專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅顯示器件，更具體地，涉及一種多晶硅液晶顯示器及其簡化的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)器件包括在液晶顯示器件面板中排列為矩陣的多個液晶單元，液晶顯示器件通過根據(jù)視頻信號控制光的透射率來顯示圖像。在各液晶單元中，用薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)器件以獨立地提供視頻信號。這種TFT的有源層通常由非晶硅或者多晶硅(多硅(poly-silicon))構(gòu)成。由于多晶硅的載流子遷移率大約比非晶硅的載流子遷移率快幾百倍，可以用多晶硅技術(shù)將高速驅(qū)動電路一體地形成在LCD面板中。
圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的集成有驅(qū)動電路的多硅液晶顯示面板的TFT基板的示意圖。
參照圖1，TFT基板包括顯示區(qū)7，其具有在由交叉的選通線2和數(shù)據(jù)線4限定的各像素區(qū)中的TFT 30和像素電極22；驅(qū)動數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)驅(qū)動器5；和驅(qū)動選通線2的選通驅(qū)動器3。
TFT 30響應(yīng)來自選通線2的掃描信號將來自數(shù)據(jù)線4的視頻信號充入像素電極22中。被視頻信號充電的像素電極22相對于濾色器基板(該濾色器基板與TFT基板面對，二者之間有液晶)的公共電極產(chǎn)生電勢差。由于液晶的介電各向異性，該電勢差使液晶的分子旋轉(zhuǎn)。光的透射率隨液晶分子的旋轉(zhuǎn)量而異，由此實現(xiàn)灰度級。
選通驅(qū)動器3順序驅(qū)動選通線2，并且當(dāng)一個選通線2被驅(qū)動時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器5將視頻信號施加給數(shù)據(jù)線4。
圖2是圖1中所示的包括在TFT基板的顯示區(qū)7中的一個像素區(qū)的放大的平面圖，而圖3是沿著圖2中的I-I’線的TFT基板的像素區(qū)的截面圖。
參照圖2和3，TFT基板包括與選通線2和數(shù)據(jù)線4相連的薄膜晶體管(TFT)30、以及與該TFT 30相連的像素電極22。盡管NMOS-TFT或PMOS-TFT都能用作TFT 30，但現(xiàn)在將描述采用NMOS-TFT的TFT 30。
TFT 30具有與選通線2相連的柵極6、與數(shù)據(jù)線4相連的源極、以及通過貫穿保護膜18的像素接觸孔20與像素電極22相連的漏極10。柵極6與位于緩沖膜12上的有源層14的溝道區(qū)14C交疊，其間具有柵絕緣膜16。源極和漏極10以以下方式形成它們與柵極6絕緣，與柵極6之間具有層間絕緣膜26。此外，源極和漏極10通過貫穿層間絕緣膜26和柵絕緣膜16的源接觸孔24S和漏接觸孔24D分別與摻雜n+雜質(zhì)的有源層14中的源區(qū)14S和漏區(qū)14D相連。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的TFT基板的問題在于制造工藝復(fù)雜、制造成本高。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明旨在多硅液晶顯示器件的薄膜晶體管基板及其制造方法，其基本避免了因現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點引起的一個或更多的問題。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是提供了一種多硅液晶顯示器件的薄膜晶體管基板及其簡化的制造方法。
本發(fā)明另外的優(yōu)點和特征部分將在下面的說明書中闡述，部分對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在研究下面的內(nèi)容后將變得顯而易見，或者可以從實踐本發(fā)明中獲悉。本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點可以通過本文所撰寫的說明書和權(quán)利要求以及附圖所具體指出的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和獲得。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實施的和廣義描述的，根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件包括具有顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域的第一和第二基板；與驅(qū)動器區(qū)域交疊的第一密封劑；以及第一和第二基板之間的液晶層。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造液晶顯示器件的方法，包括提供具有顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域的第一和第二基板；在第一和第二基板的至少一個上形成第一密封劑，該第一密封劑與驅(qū)動器區(qū)域交疊；以及在第一和第二基板之間形成液晶層。
應(yīng)理解本發(fā)明前面的一般說明和后面的具體描述都是示例性的和解釋性的，意在進一步解釋本發(fā)明。


