專利名稱：顯示元件的形成方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜顯示元件，特別是在形成接觸孔的步驟時(shí)，形成圖案化光致抗蝕劑層之后，直接進(jìn)行蝕刻步驟，以形成接觸孔，然后再對圖案化光致抗蝕劑層進(jìn)行熱處理，使得圖案化光致抗蝕劑層產(chǎn)生相變，而朝向接觸孔的側(cè)壁流動(dòng)，并且覆蓋在接觸孔的側(cè)壁上。
背景技術(shù)：
參考圖1，是表示現(xiàn)有技術(shù)形成顯示元件各步驟的流程圖。首先步驟100表示提供基板；步驟110表示形成第一金屬于基板上；步驟120表示形成絕緣層以覆蓋第一金屬和基板；步驟130表示形成第二金屬在絕緣層上；步驟140表示形成保護(hù)層覆蓋在第二金屬和絕緣層上；步驟150形成有機(jī)光致抗蝕劑層(organic layer)在保護(hù)層上。接著，步驟151表示對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝。接著，步驟152表示對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行固化工藝，使得有機(jī)光致抗蝕劑層產(chǎn)生交聯(lián)(cross-linking)。接著，進(jìn)行步驟160，分別于第一金屬和第二金屬上方形成第一接觸孔和第二接觸孔；步驟170，利用氧氣等離子體移除集成電路連接(IC bonding)區(qū)域的有機(jī)光致抗蝕劑層；和步驟180，沉積透明電極層于第一接觸孔和第二接觸孔的側(cè)壁上，并且與曝露出第一接觸孔的第一金屬和曝露出第二接觸孔的第二金屬連接。
參考圖2A至圖2B，是根據(jù)上述流程所述各步驟的示意圖，其中圖2A中，參考標(biāo)號(hào)200為基板、202A和202B分別為第一金屬和第二金屬、204為絕緣層、206為保護(hù)層、208為有機(jī)光致抗蝕劑層、而標(biāo)號(hào)210為表示在光刻工藝中，對有機(jī)光致抗蝕劑層208進(jìn)行曝光、顯影等步驟，至此有機(jī)光致抗蝕劑層208變成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層208a(patterned organicphotoresist layer)，接著再對圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層208a進(jìn)行漂白和固化(curing)等步驟。圖2B是利用SF6/O2氣體進(jìn)行干蝕刻步驟，依次蝕刻保護(hù)層206和絕緣層204，因此，在第一金屬202A上方形成第一接觸孔220A、并曝露出第一金屬202A的表面，在第二金屬202B上方形成第二接觸孔220B、并曝露出第二金屬202B的表面。接著，利用氧氣等離子體對面板驅(qū)動(dòng)集成電路連接區(qū)域較薄的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層208a移除，使得殘留部分的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層208a位于保護(hù)層206上，且鄰近于第一接觸孔220A和第二接觸孔220B。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，在形成顯示元件的工藝中，形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層于保護(hù)層時(shí)，先進(jìn)行干蝕刻步驟以形成至少一個(gè)接觸孔，然后再對圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行固化(curing)步驟，使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層朝向接觸孔的側(cè)壁流動(dòng)，并通過固化而覆蓋于接觸孔的側(cè)壁上。
根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明提供一種形成顯示元件的方法，包括形成第一金屬于基板上，形成絕緣層于基板上并覆蓋第一金屬，形成第二金屬于絕緣層上，形成保護(hù)層以覆蓋絕緣層和第二金屬，和形成有機(jī)光致抗蝕劑層于保護(hù)層上。接著，對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光、顯影等光刻步驟，以形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層。接著，以圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層作為掩模，執(zhí)行干蝕刻步驟，因此在第一金屬上形成第一接觸孔，并且在第二金屬上形成第二接觸孔。接下來，利用熱處理的方式處理圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層朝向第一接觸孔的側(cè)壁和第二接觸孔的側(cè)壁流動(dòng)，并且覆蓋第一接觸孔的側(cè)壁和第二接觸孔的側(cè)壁。接著，于圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層上形成透明電極層，并且因此第一接觸孔和第二接觸孔分別與第一金屬和第二金屬電連接。


圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)形成薄膜晶體的各個(gè)步驟的流程圖；圖2A至圖2B是根據(jù)圖1的流程圖所示的各步驟形成的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明所揭示的形成薄膜晶體管的各步驟的流程圖；圖4A至圖4D是根據(jù)本發(fā)明所揭示的技術(shù)，通過熱處理方式以形成保護(hù)層傾斜角度較大的接觸孔各步驟的示意圖；和圖5A至圖5E是根據(jù)本發(fā)明所揭示的另一優(yōu)選實(shí)施例，通過熱處理方式以控制接觸孔的傾斜角度的各步驟示意圖。
簡單符號(hào)說明
1-8形成薄膜晶體管的步驟流程圖10基板 12金屬14保護(hù)層141保護(hù)層側(cè)壁16圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層20接觸孔22熱處理工藝50基板52A第一金屬 52B第二金屬54絕緣層541絕緣層側(cè)壁56保護(hù)層561保護(hù)層側(cè)壁58有機(jī)光致抗蝕劑層60A第一接觸孔 60B第二接觸孔62透明電極層100-180現(xiàn)有技術(shù)形成薄膜晶體管之各步驟流程圖200基板202A第一金屬202B第二金屬204絕緣層 206保護(hù)層208有機(jī)光致抗蝕劑層 208a圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層210光刻工藝 220A第一接觸孔220B第二接觸孔具體實(shí)施方式
本發(fā)明的一些實(shí)施例將詳細(xì)描述如下。然而，除了詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以廣泛地在其它的實(shí)施例施行，且本發(fā)明的范圍不受限定，其以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
再者，為提供更清楚的描述及更易理解本發(fā)明，附圖中各部分并沒有依照其相對尺寸繪制，某些尺寸與其它相關(guān)尺度相比已經(jīng)被夸張；不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分也未完全繪出，以便清晰。
參考圖3，是表示本發(fā)明所揭示形成顯示元件的各步驟的示意圖，步驟1是提供基板；步驟2是形成第一金屬于基板上；步驟3是形成絕緣層以覆蓋第一金屬，并覆蓋于基板上；步驟4是形成第二金屬于絕緣層上；步驟5是形成保護(hù)層覆蓋于第二金屬上，并形成于絕緣層上；步驟6是將有機(jī)光致抗蝕劑層涂敷在保護(hù)層上，形成的方式可利用旋轉(zhuǎn)涂敷法(spin coating)或狹縫式涂敷(slit coating)。接著，步驟601是對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝(lithography process)，其光刻工藝包括曝光(exposure)、顯影(developing)和漂白等步驟，使得有機(jī)光致抗蝕劑層變成圖案化光致抗蝕劑層(patternedphotoresist layer)。接下來，步驟7是以圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，依次蝕刻保護(hù)層和絕緣層，以形成第一接觸孔和第二接觸孔。步驟8是對圖案化光致抗蝕劑層進(jìn)行固化，使得圖案化光致抗蝕劑層產(chǎn)生回流(reflow)，朝向接觸孔的側(cè)壁流動(dòng)，并覆蓋于接觸孔的側(cè)壁上，因此，產(chǎn)生傾斜角度較緩的接觸孔。
根據(jù)上述形成步驟，本發(fā)明揭示一種形成接觸孔的方法，如圖4A至圖4C所示，首先參考圖4A，表示在基板10上形成金屬12，其中基板10可以是透明基板(transparent substrate)，例如玻璃基板。接著，在基板10上形成保護(hù)層(passivation layer)14，并且覆蓋金屬12。接著，將圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16以涂敷的方式，形成在保護(hù)層14上，并且曝露出部分保護(hù)層14表面，在此，形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16的步驟包括沉積有機(jī)光致抗蝕劑層(未標(biāo)示)于保護(hù)層14上；對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻工藝，例如曝光、顯影和漂白等人們熟知的光刻工藝，通過該光刻工藝將有機(jī)光致抗蝕劑層形成為圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16，且其傾斜角度(taper angle)比圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層先進(jìn)行固化之后的傾斜角度陡峭。
接著參考圖4B，在對有機(jī)光致抗蝕劑層16進(jìn)行光刻工藝之后，以SF6/O2作為蝕刻氣體，且以干蝕刻的方式，移除部分的保護(hù)層14，以形成至少一個(gè)接觸孔20于金屬12上方，且曝露出部分的金屬12表面。在此，當(dāng)利用SF6/O2蝕刻氣體對保護(hù)層14進(jìn)行蝕刻時(shí)，可以通過增加SF6比例，以增加蝕刻速率；或者利用SF6/Cl2/N2氣體，以蝕刻接觸孔20內(nèi)的保護(hù)層14側(cè)壁141，使得保護(hù)層14產(chǎn)生側(cè)蝕。
