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模擬緩沖器的制作方法

文檔序號(hào):2706533閱讀:249來源:國知局
專利名稱:模擬緩沖器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種模擬緩沖器(Analog Buffer),特別是涉及一種可精確地追隨輸入電壓的模擬緩沖器。
背景技術(shù)
為了克服模擬緩沖器設(shè)計(jì)于面板上時(shí),因各薄膜晶體管(Thin filmTransistor,TFT)間具有較大的元件特性差異而造成面板畫面不均的問題,同時(shí)縮小數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(Data Driver)的面積,來達(dá)到系統(tǒng)面板化(System OnGlass)的目標(biāo),以源極追隨器(Source Follower)來作為源極驅(qū)動(dòng)器的模擬緩沖器(Analog Buffer)的技術(shù)已存在。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A及1B圖,其分別示出了傳統(tǒng)的模擬緩沖器的電路圖,及其相關(guān)訊號(hào)訊號(hào)的模擬時(shí)序圖。在模擬緩沖器100中,開關(guān)S1~S3的一端相互耦接,以接收輸入訊號(hào)Vi。請(qǐng)參照?qǐng)D1B,從圖1的圖1B中,可看出輸出訊號(hào)Vo的電壓電平與輸入訊號(hào)Vi的電壓電平具有若干誤差,亦即模擬緩沖器100的輸出電壓Vo無法精確地追隨輸入電壓Vi。因此,如何設(shè)計(jì)出緩沖效果更佳的模擬緩沖器100以使輸出電壓Vo得以精確地追隨輸入電壓Vi是業(yè)界所致力的目標(biāo)之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的就是在提供一種模擬緩沖器,本發(fā)明的模擬緩沖器可有效地輸出電壓電平更準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)訊號(hào)來提升液晶顯示面板顯示畫面的品質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的目的,提出一種模擬緩沖器(Analog Buffer),應(yīng)用于源極驅(qū)動(dòng)器(Source Driver)。此模擬緩沖器包括一輸入端及一輸出端,而輸入端用以接收一輸入電壓。此模擬緩沖器包括晶體管、電流源、第一及第二電容、第一、第二、第三、第四及第五開關(guān)。晶體管的源極(Source)耦接至輸出端,漏極(Drain)耦接至第一電壓電平。電流源用以輸出偏壓電流流過晶體管,對(duì)晶體管進(jìn)行偏壓。第一電容的兩端分別耦接至晶體管的柵極(Gate)及第一節(jié)點(diǎn);第二電容的兩端分別耦接至晶體管的柵極及一第二節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)的兩端分別耦接至第二電壓電平及晶體管的柵極;第二開關(guān)的兩端分別耦接至輸入端及第一節(jié)點(diǎn);第三開關(guān)的兩端分別耦接至輸入端及第二節(jié)點(diǎn);第四開關(guān)的兩端分別耦接至第一節(jié)點(diǎn)及輸出端;第五開關(guān)的兩端分別耦接至第二節(jié)點(diǎn)及輸出端。其中,當(dāng)模擬緩沖器操作于第一時(shí)段時(shí),第一及第四開關(guān)為致能,第二、第三及第五開關(guān)為非致能;當(dāng)模擬緩沖器操作于第二時(shí)段時(shí),第二及第五開關(guān)為致能,第一、第三及第四開關(guān)為非致能;當(dāng)模擬緩沖器操作于第三時(shí)段時(shí),第三開關(guān)為致能,第一、第二、第四及第五開關(guān)為非致能。其中第二時(shí)段位于第一時(shí)段之后,第三時(shí)段位于第二時(shí)段之后。
根據(jù)本發(fā)明的目的,提出另一種模擬緩沖器,應(yīng)用于源極驅(qū)動(dòng)器。此模擬緩沖器包括輸入端及輸出端,此輸入端用以接收一輸入電壓。模擬緩沖器包括晶體管、第一及第二電容、第一、第二、第三、第四及第五開關(guān)。晶體管的源極耦接至輸出端,漏極耦接至第一電壓電平。電流源用以輸出偏壓電流以流過晶體管,以對(duì)晶體管進(jìn)行偏壓。第一電容的兩端分別耦接至晶體管的柵極及一第一節(jié)點(diǎn);第二電容的兩端分別耦接至第一節(jié)點(diǎn)及第二節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)的兩端分別耦接至第二電壓電平及晶體管的柵極;第二開關(guān)的兩端分別耦接至輸入端及第一節(jié)點(diǎn);第三開關(guān)的兩端分別耦接至輸入端及第二節(jié)點(diǎn);第四開關(guān)的兩端分別耦接至第一節(jié)點(diǎn)及輸出端;第五開關(guān)的兩端分別耦接至第二節(jié)點(diǎn)及輸出端。其中,當(dāng)模擬緩沖器操作于第一時(shí)段時(shí),第一、第四及第五開關(guān)為致能,第二及第三開關(guān)為非致能;當(dāng)模擬緩沖器操作于第二時(shí)段時(shí),第二及第五開關(guān)為致能,第一、第三及第四開關(guān)為非致能;當(dāng)模擬緩沖器操作于第三時(shí)段時(shí),第三開關(guān)為致能,第一、第二、第四及第五開關(guān)為非致能。其中第二時(shí)段位于第一時(shí)段之后,第三時(shí)段位于第二時(shí)段之后。


