專利名稱：用于浸式光刻的方法和器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及用于光學(xué)光刻的技術(shù)，特別地，涉及利用浸式光刻(immersion lithography)構(gòu)圖工件的方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)在工件上制作圖案時，圖案可以曝光于正光致抗蝕劑(positive photoresist)中，該工件可以是集成電路、掩模、中間掩模(reticle)、平板顯示器、微機(jī)械或微光學(xué)器件以及例如引線框和MCM的封裝器件。在制造掩模的情況下，曝光區(qū)域中的抗蝕劑通過顯影和蝕刻工藝被去除，未受保護(hù)的鉻然后通過鉻蝕刻劑被溶解。所得物，即具有不透明的鉻形成的圖案的玻璃板，被用作用于平板顯示器或集成電路中的器件層圖案的制造的光學(xué)接觸或投影掩模。
圖案生成器可以是使用用于產(chǎn)生所述圖案的聲光調(diào)制器、旋轉(zhuǎn)鏡和電光快門(shutter)、或者空間光調(diào)制器(spatial light modulator)的商業(yè)可得的激光圖案生成器的類型中的任一種。即，光可以被掃描或成像到工件上。
通過使用采用波長短于248nm的光的電子束工具或光學(xué)掩模制造器，預(yù)期將實現(xiàn)用于70nm半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(node)及以下的掩模制造。光學(xué)掩模制造工具通常使用受激準(zhǔn)分子激光器(excimer laser)作為它們的光源，因此在它們能使用的波長上受到限制。氟化氪受激準(zhǔn)分子激光器產(chǎn)生248nm的光，下一個可得到的更短的波長是氟化氬激光器產(chǎn)生的193nm。使光學(xué)掩模制造器適于使用193nm是非常困難的，因為數(shù)個原因(1)光學(xué)材料的選擇受到限制，因為大部分光學(xué)材料吸收193nm的光。僅石英玻璃和氟化鈣通常被使用。光學(xué)涂層也存在挑戰(zhàn)。(2)193nm的光被空氣中的氧吸收，伴隨產(chǎn)生臭氧，因此光學(xué)路徑必須被密封且清除氧氣。這使得光學(xué)機(jī)械設(shè)計更麻煩，且使得對準(zhǔn)和測量非常困難。(3)193nm激光器不如248nm激光器那樣可靠或穩(wěn)定，它們的能量輸出不如248nm激光器那樣大，因此獲得和控制所需的曝光能量變得成問題。(4)193nm光子是非常高能的，易于導(dǎo)致它們撞擊的材料的退化。
適當(dāng)設(shè)計的利用浸式光學(xué)裝置(immersion optics)工作在248nm的系統(tǒng)幾乎的確能夠?qū)崿F(xiàn)適于所述70nm半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的光刻規(guī)格，且由于上述原因，與采用更短波長的工具的開發(fā)相比這遇到了更容易的技術(shù)挑戰(zhàn)。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供利用浸式光刻構(gòu)圖工件的方法，其克服或至少減少了上述問題。
在一個實施例中，本發(fā)明提供用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面(image plane)且至少部分覆蓋以對電磁輻射敏感的層。所述光刻系統(tǒng)包括源，其發(fā)射電磁輻射到物平面(object plane)上；調(diào)制器，其適于根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面接收和調(diào)制所述電磁輻射，且適于朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；浸入媒質(zhì)(immersion medium)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的物鏡的至少一部分以及所述工件的一部分，其中所述接觸的區(qū)域通過毛細(xì)力(capillary force)受到限制。本發(fā)明的其它方面反映在詳細(xì)描述、圖以及權(quán)利要求中。


為了完整理解本發(fā)明及其優(yōu)點，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考下面的說明，附圖中圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的圖案生成器的實施例的示意圖；圖2A示出根據(jù)本發(fā)明的浸式光學(xué)裝置的實施例；圖2B示出圖2A中被圍繞區(qū)域的放大視圖；圖3示出圖2B中浸式光學(xué)裝置的平面圖；圖4A-4C示出浸式透鏡的一個實施例的不同視圖；圖5示出圖4A-4C所示的浸式透鏡的透視圖以及局部示出的用于相同和周圍特征的固定器。
