專利名稱：基板處理裝置、基板處理方法以及基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種利用顯像液、蝕刻液、剝離液等藥液，在基板上進(jìn)行顯像、蝕刻、剝離等藥液處理的基板處理裝置、基板處理方法，以及利用這些基板處理裝置、基板處理方法的基板的制造方法，特別是關(guān)于一種適合于將基板在傾斜的狀態(tài)下予以保持著，并利用高于常溫的溫度的藥液，進(jìn)行基板的藥液處理的基板處理裝置、基板處理方法，以及利用這些基板處理裝置、基板處理方法的基板的制造方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置或等離子體顯示裝置等那樣的平板裝置用的面板基板的制造工程中，為了在基板上形成電路圖案及濾色器等，而利用顯像液、蝕刻液、剝離液等藥液，進(jìn)行顯像、蝕刻、剝離等的藥液處理。通常，進(jìn)行這些藥液處理的工程，被稱作濕處理(wet process)。濕處理多是在處理室內(nèi)，利用輥?zhàn)?roller)輸送機(jī)等移動(dòng)裝置來保持基板，并從噴嘴和噴霧器(spray)等向基板的表面供給藥液而進(jìn)行。
在象這樣利用輥式輸送機(jī)等移動(dòng)裝置來保持基板并進(jìn)行濕處理時(shí)，習(xí)知是采用使基板在水平狀態(tài)下移動(dòng)并保持的水平運(yùn)送方式。在水平運(yùn)送方式中，當(dāng)從噴嘴和噴霧器等向基板的表面供給藥液時(shí)，藥液大致均勻地被承載在基板的表面上，所以可使基板的藥液處理大致均勻地進(jìn)行。但是，如基板大型化，則在基板的中央部將會(huì)發(fā)生藥液的積聚，不能保持藥液處理的均勻性。
對(duì)此，已知有一種使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)并保持著的傾斜運(yùn)送方式(專利文獻(xiàn)1)。如利用傾斜運(yùn)送方式，則即使基板大型化，也不會(huì)在基板的表面上發(fā)生水平運(yùn)送方式那樣的藥液的積聚。
日本專利特開平11-74247號(hào)公報(bào)在利用傾斜運(yùn)送方式使基板保持對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)而進(jìn)行濕處理的情況下，傾斜的基板的表面下側(cè)與上側(cè)相比，下側(cè)上的藥液處理的進(jìn)行遲緩。其原因被認(rèn)為是，向基板的表面所供給的藥液，在傾斜的基板的表面上傳送而從上側(cè)向下側(cè)流下，使傾斜的基板的表面的下側(cè)上存在著從上側(cè)流下的純度變差的藥液(專利文獻(xiàn)1)。
在例如蝕刻等的濕處理中，為了促進(jìn)由藥液所造成的化學(xué)反應(yīng)，有時(shí)是將藥液加溫到較常溫還高的溫度后，再供給到基板的表面上。在傾斜運(yùn)送方式下，當(dāng)象這樣利用較常溫還高的溫度的藥液以進(jìn)行濕處理時(shí)，發(fā)現(xiàn)在與利用常溫的藥液的濕處理相比下，在傾斜的基板的表面下側(cè)上的藥液處理的進(jìn)行變得明顯遲緩的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是將基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，對(duì)傾斜的基板均勻地進(jìn)行藥液處理。而且，本發(fā)明的課題是均勻地進(jìn)行基板的藥液處理，并制造品質(zhì)高的基板。
本發(fā)明的基板處理裝置為一種包括基板移動(dòng)裝置、藥液供給裝置的基板處理裝置，其中，基板移動(dòng)裝置使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)并保持著，藥液供給裝置向基板移動(dòng)裝置所保持的基板供給高于常溫的溫度的藥液，而且，具有加溫裝置，其在藥液供給裝置供給藥液之前，將該由基板移動(dòng)裝置所移動(dòng)或保持的基板，加溫到與藥液供給裝置所供給的藥液的溫度相近的溫度。
而且，本發(fā)明的基板處理方法為一種將基板保持對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)，并對(duì)基板供給高于常溫的溫度的藥液而進(jìn)行基板的藥液處理的基板處理方法，其中，在進(jìn)行基板的藥液處理之前，使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)或保持著，并將基板加溫到與藥液處理時(shí)所利用的藥液的溫度相近的溫度。