圖1A示出了傳統(tǒng)的模擬緩沖器的電路圖。
圖1B示出了圖1A的模擬緩沖器100的相關(guān)訊號(hào)的模擬時(shí)序圖。
圖2A示出了第一實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
圖2B示出了圖2A的開關(guān)SW1~SW5的操作時(shí)序圖。
圖2C示出了當(dāng)圖2A的模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT1時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。
圖2D示出了當(dāng)圖2A的模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT2時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。
圖2E示出了當(dāng)圖2A的模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT3時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。
圖2F示出了圖2A的輸出訊號(hào)Vout及輸入訊號(hào)Vin的訊號(hào)模擬圖。
圖3示出了第二實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
圖4示出了第三實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
圖5A示出了第四實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
圖5B示出了圖5A的開關(guān)SW1’~SW5’的操作時(shí)序圖。
圖5C示出了當(dāng)圖5A的模擬緩沖器500操作于操作時(shí)段OT1’時(shí),模擬緩沖器500的等效電路圖。
圖5D示出了當(dāng)圖5A的模擬緩沖器500操作于操作時(shí)段OT2’時(shí),模擬緩沖器500的等效電路圖。
圖5E示出了當(dāng)圖5A的模擬緩沖器500操作于操作時(shí)段OT3’時(shí),模擬緩沖器500的等效電路圖。
圖6示出了第五實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
圖7示出了第六實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。
附圖符號(hào)說明100、200、300模擬緩沖器S1~S5、SW1~SW5、SW1’~SW5’開關(guān)Tdr、T1、T1’、T2、T2’晶體管CN1、CN2、C1、C2、C1’、C2’電容102、206、506電流源NTC1、NTC2、NT1、NT2、NT1’、NT2’節(jié)點(diǎn)Vi、Vin、Vin’輸入電壓Vo、Vout、Vout’輸出電壓Vdd、Vdd’、V1、V2、V1’、V2’、Vbias電壓電平Ibias偏壓電流Vcom共同電壓
202、502輸入端204、504輸出端T1G、T1G’柵極T1S、T1S’源極T1D、T1D’漏極OT1、OT2、OT3、OT1’、OT2’、OT3’操作時(shí)段具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2A,其示出了第一實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。模擬緩沖器200應(yīng)用于液晶顯示器的源極驅(qū)動(dòng)器(Source Driver)。模擬緩沖器200具有一輸入端202及一輸出端204,輸入端202及輸出端204分別用以接收一輸入電壓Vin及輸出一輸出電壓Vout。模擬緩沖器200包括電流源206、晶體管T1、電容C1、C2、開關(guān)SW1、SW2、SW3、SW4及SW5。在本實(shí)施例中,是以晶體管T1為P型(P Type)薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)為例作說明。
晶體管T1的源極(Source)T1S耦接至輸出端204,漏極(Drain)T1D耦接至電壓電平V1。電流源206用以輸出偏壓電流Ibias流過該晶體管T1,以提供晶體管T1電流,并對(duì)晶體管T1進(jìn)行偏壓。當(dāng)流過晶體管T1的電流為偏壓電流Ibias時(shí),假設(shè)晶體管T1的柵極(Gate)T1G與源極T1S的跨壓為電壓Vx,電壓Vx與晶體管T1的一臨界電壓Vth相關(guān),較佳地電壓Vx等于臨界電壓Vth,電壓Vth為一小于零的實(shí)數(shù)。晶體管T1較佳地操作在飽和區(qū)(saturation region)。
