專利名稱：陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板以及一種制造該陣列基板的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種能減少由制造過程中產(chǎn)生的靜電引起的缺陷的陣列基板，以及一種制造該陣列基板的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板典型地包括陣列基板、面對陣列基板的上基板及設(shè)置在陣列基板和上基板之間的液晶層，其中陣列基板包括像素區(qū)和信號施加區(qū)。像素區(qū)包括在第一方向上延伸的源極線，在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸的柵極線，和通過開關(guān)器件電連接至源極線的像素電極。信號施加區(qū)包括第一驅(qū)動芯片焊盤和第二驅(qū)動芯片焊盤，在第一驅(qū)動芯片焊盤上安裝將數(shù)據(jù)信號施加到源極線的數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片，在第二驅(qū)動芯片焊盤上安裝將柵極信號施加到柵極線的柵極驅(qū)動芯片。
當(dāng)陣列基板完全地形成時，執(zhí)行用于檢測陣列基板上形成的導(dǎo)線的電氣條件的布線測試，然后將陣列基板與上基板結(jié)合使得液晶層設(shè)置在陣列基板和上基板之間。接著，執(zhí)行用于檢測顯示面板的電氣和光學(xué)條件的視覺檢測(稱作V/I)工藝。
用于布線測試工藝和V/I工藝的測試線和測試焊盤分別沿著包括多個陣列基板的母板的分劃線設(shè)置。詳細(xì)地講，布線測試焊盤設(shè)置在分劃線的區(qū)外(或陣列基板的區(qū)外)，而V/I焊盤設(shè)置在分劃線的區(qū)內(nèi)(或陣列基板的邊緣部分)。布線測試線和V/I線設(shè)置在分劃線的區(qū)內(nèi)。布線測試線和V/I線是共用的。
在完成布線測試工藝和沿著母基板的分劃線切割陣列基板之后，通過設(shè)置在分劃線區(qū)內(nèi)的V/I線和V/I焊盤執(zhí)行V/I。在布線測試和V/I工藝中，柵極線和源極線由某些元件(例如，2G2D或2G1D)分組并通過施加測試信號測試。
根據(jù)廣泛地使用的布線測試，分別將偶數(shù)柵極線和奇數(shù)柵極線分組，將偶數(shù)柵極線組和奇數(shù)柵極線組連接至相互不同的靜態(tài)電流放電布線，并將測試信號施加給偶數(shù)柵極線組和奇數(shù)柵極線組的每一個。此外，分別將偶數(shù)源極線和奇數(shù)源極線分組，將偶數(shù)源極線組和奇數(shù)源極線組連接至相互分離的靜態(tài)電流放電布線，并將測試信號施加給偶數(shù)源極線組和奇數(shù)源極線組的每一個。
奇數(shù)柵極線和偶數(shù)柵極線相互交替，從而每個奇數(shù)柵極線相鄰每個偶數(shù)柵極線，因此，可探測在偶數(shù)柵極線和奇數(shù)柵極線之間的電短路缺陷。因此，將偶數(shù)柵極線分組，并將奇數(shù)柵極線分組。上面描述的相同工藝也可應(yīng)用于V/I工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種能夠減少由制造工藝過程中產(chǎn)生的靜電引起的缺陷的陣列基板。本發(fā)明的實(shí)施例也提供一種制造這種陣列基板的方法。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性陣列基板中，陣列基板包括第一測試線、第二測試線、第一源極線組、第二源極線組、多個柵極線和開關(guān)器件。第一測試線沿第一方向延伸，而第二測試線基本平行于第一測試線。第一源極線組沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸，并電連接至第一測試線。第二源極線組沿第二方向延伸并電連接至第二測試線。每個柵極線沿第一方向延伸。開關(guān)器件形成在由第一源極線、第二源極線和柵極線圍著的區(qū)域上。
例如，陣列基板還包括電結(jié)合至開關(guān)器件的像素電極層，并且第一測試線和第一源極線組通過由與像素電極層材料相同的材料組成的橋接圖案相互電連接。陣列基板還包括電結(jié)合至開關(guān)器件的像素電極層，并且第二測試線和第二源極線組通過由與像素電極層材料相同的材料組成的橋接圖案相互電連接。第一源極線組對應(yīng)于奇數(shù)源極線，第二源極線組對應(yīng)于偶數(shù)源極線，反之亦然。陣列基板還包括電結(jié)合至開關(guān)器件的像素電極，并且第一橋接圖案將第一源極線和第一測試線電結(jié)合。像素電極和第一橋接圖案形成于相同的層。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一示例性陣列基板中，陣列基板包括第一測試線、第二測試線、第一柵極線組、第二柵極線組、源極線和開關(guān)器件。第一測試線沿第一方向延伸，第二測試線基本平行于第一測試線。第一柵極線組沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸，并電連接至第一測試線。第二柵極線組沿第二方向延伸，并電連接至第二測試線。源極線沿第一方向延伸。開關(guān)器件形成在由第一柵極線組、第二柵極線組和源極線圍著的區(qū)域上。例如，第一柵極線組對應(yīng)于奇數(shù)柵極線，第二柵極線組對應(yīng)于偶數(shù)柵極線，反之亦然。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的又一示例性陣列基板中，陣列基板包括第一測試線、第二測試線、第一柵極線組、第二柵極線組、第三測試線、第四測試線、第一源極線組、第二源極線組和開關(guān)器件。第一測試線沿第一方向延伸。第二測試線基本平行于第一測試線。第一柵極線組沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸，并電連接至第一測試線。第二柵極線組沿第二方向延伸，并電連接至第二測試線。第三測試線沿第二方向延伸。第四測試線基本平行于第三測試線。第一源極線組沿第一方向延伸，并電連接至第三測試線。第二源極線組沿第一方向延伸，并電連接至第四測試線。開關(guān)器件形成在由第一源極線、第二源極線、第一柵極線和第二柵極線圍著的區(qū)域上。
