專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有高導(dǎo)通電流的薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法(THIN FILM TRANSISTOR ARRAYSUBSTRATE AND FABRICATING METHOD THEREOF)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管廣泛應(yīng)用于控制電路信號(hào)，在平面顯示器的技術(shù)領(lǐng)域中也使用TFT來(lái)控制信號(hào)的輸入與否，同時(shí)搭配儲(chǔ)存電容將被動(dòng)驅(qū)動(dòng)提升至主動(dòng)驅(qū)動(dòng)以改善顯示品質(zhì)。
設(shè)計(jì)像素電極時(shí)，除了考慮有效發(fā)揮組件特性外，也需避免信號(hào)間互相耦合。特別是用以觀賞動(dòng)態(tài)節(jié)目的顯示器，由于畫面的更新頻率較高，除了組件充放電性質(zhì)要好，設(shè)計(jì)時(shí)也盡量避免信號(hào)互相耦合，才能夠提升顯示品質(zhì)。
圖1所示為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的電容電路示意圖。圖2所示為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的電壓波形圖。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，由于晶體管上的電壓變化(主要是掃描配線電壓10變化)會(huì)經(jīng)由寄生電容(parasitical capacitor)(主要為柵極-漏極寄生電容Cgd)產(chǎn)生饋穿電壓(feed through voltage)，而造成顯示電極電壓20向下偏移ΔV。在理想的狀況下，可將共享電壓(common voltage)30向下調(diào)整ΔV至共享電壓40，即可補(bǔ)償由饋穿電壓所造成的壓差，或是可增加儲(chǔ)存電容Cs以改善因信號(hào)間相互耦合所造成的ΔV。
然而，增加儲(chǔ)存電容值也須搭配TFT充放電效能的提升才可以發(fā)揮其優(yōu)點(diǎn)，否則儲(chǔ)存電容將無(wú)法在特定時(shí)間內(nèi)充至期望的電位，而造成各灰階無(wú)法正確顯示。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板，其具有較小的制作面積。
本發(fā)明的另一目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板，其具有高導(dǎo)通電流。
本發(fā)明的又一目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，可加大儲(chǔ)存電容值。
本發(fā)明的再一目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板，其能減少因信號(hào)互相耦合所造成的像素閃動(dòng)。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，首先提供一基板。接著，在基板上形成圖案化第一金屬層，以定義出多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中掃描配線與源極圖案在基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域且平行于掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線的位置上分別延伸一個(gè)凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為源極。然后，在基板上形成圖案化半導(dǎo)體層，以分別在每一像素區(qū)域內(nèi)的源極上定義出第一半導(dǎo)體圖案以及在每一像素區(qū)域內(nèi)的共享配線上定義出第二半導(dǎo)體圖案，且第二半導(dǎo)體圖案具有暴露出共享配線的第一開(kāi)口。接下來(lái)，在基板上形成圖案化透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域內(nèi)定義出一像素電極，其中每一像素電極覆蓋所對(duì)應(yīng)的第一半導(dǎo)體圖案及第二半導(dǎo)體圖案，且每一像素電極具有對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口的第二開(kāi)口。之后，在基板上形成圖案化絕緣層，以在每一共享配線上方定義出第一絕緣圖案，并且在每一源極圖案的延伸方向與所對(duì)應(yīng)的掃描配線的相交處定義出第二絕緣圖案，每一第一絕緣圖案具有對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口的第三開(kāi)口，且每一第二絕緣圖案延伸覆蓋所對(duì)應(yīng)的源極以及源極上方的第一半導(dǎo)體圖案與像素電極。接著，在基板上形成圖案化第二金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)柵極及多個(gè)金屬電極，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案的延伸方向而配置于源極圖案上，每一柵極分別配置于所對(duì)應(yīng)的源極上方的第二絕緣圖案上，并延伸連接掃描配線，每一金屬電極配置于所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)的第一絕緣圖案上，并經(jīng)由第三開(kāi)口、第二開(kāi)口及第一開(kāi)口電性連接至所對(duì)應(yīng)的共享配線。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，更包括分別在半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)形成歐姆接觸層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成歐姆接觸層的方法包括離子摻雜。