電流源206例如與源極T1D耦接,而電流源206的另一端耦接至電壓電平Vdd。電容C1的兩端分別耦接至柵極T1G及節(jié)點(diǎn)NT1。電容C2的兩端分別耦接至柵極T1G及節(jié)點(diǎn)NT2。開關(guān)SW1的兩端分別耦接至電壓電平V2及柵極T1G,該晶體管的柵極開關(guān)SW2的兩端分別耦接至輸入端202及節(jié)點(diǎn)NT1。開關(guān)SW3的兩端分別耦接至輸入端202及節(jié)點(diǎn)NT2。開關(guān)SW4的兩端分別耦接至節(jié)點(diǎn)NT1及輸出端204。開關(guān)SW5的兩端分別耦接至節(jié)點(diǎn)NT2及輸出端204。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B,其示出了圖2A的開關(guān)SW1~SW5的操作時(shí)序圖。時(shí)序控制器200具有一操作時(shí)段OT1、一操作時(shí)段OT2及一第三操作時(shí)段OT3。其中操作時(shí)段OT2位于操作時(shí)段OT1之后,而第三操作時(shí)段OT3位于操作時(shí)段OT2之后。
請(qǐng)參照?qǐng)D2C,其示出了當(dāng)圖2A的模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT1時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。當(dāng)模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT1時(shí),開關(guān)SW1及SW4為致能,開關(guān)SW2、SW3及SW5為非致能。此時(shí)因電容C1跨越柵極T1G及源極T1S,因而電容C1兩端的跨壓實(shí)質(zhì)上等于電壓Vx。此時(shí)柵極T1G的電壓實(shí)質(zhì)上等于電壓電平V2,而輸出電壓Vout實(shí)質(zhì)上等于節(jié)點(diǎn)NT1的電壓。此時(shí)輸出電壓Vout實(shí)質(zhì)上等于電壓電平V2與電壓Vx之差。
請(qǐng)參照?qǐng)D2D,其示出了當(dāng)圖2A的模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT2時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。當(dāng)模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT2時(shí),開關(guān)SW2及SW5為致能,開關(guān)SW1、SW3及SW4為非致能。此時(shí)節(jié)點(diǎn)NT1短路至輸入端202,使得節(jié)點(diǎn)NT1的電壓實(shí)質(zhì)上等于輸入電壓Vin。此時(shí)柵極T1G的電壓實(shí)質(zhì)上等于輸入電壓Vin與電壓Vx之和。
如此,于操作時(shí)段OT1到OT2,柵極T1G的電壓有一電壓變化量ΔV,此電壓變化量ΔV實(shí)質(zhì)上等于(Vin+Vx)-(V2)=Vin+Vx-V2。此時(shí),因晶體管T1的源極電流實(shí)質(zhì)上等于偏壓電流Ibias,使得晶體管T1柵極T1G及源極T1S之間跨壓因源極電流固定而固定為電壓Vx。如此,于操作時(shí)段OT1及OT2間,源極T1S有相同的電壓變化量ΔV。因此源極T1S的電壓,亦即輸出電壓Vout實(shí)質(zhì)上等于Vout=(V2-Vx)+ΔV=(V2-Vx)-(Vin+Vx-V2)=Vin。亦即是,輸出電壓Vout將實(shí)質(zhì)上等于輸入電壓Vin。
請(qǐng)參照?qǐng)D2E,其示出了當(dāng)模擬緩沖器200操作于操作時(shí)段OT3時(shí),模擬緩沖器200的等效電路圖。當(dāng)模擬緩沖器200操作于第三操作時(shí)段OT3時(shí),開關(guān)SW3為致能,開關(guān)SW1、SW2、SW4及SW5為非致能。此時(shí)節(jié)點(diǎn)NT2耦接至輸入端102,使得節(jié)點(diǎn)NT2的電壓實(shí)質(zhì)上等于輸入電壓Vin。此時(shí),柵極T1G的電壓實(shí)質(zhì)上等于輸入電壓Vin與臨界電壓Vx之和。此時(shí),輸出電壓Vout將繼續(xù)因柵極T1G與源極T1S的跨壓固定為電壓Vx之故,而繼續(xù)地實(shí)質(zhì)上為Vin。
請(qǐng)參照?qǐng)D2F,其示出了圖2A的輸出訊號(hào)Vout及輸入訊號(hào)Vin的訊號(hào)模擬圖。圖2F是以輸入訊號(hào)Vin為直流電壓訊號(hào),其電壓電平等于5伏特為例說明的。液晶顯示器的共同電壓(Vcom)為一交流訊號(hào)。而在0.8×10-4~1.2×10-4秒時(shí),輸出訊號(hào)Vout的電壓電平實(shí)質(zhì)上等于輸入訊號(hào)的電壓電平5伏特。由圖2F可知,相較于圖1B的輸出訊號(hào)Vo,圖2F的輸出訊號(hào)Vout更可精確地追隨輸入訊號(hào)Vin。因此,本實(shí)施例所揭露的模擬緩沖器200具有更佳的電壓電平追隨的效果。
在本實(shí)施例中,電壓電平V2與電壓電平V1較佳地符合下列的條件V2-V1>=Vth。如此,電壓電平V2與V1將使得晶體管T1偏壓在飽和區(qū)。
