專利名稱：薄膜晶體管陣列面板及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及薄膜晶體管陣列面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是普通類型的平面面板顯示器。液晶顯示器包括設(shè)置有場生成電極的兩個(gè)面板、以及夾置于其間的液晶(LC)層。通過向場生成電極施加電壓以在液晶層中產(chǎn)生電場，液晶顯示器可顯示圖像，該電場改變液晶層中的液晶分子的定向以調(diào)節(jié)入射光的偏振。
然而，液晶顯示器的弊端在于其具有非常窄的視角。為了克服這種弊端提出了擴(kuò)大視角的多種技術(shù)，例如，將液晶分子垂直排成一排并在例如像素電極和共電極的場發(fā)生電極處形成切開部或凸起。
例如，當(dāng)像素電極和共電極分別具有切開部時(shí)，該切開部產(chǎn)生傾斜的電場，并且該傾斜的電場控制液晶的落下方向。液晶落下方向的控制可以擴(kuò)大液晶顯示器的視角。
例如，當(dāng)像素電極和共電極分別具有凸起時(shí)，該凸起形成在像素電極和共電極上，并產(chǎn)生傾斜的電場，該傾斜的電場控制液晶的落下方向。
可以應(yīng)用另外的方法，如在像素電極和共電極上形成切開部和凸起來控制液晶的落下方向。
應(yīng)用切開部或凸起的液晶顯示器在各個(gè)方向具有大約80度以上的視角，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)1∶10對(duì)比度以及灰度級(jí)翻轉(zhuǎn)，其中發(fā)生亮度翻轉(zhuǎn)的角度為標(biāo)準(zhǔn)角，其具有改進(jìn)的對(duì)比度。然而，該液晶顯示器表現(xiàn)出很差的可視性，即很差的扭轉(zhuǎn)向列式的液晶顯示器。很差的可視性式由正面和側(cè)面之間的伽馬曲線的失真所產(chǎn)生的。
例如，在應(yīng)用切開部的垂直排列式液晶顯示器中，由于視角的增加，畫面變得更亮并且顏色趨于白色。當(dāng)這種現(xiàn)象繼續(xù)時(shí)，由于灰度級(jí)之間的亮度差消失，圖像變得扭曲。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種正面和側(cè)面之間具有很小色調(diào)差并且具有高透射率的薄膜晶體管。
本發(fā)明的其余特征將在以下的描述中進(jìn)行闡釋，并且部分地通過以下的描述將會(huì)顯而易見，或者通過本發(fā)明的實(shí)踐而獲得。
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，包括絕緣基片；形成在絕緣基片上的多條第一信號(hào)線；與第一信號(hào)線交叉并且與第一信號(hào)線絕緣的多個(gè)第二信號(hào)線；耦合在第一及第二信號(hào)線上的多個(gè)薄膜晶體管；以及分別包括與薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極及與第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極的多個(gè)像素。其中第二子像素電極相對(duì)第一子像素電極的電壓比具有至少兩個(gè)不同的值。
本發(fā)明還公開了一種薄膜晶體管陣列面板，其包括絕緣基片；形成在絕緣基片上的多條第一信號(hào)線；與第一信號(hào)線交叉并且與第一信號(hào)線絕緣的多條第二信號(hào)線；與第一及第二信號(hào)線耦合的多個(gè)薄膜晶體管；以及包括與薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極、與薄膜晶體管耦合的耦合電極、以及與耦合電極重疊的第二子像素電極的多個(gè)像素，其中耦合電極與第二子像素電極的重疊面積具有至少兩個(gè)不同的值。
本發(fā)明還公開了一種液晶顯示器，其包括絕緣基片；形成在絕緣基片上的多條第一信號(hào)線；與第一信號(hào)線交叉并且與第一信號(hào)線絕緣的多條第二信號(hào)線；與第一及第二信號(hào)線耦合的多個(gè)薄膜晶體管；以及包括與薄膜晶體管連接的多個(gè)第一子像素電極和與第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極的多個(gè)像素，其中，多個(gè)像素包括紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素，并且紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素的第二子像素電極相對(duì)第一子像素電極的電壓比不同，從而，與紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素中的不具有不同電壓比的相比，在灰度電平中側(cè)面位置的紅色組分、綠色組分、以及藍(lán)色組分的亮度更接近灰度電平中前方位置的紅色組分、綠色組分、以及藍(lán)色組分的亮度比。
本發(fā)明還公開了一種液晶顯示器，其包括絕緣基片；形成在絕緣基片上的多條第一信號(hào)線；與第一信號(hào)線交叉并且與第一信號(hào)線絕緣的多條第二信號(hào)線；與第一及第二信號(hào)線耦合的多個(gè)薄膜晶體管；以及包括與薄膜晶體管連接的多個(gè)第一子像素電極和與第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極的多個(gè)像素，其中第二子像素電極的面積相對(duì)第一子像素的面積之比，具有至少兩個(gè)不同的值。
應(yīng)該明了上述的概述以及以下的詳細(xì)說明都是示范性的和解釋性的，并且將要提供對(duì)所要保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步地解釋。


