專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種陣列基板及其修補(bǔ)方法，且特別是關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法的發(fā)明。
背景技術(shù)：
由于顯示器的需求與日俱增，因此業(yè)界全力投入相關(guān)顯示器的開發(fā)。其中，又以陰極射線管(Cathode Ray Tube)因具有優(yōu)異的顯示質(zhì)量與技術(shù)成熟性，因此長年獨(dú)占顯示器市場。然而，近來由于綠色環(huán)保概念的興起，由于其能源消耗較大與產(chǎn)生輻射量較大的特性，加上產(chǎn)品扁平化空間有限，因此無法適應(yīng)市場對于輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場趨勢。因此，具有高畫面質(zhì)量、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性之薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為市場之主流。
以薄膜晶體管液晶顯示模塊(TFT-LCD module)而言，其主要由液晶顯示面板(liquid crystal display Panel)及背光模塊(backlight module)所構(gòu)成。其中，液晶顯示面板通常是由薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor arraysubstrate)、彩色濾光基板(color filter substrate)與設(shè)置于此兩基板間之液晶層所構(gòu)成，而背光模塊用以提供此液晶顯示面板所需之面光源，以使液晶顯示模塊達(dá)到顯示的效果。
承上所述，薄膜晶體管陣列基板通常包括多條數(shù)據(jù)配線(data line)、多條掃瞄配線(scan line)、多個(gè)薄膜晶體管與多個(gè)像素電極(pixel electrode)，其中這些數(shù)據(jù)配線與這些掃瞄配線設(shè)置于基板上，且這些數(shù)據(jù)配線與這些掃瞄配線在基板上劃分出多個(gè)像素區(qū)域(pixel region)。另外，薄膜晶體管設(shè)置于像素區(qū)域上，而薄膜晶體管由數(shù)據(jù)配線與掃瞄配線驅(qū)動，且薄膜晶體管與像素電極電連接。
薄膜晶體管通過掃瞄線配以及數(shù)據(jù)配線的控制而驅(qū)動其呈現(xiàn)“開”或“關(guān)”的狀態(tài)，以決定與此薄膜晶體管電連接的像素電極是否充入電荷。然而，由于傳統(tǒng)薄膜晶體管為單一柵極結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，因此通過此薄膜晶體管而充入像素電極的電荷流量將有一定的極限。此外，在薄膜晶體管陣列基板的制造過程中，部分掃瞄配線可能發(fā)生斷線，或者部分掃瞄配線與數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路，因而形成薄膜晶體管陣列基板的缺陷，而影響薄膜晶體管陣列基板的成品率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板，以解決傳統(tǒng)薄膜晶體管之單一柵極結(jié)構(gòu)所存在的限制，并提高薄膜晶體管陣列基板的成品率。
此外，本發(fā)明的再一目的就是提供一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，以修補(bǔ)薄膜晶體管陣列基板之缺陷。
另外，本發(fā)明的又一目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，以使薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法更加簡易方便。
再者，本發(fā)明的另一目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，使得修補(bǔ)后之薄膜晶體管陣列基板的電氣質(zhì)量不會產(chǎn)生太大的變化。
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條第一掃瞄配線、第一介電層、多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)薄膜晶體管、第二介電層、多個(gè)像素電極與多條第二掃瞄配線。這些第一掃瞄配線設(shè)置于基板上，且第一介電層設(shè)置于基板上并且至少覆蓋住第一掃瞄配線。此外，這些數(shù)據(jù)配線設(shè)置于第一介電層上，其中這些第一掃瞄配線與這些數(shù)據(jù)配線于基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域。另外，這些薄膜晶體管分別設(shè)置于基板上的像素區(qū)域內(nèi)，其中各薄膜晶體管由對應(yīng)的一條第一掃瞄配線與一條數(shù)據(jù)配線所驅(qū)動。再者，第二介電層設(shè)置于第一介電層上，并且至少覆蓋數(shù)據(jù)配線與薄膜晶體管，而每一像素電極設(shè)置于各像素區(qū)域內(nèi)的第二介電層上，并與對應(yīng)的一個(gè)薄膜晶體管電連接。此外，這些第二掃瞄配線設(shè)置于第二介電層上，其中每一第二掃瞄配線與對應(yīng)的一條第一掃瞄配線電連接。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例，上述之薄膜晶體管陣列基板還包括多個(gè)接觸窗(contact hole)，接觸窗設(shè)置于第一介電層與第二介電層內(nèi)，且每一第二掃瞄配線由這些接觸窗與對應(yīng)的這些第一掃瞄配線中的一條電連接。
