專利名稱：涂布方法和涂布裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在被處理基板上涂布液體的技術(shù)，特別涉及一種以無旋轉(zhuǎn)方式在基板上形成涂布膜的涂布方法和涂布裝置。
背景技術(shù)：
最近，在平板顯示器(FPD)制造過程的照相平版印刷(photolithography)工序中，作為有利于被處理基板(如玻璃基板)大型化的抗蝕劑(resist)涂布法，普及有使長型抗蝕劑噴嘴一邊從其狹縫狀噴出口呈帶狀噴出抗蝕劑液，一邊對于基板作相對移動或掃描，不需要旋轉(zhuǎn)運動，在基板上涂布抗蝕劑液形成所期望的膜厚的無旋轉(zhuǎn)方式(例如參照專利文獻1)。
即使在采用無旋轉(zhuǎn)方式(又稱狹縫式)的抗蝕劑工藝中，也進行清洗處理和粘附處理作為前處理，在清洗處理中，基板表面的粒子、有機物等污染物被除去。在粘附處理中，為了提高基板與抗蝕劑膜的密合性，在基板上涂布蒸氣狀的HMDS。另外，抗蝕劑涂布處理是對粘附處理后的無圖案的基板進行的。
日本專利特開平10-156255但是，現(xiàn)有的無旋轉(zhuǎn)方式，對于形成在基板上的抗蝕劑涂布膜的膜厚控制方面，留有改善的余地，特別是提高面內(nèi)均勻性成為課題。具體的，存在涂布開始部的涂布膜的膜厚凹陷，另一方面涂布中間部的涂布膜的膜厚在左右兩端部不能控制，涂布終端部的涂布膜容易顯著隆起的問題。
具體的，根據(jù)現(xiàn)有的無旋轉(zhuǎn)方式，如圖22所示的平面視圖案，在基板G上形成抗蝕劑液的涂布膜200。這里，在涂布開始部A，如圖23(A)所示，縮小長型抗蝕劑噴嘴202與基板G的間隙DA，進行抗蝕劑液的前置噴出或著液，但是從抗蝕劑噴嘴202的狹縫狀噴出口202a噴出的抗蝕劑液，在基板G上容易向外側(cè)(特別是噴嘴長度方向外側(cè))過度擴展。結(jié)果，如圖24所示，在涂布開始部A(特別是其左右隅角部)，抗蝕劑涂布膜200的膜厚向外側(cè)下垂而凹陷。
涂布掃描中，如圖23(B)所示，使抗蝕劑噴嘴202與基板G的間隙DB比涂布開始時變大，在其背面下端部形成彎液面，同時在基板G上方移動，因為剛噴到基板G上的抗蝕劑液被噴嘴202拖曳，如圖25所示，抗蝕劑液容易在涂布中間部B的左右兩端部向內(nèi)側(cè)聚集而形成隆起204。掃描速度越快，或者間隙DB越大，該隆起204就有如虛線204′所示變大的傾向。
而且，抗蝕劑噴嘴202結(jié)束噴出抗蝕劑液時，由于向上方移動、退避，從其狹縫狀噴出口202a的兩端開始抗蝕劑液的液切割，所以在涂布終端部C(特別是其左右隅角部)抗蝕劑液向內(nèi)側(cè)的聚集更加嚴重，更容易形成大的隆起。
關(guān)于上述的抗蝕劑涂布膜的膜厚變化或不均勻性，與抗蝕劑工藝的狀況、條件相對應，使抗蝕劑噴嘴202的噴出構(gòu)造更加合適，可以降低到某種程度?？墒牵@種方法沒有普遍性，每次變化狀況(如膜厚)、條件(如抗蝕劑的種類)，都必須更換抗蝕劑噴嘴的硬件，在成本、使用等方面存在很大實用性上的不足。
并且，現(xiàn)有的無旋轉(zhuǎn)方式，如圖26所示，在涂布開始位置A前置噴出時，抗蝕劑噴嘴202與基板G間的間隙無法完全被抗蝕劑液填滿，經(jīng)常產(chǎn)生間隙(著液不良處)206。在存在該著液不良處206的某種狀態(tài)下開始涂布掃描，如圖27所示，在抗蝕劑噴嘴202背面下部形成的彎液面的頂部線(濕線wet line)在著液不良處206凹陷，容易在與其位置對應的抗蝕劑涂布膜200的位置上產(chǎn)生沿掃描方向的條狀涂布不勻208。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于現(xiàn)有技術(shù)的問題點，其目的提供一種使涂布膜的膜厚控制、特別是周緣部的膜厚均勻化容易進行的無旋轉(zhuǎn)方式的涂布方法和涂布裝置。
本發(fā)明的另一目的是提供在涂布開始位置，在噴嘴和被處理基板間的間隙中，確實無空隙地填滿處理液，防止涂布不勻的無旋轉(zhuǎn)方式的涂布方法和涂布裝置。
為了達成上述目的，本發(fā)明的涂布方法包括在設定在被處理基板上的涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部，涂布處理液形成線狀涂布膜的線狀涂布工序；和在上述基板上的上述涂布區(qū)域，涂布處理液形成面狀涂布膜的面狀涂布工序。
本發(fā)明的涂布裝置具有在設定在被處理基板上的涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部，涂布處理液形成線狀涂布膜的線狀涂布處理部；和在上述基板上的上述涂布區(qū)域，涂布處理液形成面狀涂布膜的面狀涂布處理部。
根據(jù)本發(fā)明，在基板上的涂布區(qū)域一面上涂布處理液的面狀涂布工序進行之前，由線狀涂布工序，在該涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部涂布處理液，形成線狀涂布膜。在面狀涂布工序中，在基板上呈面狀涂布的處理液在涂布區(qū)域周緣部與線狀涂布膜接觸乃至一體化，受到與線狀涂布膜的輪廓(profile)相對應的膜厚的控制。
