專利名稱：使用光纖對光敏材料進(jìn)行圖案化的無掩模方法與結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。 更具體地說，本發(fā)明涉及制造用于制造集成電路的光圖形曝光
(photol池ography)掩模的方法與設(shè)備。
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般地涉及集成電路以及制造電子器件的集成電路加工方法。 更具體地說，本發(fā)明涉及制造用于制造集成電路的光圖形曝光掩模的方法 與設(shè)備。僅僅作為示例，本發(fā)明已應(yīng)用于制造集成電路的一個或多個掩 模。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。例如，本發(fā)明可以
適用于晶圓自身上的光敏材料或需要曝光以進(jìn)行圖案化的其它襯底。
集成電路或"IC"已經(jīng)從單個硅芯片上制造的少數(shù)互連器件發(fā)展成為 數(shù)以百萬計的器件。當(dāng)今IC具有的性能和復(fù)雜度已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了最初的 預(yù)想。為了在復(fù)雜度和電路密度(即，能夠封裝在給定芯片區(qū)域內(nèi)的器件 數(shù)目)方面獲得進(jìn)步，最小器件特征尺度(也被稱為器件"幾何形狀") 隨著IC的更新?lián)Q代而變得更小?，F(xiàn)在制造的半導(dǎo)體器件的特征尺度小于 1/4微米。
日益增加的電路密度不僅提高了 IC的復(fù)雜度和性能，而且還向消費 者提供了較低成本的零部件。IC制造設(shè)備可能要花費幾億甚至幾十億美 元。每個制造設(shè)備都具有一定的晶圓生產(chǎn)量，并且在每個晶圓之上都具有 一定數(shù)量的IC。因此，通過使IC的單個器件更小，可以在每個晶圓上制 備更多的器件，進(jìn)而提高制造設(shè)備的產(chǎn)量。將器件做得更小非常具有挑戰(zhàn) 性，因為在IC制造中采用的每道工藝都具有一個限度。也就是說， 一個 給定的工藝通常只能作到某一特征尺度，之后要么需要改變工藝，要么需 要改變器件布局。這樣的限度的一個示例是以省錢且高效的方式獲得用于制造集成電路的掩模套件的能力。
在過去的幾年里，已經(jīng)發(fā)展出利用芯片代工服務(wù)來制備定制集成電 路。無生產(chǎn)線芯片設(shè)計公司通常設(shè)計定制集成電路。這些定制集成電路需 要制造一套定制掩模(通常叫做"光罩")。提供代工服務(wù)的芯片公司的 一個例子是叫做上海中芯國際(SMIC)的芯片代工公司。盡管無生產(chǎn)線 芯片設(shè)計公司與代工服務(wù)在這幾年間迅速增加，但是仍然存在許多限制。 例如，用于制造定制集成電路的掩模套件通常很昂貴。即，它們可能花費 數(shù)十萬美元，并且需要很長的交付周期。此外，制造掩模的掩模工廠的數(shù) 量很有限，這也導(dǎo)致很難獲得用于定制集成電路的掩模套件。在下文的本 說明書中詳細(xì)描述了這些和其它限制。
從上面可以看出，需要一種改進(jìn)的技術(shù)，用于處理半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法與技術(shù)。更具體地 說，本發(fā)明提供了制造用于制造集成電路的光圖形曝光掩模的方法與設(shè) 備。僅僅作為示例，本發(fā)明已應(yīng)用于制造集成電路的一個或多個掩模。但 是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。例如，本發(fā)明可以適用于 晶圓自身上的光敏材料或需要曝光以進(jìn)行圖案化的其它襯底。
在一個具體實施例中，本發(fā)明提供了用于圖案化諸如半導(dǎo)體晶圓、玻 璃板、復(fù)合材料等目標(biāo)物體的方法。所述方法提供一個目標(biāo)物體，所述目 標(biāo)物體具有一個光敏材料的覆層。所述方法包括有選擇地將光通過復(fù)數(shù)個 光纖核芯中的一個或多個光纖核芯。每個所述光纖核芯具有一個輸入端和 一個輸出端。每個所述輸入端都耦合到光源。所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為
1到N，其中N是大于1的整數(shù)。每個所述輸出端也編號為1到N，其分 別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。所述方法
將所述光敏材料曝光給有選擇地通過所述一個或多個光纖核芯發(fā)射的光。 所述一個或多個光纖核芯分別通過所述光纖核芯的一個或多個輸出端來輸