本實(shí)施例的模擬緩沖器經(jīng)由開關(guān)SW1~SW5的致能時(shí)間切換,使得電容C1及C2的跨壓等于電壓Vx。本實(shí)施例的模擬緩沖器更經(jīng)由電流源206將TFTT1的源極電流固定為偏壓電流Ibias,使得輸出電壓Vout的電壓在操作時(shí)段OT2及OT3中追隨至輸入電壓Vin。本實(shí)施例的模擬緩沖器200可有效地使輸出電壓Vout的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨輸入電壓Vin的電壓電平。故本實(shí)施例的模擬緩沖器200具有比傳統(tǒng)模擬緩沖器具有較佳的電壓緩沖效果,以輸出較為精準(zhǔn)的輸出電壓,以使顯示器得以顯示正確的畫面以提高畫面品質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)。
第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D3,其示出了第二實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。第二實(shí)施例的模擬緩沖器300與第一實(shí)施例的模擬緩沖器200不同之處在于開關(guān)SW1的一端亦耦接至電壓電平V1,使得晶體管T1得以偏壓在飽和區(qū)。本實(shí)施例的模擬緩沖器200同樣地具有可有效地使輸出電壓Vout的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨至輸入電壓Vin的電壓電平的優(yōu)點(diǎn)。
第三實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D4,其示出了第三實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。第三實(shí)施例的模擬緩沖器400與第一實(shí)施例的模擬緩沖器200不同之處在于電流源206是由柵極偏壓于電壓電平Vbias的晶體管T2來實(shí)現(xiàn),而電壓電平V2實(shí)質(zhì)上等于電壓電平Vbias。且此電壓電平Vbias滿足Vbias-Vdd<=Vth的條件,使得晶體管T2不會(huì)進(jìn)入截止區(qū)。Vbias還可滿足Vbias-V1>=Vth的條件,使得晶體管T1得以偏壓在飽和區(qū)。本實(shí)施例的模擬緩沖器200同樣地具有使輸出電壓Vout的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨至輸入電壓Vin的電壓電平的優(yōu)點(diǎn)。
第四實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D5A,其示出了第四實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。第四實(shí)施例的模擬緩沖器500與第一實(shí)施例的模擬緩沖器200不同之處在于電容C2’的兩端分別耦接至節(jié)點(diǎn)NT1’及節(jié)點(diǎn)NT2’。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B,其示出了圖5A的開關(guān)SW1’~SW5’的操作時(shí)序圖。其中,第四實(shí)施例的開關(guān)SW1’~SW5’的操作與第一實(shí)施例的開關(guān)SW1~SW5的操作不同之處在于開關(guān)SW5’于操作時(shí)段OT1’及OT2’均導(dǎo)通。
請(qǐng)參照第5C~5E圖,其分別示出了當(dāng)圖5A的模擬緩沖器500操作于操作時(shí)段OT1’、OT2’及OT3’時(shí),模擬緩沖器500的等效電路圖。其中,在操作時(shí)段OT1’中,電容C1’及C2’的跨壓分別等于電壓Vx’及零電壓。而在操作時(shí)段OT2’及OT3’中,輸出電壓Vout’因柵極T1G’與源極T1S’的跨壓固定為電壓Vx’之故,使得輸出電壓Vout’的電壓電平和至輸入電壓Vin’的電壓電平為實(shí)質(zhì)上相等。
本實(shí)施例的模擬緩沖器經(jīng)由開關(guān)SW1’~SW5’的致能時(shí)間切換,使得電容C1’及C2’的跨壓等于臨界電壓Vth’。本實(shí)施例的模擬緩沖器還經(jīng)由TFTT1’為源極追隨器的特性,使得輸出電壓Vout’的電壓在操作時(shí)段OT2’及OT3’中追隨至輸入電壓Vin’。本實(shí)施例的模擬緩沖器500可有效地使輸出電壓Vout’的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨至輸入電壓Vin’的電壓電平。
第五實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D6,其示出了第五實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。第五實(shí)施例的模擬緩沖器600與第四實(shí)施例的模擬緩沖器500不同之處在于開關(guān)SW1’的一端亦耦接至電壓電平V1’,使得晶體管T1’亦被偏壓在飽和區(qū)。本實(shí)施例的模擬緩沖器500同樣地可有效地使輸出電壓Vout’的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨至輸入電壓Vin’的電壓電平。