根據(jù)制造陣列基板的示例性方法，形成沿第一方向延伸的第一測試線、第二測試線和柵極線。接著，形成沿第一方向延伸的短路棒、沿基本垂直于第一方向的第二方向從短路棒延伸的第一源極線、按預(yù)定的距離與第一源極線分離(或隔開)的第一漏電極、與短路棒分離地沿第二方向延伸的第二源極線、與第二源極線分離的第二漏電極。第一源極線和第一漏電極限定第一開關(guān)器件，而第二源極線和第二漏電極限定第二開關(guān)器件。然后，形成將第一測試線電結(jié)合至源極線的第一橋接圖案、將第二測試線電結(jié)合至第二源極線的第二橋接圖案、電連接至第一開關(guān)器件的第一像素電極層、電連接至第二開關(guān)器件的第二像素電極層。
根據(jù)制造陣列基板的示例性方法，形成沿第一方向延伸的第一測試線和第二測試線、沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸的第二短路棒、沿第一方向從第二短路棒延伸的第一柵極線、沿第一方向延伸并與第二短路棒分離的第二柵極線組。然后，形成沿第二方向延伸的第三測試線和第四測試線、沿第一方向延伸的第一短路棒、沿第二方向從第一短路棒延伸的第一源極線組、按預(yù)定的距離與第一源極線分離的第一漏電極、與第一短路棒分離并沿第二方向延伸的第二源極線組、與第二源極線組分離的第二漏電極，其中第一源極線組和第一漏電極限定第一開關(guān)器件，第二源極線組和第二漏電極限定第二開關(guān)器件。然后，形成將第一測試線電結(jié)合至第一源極線的第一橋接圖案、將第二測試線電結(jié)合至第二源極線的第二橋接圖案、將第三測試線電結(jié)合至第一柵極線的第三橋接圖案、將第四測試線電結(jié)合至第二柵極線的第四橋接圖案、電連接至第一開關(guān)器件的第一像素電極層、電連接至第二開關(guān)器件的第二像素電極層。
因此，第一源極線代表奇數(shù)源極線或偶數(shù)源極線，第二源極線代表不同于第一源極線代表的剩余源極線。第一源極線從橫向短路棒延伸并與第三布線測試線接觸。第二源極線與橫向短路棒分離并與第四布線測試線接觸。
因此，通過將電連接至橫向短路棒的奇數(shù)源極線和由分劃線限定的區(qū)域內(nèi)的布線測試線電結(jié)合，可避免在隨后的過程中可能的靜電損傷。此外，通過將與橫向短路棒斷開的源極線和與第三布線測試線相鄰的第四布線測試線結(jié)合，自動滿足了用于2G1D測試的條件。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，結(jié)合至橫向短路棒的源極線與第一布線測試線連接，并且與縱向短路棒結(jié)合的柵極線與第三布線測試線連接，從而各種實(shí)施例可防止母板受到靜電的損傷。
此外，未結(jié)合至橫向短路棒的源極線與第二布線測試線連接，并且未結(jié)合至縱向短路棒的柵極線與第四布線測試線連接，從而各種實(shí)施例可容易地實(shí)現(xiàn)2G2D測試條件，而且可不必提供例如用以除去1G1D線的金屬蝕刻工藝和激光修整工藝等附加工藝。
在V/I工藝中，由于奇數(shù)線和偶數(shù)線之間的表面電阻經(jīng)過調(diào)整，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施例可提高測試工藝的探測能力，從而降低了顯示產(chǎn)品中的亮度偏差。甚至在形成像素電極期間形成橋接圖案之前，柵極線和源極線分別相互連接，從而根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施例可使因靜電造成的不良效果最小化。


下面通過結(jié)合附圖對本發(fā)明的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將會變得更加清楚，其中圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖；圖2是示出圖1中的部分母板的布局視圖；圖3是沿圖2中的I-I′線截取的剖視圖；
圖4是顯示圖2中的母板的第一制造工藝的平面圖；圖5是沿圖4中的II-II′線截取的剖視圖；圖6是顯示圖2中的母板的第二制造工藝的平面圖；圖7和圖8是沿圖6中的III-III′線截取的剖視圖；圖9是顯示圖2中的母板的第三制造工藝的平面圖；圖10和圖11是沿圖9中的IV-IV′線截取的剖視圖；圖12是顯示圖2中的母板的第五制造工藝的平面圖；圖13是沿圖12中的V-V′線截取的剖視圖；圖14是顯示圖2中的母板的第六制造工藝的剖視圖；圖15是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖；圖16是示出圖15中的部分母板的布局視圖；圖17是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖；圖18是示出圖17中的部分母板的平面圖。
具體實(shí)施例方式
應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離這里所公開的本發(fā)明的原理的情況下，可以對下面描述的本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行許多不同方式的變型，因此，本發(fā)明的范圍不局限于下面的這些具體實(shí)施例。適當(dāng)?shù)恼f法是，提供這些實(shí)施例是為了使得該公開徹底和完全，并且通過舉例而非限制性的方式將本發(fā)明的構(gòu)思充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