本發(fā)明中，根據(jù)適當?shù)囊粋€實施方式，選定線狀涂布膜的輪廓，使得在面狀涂布工序中涂布在基板上的處理液的擴展被線狀涂布膜阻止。根據(jù)適當?shù)牧硪粋€實施方式，選定線狀涂布膜的輪廓，使得在面狀涂布工序中涂布在基板上的處理液由于與線狀涂布膜的粘附引力，向涂布區(qū)域的周邊側(cè)擴展。本發(fā)明的涂布方法優(yōu)選在面狀涂布工序之前對線狀涂布膜進行加熱，使其干燥。所以，本發(fā)明的涂布裝置中，優(yōu)選設置面狀涂布工序之前對線狀涂布膜進行加熱使其干燥的干燥設備。
另外，根據(jù)適當?shù)囊粋€實施方式，線狀涂布處理部具有向大致水平狀態(tài)的基板，從上方噴出線狀處理液的第一噴嘴；和第一噴嘴對于基板作相對移動，使得從該第一噴嘴噴到基板上的處理液形成線狀涂布膜的第一涂布掃描部。該第一噴嘴，可以適當選用由響應電驅(qū)動信號對噴嘴內(nèi)的處理液進行加壓，以液滴形式進行噴射的噴墨式的噴嘴。
根據(jù)適當?shù)囊粋€實施方式，面狀涂布處理部具有向大致水平狀態(tài)的基板，從上方噴出帶狀處理液的第二噴嘴；和第二噴嘴對于基板作相對移動，使得從該第二噴嘴噴到基板上的處理液向涂布區(qū)域的一面進行涂布的第二涂布掃描部。該第二噴嘴適當使用具有長度為在一方向上覆蓋涂布區(qū)域的一端到另一端的狹縫狀噴出口的長型噴嘴。面狀涂布工序中，可以使該長型噴嘴與基板平行并且在與噴嘴長度方向大致垂直的方向上作相對移動。
根據(jù)適當?shù)囊粋€實施方式，選定線狀涂布膜的輪廓，使得在面狀涂布工序開始時利用上述第二噴嘴涂布在基板上的處理液與線狀涂布膜粘附，填滿間隙。
在本發(fā)明中，線狀涂布處理和面狀涂布處理可以在不同的基板支撐部(變化位置)進行，也可以在相同的支撐部(相同位置)進行。
本發(fā)明其他觀點的涂布方法是指使被處理基板與長型噴嘴的噴出口，隔著微小間隙大致水平地對向，進行一邊從上述噴嘴向上述基板噴出處理液，一邊使上述噴嘴在相對水平方向上移動的涂布掃描，在上述基板上形成上述處理液的面狀涂布膜的涂布方法，在上述基板上的上述涂布掃描終止的位置附近，在進行上述涂布掃描之前使由上述處理液形成的先實施涂布膜成為所期望的圖案，由上述涂布掃描形成在上述基板上的面狀涂布膜的終端與上述先實施涂布膜相接合，上述先實施涂布膜成為上述面狀涂布膜的擴張部分。
另外，本發(fā)明的另一觀點的涂布裝置具有使被處理基板與長型噴嘴的噴出口，隔著微小間隙大致水平地對向，進行一邊從上述噴嘴向上述基板噴出處理液，一邊使上述噴嘴在相對水平方向上移動的涂布掃描，在上述基板上形成上述處理液的面狀涂布膜的面狀涂布處理部；和在上述基板上的上述涂布掃描結(jié)束位置附近上，在進行上述面狀涂布處理部的上述涂布掃描之前，使由上述處理液形成的先實施涂布膜成為所期望的圖案的先實施涂布膜形成部，由上述面狀涂布處理部的涂布掃描形成在上述基板上的面狀涂布膜的終端與上述先實施涂布膜相接合，上述先實施涂布膜成為上述面狀涂布膜的擴張部分。
在本發(fā)明優(yōu)選的一方式中，基板為矩形，先實施涂布膜形成在基板上涂布掃描結(jié)束側(cè)的隅角部。
根據(jù)上述方式，面狀涂布處理時涂布掃描結(jié)束位置附近，面狀涂布膜與先實施涂布膜相接合(一體化)，先實施涂布膜成為面狀涂布膜的擴張部分，因此，涂布終端部的面狀涂布膜的輪廓可以任意調(diào)整。
根據(jù)本發(fā)明的涂布方法或涂布裝置，利用上述構(gòu)成和作用，無旋轉(zhuǎn)方式的涂布處理中，可以使涂布膜的膜厚控制、特別是周緣部的膜厚均勻化容易進行。并且，在涂布開始位置，在噴嘴與被處理基板間的間隙中，確實無空隙地填滿處理液，能夠防止涂布不勻。


圖1為本發(fā)明可適用的涂布顯影處理系統(tǒng)構(gòu)成的平面圖。
圖2為表示實施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)的處理順序的流程圖。
圖3為表示實施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)中的線狀涂布單元內(nèi)主要部分構(gòu)成的斜視圖。
圖4為模式地表示實施方式中在基板上形成的線狀抗蝕劑涂布膜的平面視圖案的平面圖。
圖5為模式地表示實施方式中在基板上形成的線狀抗蝕劑涂布膜的涂布位置和截面形狀的截面圖。
圖6為表示實施方式的涂布顯影處理系統(tǒng)中的面狀涂布單元內(nèi)主要部分構(gòu)成的斜視圖。
圖7為表示實施方式的面狀涂布單元內(nèi)的作用的斜視圖。
圖8為模式地表示實施方式中在基板上形成的面狀抗蝕劑涂布膜的平面視圖案的平面圖。
圖9為模式地表示實施方式中線狀抗蝕劑涂布膜的一種作用的部分截面圖。
圖10為模式地表示實施方式中線狀抗蝕劑涂布膜的一種作用的部分截面圖。
圖11為模式地表示實施方式中線狀抗蝕劑涂布膜的一種作用的部分截面圖。
圖12為模式地表示實施方式中線狀抗蝕劑涂布膜的一種作用的部分截面圖。
圖13為模式地表示實施方式中線狀抗蝕劑涂布膜的一種作用的部分截面圖。
圖14為表示實施方式中在面狀涂布處理裝置上組合線狀涂布處理裝置的一種變形例構(gòu)成的斜視圖。
圖15為模式地表示圖14構(gòu)成例的涂布處理作用的平面圖。
圖16為表示在圖14構(gòu)成例中組合加熱干燥裝置的構(gòu)成例的略側(cè)面圖。
圖17為表示實施方式的先實施抗蝕劑涂布膜圖案的一例子的平面圖。
圖18為表示實施方式的先實施涂布膜的作用的平面圖。
圖19為表示實施方式的先實施涂布膜的其他圖案例的平面圖。
圖20為表示實施方式的先實施涂布膜的其他圖案例的平面圖。