接下來請參考圖4C，在干蝕刻步驟之后，由于面板穿透顯示區(qū)域經(jīng)過等離子體蝕刻的轟擊(bombardment)，使得該表面的光學(xué)特性降低，因此，利用氧氣等離子體蝕刻將該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16表層移除“W”的厚度(如圖4C中所標(biāo)示“W”的部分)，用以改善圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16的表面光學(xué)特性。接著，同樣參照圖4C，對圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16進(jìn)行熱處理工藝22，使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16產(chǎn)生回流(re-flow)，并朝向接觸孔20的側(cè)壁141流動(dòng)，且覆蓋在鄰近接觸孔20的保護(hù)層14的側(cè)壁141上，以形成完整且很平緩的有機(jī)光致抗蝕劑層側(cè)壁161，然后，再將透明電極層(圖中未示)形成在圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16上、接觸孔20內(nèi)。因此，利用有機(jī)光致抗蝕劑層16受熱產(chǎn)生回流的特性，可以將保護(hù)層14的側(cè)壁141覆蓋住，因此，接觸孔20的側(cè)壁的傾斜角度是由覆蓋在保護(hù)層14側(cè)壁141上的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層側(cè)壁161來控制。另外，因?yàn)椴恍枰瑫r(shí)控制圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16和保護(hù)層14的傾斜角度，因此，在對保護(hù)層14進(jìn)行干蝕刻步驟時(shí)，SF6/O2蝕刻氣體中，可以控制氧氣的比例，而增加蝕刻速率。另外，當(dāng)圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16經(jīng)過SF6/O2氣體蝕刻之后，再進(jìn)行熱處理步驟，可以改善圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層16的表面粗糙度，改善光學(xué)特性。
另外，本發(fā)明還揭示一種形成顯示元件的方法，如圖5A至圖5E所示。首先請參考圖5A，在基板50的上方形成第一金屬52A，并且形成絕緣層54覆蓋于第一金屬52A和基板50上。接著，形成第二金屬52B于絕緣層54上，并且形成保護(hù)層56覆蓋于第二金屬52B絕緣層54上。接著，將有機(jī)光致抗蝕劑層58以涂敷的方式形成于保護(hù)層56的上方，形成的方式可利用旋轉(zhuǎn)涂敷法(spin coating)或狹縫式涂敷(slit coating)。接著，對有機(jī)光致抗蝕劑層58進(jìn)行光刻工藝(其工藝與前一個(gè)實(shí)施例所述相同，故在此不再贅述)，以形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58，且曝露出部分的保護(hù)層56表面，同樣地，通過該光刻工藝所形成的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58的傾斜角度(taperangle)，因?yàn)樯形催M(jìn)行固化步驟，比圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58先進(jìn)行固化步驟所產(chǎn)生的傾斜角度陡峭。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，該基板50為透明基板。
同樣地，參考圖5B，在圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58進(jìn)行光刻工藝之后，以SF6/O2作為蝕刻氣體，且以干蝕刻的方式，依次蝕刻位于第一金屬52A上方的保護(hù)層56和絕緣層54，以形成第一接觸孔60A，且曝露出第一金屬52A的表面，并且利用SF6/O2蝕刻氣體對絕緣層54進(jìn)行蝕刻時(shí)，通過增加SF6比例，以增加蝕刻速率；或者是利用SF6/Cl2/N2氣體，以蝕刻鄰近于第一接觸孔60A內(nèi)的絕緣層側(cè)壁541；同時(shí)，也蝕刻位于第二金屬52B上方的保護(hù)層56，以形成第二接觸孔60B，且曝露出第二金屬52B表面，因此也在此蝕刻步驟中，蝕刻鄰近于第二接觸孔60B的保護(hù)層56的側(cè)壁561。因此，鄰近于第一接觸孔60A的保護(hù)層56和絕緣層54具有不同的傾斜角度α1和α2，而在鄰近第二接觸孔60B的保護(hù)層56也可具有一傾斜角度α1，其中該第一接觸孔60A或該第二接觸孔60B的寬度約大于6微米。
接著，請參考圖5C，同樣地，在執(zhí)行干蝕刻步驟之后，由于經(jīng)過等離子體蝕刻的轟擊(bombardment)，使得該表面的光學(xué)特性降低，因此，利用氧氣等離子體蝕刻將該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58的表層移除部分的厚度，用以改善圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58的表面光學(xué)特性，使得在圖5B中，位于保護(hù)層56上方的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58的厚度變薄。接下來，對圖5C的結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理工藝，使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58產(chǎn)生交聯(lián)(crosslinking)和回流，使得位于保護(hù)層56上方的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58分別朝向第一接觸孔60A和第二接觸孔60B內(nèi)流動(dòng)，并且覆蓋在第一接觸孔60A內(nèi)的保護(hù)層56和絕緣層54的側(cè)壁541上，以及覆蓋在第二接觸孔40B內(nèi)的保護(hù)層56的側(cè)壁561上，因此，可以形成較平緩的側(cè)壁。此時(shí)，第一接觸孔60A和第二接觸孔60B的側(cè)壁的傾斜角度由第一接觸孔60A和第二接觸孔60B內(nèi)的有機(jī)光致抗蝕劑層58的側(cè)壁的傾斜角度決定。