下文將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。值得注意的是，在不脫離由下面將描述的實(shí)施例所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對這里描述的實(shí)施例進(jìn)行各種改變、替代和變動。實(shí)施例僅是為向本領(lǐng)域的技術(shù)人員示出本發(fā)明的精神的例子。在圖中，為清晰起見，層的厚度可被夸大了。術(shù)語“設(shè)置在...上”可包括“設(shè)置在...的上方”，從而可在其間設(shè)置物體。術(shù)語“直接設(shè)置在...上”意思是在其間沒有設(shè)置物體。
實(shí)施例1圖1是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖。圖2是示出圖1中的部分母板的布局視圖。
參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的母板200包括陣列基板100。在圖1中，示出的母板200僅包括一個陣列基板，但母板200可包括兩個或更多陣列基板。每個陣列基板100被分劃線圍著。當(dāng)完成所有的陣列基板時，從母板200切割出各陣列基板。母板200還包括第一布線測試電路210、縱向短路棒220、第二布線測試電路240和橫向短路棒250。
參照圖2，母板200包括顯示區(qū)DA、圍著顯示區(qū)DA的第一周邊區(qū)PA1和圍著第一周邊區(qū)PA1的第二周邊區(qū)PA2。陣列基板100形成在顯示區(qū)DA和第一周邊區(qū)PA1上。第一布線測試電路210和第二布線測試電路240形成在第一周邊區(qū)PA1上?？v向短路棒220和橫向短路棒250形成在第二周邊區(qū)PA2上。陣列基板100包括在顯示區(qū)DA上形成的像素部分110、在第一周邊區(qū)PA1上形成的第一視覺檢測(V/I)部分120和第二V/I部分130。
再參照圖1，像素部分110包括多個源極線、多個柵極線、薄膜晶體管(TFT)開關(guān)器件、第一電極(或像素電極)和存儲電容器CST。各源極線在第一方向上延伸，各柵極線在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸。各TFT開關(guān)器件包括柵電極、源電極和漏電極，柵電極電連接至柵極線之一，源電極電連接至源極線之一，漏電極電連接至像素電極。
第一V/I部分120包括第一V/I焊盤121、第一V/I線123和多個第一驅(qū)動芯片焊盤125。第一驅(qū)動芯片(未示出)安裝在第一驅(qū)動芯片焊盤125上。第一驅(qū)動芯片焊盤125可根據(jù)源極線分組。例如，第一組第一驅(qū)動芯片焊盤125可對應(yīng)于第(3n-2)個源極線，第二組第一驅(qū)動芯片焊盤125可對應(yīng)于第(3n-1)個源極線，第三組第一驅(qū)動芯片焊盤125可對應(yīng)于第3n個源極線，其中，n是自然數(shù)。在同一組中的第一驅(qū)動芯片焊盤125通過第一V/I線123相互電連接，因而第一V/I線的數(shù)目是三。對于各第一驅(qū)動芯片焊盤125第一V/I焊盤121和第一V/I線123可單獨(dú)形成。根據(jù)2D模式，第一V/I焊盤121可具有分別對應(yīng)于第一組、第二組和第三組第一驅(qū)動芯片焊盤125的三個焊盤。換言之，第一V/I焊盤121的三個焊盤對應(yīng)于各個第一V/I線121。
第二V/I部分130包括第二V/I焊盤131、第二V/I線133和多個第二驅(qū)動芯片焊盤135。第二驅(qū)動芯片(未示出)安裝在第二驅(qū)動芯片焊盤135上。第二驅(qū)動芯片焊盤135可根據(jù)柵極線分組。例如，第一組第二驅(qū)動芯片焊盤135可對應(yīng)于第(2n-1)個柵極線，第二組第二驅(qū)動芯片焊盤135可對應(yīng)于第2n個柵極線，其中，n是自然數(shù)。在同一組中的第二驅(qū)動芯片焊盤135通過第二V/I線133相互電連接，因而第二V/I線的數(shù)目是二。對于各第二驅(qū)動芯片焊盤135第二V/I焊盤131和第二V/I線133可單獨(dú)形成。根據(jù)2G模式，第二V/I焊盤131可具有分別對應(yīng)于第一組和第二組第二驅(qū)動芯片焊盤135的兩個焊盤。換言之，第二V/I焊盤131的兩個焊盤對應(yīng)于各個第二V/I線131。
現(xiàn)在參照圖1和圖2，給第一布線測試電路210施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的源極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)(或連續(xù)性)。第一布線測試電路210包括第一布線測試焊盤213、第二布線測試焊盤215、第一布線測試線212和第二布線測試線214。布線測試對應(yīng)于電壓測試。換言之，布線測試可通過電壓補(bǔ)償或電壓偏差基準(zhǔn)設(shè)定測試來執(zhí)行。具體地講，根據(jù)2D模式，將第一測試信號經(jīng)第一布線測試焊盤213施加到奇數(shù)源極線，將第二測試信號經(jīng)第二布線測試焊盤215施加到偶數(shù)源極線。根據(jù)2G模式，第一布線測試線212電連接至每個奇數(shù)源極線，第二布線測試線214電連接至每個偶數(shù)源極線。沿第一方向形成的縱向短路棒220防止外部靜電直接流入沿第二方向形成的柵極線。縱向短路棒220電連接至奇數(shù)柵極線。給第二布線測試電路240施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的柵極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)。第二布線測試電路240包括第三布線測試焊盤243、第四布線測試焊盤245、第三布線測試線242和第四布線測試線244。