所包括的附圖用于進一步理解本發(fā)明，其并入且構(gòu)成了本說明書的一部分，示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的集成了驅(qū)動電路的多晶硅液晶顯示面板的TFT基板的示意圖；圖2是圖1所示的TFT基板的顯示區(qū)7中包括的一個像素區(qū)的放大平面圖；圖3是沿著圖2中的線I-I’的TFT基板的像素區(qū)的截面圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的多晶硅顯示器件的薄膜晶體管基板的一部分的平面圖；圖5是沿著圖4中的線III-III’、IV-IV’和V-V’的薄膜晶體管基板的截面圖；圖6A至圖6G是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的多晶硅顯示器件的薄膜晶體管基板的制造方法的截面圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的多晶硅液晶顯示面板的示意圖；圖8是示出了圖7中所示的多硅液晶顯示面板中的驅(qū)動器區(qū)域的一部分的截面圖；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的多硅液晶顯示面板的示意圖；圖10是示出了圖9中所示的多硅顯示面板的驅(qū)動器區(qū)域的一部分的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細描述本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的多硅顯示器件的薄膜晶體管基板的一部分的平面圖，圖5是沿著圖4中的線III-III’、IV-IV’和V-V’的薄膜晶體管基板的截面圖。
參照圖4和圖5，薄膜晶體管(TFT)基板包括顯示區(qū)196、驅(qū)動顯示區(qū)196的數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)驅(qū)動器192、以及驅(qū)動顯示區(qū)196的選通線102的選通驅(qū)動器194。
顯示區(qū)196包括與選通線102和數(shù)據(jù)線104相連的第一TFT 130、與TFT 130相連的像素電極122、以及存儲電容器160。雖然第一TFT 130可以是NMOS-TFT或PMOS-TFT，但現(xiàn)在將說明采用NMOS-TFT的第一TFT130。
數(shù)據(jù)線104與選通線102及存儲線152交叉，其間有層間絕緣膜118，以限定具有像素電極122的像素區(qū)。
第一NMOS-TFT 130響應(yīng)來自選通線102的選通信號將數(shù)據(jù)線104上的視頻信號施加給像素電極122。為此，第一NMOS TFT 130包括與選通線102連接的第一柵極106、與數(shù)據(jù)線104相連的第一源極、與像素電極122相連的第一漏極110、以及用于限定第一源極和第一漏極110之間的溝道的第一有源層114。
選通線102和第一柵極106連同存儲線152都具有雙層結(jié)構(gòu)，其中在透明導(dǎo)電層101上形成金屬層103。
第一有源層114形成在下基板100上，二者之間有緩沖膜112。第一有源層114具有與柵極106交疊的溝道區(qū)114C(柵極106和溝道區(qū)114C之間有柵絕緣膜116)、以及n+雜質(zhì)摻雜的源區(qū)114S和漏區(qū)114D。第一有源層114的源區(qū)114S和漏區(qū)114D通過貫穿層間絕緣膜118和柵絕緣膜116的第一源接觸孔124S和第一漏接觸孔124D，分別與第一源極和第一漏極110相連。第一有源層114可進一步包括位于溝道區(qū)114C與源極114S和漏極114D之間的n-雜質(zhì)摻雜的輕摻雜漏極(LDD)區(qū)(未示出)，以降低第一NMOS-TFT 130的截止電流。
像素電極122包括位于像素區(qū)中的柵絕緣膜116上的透明導(dǎo)電層101、和位于透明導(dǎo)電層101上沿著透明導(dǎo)電層101周邊的金屬層103。換言之，像素電極122的透明導(dǎo)電層101通過貫穿層間絕緣膜118和金屬層103的透射孔120露出。另選地，像素電極122可以只包括透明導(dǎo)電層101而沒有金屬層103。像素電極122與存儲線152交叉并且與沿著透射孔120的側(cè)面延伸的第一漏極110相連。更具體地，第一漏極110與通過透射孔120露出的像素電極122的金屬層103和透明導(dǎo)電層101相連。
TFT 130將視頻信號充入像素電極122以產(chǎn)生相對于濾色器基板(未示出)的公共電極的電勢差。由于液晶的介電各向異性，該電勢差使得位于TFT基板和濾色器基板之間的液晶旋轉(zhuǎn)，從而控制從光源(未示出)通過像素電極向濾色器基板輸入的透射光的量。
存儲電容器160包括在存儲線152和TFT 130之間并聯(lián)的存儲電容器Cst1和Cst2。存儲線152與從有源層114延伸的下存儲電極150相交疊，其間具有絕緣膜116，從而設(shè)置了第一存儲電容器Cst1。使漏極110與存儲線152交叉，其間具有層間絕緣膜118，從而設(shè)置了第二存儲電容器Cst2。由于存儲電容器160包括并聯(lián)的第一存儲電容器Cst1和第二存儲電容器Cst2，所以它可以具有高的電容值。存儲電容器160在預(yù)定的時段穩(wěn)定地保持充入像素電極122的視頻信號。
選通驅(qū)動器194和數(shù)據(jù)驅(qū)動器192具有包括第二NMOS-TFT 180和PMOS-TFT 190的CMOS結(jié)構(gòu)。
