專利名稱：激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)與陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)與陣列，特別是涉及一種可控制連續(xù)性側(cè)向長晶技術(shù)(Sequential Lateral Solidification；SLS)的結(jié)晶副晶界寬度的光掩模圖案結(jié)構(gòu)與陣列。
背景技術(shù)：
低溫多晶硅工藝?yán)脺?zhǔn)分子激光作為熱源，激光經(jīng)過投射系統(tǒng)后，會(huì)產(chǎn)生能量均勻分布的激光束，投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當(dāng)玻璃基板上的非晶硅結(jié)構(gòu)吸收準(zhǔn)分子激光的能量后，會(huì)轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)。低溫多晶硅技術(shù)可提升傳統(tǒng)非晶硅液晶技術(shù)性能及降低制造成本。
在一般低溫多晶硅的制作中，首先，將非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板經(jīng)激光融熔。然后，于回火過程中以玻璃基板中未融熔的硅為晶種進(jìn)行晶粒(Grain)成長，其中晶粒大小通常小于1μm。為使側(cè)向結(jié)晶發(fā)生，必須在回火過程中產(chǎn)生適當(dāng)熱梯度差，以獲得1μm以上的晶粒大小。因此，可通過激光通過具有特殊圖案的光掩模，使玻璃基板產(chǎn)生部分區(qū)域融熔結(jié)晶，并透過適當(dāng)?shù)墓庋谀ＴO(shè)計(jì)，以及控制玻璃基板上待照射區(qū)域與已結(jié)晶區(qū)域重疊大小、及玻璃基板的步進(jìn)距離，來使結(jié)晶過程中利用側(cè)面已結(jié)晶區(qū)域?yàn)榫ХN，以形成連續(xù)性側(cè)向長晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示現(xiàn)有的激光結(jié)晶用的光掩模結(jié)構(gòu)與陣列的示意圖，其中多個(gè)矩形光柵(Slit；未標(biāo)示)排列成雙陣列(透光區(qū))10和20。在制作低溫多晶硅時(shí)，首先，激光透過光掩模的陣列10和陣列20，使位于其底下的玻璃基板上的非晶硅薄膜產(chǎn)生多晶硅結(jié)構(gòu)，然后，相對(duì)于光掩模移動(dòng)玻璃基板，以使激光透過陣列10照射未移動(dòng)前的陣列20中的未透光區(qū)域，并使陣列10與未移動(dòng)前的陣列20中的透光區(qū)部分重疊。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其為使用現(xiàn)有的激光結(jié)晶用的光掩模結(jié)構(gòu)與陣列所產(chǎn)生的多晶硅的電子顯微鏡照片。一般而言，現(xiàn)有的方式只可由光掩模設(shè)計(jì)及側(cè)向長晶能力來控制單一方向晶粒的長度L，但無法控制晶粒的寬度W，現(xiàn)有的晶粒的寬度為約0.3μm，而其寬度方向的晶界的形成原因?yàn)橛捎诠袒瘯r(shí)為減少因熱應(yīng)力所產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)變，因而產(chǎn)生如圖1B所示的雜亂無章的分支晶界(Sub-grain Boundary)。其中，此分支晶界數(shù)量與載流子遷移率成反比關(guān)系，因此，需盡量減少此類晶界的發(fā)生，以提升載流子遷移率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明一方面就是在提供一種激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)與陣列，通過光掩模設(shè)計(jì)來控制結(jié)晶副晶界寬度，以提升載流子遷移率。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)形成在基板上，其中此激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)至少包括光柵、第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，其中光柵具有相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，及具有相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，其中第三側(cè)邊和第四側(cè)邊分別位于第一側(cè)邊與第二側(cè)邊之間，第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)形成在第一側(cè)邊上，第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)形成在第二側(cè)邊上。第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)與第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)的形狀相互對(duì)稱或互補(bǔ)，第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)與第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)的形狀可為三角形波、矩形波或弧形波。第三側(cè)邊和第四側(cè)邊互為鏡射或同一形狀。第三側(cè)邊和第四側(cè)邊的形狀可為三角形或弧形。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列至少包括三個(gè)前述的光掩模圖案結(jié)構(gòu)，分別為第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)、第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)和第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)。第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)基本上對(duì)齊并平行于第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)，其中第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)相距有預(yù)設(shè)距離。第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)位于第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)的一側(cè)，其中第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)基本上平行于第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)，第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)的一側(cè)的中點(diǎn)并基本上對(duì)準(zhǔn)于第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)間的中間位置。
因此，應(yīng)用本發(fā)明，可控制結(jié)晶副晶界寬度，以提升載流子遷移率。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，附圖的詳細(xì)說明如下圖1A為繪示現(xiàn)有的激光結(jié)晶用的光掩模結(jié)構(gòu)與陣列的示意圖。
圖1B為使用現(xiàn)有的激光結(jié)晶用的光掩模結(jié)構(gòu)與陣列所產(chǎn)生的多晶硅的電子顯微鏡照片。
