專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別有關(guān)于一種使用半調(diào)式光 掩模所形成的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的進(jìn)步。 就顯示器而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的 液晶顯示顯示器已逐漸成為市場主流。一般液晶顯示器可分為穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大類，其分類的依據(jù)在于光源的利用以及陣列基板(array)的差異。其中，穿透式液晶顯示器 主要以背光源(back light)作為光源，其陣列基板上的像素電極為透明電極以利背 光源穿透。反射式液晶顯示器主要是以前光源(front light)或是外界光源作為光 源，其陣列基板上的像素電極為金屬或其他具有良好反射特性材質(zhì)的反射電極，適 于將前光源或是外界光源反射。半穿透半反射式液晶顯示器可同時(shí)利用背光源以及 外界光源進(jìn)行顯示，其上的像素可區(qū)分為穿透區(qū)與反射區(qū)。穿透區(qū)上具有透明電極 以利背光源穿透，而反射區(qū)上具有適于將外界光源反射的反射電極或是反射層。圖1A 1D為現(xiàn)有半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。請(qǐng)參考圖 1A，首先，提供一基板100，并于基板100上形成一薄膜晶體管110。薄膜晶體管 110為底柵極結(jié)構(gòu)(bottom gate)。具體而言，此薄膜晶體管110包括一柵極110g、 一源極110s、 一漏極110d、 一柵絕緣層110i與一通道層110c。值得注意的是， 柵極110g、通道層110c、源極110s與漏極110d各需要一次微影制程及一次蝕刻 制程來定義，換言之， 一般需使用三道微影制程及三次蝕刻制程來形成薄膜晶體管 110。接著請(qǐng)參考圖1B，于基板100上形成一圖案化保護(hù)層120a，以覆蓋住薄膜晶 體管110。詳細(xì)地說，形成圖案化保護(hù)層120a的步驟是先沉積一保護(hù)層材料于基 板100上。接著借助一次微影制程及一次蝕刻制程對(duì)保護(hù)層材料進(jìn)行圖案化，以形
成一圖案化保護(hù)層120a。由圖IB中可知，圖案化保護(hù)層120a具有接觸窗開口 (contact opening) 10，且接觸窗開口 10暴露出薄膜晶體管110的漏極110d。 此外，圖案化保護(hù)層120a可以分為反射區(qū)R及穿透區(qū)T。反射區(qū)R上方將涂布由反射材料所構(gòu)成的反射像素電極。為了使自反射區(qū)R表面反射出去的光線較為均 勻，在反射區(qū)R的圖案化保護(hù)層120a會(huì)形成連續(xù)的凹凸形狀。在穿透區(qū)T的圖案 化保護(hù)層120a表面則是平坦的。接著請(qǐng)參考圖1C，于基板100上形成一透明像素電極130a。 一般而言，透明 像素電極130a的制造方法是先形成一透明導(dǎo)電材料，以覆蓋住圖案化保護(hù)層120a。 之后，借助一次微影制程及蝕刻制程對(duì)透明導(dǎo)電材料進(jìn)行圖案化，即完成透明像素 電極130a的制作。值得留意的是，透明像素電極130a會(huì)借助接觸窗開口 10與漏 極110d電性連接。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，形成一反射像素電極140a于透明像素電極130a上。詳 細(xì)地說，形成反射像素電極140a的步驟是先沉積一反射層材料于透明像素電極 130a上。之后，借助一次微影制程及一次蝕刻制程來對(duì)反射層材料進(jìn)行圖案化， 以形成一反射像素電極140a。然而，上述制造過程每多使用一道光掩模，其制造成本也就跟著上升，而且 光掩模數(shù)目的增加會(huì)使得整體的制程時(shí)間加長。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，以降低制造成本。 本發(fā)明的再一目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，以減少制程時(shí)間。 本發(fā)明的又一目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)，以改善電性品質(zhì)。 本發(fā)明的又一目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)，以降低制造成本。 為達(dá)上述或其他目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供基板， 并在基板上依序形成柵極以及柵絕緣層，且柵絕緣層覆蓋柵極。