附圖可提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步地理解，并且被包括在內(nèi)作為說明書的組成部分，其示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且和說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的濾色面板的布局圖；圖3是根據(jù)圖1及圖2所示的實(shí)施例的液晶顯示器的紅色像素的布局圖；圖4是沿圖3中的IV-IV′線截取的液晶顯示器的截面圖；圖5是圖1、2、3、和4中所示的液晶顯示器的電路圖；圖6示出了關(guān)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的伽馬曲線；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖8是沿圖7中的VIII-VIII′線截取的薄膜晶體管陣列面板的截面圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；
圖10是沿圖9中的X-X′線截取的包括薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器的截面圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖12是沿圖11中的XII-XII′線截取的包括膜晶體管陣列面板的液晶顯示器的截面圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，現(xiàn)參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。但是本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式，它不局限于在此說明的實(shí)施例。
在附圖中，為了清楚，擴(kuò)大了各層的厚度及區(qū)域。在全篇說明書中對(duì)相同元件附上相同的符號(hào)，應(yīng)當(dāng)理解的是當(dāng)提到層、膜、區(qū)域、或基板等元件在別的部分“之上”時(shí)，指其直接位于別的元件之上，或者也可能有別的元件介于其間。相反，當(dāng)某個(gè)元件被提到“直接”位于別的部分之上時(shí)，指并無別的元件介于其間。
下面，參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器以及液晶顯示器的薄膜晶體管。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的濾色面板的布局圖。圖3是根據(jù)圖1及圖2所示的實(shí)施例的液晶顯示器紅色像素的布局圖。圖4是沿圖3中的IV-IV′線截取的液晶顯示器的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，液晶顯示器包括薄膜晶體管陣列面板100；共電極面板200；以及設(shè)置在面板100和200之間的、并且包括多個(gè)相對(duì)于面板100和200的表面垂直排列的液晶分子的液晶層3。
下面，對(duì)薄膜晶體管陣列面板100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
由諸如玻璃的透明絕緣材料制成的絕緣基片110上形成由氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成的多個(gè)第一及第二像素電極190a、190b。第一像素電極190a連接在薄膜晶體管上并接收數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。第二像素電極190b與連接在第一像素電極190a的耦合電極176重疊。因此，第二像素電極190b與第一像素電極190a電性耦合(電容性耦合)。
在紅色、綠色、及藍(lán)色像素中，第二像素電極190b與耦合電極176重疊的面積不同。
在絕緣基片110下面附著偏光板12。當(dāng)認(rèn)為是反射性的液晶顯示器時(shí)，第一及第二像素電極190a、190b可以由不透明材料制成?？梢岳斫猓绻匾部墒÷云獍?2。
下面，對(duì)濾色片面板200的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
由諸如玻璃的透明絕緣材料制成的絕緣基片210上面形成防止漏光的光阻擋層220；紅、綠、藍(lán)濾色片230；及由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制成的共電極270。
共電極270包括切開部(cutout)271、272、273。光阻擋層220可形成在與切開部271、272、273重疊的區(qū)域上，還形成在像素區(qū)域附近以防止由切開部271、272、273所導(dǎo)致的漏光。
在兩個(gè)顯示板100、200的內(nèi)表面上分別形成定向液晶分子的定向?qū)?1、21，定向?qū)?1、21可以相對(duì)于基片110和210的表面垂直取向液晶分子，但也可以不需要。
下面，將參照?qǐng)D1、4、和5對(duì)薄膜晶體管陣列面板100進(jìn)行說明。
在絕緣基片110上形成多條柵極線121和多條儲(chǔ)能電極線131。
柵極線121基本上沿橫向延伸，且各柵極線121包括上下凸出的多個(gè)凸出柵極電極124等的凸起，以及用于連接外部電路的擴(kuò)展部129或端部。除了柵極電極124以外擴(kuò)展部129可大于柵極線121的其它部分。
柵極線121傳輸柵極信號(hào)并且基本上沿橫向延伸。柵極線121的擴(kuò)展部129具有足夠大的面積用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸。用于生成柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可以安裝或附著在柔性印刷電路(FPC)薄膜(未示出)上。柔性印刷電路可與基片110附著，直接安裝在基片110上，或集成在基片110上。柵極線121可延伸并且與可集成在基片110上的驅(qū)動(dòng)電路連接。
各儲(chǔ)能電極線131基本上沿橫向延伸，并包括多組儲(chǔ)能電極133a、133b、133c。兩個(gè)儲(chǔ)能電極133a、133b基本上沿縱向延伸，并且與橫向儲(chǔ)能電極133c連接。儲(chǔ)能線電極131可包括兩個(gè)或多個(gè)橫向線。儲(chǔ)能電極線131可設(shè)置在兩個(gè)鄰近的柵極線121的近似中心的部分處。