具體地講，根據(jù)2G模式，將第三測試信號經(jīng)第三布線測試焊盤243施加到奇數(shù)柵極線，將第四測試信號經(jīng)第四布線測試焊盤245施加到偶數(shù)柵極線。第三布線測試線242電連接至奇數(shù)柵極線，第四布線測試線244電連接至偶數(shù)柵極線。根據(jù)2G模式，第三布線測試焊盤243是用來將第三測試信號施加到奇數(shù)柵極線的焊盤，第四布線測試焊盤245是用來將第四測試信號施加到偶數(shù)柵極線的焊盤。第三布線測試線242電連接至奇數(shù)柵極線，第四布線測試線244電連接至偶數(shù)柵極線。沿第二方向形成的橫向短路棒250防止外部靜電直接流入沿第一方向形成的源極線。根據(jù)2D模式，橫向短路棒250電連接至奇數(shù)源極線。
如上所示出的，通過將電連接至橫向短路棒250的奇數(shù)源極線251電結(jié)合至由分劃線圍著的像素區(qū)內(nèi)的第一布線測試線212，以及通過將電連接至縱向短路棒220的奇數(shù)柵極線221電結(jié)合至由分劃線圍著的像素區(qū)內(nèi)的第三布線測試線242，防止了靜電損傷。此外，通過將與橫向短路棒250電斷開的源極線255結(jié)合至相鄰第一布線測試線212的第二布線測試線214，以及通過將與縱向短路棒220電斷開的柵極線225結(jié)合至與第三布線測試線242相鄰的第四布線測試線244，將自動滿足用于2G2D測試的條件。
圖3是沿圖2中的I-I′線截取的剖視圖。參照圖2和圖3，第一布線測試線212在母板的第一周邊區(qū)PA1內(nèi)橫向伸展，而第二布線測試線214在第一周邊區(qū)PA1內(nèi)平行于第一布線測試線212伸展?？v向短路棒220在母板的第二周邊區(qū)PA2內(nèi)縱向延伸。第三布線測試線242在母板的第一周邊區(qū)PA1內(nèi)縱向延伸，第四布線測試線244在第一周邊區(qū)PA1內(nèi)平行于第三測試線242延伸。橫向短路棒250在母板的第二周邊區(qū)PA2內(nèi)橫向延伸。
第一柵極線221沿橫向方向從縱向短路棒220延伸，并電連接至第三布線測試線242。第二柵極線225橫向延伸，并電連接至第四布線測試線244?？v向短路棒220可比第一柵極線221和第二柵極線225寬。例如，縱向短路棒220具有的寬度基本上等于或大于第一柵極線221或第二柵極線225的寬度的五倍。
第一源極線251從橫向短路棒250沿縱向方向延伸，并電連接至第一布線測試線212。第二源極線255縱向延伸，并電連接至第二布線測試線214。橫向短路棒250可比第一源極線251和第二源極線255寬。例如，橫向短路棒250的寬度基本上等于或大于第一源極線251或第二源極線255的寬度的五倍。TFT開關(guān)器件和電連接至TFT開關(guān)器件的漏電極的像素電極形成在由兩個相鄰的柵極線和兩個相鄰的源極線限定的顯示區(qū)DA內(nèi)。第一布線測試線212和第二布線測試線214形成在圍著顯示區(qū)DA的第一周邊區(qū)PA1上，橫向短路棒250形成在圍著第一周邊區(qū)PA1的第二周邊區(qū)PA2上。
下文，將參照圖4至圖14解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的母板的制造工藝。圖4是顯示圖2中的母板的第一制造工藝的平面圖。圖5是沿圖4中的II-II′線截取的剖視圖。第一制造工藝包括在柵極金屬的形成過程中形成電連接奇數(shù)柵極線的縱向短路棒。參照圖4和圖5，例如，通過濺射方法在基板上形成導(dǎo)電層。根據(jù)濺射方法，由電場高度加速的電子與氬(Ar)原子碰撞以使氬原子電離成氬離子和電子，然后激發(fā)的氬離子與施加有負(fù)電壓的靶對象碰撞以使靶原子散射，從而散射的靶原子沉積在將要被氣相沉積的基板上。
之后，通過例如光刻技術(shù)工藝使用第一掩模MA1圖案化導(dǎo)電層來形成第一柵極線221、第一柵極焊盤222、第一柵電極223、第二柵極線225、第二柵極焊盤226和第二柵電極227，其中，第一柵極焊盤222電結(jié)合至第一柵極線221的端子，第一柵電極223從第一柵極線221延伸，第二柵極焊盤226電結(jié)合至第二柵極線225的端子，第二柵電極227從第二柵極線225延伸。電連接奇數(shù)柵極線的縱向短路棒220也形成在第二周邊區(qū)PA2上?？v向短路棒220在隨后的過程中分散施加給柵極線的靜電。橫向延伸的第一布線測試線212和平行于第一布線測試線212延伸的第二布線測試線214也形成在第一周邊區(qū)PA1內(nèi)。
圖6是顯示圖2中的母板的第二制造工藝的平面圖。圖7和圖8是沿圖6中的III-III′線截取的剖視圖。參照圖6到圖8，在基板上形成包括例如氮化硅(SiNx)的介電材料的柵極絕緣層230。之后，在基板上形成非晶硅(a-Si)層，在非晶硅(a-Si)層上形成n+非晶硅(n+a-Si)層以形成半導(dǎo)體層232。例如，通過低溫化學(xué)氣相沉積(LTCVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或?yàn)R射方法可形成柵極絕緣層230或非晶硅層。通過例如光刻技術(shù)工藝使用第二掩模MA2圖案化半導(dǎo)體層232來形成薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體圖案。
圖9是顯示圖2中的母板的第三制造工藝的平面圖。圖10和圖11是沿圖9中的IV-IV′線截取的剖視圖。參照圖9至圖11，通過例如濺射法在基板上形成導(dǎo)電層，然后通過例如光刻技術(shù)使用第三掩模MA3圖案化導(dǎo)電層來形成源極線251、從源極線251延伸的源電極253和與源電極253分離的漏電極254。另一種方式是，通過一種光刻技術(shù)工藝使用一個掩?？尚纬砂雽?dǎo)體層232、源極線251、源電極253和漏電極254，使得工藝簡化并去掉了一道掩模工藝。之后，可順序地形成例如氮化硅(SiNx)的鈍化層260和有機(jī)絕緣層262以形成保護(hù)絕緣層?？墒÷杂袡C(jī)絕緣層262。換言之，有機(jī)絕緣層262是可選的。