于基板上依序形成 半導(dǎo)體層以及導(dǎo)體層。提供第一半調(diào)式光掩模(half tone mask, HTM)，并利用 第一半調(diào)式光掩模在導(dǎo)體層上形成一層第一圖案化光阻層。以第一圖案化光阻層為 掩模，移除部分導(dǎo)體層以及半導(dǎo)體層，以形成源極、漏極以及通道層。移除第一圖 案化光阻層。于基板上形成圖案化保護(hù)層，且圖案化保護(hù)層具有接觸窗開口(contact opening)，暴露出部分漏極。于基板上形成透明像素電極，且透明像 素電極經(jīng)由接觸窗開口與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素結(jié)構(gòu)的制造方法于形成透明像素電極之后， 還包括形成反射像素電極。此外，透明像素電極以及反射像素電極的形成方法包括 于基板上依序形成第一像素材料與第二像素材料。然后，提供第二半調(diào)式光掩模， 并利用第二半調(diào)式光掩模在第二像素材料上形成第二圖案化光阻層。以第二圖案化 光阻層為掩模，移除部分第二像素材料以及第一像素材料，以形成反射像素電極及 透明像素電極。之后，移除第二圖案化光阻層。為達(dá)上述或其他目的，本發(fā)明再提出一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先提供基 板，并于基板上形成柵極以及柵絕緣層。其中柵絕緣層覆蓋柵極。于柵極上方的柵 絕緣層上形成一層通道層。于通道層上形成源極及漏極。于基板上形成一層圖案化 保護(hù)層，且圖案化保護(hù)層具有接觸窗開口，暴露出部分漏極。于基板上依序形成第 一像素材料及第二像素材料。提供半調(diào)式光掩模，并利用半調(diào)式光掩模在第二像素 材料上形成一層圖案化光阻層。以圖案化光阻層為掩模，移除部分第二像素材料以 及第一像素材料，以形成反射像素電極以及透明像素電極。其中透明像素電極經(jīng)由 接觸窗開口與漏極電性連接。之后，移除圖案化光阻層。本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、柵極、柵絕緣層、通道層、源極、 漏極、圖案化保護(hù)層及透明像素電極。柵極配置于基板上。柵絕緣層覆蓋柵極。通 道層配置于柵絕緣層上，并位于柵極上方。源極及漏極配置于通道層上，且源極及 漏極的邊界在通道層的邊界之內(nèi)。圖案化保護(hù)層覆蓋源極及漏極、通道層以及柵絕 緣層。透明像素電極配置于圖案化保護(hù)層上，并與漏極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述像素結(jié)構(gòu)還包括反射像素電極，配置于透明像 素電極上。此外，反射像素電極的邊界例如在透明像素電極的邊界之內(nèi)。本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、柵極、柵絕緣層、通道層、源極、 漏極、圖案化保護(hù)層、透明像素電極及反射像素電極。柵極配置于基板上，且柵絕 緣層覆蓋柵極。通道層配置于柵絕緣層上，并位于柵極上方。源極及漏極配置于通 道層以及柵絕緣層上。圖案化保護(hù)層覆蓋源極及漏極、通道層以及柵絕緣層。透明 像素電極配置于圖案化保護(hù)層上，并與漏極電性連接。反射像素電極配置于部分透 明像素電極上，且反射像素電極的邊界在透明像素電極的邊界之內(nèi)。
本發(fā)明利用半調(diào)式光掩模來形成圖案化光阻層，并以圖案化光阻層為掩模進(jìn)行圖案化(patterning)制程，以同時(shí)形成通道層、源極及漏極。因此，可以在制 造過程中節(jié)省一道光掩模，從而減少像素結(jié)構(gòu)的制造成本。此外，在半穿透半反射 式的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造過程中，也可以應(yīng)用另一個(gè)半調(diào)式光掩模來形成 另一層圖案化光阻層。然后，利用此圖案化光阻層來進(jìn)行圖案化制程，以同時(shí)形成 反射像素電極與透明像素電極，因而可以節(jié)省一道光掩模，并進(jìn)一步減少像素結(jié)構(gòu) 的制造成本。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí) 施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1A 1D是現(xiàn)有的半穿透半反射式的像素結(jié)構(gòu)的制造流程示意圖。