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，更包括在源極圖案的延伸方向與掃描配線以及共享配線的相交處上分別定義出第三半導(dǎo)體圖案，并使后續(xù)形成的第二絕緣圖案分別覆蓋所對(duì)應(yīng)的第三半導(dǎo)體圖案。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板、圖案化第一金屬層、圖案化半導(dǎo)體層、圖案化透明導(dǎo)電層、圖案化絕緣層及圖案化第二金屬層。圖案化第一金屬層，其配置于基板上，包括多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中掃描配線與源極圖案在基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域且平行于掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線的位置上分別延伸一個(gè)凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為源極。圖案化半導(dǎo)體層，其配置于圖案化第一金屬層與基板上，包括多個(gè)第一半導(dǎo)體圖案與多第二半導(dǎo)體圖案，其中第一半導(dǎo)體圖案配置于每一像素區(qū)域內(nèi)的源極上，以及第二半導(dǎo)體圖案配置于每一像素區(qū)域內(nèi)的共享配線上，且第二半導(dǎo)體圖案具有暴露出共享配線的第一開(kāi)口。圖案化透明導(dǎo)電層，用以在每一像素區(qū)域內(nèi)定義出像素電極，其中每一像素電極覆蓋所對(duì)應(yīng)的第一半導(dǎo)體圖案及第二半導(dǎo)體圖案，且每一像素電極具有對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口的第二開(kāi)口。圖案化絕緣層，其配置于基板上，包括多個(gè)第一絕緣圖案與多第二絕緣圖案，其中第一絕緣圖案配置于每一共享配線上方，且每一第一絕緣圖案具有對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口的第三開(kāi)口，以及第二絕緣圖案配置于每一源極圖案的延伸方向與所對(duì)應(yīng)的該掃描配線的相交處，且每一第二絕緣圖案延伸覆蓋所對(duì)應(yīng)的源極以及源極上方的第一半導(dǎo)體圖案與像素電極。圖案化第二金屬層，其配置于基板上，包括多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)柵極及多個(gè)金屬電極，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案的延伸方向而配置于源極圖案上，每一柵極分別配置于所對(duì)應(yīng)的源極上方的第二絕緣圖案上，并延伸連接掃描配線，每一金屬電極配置于所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)的第一絕緣圖案上，并經(jīng)由第三開(kāi)口、第二開(kāi)口及第一開(kāi)口電性連接至所對(duì)應(yīng)的共享配線。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)分別具有歐姆接觸層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，歐姆接觸層的材料包括摻雜非晶硅。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一金屬層是由多層金屬疊加而成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化半導(dǎo)體層更包括設(shè)置在源極圖案的延伸方向與掃描配線以及共享配線的相交處上的第三半導(dǎo)體圖案，且第二絕緣圖案分別覆蓋所對(duì)應(yīng)的第三半導(dǎo)體圖案。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，首先提供一基板，接著于基板上依序形成一第一金屬層、一半導(dǎo)體層及一第二金屬層。然后，圖案化第二金屬層、半導(dǎo)體層及第一金屬層，以將第一金屬層定義成多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中掃描配線與源極圖案在基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域且平行于掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為源極，同時(shí)在每一像素區(qū)域中將第二金屬層及半導(dǎo)體層定義成配置于所對(duì)應(yīng)的源極上的第一堆棧圖案、配置于共享配線上的第二堆棧圖案，且第二堆棧圖案具有暴露出共享配線的第一開(kāi)口、以及配置于與源極圖案的延伸方向相交處的掃描配線上及共享配線上的第三堆棧圖案。接下來(lái)，在基板上形成圖案化絕緣層，以在每一像素區(qū)域中的第一開(kāi)口上方定義出對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口的第二開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的第一堆棧圖案上方定義出暴露出部分第一堆棧圖案的第三開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的第二堆棧圖案兩側(cè)上方定義出暴露出部分第二堆棧圖案的多個(gè)第四開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的掃描配線靠近源極的一側(cè)上方定義出暴露出部分掃描配線的第五開(kāi)口、以及分別在每一像素區(qū)域中的源極圖案兩側(cè)上方及第三堆棧圖案兩側(cè)上方定義出暴露出部分源極圖案及部分第三堆棧圖案的多個(gè)第六開(kāi)口。之后，在圖案化絕緣層上形成圖案化透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域中的共享配線兩側(cè)定義出二像素電極，像素電極經(jīng)由這些第四開(kāi)口電性連接至第二堆棧圖案，其中一個(gè)像素電極經(jīng)由第三開(kāi)口電性連接至第一堆棧圖案、在每一像素區(qū)域中的第二堆棧圖案上方定義出第一透明電極，第一透明電極經(jīng)由第二開(kāi)口及第一開(kāi)口電性連接至共享配線、在每一像素區(qū)域中的源極上方形成柵極，柵極經(jīng)由第五開(kāi)口電性連接至掃描配線、以及在源極圖案的延伸方向與共享配線及掃描配線交會(huì)處定義出多個(gè)第二透明電極，第二透明電極經(jīng)由第六開(kāi)口電性連接源極圖案及第三堆棧圖案。