出光。編號為1到N的每個所述輸出端與分別編號為1到N的像素相關(guān) 聯(lián)。在另一個具體實施例中，本發(fā)明提供了一種用于圖案化目標(biāo)物體以制 造集成電路的裝置。所述裝置包括一個光源。耦合到所述光源的復(fù)數(shù)個光 纖核芯。每個所述光纖核芯具有一個輸入端和一個輸出端。每個所述輸入 端耦合到所述光源。所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1
的整數(shù)。每個所述輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所
述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。耦合到所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光 纖核芯的一個陣列。所述陣列被配置成允許每個所述光纖末端向一個公共 平面輸出?？刹僮鞯伛詈系剿龉财矫娴囊粋€目標(biāo)物體。所述目標(biāo)物體 包括光敏材料，其具有一個面向(直接或間接)公共平面的表面。在所述
光敏材料上曝光的一個圖案。所述圖案由編號為1到N的光纖末端分別輸 出的編號為1到N的復(fù)數(shù)個光束構(gòu)成。
在另一個具體實施例中，本發(fā)明提供了一種用于圖案化諸如半導(dǎo)體晶 圓、玻璃板、復(fù)合材料等目標(biāo)物體的方法。所述方法包括提供一個目標(biāo)物 體，所述目標(biāo)物體具有一個光敏材料的覆層。所述方法包括有選擇地將光 通過復(fù)數(shù)個光纖核芯中的一個或多個光纖核芯。每個所述光纖核芯具有一 個輸入端和一個輸出端。每個所述輸入端都耦合到光源。所述復(fù)數(shù)個光纖 核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)。每個所述輸出端也編號為1 到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核 芯。所述方法將所述光敏材料曝光給有選擇地通過所述一個或多個光纖核 芯發(fā)射的光。所述一個或多個光纖核芯分別通過所述光纖核芯的一個或多 個輸出端來輸出光。編號為1到N的每個所述輸出端與分別編號為1到N 的像素相關(guān)聯(lián)。根據(jù)實施例，每個所述像素處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)或第 n狀態(tài)。處于不同狀態(tài)的像素的組合在所述光敏材料上形成了空間圖案。
通過本發(fā)明，實現(xiàn)了許多優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)的優(yōu)點。例如，本技術(shù)易于使 用依賴于傳統(tǒng)技術(shù)的工藝。在一些實施例中，本方法提高了每個晶圓上的 芯片的器件成品率。此外，本方法提供了與傳統(tǒng)工藝相兼容的工藝，而基 本不用對現(xiàn)有的設(shè)備或工藝進(jìn)行改動。根據(jù)實施例，可以實現(xiàn)一個或多個 這些優(yōu)點。在本說明書的下文中，將詳細(xì)描述這些以及其它的優(yōu)點。
參考下文詳細(xì)的描述和附圖，可以更全面地理解本發(fā)明的各種其它目的、特征和優(yōu)點。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纖光纜的簡化側(cè)視圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的光纖陣列的簡化俯視圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)裝置的簡化側(cè)視圖4是包括根據(jù)本發(fā)明實施例的裝置的光學(xué)系統(tǒng)的簡化側(cè)視圖5是使用根據(jù)本發(fā)明實施例的方法印刷的圖案的簡化俯視具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明，提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法和技術(shù)以及最終結(jié) 構(gòu)。更具體地說，本發(fā)明提供了制造用于制造集成電路的光圖形曝光掩模 的方法與設(shè)備。僅僅作為示例，本發(fā)明已應(yīng)用于制造集成電路的一個或多 個掩模。但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，本發(fā)明具有更寬泛的適用范圍。例如，本發(fā)明 可以適用于晶圓自身上的光敏材料或需要曝光以進(jìn)行圖案化的其它襯底。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光纖光纜100的簡化側(cè)視圖。該示圖僅
僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，光纖光纜包括包層
(cladding layer) 103覆蓋在核芯區(qū)域101上。所述光纜還包括第一末端 105和第二末端109。第一末端從源接收光束，該光束可以被調(diào)制。第二 末端發(fā)射光。所述光優(yōu)選地被調(diào)制為第一狀態(tài)(對應(yīng)于接通(on)狀態(tài)) 或第二狀態(tài)(對應(yīng)于斷開(off)狀態(tài))。根據(jù)實施例，還包括其它的第n 狀態(tài)，包括各個灰度等級。根據(jù)實施例，第二末端可以具有約0.2微米或 更大的尺寸。每個光纖對應(yīng)于一個較大圖案的像素元素，這將在本說明書 以及下文中進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光纖陣列的簡化俯視圖200。該示圖僅 僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，陣列200捆扎光纖電 纜的每個接頭(tip)。每個接頭203對應(yīng)一個像素元素。根據(jù)一個具體實施例，這些像素元素的組合對應(yīng)一個較大的圖案。給出的陣列在下文描述 的裝置中實現(xiàn)，但也可在其它裝置中實現(xiàn)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的光學(xué)裝置的簡化側(cè)視圖300。該示圖僅 僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，所述裝置包括一個光 源，其有選擇地通過光纖束(fiber bundle) 311中的復(fù)數(shù)個光纖核芯提供 光。如所示，每個光纖核芯都具有一個輸入端和一個輸出端。每個輸入端 都耦合到光源。所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整 數(shù)。每個輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個 光纖核芯的每個光纖核芯。僅僅作為示例，光纖是一種合適的材料。
陣列309耦合到所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。該陣列被配置 成允許每個光纖末端向一個公共平面307輸出。該陣列被配置成幾何形 狀，其可以形成一個光柵圖像。該幾何形狀由多個像素元素組成。這些像 素元素對應(yīng)于每個光纖核芯的輸出。根據(jù)實施例，該陣列可以由合適的材 料制成，用于在相對于公共平面和每個光纖末端相互的適當(dāng)位置處支撐每 個光纖末端。當(dāng)然，陣列形狀取決于應(yīng)用。
目標(biāo)物體301可操作地耦合到公共平面301。該目標(biāo)物體包括光敏材 料302，該光敏材料302具有一個面向(直接或間接)公共平面的表面。 光敏材料可以包括諸如正性抗蝕劑或負(fù)性抗蝕劑的光致抗蝕劑。在該光敏 材料302上曝光一個圖案。該圖案由編號為1到N的光纖末端分別輸出的 編號為1到N的多個光束構(gòu)成。該圖案通過有選擇地允許光從一個或多個 編號為1到N的輸出端發(fā)出而形成。根據(jù)實施例，所述目標(biāo)物體可以包括 空片掩模(blankmask)、半導(dǎo)體襯底、玻璃、復(fù)合物等。
所述裝置還包括耦合在光纖陣列和目標(biāo)物體之間的光學(xué)透鏡305。該 透鏡可以是單個透鏡或者是多個透鏡。這些透鏡還可以分別地施加到每個 光纖末端?；蛘吒鶕?jù)實施例，這些透鏡可以是4:1、 5:1或10:1校正，還可 以有許多其它變化、修改和替換。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法可以簡要描述如下
1.提供一個諸如半導(dǎo)體晶圓、玻璃板的目標(biāo)物體，其上具有光敏材料的覆層；
2. 從存儲器中選擇與將要印刷到所述目標(biāo)物體之上的圖案相關(guān)聯(lián)的文
件；
3. 處理所述文件；
4. 基于所述文件確定輸出；
5. 基于來自所述文件的輸出，有選擇地將光通過復(fù)數(shù)個光纖核芯的一 個或多個光纖核芯，其中所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大 于1的整數(shù)；
6. 有選擇地通過分別與一個或多個光纖核芯相關(guān)聯(lián)的一個或多個輸出 末端來輸出光；