在水平運(yùn)送方式中，當(dāng)向基板的表面供給高于常溫的溫度的藥液時(shí)，藥液被大致均勻地承載在基板的表面上，所以基板的表面的溫度大致均勻地上升。與此相對(duì)地，在習(xí)知的傾斜運(yùn)送方式中，當(dāng)向基板的表面供給高于常溫的溫度的藥液時(shí)，發(fā)現(xiàn)基板的表面的溫度不是均勻地上升，而是傾斜的基板的表面下側(cè)在與上側(cè)相比之下，基板的溫度的上升遲緩。該基板的表面的上側(cè)和下側(cè)的溫度上升差異，被認(rèn)為是基板下側(cè)的藥液處理的進(jìn)行顯著遲緩的原因之一。在本發(fā)明中，藉由在進(jìn)行基板的藥液處理之前，將基板加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度，而使供給了藥液的基板的表面的上側(cè)和下側(cè)的溫度上升差異縮小，使基板的表面的溫度迅速變得大致均勻。
為了將基板加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度，可利用例如加熱器，也可向基板的表面或背面或者兩面供給溫水或溫風(fēng)。另外，與藥液處理所利用的藥液不同，也可向基板的表面或背面或者兩面供給已加溫了的藥液。在任一種情況下，都可將基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)或保持著，并容易地加溫該基板。
另外，在本發(fā)明的基板處理裝置中，加溫裝置將傾斜的基板的下側(cè)加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度。而且，本發(fā)明的基板處理方法是將傾斜的基板的下側(cè)加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度。藉由預(yù)先將傾斜的基板的下側(cè)加溫到較上側(cè)還高的溫度，而在傾斜的基板的表面下側(cè)，使對(duì)上側(cè)的溫度上升遲緩得以補(bǔ)足，以使基板的表面的溫度更加迅速地變得大致均勻。
本發(fā)明的基板處理裝置為一種包括基板移動(dòng)裝置和藥液供給裝置的基板處理裝置，其中，基板移動(dòng)裝置使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)并保持著，藥液供給裝置向基板移動(dòng)裝置所保持的基板供給高于常溫的溫度的藥液，而且，具有對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制的裝置。
而且，本發(fā)明的基板處理方法為一種將基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下予以保持著，并向基板供給高于常溫的溫度的藥液而進(jìn)行基板的藥液處理的基板處理方法，其中，對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制，并進(jìn)行基板的藥液處理。
在水平運(yùn)送方式中，當(dāng)向基板的表面供給高于常溫的溫度的藥液時(shí)，基板表面的藥液的溫度變得大致均勻。與此相對(duì)地，在習(xí)知的傾斜運(yùn)送方法中，當(dāng)向基板的表面供給高于常溫的溫度的藥液時(shí)，發(fā)現(xiàn)基板表面的藥液的溫度并不均勻，而是在傾斜的基板的表面下側(cè)，藥液的溫度較上側(cè)變低。這是因?yàn)?，向基板的表面供給的藥液在沿基板的傾斜而從上側(cè)向下側(cè)流下期間，被基板及周圍的空氣吸取了熱量而使下側(cè)溫度下降，該基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差，被認(rèn)為是基板下側(cè)的藥液處理的進(jìn)行顯著遲緩的原因之一。在本發(fā)明中，藉由對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制，并進(jìn)行基板的藥液處理，而使基板的藥液處理的進(jìn)行變得大致均勻。
為了對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制，可對(duì)例如傾斜的基板的下側(cè)從背面供給加溫了的藥液，或?qū)A斜的基板的下側(cè)從背面利用加熱器來進(jìn)行加溫。另外，也可藉由利用絕熱材料等來包圍基板的表面及背面，而使基板的周圍絕熱。在任一種情況下，都可使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下被保持著，并輕松地控制傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差。