第二NMOS-TFT 180包括位于緩沖膜112上的第二有源層144；與第二有源層144的溝道區(qū)交疊的第二柵極136(有源層和柵極之間具有柵絕緣膜116)；以及第二源極138和第二漏極140，它們通過第二源接觸孔154S和第二漏接觸孔154D分別與第二有源層144的源區(qū)和漏區(qū)相連。第二有源層還包括溝道區(qū)、以及位于溝道區(qū)114C與源極和漏極之間用于降低截至電流的n-雜質(zhì)摻雜的輕摻雜漏極(LDD)區(qū)(未示出)。第二NMOS-TFT 180具有與顯示區(qū)196中的第一NMOS-TFT 130相同的結(jié)構(gòu)。
PMOS-TFT 190包括位于緩沖膜112上的第三有源層174；與第三有源層174的溝道區(qū)174C交疊的第三柵極166(其間具有柵絕緣膜116)，以及第三源極168和第三漏極170，它們通過第三源接觸孔184S和第三漏接觸孔184D分別與第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D相連。第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D為p型雜質(zhì)摻雜。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的實施例的多硅顯示器件的TFT基板中，在柵絕緣膜116上形成像素電極122，連同雙層結(jié)構(gòu)的選通線102、第一至第三柵極106、136和166以及存儲線152等，從而簡化了制造工藝。結(jié)果，源/漏金屬圖案(包括具有第一源極的數(shù)據(jù)線104、第二和第三源極138和168、以及第一至第三漏極110、140和170)具有露出的結(jié)構(gòu)。然而，根據(jù)本發(fā)明的原理，通過將源/漏圖案設(shè)置在密封劑密封的區(qū)域內(nèi)使得該源/漏圖案可以被配向膜或液晶保護。
圖6A至圖6G是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的多硅顯示器件的TFT基板的制造方法的截面圖。在圖中，未示出選通驅(qū)動器194和數(shù)據(jù)驅(qū)動器192所包括的第二NMOS-TFT 180，因為其具有與顯示區(qū)196的第一NMOS-TFT 130相同的結(jié)構(gòu)，而可參照圖4對其進行說明。
參照圖6A，在下基板100上形成緩沖膜112，然后通過第一掩模工藝，在其上的顯示區(qū)中形成第一有源層114和下存儲電極150，并在驅(qū)動器區(qū)域中形成第二有源層144和第三有源層174。
在下基板100上全部淀積諸如SiO2之類的無機絕緣膜，形成緩沖膜112。接著，通過低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)技術(shù)或等離子增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)技術(shù)等在緩沖膜112上形成非晶硅薄膜，然后使其結(jié)晶形成多硅薄膜?？稍诜蔷Ч璞∧そY(jié)晶之前進行脫氫工藝以減少非晶硅薄膜中存在的氫原子?？梢允褂弥T如順序橫向結(jié)晶(SLS)(晶粒在水平方向生長以增大晶粒的尺寸)的激光退火(ELA)工藝使非晶硅薄膜結(jié)晶。使用第一掩模通過光刻和刻蝕工藝對多硅薄膜構(gòu)圖，以在顯示區(qū)中形成第一有源層114和下存儲電極150，并在驅(qū)動器區(qū)域中形成第二有源層144和第三有源層174。
參照圖6B，通過第二掩模工藝將n+雜質(zhì)摻入下電極150中使其具有導(dǎo)電性。
更具體地，通過第二掩模使用光刻工藝形成露出下存儲電極150的光刻膠圖案，并將n+雜質(zhì)摻入下電極150中，從而使得下電極150具有導(dǎo)電性。然后，通過剝離工藝去除該光刻膠圖案。
參照圖6C，在具有第一至第三有源層114、144和174以及下存儲電極150的緩沖膜112上形成柵絕緣膜116，在其上通過第三掩模工藝形成像素電極122連同雙層結(jié)構(gòu)的選通線102、第一至第三柵極106、136和166以及存儲線152。
通過在具有第一至第三有源層114、144和174以及下存儲電極150的緩沖膜112上全部淀積諸如SiO2等的無機絕緣膜形成柵絕緣膜116。然后，通過濺射等在柵絕緣膜116上依次形成透明導(dǎo)電層101和金屬層103。透明導(dǎo)電層101由銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)或銦鋅氧化物(IZO)等構(gòu)成，而柵金屬層103具有至少一層由諸如Mo、Cu、AlNd、Al、Ti、Cr、Mo合金、Cu合金、或Al合金等金屬材料構(gòu)成的單層。接著，使用第三掩模通過光刻和刻蝕工藝對金屬層103和透明導(dǎo)電層101構(gòu)圖，形成像素電極122，連同雙層結(jié)構(gòu)的選通線102，第一至第三柵極106、136和166，以及存儲線152。
參照圖6D，通過第四掩模工藝限定第一和第二有源層114和144的源區(qū)114S和漏區(qū)114D以及LDD區(qū)。
更具體地，使用第一和第二柵極106和136作為掩模將n-雜質(zhì)摻入第一和第二有源層114和144的露出部分以限定LDD區(qū)。隨后，使用第四掩模通過光刻工藝形成露出第一和第二有源層114和144的源區(qū)114S和漏區(qū)114D的光刻膠圖案，并且n+雜質(zhì)被摻入源區(qū)114S和漏區(qū)114D。第一和第二有源層114和144的源區(qū)114S和漏區(qū)114D被設(shè)置在與柵極106和136交疊的溝道區(qū)114C和僅用n-雜質(zhì)摻雜的LDD區(qū)之間。然后，通過剝離工藝去除該光刻膠圖案。