圖2A 圖2E是本發(fā)明第一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖2F是本發(fā)明第二實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖2E'至圖2H'是本發(fā)明第三實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖2A 圖2E是本發(fā)明第一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。請(qǐng)參照 圖2A，首先提供基板200。然后，在基板200上依序形成柵極202以及柵絕緣層 204。其中柵絕緣層204覆蓋柵極202。然后，于基板200上依序形成一層半導(dǎo)體 層206以及一層導(dǎo)體層208。接著，提供第一半調(diào)式光掩模M1，并利用第一半調(diào)式 光掩模M1在導(dǎo)體層208上形成一層第一圖案化光阻層R1。其中，第一圖案化光阻 層R1的材質(zhì)例如是正型光阻，且第一圖案化光阻層R1的形成方法例如是微影制程。 更詳細(xì)而言，第一半調(diào)式光掩模Ml包括玻璃基板Mlg、鉻膜Mlcr與半透過膜Mltm， 其中半透過膜Mltm配置于玻璃基板Mlg上，而鉻膜Mlcr配置于半透過膜Mltm上。 因此，第一半調(diào)式光掩模M1可分為透光區(qū)M12、不透光區(qū)M14及半透光區(qū)M16。換 言之，第一半調(diào)式光掩模M1在透光區(qū)M12、不透光區(qū)M14及半透光區(qū)M16具有不 同的透光率(optical transmiUance)。舉例而言，透光區(qū)M12、不透光區(qū)M14 及半透光區(qū)M16的透光率例如分別是90%、 5%及40%。值得注意的是，具有不同透 光率的光掩模并不限定上述半調(diào)式光掩模M1，而半透光區(qū)M16也可以配置有狹縫， 以達(dá)到改變透光率的目的。當(dāng)然，具有不同透光率的光掩模并不限定為上述兩種方 式，如果有其他類型的光掩模而能形成出第一圖案化光阻層R1者，皆可應(yīng)用于本 實(shí)施例中。由于透光區(qū)M12、不透光區(qū)M14及半透光區(qū)M16分別具有不同的透光率，因此 在微影制程之后，第一圖案化光阻層R1可以分為三個(gè)不同厚度的區(qū)域。更詳細(xì)而 言，第一圖案化光阻層R1可分為光阻區(qū)域R14及光阻區(qū)域R16。其中，光阻區(qū)域 R14是呈現(xiàn)不透光區(qū)M14的圖形。光阻區(qū)域R16是呈現(xiàn)半透光區(qū)M16的圖形，且光 阻區(qū)域R16的厚度小于光阻區(qū)域R14的厚度。此外，導(dǎo)體層208上未覆蓋有第一圖 案化光阻層Rl的區(qū)域，則是呈現(xiàn)透光區(qū)M12的圖形。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，以第一圖案化光阻層Rl為掩模，移除部分導(dǎo)體層208 以及半導(dǎo)體層206，以形成通道層206a以及圖案化導(dǎo)體層208a。移除上述各層的 方法例如是干式蝕刻制程。由于在移除部分導(dǎo)體層208以及半導(dǎo)體層206的過程中， 第一圖案化光阻層R1的厚度也會(huì)同時(shí)變薄，因此光阻區(qū)域R16將被移除，而僅殘 留光阻區(qū)域R14。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，以殘留的第一圖案化光阻層R1為掩模，移除部分圖案化 導(dǎo)體層208a，而形成源極208b及漏極208c。此外，移除部分圖案化導(dǎo)體層208a 的方法例如是干式蝕刻制程?；旧?，源極208b及漏極208c的邊界208p應(yīng)該對(duì) 齊于通道層206a的邊界206p。然而，由于圖案化導(dǎo)體層208a的邊界暴露于干式 蝕刻制程的環(huán)境之中，因此圖案化導(dǎo)體層208a的邊界仍然會(huì)被蝕刻而失去一部分。 更詳細(xì)而言，源極208b及漏極208c的邊界208p會(huì)位于通道層206a的邊界206p 之內(nèi)。請(qǐng)參照?qǐng)D2D，在形成上述結(jié)構(gòu)之后，移除第一圖案化光阻層R1，而移除第一 圖案化光阻層R1的方法例如是等離子灰化(ashing)。然后，于基板200上形成 一層圖案化保護(hù)層210a，而此圖案化保護(hù)層210a具有接觸窗開口20，其暴露出部 分漏極208c。請(qǐng)參照?qǐng)D2E，于基板200上形成透明像素電極212，且透明像素電極212會(huì) 經(jīng)由接觸窗開口 20與漏極208c電性連接。制程進(jìn)行至此，基板200上已形成了一 種適用于穿透式液晶顯示器(transmissive LCD)的像素結(jié)構(gòu)。 第二實(shí)施例圖2F是本發(fā)明第二實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2F， 在圖2E的結(jié)構(gòu)上形成透明像素電極212之后，還包括形成反射像素電極214，而 圖2F所示的像素結(jié)構(gòu)便適用于半穿透半反射式液晶顯示器(transflective LCD) 中。