柵極線121及儲(chǔ)能電極線131由諸如Al、Al合金的含Al金屬、諸如Ag、Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu或Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo或Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ti、或Ta制成。柵極線121具有包括具有不同物理特性的兩層導(dǎo)電薄膜的多層結(jié)構(gòu)。兩層薄膜中的一層可由包括有含Al金屬、含Ag金屬、含Cu金屬的低電阻率金屬制成，用于減少信號(hào)的延遲或壓降。另一層薄膜可由諸如含Mo金屬、含Cr金屬、含Ta金屬、或含Ti金屬材料制成，這些材料與諸如氧化銦錫或氧化銦鋅一起具有良好的物理、化學(xué)、以及電接觸特性。此外，可以用不是上述材料的多種金屬或?qū)w制成柵極線121和儲(chǔ)能電極線131。
柵極線121和儲(chǔ)能電極線131的側(cè)面傾斜或呈角度，并且側(cè)面與基片110表面的傾斜角約為30-80度。
柵極線121和儲(chǔ)能電極線131上可形成由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層140。
柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)漏極電極175、及多個(gè)橋下金屬件172。
各數(shù)據(jù)線171基本上在縱向延伸，并具有向漏極電極175延伸的多個(gè)源極電極173。
各數(shù)據(jù)線171包括可比數(shù)據(jù)線寬的擴(kuò)展部179，以使該擴(kuò)展部179與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸。
漏極電極175可延伸形成耦合電極176?？蓪Ⅰ詈想姌O176彎成近似“V”字的形狀。紅色、綠色、及藍(lán)色像素的耦合電極176具有不同的長度。在紅色(R)像素中的耦合電極176最長、在藍(lán)色(B)像素中的耦合電極176第二長，在綠色(G)像素中的耦合電極176最短。
橋下金屬件172位于柵極電極124附近的柵極線121上。
數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、及橋下金屬件172可由諸如Cr、Ti、Ta、Mo或其合金的難熔金屬制成。然而，它們可具有包括難熔金屬薄膜(未示出)以及由諸如含Al金屬、含Ag金屬、以及含Cu金屬的金屬制成的低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)線171及漏極電極175下面形成多個(gè)半導(dǎo)體帶151，并且該半導(dǎo)體帶151基本上沿縱向延伸。由氫化的非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅制成各半導(dǎo)體帶151并且其具有向柵極電極124、源極電極173、及漏極電極175延伸的分支以形成薄膜晶體管通道154。
底層半導(dǎo)體帶151與其上的重疊數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175之間僅可夾置歐姆接觸帶161和165，以降低其間的接觸阻抗。歐姆接觸帶和島161和165可由硅化物或重?fù)诫s有n型雜質(zhì)(例如，磷)的n+氫化非晶硅制成。各歐姆接觸帶161寶庫多個(gè)凸出部163。凸出部163和歐姆接觸島165可成對(duì)地位于半導(dǎo)體帶151的凸出部154上。
可在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、及橋下金屬件172上形成由具有良好平面化特性且具有感光性的有機(jī)材料，諸如通過等離子化學(xué)氣相沉積形成的a-Si:C:O、a-Si:O:F的低介電材料，或諸如氮化硅的無機(jī)材料制成的鈍化層180。鈍化層180可以由這些材料中的一種形成單層或通過這些材料組合形成多層。例如，鈍化層180可包括氮化硅底層和有機(jī)材料的頂層，反之亦然。
鈍化層180包括分別露出一部分漏極電極175和數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)展部179的一部分的多個(gè)接觸孔185、182。鈍化層180和柵極絕緣層140包括分別露出柵極線121的擴(kuò)展部129和儲(chǔ)能電極線131的兩個(gè)部分的多個(gè)接觸孔181、184、183。
在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190、多個(gè)接觸輔助部81、82、及多個(gè)儲(chǔ)能橋84。像素電極190、接觸輔助部81、82及儲(chǔ)能橋84可由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料或諸如Al、Ag、或其合金的反光導(dǎo)電材料制成。
各像素電極190包括第一子像素電極190a和第二子像素電極190b。第一子像素電極190a通過接觸孔185與漏極175連接(例如，耦合)。第二子像素電極190b則與第一子像素電極190a電容性耦合并與其電浮動(dòng)(floated)。在紅色、藍(lán)色、綠色像素中的第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間形成的耦合電容不同。
由于耦合電極176的長度縮短，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間形成的耦合電容按紅色、藍(lán)色、綠色像素的順序降低。可根據(jù)諸如耦合電極176的寬度和位置差異，而不是通過長度差異使第一子像素電極190a與第二子像素電極190b的耦合電容在紅色、藍(lán)色、綠色像素中的第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間形成的耦合電容不同。在任何情況下，耦合電極176與第二子像素電極190b的重疊面積決定了耦合電容器的電容并且電容隨重疊面積的增大而增加。
可將分隔第一子像素電極190a與第二子像素電極190b的切開部191、193、194分成與柵極線121形成45度角的傾斜部分191、193和與柵極線121垂直的縱向部分194。兩個(gè)傾斜部分191、193一起形成大約90度。
第二子像素電極190b具有切開部192，其從第二子像素190b的右側(cè)開始并且向左側(cè)延伸。且由于第二子像素電極190b的切角，切開部191的入口變寬。