7. 引導(dǎo)輸出光通過一個公共平面；
8. 將輸出光穿過透鏡；
9. 將光敏材料曝光給有選擇地通過一個或多個光纖核芯發(fā)射的光；
10. 由光敏材料的曝光部分在所述光敏材料上形成圖案；
11. 顯影并圖案化所述光敏材料；
12. 處理包括已圖案化的光敏材料的目標(biāo)物體；以及
13. 執(zhí)行其它所需步驟。
上面的步驟序列提供了根據(jù)本發(fā)明的實施例的一種方法。在不脫離這 里的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以增加步驟，去除一個或多個步驟或者 以不同的次序規(guī)定一個或多個步驟。所述步驟優(yōu)選地提供了使用配置成陣 列的光纖光纜的方法，以有選擇地將光施加到光敏材料上以進(jìn)行曝光。在 本說明書以及下文的詳細(xì)描述中可以發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的其它細(xì)節(jié)。
圖4是包括根據(jù)本發(fā)明實施例的裝置的光學(xué)系統(tǒng)400的簡化側(cè)視圖。 該示圖僅僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限制。本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。在這個附圖中使用了 與這里的某些其它附圖相同的標(biāo)號。然而，這些號碼并不是作為限制。如 所示，所述裝置包括一個光源，其有選擇地將光通過光纖束311中的復(fù)數(shù) 個光纖核芯。如所示，每個光纖核芯都具有一個輸入端和一個輸出端。每 個輸入端都耦合到光源。所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)。每個輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所 述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。僅僅作為示例，光纖是合適的材料。
陣列309耦合到所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。該陣列被配置 成允許每個光纖末端向一個公共平面307輸出。該陣列被配置成幾何形 狀，其可以形成光柵圖像。該幾何形狀由多個像素元素組成。這些像素元 素對應(yīng)于每個光纖核芯的輸出。根據(jù)實施例，該陣列可以由合適的材料制 成，用于在相對于公共平面和每個光纖末端相互的適當(dāng)位置處支撐每個光 纖末端。當(dāng)然陣列形狀取決于應(yīng)用。
目標(biāo)物體301可操作地耦合到公共平面301。該目標(biāo)物體包括光敏材 料302，該光敏材料302具有一個面向(直接或間接)公共平面的表面。 光敏材料可以包括諸如正性抗蝕劑或負(fù)性抗蝕劑的光致抗蝕劑。在該光敏 材料302上曝光圖案。該圖案由編號為1到N的光纖末端分別輸出的編號 為1到N的多個光束構(gòu)成。該圖案通過有選擇地允許光從一個或多個編號 為1到N的輸出端發(fā)出而形成。根據(jù)實施例，所述目標(biāo)物體可以包括空片 掩模、半導(dǎo)體襯底、玻璃、復(fù)合物等。根據(jù)實施例，可以由許多其它變 化、修改和替換。
所述系統(tǒng)優(yōu)選地還包括耦合到接口 403的計算裝置401。該計算裝置 包括顯示設(shè)備、顯示屏、機殼、鍵盤、掃描儀和鼠標(biāo)。鼠標(biāo)和鍵盤是典型 的"用戶輸入設(shè)備"。鼠標(biāo)包括按鍵用于選擇圖形用戶接口設(shè)備上的按 鈕。用戶輸入設(shè)備的其它示例有觸摸屏、光筆、跟蹤球、數(shù)據(jù)手套(data glove)、麥克風(fēng)等等。在一個優(yōu)選實施例中，計算機包括基于奔騰，系 列的計算機，運行微軟公司的WindowsTMNT或XP操作系統(tǒng)。然而，在不 脫離本發(fā)明的范圍的條件下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員很容易使所述系統(tǒng)采用 其它操作系統(tǒng)和體系結(jié)構(gòu)。所述裝置包括諸如磁盤驅(qū)動、處理器、存儲設(shè) 備等計算機組件。所述存儲設(shè)備包括但不局限于磁盤驅(qū)動、磁帶、固態(tài)存 儲器、磁泡存儲器(bubble memory)等。還可以包括其它硬件，例如用于 將計算機裝置連接到外部設(shè)備、外部存儲器、其它計算機和其它外圍組件 的輸入/輸出(I/O)接口卡。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員很容易實現(xiàn)子系統(tǒng)和互連的其它設(shè)置。系統(tǒng)存儲器和固定磁盤是用于存儲計算機程序的有形介質(zhì)的示例。其它類型的有形