然而，反射像素電極214與透明像素電極212的形成順序也可以是相反。此外， 形成反射像素電極214的方法例如是先在透明像素電極212以濺鍍方式形成一反射 材料層(未圖示)，然后對(duì)于此反射材料層進(jìn)行圖案化制程，以形成反射像素電極 214。值得注意的是，反射像素電極214與透明像素電極212也可以利用一半調(diào)式 光掩模來同時(shí)形成，其詳述如后。第三實(shí)施例圖2E'至圖2H'是本發(fā)明第三實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。請(qǐng) 參照?qǐng)D2E'，在圖2D所示的結(jié)構(gòu)上方依序形成一層第一像素材料216及一層第二 像素材料218。然后，提供第二半調(diào)式光掩模M2，并利用第二半調(diào)式光掩模M2在 第二像素材料218上形成一層第二圖案化光阻層R2。其中，第二圖案化光阻層R2 的材質(zhì)例如是正型光阻，且第二圖案化光阻層R2的形成方法例如是微影制程。更 詳細(xì)而言，第二半調(diào)式光掩模M2包括玻璃基板M2g、鉻膜M2cr與半透過膜M2tm， 其中半透過膜M2tm配置于玻璃基板M2g上，而絡(luò)膜M2cr配置于半透過膜M2tm上。 因此，第二半調(diào)式光掩模M2可分為透光區(qū)M22、不透光區(qū)M24及半透光區(qū)M26。換 言之，第二半調(diào)式光掩模M2在透光區(qū)M22、不透光區(qū)M24及半透光區(qū)M26具有不 同的透光率。舉例而言，透光區(qū)M22、不透光區(qū)M24及半透光區(qū)M26的透光率例如 分別是90%、 5%及40%。值得注意的是，具有不同透光率的光掩模并不限定于上述 的第二半調(diào)式光掩模M2，而半透光區(qū)M26也可以配置有狹縫，以達(dá)到改變透光率 的目的。當(dāng)然，具有不同透光率的光掩模并不限定為上述兩種方式，如果有其他類 型的光掩模而能形成出第二圖案化光阻層R2者，皆可應(yīng)用于本實(shí)施例中。由于透光區(qū)M22、不透光區(qū)M24及半透光區(qū)M26分別具有不同的透光率，因此 在微影制程之后，第二圖案化光阻層R2可以分為三個(gè)不同厚度的區(qū)域。更詳細(xì)而 言，第二圖案化光阻層R2可分為光阻區(qū)域R24及光阻區(qū)域R26。其中，光阻區(qū)域 R24是呈現(xiàn)不透光區(qū)M24的圖形。光阻區(qū)域R26是呈現(xiàn)半透光區(qū)M26的圖形，且光
阻區(qū)域R26的厚度小于光阻區(qū)域R24的厚度。第二像素材料218上未覆蓋有第二圖 案化光阻層R2的區(qū)域，則是呈現(xiàn)透光區(qū)M22的圖形。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2F'，以第二圖案化光阻層R2為掩模，移除部分第二像素材 料218與第一像素材料216，而形成圖案化第二像素材料218a與透明像素電極 216a。移除部分第二像素材料218與第一像素材料216的方法例如是干式蝕刻制程。 由于在移除部分第二像素材料218與第一像素材料216的過程中，第二圖案化光阻 層R2的厚度也會(huì)同時(shí)變薄，因此光阻區(qū)域R26將被移除，而僅殘留光阻區(qū)域R24。 透明像素電極216a透過接觸窗開口 20以與漏極208c電性連接。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2G'，以殘留的第二圖案化光阻層R2為掩模，移除部分圖案 化第二像素材料218a，以形成反射像素電極218b。反射像素電極218b例如通過接 觸窗開口 20以與漏極208c電性連接，然而本發(fā)明并不以此為限。舉例而言，反射 像素電極218b也可經(jīng)由透明像素電極216a與漏極208c電性連接。此外，移除部 分圖案化第二像素材料218a的方法例如是干式蝕刻制程?；旧?，反射像素電極 218b的邊界218p應(yīng)該對(duì)齊于透明像素電極216a的邊界216p。然而，由于圖案化 第二像素材料218a的邊界218p暴露于干式蝕刻制程的環(huán)境之中，因此圖案化第二 像素材料218a的邊界218p仍然會(huì)被蝕刻而失去一部分。更詳細(xì)而言，反射像素電 極218b的邊界218p會(huì)位于透明像素電極216a的邊界216p之內(nèi)。反射像素電極 218b例如透過接觸窗開口 20以與漏極208c電性連接，然而本發(fā)明并不以此為限。 繼之，請(qǐng)參照?qǐng)D2H'，移除第二圖案化光阻層R2。移除第二圖案化光阻層R2的方 法例如是等離子灰化。