第六實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D7,其示出了第六實(shí)施例的模擬緩沖器的電路圖。第六實(shí)施例的模擬緩沖器700與第四實(shí)施例的模擬緩沖器500不同之處在于電流源306是由晶體管T2’來實(shí)現(xiàn),而電壓電平V2’實(shí)質(zhì)上等于電壓電平Vbias’。電壓電平Vbias’亦輸入至晶體管T2’的柵極,且此電壓電平Vbias’滿足Vbias’-Vdd’<=Vth’的條件,使得晶體管T2’不會(huì)進(jìn)入截止區(qū)。Vbias’還可滿足Vbias’-V1’>=Vth’的條件,使得晶體管T1’亦被偏壓在飽和區(qū)。本實(shí)施例的模擬緩沖器500同樣地具有可有效地使輸出電壓Vout’的電壓電平更精準(zhǔn)地追隨至輸入電壓Vin’的電壓電平的優(yōu)點(diǎn)。
在上述實(shí)施例中,雖僅以P型TFT T1為例作說明,然,本發(fā)明的模擬緩沖器200不局限于使用P型TFT,而還可利用N型TFT來達(dá)到實(shí)質(zhì)上相同的模擬緩沖效果。
綜上所述,雖然本發(fā)明已以六實(shí)施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍以本發(fā)明的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種模擬緩沖器,應(yīng)用于一源極驅(qū)動(dòng)器,該模擬緩沖器包括一輸入端及一輸出端,該輸入端用以接收一輸入電壓,該模擬緩沖器包括一晶體管,該晶體管的源極耦接至該輸出端,漏極耦接至一第一電壓;一電流源,用以輸出一偏壓電流流過該晶體管,以對(duì)該晶體管進(jìn)行偏壓;一第一電容,該第一電容的兩端分別耦接至該晶體管的柵極及一第一節(jié)點(diǎn);一第二電容,該第二電容的兩端分別耦接至該晶體管的柵極及一第二節(jié)點(diǎn);一第一開關(guān),該第一開關(guān)的兩端分別耦接至一第二電壓及該晶體管的柵極;一第二開關(guān),該第二開關(guān)的兩端分別耦接至該輸入端及該第一節(jié)點(diǎn);一第三開關(guān),該第三開關(guān)的兩端分別耦接至該輸入端及該第二節(jié)點(diǎn);一第四開關(guān),該第四開關(guān)的兩端分別耦接至該第一節(jié)點(diǎn)及該輸出端;以及一第五開關(guān),該第五開關(guān)的兩端分別耦接至該第二節(jié)點(diǎn)及該輸出端;其中,當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第一時(shí)段時(shí),該第一及該第四開關(guān)為致能,該第二、該第三及該第五開關(guān)為非致能;當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第二時(shí)段時(shí),該第二及該第五開關(guān)為致能,該第一、該第三及該第四開關(guān)為非致能;當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第三時(shí)段時(shí),該第三開關(guān)為致能,該第一、該第二、該第四及該第五開關(guān)為非致能,該第二時(shí)段位于該第一時(shí)段之后,該第三時(shí)段位于該第二時(shí)段之后。
2.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中該模擬緩沖器為一源極追隨器。
3.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第一時(shí)段時(shí),該第一電容兩端的跨壓實(shí)質(zhì)上等于該晶體管的一臨界電壓,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該臨界電壓與該第二電壓之差,而該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該第二電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第二時(shí)段時(shí),該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓與該臨界電壓之和,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第三時(shí)段時(shí),該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓及該臨界電壓之和,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓。
6.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中該晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
7.如權(quán)利要求6所述的模擬緩沖器,其中該第二電壓大于或等于該第一電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的模擬緩沖器,其中該晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
9.如權(quán)利要求8所述的模擬緩沖器,其中該第二電壓小于或等于該第一電壓。
