專利名稱：像素結(jié)構(gòu)與顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)，且特別是涉及一種將第一金屬板與第二金屬板耦接以形成存儲電容的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
圖1A示出了傳統(tǒng)顯示面板中像素結(jié)構(gòu)的部分示意圖。其中，像素100由掃描線SC1控制，并接收由數(shù)據(jù)線DT1傳送來的數(shù)據(jù)信號。圖1B示出了像素100的剖面結(jié)構(gòu)圖，其中，該剖面結(jié)構(gòu)圖為圖1A中的A1、B1至C1方向的剖面。
如圖1B所示，像素100的像素結(jié)構(gòu)由氧化銦錫層(ITO)、保護層(passivation)、兩金屬板、層間介電層(interlayer dielectric，ILD)、氧化層、多晶硅層所形成。像素100包括晶體管110與存儲電容Cp1與Cp2。晶體管110的柵極由多晶硅區(qū)160構(gòu)成，接收掃描線SC1的信號。晶體管110的漏極連接至金屬板130b。金屬板130b接收數(shù)據(jù)線DT1的數(shù)據(jù)信號。晶體管110的源極由摻雜多晶硅層150構(gòu)成，并連接至金屬板130a。金屬板130a連接至氧化銦錫層120。金屬板140位于金屬板130a與摻雜多晶硅層150之間，用以接收共同電壓Vcom1。
其中，金屬板130a與摻雜多晶硅層150的電位相等。金屬板130a與金屬板140間形成存儲電容Cp1；金屬板140與摻雜多晶硅層150間形成存儲電容Cp2。當(dāng)掃描線SC1致能時，與數(shù)據(jù)線DT1的數(shù)據(jù)信號相關(guān)的像素電壓存儲在存儲電容Cp1與Cp2中。
然而，由于工藝上的問題，常導(dǎo)致在金屬板130a與140之間殘留金屬微粒(particle)，而意外地將金屬板130a與140短路。因此將使得位于金屬板130a與140間的存儲電容Cp1消失，從而導(dǎo)致像素100產(chǎn)生亮點。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，通過將用以產(chǎn)生存儲電容的兩金屬板電性連接，在兩金屬板上方或下方形成存儲電容。即使因工藝問題在兩金屬板間產(chǎn)生金屬微粒，也不會影響該像素結(jié)構(gòu)形成的存儲電容，進一步提高制造上的良品率。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種像素結(jié)構(gòu)，用于一顯示裝置中。該像素結(jié)構(gòu)包括一第一金屬板、一第二金屬板與一晶體管。第二金屬板與第一金屬板電性連接。晶體管的柵極接收一掃描信號。晶體管的第一電極接收一數(shù)據(jù)信號。晶體管的第二電極具有兩個延伸部分，該兩個延伸部分為平面結(jié)構(gòu)。該兩個延伸部分與第一金屬板以及第二金屬板之間形成一存儲電容。
為了使本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，以下特舉一較佳實施例，并結(jié)合附圖進行詳細說明。


為了使本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，對附圖進行如下詳細說明圖1A示出了傳統(tǒng)顯示面板的部分示意圖；圖1B示出了傳統(tǒng)像素的剖面結(jié)構(gòu)圖；圖2A示出了由具有本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的像素形成的顯示面板的部分示意圖；圖2B示出了本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，附圖標(biāo)記100、200像素110、210晶體管120、220氧化銦錫層130a、130b、140、240a、240b、240c、260金屬板150、280a摻雜多晶硅層160、280b多晶硅區(qū)241、261、281、282通孔250層間介電層270氧化層
具體實施例方式
以下將以圖示及詳細說明使本發(fā)明的精神清楚可見。熟知本領(lǐng)域的技術(shù)人員在了解本發(fā)明的實施例后，可根據(jù)本發(fā)明的實施例，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，對本發(fā)明進行改進和變形。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括兩金屬板與一晶體管。該兩金屬板彼此電性連接。晶體管的柵極接收一掃描信號。晶體管的漏極接收一數(shù)據(jù)信號。晶體管的源極具有兩延伸部分。該兩延伸部分與該兩金屬板之間形成一存儲電容，其中，該兩延伸部分為平面結(jié)構(gòu)。
圖2A示出了由具有本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)的像素形成的顯示面板的部分示意圖。其中，像素200具有本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)。像素200由掃描線SC2控制，并接收由數(shù)據(jù)線DT2傳送來的數(shù)據(jù)信號。圖2B示出了本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)剖面圖。其中，該像素結(jié)構(gòu)剖面圖以像素200為例作說明，該剖面結(jié)構(gòu)圖為圖2A中沿著A2、B2至C2方向的剖面。
如圖2B所示，本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)由上而下為氧化銦錫層(ITO)220、保護層(passivation)230、一第一金屬層、一第二金屬層、層間介電層(interlayer dielectric，ILD)250、氧化層270與多晶硅層形成。上述的氧化銦錫層230例如為透明電極。
像素200包括晶體管210與存儲電容Cst1與Cst2。晶體管210的柵極由多晶硅區(qū)280b構(gòu)成，接收掃描線SC2的信號。晶體管210的漏極經(jīng)通孔(Via)281連接至金屬板240c。金屬板240c接收由數(shù)據(jù)線DT2傳送來的數(shù)據(jù)信號。晶體管210的源極由摻雜多晶硅層280a構(gòu)成，并經(jīng)通孔282連接至金屬板240b。摻雜多晶硅層280a視為晶體管210的源極的一延伸部分。其中，多晶硅區(qū)280a與摻雜多晶硅層280b由上述多晶硅層所構(gòu)成。金屬板240b與240c由上述第一金屬層所構(gòu)成。
金屬板240b經(jīng)通孔241連接至氧化銦錫層220，使得氧化銦錫層220為晶體管210的源極的另一延伸部分。上述第一金屬層還另外形成金屬板240a，且金屬板240a與金屬板240b電性隔離。金屬板260位于金屬板240a與摻雜多晶硅層280a之間，并經(jīng)通孔261電性連接至金屬板240a，用以接收共同電壓Vcom2。金屬板260由上述第二金屬層構(gòu)成。另外，氧化銦錫層220與該第一金屬層間具有保護層230。第一金屬層與第二金屬層間具有層間介電層250。第二金屬層與多晶硅層間具有氧化層270。