接下來(lái)，在基板上形成圖案化第三金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線，其中每一條數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案的延伸方向而配置于源極圖案上方，并與所對(duì)應(yīng)的第二透明電極電性連接。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板、圖案化第一金屬層、圖案化堆棧層、圖案化絕緣層、圖案化透明導(dǎo)電層及圖案化第三金屬層。圖案化第一金屬層，配置于基板上，包括多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中掃描配線與源極圖案在基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域且平行于掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線的位置上分別延伸一個(gè)凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為源極。圖案化堆棧層，由下而上依序?yàn)榘雽?dǎo)體層及第二金屬層，配置于圖案化第一金屬層與該基板上，包括多個(gè)第一堆棧圖案、多個(gè)第二堆棧圖案與多個(gè)第三堆棧圖案，其中第一堆棧圖案配置于每一像素區(qū)域中所對(duì)應(yīng)的源極上，第二堆棧圖案配置于共享配線上，且第二堆棧圖案具有暴露出共享配線的第一開(kāi)口，以及第三堆棧圖案配置于與源極圖案的延伸方向相交處的掃描配線上及共享配線上。圖案化絕緣層，配置于基板上，具有多個(gè)第二開(kāi)口、多個(gè)第三開(kāi)口、多個(gè)第四開(kāi)口、多個(gè)第五開(kāi)口、以及多個(gè)第六開(kāi)口，其中第二開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的第一開(kāi)口上方并對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口、第三開(kāi)口位于每一像素區(qū)域中的第一堆棧圖案上方并暴露出部分第一堆棧圖案、第四開(kāi)口位于每一像素區(qū)域中的第二堆棧圖案兩側(cè)上方并暴露出部分第二堆棧圖案、第五開(kāi)口位于每一像素區(qū)域中的掃描配線靠近源極的一側(cè)上方并暴露出部分掃描配線、以及第六開(kāi)口位于每一像素區(qū)域中的源極圖案兩側(cè)上方及第三堆棧圖案兩側(cè)上方并暴露出部分源極圖案及部分第三堆棧圖案。圖案化透明導(dǎo)電層配置在圖案化絕緣層與基板上，用以在每一像素區(qū)域中的共享配線兩側(cè)定義出二像素電極，像素電極經(jīng)由第四開(kāi)口電性連接至第二堆棧圖案，其中一個(gè)像素電極經(jīng)由第三開(kāi)口電性連接至第一堆棧圖案、在每一像素區(qū)域中的第二堆棧圖案上方具有第一透明電極，第一透明電極經(jīng)由第二開(kāi)口及第一開(kāi)口電性連接至共享配線、在每一像素區(qū)域中的源極上方形成柵極，柵極經(jīng)由第五開(kāi)口電性連接至掃描配線、以及在源極圖案的延伸方向與共享配線及掃描配線交會(huì)處具有多個(gè)第二透明電極，第二透明電極經(jīng)由第六開(kāi)口電性連接源極圖案及第三堆棧圖案。圖案化第三金屬層，其配置在基板上，包括多條數(shù)據(jù)配線，其中每一條數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案的延伸方向而配置于源極圖案上方，并與所對(duì)應(yīng)的第二透明電極電性連接。
基于上述，在本發(fā)明所制造的薄膜晶體管陣列基板中，TFT的各構(gòu)件直立排列，因此具有較小的制作面機(jī)及高導(dǎo)通電流。
另一方面，在本發(fā)明所制造的薄膜晶體管陣列基板中，可由共享配線與第二金屬層包夾透明電極或是由共享配線與透明電極包夾第二金屬層來(lái)增加儲(chǔ)存電容值能，以減少因信號(hào)互相耦合所造成的像素閃動(dòng)，進(jìn)而提升畫面品質(zhì)。
此外，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，會(huì)在半導(dǎo)體層上下兩側(cè)分別形成歐姆接觸層，以避免產(chǎn)生短信道效應(yīng)。


圖1所示為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的電容電路示意圖。
圖2所示為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的電壓波形圖。
圖3A～圖3E所示為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造流程剖面圖。
圖4A～圖4E所示為沿著圖3A～圖3E中A-A’及B-B’剖面線的制造流程剖面圖。
圖5所示為沿著圖3E中C-C’剖面線的剖面圖。
圖6A～圖6C所示為本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造流程剖面圖。
圖7A～圖7C所示為沿著圖6A～圖6C中A-A’及B-B’剖面線的制造流程剖面圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明10掃描配線電壓20顯示電極電壓30、40共享電壓100、200基板102、202共享配線 104、204掃描配線106、206源極圖案 108、208像素區(qū)域110、210源極 112歐姆接觸層114第一半導(dǎo)體圖案 116第二半導(dǎo)體圖案118、216第一開(kāi)口 120第三半導(dǎo)體圖案122歐姆接觸層 124、232像素電極126、222第二開(kāi)口 128第一絕緣圖案130第二絕緣圖案 132、224第三開(kāi)口134數(shù)據(jù)配線 136、236柵極138金屬電極 212第一堆棧圖案214第二堆棧圖案 218第三堆棧圖案