圖12是顯示圖2中的母板的第五制造工藝的平面圖。圖13是沿圖12中的V-V′線截取的剖視圖。參照圖12和圖13，通過例如光刻技術(shù)工藝使用第四掩模MA4除去設(shè)置在漏電極254上方的部分保護(hù)絕緣層260和262。此外，也除去設(shè)置在柵極焊盤區(qū)上方的部分保護(hù)絕緣層以暴露第一柵極焊盤222和第二柵極焊盤226，也除去設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)上方的部分保護(hù)絕緣層以暴露第一數(shù)據(jù)焊盤252和第二數(shù)據(jù)焊盤256。
更詳細(xì)地講，除去部分保護(hù)絕緣(鈍化)層260和262以形成第一接觸孔CNT1和第二接觸孔CNT2、第三接觸孔CNT3、第四接觸孔CNT4和第五接觸孔CNT5、第六接觸孔CNT6和第七接觸孔CNT7，其中，第一接觸孔CNT1和第二接觸孔CNT2用來將第一柵極線221電連接至第三布線測試線242，第三接觸孔CNT3用來暴露開關(guān)器件的漏電極254，第四接觸孔CNT4和第五接觸孔CNT5用來將第二布線測試線214電連接至第二源極線255，第六接觸孔CNT6和第七接觸孔CNT7用來將第一布線測試線212電連接至第一源極線251。按相同的方式，在保護(hù)絕緣(鈍化)層內(nèi)也形成用來電連接第二柵極線225和第四布線測試線244的接觸孔、用來暴露第一柵極焊盤222和第二柵極焊盤226的接觸孔和用來暴露第一數(shù)據(jù)焊盤252和第二數(shù)據(jù)焊盤256的接觸孔。
圖14是顯示圖2中的母板的第六制造工藝的剖視圖。參照圖2、圖3和圖14，包括例如氧化銦錫(ITO)的透光導(dǎo)電層形成在保護(hù)絕緣層260和262上。通過例如光刻技術(shù)工藝使用第五掩模MA5圖案化透光導(dǎo)電層來形成像素電極271及橋接圖案272、274、276和278。更詳細(xì)地講，第一橋接圖案272將第三布線測試線242電連接至從縱向短路棒220延伸的第一柵極線221。第二橋接圖案274將第四布線測試線244電連接至與縱向短路棒220分離的第二柵極線225。第四橋接圖案276將第二布線測試線214電連接至與橫向短路棒250分離的第二源極線255。第三橋接圖案278將第一布線測試線212電連接至從橫向短路棒250延伸的第一源極線251。因此，可自動地實(shí)現(xiàn)2G2D模式的布線測試。當(dāng)陣列基板與母板分離時，通過短路棒相互電連接的奇數(shù)線相互電分離。于是，由于相鄰的奇數(shù)或偶數(shù)短路棒線之間的電阻均勻，可均勻地實(shí)現(xiàn)V/I工藝。當(dāng)完成V/I工藝時，通過玻璃邊緣研磨方法或激光修整方法除去短路棒，然后執(zhí)行總的測試或安裝驅(qū)動器IC。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一源極線組對應(yīng)于奇數(shù)源極線或偶數(shù)源極線，第二源極線組對應(yīng)于第一源極線之外剩余的源極線。第一柵極線組對應(yīng)于奇數(shù)柵極線或偶數(shù)柵極線，第二柵極線對應(yīng)于第一柵極線之外剩余的柵極線。第一源極線從橫向短路棒延伸，并與第一布線測試線接觸。第二源極線與橫向短路棒分離，并與第二布線測試線接觸。第一柵極線從縱向短路棒延伸，并與第三布線測試線接觸。第二柵極線與縱向短路棒分離，并與第四布線測試線接觸。
因此，通過將電連接至橫向短路棒的奇數(shù)源極線和由分劃線限定的區(qū)域內(nèi)的布線測試線電結(jié)合，可防止在隨后的工藝過程中可能的靜電損傷。此外，通過將與橫向短路棒斷開的偶數(shù)源極線和與第三布線測試線相鄰的第四布線測試線電結(jié)合，自動滿足了用于2G2D V/I測試的條件。奇數(shù)源極線或柵極線可從橫向或縱向短路棒延伸，而偶數(shù)源極線或柵極線與橫向或縱向短路棒分離。
實(shí)施例2圖15是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖。圖16是示出圖15中的部分母板的布局視圖。參照圖15和圖16，根據(jù)本實(shí)施例的母板300包括陣列基板100、第一布線測試電路310、縱向短路棒320、第二布線測試電路340和橫向短路棒350，陣列基板100由由分劃線限定。與圖1中相同的元件用相同的標(biāo)號表示，因此將省略對相同元件的詳細(xì)描述。
如顯示的，母板300包括顯示區(qū)DA、圍著顯示區(qū)DA的第一周邊區(qū)PA1和圍著第一周邊區(qū)PA1的第二周邊區(qū)PA2。陣列基板100形成在顯示區(qū)DA和第一周邊區(qū)PA1上。第一布線測試電路310和第二布線測試電路340形成在第一周邊區(qū)PA1上?？v向短路棒320和橫向短路棒350形成在第二周邊區(qū)PA2上。象如圖1中的情況一樣，示出的母板300僅包括一個陣列基板，但母板300可包括兩個或更多陣列基板。給第一布線測試電路310施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的源極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)(或連續(xù)性)。第一布線測試電路310包括第一布線測試焊盤313、第二布線測試焊盤315、第一布線測試線312和第二布線測試線314。
例如，根據(jù)2D模式，將第一測試信號經(jīng)第一布線測試焊盤313施加到奇數(shù)源極線，將第二測試信號經(jīng)第二布線測試焊盤315施加到偶數(shù)源極線。第一布線測試線312電連接至奇數(shù)源極線，而第二布線測試線314電連接至偶數(shù)源極線。沿第一方向形成的縱向短路棒320防止外部靜電直接流入沿第二方向形成的柵極線。根據(jù)1G模式，縱向短路棒320電連接?xùn)艠O線?？v向短路棒320設(shè)置在第二布線測試電路340的外面。