本發(fā)明的基板的制造方法，是利用上述的某一種的基板處理裝置或基板處理方法來進(jìn)行濕處理。由于將基板保持成傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，使傾斜的基板的藥液處理均勻地進(jìn)行，所以可制造品質(zhì)高的基板。
如利用本發(fā)明的基板處理裝置及基板處理方法，可在進(jìn)行基板的藥液處理之前，藉由將基板加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度，而使供給了藥液的基板表面的上側(cè)和下側(cè)的溫度上升差異縮小，所以可使基板的表面的溫度迅速地大致均勻。因此，可使基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，均勻地進(jìn)行已傾斜的基板的藥液處理。
另外，如利用本發(fā)明的基板處理裝置及基板處理方法，則藉由將傾斜的基板的下側(cè)，加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度，可補(bǔ)足傾斜的基板的下側(cè)的溫度上升的遲緩，使基板的表面的溫度更迅速地大致均勻。因此，可使傾斜的基板的藥液處理更加均勻地進(jìn)行。
另外，如利用本發(fā)明的基板處理裝置及基板處理方法，則藉由抑制傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差，并進(jìn)行基板的藥液處理，可使基板的藥液處理的進(jìn)行大致均勻。因此，可使基板保持傾斜的狀態(tài)下，并利用高于常溫的溫度的藥液，均勻地進(jìn)行傾斜的基板的藥液處理。
如利用本發(fā)明的基板的制造方法，可使基板保持傾斜的狀態(tài)下，并利用高于常溫的溫度的藥液，均勻地進(jìn)行傾斜的基板的藥液處理，所以能夠制造品質(zhì)高的基板。


圖1所示為利用本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖2為圖1所示的基板處理裝置的加熱器的正面圖。
圖3所示為利用本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖4所示為利用本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖5所示為利用本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖6所示為利用本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖7為圖6所示的基板處理裝置的加熱器的正面圖。
圖8所示為利用本發(fā)明的第6實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。
圖9所示為液晶顯示裝置的TFT基板的制造工程的一個(gè)例子的流程圖。
圖10所示為液晶顯示裝置的濾色器基板的制造工程的一個(gè)例子的流程圖。
1基板10輥?zhàn)?1加熱器 12溫水噴嘴13a、13b熱氣刀 21、22、22a、22b藥液噴嘴23加熱器 24絕熱室具體實(shí)施方式
圖1所示為利用本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。基板處理裝置的構(gòu)成包括多個(gè)輥?zhàn)?0、加熱器11及藥液噴嘴21。
基板1被搭載在多個(gè)輥?zhàn)?0上，并利用輥?zhàn)?0的旋轉(zhuǎn)而向箭形符號(hào)所示的基板移動(dòng)方向移動(dòng)。各輥?zhàn)?0在基板移動(dòng)方向上相距一定間隔而設(shè)置，并利用未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置以規(guī)定的速度進(jìn)行旋轉(zhuǎn)或者停止。各輥?zhàn)?0以其一端較另一端高的形態(tài)而設(shè)置著，藉此，多個(gè)輥?zhàn)?0使基板1在對(duì)水平方向沿與基板移動(dòng)方向直交的方向只傾斜成規(guī)定的角度θ的狀態(tài)下移動(dòng)及保持著。在各輥?zhàn)?0的兩端，設(shè)置有用于引導(dǎo)基板1的側(cè)面的凸緣部。