參照圖6E，通過第五掩模工藝將p+雜質(zhì)摻入第三有源層174，形成第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D。
更具體地，使用第五掩模通過光刻工藝形成露出第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D的光刻膠圖案。對露出的第三有源層174的每一側(cè)區(qū)域摻入p+雜質(zhì)，形成第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D。第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D彼此相對，其間有與第三柵極166交疊的溝道區(qū)174C。接著，通過剝離工藝去除該光刻膠圖案。
參照圖6F，通過第六掩模工藝在具有選通線102，柵極106、136和166，存儲線152以及像素電極122的柵絕緣膜116上形成具有源漏接觸孔124S、124D、154S、154D、184S和184D以及透射孔120的層間絕緣膜118。
通過在具有選通線102、柵極106，136和166、存儲線152以及像素電極122的柵絕緣膜116上全部淀積諸如SiOx或SiNx等無機絕緣材料形成層間絕緣膜118。
然后，使用第六掩模通過光刻和刻蝕工藝形成貫通層間絕緣膜118和柵絕緣膜116的第一到第三源漏接觸孔124S、154S和184S及第一到第三漏接觸孔124D、154D和184D，以及貫通絕緣膜118的透射孔120。第一至第三源接觸孔124S，154S，184S分別露出第一至第三有源層114、144、174的源區(qū)114S、144S和174S。第一至第三漏接觸孔124D、154D、184D露出第一至第三有源層114、144和174的漏區(qū)114D、144D和174D。透射孔120露出柵金屬層103，該金屬層103是像素電極122的上層。
隨后，刻蝕通過透射孔120露出的像素電極122的柵金屬層103，以露出透明導(dǎo)電層101。與層間絕緣膜118交疊的柵極金屬層103保留在透明導(dǎo)電層101的周邊。
參照圖6G，通過第七掩模工藝在層間絕緣膜118上形成源/漏金屬圖案，包括具有第一源極的數(shù)據(jù)線104，第二源極138和第三源極168，以及第一至第三漏極110、140和170。
該源/漏金屬圖案是通過在層間絕緣膜118上淀積源/漏金屬，然后使用第七掩模通過光刻和刻蝕工藝構(gòu)圖源/漏金屬層形成的。數(shù)據(jù)線104和第一漏極110通過第一源接觸孔124S和漏接觸孔124D與第一有源層114的源區(qū)114S和漏區(qū)114D相連。此外，第一漏極110通過透射孔120以與存儲線152交疊的方式與像素電極122相連。第二源極138和第二漏極140通過第二源接觸孔154S和第二漏接觸孔154D分別與第二有源層144的源區(qū)和漏區(qū)相連。第三源極168和第三漏極170通過第三源極接觸孔184S和第三漏極接觸孔184D與第三有源層174的源區(qū)174S和漏區(qū)174D相連。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，多硅顯示器件的TFT基板的制造方法是簡化了的七掩模工藝。根據(jù)本發(fā)明的實施例的TFT基板不包括保護層，因此露出源/漏金屬圖案。然而，當(dāng)所有的源/漏金屬圖案都設(shè)置在被密封劑密封的區(qū)域內(nèi)時，它們能被其上形成的配向膜和該密封區(qū)域內(nèi)的液晶充分地保護。
圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的多硅液晶顯示器(LCD)面板的示意圖。
該LCD面板包括顯示區(qū)210、驅(qū)動顯示區(qū)210的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器230、和驅(qū)動顯示區(qū)210的選通線的選通驅(qū)動器220。
顯示區(qū)210包括由選通線和數(shù)據(jù)線的交叉限定的各像素區(qū)中的TFT和像素電極。該TFT響應(yīng)來自選通線的掃描信號將來自數(shù)據(jù)線的視頻信號充入像素電極。被視頻信號充電的像素電極產(chǎn)生相對濾色器基板的公共電極的電勢差，該濾色器基板與TFT基板相對，二者之間有液晶。由于液晶的介電各向異性，該電勢差使得液晶的分子旋轉(zhuǎn)。光的透射因液晶分子的旋轉(zhuǎn)量而異，從而實現(xiàn)灰度級。
選通驅(qū)動器220依次驅(qū)動這些選通線，當(dāng)選通線之一被驅(qū)動時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器230將視頻信號施加給數(shù)據(jù)線。
通過使用密封劑240將TFT基板和濾色器基板接合，并且在這兩個經(jīng)接合的基板中間的單元間隙中提供液晶來制造這種LCD面板?？梢酝ㄟ^液晶滴注法或者真空注入法在兩個基板間提供液晶，在液晶滴注法中，將液晶滴在兩個基板的至少一個上然后將兩個基板互相接合，在真空注入法中，將兩個基板互相接合然后在兩基板之間形成的單元間隙中注入液晶。
TFT基板具有選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230，連同包括在顯示區(qū)210中的選通線、數(shù)據(jù)線、TFT和像素電極等等。濾色器基板具有濾色器、黑底和公共電極。沿著選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230的周邊形成密封劑240，以將TFT基板和濾色器基板接合。于是，選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230位于被密封劑240密封的區(qū)域內(nèi)。