在此要說明的是，上述的熱處理工藝可以利用烤箱(oven)烘烤，即以熱風(fēng)式工藝的方式將熱導(dǎo)向位于保護(hù)層56上方的圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58，因此使圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58受熱產(chǎn)生回流，而朝向第一接觸孔60A和第二接觸孔60B流動(dòng)。另外，熱處理工藝還可以利用加熱板(hot plate)方式進(jìn)行。主要是將加熱板置放在如圖5C結(jié)構(gòu)的下方，通過加熱的方式，將熱從下往上傳導(dǎo)至圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58，然后圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58受熱之后，同樣產(chǎn)生回流，然后朝向第一接觸孔60A和第二接觸孔60B的方向流動(dòng)。另外，熱處理工藝也可以利用紅外線加熱工藝進(jìn)行，此種方式是將圖5C結(jié)構(gòu)置于紅外線加熱裝置內(nèi)，通過紅外線加熱裝置所產(chǎn)生的熱，以幅射傳導(dǎo)的方式導(dǎo)入圖5C的結(jié)構(gòu)內(nèi)，因此使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58受熱產(chǎn)生回流，而朝向第一接觸孔60A和第二接觸孔60B內(nèi)流動(dòng)，此種以紅外線加熱裝置的方式進(jìn)行熱處理的優(yōu)點(diǎn)在于，可以使得圖5D的結(jié)構(gòu)平均受熱，而且可以產(chǎn)生更平緩的側(cè)壁形成于第一接觸孔60A和第二接觸孔60B的側(cè)壁541和561上，其中該第一接觸孔或該第二接觸孔的寬度約大于6微米。
然后，參考圖5E，再將透明電極層62形成在圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層58上、第一接觸孔60A和第二接觸孔60B內(nèi)，并且分別與曝露出第一接觸孔60A的第一金屬52A和曝露出第二接觸孔60B的第二金屬52B電連接，透明電極層62可為銦錫氧化層(ITO)、銦鋅氧化物層(IZO)或鋅鋁氧化物層(AZO)。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修改，均應(yīng)包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成顯示元件的方法，包括提供基板；形成第一金屬于該基板上方；形成絕緣層于該基板上，并覆蓋該第一金屬；形成第二金屬于該絕緣層上；形成保護(hù)層，覆蓋于該絕緣層和該第二金屬上；形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，以覆蓋該保護(hù)層；以該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層作為掩模，執(zhí)行蝕刻步驟，以形成第一接觸孔位于該第一金屬上方，和第二接觸孔位于該第二金屬上方；熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，使該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層朝向該第一接觸孔的一個(gè)側(cè)壁，和該第二接觸孔的一個(gè)側(cè)壁流動(dòng)，并覆蓋和固化該第一接觸孔的該側(cè)壁和該第二接觸孔的該側(cè)壁；并且形成電極層位于該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層上，通過該第一接觸孔和該第二接觸孔分別與該第一金屬和該第二金屬連接。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括固化該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂敷法或狹縫式涂敷。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括移除該第一金屬上方的部分該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用熱風(fēng)式工藝進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用加熱板工藝進(jìn)行。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用紅外線加熱裝置進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該電極層的材料包括銦錫氧化物。