第一子像素電極190a與第二子像素電極190b基本上關(guān)于像素的縱向中心線對(duì)稱。
儲(chǔ)能橋84與柵極線121交叉并且與設(shè)置在柵極線121各側(cè)的兩個(gè)儲(chǔ)能線連接。儲(chǔ)能橋84通過接觸孔183、184與儲(chǔ)能電極133a及儲(chǔ)能電極線131接觸。儲(chǔ)能布線連接橋84與橋下金屬件172重疊。儲(chǔ)能橋84電連絕緣基片110上的各儲(chǔ)能電極線131。
儲(chǔ)能電極線131可用于修補(bǔ)柵極線121或數(shù)據(jù)線171的不足?？赏ㄟ^激光實(shí)現(xiàn)這種修補(bǔ)。橋下金屬件172提供了柵極線121和儲(chǔ)能橋84的電連接。
接觸輔助部81、82分別通過接觸孔181、182連接在柵極線121的擴(kuò)展部129和數(shù)據(jù)線171的擴(kuò)展部179上。
下面，參照?qǐng)D2、3和4具體說明共電極顯示板200。
在絕緣基片210上形成用于防止漏光的光阻擋部件(稱為黑底)220。光阻擋部件220可具有多個(gè)面對(duì)像素電極190的開口并且可具有與像素電極190平面形狀相同的形狀。
此外，多個(gè)濾色片230形成在基片210上并且基本上位于由光阻擋部件220包圍的區(qū)域內(nèi)，并且可與光阻擋部件220的邊緣部分重疊。濾色片230可基本上沿像素電極190在縱向上延伸。濾色片230可呈現(xiàn)諸如紅色、綠色、以及藍(lán)色的原色中的一種。
在濾色片230和光阻擋部件220上形成覆蓋層250。覆蓋層250由(有機(jī))絕緣體制成并且覆蓋層250防止露出濾色片230，并提供基本上平坦的表面。
在覆蓋層250上形成共電極270。共電極270由ITO或IZO等透明導(dǎo)電材料制成并且具有多組切開部271、272、273。
一組切開部271、272、273包括傾斜部分和端部。切開部271、272、273的傾斜部分基本上與子像素電極190a、190b之間的切開部的傾斜部分191、193平行。傾斜部分191、193位于切開部271、272、273的傾斜部分之間。端部與像素區(qū)域的界線重疊并且包括基本上縱向的端部和基本上橫向的端部。
液晶顯示器包括薄膜晶體管陣列面板100、面對(duì)薄膜晶體管陣列面板100并且從中分離出預(yù)定空間的濾色片陣列面板200，以及填入或設(shè)置在預(yù)定空間中的液晶層3。
當(dāng)組裝兩個(gè)面板100、200時(shí)，共電極270的切開部271、272、273將兩個(gè)像素電極190a、190b分別分為多個(gè)子區(qū)域。在本實(shí)施例中，如圖3所示，將兩個(gè)像素電極190a、190b分別分為4個(gè)子區(qū)域。如圖3所示，各子區(qū)域具有兩個(gè)平行的長邊和若干個(gè)短邊。因此，子區(qū)域具有寬度方向和長度方向。
位于像素電極190的各子區(qū)域和對(duì)應(yīng)的共電極270的各子區(qū)域之間的各液晶層3部分成為小區(qū)域。這些小區(qū)域按照位于其內(nèi)部的液晶的平均長軸方向被分為4種。下面，將小區(qū)域稱為域。
第一子像素電極190a通過接觸孔181與漏極電極175物理和電耦合或連接。第二子像素電極190b物理和電浮動(dòng)并且重疊于耦合電極176以形成關(guān)于第一子像素電極190a的耦合電容。因此，第二子像素電極190b的電壓取決于第一子像素電極190a的電壓。第二子像素電極190b電壓相對(duì)共電壓總是小于第一子像素電極190a的電壓的共電壓。
當(dāng)像素區(qū)域包括具有兩個(gè)不同電場的像素區(qū)域時(shí)，通過在兩個(gè)區(qū)域中的相互補(bǔ)償改進(jìn)側(cè)面可視性。
下面，參照?qǐng)D5詳細(xì)說明第一子像素電極190a和第二子像素電極190b的耦合關(guān)系。
圖5是圖1、2、3、和4中所示的液晶顯示器的電路圖。
圖5中，Clca表示第一子像素電極190a與共電極270之間形成的液晶電容，Cst表示第一子像素電極190a與儲(chǔ)能電極線131之間形成的儲(chǔ)能電容。Clcb表示第二子像素電極190b與共電極270之間形成的液晶電容，Ccp表示第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間形成的耦合電容。
設(shè)共電極270電壓的第一子像素電極190a電壓為Va，第二子像素電極190b的電壓為Vb時(shí)，根據(jù)電壓分配法則，如下Vb＝Va×[Ccp/(Ccp+Clcb)]，由于Ccp/(Ccp+Clcb)必須小于1，因此Vb必須小于Va。
耦合電容Ccp的調(diào)節(jié)可以通過改變耦合電極176與第二子像素電極190b之間的重疊面積和距離實(shí)現(xiàn)。改變耦合電極176的寬度來容易調(diào)節(jié)重疊面積。耦合電極176與第二子像素電極190b之間的距離可通過改變耦合電極176的位置來調(diào)節(jié)。即，在本實(shí)施例中，耦合電極176與數(shù)據(jù)線171形成在同一層上。然而，應(yīng)該明了可應(yīng)用其它不同的結(jié)構(gòu)。
例如，可以在柵極線121的同一層上形成與第二子像素電極190b耦合的耦合輔助電極(未示出)，并且耦合電極176與耦合輔助電極電容性耦合以向第二子像素電極190b施加電壓。這樣，插入耦合電極176與耦合輔助電極之間的柵極絕緣層140為耦合電容器的主電介質(zhì)。在當(dāng)鈍化層180由低電容率的厚有機(jī)材料制成時(shí)，可應(yīng)用該結(jié)構(gòu)，因此由鈍化層180形成的耦合電容不足。而且，可組合這些結(jié)構(gòu)使用柵極絕緣層140和鈍化層180作為耦合電容的電介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，由于耦合電容的差異和/或由于兩個(gè)子像素電極190a和190b面積的不同比率，在紅色、綠色、藍(lán)色像素中兩個(gè)子像素電極190a和190b之間的電壓差和透射率不同。由此，改進(jìn)了在任意視角關(guān)于記憶色的液晶顯示器的彩色重現(xiàn)特性并且保持很高的像素透射率。在這里，記憶色是指被人腦識(shí)別或記憶的顏色。當(dāng)在側(cè)面的關(guān)于記憶色的可視性相比于正面降低時(shí)，顯示質(zhì)量也將下降。