依照本發(fā)明的第一實(shí)施例，這些第一掃瞄配線的位置與這些第二掃瞄配線的位置例如是重迭的。
依照本發(fā)明的第二實(shí)施例，在這些第一掃瞄配線與這些數(shù)據(jù)配線的交越處，這些第一掃瞄配線的位置與這些第二掃瞄配線的位置例如是不重迭的。
依照本發(fā)明的第三實(shí)施例，在這些第一掃瞄配線與這些數(shù)據(jù)配線的交越處，每一第一掃瞄配線例如由多條第一子掃瞄配線所構(gòu)成，且這些第一子掃瞄配線的位置與其上方的第二掃瞄配線的位置例如是不重迭的。
在上述實(shí)施例中，第二掃瞄配線之材質(zhì)例如是透明導(dǎo)電材質(zhì)或金屬材質(zhì)。
在上述實(shí)施例中，每一薄膜晶體管例如是單柵極薄膜晶體管或雙柵極薄膜晶體管(dual gate thin film transistor)。倘若薄膜晶體管是雙柵極薄膜晶體管，則包括第一柵極、第一介電層、半導(dǎo)體層、源極以及漏極、第二介電層與第二柵極。第一柵極設(shè)置于基板上，且第一柵極與對應(yīng)的一條第一掃瞄配線電連接。此外，第一介電層覆蓋住第一柵極，而半導(dǎo)體層至少設(shè)置于第一柵極上方之第一介電層上。另外，源極以及漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，且源極與對應(yīng)的一條數(shù)據(jù)配線電連接。再者，第二介電層覆蓋源極以及漏極，而第二柵極至少設(shè)置于半導(dǎo)體層上方之第二介電層上，其中第二柵極與第一柵極電連接，且第二柵極與對應(yīng)的一條第二掃瞄配線電連接。
在上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體層例如是通道層(channel layer)與歐姆接觸層(ohmic contact layer)，其中歐姆接觸層設(shè)置于信道層與源極以及漏極之間。
在上述實(shí)施例中，第二柵極之材質(zhì)例如是透明導(dǎo)體材質(zhì)或是金屬材質(zhì)。
本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對上述第一實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)這些第一掃瞄配線中之一與對應(yīng)的這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，修補(bǔ)方法包括將第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷。此外，被切斷的第一掃瞄配線可由位于其上方的第三掃瞄配線而形成通路。
在上述實(shí)施例中，將第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法例如是利用激光由基板之背面將其燒斷。
在上述實(shí)施例中，將第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法例如是由基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對上述第二實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)。當(dāng)這些第一掃瞄配線中之一與對應(yīng)的這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的第一掃瞄配線切斷，且第一掃瞄配線之切斷處位于第一掃瞄配線與第二掃瞄配線不重迭之處。此外，被切斷的第一掃瞄配線可由位于其上方的第三掃瞄配線而形成通路。
在上述實(shí)施例中，將第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法例如是利用激光由基板之背面將其燒斷。
在上述實(shí)施例中，將第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法例如是由基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
本發(fā)明又提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對上述第三實(shí)施例之之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)。當(dāng)這些第一掃瞄配線中之一之部分第一子掃瞄配線與對應(yīng)的這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的第一子掃瞄配線切斷。此外，第一掃瞄配線可由未被切斷的其它第一子掃瞄配線以及第一掃瞄配線上方的第三掃瞄配線而形成通路。
在上述實(shí)施例中，將發(fā)生電氣短路處的第一子掃瞄配線切斷的方法例如是利用激光由基板之背面將其燒斷。
在上述實(shí)施例中，將發(fā)生電氣短路處的第一子掃瞄配線切斷的方法例如是由基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