9.一種形成顯示元件的方法，包括提供透明基板；形成第一金屬于該透明基板上；形成絕緣層于該第一金屬和該透明基板上；形成第二金屬于該絕緣層上；形成保護(hù)層覆蓋于該第一金屬上方的該絕緣層上，并且覆蓋于該第二金屬上；形成圖案化光致抗蝕劑層于該保護(hù)層上方；于該圖案化光致抗蝕劑層上執(zhí)行第一次蝕刻步驟，以移除位于該第一金屬上的部分該保護(hù)層以曝露出該絕緣層，并且曝露位于該第二金屬上方的該保護(hù)層；以該圖案化光致抗蝕劑層作為掩模，執(zhí)行第二蝕刻步驟以移除位于該第一金屬上方的該絕緣層并且蝕刻部分該保護(hù)層的一個(gè)側(cè)壁，以曝露出該第一金屬的一個(gè)上表面，以形成第一接觸孔位于該第一金屬上方，并且移除位于該第二金屬上方的該保護(hù)層，以曝露出該第二金屬層之上表面，及蝕刻部分該保護(hù)層的一個(gè)側(cè)壁，以形成第二接觸孔位于該第二金屬上方；移除部分該圖案化光致抗蝕劑層；熱處理該圖案化光致抗蝕劑層，使該圖案化光致抗蝕劑層朝向該第一接觸孔的側(cè)壁和該第二接觸孔的一個(gè)側(cè)壁流動(dòng)，并覆蓋該第一接觸孔和該第二接觸孔的該側(cè)壁上；并且形成電極層覆蓋于該圖案化光致抗蝕劑層之上，通過該第一接觸孔和該第二接觸孔分別與該第一金屬和該第二金屬連接。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一蝕刻步驟和該第二蝕刻步驟的至少一個(gè)是利用SF6/O2蝕刻氣體。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用熱風(fēng)式工藝進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用加熱板工藝進(jìn)行。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層的步驟是利用紅外線加熱裝置進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一接觸孔的寬度約大于6微米。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第二接觸孔的寬度約大于6微米。
16.一種顯示元件，包括透明基板；第一金屬，位于該透明基板上方；絕緣層，位于該第一金屬以及該透明基板上；第二金屬，位于該絕緣層上；保護(hù)層，位于該絕緣層和該第二金屬上；和圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，位于該保護(hù)層上；其中該第一接觸孔穿透該圖案化光致抗蝕劑層、該保護(hù)層和該絕緣層，以曝露出該第一金屬，并使得該保護(hù)層和該絕緣層各具有至少一個(gè)側(cè)壁，該第二金屬上具有第二接觸孔穿透該圖案化光致抗蝕劑層和該保護(hù)層，以曝露出該第二金屬并使得該保護(hù)層具有另一側(cè)壁，且部分該圖案化光致抗蝕劑層覆蓋于該保護(hù)層的該側(cè)壁。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示元件，還包括電極層位于該保護(hù)層上，通過該第一接觸孔和該第二接觸孔分別與該第一金屬和該第二金屬電連接。
18.如權(quán)利要求16所述的顯示元件，其中該第一接觸孔的寬度約大于6微米。
19.如權(quán)利要求16所述的顯示元件，其中該第二接觸孔的寬度約大于6微米。
20.一種形成顯示元件的方法，包括提供基板；形成金屬于該基板上；形成保護(hù)層于該基板并覆蓋該金屬上；形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層于該保護(hù)層上；以該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層作為掩模，執(zhí)行蝕刻步驟以形成接觸孔于該金屬上方；熱處理該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，使該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層朝向該接觸孔的一個(gè)側(cè)壁流動(dòng)，并覆蓋該接觸孔的該側(cè)壁；并且形成電極層于該圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層上，通過該接觸孔與該金屬連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成顯示元件的方法，包括于基板上形成第一金屬、絕緣層、第二金屬、保護(hù)層，并且形成有機(jī)光致抗蝕劑層于保護(hù)層上。接著，對有機(jī)光致抗蝕劑層進(jìn)行光刻步驟，以形成圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層。接著，以圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層作為掩模，執(zhí)行干蝕刻步驟，使得在第一金屬上形成第一接觸孔和在第二金屬上形成第二接觸孔，并分別曝露出第一金屬和第二金屬。接下來，采用熱處理的方式，處理圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層，使得圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層產(chǎn)生相變，并朝向第一接觸孔的側(cè)壁和第二接觸孔的側(cè)壁流動(dòng)，且覆蓋在第一接觸孔和第二接觸孔的側(cè)壁上。通過圖案化有機(jī)光致抗蝕劑層覆蓋接觸孔的側(cè)壁，以控制接觸孔側(cè)壁的傾斜角度。
文檔編號(hào)G03F7/00GK1888983SQ20061010800
公開日2007年1月3日 申請日期2006年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月21日
發(fā)明者李劉中, 潘信樺, 黃國有 申請人:友達(dá)光電股份有限公司