介質(zhì)包括軟盤、移動硬盤、諸如CD-ROM和條形碼的光存儲介質(zhì)、以及 諸如閃存、只讀存儲器(ROM)和后備電池存儲器等半導(dǎo)體存儲器。盡管 上文已經(jīng)在具體硬件特征方面進(jìn)行了舉例說明，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到存在許多 變化、替換和修改。例如，任何硬件特征都可以進(jìn)一步結(jié)合或者甚至分 拆。所述特征還可以部分地通過軟件或軟件和硬件的結(jié)合來實現(xiàn)。取決于 應(yīng)用，所述軟件和硬件可以進(jìn)一步集成或減少集成。
圖5是使用根據(jù)本發(fā)明實施例的方法印刷的圖案503的簡化俯視圖 500。該示圖僅僅是一個示例，而不應(yīng)作為對這里的權(quán)利要求的范圍的限 制。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能看出許多變化、修改和替換。如所示，根據(jù) 一個具體實施例，圖案503已經(jīng)被印刷到?jīng)]有經(jīng)過曝光的背景襯底501之 上。所述圖案由像素元素505組成，所述象素元素對應(yīng)于每個光纖末端。 根據(jù)實施例，可以有其它的圖案，這些圖案存儲在計算機裝置的存儲器 中?？梢垣@取、處理這些圖案，來確定每個像素元素的輸出。
還應(yīng)當(dāng)理解，這里所描述的示例和實施例只是為了說明的目的，本領(lǐng)域
的普通技術(shù)人員可以根據(jù)上述實施例對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。這些修 改和變化都在本申請的精神和范圍內(nèi)，并且也在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種用于圖案化目標(biāo)物體的方法，所述方法包括提供一個目標(biāo)物體，所述目標(biāo)物體具有一個光敏材料的覆層；有選擇地將光通過復(fù)數(shù)個光纖核芯中的一個或多個光纖核芯，每個所述光纖核芯具有一個輸入端和一個輸出端，每個所述輸入端都耦合到光源，所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)，每個所述輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯；將所述光敏材料曝光給有選擇地通過所述一個或多個光纖核芯發(fā)射的光，所述一個或多個光纖核芯分別通過所述光纖核芯的一個或多個輸出端來輸出光；其中編號為1到N的每個所述輸出端與分別編號為1到N的像素相關(guān)聯(lián)。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中編號為1到N的每個所述像素結(jié)合 在一起形成了在所述光敏材料上進(jìn)行曝光的一個圖案。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光敏材料是光致抗蝕劑。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述目標(biāo)物體是一個半導(dǎo)體晶圓或 一個玻璃襯底。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中N大于IO。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中以光纖束形式提供所述復(fù)數(shù)個光纖 核心。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括耦合到每個所述輸出端的陣列。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述陣列是MXL陣列，其中M是 整數(shù)并且L是整數(shù)。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括使所述光輻照通過耦合在所述目 標(biāo)物體和所述輸出端之間的透鏡。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中有選擇的應(yīng)用開啟或關(guān)斷到每個 所述光纖核芯的光。