圖2A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2B至圖2D為繪示應(yīng)用本第一優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的晶粒成長示意圖。
圖3A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖4A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖5為繪示根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖6B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖7A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖7B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖8A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖8B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖9A為繪示根據(jù)本發(fā)明的第八優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖9B為繪示應(yīng)用本發(fā)明的第八優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。
圖10為繪示本發(fā)明的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列的示意圖簡(jiǎn)單符號(hào)說明10、20陣列 40非晶硅薄膜60光柵 62、64側(cè)邊60a第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)60b第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)70、80區(qū)域 90晶界100、200、300光掩模圖案結(jié)構(gòu)102、202、302光柵110、210、310側(cè)邊120、220、320側(cè)邊130、230、330側(cè)邊140、240、340側(cè)邊150a、150b連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250a、250b連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350a、350b連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)400a、400b、400c光掩模圖案結(jié)構(gòu)D預(yù)設(shè)距離W寬度 L長度具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖2A所示，本第一優(yōu)選實(shí)施例所使用光掩模圖案結(jié)構(gòu)主要在光柵60的相對(duì)兩側(cè)邊62和64上，分別形成第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)60a和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)60b，其中第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)60a和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)60b的形狀為相互對(duì)稱的矩形波。本發(fā)明通過調(diào)整相對(duì)兩側(cè)邊62和64的間距距離，來改變結(jié)晶順序及晶種位置，因而控制晶粒的寬度，減少分支晶界的產(chǎn)生，進(jìn)而提升載流子遷移率。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B至圖2D，其繪示應(yīng)用本第一優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的晶粒成長示意圖。首先，以激光透過光掩模的光柵60，以熔融位于光掩模下方的基板(未繪示)上的非晶硅薄膜40(如圖2B所示)，此時(shí)，如圖2B至圖2D的虛線(晶界90)所示，晶粒會(huì)自非晶硅薄膜40相對(duì)于光柵60的相對(duì)兩側(cè)邊62和64的區(qū)域70和區(qū)域80，逐漸向非晶硅薄膜40的中間成長。由圖2E可知，在應(yīng)用本第一優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，非晶硅薄膜40所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少，故可大幅地改善現(xiàn)有激光結(jié)晶周的光掩模的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)與第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)的形狀可相互對(duì)稱或互補(bǔ)，且其形狀可為例如三角形波、矩形波或弧形波等。矩形光柵的另外兩相對(duì)側(cè)邊亦可互為鏡射或同一形狀，其形狀可為例如三角形或弧形等。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)100的示意圖，其中光柵102具有相對(duì)第一側(cè)邊110和第二側(cè)邊120、以及相對(duì)第三側(cè)邊130和第四側(cè)邊140。在本第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)中，第一側(cè)邊110和第二側(cè)邊120上均形成有形狀為矩形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)150a，即第一側(cè)邊110和第二側(cè)邊120的形狀為相互對(duì)稱的矩形波。與本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例不同的是，本第二優(yōu)選實(shí)施例的第三側(cè)邊130和第四側(cè)邊140的形狀為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D3B，其繪示應(yīng)用本第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖3B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第二優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
請(qǐng)參照?qǐng)D4A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)100的示意圖，其中光柵102的第一側(cè)邊110和第二側(cè)邊120上分別形成有形狀為互補(bǔ)的矩形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)150a和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)150b，即第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)150a的凸出部分匹配于第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)150b的凹陷部分。本第三優(yōu)選實(shí)施例的第三側(cè)邊130和第四側(cè)邊140的形狀亦為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D4B，其繪示應(yīng)用本第三優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)100所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖4B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第三優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