下面，參照附圖詳細(xì)說明用于改進(jìn)關(guān)于特定顏色側(cè)面可視性的方法。
圖6示出了關(guān)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的伽馬曲線。實(shí)線(a)是視角為0的正面伽馬曲線，虛線(b)是具有未被分割像素的液晶顯示器的側(cè)面角的伽馬曲線，粗實(shí)線(c)和粗虛線(d)是具有被分割像素(例如，各像素具有不同電壓的兩個(gè)子像素電極)的液晶顯示器的側(cè)面角的伽馬曲線，在粗實(shí)線(c)和粗虛線(d)之間的兩個(gè)子像素電極的電壓比不同。
如圖6所示，當(dāng)具有任意視角(若60度)的側(cè)面伽馬曲線(b)與正面伽馬曲線(a)相比，側(cè)面伽馬曲線(b)嚴(yán)重失真。為了解決這種問題，當(dāng)將像素電極分割為兩個(gè)子像素電極并且兩個(gè)子像素電極接收不同的電壓，側(cè)面伽馬曲線(c、d)改變成更接近正面伽馬曲線(a)。由此，視角增大，從而改進(jìn)了側(cè)面可視性。
區(qū)域A是低灰度電壓區(qū)域(暗區(qū)域)，區(qū)域A的側(cè)面伽馬曲線形式基本上由與薄膜晶體管連接的子像素電極電容性耦合的子像素電極決定。
區(qū)域B是高灰度電壓區(qū)域(亮區(qū)域)，區(qū)域B的側(cè)面伽馬曲線形式基本上由連接在薄膜晶體管上的子像素電極決定。在這里，子像素電極的像素側(cè)面伽馬曲線的傾斜(斜線方向的箭頭)由施加給兩個(gè)子像素電極的電壓比決定。區(qū)域A與區(qū)域B的界線的位置(水平方向的箭頭)由兩個(gè)子像素電極的面積比決定。
因此，在紅色、綠色、藍(lán)色像素中的兩個(gè)子像素電極間的面積比或電壓比不同時(shí)，可以得到在各像素或各灰度中的最佳的側(cè)面伽馬曲線。因此，可通過考慮透射率，使側(cè)面可視性最終得到改進(jìn)。結(jié)果，得到更穩(wěn)定的色彩重現(xiàn)特性。
當(dāng)兩個(gè)子像素電極之間的面積比或電壓比很大時(shí)，關(guān)于記憶色側(cè)面可視性得到了改進(jìn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，將兩個(gè)子像素電極190a、190b之間的面積比或電壓比調(diào)節(jié)成，使在記憶顏色中關(guān)于表面色系列正面色調(diào)和側(cè)面色調(diào)幾乎相同?？梢钥紤]在綠色及藍(lán)色像素中第二子像素電極190a與第一子像素電極190b的電壓比優(yōu)選地小于紅色像素中第二子像素電極190a與第一子像素電極190b的電壓比。此外，優(yōu)選地，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b的電壓比按照紅色、綠色、藍(lán)色像素的順序逐漸減小。
下面，詳細(xì)說明用于改進(jìn)關(guān)于表層色系側(cè)面可視性的方法。
表層色系中紅色、綠色、藍(lán)色的比例一般以紅色＞綠色＞藍(lán)色的順序組成。當(dāng)從側(cè)面方向觀察表層色系時(shí)，色調(diào)失真并且綠光和藍(lán)光的比例相對(duì)于紅光要增加。例如，表層色系包括50％的紅光、20-30％的綠光、以及10-20％的藍(lán)光。由于灰度級(jí)別降低，側(cè)面透射率與正面透射率(側(cè)面透射率/正面透射率)的比率增加。例如，當(dāng)在正面中的紅色、綠色、藍(lán)色的比率為50∶20∶10時(shí)，在側(cè)面中的紅色、綠色、藍(lán)色的比率為60∶40∶30。這種改變降低了在側(cè)面中的色調(diào)。因此，需要關(guān)于紅色、綠色、藍(lán)色像素調(diào)節(jié)伽馬曲線。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼仉姌O相對(duì)第二子像素電極的面積比為1∶1.5，并且R、G、B的灰度電壓比為196∶124∶96時(shí)，下面的表1中示出各像素的電壓比率。
表1

表2

表1及表2示出用于在紅色像素中計(jì)算出最佳電壓比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
表1包括當(dāng)電壓比在0.800-0.600之間改變并且灰度電壓為196時(shí)正面及側(cè)面透射率值的數(shù)據(jù)。表2示出了從表1中計(jì)算出的側(cè)面和正面透射率值之間的透射比率的差。
如上所述，關(guān)于表層色系，由于在其側(cè)面視角紅色組分的比例相對(duì)其它顏色減小，在紅色像素中側(cè)面/正面的比例值增大有利于提高側(cè)面可視性。參照表1及表2，在紅色像素中側(cè)面/正面的比例值較恒定。同時(shí)，由于電壓比降低，正面透射率也降低。因此，同時(shí)考慮側(cè)面可視性及正面透射率時(shí)，優(yōu)選地，在大約0.675至0.800的范圍設(shè)定電壓比，該范圍是較高的電壓范圍。在本實(shí)施例中將0.700的電壓比設(shè)定為紅色像素的最佳電壓比。
表3

表4

表3及表4示出了用于計(jì)算出綠色像素中的最佳電壓比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
表3包括當(dāng)電壓比在0.800-0.600之間改變并且灰度電壓為124時(shí)正面及側(cè)面透射率值的數(shù)據(jù)。表4示出了從表3中計(jì)算出的側(cè)面和正面透射率值之間的透射比率的差。
如上所述，關(guān)于表層色系，由于在其側(cè)面視角綠色成分的比例相對(duì)紅色增加，在綠色像素中側(cè)面/正面的比例值減小有利于提高側(cè)面可視性。參照表3，當(dāng)綠色像素中的電壓比增加時(shí)側(cè)面視角得到改進(jìn)。然而，如果電壓比下降太多，正面透射率也下降。
在綠色像素中的由改變電壓比引起的側(cè)面和正面透射率之間的透射率的改變很大。因此在0.600-0.650范圍內(nèi)不同于紅色像素的透射比率的改變飽和。在本實(shí)施例中，當(dāng)考慮到側(cè)面可視性及正面透射率時(shí)，將0.625電壓比設(shè)定為綠色像素的最佳電壓比。
表5

表6