圖21為表示實施方式的先實施涂布膜的其他圖案例的平面圖。
圖22為模式地表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的無旋轉(zhuǎn)涂布處理在基板上得到的抗蝕劑涂布膜平面視圖案的平面圖。
圖23為模式地表示現(xiàn)有技術(shù)的無旋轉(zhuǎn)涂布處理作用的正面圖。
圖24為模式地表示現(xiàn)有技術(shù)問題點的部分截面圖。
圖25為模式地表示現(xiàn)有技術(shù)問題點的部分截面圖。
圖26為模式地表示現(xiàn)有技術(shù)問題點的正面圖。
圖27為模式地表示現(xiàn)有技術(shù)問題點的斜視圖。
符號說明40 面狀涂布單元(ACT)44 線狀涂布單元(LCT)62 載物臺64 噴墨式抗蝕劑噴嘴(噴墨式噴嘴)68 Y導軌70 X導軌72 Y方向驅(qū)動部74 臺架76 線狀抗蝕劑涂布膜80 載物臺82 長型抗蝕劑噴嘴(長噴嘴)84 涂布處理部86 抗蝕劑液供給機構(gòu)88 噴嘴移動機構(gòu)
100 面狀抗蝕劑涂布膜102 暖風機110 先實施抗蝕劑涂布膜112 面狀抗蝕劑涂布膜114 合成抗蝕劑涂布膜G 玻璃基板(被處理基板)RE 涂布區(qū)域具體實施方式
下面，參照圖1～圖21，說明本發(fā)明優(yōu)選實施方式。
圖1中，作為本發(fā)明的涂布方法和涂布裝置可適用的構(gòu)成例，表示涂布顯影處理系統(tǒng)。該涂布顯影處理系統(tǒng)設置在凈化室內(nèi)，例如將LCD用玻璃基板作為被處理基板，在LCD制造過程中，進行照相平版印刷工序中的清洗、抗蝕劑涂布、預烘焙、顯影以及后烘焙各處理。曝光處理在與該系統(tǒng)相鄰設置的外部曝光裝置(圖中未表示)中進行。
該涂布顯影處理系統(tǒng)，大體上由向盒裝卸臺(cassette station)(C/S)10、過程臺(process station)(P/S)12和連接(interface)部(I/F)14構(gòu)成。
在系統(tǒng)的一端部設置的向盒裝卸臺(C/S)10具有可以載置規(guī)定數(shù)例如至多4個的可容納多個基板G的盒子C的盒式載物臺16；在該盒式載物臺16上的側(cè)方、與盒子C的排列方向平行設置的搬送路徑17；和在該搬送路17上自由移動，對于載物臺16上的盒子C、進行基板G的送入送出的搬送機構(gòu)20。該搬運機構(gòu)20具有保持基板G的設備如搬送臂，可以在X、Y、Z、θ的4個軸上運動，與后述過程臺(P/S)12側(cè)的搬送裝置38進行基板G的交換。
過程臺(P/S)12，從上述向盒裝卸臺(C/S)10側(cè)，順次將清洗過程部22、涂布過程部24、顯影過程部26，隔著(夾持)基板中繼部23、藥液供給單元25以及空隙27排列為橫向一列。
清洗過程部22具有2個洗擦(scrub)清洗單元(SCR)28、上下2段紫外線照射/冷卻單元(UV/COL)30、加熱單元(HP)32以及冷卻單元(COL)34。
涂布過程部24具有無旋轉(zhuǎn)方式的面狀涂布單元(ACT)40、減壓干燥單元(VD)42、線狀涂布單元(LCT)44、上下2段型粘附/冷卻單元(AD/COL)46、上下2段型加熱/冷卻單元(HP/COL)48以及加熱單元(HP)50。
顯影過程部26具有3個顯影單元(DEV)52、2個上下2段型加熱/冷卻單元(HP/COL)53以及加熱單元(HP)55。
在各過程部22、24、26的中央部沿長度方向設置有搬送路徑36、47、58，搬送裝置38、54、60分別沿著搬送路徑36、47、58移動，存取(access)到各過程部內(nèi)的各單元，進行基板G的搬入/搬出或搬送。而且，在該系統(tǒng)中，對各過程部22、24、26，搬送路徑36、47、58的一側(cè)配置有液體處理系統(tǒng)單元(SCR、CT、DEV等)，另一側(cè)配置有熱處理系統(tǒng)單元(HP、COL等)。
設置在系統(tǒng)另一端部的連接部(I/F)14，在與過程臺12相鄰的一側(cè)設置有延長部(extension)(基板交換部)56和緩沖級(buffer stage)57，在與曝光裝置相鄰側(cè)設置有搬送機構(gòu)59。該搬送機構(gòu)59在沿Y方向的搬送路徑19上自由移動，除了相對于緩沖級57進行基板G的搬入搬出以外，也與延長部(基板交換部)56和相鄰的曝光裝置進行基板G的交換。
圖2表示該涂布顯影處理系統(tǒng)的處理順序。首先在向盒裝卸臺(C/S)10中，搬送機構(gòu)20從盒式載物臺16上規(guī)定的盒子C中取出1個基板G，運送到過程臺(P/S)12的清洗過程部22的搬送裝置38中(步驟S1)。
在清洗過程部22中，基板G首先被順次搬入紫外線照射/冷卻單元(UV/COL)30中，在最初的紫外線照射單元(UV)中，實施由紫外線照射進行的干式清洗，在以下的冷卻單元(COL)中冷卻到規(guī)定溫度(步驟S2)。通過該紫外線清洗主要除去基板表面的有機物。
接著，基板G在一個洗擦(scrub)清洗單元(SCR)28中進行洗擦清洗處理，粒子狀污染物從基板表面被除去(步驟S3)。洗擦清洗之后，基板G在加熱單元(HP)32中加熱，進行脫水烘焙處理(步驟S4)，下一步在冷卻單元(COL)34中冷卻到一定的基板溫度(步驟S5)。至此，清洗過程部22的前處理結(jié)束，基板G由搬送裝置38，通過基板交換部23搬送至涂布過程部24。