220絕緣層 226第四開(kāi)口228第五開(kāi) 230第六開(kāi)口234第一透明電極 238第二透明電極240數(shù)據(jù)配線 Cgd柵極-漏極寄生電容Cs儲(chǔ)存電容具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
圖3A～圖3E所示為本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造流程剖面圖。圖4A～圖4E所示為沿著圖3A～圖3E中A-A’及B-B’剖面線的制造流程剖面圖。
首先，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A及圖4A，提供一基板100，基板100例如是玻璃基板等透明基板。接著，在基板100上形成圖案化的第一金屬層(未圖示)，以定義出多條共享配線102(在圖3A中僅示出一條共享配線102)、多條掃描配線104(在圖3A中僅示出一條掃描配線104)及多條源極圖案106，其中掃描配線104與源極圖案106在基板100上定義出多個(gè)像素區(qū)域108，共享配線102分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域108且平行于掃描配線104，而每一源極圖案106鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線104的位置上分別延伸一個(gè)凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域108內(nèi)，以分別作為源極110。此外，第一金屬層例如是由多層金屬疊加制作，可避免第一金屬層與相鄰各層產(chǎn)生剝離。第一金屬層的厚度例如是0.15μm～0.5μm，但并不用以限制本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。
此外，在形成第一金屬層之后且在對(duì)第一金屬層進(jìn)行圖案化之前，可在第一金屬層上形成歐姆接觸層112，且歐姆接觸層112與第一金屬層一起進(jìn)行圖案化制造工藝，因此歐姆接觸層112會(huì)覆蓋在共享配線102、掃描配線104及源極圖案106上。歐姆接觸層112的材質(zhì)例如是摻雜非晶硅，其形成方法例如是以化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅并同步進(jìn)行離子摻雜而形成的，而離子摻雜的型態(tài)例如是N型重?fù)诫s。
然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3B及圖4B，在基板100上形成圖案化的半導(dǎo)體層(未圖示)，以分別在每一像素區(qū)域108內(nèi)的源極110上定義出第一半導(dǎo)體圖案114以及在每一像素區(qū)域108內(nèi)的共享配線102上定義出第二半導(dǎo)體圖案116，且第二半導(dǎo)體圖案116具有暴露出共享配線102的第一開(kāi)口118。半導(dǎo)體層的厚度例如是0.2μm～2μm，但并不用以限制本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。
值得一提的是，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，更可以在源極圖案106的延伸方向與掃描配線104以及共享配線102的相交處上分別定義出第三半導(dǎo)體圖案120。
此外，在形成半導(dǎo)體層之后且在對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化之前，可在半導(dǎo)體層上形成歐姆接觸層122。在對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化制造工藝時(shí)，同時(shí)圖案化歐姆接觸層122及112。歐姆接觸層122的材質(zhì)例如是摻雜非晶硅，其形成方法例如是以化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅并同步進(jìn)行離子摻雜而形成的，而離子摻雜的型態(tài)例如是N型重?fù)诫s。
接下來(lái)，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3C及圖4C，在基板100上形成圖案化的透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域108內(nèi)定義出一像素電極124，其中每一像素電極124覆蓋所對(duì)應(yīng)的第一半導(dǎo)體圖案114及第二半導(dǎo)體圖案116，且每一像素電極124具有對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口118的第二開(kāi)口126。透明導(dǎo)電層的材料例如是銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)，其形成方法例如是蒸鍍法或?yàn)R鍍法。透明導(dǎo)電層的厚度例如是0.1μm～0.5μm，但并不用以限制本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。透明導(dǎo)電層直接配置于半導(dǎo)體層上，在TFT中可作為漏極，在共享配線102上方可形成電容，提供儲(chǔ)存電容值。
之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3D及圖4D，在基板100上形成圖案化的絕緣層，以在每一共享配線102上方定義出第一絕緣圖案128，并且在每一源極圖案106的延伸方向與所對(duì)應(yīng)的掃描配線104的相交處定義出第二絕緣圖案130，每一第一絕緣圖案128具有對(duì)應(yīng)于第二開(kāi)口126的第三開(kāi)口132，且每一第二絕緣圖案130延伸覆蓋所對(duì)應(yīng)的源極110以及源極110上方的第一半導(dǎo)體圖案114、像素電極124與所對(duì)應(yīng)的第三半導(dǎo)體圖案120。該絕緣層的材料例如是氧化硅或是氮化硅等絕緣材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。絕緣層的厚度例如是0.3μm～0.6μm，但并不用以限制本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。