表5及表6示出了用于計(jì)算出藍(lán)色像素中的最佳電壓比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
表5包括當(dāng)電壓比在0.800-0.600之間改變并且灰度電壓為96時(shí)正面及側(cè)面透射率值的數(shù)據(jù)。表6示出了從表5中計(jì)算出的側(cè)面和正面透射率值之間的透射比率的差。
如上所述，關(guān)于表層色系，由于在其側(cè)面視角藍(lán)色成分的比例相對(duì)紅色增加，在藍(lán)色像素中側(cè)面/正面的比例值減小有利于提高側(cè)面可視性。參照表5，當(dāng)藍(lán)色像素中的電壓比增加時(shí)側(cè)面視角得到改進(jìn)。然而，如果電壓比下降太多，正面透射率也下降。
在藍(lán)色像素中的由改變電壓比引起的側(cè)面和正面透射率之間的透射率的改變很大。因此在0.650-0.700范圍內(nèi)不同于紅色像素的透射比率的改變飽和。在本實(shí)施例中，當(dāng)考慮到側(cè)面可視性及正面透射率時(shí)，將0.675電壓比設(shè)定為藍(lán)色像素的最佳電壓比。
下面，表7示出了通過將最佳電壓比施加給紅色、綠色、藍(lán)色像素，來實(shí)現(xiàn)側(cè)面可視性改進(jìn)。
表7

在各表層色系中，例如，在所述實(shí)施例中進(jìn)行了說明的表面色2(淺表面色；R，G，B207，140，100)、表面色3(淡橙色；R，G，B192，128，64)、表面色4(深表面色)、以及表面色1(SONY表面色)，當(dāng)根據(jù)在像素中顏色的不同等級(jí)，例如，色調(diào)轉(zhuǎn)化(gradated)設(shè)置電壓比時(shí)，相對(duì)于當(dāng)在像素中電壓比相同時(shí)，側(cè)面可視性得到了改進(jìn)。例如，R、G、B色調(diào)轉(zhuǎn)化1示出了左右側(cè)面都表現(xiàn)出明顯的改善效果。
表7的Δu’v’值是國際照明委員會(huì)(CIE)標(biāo)準(zhǔn)色坐標(biāo)系中表示兩個(gè)色彩之間的差。當(dāng)Δu’v’趨于0時(shí)，人們識(shí)別兩個(gè)顏色是相同的顏色。
在所述實(shí)施例中，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b的面積比為1∶1.5。然而，本發(fā)明可適用于其它比例。
下面，表8包含當(dāng)兩個(gè)子像素的面積比為1∶1時(shí)，隨電壓比改變的正面透射率和側(cè)面透射率。表9包含當(dāng)兩個(gè)子像素的面積比為1∶2時(shí)，隨電壓比改變的正面透射率和側(cè)面透射率。
表8

表9

與面積比為1∶1.5的情況相同，同時(shí)考慮側(cè)面可視性及正面透射率，當(dāng)面積比為1∶1時(shí)的最佳電壓比R∶G∶B＝0.725∶0.65∶0.7、面積比為1∶2時(shí)的最佳電壓比R∶G∶B＝0.675∶0.60∶0.65。
表10綜合了上述描述。
表10

在這里，MAIN表示第一子像素電極190a，SUB表示第二子像素電極190b。
根據(jù)表10，紅色像素電壓比綠色像素電壓比多0.075、紅色像素電壓比藍(lán)色像素電壓比多0.025。
通過增加直接與薄膜晶體管連接的第一子像素的面積可增強(qiáng)亮度且具有相對(duì)高的亮度，并且可通過減小與第一子像素電容性耦合的第二子像素的面積增強(qiáng)亮度且具有相對(duì)低的亮度。
本發(fā)明還可以適用于TN(扭轉(zhuǎn)向列)式液晶顯示器。下面，將參照附圖對(duì)具有該特性的另一實(shí)施例進(jìn)行說明。
圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。圖8是沿圖7中的VIII-VIII’線截取的薄膜晶體管陣列面板的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管面板100的層結(jié)構(gòu)與圖1、圖3、及圖4示出的幾乎相同。
包括柵極電極124及末端129的多條柵極線121以及包括儲(chǔ)能電極133a、133b、133c的多條儲(chǔ)能電極線131可形成在基片110上。在柵極線121和儲(chǔ)能電極線131上依次形成柵極絕緣層140、具有凸出部154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、以及多個(gè)歐姆接觸帶161和165。包括源極電極173及末端179的多條數(shù)據(jù)線171、包括耦合電極176的多個(gè)漏極電極175，以及多個(gè)金屬件172形成在歐姆接觸帶161、165上。在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及半導(dǎo)體帶151的露出部分上形成鈍化層180。在鈍化層180及柵極絕緣層140上形成多個(gè)接觸孔181-185。在鈍化層180上形成包括第一及第二子像素電極190a、190b的多個(gè)像素電極190、儲(chǔ)能橋84，以及多個(gè)接觸輔助部81、82。
不同于圖1所示的薄膜晶體管陣列面板，根據(jù)紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)像素橫向儲(chǔ)能電極133c的位置不同。特別地，綠色像素的橫向儲(chǔ)能電極133c位于像素區(qū)域的最上部，紅色像素的橫向儲(chǔ)能電極133c位于像素區(qū)域的第二上部，并且藍(lán)色像素的橫向儲(chǔ)能電極133c位于像素區(qū)域的第三上部。
第一子像素電極190a與第二子像素電極190b分別在橫向儲(chǔ)能電極133c上分為上部和下部。耦合電極176沿儲(chǔ)能電極133a、133b、133c延伸，并與它們重疊。耦合電極176包括分別與儲(chǔ)能電極133a、133b重疊的基本上縱向的部分176a、176c及與儲(chǔ)能電極133c重疊的基本上橫向的部分176b。耦合電極176根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素形成不同的寬度(WR、WG、WB)。由此，根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素，耦合電極176與第二子像素電極190b之間的重疊面積不同。