在涂布過程部24中，基板G首先被搬入線狀涂布單元(LCT)44中，在那里如后述在基板G上設定的涂布區(qū)域外周或周緣部線狀涂布抗蝕劑液(步驟S6)。這樣基板G上形成的線狀抗蝕劑涂布膜，緊接著在加熱單元(HP)50中，由加熱處理進行干燥(步驟S7)。然后，基板G順次被搬入粘附/冷卻單元(AD/COL)46中，在最初的粘附單元(AD)進行疏水化處理(HMDS)(步驟S8)，在以下的冷卻單元(COL)，冷卻到一定的基板溫度(步驟S9)。在加熱干燥工序(HP)與疏水化工序(HMDS)之間也可以進行冷卻處理(COL)。
接下來，基板G在面狀涂布單元(ACT)40中利用無旋轉(zhuǎn)法，在涂布區(qū)域一面上涂布抗蝕劑液，然后在減壓干燥單元(VD)42中利用減壓進行干燥處理(步驟S10)。
下面，基板G被順次搬入加熱/冷卻單元(HP/COL)48中，在最初的加熱單元(HP)中進行涂布后的熱烘(預烘焙)(步驟S11)，在以下的冷卻單元(COL)中被冷卻至一定的基板溫度(步驟S12)。在涂布后的熱烘中也可以使用加熱單元(HP)50。
上述涂布處理之后，基板G通過涂布過程部24的搬送裝置54和顯影過程部26的搬送裝置60被搬送到連接部(I/F)14，從那里被搬運到曝光裝置中(步驟S13)。在曝光裝置中基板G上的抗蝕劑被曝光成規(guī)定的回路圖案。然后，圖案曝光結(jié)束后的基板G從曝光裝置返回到連接部(I/F)14中。連接部(I/F)14的搬送機構(gòu)59通過延長部56將從曝光裝置取回的基板G搬運到過程臺(P/S)12的顯影過程部26(步驟S13)。
在顯影過程部26中，基板G在顯影單元(DEV)52的任一個中接受顯影處理(步驟S14)，接著被順次搬入加熱/冷卻單元(HP/COL)53的一個中，在最初的加熱單元(HP)中進行后熱烘(步驟S15)，然后在冷卻單元(COL)中被冷卻到一定的基板溫度(步驟S16)。在該后熱烘中也可以使用加熱單元(HP)55。
在顯影過程部26中進行一系列處理后的基板G由過程臺(P/S)12的搬送裝置60、54、38返回到向盒裝卸臺(C/S)10，在那里由搬送機構(gòu)20被容納到任一個盒子C中(步驟S1)。
在該涂布顯影處理系統(tǒng)中，涂布過程部24，特別是線狀涂布單元(LCT)44和面狀涂布單元(ACT)40適用本發(fā)明。下面，利用圖3～圖14，對本發(fā)明一個實施方式的線狀涂布單元(LCT)44和面狀涂布單元(ACT)40的構(gòu)成和作用進行詳細說明。
圖3表示該實施方式的線狀涂布單元(LCT)44內(nèi)的主要部分構(gòu)成。該線狀涂布單元(LCT)44具有為保持基板G水平載置的載物臺62；將相對該載物臺62上的基板G呈點狀或線狀噴出抗蝕劑液的噴墨式的抗蝕劑噴嘴(以下簡稱“噴墨式噴嘴”)64，沿XY方向移動的噴嘴掃描機構(gòu)66；和控制各部分的控制器(圖中未表示)。
在噴嘴掃描機構(gòu)66中，沿Y方向的一對Y導軌68、68配置在載物臺62的左右兩側(cè)，橫截載物臺62上方，沿X方向的一根X導軌70，在例如配有電動機的Y方向驅(qū)動部72的作用下，可以在Y導軌68、68上，沿Y方向移動。并且，在X導軌70上沿X方向安裝例如自行式或外部驅(qū)動式的可移動臺架(carriage)(搬送體)74，該臺架74上安裝噴墨式噴嘴64。因為由Y方向驅(qū)動部72可以在Y方向移動，由臺架74可以在X方向移動，將兩者組合，能使噴墨式噴嘴64在載物臺62上方的XY面上的任意2點間或沿任意直線或曲線軌跡移動。
噴墨式噴嘴64構(gòu)成為在其噴出口內(nèi)部，作為噴射裝置，例如內(nèi)置有壓電元件，由于上述控制器傳輸?shù)碾婒?qū)動信號，使該壓電元件收縮動作，由該收縮壓力對噴嘴內(nèi)的抗蝕劑液進行加壓，從噴出口噴出液滴。另外，抗蝕劑液供給部(圖中未表示)作為容器直接或通過配管(圖中未表示)與抗蝕劑噴嘴64相連接。
該線狀涂布單元(LCT)44，由于上述構(gòu)造，能在基板G上預先設定的涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部上，涂布處理液形成線狀的抗蝕劑涂布膜。例如，如圖4所示，使噴墨式噴嘴64通過噴嘴掃描機構(gòu)66，在基板G的4邊，以(1)→(2)→(3)→(4)的軌跡移動，由于從噴墨式噴嘴64將所需量的抗蝕劑液滴到該軌跡上的各點，在涂布區(qū)域RE周緣部上能夠形成長方形的線狀抗蝕劑涂布膜76。這里的涂布區(qū)域RE是指在后述的面狀涂布單元(ACT)40中抗蝕劑液以無旋轉(zhuǎn)法被面狀涂布的基板G上的區(qū)域。通常，涂布區(qū)域RE的外緣位置設定在距基板G的端部幾分(如10mm)內(nèi)側(cè)。
線狀抗蝕劑涂布膜76的平面視圖案的形狀以與基板G符合的形狀(四角形)為標準，但是也可以選擇與后工序的面狀抗蝕劑涂布(ACT)要求狀態(tài)、處理條件相適應的任意變化。例如，為了更有效的減少如圖22～圖27所示的現(xiàn)有技術(shù)的抗蝕劑涂布膜200的邊緣部的膜厚變化或不均勻性，在后續(xù)工序的面狀抗蝕劑涂布(ACT)中成為涂布開始位置A的X方向的基板一端部側(cè)，使線狀抗蝕劑涂布膜76的角部76A如圖8的圓內(nèi)部分放大圖LA所示為圓形，向內(nèi)側(cè)聚集的圖案，或在成為涂布終止位置C的X方向的基板另一端部側(cè)，使線狀抗蝕劑涂布膜76的角部76C如圖8的圓內(nèi)部分放大圖LC所示削尖為銳角，向外側(cè)擴展的圖案等都是適宜的。