接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3E及圖4E，在基板100上形成圖案化的第二金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線134、多個(gè)柵極136及多個(gè)金屬電極138，其中每一數(shù)據(jù)配線134分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案106的延伸方向而配置于源極圖案106上，每一柵極136分別配置于所對(duì)應(yīng)的源極110上方的第二絕緣圖案130上，并延伸連接掃描配線104，每一金屬電極138配置于所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域108內(nèi)的第一絕緣圖案128上，并經(jīng)由第三開(kāi)口132、第二開(kāi)口126及第一開(kāi)口118電性連接至所對(duì)應(yīng)的共享配線102。金屬電極138與共享配線102包夾像素電極124，以形成較大的儲(chǔ)存電容。第二金屬層的厚度例如是0.15μm～0.5μm，但并不用以限制本發(fā)明，在此技術(shù)領(lǐng)域具有通常知識(shí)者可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。
圖5所示為沿著圖3E中C-C’剖面線的剖面圖。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，源極110與作為漏極的部分像素電極124位于第一半導(dǎo)體圖案114的上下兩側(cè)，加上位于第二絕緣圖案130上的柵極136即成為垂直式的TFT。垂直式的TFT可利用雙邊導(dǎo)通加大信道寬度，利用膜厚控制信道長(zhǎng)度，而提高驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比(W/L)的比值，因此具有高導(dǎo)通電流。此外，在第一半導(dǎo)體圖案114與源極110及像素電極124之間分別配置有歐姆接觸層112、122，因此可大幅降低電子穿隧機(jī)率并降低位能，進(jìn)而抑致電場(chǎng)，避免產(chǎn)生短信道效應(yīng)。
上述實(shí)施例所制造的薄膜晶體管陣列基板中，TFT的各構(gòu)件直立排列，因此可以提升導(dǎo)通電流。另一方面，共享配線102與金屬電極138包夾像素電極124，能有效地增加儲(chǔ)存電容值。
圖6A～圖6C所示為本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造流程剖面圖。圖7A～圖7C所示為沿著圖6A～圖6C中A-A’及B-B’剖面線的制造流程剖面圖。
首先，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6A及圖7A，提供一基板200，基板200例如是玻璃基板等透明基板。接著，在基板200上依序形成第一金屬層(未圖示)、半導(dǎo)體層(未圖示)及第二金屬層(未圖示)。值得注意的是，在形成半導(dǎo)體層時(shí)，更可分別在半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)形成歐姆接觸層(未圖示)。歐姆接觸層的材質(zhì)例如是摻雜非晶硅，其形成方法例如是以化學(xué)氣相沉積法沉積非晶硅并同步進(jìn)行離子摻雜而形成的，而離子摻雜的型態(tài)例如是N型重?fù)诫s。
然后，圖案化第二金屬層、半導(dǎo)體層及第一金屬層，以將第一金屬層定義成多條共享配線202(在圖6A中僅示出一條共享配線202)、多條掃描配線204(在圖6A中僅示出一條掃描配線204)及多條源極圖案206，其中掃描配線204與源極圖案206在基板200上定義出多個(gè)像素區(qū)域208，共享配線202分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域206且平行于掃描配線204，而每一源極圖案206鄰近于所對(duì)應(yīng)的掃描配線204的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域208內(nèi)，以分別作為源極210。此外，第一金屬層例如是由多層金屬疊加制作，可避免第一金屬層與相鄰各層產(chǎn)生剝離。
同時(shí)，在每一像素區(qū)域208中將第二金屬層及半導(dǎo)體層定義成配置于所對(duì)應(yīng)的源極210上的第一堆棧圖案212、配置于共享配線202上的第二堆棧圖案214，且第二堆棧圖案214具有暴露出共享配線的第一開(kāi)口216、以及配置于與源極圖案206的延伸方向相交處的掃描配線204上及共享配線202上的第三堆棧圖案218。第一堆棧圖案212中的第二金屬層作為TFT的漏極使用。
接下來(lái)，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6B及圖7B，在基板200上形成圖案化的絕緣層220，以在每一像素區(qū)域208中的第一開(kāi)口216上方定義出對(duì)應(yīng)于第一開(kāi)口216的第二開(kāi)口222、在每一像素區(qū)域208中的第一堆棧圖案212上方定義出暴露出部分第一堆棧圖案212的第三開(kāi)口224、在每一像素區(qū)域208中的第二堆棧圖案214兩側(cè)上方定義出暴露出部分第二堆棧圖案214的多個(gè)第四開(kāi)口226、在每一像素區(qū)域208中的掃描配線204靠近源極210的一側(cè)上方定義出暴露出部分掃描配線204的第五開(kāi)口228、以及分別在每一像素區(qū)域208中的源極圖案206兩側(cè)上方及第三堆棧圖案218兩側(cè)上方定義出暴露出部分源極圖案206及部分第三堆棧圖案218的多個(gè)第六開(kāi)口230。絕緣層220的材料例如是氧化硅或是氮化硅等絕緣材料，其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D6C及圖7C，在圖案化的絕緣層220上形成圖案化的透明導(dǎo)電層(未圖示)，以在每一像素區(qū)域208中的共享配線202兩側(cè)定義出二個(gè)像素電極232，像素電極232經(jīng)由第四開(kāi)口226電性連接至第二堆棧圖案214，其中一個(gè)像素電極232經(jīng)由第三開(kāi)口224電性連接至第一堆棧圖案212、在每一像素區(qū)域208中的第二堆棧圖案214上方定義出第一透明電極234，第一透明電極234經(jīng)由第二開(kāi)口222及第一開(kāi)口216電性連接至共享配線202、在每一像素區(qū)域208中的源極210上方形成柵極236，柵極236經(jīng)由第五開(kāi)口228電性連接至掃描配線204、以及在源極圖案216的延伸方向與共享配線202及掃描配線204交會(huì)處定義出多個(gè)第二透明電極238，第二透明電極238經(jīng)由第六開(kāi)口230電性連接源極圖案206及第三堆棧圖案218。第一透明電極234與共享配線102包夾第二堆棧圖案214中的第二金屬層，以形成較大的儲(chǔ)存電容。透明導(dǎo)電層的材料例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物，其形成方法例如是蒸鍍法或?yàn)R鍍法。