因此，根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間的耦合電容不同。特別地，根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素，第二子像素電極190b與第一子像素電極190a的電壓比不同。根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間的面積比也不同。可調(diào)節(jié)這些電壓比和面積比以改進(jìn)可視性和透射率。
如上所述，當(dāng)像素區(qū)域包括具有不同電場的兩個(gè)區(qū)域時(shí)，通過兩個(gè)子區(qū)域中的相互補(bǔ)償改進(jìn)側(cè)面可視性。
同時(shí)，由于不同的耦合電容和面積比，在紅色、綠色、藍(lán)色像素中的兩個(gè)子像素電極190a和190b的電壓差不同。由此，通過它最大化顏色重現(xiàn)性，可以提高可視性，最大化像素透射率。
下面，參照?qǐng)D9及圖10詳細(xì)說明本發(fā)明的另一實(shí)施例。
圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。圖10是沿圖9中的X-X′線截取的包括薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器的截面圖。
如圖9及圖10所示，除了下面所述的一些特征之外，薄膜晶體管面板100的層結(jié)構(gòu)與圖1、圖3及圖4示出的幾乎相同。
包括柵極電極124及末端129的多條柵極線121以及包括儲(chǔ)能電極133a、133b、133c的多條儲(chǔ)能電極線131可形成在基片110上。在柵極線121和儲(chǔ)能電極線131上依次形成柵極絕緣層140、具有凸出部154的多個(gè)半導(dǎo)體帶151、以及多個(gè)歐姆接觸帶161和165。包括源極電極173及末端179的多條數(shù)據(jù)線171、包括耦合電極176的多個(gè)漏極電極175，以及多個(gè)金屬件172形成在歐姆接觸帶161、165上。在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及半導(dǎo)體帶151的露出部分上形成鈍化層180。在鈍化層180及柵極絕緣層140上形成多個(gè)接觸孔181-185。在鈍化層180上形成包括第一及第二子像素電極190a、190b的多個(gè)像素電極190、儲(chǔ)能橋84，以及多個(gè)接觸輔助部81、82。
不同于圖1、圖3及圖4示出的薄膜晶體管陣列面板，半導(dǎo)體帶151具有與數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及底層歐姆接觸帶161、165相同的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶151包括一些數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及底層歐姆接觸帶161、165不包括的露出部分，例如源極電極173與漏極電極175之間的部分。
而且，根據(jù)紅色(R)、綠色(G)及藍(lán)色(B)像素，第一子像素電極190a與第二子像素電極190b之間的面積比也不同。優(yōu)選地，在紅色像素中的第二子像素電極190b與第一子像素電極190a的面積比大于在綠色及藍(lán)色像素中的。優(yōu)選地，第二子像素電極190b與第一子像素電極190a的面積比以紅色、藍(lán)色、綠色的順序逐漸減小。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板具有在耦合電極176下部形成的，具有相同形狀的耦合電極176、非晶硅層154、以及歐姆接觸層165。
為了制造上述薄膜晶體管陣列面板，根據(jù)位置使用具有不同厚度的光刻膠層。
下面，參照?qǐng)D11及圖12詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例。
圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。圖12是沿圖11中的XII-XII′線截取的包括膜晶體管陣列面板的液晶顯示器的截面圖。
如圖9及圖10所示，薄膜晶體管面板100的層結(jié)構(gòu)與圖7、及圖8示出的幾乎相同。
如圖11及圖12所示，半導(dǎo)體帶151具有與數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及底層歐姆接觸帶161、165相同的平面形狀。然而，半導(dǎo)體帶151包括一些數(shù)據(jù)線171、漏極電極175不包括的露出部分，例如源極電極173與漏極電極175之間的部分。
在至少根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的液晶顯示器，本發(fā)明的液晶顯示器考慮與記憶色一起對(duì)識(shí)別的色調(diào)造成很大影響的顏色，提高側(cè)面可視性。從而，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器顯示基本上與正面色調(diào)相同的側(cè)面角色調(diào)并且具有較高的透射率。
盡管本發(fā)明已經(jīng)參照附圖和優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了說明，但顯然，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種更改和變化。因此，本發(fā)明的各種更改、變化由所附的權(quán)利要求書及其等同物的內(nèi)容涵蓋。