具體實施例方式
圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于構(gòu)圖工件60的設(shè)備100的實施例，本發(fā)明可容易地嵌入此實施例中。
所述設(shè)備100包括用于發(fā)出電磁輻射的源10、物鏡裝置50、計算機(jī)控制的中間掩模30、束調(diào)節(jié)裝置20、傅立葉平面(fourier plane)中的空間過濾器(spatial filter)70、傅立葉透鏡裝置40、以及所述工件60。
源10可以發(fā)出從紅外(IR)到遠(yuǎn)紫外(EUV)波長范圍內(nèi)的輻射，所述紅外定義為780nm到約20μm，所述遠(yuǎn)紫外在此應(yīng)用中定義為從100nm及以下直到輻射能被作為電磁輻射處理即被光學(xué)部件反射和聚焦的范圍。源10或者脈沖或者連續(xù)地發(fā)出輻射。從連續(xù)輻射源10發(fā)出的輻射可以借助于位于所述輻射源10與所述計算機(jī)控制的中間掩模30之間的輻射路徑中的快門形成為脈沖輻射。例如，輻射源可以是KrF受激準(zhǔn)分子激光器，其具有248nm的脈沖輸出，約10ns的脈沖長度和1000Hz的重復(fù)率(repetition rate)。重復(fù)率可以低于或高于1000Hz。
束調(diào)節(jié)裝置20可以是簡單透鏡或透鏡組件。束調(diào)節(jié)裝置20使從輻射源10發(fā)出的輻射均勻地分布在計算機(jī)控制的中間掩模30的表面上。在連續(xù)輻射源的情況下，這樣的源的束可以在計算機(jī)控制的中間掩模的表面上掃描。
工件60以系統(tǒng)方式移動，使得光學(xué)系統(tǒng)合成所需的器件層圖案。
計算機(jī)控制的中間掩模30可以是空間光調(diào)制器(SLM)。在此實施例中，SLM在單一時刻包括構(gòu)圖工件60的特定區(qū)域所需的全部信息。
對于此應(yīng)用的其余部分，采用靜電控制的微鏡矩陣(一維或二維)，盡管如上所述的其它裝置也可以，例如依賴LCD晶體或電光材料作為它們的調(diào)制機(jī)構(gòu)的透射或反射SLM，或者利用壓電或電致伸縮驅(qū)動的微機(jī)械SLM。
SLM 30是可編程器件，其產(chǎn)生被來自計算機(jī)的分離輸入調(diào)制的輸出輻射束。SLM 30響應(yīng)于計算機(jī)反饋數(shù)據(jù)通過亮和暗像素的產(chǎn)生模擬掩模的功能。例如，相位SLM 30是蝕刻的固態(tài)鏡的陣列。每個微鏡元件通過恢復(fù)鉸鏈(restoring hinge)懸于硅襯底之上，恢復(fù)鉸鏈可以通過單獨(dú)的支承柱或者通過相鄰的鏡支承。微鏡元件下面是地址電極。一個微鏡代表物平面中的一個像素。這里像平面中的像素定義為與微鏡具有相同的幾何形狀，但尺寸由于光學(xué)可以不同，即取決于光學(xué)是放大或縮小而更大或更小。
微鏡和地址電極作為電容器從而例如施加到微鏡的負(fù)電壓與施加到地址電極的正電壓一起將扭轉(zhuǎn)懸掛微鏡的轉(zhuǎn)矩鉸鏈(torsion hinge)，這又允許微鏡轉(zhuǎn)動或者向上或向下移動，從而產(chǎn)生反射光的相位調(diào)制。
此實施例中投影系統(tǒng)包括可以是復(fù)合鏡筒透鏡的傅立葉透鏡裝置40、空間過濾器70和物鏡裝置50。傅立葉透鏡裝置40和空間過濾器70一起形成通常所謂的傅立葉過濾器。傅立葉裝置40將衍射圖案投影到空間過濾器70上?？梢允菑?fù)合最終透鏡(compounded final lens)的物鏡裝置50在工件60上形成虛像(aerial image)。
在此實施例中空間過濾器70是板中的縫隙(aperture)。所述縫隙調(diào)整尺寸且被定位從而基本遮蔽衍射為第一和更高衍射級的所有光，例如所述縫隙可以位于傅立葉透鏡裝置40的焦距處。所反射的輻射被所述傅立葉透鏡裝置40聚集在焦平面(focal plane)，其同時作為物鏡裝置50的光瞳平面(pupilplane)。該縫隙截去來自SLM中選址微鏡(addressed micromirror)的第一和更高衍射級的光，同時來自非選址鏡表面的輻射可以通過該縫隙。所得物是像傳統(tǒng)光刻中那樣在工件60上強(qiáng)度調(diào)制的虛像。
圖2A示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的浸式光學(xué)裝置200。圖2A中的被圍繞區(qū)域的放大視圖示于圖2B中。圖2A中，工件表示為260，物鏡表示為250。圖1中的物鏡50通過空氣或任何其它氣體媒質(zhì)與工件分隔開。在圖2A和2B中，物鏡250通過通常為液體的浸入媒質(zhì)與工件260接觸。