接下來(lái)，在基板200上形成圖案化的第三金屬層(未圖示)，以定義出多條數(shù)據(jù)配線240，其中每一條數(shù)據(jù)配線240分別沿著所對(duì)應(yīng)的源極圖案206的延伸方向而配置于源極圖案206上方，并與所對(duì)應(yīng)的第二透明電極238電性連接。
上述實(shí)施例所制造的薄膜晶體管陣列基板中，所形成的TFT為垂直式的TFT，因此具有高導(dǎo)通電流。另一方面，第一透明電極234與共享配線102包夾第二堆棧圖案214中的第二金屬層，可提升儲(chǔ)存電容值。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1.在本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板中，具有垂直式的TFT，其制作面積小并且能大幅度增加導(dǎo)通電流。
2.本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板，可由共享配線與第二金屬層包夾透明電極或是由共享配線與透明電極包夾第二金屬層來(lái)增加儲(chǔ)存電容值，能減少因信號(hào)互相耦合所造成的像素閃動(dòng)，以提升顯示品質(zhì)。
3.依照本發(fā)明所提出的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，會(huì)在半導(dǎo)體層上下兩側(cè)分別形成歐姆接觸層，可大幅降低電子穿隧機(jī)率，以避免產(chǎn)生短信道效應(yīng)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括以下步驟提供一基板；在該基板上形成一圖案化第一金屬層，以定義出多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中所述掃描配線與所述源極圖案在該基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，所述共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域且平行于該掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的所述掃描配線的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為一源極；在該基板上形成一圖案化半導(dǎo)體層，以分別在每一像素區(qū)域內(nèi)的該源極上定義出一第一半導(dǎo)體圖案以及在每一像素區(qū)域內(nèi)的該共享配線上定義出一第二半導(dǎo)體圖案，且該第二半導(dǎo)體圖案具有暴露出該共享配線的一第一開(kāi)口在該基板上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域內(nèi)定義出一像素電極，其中每一像素電極覆蓋所對(duì)應(yīng)的該第一半導(dǎo)體圖案及該第二半導(dǎo)體圖案，且每一像素電極具有對(duì)應(yīng)于該第一開(kāi)口的一第二開(kāi)口；在該基板上形成一圖案化絕緣層，以在每一共享配線上方定義出一第一絕緣圖案，并且在每一源極圖案的延伸方向與所對(duì)應(yīng)的該掃描配線的相交處定義出一第二絕緣圖案，每一第一絕緣圖案具有對(duì)應(yīng)于該第二開(kāi)口的一第三開(kāi)口，且每一第二絕緣圖案延伸覆蓋所對(duì)應(yīng)的該源極以及該源極上方的該第一半導(dǎo)體圖案與該像素電極；以及在該基板上形成一圖案化第二金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)柵極及多個(gè)金屬電極，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的該源極圖案的延伸方向而配置于該源極圖案上，每一柵極分別配置于所對(duì)應(yīng)的該源極上方的該第二絕緣圖案上，并延伸連接該掃描配線，每一金屬電極配置于所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域內(nèi)的該第一絕緣圖案上，并經(jīng)由該第三開(kāi)口、該第二開(kāi)口及該第一開(kāi)口電性連接至所對(duì)應(yīng)的該共享配線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該半導(dǎo)體層時(shí)，更包括分別在該半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)形成一歐姆接觸層。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述歐姆接觸層的形成方法包括離子摻雜。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該半導(dǎo)體層時(shí)，更包括在所述源極圖案的延伸方向與所述掃描配線以及所述共享配線的相交處上分別定義出一第三半導(dǎo)體圖案，并使后續(xù)形成的所述第二絕緣圖案分別覆蓋所對(duì)應(yīng)的該第三半導(dǎo)體圖案。