以下說明利用上述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的第一實(shí)施例至第三實(shí)施例的像素 結(jié)構(gòu)。首先說明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)適用于穿透式的液晶顯示器。 請(qǐng)參照?qǐng)D2E，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包括基板200、柵極202、柵絕緣層204、通道層 206a、源極208b、漏極208c、圖案化保護(hù)層210a及透明像素電極212。柵極202 配置于基板200上，且柵絕緣層204覆蓋柵極202。通道層206a配置于柵絕緣層 204上，并位于柵極202上方。源極208b及漏極208c配置于通道層206a上，且 根據(jù)上述的制程，源極208b及漏極208c的邊界208p會(huì)位于通道層206a的邊界 206p之內(nèi)。圖案化保護(hù)層210a覆蓋源極208b、漏極208c、通道層206a以及柵絕
緣層204，且圖案化保護(hù)層210a具有接觸窗開口 20。透明像素電極212配置于圖 案化保護(hù)層210a上，并借助接觸窗開口 20以與漏極208c電性連接。接著，說明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參照?qǐng)D2F。此像素結(jié)構(gòu)適用于半穿透 半反射式的液晶顯示器。此外，以下將省略圖2F與圖2E相同的說明內(nèi)容以簡化說 明。在第二實(shí)施例中，此像素結(jié)構(gòu)還包括一反射像素電極214，配置在透明像素電 極212上。在圖2F中，反射像素電極214例如是以此領(lǐng)域的一般方法所制造，因 此沒有特殊的外形。然而在圖2H'的實(shí)施例中，如上所述，反射像素電極214是 利用第二圖案化光阻層R2來進(jìn)行圖案化而形成，因此具有特殊的外形。以下說明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。在第三實(shí)施例中，此像素結(jié)構(gòu)適用于半穿 透半反射式的液晶顯示器，請(qǐng)參照?qǐng)D2H'。此外，以下將省略圖2H'與圖2E相同 的說明內(nèi)容以簡化說明。此像素結(jié)構(gòu)配置有一層反射像素電極218b，配置于透明 像素電極216a上。由上述的制造方法可知，反射像素電極218b的邊界218p必然 會(huì)在透明像素電極216a的邊界216p之內(nèi)。此外，反射像素電極218b例如也通過 接觸窗開口 20以與漏極208c電性連接，然而本發(fā)明并不以此為限。在第一實(shí)施例及第二實(shí)施例中，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法是利用第一半 調(diào)式光掩模來同時(shí)形成通道層、源極及漏極。而且由第三實(shí)施例可知，半穿透半反 射式的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制程中，還可以應(yīng)用第二半調(diào)式光掩模來同時(shí)形成 反射像素電極與透明像素電極。此外，在半穿透半反射式的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu) 的制程中，通道層、源極及漏極可以不用本發(fā)明的方法來制造。但是仍然應(yīng)用第二 半調(diào)式光掩模來同時(shí)形成反射像素電極與透明像素電極。換言之，采用第一半調(diào)式 光掩模的制程以及采用第二半調(diào)式光掩模的制程可以并行，也可以擇一而為之。僅 采用第二半調(diào)式光掩模的制造方法特性，以及所產(chǎn)生的像素結(jié)構(gòu)特性均可以輕易由 上述各實(shí)施例內(nèi)容推論而得知，故于此不再贅述。由于本發(fā)明利用第一半調(diào)式光掩模來形成第一圖案化光阻層，并以第一圖案 化光阻層為掩模來進(jìn)行圖案化制程，以同時(shí)形成通道層、源極及漏極。因此，可以 節(jié)省一道光掩模，從而減少像素結(jié)構(gòu)的制造成本。此外，在半穿透半反射式的液晶 顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制造過程中，也可以應(yīng)用第二半調(diào)式光掩模來形成第二圖案化 光阻層。然后，以第二圖案化光阻層為掩模來進(jìn)行圖案化制程，以同時(shí)形成反射像 素電極與透明像素電極，從而節(jié)省一道光掩模，并進(jìn)一步減少像素結(jié)構(gòu)的制造成本。