另外，如圖5所示，線狀抗蝕劑涂布膜76的截面形狀、尺寸(特別是厚度W和高度H等)也可以在一定范圍內(nèi)任意選擇。圖中的虛線J表示基板G上的制品區(qū)域和非制品區(qū)域的界限。通常因為涂布區(qū)域RE的外周位置設定在界限J的外側(cè)，所以線狀抗蝕劑涂布膜76也可以形成在界限J的外側(cè)。
如上所述，在線狀涂布單元(LCT)44中，形成在基板G上的線狀抗蝕劑涂布膜76，緊接著在加熱單元(HP)50中進行加熱處理，使其干燥(步驟S7)。此加熱干燥是為了使線狀抗蝕劑涂布膜76中殘留的溶劑蒸發(fā)，提高與基板G的密合性，但是沒有必要像預烘焙(步驟S11)那樣干燥，可以是半干。
圖6表示面狀涂布單元(ACT)40內(nèi)的主要部分構(gòu)成。該面狀涂布單元(ACT)40具有為保持基板G水平載置的載物臺80；和為了在該載物臺80上載置的基板G的上面(正確地是涂布區(qū)域RE)，利用長型抗蝕劑噴嘴(以下稱為“長噴嘴”)82，使用無旋轉(zhuǎn)方法，面狀涂布抗蝕劑液的涂布處理部84。
涂布處理部84具有帶有長噴嘴82的抗蝕劑液供給機構(gòu)86；和在涂布處理時使長噴嘴82在載物臺80上方沿X方向水平移動的噴嘴移動機構(gòu)88。在抗蝕劑液供給機構(gòu)86中，長噴嘴82具有以覆蓋載物臺80上基板G的一端到另一端的長度，在Y方向延伸的狹縫狀噴出口，并與抗蝕劑液供給源(圖中未表示)的抗蝕劑液供給管90相連接。噴嘴移動機構(gòu)88具有支撐長噴嘴82水平的反“コ”字形或門形的噴嘴支撐體92；和使該噴嘴支撐體92在X方向上，雙方向直行移動的直行驅(qū)動部94。該直行驅(qū)動部94可以由例如帶導向直線電動機機構(gòu)或滾珠螺桿機構(gòu)構(gòu)成。另外，用于改變或調(diào)節(jié)長噴嘴82的高度位置的帶導向升降機構(gòu)96設置在例如連接噴嘴支撐體92和長噴嘴82的連接部98上。因為升降機構(gòu)96可以調(diào)節(jié)或改變長噴嘴82的高度位置，所以可以任意調(diào)節(jié)或改變長噴嘴82的下端或噴出口與載物臺80上的基板G上面(被處理面)之間的距離間隔，即間隙的大小。
長噴嘴82由例如不銹鋼等抗銹蝕性和加工性優(yōu)良的金屬構(gòu)成，向著下端的狹縫狀噴出口，具有尖細的錐形面。長噴嘴82的狹縫狀噴出口的全長與基板G的寬度大小或后述對向的線狀抗蝕劑涂布膜間的寬度(距離間隔)相對應。因此長噴嘴82的噴出口的兩端，在基板G上的涂布區(qū)域RE的左右兩側(cè)的大致正上方沿X方向移動。
在該面狀涂布單元(ACT)40中，載物臺80上載置基板G，在控制器(圖中未表示)的控制下，使抗蝕劑液供給機構(gòu)86和噴嘴移動機構(gòu)88等以規(guī)定的順序進行操作，由此，如圖8所示，在基板G上的涂布區(qū)域RE，即線狀抗蝕劑涂布膜76的矩形框架或用堤圍成的區(qū)域內(nèi)，能使面狀的抗蝕劑涂布膜100形成所希望的膜厚。
更詳細地，如圖6所示，一邊通過噴嘴移動機構(gòu)88使長噴嘴82以一定速度移動，使得在載物臺80的上方以規(guī)定的高度沿X方向縱截或掃描，一邊在抗蝕劑液供給機構(gòu)86中，從長噴嘴82的狹縫狀噴出口噴出的抗蝕劑液以沿Y方向擴展的帶狀噴出流供給到載物臺80上的基板G的涂布區(qū)域RE。由這種長噴嘴82的涂布掃描，如圖7所示，在基板G上如同在長噴嘴82后面追趕一樣，從基板的一端向另一端形成抗蝕劑液的面狀涂布膜100。此時，在面狀抗蝕劑涂布膜100向基板G外側(cè)(特別是左右外側(cè))擴展的過程中，與線狀涂布膜76接觸乃至一體化，面狀抗蝕劑涂布膜100的邊緣位置被線狀抗蝕劑涂布膜76所規(guī)定，同時膜厚也得以控制。
即在涂布開始位置A，因為縮小長噴嘴82與基板G的間隙，進行抗蝕劑液的前置噴出或著液，所以從長噴嘴82的狹縫狀噴出口噴出的抗蝕劑液容易在基板G上向外側(cè)(特別是噴嘴長手方向外側(cè))過度擴展。但是在這種實施方式下，涂布區(qū)域RE的邊緣部已經(jīng)形成了線狀抗蝕劑涂布膜76。由此，如圖9所示，因為面狀抗蝕劑涂布膜100的外緣被線狀抗蝕劑涂布膜76的堤部所限制，由此無法向外側(cè)擴展(堤岸效果)，如假想線100′所示的膜厚的變細(凹陷)被阻礙。特別是，如圖8中的圓內(nèi)部分放大圖LA所示，在涂布開始位置A側(cè)，使線狀抗蝕劑涂布膜76的角部成為圓形的圖案中，可以進一步提高上述堤岸效果乃至防止膜厚凹陷的效果。
另一方面，涂布掃描中，如圖7所示，以長噴嘴82在其背面下端部形成彎液面的狀態(tài)，在基板G上方沿X方向移動，因為剛在基板G上噴出的抗蝕劑液被長噴嘴82拖曳，所以在涂布中間部B的左右兩端部抗蝕劑液受到向內(nèi)側(cè)聚集的力。可是在這種實施方式下，因為涂布區(qū)域RE的外緣部已經(jīng)形成線狀涂布膜76，如圖10所示，因為面狀抗蝕劑涂布膜100的外緣部與線狀抗蝕劑涂布膜76的粘附引力而停留在規(guī)定的外周位置，沒有向內(nèi)側(cè)聚集，防止了假想線100′所示的膜厚的隆起。