5.一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括一基板；一圖案化第一金屬層，配置于該基板上，包括多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中所述掃描配線與所述源極圖案在該基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，所述共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域且平行于該掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的所述掃描配線的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為一源極；一圖案化半導(dǎo)體層，配置于該圖案化第一金屬層與該基板上，包括多個(gè)第一半導(dǎo)體圖案與多第二半導(dǎo)體圖案，其中該第一半導(dǎo)體圖案配置于每一像素區(qū)域內(nèi)的該源極上，以及該第二半導(dǎo)體圖案配置于每一像素區(qū)域內(nèi)的該共享配線上，且該第二半導(dǎo)體圖案具有暴露出該共享配線的一第一開(kāi)口；一圖案化透明導(dǎo)電層，配置于該圖案化半導(dǎo)體層與該基板上，用以在每一像素區(qū)域內(nèi)定義出一像素電極，其中每一像素電極覆蓋所對(duì)應(yīng)的該第一半導(dǎo)體圖案及該第二半導(dǎo)體圖案，且每一像素電極具有對(duì)應(yīng)于該第一開(kāi)口的一第二開(kāi)口；一圖案化絕緣層，配置于該基板上，包括多個(gè)第一絕緣圖案與多個(gè)第二絕緣圖案，其中該第一絕緣圖案配置于每一共享配線上方，且每一第一絕緣圖案具有對(duì)應(yīng)于該第二開(kāi)口的一第三開(kāi)口，以及該第二絕緣圖案配置于每一源極圖案的延伸方向與所對(duì)應(yīng)的該掃描配線的相交處，且每一第二絕緣圖案延伸覆蓋所對(duì)應(yīng)的該源極以及該源極上方的該第一半導(dǎo)體圖案與該像素電極；以及一圖案化第二金屬層，配置于該基板上，包括多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)柵極及多個(gè)金屬電極，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的該源極圖案的延伸方向而配置于該源極圖案上，每一柵極分別配置于所對(duì)應(yīng)的該源極上方的該第二絕緣圖案上，并延伸連接該掃描配線，每一金屬電極配置于所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域內(nèi)的該第一絕緣圖案上，并經(jīng)由該第三開(kāi)口、該第二開(kāi)口及該第一開(kāi)口電性連接至所對(duì)應(yīng)的該共享配線。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)分別具有一歐姆接觸層。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述歐姆接觸層的材料包括摻雜非晶硅。
8.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
9.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層是由多層金屬疊加而成。
10.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述圖案化半導(dǎo)體層更包括配置在所述源極圖案的延伸方向與所述掃描配線以及所述共享配線的相交處上的一第三半導(dǎo)體圖案，且所述第二絕緣圖案分別覆蓋所對(duì)應(yīng)的該第三半導(dǎo)體圖案。
11.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，該方法包括提供一基板；在該基板上依序形成一第一金屬層、一半導(dǎo)體層及一第二金屬層；圖案化該第二金屬層、該半導(dǎo)體層及該第一金屬層，以將該第一金屬層定義成多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中所述掃描配線與所述源極圖案在該基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，所述共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域且平行于該掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的所述掃描配線的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為一源極，同時(shí)在每一像素區(qū)域中將該第二金屬層及該半導(dǎo)體層定義成配置于所對(duì)應(yīng)的該源極上的一第一堆棧圖案、配置于該共享配線上的一第二堆棧圖案，且該第二堆棧圖案具有暴露出該共享配線的一第一開(kāi)口、以及配置于與該源極圖案的延伸方向相交處的該掃描配線上及該共享配線上的一第三堆棧圖案；在該基板上形成一圖案化絕緣層，以在每一像素區(qū)域中的該第一開(kāi)口上方定義出對(duì)應(yīng)于該第一開(kāi)口的一第二開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的該第一堆棧圖案上方定義出暴露出部分該第一堆棧圖案的一第三開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的該第二堆棧圖案兩側(cè)上方定義出暴露出部分該第二堆棧圖案的多個(gè)第四開(kāi)口、在每一像素區(qū)域中的該掃描配線靠近該源極的一側(cè)上方定義出暴露出部分該掃描配線的一第五開(kāi)口、以及分別在每一像素區(qū)域中的該源極圖案兩側(cè)上方及該第三堆棧圖案兩側(cè)上方定義出暴露出部分該源極圖案及部分該第三堆棧圖案的多個(gè)第六開(kāi)口；在該圖案化絕緣層上形成一圖案化透明導(dǎo)電層，以在每一像素區(qū)域中的該共享配線兩側(cè)定義出二像素電極，所述像素電極經(jīng)由所述第四開(kāi)口電性連接至該第二堆棧圖案，其中一個(gè)像素電極經(jīng)由該第三開(kāi)口電性連接至該第一堆棧圖案、在每一像素區(qū)域中的該第二堆棧圖案上方定義出一第一透明電極，該第一透明電極經(jīng)由該第二開(kāi)口及該第一開(kāi)口電性連接至該共享配線、在每一像素區(qū)域中的該源極上方形成一柵極，該柵極經(jīng)由該第五開(kāi)口電性連接至該掃描配線、以及在該源極圖案的延伸方向與該共享配線及該掃描配線交會(huì)處定義出多個(gè)第二透明電極，所述第二透明電極經(jīng)由所述第六該開(kāi)口電性連接該源極圖案及該第三堆棧圖案；以及在該基板上形成一圖案化第三金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的該源極圖案的延伸方向而配置于該源極圖案上方，并與所對(duì)應(yīng)的所述第二透明電極電性連接。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該半導(dǎo)體層時(shí)，更包括分別在該半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)形成一歐姆接觸層。