11. 一種用于圖案化目標(biāo)物體以制造集成電路的裝置，所述裝置包括一個光源；耦合到所述光源的復(fù)數(shù)個光纖核芯，每個所述光纖核芯具有一個輸入 端和一個輸出端，每個所述輸入端耦合到所述光源，所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)，每個所述輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯；以及耦合到所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯的一個陣列，所述陣列被 配置成允許每個所述光纖末端向一個公共平面輸出。
12. 如權(quán)利要求11所述的裝置，在使用所述裝置期間，將一個目標(biāo)物體可操作地耦合到所述公共平面，所述目標(biāo)物體包括一個光敏材料，所述光敏材料包括一個表面，所述表面面向所述公共平面；一個圖案曝光于所述光敏材料上，所述圖案由編號為1到N的光纖末 端分別輸出的編號為1到N的復(fù)數(shù)個光束構(gòu)成。
13. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中每個所述光纖末端的特征在于約 0.2微米或更大的尺寸。
14. 如權(quán)利要求12所述的裝置，還包括耦合在所述陣列中的所述光纖 末端和所述目標(biāo)物體之間的一個透鏡；其中所述目標(biāo)物體是一個半導(dǎo)體晶 圓或一個玻璃襯底。
15. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中以光纖束形式來提供所述復(fù)數(shù)個 光纖核芯。
16. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中N大于IO。
17. 如權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述光源是電調(diào)制的。
18. —種用于制造目標(biāo)物體的方法，所述方法包括 提供一個目標(biāo)物體，所述目標(biāo)物體包括一個光敏材料的覆層； 有選擇地通過復(fù)數(shù)個光纖核芯中的一個或多個光纖核芯應(yīng)用光，每個所述光纖核芯具有一個輸入端和一個輸出端，每個所述輸入端都耦合到光 源，所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)，每個所 述輸出端編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯；將所述光敏材料曝光給有選擇地通過所述一個或多個光纖核芯發(fā)射的 光，所述一個或多個光纖核芯分別通過所述光纖核芯的一個或多個輸出端來輸出光；其中編號為1到N的每個所述輸出端與分別編號為1到N的像素相關(guān)聯(lián)；其中基于所述有選擇的應(yīng)用光，每個所述像素處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一狀態(tài)對應(yīng)于光的接通狀態(tài)。
20. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第二狀態(tài)對應(yīng)于光的斷開狀態(tài)。
21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中每個所述像素處于第一狀態(tài)或第 二狀態(tài)或第三狀態(tài)或第n狀態(tài)。
全文摘要
一種用于圖案化諸如半導(dǎo)體晶圓、玻璃板、復(fù)合物等目標(biāo)物體的方法。所述方法提供一個目標(biāo)物體，該目標(biāo)物體具有一個光敏材料的覆層。所述方法包括有選擇地將光通過復(fù)數(shù)個光纖核芯中的一個或多個光纖核芯。每個所述光纖核芯具有一個輸入端和一個輸出端。每個輸入端都耦合到光源。所述復(fù)數(shù)個光纖核芯編號為1到N，其中N是大于1的整數(shù)。每個輸出端也編號為1到N，其分別對應(yīng)于編號為1到N的所述復(fù)數(shù)個光纖核芯的每個光纖核芯。所述方法將光敏材料曝光給有選擇地通過所述一個或多個光纖核芯發(fā)射的光。所述一個或多個光纖核芯分別通過所述光纖核芯的一個或多個輸出端來輸出光。編號為1到N的每個輸出端與分別編號為1到N的像素相關(guān)聯(lián)。
文檔編號G02B6/32GK101285911SQ20071003950
公開日2008年10月15日 申請日期2007年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月12日
發(fā)明者唐光亞, 邱慈云, 黃景熙 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司