另外，在涂布終止部C，雖然剛噴到基板G上的抗蝕劑液受到長噴嘴82側(cè)的比涂布中間部B更大的向內(nèi)的力，但是仍然由于與線狀抗蝕劑涂布膜76的粘附(潤濕)引力停留在規(guī)定的外周位置，沒有向內(nèi)側(cè)聚集，防止了膜厚的隆起。特別是如圖8中的圓內(nèi)部分放大圖LC所示，在涂布終止位置C側(cè)，線狀抗蝕劑涂布膜76的角部76C形成銳角向外側(cè)擴張的圖案中，涂布結(jié)束時將從長噴嘴82噴出的過量的抗蝕劑液轉(zhuǎn)移到其區(qū)域擴張部分，由于與線狀抗蝕劑涂布膜76的潤濕粘附力，可以使其更好地保持，因此可以更加提高防止上述膜厚隆起的效果。
并且，這種實施方式，在涂布掃描開始前或開始時，在涂布開始位置A上，用于在長噴嘴82與基板G之間的間隙填充抗蝕劑液的著液能夠再現(xiàn)性良好地進行。即如圖12所示，因為在涂布開始位置A或其X方向外側(cè)附近已經(jīng)形成線狀抗蝕劑涂布膜76，所以由長噴嘴82的狹縫狀噴出口82a噴出的著液用抗蝕劑液R，在線狀抗蝕劑涂布膜76上從上方重合，粘附乃至一體化，向噴嘴長手方向(Y方向)擴展，可以在間隙內(nèi)完全填充抗蝕劑液R，使之沒有空隙。
這樣，通過在將長噴嘴82與基板G的間隙用抗蝕劑液完全填滿的狀態(tài)下開始涂布掃描，如圖7所示，在長噴嘴82的背面下部形成的彎液面的頂部線(濕線wet line)WL保持在同一水平線上，可以在基板G上形成沒有涂布不勻的平坦面的抗蝕劑涂布膜100。
在這種實施方式下，對于抗蝕劑工藝的各種狀態(tài)、條件，不需要改變或交換長噴嘴82的硬件，適當選擇線狀抗蝕劑涂布膜76的輪廓(涂布位置、高度H、寬度W等)，可以容易實現(xiàn)上述均勻化的膜厚控制。
例如，不改變掃描速度、抗蝕劑特性等涂布條件，將面狀抗蝕劑涂布膜100的厚度設定值由Ta改變?yōu)槔缂s2倍的Tb，在涂布掃描中間部B中，與長噴嘴82的向內(nèi)側(cè)聚集的力相比，由于與基板的潤濕向外側(cè)擴展的抗蝕劑液數(shù)量上的力更大，在左右兩端部的膜厚不但隆起，而且容易向外垂下(凹陷)。
此時，如圖11所示，由于線狀抗蝕劑涂布膜76的涂布位置向基板內(nèi)側(cè)(制品區(qū)域側(cè))聚集，可以具備阻止在線狀抗蝕劑涂布膜76上，面狀抗蝕劑涂布膜100的外緣部擴展的堤岸效果機能。由此，可以消除如假想線(點劃線)100′所示的面狀抗蝕劑涂布膜100的膜厚垂下或凹陷，保持膜厚的均勻化。
如上所述，根據(jù)該實施方式，對于無旋轉(zhuǎn)方式的抗蝕劑涂布，由于在基板G上設定的涂布區(qū)域RE的外周已經(jīng)形成線狀抗蝕劑涂布膜76，在正規(guī)的無旋轉(zhuǎn)涂布處理中，使面狀抗蝕劑涂布膜100的膜厚控制特別是周緣部的膜厚均勻化控制容易進行。并且，在涂布開始時或之前的著液動作，在長噴嘴82與基板G之間的間隙中再現(xiàn)性良好地填充抗蝕劑液是可能的，由此，可以在涂布掃描中防止條狀的涂布不勻的發(fā)生，可以得到平坦面優(yōu)質(zhì)的抗蝕劑膜。
在上述實施方式中，構(gòu)成為利用專用的線狀涂布單元(LCT)44，進行在基板G上形成線狀抗蝕劑涂布膜76的處理。但是，也可以是將進行線狀涂布處理的裝置并設在面狀涂布單元(ACT)40內(nèi)或組合的構(gòu)成。
例如圖14所示，在面狀涂布單元(ACT)40中，可以在噴嘴移動機構(gòu)88的噴嘴支撐體92上，借助與上述線狀涂布單元(LCT)41內(nèi)的線狀涂布處理裝置(圖3)中相同構(gòu)造的X導軌70、臺架74，搭載噴墨式噴嘴64。此時，在由噴嘴移動機構(gòu)88使長噴嘴82在載物臺80上方沿規(guī)定方向(X方向)移動的涂布掃描中，噴墨式噴嘴64可以在長噴嘴82的前方位置，在載物臺80上方移動，可以在長噴嘴82的面狀涂布掃描之前，先進行噴墨式噴嘴64的線狀涂布掃描。
這樣，在面狀涂布單元(ACT)40內(nèi)安裝有線狀涂布處理裝置時，優(yōu)選在單元(ACT)40內(nèi)安裝用于干燥剛形成在基板G上的線狀抗蝕劑涂布膜76的設備。例如，如圖16所示，可以在噴墨式噴嘴64的后面安裝使暖風機102進行掃描的設備。此暖風機102具有例如由電阻發(fā)熱設備構(gòu)成的發(fā)熱部104，通過氣體管線106引入空氣或氮氣，由暖風機102向基板G上的線狀抗蝕劑涂布膜76吹送干燥用的暖風?；蛘?，若使線狀抗蝕劑涂布膜76的作用效果降低到某種程度，也可以在線狀涂布后不做特別的干燥處理，直接進行面狀涂布處理。
上述實施方式中，以繞基板G一周的方式，在涂布區(qū)域RE的外緣全部形成線狀抗蝕劑涂布膜76。但也可以只在涂布區(qū)域RE外周的一部分，如只在涂布開始位置附近、或是只在涂布掃描中間部、或是只在涂布終端部、或是只在角部，形成局部的線狀抗蝕劑涂布膜76。另外，作為圖8的放大圖LC所示的涂布圖案的一變形例，也可以不結(jié)合角部的線狀抗蝕劑涂布膜76，空出間隙地形成，這種構(gòu)成也可以得到與上述相同的效果。
上述實施方式的涂布掃描是采用在載物臺80上固定基板G，在其上方使噴墨式噴嘴64或長噴嘴82沿規(guī)定方向或軌道移動的方式。但，固定噴嘴64、82，使基板G在規(guī)定方向上移動的方式，或是使噴嘴64、82與基板G同時移動的方式也可以。在涂布掃描中，使基板G浮在空中進行移動的上浮搬送式也可以。
在上述實施方式中，在涂布開始的著液時，由長噴嘴82向與基板G的狹縫中噴出微量的抗蝕劑液，但作為其他方法，也可以采用底涂(priming)處理法進行著液。根據(jù)底涂處理法，由在載物臺80的附近設置的底涂處理部，向長噴嘴82的噴出口附近底涂抗蝕劑液，然后使長噴嘴82向載物臺80上方移動，降至與基板G間形成規(guī)定的狹小間隙的高度，使基板G的下端所附著的抗蝕劑液的液膜靠近基板G的涂布開始位置。根據(jù)本發(fā)明，因為在涂布開始位置附近，已經(jīng)形成了線狀抗蝕劑涂布膜，利用底涂處理法的著液也可以重現(xiàn)性良好地進行。