在利用輥?zhàn)?0而移動(dòng)的基板1的上方，橫跨于與基板1的基板移動(dòng)方向直交的方向的幅面，設(shè)置有加熱器11。加熱器11由例如陶瓷加熱器等平板型加熱器或鹵素加熱器構(gòu)成，當(dāng)基板1通過加熱器11的下方時(shí)，將基板1的表面，加熱到與后述的藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度。
另外，在基板移動(dòng)方向的下側(cè)，利用輥?zhàn)?0所保持的基板1的上方，于傾斜的基板1的上側(cè)附近，橫跨該基板1的基板移動(dòng)方向的幅面，與基板1平行地設(shè)置有藥液噴嘴21。藥液噴嘴21在構(gòu)成上例如是在長(zhǎng)套管(casing)中使噴嘴口沿長(zhǎng)邊方向呈縫隙狀或相距規(guī)定的間隔而設(shè)置著。停止輥?zhàn)?0的旋轉(zhuǎn)，使基板1在對(duì)水平方向只傾斜成規(guī)定的角度θ的狀態(tài)下被保持著，并從未圖示的藥液供給源向藥液噴嘴21，供給已加溫到高于常溫的溫度的藥液。藥液噴嘴21從噴嘴口向基板1的表面的上側(cè)，在長(zhǎng)邊方向范圍內(nèi)均勻地供給藥液。已供給到基板1的表面的上側(cè)的藥液，沿基板1的傾斜而向基板1的表面的下側(cè)流下。利用向基板1的表面所供給的藥液來對(duì)基板1的表面進(jìn)行藥液處理。
圖2為圖1所示的基板處理裝置的加熱器的正面圖。在本實(shí)施形態(tài)中，如圖2所示，加熱器11不與基板11平行，而以較傾斜的基板1的上側(cè)更接近下側(cè)的形態(tài)進(jìn)行設(shè)置。藉此，加熱器11可將傾斜的基板1的表面的下側(cè)，加溫到較傾斜的基板1的表面的上側(cè)還高的溫度。
另外，加熱器11也可不象圖2那樣進(jìn)行設(shè)置，取而代之的是將加熱器11的內(nèi)部的熱源進(jìn)行分割，并使傾斜的加熱器11的下側(cè)的溫度設(shè)定得較上側(cè)還高。
而且，在圖1及圖2中，是將加熱器11設(shè)置在輥?zhàn)?0上所搭載的基板1的上方，對(duì)基板1從表面開始加溫，但也可將加熱器設(shè)置在輥?zhàn)?0上所搭載的基板1的下方或者上方及下方，對(duì)基板1從背面或者從兩面開始加溫。
圖3所示為利用本發(fā)明的第2實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。本實(shí)施形態(tài)可取代圖1所示的實(shí)施形態(tài)的加熱器11，而設(shè)置溫水噴嘴12及熱氣刀13a、13b。其他的構(gòu)成要素與圖1所示的實(shí)施形態(tài)相同。
在利用輥?zhàn)?0而移動(dòng)的基板1的上方，沿與基板1的基板移動(dòng)方向直交的方向的幅面，與基板1平行地設(shè)置有溫水噴嘴12。溫水噴嘴12在構(gòu)成上例如是在長(zhǎng)管上使噴嘴口相距規(guī)定的間隔或者沿長(zhǎng)邊方向呈縫隙狀而設(shè)置著。從未圖示的溫水供給源向溫水噴嘴12，供給已被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度的溫水。溫水噴嘴21從噴嘴口向基板1的表面在長(zhǎng)邊方向的范圍內(nèi)均勻地供給溫水。利用向基板1的表面所供給的溫水，使基板1的表面被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度。
另外，在基板移動(dòng)方向的下側(cè)，利用輥?zhàn)?0而移動(dòng)的基板1的上方及下方，在與基板1的基板移動(dòng)方向直交的方向的幅面中，與基板1平行地設(shè)置有熱氣刀13a、13b。熱氣刀13a、13b是在例如長(zhǎng)套管的內(nèi)部中形成加壓室，并沿長(zhǎng)邊方向呈縫隙狀來設(shè)置與加壓室相通的氣體通路而構(gòu)成。從未圖示的氣體供給源向熱氣刀13a、13b，供給被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度的氣體。熱氣刀13a、13b從氣體通路的頂端，向基板1的表面或背面，沿與基板移動(dòng)方向相反側(cè)的方向，以規(guī)定的入射角度在長(zhǎng)邊方向的范圍內(nèi)均勻地吹噴氣體。利用向基板1的表面所吹噴的氣體，而使基板1的表面被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度且被干燥。