由于氧化銦錫層220與金屬板240a之間具有保護層230，氧化銦錫層220與金屬板240a之間形成存儲電容Cst1。同樣地，由于金屬板260與摻雜多晶硅280a間具有氧化層270，金屬板260與摻雜多晶硅280a間形成存儲電容Cst2。氧化銦錫層220與摻雜多晶硅層280a均與晶體管211的源極耦接，且金屬板240a與260均接收共同電壓Vcom2。因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線DT2的數(shù)據(jù)信號傳送至金屬板240c時，與數(shù)據(jù)信號相關(guān)的像素電壓會存儲在存儲電容Cst1與Cst2中。
在圖2B的像素200中，由于本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)，將金屬板240a與260電性連接，因此無論該兩金屬板之間是否由于工藝問題產(chǎn)生金屬微粒，而將該兩金屬板導(dǎo)通，均不影響存儲電容Cst1與Cst2。當(dāng)數(shù)據(jù)線DT2傳送數(shù)據(jù)信號至像素200時，與數(shù)據(jù)信號相關(guān)的像素電壓，得以正確地存儲在存儲電容Cst1與Cst2中。因此，本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)，通過將用于產(chǎn)生存儲電容的兩金屬板電性連接，分別在氧化銦錫層、兩金屬板與摻雜多晶硅層之間形成存儲電容，從而克服兩金屬板間的金屬微粒的影響。
此外，與傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)的保護層相比，本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中的保護層230較薄，形成在氧化銦錫層220與金屬板240a之間的存儲電容Cst1較大，因此可縮小電容面積，擴大開口率。
本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中，金屬板240a、240b與240c以由上述構(gòu)成的第一金屬層為例。實際應(yīng)用上，金屬板240a可以與晶體管的漏極和源極耦接的金屬板位于不同金屬層。
本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)，其晶體管的源極的兩延伸部分以氧化銦錫層與摻雜多晶硅層為例，分別與兩電性連接的金屬板形成存儲電容。實際應(yīng)用上，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中的晶體管的源極的兩延伸部分并不限于此。任何像素結(jié)構(gòu)，具有一晶體管與兩電性連接的金屬板，并且該晶體管的源極的兩延伸部分與該兩金屬板形成存儲電容，均在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，將用于形成存儲電容的兩金屬板電性連接，并與晶體管的源極的兩延伸部分間形成存儲電容。即使因工藝問題使兩金屬板間產(chǎn)生金屬微粒，該像素結(jié)構(gòu)所形成的存儲電容也不受影響，進一步提高制造的良品率。
本發(fā)明描述的優(yōu)選實施例不能認為是對本發(fā)明的限定。顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對本發(fā)明做出各種改進和變化。因此，本發(fā)明意圖覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效物的范圍之內(nèi)的改進和變化。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，用于一顯示裝置中，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層；一第二金屬層，與該第一金屬層電性連接；以及一晶體管，該晶體管的柵極接收一掃描信號，該晶體管的第一電極接收一數(shù)據(jù)信號，該晶體管的第二電極具有兩延伸部分，該兩延伸部分為平面結(jié)構(gòu)，該兩延伸部分與該第一金屬層以及與該第二金屬層之間形成一存儲電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極的第一端電性連接該兩延伸部分的一第一延伸部分，該第二電極的第二端電性連接該兩延伸部分的一第二延伸部分，該存儲電容包括一第一存儲電容與一第二存儲電容，該第一金屬層與該第一延伸部分之間形成該第一存儲電容，該第二金屬層與該第二延伸部分之間形成該第二存儲電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極的第一延伸部分為一氧化銦錫層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極的第二延伸部分為一摻雜多晶硅層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層與該第二金屬層接收一共同電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬層與該第二金屬層之間還具有一絕緣層，該第一金屬層通過一通孔與該第二金屬層電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層為一層間介電層。
8.一種液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一第一金屬層；一第二金屬層，與該第一金屬板電性連接；以及一晶體管，包括一柵極，用以接收一掃描信號；一第一電極，用以接收一數(shù)據(jù)信號；以及一第二電極，具有一第一延伸部分及一第二延伸部分，該第一延伸部分及該第二延伸部分與該第一金屬層及該第二金屬層之間形成一存儲電容。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一延伸部分為一氧化銦錫層，該第二延伸部分為一摻雜多晶硅層，并且該第一延伸部分以及該第二延伸部分用一通孔電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一延伸部分為一透明電極。
全文摘要
本發(fā)明公開一種像素結(jié)構(gòu)。該像素結(jié)構(gòu)包括兩金屬板與一晶體管。該兩金屬板彼此電性連接。該晶體管的柵極接收一掃描信號。晶體管的漏極接收一數(shù)據(jù)信號。晶體管的源極具有兩延伸部分。該兩延伸部分與該兩金屬板之間形成一存儲電容，其中，該兩延伸部分為平面結(jié)構(gòu)。
文檔編號G02F1/1368GK1996594SQ200610140359
公開日2007年7月11日 申請日期2006年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月27日
發(fā)明者丁友信, 李雅君 申請人:友達光電股份有限公司