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許更動(dòng)與潤飾，因此本 發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，并在該基板上依序形成一柵極以及一柵絕緣層，其中該柵絕緣層覆蓋該柵極；于該基板上依序形成一半導(dǎo)體層以及一導(dǎo)體層；提供一第一半調(diào)式光掩模，并利用該第一半調(diào)式光掩模在該導(dǎo)體層上形成一第一圖案化光阻層；以該第一圖案化光阻層為掩模，移除部分該導(dǎo)體層以及該半導(dǎo)體層，以形成一源極、一漏極以及一通道層；移除該第一圖案化光阻層；于該基板上形成一圖案化保護(hù)層，且該圖案化保護(hù)層具有一接觸窗開口，暴露出部分該漏極；以及于該基板上形成一透明像素電極，且該透明像素電極經(jīng)由該接觸窗開口與該漏極電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，于形成該透明像素 電極之后，還包括形成一反射像素電極。
3. 如權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該透明像素電極以 及該反射像素電極的形成方法包括于該基板上依序形成一第一像素材料及一第二像素材料； 提供一第二半調(diào)式光掩模，并利用該第二半調(diào)式光掩模在該第二像素材料上 形成一第二圖案化光阻層；以該第二圖案化光阻層為掩模，移除部分該第二像素材料以及該第一像素材 料，以形成該反射像素電極及該透明像素電極；以及 移除該第二圖案化光阻層。
4. 一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，并在該基板上依序形成一柵極以及一柵絕緣層，其中該柵絕緣層覆蓋該柵極；于該柵極上方之該柵絕緣層上形成一通道層； 于該通道層上形成一源極及一漏極；于該基板上形成一圖案化保護(hù)層，且該圖案化保護(hù)層具有一接觸窗開口，暴 露出部分該漏極；于該基板上依序形成一第一像素材料及一第二像素材料；提供一半調(diào)式光掩模，并利用該半調(diào)式光掩模在該第二像素材料上形成一圖 案化光阻層；以該圖案化光阻層為掩模，移除部分該第二像素材料以及該第一像素材料， 以形成一反射像素電極以及一透明像素電極，其中該透明像素電極經(jīng)由該接觸窗開 口與該漏極電性連接；以及移除該圖案化光阻層。
5. —種像素結(jié)構(gòu)，包括 一基板；一柵極，配置于該基板上； 一柵絕緣層，覆蓋該柵極；一通道層，配置于該柵絕緣層上，并位于該柵極上方；一源極及一漏極，配置于該通道層上，且該源極及該漏極的邊界在該通道層 的邊界之內(nèi)；一圖案化保護(hù)層，覆蓋該源極、該漏極、該通道層以及該柵絕緣層；以及 一透明像素電極，配置于該圖案化保護(hù)層上，并與該漏極電性連接。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一反射像素電極，配置于該透明像素 電極上。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該反射像素電極的邊界在該透 明像素電極的邊界之內(nèi)。
8. —種像素結(jié)構(gòu)，包括 一基板；一柵極，配置于該基板上； 一柵絕緣層，覆蓋該柵極；一通道層，配置于該柵絕緣層上，并位于該柵極上方； 一源極及一漏極，配置于該通道層以及該柵絕緣層上； 一圖案化保護(hù)層，覆蓋該源極、該漏極、該通道層以及該柵絕緣層； 一透明像素電極，配置于該圖案化保護(hù)層上，并與該漏極電性連接，以及 一反射像素電極，配置于該透明像素電極上，且該反射像素電極的邊界在該 透明像素電極的邊界之內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，其包括提供基板，并在基板上依序形成柵極以及柵絕緣層，且柵絕緣層覆蓋柵極。于基板上依序形成半導(dǎo)體層以及導(dǎo)體層。提供半調(diào)式光掩模，并利用半調(diào)式光掩模在導(dǎo)體層上形成一層圖案化光阻層。以圖案化光阻層為掩模，移除部分導(dǎo)體層以及半導(dǎo)體層，以形成源極、漏極以及通道層。移除圖案化光阻層。于基板上形成圖案化保護(hù)層，且圖案化保護(hù)層具有接觸窗開口，暴露出部分漏極。于基板上形成透明像素電極，且透明像素電極經(jīng)由接觸窗開口與漏極電性連接。使用此制造方法可以減少微影制程的次數(shù)，從而降低制造成本。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101127322SQ20061011109
公開日2008年2月20日 申請(qǐng)日期2006年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月15日
發(fā)明者蕭富元, 陳建銘 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司