另外，在圖3中，是將溫水噴嘴12設(shè)置在輥?zhàn)?0所搭載的基板1的上方，而對(duì)基板1從表面開始加溫，但也可將溫水噴嘴12設(shè)置在輥?zhàn)?0所搭載的基板1的下方或者上方及下方，而對(duì)基板1從背面或從兩面開始加溫。
而且，在只利用熱氣刀13a、13b將基板1的表面加溫到所需的溫度的情況下，可省略溫水噴嘴12。
圖4所示為利用本發(fā)明的第3實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。基板處理裝置的構(gòu)成包括多個(gè)輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21、22a、22b。輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21的構(gòu)成及動(dòng)作，與圖1所示的實(shí)施形態(tài)相同。
如圖4所示，在利用輥?zhàn)?0而移動(dòng)的基板1的上方及下方，在與基板1的基板移動(dòng)方向直交的方向的幅面中，與基板1平行地設(shè)置有藥液噴嘴22a、22b。藥液噴嘴22a、22b是在例如長(zhǎng)套管中，沿長(zhǎng)邊方向呈縫隙狀或相距規(guī)定的間隔來設(shè)置噴嘴口而構(gòu)成。從未圖示的藥液供給源向藥液噴嘴22a、22b，供給被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度的藥液。藥液噴嘴22a、22b從噴嘴口向基板1的表面或背面，在長(zhǎng)邊方向的范圍內(nèi)均勻地供給被加溫了的藥液。利用向基板1的表面及背面所供給的被加溫了的藥液，而使基板1的表面被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度。
在以上所說明的本實(shí)施形態(tài)中，加熱器11、溫水噴嘴12及熱氣刀13a、13b，或藥液噴嘴22a、22b只設(shè)置有1層，但它們也可沿基板移動(dòng)方向設(shè)置2層以上。
如利用以上所說明的實(shí)施形態(tài)，則藉由在基板的藥液處理之前，將基板加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度，而使供給了藥液的基板的表面的上側(cè)和下側(cè)的溫度的上升差異縮小，所以可使基板的表面的溫度迅速地大致均勻。因此，可使基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，對(duì)傾斜的基板均勻地進(jìn)行藥液處理。
另外，如利用圖2所示的實(shí)施形態(tài)，則藉由將傾斜的基板的下側(cè)，加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度，可補(bǔ)足傾斜的基板的下側(cè)的溫度上升的遲緩，使基板的表面的溫度更加迅速地大致均勻。因此，可對(duì)傾斜的基板更加均勻地進(jìn)行藥液處理。
圖5所示為利用本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。基板處理裝置的構(gòu)成包括多個(gè)輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21、22。輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21的構(gòu)成及動(dòng)作，與圖1所示的實(shí)施形態(tài)相同。
在利用輥?zhàn)?0所保持的基板1的上方，于傾斜的基板1的上側(cè)附近，橫跨基板1的基板移動(dòng)方向的幅面，與基板1平行地設(shè)置有藥液噴嘴21。藥液噴嘴21在構(gòu)成上例如是在長(zhǎng)套管中，使噴嘴口沿長(zhǎng)邊方向呈縫隙狀或相距規(guī)定的間隔而設(shè)置著。停止輥?zhàn)?0的旋轉(zhuǎn)，使基板1保持對(duì)水平方向只傾斜成規(guī)定的角度θ的狀態(tài)，并從未圖示的藥液供給源向藥液噴嘴21，供給已加溫到高于常溫的溫度的藥液。藥液噴嘴21從噴嘴口向基板1的表面的上側(cè)，在長(zhǎng)邊方向范圍內(nèi)均勻地供給藥液。已供給到基板1的表面的上側(cè)的藥液，沿基板1的傾斜而向基板1的表面的下側(cè)流下。利用向基板1的表面所供給的藥液，對(duì)基板1的表面進(jìn)行藥液處理。
