技術(shù)編號：2777700
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總地涉及用于光學(xué)光刻的技術(shù)，特別地，涉及利用浸式光刻(immersion lithography)構(gòu)圖工件的方法。背景技術(shù) 當(dāng)在工件上制作圖案時，圖案可以曝光于正光致抗蝕劑(positive photoresist)中，該工件可以是集成電路、掩模、中間掩模(reticle)、平板顯示器、微機械或微光學(xué)器件以及例如引線框和MCM的封裝器件。在制造掩模的情況下，曝光區(qū)域中的抗蝕劑通過顯影和蝕刻工藝被去除，未受保護的鉻然后通過鉻蝕刻劑被溶解。所得物，即具有...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。