10.一種模擬緩沖器,應(yīng)用于一源極驅(qū)動(dòng)器,該模擬緩沖器包括一輸入端及一輸出端,該輸入端用以接收一輸入電壓,該模擬緩沖器包括一晶體管,該晶體管的源極耦接至該輸出端,漏極耦接至一第一電壓;一電流源,用以輸出一偏壓電流以流過該晶體管,以對(duì)該晶體管進(jìn)行偏壓;一第一電容,該第一電容的一端耦接至該晶體管的柵極,另一端耦接至一第一節(jié)點(diǎn);一第二電容,該第二電容的一端耦接至該第一節(jié)點(diǎn),另一端耦接至一第二節(jié)點(diǎn);一第一開關(guān),該第一開關(guān)的一端耦接至一第二電壓,另一端耦接至該晶體管的柵極;一第二開關(guān),該第二開關(guān)的兩端分別耦接至該輸入端及該第一節(jié)點(diǎn);一第三開關(guān),該第三開關(guān)的兩端分別耦接至該輸入端及該第二節(jié)點(diǎn);一第四開關(guān),該第四開關(guān)的兩端分別耦接至該第一節(jié)點(diǎn)及該輸出端;以及一第五開關(guān),該第五開關(guān)的兩端分別耦接至該第二節(jié)點(diǎn)及該輸出端;其中,當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第一時(shí)段時(shí),該第一、該第四及該第五開關(guān)為致能,該第二及該第三開關(guān)為非致能;當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第二時(shí)段時(shí),該第二及該第五開關(guān)為致能,該第一、該第三及該第四開關(guān)為非致能;當(dāng)該模擬緩沖器操作于一第三時(shí)段時(shí),該第三開關(guān)為致能,該第一、該第二、該第四及該第五開關(guān)為非致能,該第二時(shí)段位于該第一時(shí)段之后,該第三時(shí)段位于該第二時(shí)段之后。
11.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中該模擬緩沖器為一源極追隨器。
12.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第一時(shí)段時(shí),該第一電容兩端的跨壓實(shí)質(zhì)上等于該晶體管的一臨界電壓,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該臨界電壓與該第二電壓之差,而該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該第二電壓。
13.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第二時(shí)段時(shí),該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓與該臨界電壓的和,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓。
14.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中當(dāng)該模擬緩沖器操作于該第三時(shí)段時(shí),該晶體管的柵極電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓及該臨界電壓的和,該輸出端的電壓實(shí)質(zhì)上等于該輸入電壓。
15.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中該晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
16.如權(quán)利要求15所述的模擬緩沖器,其中該第二電壓大于或等于該第一電壓。
17.如權(quán)利要求10所述的模擬緩沖器,其中該晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
18.如權(quán)利要求17所述的模擬緩沖器,其中該第二電壓小于或等于該第一電壓。
全文摘要
一種模擬緩沖器,應(yīng)用于源極驅(qū)動(dòng)器。此模擬緩沖器包括輸入端及輸出端。模擬緩沖器包括晶體管、電流源、第一及第二電容、第一、第二、第三、第四及第五開關(guān)。晶體管的源極與漏極分別耦接至輸出端及一電壓電平。電流源用以對(duì)晶體管進(jìn)行偏壓。第一及第二電容的兩端分別耦接至晶體管的柵極與第一節(jié)點(diǎn),及晶體管的柵極與第二節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)的兩端分別耦接至另一電壓電平及柵極;第二及第三開關(guān)的兩端分別耦接至輸入端與第一節(jié)點(diǎn),及輸入端與第二節(jié)點(diǎn);第四及第五開關(guān)的兩端分別耦接至第一節(jié)點(diǎn)與輸出端,及第二節(jié)點(diǎn)與輸出端。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1932958SQ20061014121
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
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