給第二布線測試電路340施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的多個柵極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)(或連續(xù)性)。第二布線測試電路340包括第三布線測試焊盤343、第四布線測試焊盤345、第三布線測試線342和第四布線測試線344。具體地講，根據(jù)2G模式，將第三測試信號經(jīng)第三布線測試焊盤343施加到奇數(shù)柵極線，將第四測試信號經(jīng)第四布線測試焊盤345施加到偶數(shù)柵極線。第三布線測試線342電連接至奇數(shù)柵極線，第四布線測試線344電連接至偶數(shù)柵極線。沿第二方向形成的橫向短路棒350防止外部靜電直接流入沿第一方向形成的源極線。根據(jù)2D模式，橫向短路棒350電連接奇數(shù)源極線。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，第一源極線代表奇數(shù)源極線或偶數(shù)源極線，第二源極線代表第一源極線之外剩余的源極線。第一源極線從橫向短路棒延伸，并與第一布線測試線接觸。第二源極線與橫向短路棒分離，并與第二布線測試線接觸。
因此，通過將電連接至橫向短路棒的奇數(shù)源極線和由分劃線限定的區(qū)域內(nèi)的布線測試線電結(jié)合，能夠防止在隨后的工藝過程中的靜電損傷。此外，通過將與橫向短路棒斷開的源極線和與第三布線測試線相鄰的第四布線測試線結(jié)合，自動滿足了用于1G2D測試的條件。
實(shí)施例3圖17是示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例與陣列基板對應(yīng)的部分母板的平面圖。圖18是示出圖17中的部分母板的平面圖。參照圖17和圖18，根據(jù)本實(shí)施例的母板400包括陣列基板100、第一布線測試電路410、縱向短路棒420、第二布線測試電路440和橫向短路棒450，陣列基板100由由分劃線限定。與圖1中相同的元件用相同的標(biāo)號表示，因此將省略對相同元件的詳細(xì)描述。
母板400被劃分為顯示區(qū)DA、圍著顯示區(qū)DA的第一周邊區(qū)PA1和圍著第一周邊區(qū)PA1的第二周邊區(qū)PA2。陣列基板100形成在顯示區(qū)DA和第一周邊區(qū)PA1上。第一布線測試電路410和第二布線測試電路440形成在第一周邊區(qū)PA1上?？v向短路棒420和橫向短路棒450形成在第二周邊區(qū)PA2上。在圖17和圖18中，示出的母板400僅包括一個陣列基板，但母板400可包括兩個或更多陣列基板。
給第一布線測試電路410施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的源極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)(或連續(xù)性)。第一布線測試電路410包括第一布線測試焊盤413、第二布線測試焊盤415、第一布線測試線412和第二布線測試線414。例如，根據(jù)2D模式，將第一測試信號經(jīng)第一布線測試焊盤413施加到奇數(shù)源極線，將第二測試信號經(jīng)第二布線測試焊盤415施加到偶數(shù)源極線。第一布線測試線412電連接至奇數(shù)源極線，而第二布線測試線414電連接至偶數(shù)源極線。沿第一方向形成的縱向短路棒420防止外部靜電直接流入沿第二方向形成的柵極線。根據(jù)2G模式，縱向短路棒420電連接至在多個柵極線之中的奇數(shù)柵極線。給第二布線測試電路440施加測試信號用于測試在陣列基板100上形成的多個柵極線的電氣運(yùn)行狀態(tài)。第二布線測試電路440包括第二布線測試焊盤443和445、第二布線測試線442和444。
根據(jù)2G模式，第二布線測試焊盤443將第一測試信號施加到奇數(shù)柵極線，而第二布線測試焊盤445將第二測試信號施加到偶數(shù)柵極線。第二布線測試線442電連接至奇數(shù)柵極線，而第二布線測試線444電連接至偶數(shù)柵極線。橫向短路棒450防止外部靜電直接流入在基板100上縱向形成的源極線。根據(jù)1D模式，橫向短路棒450可包括將源極線約束到第一布線測試電路410最外部上的縱向形成的線。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，第一源極線代表奇數(shù)源極線或偶數(shù)源極線，第二源極線代表第一源極線之外剩余的柵極線。第一源極線從橫向短路棒延伸，并與第一布線測試線接觸。第二源極線與橫向短路棒分離，并與第四布線測試線接觸。
因此，通過將連接至縱向短路棒的奇數(shù)柵極線和由分劃線限定的區(qū)域內(nèi)的布線測試線電結(jié)合，可避免在隨后的工藝過程中可能的靜電損傷。此外，通過將與縱向短路棒斷開的柵極線和與第三布線測試線相鄰的第四布線測試線結(jié)合，自動滿足了用于2G1D測試的條件。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，結(jié)合至橫向短路棒的源極線與第一布線測試線連接，并且結(jié)合至縱向短路棒的柵極線與第三布線測試線連接，從而該實(shí)施例可防止母板受到靜電的損傷。此外，未結(jié)合至橫向短路棒的源極線與第二布線測試線連接，并且未結(jié)合至縱向短路棒的柵極線與第四布線測試線連接，從而該實(shí)施例可容易地完成2G2D測試條件，而且可不需要例如用以除去1G1D線的金屬蝕刻工藝和激光修整工藝等附加工藝。在V/I工藝中，由于奇數(shù)線和偶數(shù)線之間的表面電阻經(jīng)過調(diào)整，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可提高測試工藝的探測能力，從而降低了在顯示產(chǎn)品中的亮度偏差。甚至在形成像素電極期間形成橋接圖案之前，柵極線和源極線分別相互連接，從而根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例可使因靜電造成的不良效果最小化。
盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對這里描述的實(shí)施例進(jìn)行各種改變、替代和變動。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括第一測試線，在基板上形成并沿第一方向延伸；第二測試線，基本平行于所述第一測試線設(shè)置；第一源極線組，沿第二方向延伸并基本垂直于所述第一方向設(shè)置，所述第一源極線組電連接至所述第一測試線；第二源極線組，沿所述第二方向延伸，所述第二源極線組電連接至所述第二測試線；多個柵極線，每個柵極線沿所述第一方向延伸；開關(guān)器件，在由所述第一源極線組、所述第二源極線組和所述多個柵極線圍著的區(qū)域上形成。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括電結(jié)合至所述開關(guān)器件的像素電極層，其中，所述第一測試線和所述第一源極線組通過由與所述像素電極層材料相同的材料組成的橋接圖案相互電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括電結(jié)合至所述開關(guān)器件的像素電極層，其中，所述第二測試線和所述第二源極線組通過由與所述像素電極層材料相同的材料組成的橋接圖案相互電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一源極線組對應(yīng)于奇數(shù)源極線，所述第二源極線組對應(yīng)于偶數(shù)源極線。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第一源極線組對應(yīng)于偶數(shù)源極線，所述第二源極線組對應(yīng)于奇數(shù)源極線。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括像素電極，電結(jié)合至所述開關(guān)器件；第一橋接圖案，將所述第一源極線和所述第一測試線電結(jié)合，其中，所述像素電極和所述第一橋接圖案形成于相同的層。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括像素電極，電結(jié)合至所述開關(guān)器件；第二橋接圖案，將所述第二源極線與所述第二測試線電結(jié)合，其中，所述像素電極和所述第二橋接圖案形成于相同的層。
8.一種陣列基板，包括第一測試線，沿第一方向延伸；第二測試線，基本平行于所述第一測試線設(shè)置；第一柵極線組，沿第二方向延伸并基本垂直于所述第一方向設(shè)置，所述第一柵極線組電連接至所述第一測試線；第二柵極線組，沿所述第二方向延伸，所述第二柵極線組電連接至所述第二測試線；源極線，沿所述第一方向延伸；開關(guān)器件，在由所述第一柵極線組、所述第二柵極線組和所述源極線圍著的區(qū)域上形成。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中，所述第一柵極線組對應(yīng)于奇數(shù)柵極線，所述第二柵極線組對應(yīng)于偶數(shù)柵極線。
10.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中，所述第一柵極線組對應(yīng)于偶數(shù)柵極線，所述第二柵極線組對應(yīng)于奇數(shù)柵極線。
11.一種陣列基板，包括第一測試線，沿第一方向延伸；第二測試線，基本平行于所述第一測試線設(shè)置；第一柵極線組，沿第二方向延伸并基本垂直于所述第一方向設(shè)置，所述第一柵極線組電連接至所述第一測試線；第二柵極線組，沿所述第二方向延伸，所述第二柵極線組電連接至所述第二測試線；第三測試線，沿所述第二方向延伸；第四測試線，基本平行于所述第三測試線設(shè)置；第一源極線組，沿所述第一方向延伸，所述第一源極線組電連接至所述第三測試線；第二源極線組，沿所述第一方向延伸，所述第二源極線組電連接至所述第四測試線；開關(guān)器件，在由所述第一源極線組、所述第二源極線組、所述第一柵極線組和所述第二柵極線組圍著的區(qū)域上形成。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中，所述第一源極線組對應(yīng)于奇數(shù)源極線，所述第二源極線組對應(yīng)于偶數(shù)源極線。
13.如權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中，所述第一柵極線組對應(yīng)于奇數(shù)柵極線，所述第二柵極線組對應(yīng)于偶數(shù)柵極線。
14.一種制造陣列基板的方法，包括形成沿第一方向延伸的第一測試線、第二測試線和柵極線；形成沿所述第一方向延伸的短路棒、沿基本垂直于所述第一方向的第二方向從所述短路棒延伸的第一源極線、與所述第一源極線分離的第一漏電極、與所述短路棒分離地沿所述第二方向延伸的第二源極線、與所述第二源極線分離的第二漏電極，其中，所述第一源極線和所述第一漏電極限定第一開關(guān)器件，所述第二源極線和所述第二漏電極限定第二開關(guān)器件；形成將所述第一測試線電結(jié)合至所述源極線的第一橋接圖案、將所述第二測試線電結(jié)合至所述第二源極線的第二橋接圖案、電連接所述第一開關(guān)器件的第一像素電極層、電連接至所述第二開關(guān)器件的第二像素電極層。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一測試線和所述第二測試線形成在圍著顯示區(qū)的第一周邊區(qū)內(nèi)，所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件形成在所述顯示區(qū)上，所述短路棒形成在圍著所述第一周邊區(qū)的第二周邊區(qū)內(nèi)，所述方法還包括沿圍著所述第二周邊區(qū)的分劃線切割所述陣列基板。