更具體地，選通驅(qū)動器220或數(shù)據(jù)驅(qū)動器230中包括的TFT(例如圖5中所示的PMOS-TFT 190)位于被密封劑240密封的區(qū)域內(nèi)，如圖8中所示，其形成形式為與密封劑240間隔開。為了增加粘附性，如圖8中所示，密封劑240與有機絕緣膜構(gòu)成的上下配向膜310和320間隔開，并且在TFT基板和濾色器基板300的每個上都不與它們接觸。于是，位于TFT基板上的PMOS-TFT 190具有以下結(jié)構(gòu)它的一部分與下配向膜310交疊，而其他部分不與下配向膜310交疊。結(jié)果，PMOS-TFT 190的一些電極，例如源極168，具有露出的結(jié)構(gòu)，這導(dǎo)致照明問題或者上下基板之間的短路等。
為了解決這些問題，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的多硅LCD面板進一步包括驅(qū)動器區(qū)域中的第二密封劑250。
在圖9和10中，沿著選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230的周邊形成第一密封劑240，而第二密封劑250在第一密封劑240的內(nèi)部形成，形成形式為與選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230交疊。于是，以兩條線形成第一密封劑240和第二密封劑250，將TFT基板與濾色器基板接合。第一密封劑240用于將TFT基板和濾色器基板接合，而第二密封劑250保護選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230中包括的TFT的電極。因此，第一密封劑240可包括玻璃纖維。
如圖10所示，第二密封劑250與驅(qū)動器區(qū)中的PMOS-TFT 190的源極168交疊，從而保護該源極168。PMOS-TFT 190的漏極170被下配向膜310或者第二密封劑250保護。由于第二密封劑250與包括在選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230中的PMOS-TFT 190的源極168和/或漏極170交疊，它可以不包括可能導(dǎo)致電極損壞的玻璃纖維。
于是，選通驅(qū)動器220和數(shù)據(jù)驅(qū)動器230中包括的PMOS-TFT 190的源極168和漏極170可以被配向膜310和/或不包括玻璃纖維的第二密封劑250充分地保護，無需保護膜。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的與驅(qū)動電路集成的多硅顯示器件可以通過簡化的七掩模工藝制造，從而降低了制造成本，提高了生產(chǎn)率。此外，根據(jù)本發(fā)明的與驅(qū)動電路集成的多硅顯示器件具有兩個密封圖案，一個圖案包圍驅(qū)動電路，而另一個圖案與驅(qū)動電路交疊。具體地，與驅(qū)動電路交迭的密封圖案保護驅(qū)動電路內(nèi)的薄膜晶體管，并且為了防止或者使薄膜晶體管的損壞問題最小化，該密封圖案可不含有玻璃纖維。
本發(fā)明的各種修改和變型對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，本發(fā)明意在涵蓋落在所附的權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)的各種修改和變型。
本申請要求2004年12月31日提交的韓國申請No.P2004-118561的優(yōu)先權(quán)，該申請在此通過引用全文并入，如同在此進行了完全闡述一樣。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括具有顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域的第一和第二基板；第一密封劑，其與所述驅(qū)動器區(qū)域交疊；以及在所述第一和第二基板之間的液晶層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括包圍所述驅(qū)動器區(qū)域周邊的第二密封劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一密封劑保護所述驅(qū)動器區(qū)域中包括的薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述第一密封劑與所述驅(qū)動器區(qū)域中的TFT的一部分電極交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括在所述顯示區(qū)中并延伸到所述驅(qū)動器區(qū)域的配向膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述配向膜是所述第一基板最上面的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述配向膜與所述第一密封劑隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中所述配向膜與從所述驅(qū)動器區(qū)域露出的電極的一部分交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一基板包括所述顯示區(qū)和所述驅(qū)動器區(qū)域中的薄膜晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述薄膜晶體管包括在所述第一基板上的有源層；具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極，所述雙層結(jié)構(gòu)為在透明導(dǎo)電層上形成金屬層；位于所述有源層和所述柵極之間的第一絕緣膜；以及與所述有源層的源區(qū)和漏區(qū)相連的源極和漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述柵極與所述有源層相交。