另外，在利用輥?zhàn)?0所保持的基板1的下方，于傾斜的基板1的上側(cè)和下側(cè)的中間附近，橫跨該基板1的基板移動(dòng)方向的幅面，與基板1平行地設(shè)置有藥液噴嘴22。藥液噴嘴22的構(gòu)成，與藥液噴嘴21相同。從未圖示的藥液供給源向藥液噴嘴22，供給已被加溫到與從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度相近的溫度的藥液。藥液噴嘴22從噴嘴口向基板1的背面的上側(cè)和下側(cè)之間，在長(zhǎng)邊方向的范圍內(nèi)均勻地供給藥液。向基板1的背面所供給的藥液，沿基板1的傾斜而向基板1的背面的下側(cè)流下。利用向基板1的背面所供給的藥液，使傾斜的基板1的下側(cè)被加溫，以抑制該基板1的表面的上側(cè)和下側(cè)的從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度差。
另外，在圖5所示的實(shí)施形態(tài)中，藥液噴嘴22只設(shè)置有1層，但藥液噴嘴22也可沿與基板移動(dòng)方向直交的方向設(shè)置2層以上。
圖6所示為利用本發(fā)明的第5實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。在本實(shí)施形態(tài)中，取代圖5所示的實(shí)施形態(tài)的藥液噴嘴22，而代之以加熱器23。其它的構(gòu)成要素與圖5所示的實(shí)施形態(tài)相同。
在利用輥?zhàn)?0所保持的基板1的下方，于傾斜的基板1的下側(cè)附近，橫跨該基板1的基板移動(dòng)方向的幅面，設(shè)置有加熱器23。加熱器23由例如陶瓷加熱器等平板型加熱器或鹵素加熱器構(gòu)成。利用加熱器23，使傾斜的基板1的下側(cè)被加溫，以抑制該基板1的表面的上側(cè)和下側(cè)的從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度差。
圖7為圖6所示的基板處理裝置的加熱器的正面圖。在本實(shí)施形態(tài)中，如圖7所示，加熱器23未與基板1平行，而是與傾斜的基板1的下側(cè)接近地設(shè)置著。藉此，加熱器23可將傾斜的基板1的下側(cè)加溫到更高的溫度。
另外，也可不將加熱器23如圖7那樣進(jìn)行設(shè)置，而代之以將加熱器23的內(nèi)部的熱源進(jìn)行分割，并使傾斜的加熱器23的下側(cè)的溫度設(shè)定成較高。而且，加熱器23在與基板移動(dòng)方向直交的方向上也可設(shè)置2層以上。
圖8所示為利用本發(fā)明的第6實(shí)施形態(tài)的基板處理裝置的概略構(gòu)成圖。基板處理裝置的構(gòu)成包括多個(gè)輥?zhàn)?0、藥液噴嘴21及絕熱室24。輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21的構(gòu)成及動(dòng)作，與圖5所示的實(shí)施形態(tài)相同。另外，圖8所示為絕熱室24的內(nèi)部的基板1、輥?zhàn)?0及藥液噴嘴21的透視狀態(tài)。
如圖8所示，在利用輥?zhàn)?0所保持的基板1的周圍，設(shè)置有絕熱室24。絕熱室24具有由絕熱材料等構(gòu)成的絕熱壁，采用一種由絕熱壁包圍基板1的表面全體及背面全體的構(gòu)成。在絕熱室24的基板移動(dòng)方向的絕熱壁上，設(shè)置有用于使基板1通過的未圖示的開口。利用此絕熱壁24，使基板1的周圍被絕熱，可防止藥液被周圍的空氣奪取熱量，使藥液溫度不致于下降，以使基板1的表面的上側(cè)和下側(cè)的從藥液噴嘴21所供給的藥液的溫度差受到抑制。
如利用以上所說明的實(shí)施形態(tài)，則可藉由傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差受到抑制，并進(jìn)行基板的藥液處理，而使基板的藥液處理的進(jìn)行大致均勻。因此，可使基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，均勻地進(jìn)行傾斜的基板的藥液處理。
藉由利用本發(fā)明的基板處理裝置或基板處理方法來進(jìn)行濕處理，可使基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，對(duì)傾斜的基板均勻地進(jìn)行藥液處理，所以能夠制造品質(zhì)高的基板。