本發(fā)明前述的第三側(cè)邊130和第四側(cè)邊140的形狀可例如三角形或弧形等，其可為同一形狀，或互為鏡射的形狀。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)的示意圖，其中第三側(cè)邊130和第四側(cè)邊140的形狀為互為鏡射的弧形。
請(qǐng)參照?qǐng)D6A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)200的示意圖，其中光柵202具有相對(duì)第一側(cè)邊210和第二側(cè)邊220、以及相對(duì)第三側(cè)邊230和第四側(cè)邊240。在本第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)中，第一側(cè)邊210和第二側(cè)邊220上均形成有形狀為三角形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250a，即第一側(cè)邊210和第二側(cè)邊220的形狀為相互對(duì)稱的三角波。第三側(cè)邊230和第四側(cè)邊240的形狀為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D6B，其繪示應(yīng)用本第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖6B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第五優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
請(qǐng)參照?qǐng)D7A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)200的示意圖，其中光柵202的第一側(cè)邊210和第二側(cè)邊220上分別形成有形狀為互補(bǔ)的三角形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250a和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250b，即第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250a的凸出部分匹配于第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)250b的凹陷部分。本第六優(yōu)選實(shí)施例的第三側(cè)邊230和第四側(cè)邊240的形狀亦為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D7B，其繪示應(yīng)用本第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖7B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
請(qǐng)參照?qǐng)D8A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)300的示意圖，其中光柵302具有相對(duì)第一側(cè)邊310和第二側(cè)邊320、以及相對(duì)第三側(cè)邊330和第四側(cè)邊340。在本第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)中，第一側(cè)邊310和第二側(cè)邊320上均形成有形狀為弧形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350a，即第一側(cè)邊310和第二側(cè)邊320的形狀為相互對(duì)稱的弧形波。第三側(cè)邊330和第四側(cè)邊340的形狀為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D8B，其繪示應(yīng)用本第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖8B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第七優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
請(qǐng)參照?qǐng)D9A，其繪示根據(jù)本發(fā)明的第八優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)300的示意圖，其中光柵302的第一側(cè)邊310和第二側(cè)邊320上分別形成有形狀為互補(bǔ)的弧形波的第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350a和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350b，即第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350a的凸出部分匹配于第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)350b的凹陷部分。本第八優(yōu)選實(shí)施例的第三側(cè)邊330和第四側(cè)邊340的形狀亦為互為鏡射的三角形。請(qǐng)參照?qǐng)D9B，其繪示應(yīng)用本第八優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)的晶界示意圖。如圖9B的虛線(晶界)所示，在應(yīng)用本第六優(yōu)選實(shí)施例的光掩模圖案結(jié)構(gòu)后，基板所形成的低溫多晶硅結(jié)構(gòu)具有規(guī)則的晶界，且分支晶界的數(shù)量相當(dāng)少。
另外，本發(fā)明的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列至少包括三個(gè)光掩模圖案結(jié)構(gòu)，此些光掩模圖案結(jié)構(gòu)的形狀為前述的實(shí)施例所揭示的光掩模圖案結(jié)構(gòu)其中之一。請(qǐng)參照?qǐng)D10，其繪示本發(fā)明的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列的示意圖，其中光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a、光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b和光掩模圖案結(jié)構(gòu)400c如前述的第二優(yōu)選實(shí)施例所示的光掩模圖案結(jié)構(gòu)。光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b基本上對(duì)齊并平行于光掩模圖案結(jié)構(gòu)400c，其中光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b與光掩模圖案結(jié)構(gòu)400c相距有預(yù)設(shè)距離L。光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a位于光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b與光掩模圖案結(jié)構(gòu)400c的一側(cè)，其中光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a基本上平行于光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b，光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a的一側(cè)的中點(diǎn)并基本上對(duì)準(zhǔn)于第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a與第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)間400b的中間位置。如圖10所示的光掩模圖案陣列為一最小可能單位，實(shí)際實(shí)施時(shí)，可依實(shí)際需要，將多個(gè)光掩模圖案結(jié)構(gòu)400a組成一陣列(如圖1A所示的陣列10)，多個(gè)光掩模圖案結(jié)構(gòu)400b和400c組成另一陣列(如圖1A所示的陣列20)。