基于上述說明，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板將第二掃瞄配線與第一掃瞄配線電連接，因此無須對于斷線之第一掃瞄配線進(jìn)行修補(bǔ)工藝，因而使得薄膜晶體管陣列基板的成品率提高。此外，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板能夠由簡單的修補(bǔ)工藝，以修補(bǔ)第一掃瞄配線與數(shù)據(jù)配線發(fā)生電氣短路的情況，因此本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板的成品率能夠進(jìn)一步提高。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A為依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。
圖1B為沿圖1A之I-I’線的剖面示意圖。
圖2A為雙柵極薄膜晶體管的俯視示意圖。
圖2B為繪示沿圖2A之II-II’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2C為沿圖2A之III-III’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3為依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法的示意圖。
圖4為依照本發(fā)明第二較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。
圖5為依照本發(fā)明第三較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。
主要元件標(biāo)記說明100、200、300薄膜晶體管陣列基板110基板110a像素區(qū)域120、220、320第一掃瞄配線122第一柵極130第一介電層
140數(shù)據(jù)配線142源極144漏極150薄膜晶體管152半導(dǎo)體層152a歐姆接觸層152b通道層160第二介電層170像素電極172、190接觸窗180第二掃瞄配線182第二柵極320a第一子掃瞄配線具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖1A為依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。圖1B是沿圖1A之I-I’線的剖面示意圖。請同時(shí)參照圖1A與圖1B，薄膜晶體管陣列基板100包括基板110、多條第一掃瞄配線120、第一介電層130、多條數(shù)據(jù)配線140、多個(gè)薄膜晶體管150、第二介電層160、多個(gè)像素電極170與多條第二掃瞄配線180。其中，第一掃瞄配線120設(shè)置于基板110上，且第一介電層130設(shè)置于基板110上并且至少覆蓋住第一掃瞄配線120。此外，數(shù)據(jù)配線140設(shè)置于第一介電層130上，其中這些第一掃瞄配線120與這些數(shù)據(jù)配線140于基板110上定義出多個(gè)像素區(qū)域110a。
這些薄膜晶體管150分別設(shè)置于基板110上的像素區(qū)域110a內(nèi)，其中各個(gè)薄膜晶體管150由對應(yīng)的一條第一掃瞄配線120與一條數(shù)據(jù)配線140所驅(qū)動。此外，第二介電層160設(shè)置于第一介電層130上，并至少覆蓋數(shù)據(jù)配線140與薄膜晶體管150。另外，每一像素電極170設(shè)置于各像素區(qū)域110a內(nèi)的第二介電層160上，并與對應(yīng)的一個(gè)薄膜晶體管150電連接。再者，這些第二掃瞄配線180設(shè)置于第二介電層160上，其中每一第二掃瞄配線180與對應(yīng)的一條第一掃瞄配線120電連接。
更詳細(xì)而言，第二掃瞄配線180例如是由多個(gè)設(shè)置于第一介電層130與第二介電層160之接觸窗190，電連接至第一掃瞄配線120。換言之，每一條第二掃瞄配線180與其下方之第一掃瞄配線120電連接。值得注意的是，本發(fā)明并不限定第二掃瞄配線180由接觸窗190電連接至第一掃瞄配線120。此外，第一掃瞄配線120的位置與這些第二掃瞄配線180的位置例如是重迭的。另外，第二掃瞄配線180與像素電極170之材質(zhì)例如是透明導(dǎo)電材質(zhì)、金屬材質(zhì)或其它導(dǎo)體材質(zhì)，其中透明導(dǎo)電材質(zhì)例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。值得一提的是，本發(fā)明并不限定第二掃瞄配線180與像素電極170必須由同一材質(zhì)所構(gòu)成，但是第二掃瞄配線180與像素電極170也可以是同一材質(zhì)所構(gòu)成。換言之，第二掃瞄配線180與像素電極170也可以在同一工藝中完成。
