"wi="24"he="23"top="28"left="60"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>id="icf0007"file="A2009102039080003C3.tif"wi="22"he="9"top="60"left="29"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>和id="icf0008"file="A2009102039080003C4.tif"wi="22"he="9"top="59"left="60"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>彼此獨立地表示id="icf0010"file="A2009102039080003C6.tif"wi="22"he="21"top="108"left="37"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0011"file="A2009102039080003C7.tif"wi="25"he="23"top="107"left="66"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>表示id="icf0014"file="A2009102039080003C10.tif"wi="22"he="10"top="213"left="32"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0015"file="A2009102039080003C11.tif"wi="25"he="15"top="213"left="61"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>id="icf0016"file="A2009102039080003C12.tif"wi="21"he="9"top="233"left="31"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>表示id="icf0018"file="A2009102039080004C2.tif"wi="21"he="21"top="55"left="35"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>或id="icf0019"file="A2009102039080004C3.tif"wi="24"he="23"top="54"left="64"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>Z11至Z16彼此獨立地表示-CH2CH2-、-CF2CF2-、-COO-、反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-CF2O-或單鍵,L11和L12彼此獨立地表示H、F或Cl,X1表示H或F,且Y1表示CH2或O。2、#^權(quán)利要求1所述的介質(zhì),^NN^于,其包含-一種或多種選自式n和m的化合物的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中,R2和R3;fej^蟲立J4^示具有1至7^"^^子的M、;^lij^、^A^il!Umi^,具有2至7個^f、子的烯基、烯|^、^Jj^il氟^^基,至每次出現(xiàn)時^Mi立i^k4^示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>L21,L22,L"和L32;fe^蟲立g示H或F,X2和X3彼此獨立地表示鹵素、具有1至3個碳原子的鹵代^&il;^lL基、或具有2或3個碳原子的鹵代^^M烯M,Z3表示"CH2CH廠、"CF2CF2-、-C00-、^~CH=CH-、>^-CF=CF-、~01120-或,,m表示0、1或3,且n表示0、1、2或3,并且在X2不表示F的情況下,m也可以扇^示2。3、才^^要求1或2所迷的介質(zhì),^#棘于,其包含-一種或多種式IV的化^;次,它們"^Ufc)t獨立地,表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>或<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>,Z"和Z"勸M蟲立地,并JL^Z"出現(xiàn)兩次,它們^L&tW蟲立地,表示-CH2CH2-、-COO-、反一CH^H-、反-CF^CF-、~CH20"、~CF20-、-CsC-或,,且p表示0、l或2。4、才M^(5U'J要求1至3中的一項或多項所述的液晶介質(zhì),其特征在于,在介質(zhì)中的式IA、IB和IC的化合物的總M為5%至40%的范圍。5、##權(quán)利要求1至4中的一項或多項所述的介質(zhì),皿征在于,其包t種或多種^^要求2中所述的式n的4t^。6、才娥權(quán)利要求1至5中的一項或多項所述的液晶介質(zhì),其特征在于,其包^_種或多種權(quán)利要求2中所述的式m的化合物。7、4N^U,J要求1至6中的一項或多項所述的液晶介質(zhì),其特征在于,其包^-種或多種式V的介電中性4t^/V其中,R51和R";fcH^蟲立i^"有斥X^要求2中式n的R2所述的含義,在每次出現(xiàn)時船M蟲立iik4^示z"和z"船匕獨立地,并且如果z"出現(xiàn)兩次則它們HW^t匕獨立地,表示~CH2CH2-、-C00"、>^-CH=CH-、反-CF《F-、~CH20-、-CF20-或賴,且r表示O、l或2。8、液晶顯示器,^#棘于,^"^有^^M,J要求1至7中的一項或多項所述的^h質(zhì)。9、條;M,j要求8的顯示器,^#絲于,它是有源矩陣尋址的。10、才娥擬'J要求1至7中的一項或多項所述的介質(zhì)在液晶顯示器中的用途。11、4N^M'J要求1至7中的一項或多項所述的介質(zhì)的制備方法,其特征在于,4^U'〗要求l中所給出的^-種情況下,^"-種或多種式IA的4t^、一種或多種式IB的^^7和一種或多種式IC的化合物與^5U'J^求2至7的一項或多項所M的一種或多種^^物和/或一種或多種其它液晶4^物和/或一種或多種添加劑混合。全文摘要本發(fā)明涉及介電正性液晶介質(zhì),該介質(zhì)在每一情況下包含三個式IA、IB和IC的一種或多種化合物,其中,參數(shù)具有說明書所述的相應(yīng)含義,和任選的一種或多種其它介電正性化合物和任選一種或多種其它介電中性化合物;本發(fā)明還涉及含有這些介質(zhì)的液晶顯示器,尤其是涉及有源矩陣顯示器,特別是涉及TN、IPS和FFS顯示器。文檔編號C09K19/20GK101565624SQ200910203908公開日2009年10月28日申請日期2009年3月11日優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日發(fā)明者M(jìn)·恰因塔,齊藤泉申請人:默克專利股份有限公司
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