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一測試線和所述第二測試線形成在圍著所述顯示區(qū)的所述第一周邊區(qū)內(nèi)，所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件形成在所述顯示區(qū)上，所述短路棒形成在圍著所述第一周邊區(qū)的所述第二周邊區(qū)內(nèi)，所述第一源極線形成在所述第一周邊區(qū)、所述第二周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上，所述第二源極線形成在所述第一周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述第一橋接圖案和所述第二橋接圖案及所述第一像素電極層和所述第二像素電極層，包括形成鈍化層；在所述鈍化層上形成接觸孔，所述接觸孔分別暴露所述第一測試線和所述第一源極線、所述第二測試線和所述第二源極線、所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件的所述漏電極。
18.一種制造陣列基板的方法，包括形成沿第一方向延伸的第一測試線和第二測試線、沿基本垂直于所述第一方向的第二方向延伸的第二短路棒、沿所述第一方向從所述第二短路棒延伸的第一柵極線、沿所述第一方向延伸并與所述第二短路棒分離的第二柵極線組；形成沿所述第二方向延伸的第三測試線和第四測試線、沿所述第一方向延伸的第一短路棒、沿所述第二方向從所述第一短路棒延伸的第一源極線組、按預(yù)定的距離與所述第一源極線分離的第一漏電極、與所述第一短路棒分離并沿所述第二方向延伸的第二源極線組、與所述第二源極線組分離的第二漏電極，其中所述第一源極線組和所述第一漏電極限定第一開關(guān)器件，所述第二源極線組和所述第二漏電極限定第二開關(guān)器件；形成將所述第一測試線電結(jié)合至所述源極線的第一橋接圖案、將所述第二測試線電結(jié)合至所述第二源極線的第二橋接圖案、將所述第三測試線電結(jié)合至所述第二柵極線的第三橋接圖案、將所述第四測試線電結(jié)合至所述第二柵極線的第四橋接圖案、電連接至所述第一開關(guān)器件的第一像素電極層、電連接至所述第二開關(guān)器件的第二像素電極層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一測試線和所述第二測試線形成在圍著顯示區(qū)的第一周邊區(qū)內(nèi)，所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件形成在所述顯示區(qū)上，所述第一短路棒和所述第二短路棒形成在圍著所述第一周邊區(qū)的第二周邊區(qū)內(nèi)，所述方法還包括沿圍著所述第二周邊區(qū)的分劃線切割所述陣列基板。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第一測試線和所述第二測試線形成在圍著所述顯示區(qū)的所述第一周邊區(qū)內(nèi)，所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件形成在所述顯示區(qū)上，所述第一短路棒形成在圍著所述第一周邊區(qū)的所述第二周邊區(qū)內(nèi)，所述第一源極線形成在所述第一周邊區(qū)、所述第二周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上，所述第二源極線形成在所述第一周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述第三測試線和所述第四測試線形成在圍著所述顯示區(qū)的所述第一周邊區(qū)內(nèi)，所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件形成在所述顯示區(qū)上，所述第二短路棒形成在圍著所述第一周邊區(qū)的所述第二周邊區(qū)內(nèi)，所述第一柵極線形成在所述第一周邊區(qū)、所述第二周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上，所述第二柵極線形成在所述第一周邊區(qū)和所述顯示區(qū)上。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成所述第一橋接圖案和所述第二橋接圖案及所述第一像素電極層和所述第二像素電極層，包括形成鈍化層；在所述鈍化層上形成接觸孔，所述接觸孔分別暴露所述第一測試線和所述第一源極線、所述第二測試線和所述第二源極線、所述第三測試線和所述第一柵極線、所述第四測試線和所述第二柵極線、所述第一開關(guān)器件和所述第二開關(guān)器件的所述漏電極。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，陣列基板包括第一測試線、第二測試線、第一源極線組、第二源極線組、多個柵極線和開關(guān)器件。第一測試線沿第一方向延伸。第二測試線基本平行于第一測試線。第一源極線組沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸，并電連接至第一測試線。第二源極線組沿第二方向延伸并電連接至第二測試線。每個柵極線沿第一方向延伸。開關(guān)器件形成在由第一源極線、第二源極線和柵極線圍著的區(qū)域上。因此，可減少由制造過程中產(chǎn)生的靜電引起的缺陷。
文檔編號G02F1/136GK1740881SQ200510092930
公開日2006年3月1日 申請日期2005年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月24日
發(fā)明者金東奎 申請人:三星電子株式會社