例如，圖9所示為液晶顯示裝置的TFT基板的制造工程的一個(gè)例子的流程圖。在薄膜形成工程(步驟101)中，利用濺射法或等離子化學(xué)汽相生長(zhǎng)(CVC)法等，在玻璃基板上形成作為液晶驅(qū)動(dòng)用透明電極的導(dǎo)電體膜或絕緣體膜等薄膜。在光刻膠(resist)涂敷工程(步驟102)中，利用輥?zhàn)油糠蠓ǖ葋硗糠蟾泄鈽渲牧?光刻膠)，而在薄膜形成工程(步驟101)中所形成的薄膜上形成光刻膠膜。在曝光工程(步驟103)中，利用接近曝光裝置和投影曝光裝置等，將掩膜的圖案轉(zhuǎn)印到光刻膠膜上。在顯像工程(步驟104)中，利用噴射(shower)顯像法等將顯像液供給到光刻膠膜上，除去光刻膠膜的不要的部分。在蝕刻工程(步驟105)中，利用濕蝕刻，除去薄膜形成工程(步驟101)所形成的薄膜中的未由光刻膠膜所遮蔽的部分。在剝離工程(步驟106)中，將蝕刻工程(步驟105)中的掩膜的作用已結(jié)束后的光刻膠，利用剝離液來剝離。在上述各個(gè)工程之前或之后，可依據(jù)需要來實(shí)施基板的清洗/干燥工程。將這些工程反復(fù)數(shù)次，以在玻璃基板上形成TFT陣列。
而且，圖10所示為液晶顯示裝置的濾色器基板的制造工程的一個(gè)例子的流程圖。在黑底(black matrix)形成工程(步驟201)中，利用光刻膠涂敷、曝光、顯像、蝕刻、剝離等處理，在玻璃基板上形成黑底。在著色圖案形成工程(步驟202)中，利用染色法、顏料分散法、印刷法、電著法等，在玻璃基板上形成著色圖案。反復(fù)進(jìn)行該工程而形成R、G、B的著色圖案。在保護(hù)膜形成工程(步驟203)中，在著色圖案的上面形成保護(hù)膜，并在透明電極膜形成工程(步驟204)中，在保護(hù)膜的上面形成透明電極膜。在上述各個(gè)工程之前、中途或之后，依據(jù)需要，實(shí)施基板的清洗/干燥工程。
在圖9所示的TFT基板的制造工程中，于顯像工程(步驟104)、蝕刻工程(步驟105)及剝離工程(步驟106)中，進(jìn)行圖10所示的濾色器基板的制造工程時(shí)，于黑底形成工程(步驟201)及著色圖案形成工程(步驟202)的顯像、蝕刻及剝離的處理中，可應(yīng)用本發(fā)明的基板處理裝置或基板處理方法。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，為一種包括基板移動(dòng)裝置，其使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)并保持著，以及藥液供給裝置，其向前述基板移動(dòng)裝置所保持的基板供給高于常溫的溫度的藥液的基板處理裝置，其特征在于具備加溫裝置，其在前述藥液供給裝置供給藥液之前，將由前述基板移動(dòng)裝置所移動(dòng)或保持的基板，加溫到與前述藥液供給裝置所供給的藥液的溫度相近的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于其中所述的加溫裝置具有加熱器。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于其中所述的加溫裝置具有向基板供給溫水或溫風(fēng)的裝置。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于其中所述的加溫裝置具有與前述藥液供給裝置不同的，向基板供給加溫了的藥液的裝置。
5.如權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于其中所述的加溫裝置將傾斜的基板的下側(cè)，加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度。
6.一種基板處理方法，為一種將基板保持著對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)，并對(duì)基板供給高于常溫的溫度的藥液而進(jìn)行基板的藥液處理的基板處理方法，其特征在于在進(jìn)行基板的藥液處理之前，使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)或保持著，并將基板加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于將基板利用加熱器進(jìn)行加溫。
8.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于向基板供給溫水或溫風(fēng)而使基板加溫。
9.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于與藥液處理所利用的藥液不同地，向基板供給加溫了的藥液而使基板加溫。
10.如權(quán)利要求6-9中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于將傾斜的基板的下側(cè)，加溫到較傾斜的基板的上側(cè)還高的溫度。