特別地，以不同的方法和形狀設(shè)置像素和共電極中的凸起部。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括絕緣基片；多條第一信號(hào)線，形成在所述絕緣基片之上；多條第二信號(hào)線，與所述第一信號(hào)線交叉并且與所述第一信號(hào)線絕緣；多個(gè)薄膜晶體管，與所述第一及第二信號(hào)線耦合；以及多個(gè)像素，包括與所述薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極以及與所述第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極，其中，所述第二子像素電極相對(duì)于所述第一子像素的電壓比具有至少兩個(gè)不同的值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述像素包括紅色像素、綠色像素、及藍(lán)色像素。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述藍(lán)色像素及所述綠色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極電壓比小于所述紅色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，所述綠色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比小于所述藍(lán)色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中，所述紅色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比約為0.675-0.725，其中所述綠色像素的所述第二子像素電極相對(duì)于所述第一子像素電極的電壓比約為0.600-0.650，并且所述藍(lán)色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比約為0.650-0.700。
6.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；多條第一信號(hào)線，形成在所述絕緣基片上；多條第二信號(hào)線，與所述第一信號(hào)線交叉并且與所述第一信號(hào)線絕緣；多個(gè)薄膜晶體管，與所述第一及第二信號(hào)線耦合；以及多個(gè)像素，包括與所述薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極、與所述薄膜晶體管耦合的多個(gè)耦合電極、以及與所述耦合電極重疊的多個(gè)第二子像素電極，其中，所述耦合電極與所述第二子像素電極的重疊面積具有至少兩個(gè)不同的值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述像素包括紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述藍(lán)色像素及所述綠色像素的所述耦合電極與所述第二子像素電極的重疊面積小于所述紅色像素的所述耦合電極與所述第二子像素電極的重疊面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述綠色像素的所述耦合電極和所述第二子像素電極的重疊面積小于所述藍(lán)色像素的所述耦合電極和所述第二子像素電極的重疊面積。
10.一種液晶顯示器，包括絕緣基片；多條第一信號(hào)線，形成在所述絕緣基片上；多條第二信號(hào)線，與所述第一信號(hào)線交叉并且與所述第一信號(hào)線絕緣；多個(gè)薄膜晶體管，與所述第一及第二信號(hào)線耦合；以及多個(gè)像素，包括與所述薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極以及與所述第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極，其中，所述多個(gè)像素包括紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素，并且所述紅色像素、所述綠色像素、以及所述藍(lán)色像素的所述第二子像素電極相對(duì)所述第一子像素電極的電壓比不同，從而，與紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素中的不具有不同電壓比的相比，在灰度電平中側(cè)面位置的紅色組分、綠色組分、以及藍(lán)色組分的亮度更接近灰度電平中前方位置的紅色組分、綠色組分、以及藍(lán)色組分的亮度比。
11.一種液晶顯示器，包括絕緣基片；多條第一信號(hào)線，形成在所述絕緣基片上；多條第二信號(hào)線，與所述第一信號(hào)線交叉并且與所述第一信號(hào)線絕緣；多個(gè)薄膜晶體管，與所述第一及第二信號(hào)線耦合；以及多個(gè)像素，包括與所述薄膜晶體管耦合的多個(gè)第一子像素電極以及與所述第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極，其中，所述第二子像素電極的面積相對(duì)所述第一子像素的面積之比具有至少兩個(gè)不同的值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中，所述像素包括紅色像素、綠色像素、以及藍(lán)色像素。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，其包括絕緣基片；多條第一信號(hào)線，形成在該絕緣基片上；多條第二信號(hào)線，與第一信號(hào)線交叉并絕緣；多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，與第一及第二信號(hào)線耦合；以及多個(gè)像素，包括與TFT耦合的多個(gè)第一子像素電極以及與第一子像素電極電容性耦合的多個(gè)第二子像素電極，其中多個(gè)像素包括紅色(R)像素、綠色(G)像素、藍(lán)色(B)像素，并且在R、G、和B像素中的第二子像素電極與第一子像素電極的電壓比或面積比不同，從而改進(jìn)了側(cè)面位置處的R、G、和B元件的亮度比。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1734331SQ20051008899
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2005年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月4日
發(fā)明者嚴(yán)允成, 損廷昊, 鄭東勛, 李準(zhǔn)宇, 慎庸桓, 柳在鎮(zhèn), 倉學(xué)璇, 金賢昱, 李昶勛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社