在圖2B中的放大視圖中，物鏡250及其周圍元件的細(xì)節(jié)表示如下浸入流體供應(yīng)管230，浸入流體儲存器210，物鏡的最后元件220，分配器槽290、291，可替換的平坦覆蓋玻璃292，浸入流體膜294，多孔元件215，浸入流體水平面232，流體去除管240，干燥空氣252，聚焦空氣(focus air)280，以及工件260。
浸入流體可以是不與工件上的光刻抗蝕劑不利地反應(yīng)即溶解抗蝕劑或污染抗蝕劑的任何流體，浸入流體對所使用的輻射足夠透明，具有一折射率從而允許到抗蝕劑等上的改進(jìn)分辨率的成像。這樣的流體的示例是凈化水。
浸入流體通過浸入流體供應(yīng)管230提供到浸入流體儲存器210。第一浸入流體儲存器210中的浸入流體水平面232保持在一水平面，使得多孔或纖維材料215用所述浸入流體部分浸透，這里所述部分浸透通過低于多孔材料215的最高點的浸入流體水平面232表示。
浸入流體通過浸入流體去除管道240從流體儲存器210移除。所述流體儲存器可以連接到所述多孔材料。
所述多孔材料可以具有數(shù)種屬性和功能。
第一，所述多孔材料可以防止或充分減少所述浸入流體包含空氣或氣泡。空氣或氣泡將導(dǎo)致工件上不期望的光學(xué)現(xiàn)象。
第二，當(dāng)浸式光學(xué)裝置200將到達(dá)待構(gòu)圖的工件的邊緣時，將沒有浸入流體的溢出，因為多孔材料將從表面吸收所述浸入流體。這是可行的，因為所述多孔材料沒有用所述浸入液體完全浸透。
最終透鏡的最后元件與工件的距離通過氣壓計(air gage)和伺服控制(未示出)保持在恒定水平。聚集空氣280通過至少一個孔282供應(yīng)到襯底中，且例如一熱線(hot wire)將其溫度提交到另一熱線。所述另一熱線設(shè)置為所需條件且所述兩熱線之間的任何偏差可通過降低或提高聚集空氣供應(yīng)來調(diào)節(jié)。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說其它的氣壓計機(jī)制(mechanism)是顯而易見的，因此這里不需要進(jìn)一步說明。
干燥空氣252可以可選地供應(yīng)到工件從而消除留在移動工件上的任何浸入流體膜，其會影響通過所述氣壓計的距離測量。因此，所述干燥空氣在聚焦空氣前方供應(yīng)到晶片，即在浸入流體膜與聚焦空氣之間。
分配器槽290、291可選地布置在浸式光學(xué)裝置200中。所述分配器槽具有比沒有所述槽時更有效地供應(yīng)所述浸入媒質(zhì)到物鏡與所述工件之間的同質(zhì)膜(homogenous film)的屬性。
所述多孔材料可以是陶瓷材料、管芯材料或纖維材料、任何合適的燒結(jié)材料或人工制造的蜂窩結(jié)構(gòu)。也可以使用其中形成有多個孔的固體材料。所述孔的尺寸調(diào)整為表現(xiàn)出所需的毛細(xì)作用。
物鏡可以可選地覆蓋以所述可替換的平坦覆蓋玻璃292。在工件260之上掃描物鏡時所述玻璃將防止所述物鏡受到任何損傷。
物鏡與工件之間的距離可以在200nm至1mm之間。
在另一實施例中，所述多孔材料215被省略。于是浸入媒質(zhì)通過至少一個孔供應(yīng)到所述浸式光學(xué)裝置200與所述工件260之間的間隙。浸入通過可連接到所述浸入流體儲存器的至少一個孔和所述浸入流體去除管類似地被去除。
浸入媒質(zhì)的供應(yīng)保持浸式光學(xué)裝置與工件之間的浸入膜的橫向尺寸和同質(zhì)性。
在圖2B所示的實施例中，浸入媒質(zhì)膜在彎曲表面295處被切斷。在該彎曲表面處毛細(xì)作用逐漸減小，當(dāng)達(dá)到浸式光學(xué)裝置200與工件260之間的某一距離時浸入媒質(zhì)將停下擴(kuò)展。此設(shè)計有效地保持了浸入媒質(zhì)膜的橫向尺寸的控制。
浸入流體或媒質(zhì)供應(yīng)確保一直有足夠的浸入流體使用。當(dāng)工件在光刻工藝中被掃描時，由于粘到工件表面和/或蒸發(fā)，總是存在浸入媒質(zhì)的一些損失。某一時間之后，將有過少的浸入媒質(zhì)用于產(chǎn)生同質(zhì)膜。這時氣泡會產(chǎn)生且光刻成像工藝將被破壞?；蛘?，浸入媒質(zhì)的不充分交換會允許曝光期間產(chǎn)生的污染物累積并改變浸入膜的屬性。
圖3示出圖2A中的浸式光學(xué)裝置200的平面圖。物鏡250的最后(最低)元件220位于浸式光學(xué)裝置200中間。多孔材料215圍繞所述物鏡元件。浸入媒質(zhì)通過浸入媒質(zhì)供應(yīng)管230供應(yīng)且從浸入媒質(zhì)去除管240去除。聚焦空氣280用于保持工件與物鏡之間的距離的控制。
在另一實施例中，所述浸式光學(xué)裝置的至少部分表面，其與所述浸入媒質(zhì)接觸，具有潤濕所述表面的性質(zhì)，在使用水的情況下其通過親水性表示。工件，或更準(zhǔn)確地說抗蝕劑層的表面具有非潤濕屬性，在使用水的情況下其通過疏水性表示。此布置將確保浸式物鏡(immersion objective)一直與所述浸入媒質(zhì)接觸?？刮g劑的疏水性可減小掃描期間浸入媒質(zhì)的損失。