13.如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述歐姆接觸層的形成方法包括離子摻雜。
14.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述圖案化透明導(dǎo)電層的形成方法為蒸鍍法或?yàn)R鍍法。
15.一種薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括一基板；一圖案化第一金屬層，配置于該基板上，包括多條共享配線、多條掃描配線及多條源極圖案，其中所述掃描配線與所述源極圖案在該基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域，所述共享配線分別通過(guò)所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域且平行于該掃描配線，而每一源極圖案鄰近于所對(duì)應(yīng)的所述掃描配線的位置上分別延伸一凸出部至所對(duì)應(yīng)的所述像素區(qū)域內(nèi)，以分別作為一源極；一圖案化堆棧層，由下而上依序?yàn)橐话雽?dǎo)體層及一第二金屬層，配置于該圖案化第一金屬層與該基板上，包括多個(gè)第一堆棧圖案、多個(gè)第二堆棧圖案與多個(gè)第三堆棧圖案，其中該第一堆棧圖案配置于每一像素區(qū)域中所對(duì)應(yīng)的該源極上，該第二堆棧圖案配置于該共享配線上，且該第二堆棧圖案具有暴露出該共享配線的一第一開(kāi)口，以及該第三堆棧圖案配置于與該源極圖案的延伸方向相交處的該掃描配線上及該共享配線上；一圖案化絕緣層，配置于該基板上，具有多個(gè)第二開(kāi)口、多個(gè)第三開(kāi)口、多個(gè)第四開(kāi)口、多個(gè)第五開(kāi)口、以及多個(gè)第六開(kāi)口，其中該第二開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的該第一開(kāi)口上方并對(duì)應(yīng)于該第一開(kāi)口、該第三開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的該第一堆棧圖案上方并暴露出部分該第一堆棧圖案、該第四開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的該第二堆棧圖案兩側(cè)上方并暴露出部分該第二堆棧圖案、該第五開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的該掃描配線靠近該源極的一側(cè)上方并暴露出部分該掃描配線、以及該第六開(kāi)口位在每一像素區(qū)域中的該源極圖案兩側(cè)上方及該第三堆棧圖案兩側(cè)上方并暴露出部分該源極圖案及部分該第三堆棧圖案；一圖案化透明導(dǎo)電層，配置在該圖案化絕緣層與該基板上，用以在每一像素區(qū)域中的該共享配線兩側(cè)定義出二像素電極，所述像素電極經(jīng)由所述第四開(kāi)口電性連接至該第二堆棧圖案，其中一個(gè)像素電極經(jīng)由該第三開(kāi)口電性連接至該第一堆棧圖案、在每一像素區(qū)域中的該第二堆棧圖案上方具有一第一透明電極，該第一透明電極經(jīng)由該第二開(kāi)口及該第一開(kāi)口電性連接至該共享配線、在每一像素區(qū)域中的該源極上方形成一柵極，該柵極經(jīng)由該第五開(kāi)口電性連接至該掃描配線、以及在該源極圖案的延伸方向與該共享配線及該掃描配線交會(huì)處具有多個(gè)第二透明電極，所述第二透明電極經(jīng)由所述第六該開(kāi)口電性連接該源極圖案及該第三堆棧圖案；以及一圖案化第三金屬層，配置在該基板上，包括多條數(shù)據(jù)配線，其中每一數(shù)據(jù)配線分別沿著所對(duì)應(yīng)的該源極圖案的延伸方向而配置于該源極圖案上方，并與所對(duì)應(yīng)的所述第二透明電極電性連接。
16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的上下兩側(cè)分別具有一歐姆接觸層。
17.如權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述歐姆接觸層的材料包括摻雜非晶硅。
18.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
19.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，該第一金屬層是由多層金屬疊加而成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板、圖案化第一金屬層、圖案化半導(dǎo)體層、圖案化透明導(dǎo)電層、圖案化絕緣層及圖案化第二金屬層。其中，薄膜晶體管的各構(gòu)件直立排列，因此具有高導(dǎo)通電流。另一方面，由共享配線與第二金屬層包夾透明電極或是由共享配線與透明電極包夾第二金屬層來(lái)增加儲(chǔ)存電容值能，以減少因信號(hào)互相耦合所造成的像素閃動(dòng)，進(jìn)而提升畫面品質(zhì)。此外，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，會(huì)在半導(dǎo)體層上下兩側(cè)分別形成歐姆接觸層，以避免產(chǎn)生短信道效應(yīng)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1971886SQ20061016948
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者潘智瑞, 余良彬, 王涌鋒 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司