從長噴嘴82噴出的抗蝕劑液在開始與線狀抗蝕劑涂布膜76接觸之前，優(yōu)選使長噴嘴82靜止或停止移動。一旦抗蝕劑與線狀抗蝕劑涂布膜76接觸，即使以后使長噴嘴82移動，也會被線狀抗蝕劑涂布膜76吸附，可以向與線狀抗蝕劑涂布膜76之間無間隙地提供抗蝕劑。噴出抗蝕劑，到長噴嘴82開始移動的時間最好通過預試驗等求得。
另外，為使長噴嘴82噴出抗蝕劑并盡早與線狀抗蝕劑涂布膜76接觸，可以在開始階段比規(guī)定量多地噴出抗蝕劑，噴出的抗蝕劑與線狀抗蝕劑涂布膜76接觸后，剩余量的抗蝕劑可以吸入到長噴嘴82內(nèi)。從抗蝕劑的噴出到開始吸引的時間最好也通過預試驗得到。
另外，圖中省略，關(guān)于線狀涂布單元(LCT)44，可以構(gòu)成為具有分別對應基板的各邊的多個(如4個)噴嘴64，沿基板各邊同時形成線狀抗蝕劑涂布膜76的裝置。這樣，能夠用更短的時間在基板上形成所希望的線狀抗蝕劑涂布膜76。
本發(fā)明的線狀抗蝕劑膜涂布用噴嘴和面狀抗蝕劑膜涂布用噴嘴的構(gòu)成也可以有多種變形。例如，可以使用帶有微細孔噴出口的電磁閥開/關(guān)式噴嘴代替噴墨式噴嘴64。另外長噴嘴82的噴出口也不僅限于狹縫型，也可以將多個微細孔配列成一列。
另外，在線狀涂布工序中，將線狀抗蝕劑涂布膜76的形狀變形為線狀以外的任意圖案也是可以的。特別是在無旋轉(zhuǎn)法的面狀涂布中，如上述抗蝕劑液膜在基板G上的涂布終端部(特別是左右隅角部)，向內(nèi)側(cè)(在與涂布掃描方向垂直的方向上，基板中心側(cè))容易聚集得很多。本發(fā)明在基板G上的面狀抗蝕劑涂布膜的終端附近(特別是左右隅角部)，事先(例如在與上述線狀涂布工序同樣的先實施涂布工序中)將用于擴張面狀抗蝕劑涂布膜的輪廓、特別是左右隅角部的輪廓的先實施抗蝕劑涂布膜成為所希望的圖案。
如圖17所述，在基板G上的面狀涂布后端側(cè)的左右隅角部，以略直角的“”形或“』”形的圖案構(gòu)成先實施涂布膜110。此時，在面狀涂布工序中，形成在基板G上的面狀抗蝕劑涂布膜112在涂布掃描終端部向內(nèi)側(cè)聚集，如圖18所示(特別是如圓內(nèi)部分擴大圖LD所示)，在基板G上的左右隅角部，面狀抗蝕劑涂布膜112部分重疊在先實施抗蝕劑涂布膜110上，相接合(一體化)，先實施抗蝕劑涂布膜110作為面狀抗蝕劑涂布膜112的擴張部分規(guī)定為角部的形狀(直角形狀)，如此得到合成抗蝕劑涂布膜114。
其他，本發(fā)明中，先實施抗蝕劑涂布膜110的圖案或輪廓可以任意變形。例如，如圖19所示的圓形圖案，圖20所示的延伸到面狀涂布掃描方向的薄長方形或矩形的圖案，如圖21所示的延伸到與面狀涂布掃描方向相垂直的方向的薄長方形或矩形的圖案等都可以。在這些情況下，仍然是在面狀涂布掃描的終端，面狀抗蝕劑涂布膜112與先實施抗蝕劑涂布膜110相接合(一體化)，先實施抗蝕劑涂布膜110作為面狀抗蝕劑涂布膜112的延長部分規(guī)定為角部的形狀，如此得到合成抗蝕劑涂布膜114。
另外，可以將本發(fā)明的先實施涂布膜，利用溶劑例如稀釋劑(thinner)代替抗蝕劑液，形成與上述同樣的圖案或輪廓。該情況，圖示省略，面狀涂布工序的面狀抗蝕劑涂布膜與先實施稀釋劑涂布膜相接合，面狀抗蝕劑涂布膜的抗蝕劑液在先實施稀釋劑涂布膜上潤濕擴展，其結(jié)果，面狀抗蝕劑涂布膜的輪廓擴張或延長到先實施稀釋劑涂布膜的輪廓上。由此，面狀抗蝕劑涂布膜在涂布掃描終端部向內(nèi)側(cè)聚集，左右角部的涂布膜輪廓可以成為所希望的形狀(例如直角形狀)。
上述實施方式是與LCD制造的涂布顯影系統(tǒng)中的抗蝕劑涂布裝置相關(guān)的，但本發(fā)明也適用于在被處理基板上供給處理液的任意處理裝置和應用。因此，作為本發(fā)明的處理液，除了抗蝕劑液以外，可以是層間絕緣材料、電介質(zhì)材料、配線材料等的涂布液，也可以是顯影液、洗液等。本發(fā)明的被處理基板不僅限于LCD基板，也可以是其他的平板顯示器用基板、半導體晶片、CD基板、玻璃基板、光掩模、印刷基板等。
權(quán)利要求
1.一種涂布方法，其特征在于，包括在設定在被處理基板上的涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部上，涂布處理液形成線狀涂布膜的線狀涂布工序；和在所述基板上的所述涂布區(qū)域，涂布處理液形成面狀涂布膜的面狀涂布工序。
2.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于選定所述線狀涂布工序中所述線狀涂布膜的輪廓，使得在所述面狀涂布工序中涂布在所述基板上的處理液的擴展被所述線狀涂布膜阻止。
3.如權(quán)利要求1所述的涂布方法，其特征在于選定所述線狀涂布工序中所述線狀涂布膜的輪廓，使得在所述面狀涂布工序中涂布在所述基板上的處理液通過與所述線狀涂布膜的粘附引力向所述涂布區(qū)域的周邊側(cè)擴展。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的涂布方法，其特征在于所述線狀涂布工序，包括使處理液線狀噴出的第一噴嘴對于所述基板作相對移動的工序。