圖4A-4C示出根據(jù)本發(fā)明的浸式透鏡(immersion lens)400的實施例。圖4A是所述浸式透鏡400的底視圖，圖4B是所述浸式透鏡400的側(cè)視圖，圖4C是所述浸式透鏡400沿圖4B所示的A-A的剖視圖。
所述發(fā)明的浸式透鏡包括法蘭表面(flange surface)412、凸出部402、第一孔404、第二孔406、第一連接管道408、第二連接管道410。所述法蘭表面用于將所述浸式透鏡固定到支承結(jié)構(gòu)，所述支承結(jié)構(gòu)由圖5中的附圖標(biāo)記550部分顯示和描繪。所述第一和第二連接管道具有入口408a和出口408b。所述凸出部包括所述第一和第二孔。所述第一孔404可以是浸入媒質(zhì)入口孔，所述第二孔可以是浸入媒質(zhì)去除孔。所述浸入媒質(zhì)去除孔和所述浸入媒質(zhì)入口孔是可逆的，即當(dāng)所述工件相對于所述浸式透鏡400沿第一方向移動時，所述第一孔404可以是所述浸入媒質(zhì)入口孔，所述第二孔406可以是所述浸入媒質(zhì)去除孔。當(dāng)工件相對于浸式透鏡沿與第一方向相反的第二方向移動時，所述第一孔404可以是所述浸入媒質(zhì)去除孔，所述第二孔406可以是所述浸入媒質(zhì)入口孔。
第一和第二孔設(shè)置成直線，該直線與工件相對于浸式透鏡移動的方向基本一致。當(dāng)所述工件沿從所述第一孔404至所述第二孔406的方向移動時，所述第一孔404可以是所述浸入媒質(zhì)入口孔，所述第二孔406是所述浸入媒質(zhì)去除孔。當(dāng)所述工件沿從所述第二孔406至所述第一孔404的方向移動時，所述第二孔406可以是所述浸入媒質(zhì)入口孔，所述第一孔404可以是所述浸入媒質(zhì)去除孔。
圖5示出本發(fā)明的浸式透鏡400和僅部分示出的支承結(jié)構(gòu)550。所述支承結(jié)構(gòu)550包括第一空氣聚焦孔502、第二空氣聚焦孔504、所述浸式透鏡400、第一浸入媒質(zhì)去除器件506和第二浸入媒質(zhì)去除器件507。所述第一和第二浸入媒質(zhì)去除器件506和507分別包括出口孔508和509。
凸出部402可基本為分別與第一和第二浸入去除器件506和507一樣距離工件相同的高度。從所述工件與所述凸出部402之間的通過毛細(xì)力在橫向方向上被固有限制的膜松散的浸入媒質(zhì)分別通過所述第一或第二浸入媒質(zhì)去除器件506或507捕捉，使用哪一個取決于工件相對于所述浸式透鏡400的移動方向。所述浸入媒質(zhì)去除器件形成為馬蹄形(horse shoe)從而確保沒有浸入媒質(zhì)到達(dá)所述第一或第二空氣聚焦孔502和/或504下面，即阻擋物形成在空氣聚焦孔與任何松散的浸入媒質(zhì)的可能方向之間。所述空氣聚焦孔可以按傳統(tǒng)已知方式連接到控制單元和參考單元從而測量浸式透鏡與工件之間的距離。該技術(shù)對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是公知的，因此不需要進(jìn)一步說明。
因此，盡管到此已經(jīng)公開了用于構(gòu)圖工件的設(shè)備的特定實施例，但是這樣的具體參考無意被視為除了權(quán)利要求所提出的范圍之外對本發(fā)明的范圍的限制。
例如，代替使用至少一個用于產(chǎn)生將要印在所述工件上的所需圖案的空間光調(diào)制器，聲光器件(調(diào)制器和偏轉(zhuǎn)器)可以用于相同目的。這樣的器件用于商業(yè)可得的用于在激光光刻中使用的激光掃描器中，例如Micronic自己的Omega機(jī)。使用聲光調(diào)制器和旋轉(zhuǎn)棱鏡的另一圖案生成器是Appliedmaterials公司的Alta機(jī)。還可以使用掩?；蛑虚g掩模以產(chǎn)生圖案，即步進(jìn)器(stepper)。
另外，已經(jīng)結(jié)合其特定具體實施例描述了本發(fā)明，應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員會想到進(jìn)一步的修改，本發(fā)明有意覆蓋落入權(quán)利要求定義的范圍內(nèi)的所有這些修改。
權(quán)利要求