當(dāng)?shù)谝粧呙榕渚€120發(fā)生斷線的情況時(shí)，無論第一掃瞄配線120之?dāng)嗑€處是位于第一掃瞄配線120與第二掃瞄配線180之交越處或是非交越處，由于第二掃瞄配線180與第一掃瞄配線120電連接，因此即使第一掃瞄配線120發(fā)生斷線，但其信號仍舊可以通過第二掃瞄配線180傳遞，因而不會影響正常信號的傳遞。換言之，如果第一掃瞄配線120發(fā)生斷線，則本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100無需對第一掃瞄配線120進(jìn)行修補(bǔ)仍能使信號能正常的傳遞，因此薄膜晶體管陣列基板100的成品率能提高。此外，由于第二掃瞄配線180是形成在第一掃瞄配線120的上方，因此本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100的開口率或是其它顯示特性均不會改變。
承上所述，薄膜晶體管150例如是單柵極薄膜晶體管、雙柵極薄膜晶體管或是其它種類的薄膜晶體管。值得注意的是，倘若薄膜晶體管150是雙柵極薄膜晶體管，則第二掃瞄配線180還包括覆蓋部分薄膜晶體管150，以構(gòu)成雙柵極薄膜晶體管。有關(guān)于此種雙柵極薄膜晶體管的詳細(xì)內(nèi)容，本案申請人已于中國臺灣專利申請案第93118245號中詳細(xì)揭露。有關(guān)于此種雙柵極薄膜晶體管應(yīng)用于本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100的情況將詳述如后。
圖2A為雙柵極薄膜晶體管的俯視示意圖。圖2B是沿圖2A之II-II’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2C是沿圖2A之III-III’線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請同時(shí)參照圖2A、圖2B與圖2C，雙柵極之薄膜晶體管150包括第一柵極122、第一介電層130、半導(dǎo)體層152、源極142、漏極144、第二介電層160與第二柵極182，其中第一柵極122設(shè)置于基板110上，且第一柵極122與對應(yīng)的第一掃瞄配線120電連接。此外，第一介電層130覆蓋住第一柵極122，而半導(dǎo)體層144至少設(shè)置于第一柵極122上方之第一介電層130上。
源極142與漏極144設(shè)置于半導(dǎo)體層152上，且源極142與對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線140電連接。此外，第二介電層160覆蓋源極142以及漏極144，而第二柵極182至少設(shè)置于半導(dǎo)體層152上方之第二介電層160上，其中第二柵極182與第一柵極122電連接，且第二柵極182與對應(yīng)的第二掃瞄配線180電連接。另外，像素電極170與第二柵極182電氣隔離，而像素電極170例如是由接觸窗172與漏極144電連接。再者，第二柵極182經(jīng)由設(shè)置于第一介電層130與第二介電層160內(nèi)之接觸窗190電連接至第一柵極122。
更詳細(xì)而言，半導(dǎo)體層152例如包括通道層152b與歐姆接觸層152a，而歐姆接觸層152a分別設(shè)置于信道層152b以及源極142與漏極144之間，如圖1B所示。此外，第二柵極152之材質(zhì)例如是透明導(dǎo)體材質(zhì)、金屬材質(zhì)或其它導(dǎo)體材質(zhì)，其中透明導(dǎo)體材質(zhì)例如包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。由于薄膜晶體管150之雙柵極的設(shè)計(jì)可以誘導(dǎo)通道層152b產(chǎn)生較大的電流通道，因此此種雙柵極之薄膜晶體管150能夠容許較大的電流通過，以改善液晶顯示器的顯示質(zhì)量。
承上所述，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100不僅具有上述優(yōu)點(diǎn)。此外，當(dāng)?shù)谝粧呙榕渚€120與數(shù)據(jù)配線140產(chǎn)生電氣短路時(shí)，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100也能夠經(jīng)由修補(bǔ)而成為正品。有關(guān)于本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板100的修補(bǔ)方法將詳述如后。
圖3為依照本發(fā)明第一較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法的示意圖。請參照圖3，當(dāng)?shù)谝粧呙榕渚€120與對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線140產(chǎn)生電氣短路時(shí)(如圖3之虛線區(qū)域所示)，薄膜晶體管陣列基板100的修補(bǔ)方法包括將第一掃瞄配線120發(fā)生電氣短路之處切斷，然而被切斷的第一掃瞄配線120仍可由位于其上方的第三掃瞄配線180而形成通路。
值得注意的是，將第一掃瞄配線120發(fā)生電氣短路之處切斷的方法例如是由基板110之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。其例如是適當(dāng)?shù)目刂萍す饩劢沟纳疃?，以燒斷第一掃瞄配線120發(fā)生電氣短路之處。除此之外，將第一掃瞄配線120發(fā)生電氣短路之處切斷的方法亦可以利用激光由基板110之背面將其燒斷。此外，為了使得修補(bǔ)作業(yè)進(jìn)行得更加的順利，第一掃瞄配線120與第三掃瞄配線180亦可采用其它設(shè)計(jì)，詳述如后。