5.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的涂布方法，其特征在于所述面狀涂布工序，包括使處理液帶狀噴出的第二噴嘴對于所述基板作相對移動的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于所述第二噴嘴是帶有狹縫狀噴出口的長型噴嘴，在所述面狀涂布工序中，使所述長型噴嘴與所述基板平行，并且沿與噴嘴長度方向大致垂直的方向作相對移動。
7.如權(quán)利要求6所述的涂布方法，其特征在于選定所述線狀涂布膜的輪廓，使得在所述面狀涂布工序開始時利用所述第二噴嘴涂布在所述基板上的處理液與所述線狀涂布膜粘附，填滿所述間隙。
8.如權(quán)利要求2或3所述的涂布方法，其特征在于所述線狀涂布膜的輪廓包括該涂布膜的厚度、線寬和在基板上的位置中的至少一項。
9.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的涂布方法，其特征在于在所述面狀涂布工序之前，對由所述線狀涂布工序形成的線狀涂布膜進行加熱，使其干燥。
10.一種涂布裝置，其特征在于，具有在設定在被處理基板上的涂布區(qū)域周緣部的一部分或全部，涂布處理液形成線狀涂布膜的線狀涂布處理部；和在所述基板上的所述涂布區(qū)域，涂布處理液形成面狀涂布膜的面狀涂布處理部。
11.如權(quán)利要求10所述的涂布裝置，其特征在于，所述線狀涂布處理部具有向大致水平狀態(tài)的所述基板，從上方噴出線狀處理液的第一噴嘴；和使所述第一噴嘴對于所述基板作相對移動，使得從第一噴嘴噴到所述基板上的處理液形成所述線狀涂布膜的第一涂布掃描部。
12.如權(quán)利要求11所述的涂布裝置，其特征在于所述第一噴嘴由響應電驅(qū)動信號對噴嘴內(nèi)的處理液進行加壓，以液滴形式進行噴射的噴射式噴嘴構(gòu)成。
13.如權(quán)利要求10～12中任一項所述的涂布裝置，其特征在于，所述面狀涂布處理部具有向大致水平狀態(tài)的所述基板，從上方噴出帶狀處理液的第二噴嘴；和使所述第二噴嘴對于所述基板作相對移動，使得從所述第二噴嘴噴到所述基板上的處理液被涂布到所述涂布區(qū)域的一面上的第二涂布掃描部。
14.如權(quán)利要求13所述的涂布裝置，其特征在于所述第二噴嘴由具有長度為在一方向上覆蓋所述涂布區(qū)域的一端到另一端的狹縫狀噴出口的長型噴嘴構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求13所述的涂布裝置，其特征在于所述線狀涂布處理部和所述面狀涂布處理部具有為保持所述基板處于水平狀態(tài)的各自獨立的支撐部。
16.如權(quán)利要求13所述的涂布裝置，其特征在于所述線狀涂布處理部和所述面狀涂布處理部具有為保持所述基板處于水平狀態(tài)的共用的支撐部。
17.如權(quán)利要求10～12中任一項所述的涂布裝置，其特征在于具有對由所述線狀涂布處理部形成在所述基板上的所述線狀涂布膜進行加熱，使其干燥的干燥設備。
18.一種涂布方法，其特征在于使被處理基板與長型噴嘴的噴出口，隔著微小間隙大致水平地對向，進行一邊從所述噴嘴向所述基板噴出處理液，一邊使所述噴嘴在相對水平方向上移動的涂布掃描，在所述基板上形成所述處理液的面狀涂布膜，在所述基板上的所述涂布掃描終止的位置附近，在進行所述涂布掃描之前，使由所述處理液形成的先實施涂布膜成為所期望的圖案，由所述涂布掃描形成在所述基板上的面狀涂布膜的終端與所述先實施涂布膜相接合，所述先實施涂布膜成為所述面狀涂布膜的擴張部分。
19.如權(quán)利要求18所述的涂布方法，其特征在于所述基板為矩形，所述先實施涂布膜形成在所述基板上的涂布掃描結(jié)束側(cè)的隅角部上。
20.一種涂布裝置，其特征在于，具有使被處理基板與長型噴嘴的噴出口，隔著微小間隙大致水平地對向，進行一邊從所述噴嘴向所述基板噴出處理液，一邊使所述噴嘴在相對水平方向上移動的涂布掃描，在所述基板上形成所述處理液的面狀涂布膜的面狀涂布處理部；和在所述基板上的所述涂布掃描終止的位置附近，在進行所述面狀涂布處理部的所述涂布掃描之前，使由所述處理液形成的先實施涂布膜成為所期望的圖案的先實施涂布膜形成部，由所述面狀涂布處理部的涂布掃描形成在所述基板上的面狀涂布膜的終端與所述先實施涂布膜相接合，所述先實施涂布膜成為所述面狀涂布膜的擴張部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種能夠使涂布膜的膜厚控制特別是周緣部的膜厚均勻化容易進行的涂布方法。在面狀涂布單元(ACT)(40)中，在載物臺(80)上載置基板(G)，使抗蝕劑液供給機構(gòu)(86)和噴嘴移動機構(gòu)(88)工作，通過長噴嘴(82)的涂布掃描，在基板(G)上從基板的一端向另一端形成抗蝕劑液的面狀涂布膜(100)。此時面狀抗蝕劑涂布膜(100)在向基板(G)的外側(cè)擴展的過程中與線狀涂布膜(76)接觸乃至一體化，面狀抗蝕劑涂布膜(100)外緣的位置被線狀涂布膜(76)所規(guī)定，同時膜厚也得以控制。
文檔編號G03F7/16GK1873535SQ20061008500
公開日2006年12月6日 申請日期2006年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月30日
發(fā)明者藤田直紀 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社