1.一種用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該浸式光刻系統(tǒng)包括-源，其發(fā)射電磁輻射到物平面上；-調(diào)制器，其適于根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面處接收和調(diào)制所述電磁輻射，且適于朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-浸入媒質(zhì)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的浸式光學(xué)裝置的至少一部分以及部分所述工件，其中所述浸入媒質(zhì)通過布置在所述浸式光學(xué)裝置中的至少一個孔供應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述調(diào)制器是SLM。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述SLM包括反射像素。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述反射像素是微鏡。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述調(diào)制器是聲光調(diào)制器。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述發(fā)射電磁輻射的源是受激準(zhǔn)分子激光器。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括多孔或纖維材料，通過所述多孔或纖維材料供應(yīng)所述浸入媒質(zhì)。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括至少一個浸入媒質(zhì)去除孔。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，還包括多孔或纖維材料，通過所述多孔或纖維材料去除所述浸入媒質(zhì)。
10.如權(quán)利要求7或9所述的設(shè)備，其中所述多孔材料保持用所述浸入媒質(zhì)不完全浸透。
11.一種用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該浸式光刻系統(tǒng)包括-源，其發(fā)射電磁輻射到物平面上；-掩模，其布置在所述物平面處從而朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-浸入媒質(zhì)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的浸式光學(xué)裝置的至少一部分以及部分所述工件，其中所述浸入媒質(zhì)通過布置在所述浸式光學(xué)裝置中的至少一個孔供應(yīng)。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述發(fā)射電磁輻射的源是受激準(zhǔn)分子激光器。
13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，還包括多孔或纖維材料，通過所述多孔或纖維材料供應(yīng)所述浸入媒質(zhì)。
14.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備，還包括至少一個浸入媒質(zhì)去除孔。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，還包括多孔或纖維材料，通過所述多孔或纖維材料去除所述浸入媒質(zhì)。
16.如權(quán)利要求13或15所述的設(shè)備，其中所述多孔或纖維材料保持用所述浸入媒質(zhì)不完全浸透。
17.一種用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該浸式光刻系統(tǒng)包括-源，其發(fā)射電磁輻射到物平面上；-調(diào)制器，其適于根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面處接收和調(diào)制所述電磁輻射，且適于朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-浸入媒質(zhì)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的物鏡的至少一部分以及部分所述工件，其中所述接觸的區(qū)域通過毛細(xì)力受到限制。
18.如權(quán)利要求17所述的浸式光刻系統(tǒng)，還包括用于向所述物鏡和所述工件的所述部分供應(yīng)浸入媒質(zhì)的浸入媒質(zhì)儲存器。
19.如權(quán)利要求18所述的浸式光刻系統(tǒng)，其中所述浸入媒質(zhì)通過多孔或纖維材料供應(yīng)。
20.一種用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該浸式光刻系統(tǒng)包括-源，其發(fā)射電磁輻射到物平面上；-掩模，其適于在所述物平面處接收和調(diào)制所述電磁輻射，且適于朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-浸入媒質(zhì)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的最終透鏡的至少一部分以及部分所述工件，其中所述接觸的區(qū)域通過毛細(xì)力受到限制。