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述第一密封劑保護所述驅(qū)動器區(qū)域中的TFT的源極和漏極中的至少一個。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述第一基板還包括與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極，該像素電極具有雙層結(jié)構(gòu)；以及在該像素電極上的第二絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中所述像素電極的透明導(dǎo)電層通過貫穿所述第二絕緣膜和金屬層的透射孔露出。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中所述金屬層包圍所述透射孔。
16.一種制造液晶顯示器件的方法，包括提供具有顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域的第一和第二基板；在所述第一和第二基板的至少一個上形成第一密封劑，該第一密封劑與所述驅(qū)動器區(qū)域交疊；以及在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括形成包圍所述驅(qū)動器區(qū)域周邊的第二密封劑。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一密封劑保護從所述驅(qū)動器區(qū)域露出的電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一密封劑與從所述驅(qū)動器區(qū)域露出的一部分電極交疊。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括形成在所述顯示區(qū)中并延伸到所述驅(qū)動器區(qū)域的配向膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述配向膜是所述第一基板的最上面的層。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述配向膜與所述第一密封劑間隔開。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述配向膜與從驅(qū)動器區(qū)域中露出的那部分電極交疊。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中提供第一基板包括在所述顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域中形成薄膜晶體管。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述薄膜晶體管包括在所述第一基板上形成有源層；在該有源層上形成第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成柵極，該柵極具有雙層結(jié)構(gòu)，在該雙層結(jié)構(gòu)中金屬層形成在透明導(dǎo)電層上；以及形成與有源層的源區(qū)和漏區(qū)相連的源極和漏極。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述柵極與所述有源層相交。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述第一密封劑保護所述驅(qū)動器區(qū)域中的薄膜晶體管的源極和漏極中的至少一個。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，還包括形成與薄膜晶體管的漏極相連的像素電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述顯示區(qū)中的像素電極具有雙層結(jié)構(gòu)。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中形成所述像素電極的步驟包括在第一絕緣膜上形成雙層導(dǎo)電層；在所述雙層導(dǎo)電層上形成第二絕緣膜，并形成貫通所述第二絕緣膜的透射孔；以及通過刻蝕所述雙層導(dǎo)電層的金屬層使所述透明導(dǎo)電層從所述透射孔露出。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述金屬層包圍所述透射孔。
全文摘要
公開了一種多晶硅液晶顯示器及其簡化了的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件包括具有顯示區(qū)和驅(qū)動器區(qū)域的第一和第二基板；與驅(qū)動器區(qū)域交疊的第一密封劑；以及在第一和第二基板之間的液晶層。
文檔編號G02F1/1343GK1797153SQ200510082428
公開日2006年7月5日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者樸容仁 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社