11.一種基板的制造方法，其特征在于利用權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，進(jìn)行濕處理。
12.一種基板的制造方法，其特征在于利用權(quán)利要求6-10中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法，進(jìn)行濕處理。
13.一種基板處理裝置，為一種包括基板移動(dòng)裝置，其使基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下進(jìn)行移動(dòng)并保持著，藥液供給裝置，其向前述基板移動(dòng)裝置所保持的基板供給高于常溫的溫度的藥液的基板處理裝置，其特征在于具有對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制的裝置。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于抑制前述藥液的溫度差的裝置，具有向傾斜的基板的下側(cè)供給加溫了的藥液的裝置。
15.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于抑制前述藥液的溫度差的裝置，具有對(duì)傾斜的基板的下側(cè)進(jìn)行加溫的加熱器。
16.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于抑制前述藥液的溫度差的裝置，具有將基板的周圍進(jìn)行絕熱的裝置。
17.一種基板處理方法，為一種將基板在對(duì)水平方向傾斜成規(guī)定的角度的狀態(tài)下予以保持著，并向基板供給高于常溫的溫度的藥液而進(jìn)行基板的藥液處理的基板處理方法，其特征在于對(duì)傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差進(jìn)行抑制，并進(jìn)行基板的藥液處理。
18.如權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其特征在于與藥液處理所利用的藥液不同地，向傾斜的基板的下側(cè)供給加溫了的藥液，以抑制傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差。
19.如權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其特征在于將傾斜的基板的下側(cè)利用加熱器進(jìn)行加溫，以抑制傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差。
20.如權(quán)利要求17所述的基板處理方法，其特征在于將基板的周圍進(jìn)行絕熱，以抑制傾斜的基板的上側(cè)和下側(cè)的藥液的溫度差。
21.一種基板的制造方法，其特征在于利用權(quán)利要求13-16中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，進(jìn)行濕處理。
22.一種基板的制造方法，其特征在于利用權(quán)利要求17-20中的任一項(xiàng)所述的基板處理方法，進(jìn)行濕處理。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種基板處理裝置、基板處理方法以及基板的制造方法。該基板處理裝置可使基板保持傾斜的狀態(tài)，并利用高于常溫的溫度的藥液，對(duì)傾斜的基板均勻地進(jìn)行藥液處理。加熱器(11)在基板(1)通過加熱器(11)的下方時(shí)，將基板(1)的表面加溫到與藥液噴嘴(21)所供給的藥液的溫度相近的溫度。藥液噴嘴(21)向基板(1)的表面供給高于常溫的溫度的藥液。利用向基板(1)的表面所供給的藥液，對(duì)基板(1)的表面進(jìn)行藥液處理。藉由在進(jìn)行基板(1)的藥液處理之前，將基板(1)加溫到與藥液處理所利用的藥液的溫度相近的溫度，而使已供給了藥液的基板(1)的表面的上側(cè)和下側(cè)的溫度的上升差異縮小，使基板(1)的表面的溫度迅速地大致成為均勻。
文檔編號(hào)G03F7/26GK1975983SQ20061014033
公開日2007年6月6日 申請(qǐng)日期2006年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月28日
發(fā)明者森口善弘, 釜石孝生 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高科技