21.如權(quán)利要求17所述的浸式光刻系統(tǒng)，還包括用于向所述物鏡和所述工件的所述部分供應(yīng)浸入媒質(zhì)的浸入媒質(zhì)儲存器。
22.如權(quán)利要求18所述的浸式光刻系統(tǒng)，其中所述浸入媒質(zhì)通過多孔或纖維材料供應(yīng)。
23.一種用于構(gòu)圖工件的方法，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該方法包括操作-發(fā)射電磁輻射到物平面上；-根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面處調(diào)制所述電磁輻射；-朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-供應(yīng)浸入媒質(zhì)接觸所述光刻系統(tǒng)的物鏡的至少一部分以及所述工件的至少一部分。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括操作-通過毛細(xì)力限制所述接觸的橫向延展。
25.一種用于構(gòu)圖工件的方法，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該方法包括操作-發(fā)射電磁輻射到物平面上；-根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面處調(diào)制所述電磁輻射；-朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-通過浸入媒質(zhì)接觸所述光刻系統(tǒng)的物鏡的至少一部分以及所述工件的至少一部分，其中所述接觸通過毛細(xì)力沿所述工件的橫向方向受到限制。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括操作-通過浸入媒質(zhì)儲存器供應(yīng)所述浸入媒質(zhì)。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述浸入媒質(zhì)通過多孔或纖維材料供應(yīng)。
28.一種用于構(gòu)圖工件的方法，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層，該方法包括操作-發(fā)射電磁輻射到物平面上；-根據(jù)輸入圖案描述在所述物平面處調(diào)制所述電磁輻射；-朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；-形成浸入媒質(zhì)膜從而接觸所述光刻系統(tǒng)的物鏡的至少一部分以及所述工件的至少一部分；-在所述工件之上移動所述物鏡時，向所述浸入媒質(zhì)膜供應(yīng)浸入媒質(zhì)從而保持其橫向尺寸。
29.一種浸式透鏡(400)，其用于光刻設(shè)備中且通過浸入媒質(zhì)可與工件接觸，所述浸式透鏡(400)包括至少一個浸入媒質(zhì)入口孔、至少一個浸入媒質(zhì)去除孔和至少一個凸出部(402)，所述至少一個浸入媒質(zhì)入口孔和所述至少一個浸入媒質(zhì)去除孔形成在所述凸出部(402)中，所述凸出部(402)指向所述工件。
30.如權(quán)利要求29所述的浸式透鏡(400)，其中所述浸入媒質(zhì)入口孔和所述浸入媒質(zhì)去除孔根據(jù)所述浸式透鏡(400)相對于所述工件的移動方向是可逆的。
31.如權(quán)利要求29所述的浸式透鏡(400)，其中所述浸入媒質(zhì)借助于毛細(xì)力被限制到所述凸出部(402)下面的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于構(gòu)圖工件的浸式光刻系統(tǒng)，所述工件布置在像平面且至少部分地被覆蓋以對電磁輻射敏感的層。所述系統(tǒng)包括源，其發(fā)射電磁輻射到物平面上；掩模，其適于在所述物平面處接收和調(diào)制所述電磁輻射，并朝向所述工件傳遞所述電磁輻射；以及浸入媒質(zhì)，其接觸所述光刻系統(tǒng)的最終透鏡的至少一部分以及部分所述工件，其中所述接觸的區(qū)域通過毛細(xì)力受到限制。本發(fā)明還涉及用于構(gòu)圖工件的方法以及這樣的浸式透鏡。
文檔編號G03F7/20GK1864103SQ200480028688
公開日2006年11月15日 申請日期2004年10月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月3日
發(fā)明者艾倫·卡羅爾 申請人:麥克羅尼克激光系統(tǒng)公司