由上述本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例可知，應(yīng)用本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)為通過光掩模設(shè)計(jì)來控制結(jié)晶副晶界寬度，以提升載流子遷移率，而大幅地改善現(xiàn)有激光結(jié)晶用的光掩模的缺點(diǎn)。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)，形成在基板上，其中該激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)至少包括光柵，具有相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，及具有相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，其中該第三側(cè)邊和該第四側(cè)邊分別位于該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊之間；第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，形成在該第一側(cè)邊上；以及第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，形成在該第二側(cè)邊上。
2.如權(quán)利要求1所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)，其中該第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)與該第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)的形狀為相互對(duì)稱、相互互補(bǔ)、三角形波、矩形波或弧形波的其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)，其中該第三側(cè)邊連接于該第一側(cè)邊的一端與該第二側(cè)邊的一端，該第四側(cè)邊連接于該第一側(cè)邊的另一端與該第二側(cè)邊的另一端。
4.如權(quán)利要求1所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)，其中該第三側(cè)邊和該第四側(cè)邊互為鏡射、同一形狀、三角形、弧形的其中之一。
5.一種激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列，形成在基板上，其中該激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列至少包括三個(gè)光掩模圖案結(jié)構(gòu)，分別為第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)；第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)，基本上對(duì)齊并平行于該第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)，其中該第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與該第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)相距有預(yù)設(shè)距離；以及第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)，位于該第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與該第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)的一側(cè)，其中該第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)基本上平行于該第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)，該第三光掩模圖案結(jié)構(gòu)的一側(cè)的中點(diǎn)并基本上對(duì)準(zhǔn)于該第一光掩模圖案結(jié)構(gòu)與該第二光掩模圖案結(jié)構(gòu)間的中間位置；其中每一該些光掩模圖案結(jié)構(gòu)至少包括光柵，具有相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，及具有相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，其中該第三側(cè)邊和第四側(cè)邊分別位于該第一側(cè)邊與該第二側(cè)邊之間；第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，形成在該第一側(cè)邊上；以及第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，形成在該第二側(cè)邊上。
6.如權(quán)利要求5所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列，其中該第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)與該第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)的形狀為相互對(duì)稱、相互互補(bǔ)、三角形波、矩形波或弧形波的其中之一。
7.如權(quán)利要求5所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列，其中該第三側(cè)邊連接于該第一側(cè)邊的一端與該第二側(cè)邊的一端，該第四側(cè)邊連接于該第一側(cè)邊的另一端與該第二側(cè)邊的另一端。
8.如權(quán)利要求5所述的激光結(jié)晶用的光掩模圖案陣列，其中該第三側(cè)邊和該第四側(cè)邊互為鏡射、同一形狀、三角形、弧形的其中之一。
全文摘要
一種激光結(jié)晶用的光掩模圖案結(jié)構(gòu)與陣列，用以控制由連續(xù)性側(cè)向長晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)技術(shù)所形成的低溫多晶硅中的結(jié)晶副晶界的寬度。本發(fā)明為于光柵(slit)的相對(duì)兩側(cè)邊上分別形成第一連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)和第二連續(xù)波狀結(jié)構(gòu)，此相對(duì)兩側(cè)邊大致與晶粒(Grain)成長方向垂直，本發(fā)明通過此相對(duì)兩側(cè)邊的間距距離，使得結(jié)晶順序不同及晶種位置不同，以控制晶粒的寬度。
文檔編號(hào)G03F1/00GK1811592SQ200610009270
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月15日
發(fā)明者孫銘偉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司