第二實(shí)施例圖4為依照本發(fā)明第二較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。請參照圖4，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例相似，其不同之處在于在薄膜晶體管陣列基板200之第一掃瞄配線220與數(shù)據(jù)配線140的交越處，第一掃瞄配線220的位置與第二掃瞄配線180的位置例如是不重迭的。當(dāng)?shù)谝粧呙榕渚€220與對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線140產(chǎn)生電氣短路時(shí)，修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的第一掃瞄配線220切斷(如放大區(qū)域之虛線A的位置)，而第一掃瞄配線220之切斷處位于第一掃瞄配線220與第二掃瞄配線180不重迭之處。此外，被切斷的第一掃瞄配線220可由位于其上方的第三掃瞄配線180而形成通路(類似圖3所示)。另外，將第一掃瞄配線220發(fā)生電氣短路之處切斷的方法如同第一實(shí)施例所述，在此不再贅述。
承上所述，由于在第一掃瞄配線220與數(shù)據(jù)配線140的交越處，第一掃瞄配線220與第二掃瞄配線180是不重迭的，因此在切斷第一掃瞄配線220的修補(bǔ)工藝中，第二掃瞄配線180與數(shù)據(jù)配線140較不容易被激光所損傷。
第三實(shí)施例圖5為依照本發(fā)明第三較佳實(shí)施例之薄膜晶體管陣列基板的俯視示意圖。請參照圖5，第三實(shí)施例與第二實(shí)施例相似，其不同之處在于在薄膜晶體管陣列基板300之第一掃瞄配線320與數(shù)據(jù)配線140的交越處，第一掃瞄配線320例如由多條第一子掃瞄配線320a所構(gòu)成，且這些第一子掃瞄配線320a的位置與其上方的第二掃瞄配線180的位置例如是不重迭的。當(dāng)部分第一子掃瞄配線320a與對應(yīng)的數(shù)據(jù)配線140產(chǎn)生電氣短路時(shí)，修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的第一子掃瞄配線320a切斷(如放大區(qū)域之虛線B的位置)。此外，第一掃瞄配線320可由未被切斷的其它第一子掃瞄配線320a以及第一掃瞄配線320上方的第三掃瞄配線180而形成通路。另外，將第一子掃瞄配線320a發(fā)生電氣短路之處切斷的方法如同第一實(shí)施例所述，在此不再贅述。
值得注意的是，倘若第二掃瞄配線180之材質(zhì)是選擇銦錫氧化物或銦鋅氧化物時(shí)，第二掃瞄配線180由于與金屬材質(zhì)之第一掃瞄配線220相比具有較大的電阻值。換言之，當(dāng)信號在第二掃瞄配線180中傳遞時(shí)，信號有可能會產(chǎn)生延遲的現(xiàn)象(RCdelay)。因此本實(shí)施例于第一掃瞄配線320設(shè)計(jì)有多條的第一子掃瞄配線320a，因此即使切斷其中一條第一子掃瞄配線320a，第一掃瞄配線320之信號仍可以經(jīng)由未被切斷的其它第一子掃瞄配線320a以及第一掃瞄配線320上方的第三掃瞄配線180來傳遞，因此修補(bǔ)后之薄膜晶體管陣列基板300的電氣質(zhì)量將不會有太大的變化。
綜上所述，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法具有下列優(yōu)點(diǎn)一、與公知技術(shù)相比，本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板無須對于斷線之第一掃瞄配線進(jìn)行修補(bǔ)而仍能夠呈現(xiàn)通路，因此薄膜晶體管陣列基板的成品率得以提高。
二、本發(fā)明亦可以搭配使用雙柵極薄膜晶體管，以使本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板的電氣質(zhì)量能夠進(jìn)一步提高。
三、本發(fā)明之薄膜晶體管陣列基板能夠由簡單的修補(bǔ)工藝，即可修補(bǔ)第一掃瞄配線與數(shù)據(jù)配線發(fā)生電氣短路的情況。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通專業(yè)人員，在不脫離本發(fā)明之思想和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征是包括多條第一掃瞄配線，設(shè)置于基板上；第一介電層，設(shè)置于該基板上且至少覆蓋住上述這些第一掃瞄配線；多條數(shù)據(jù)配線，設(shè)置于該第一介電層上，其中上述這些第一掃瞄配線與上述這些數(shù)據(jù)配線于該基板上定義出多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于該基板上的上述這些像素區(qū)域內(nèi)，其中每一上述這些薄膜晶體管由對應(yīng)的一條上述這些第一掃瞄配線與一條上述這些數(shù)據(jù)配線所驅(qū)動；第二介電層，設(shè)置于該第一介電層上，且至少覆蓋上述這些數(shù)據(jù)配線與上述這些薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，每一上述這些像素電極設(shè)置于各上述這些像素區(qū)域內(nèi)的該第二介電層上，并與對應(yīng)之一個(gè)上述這些薄膜晶體管電連接；以及多條第二掃瞄配線，設(shè)置于該第二介電層上，其中每一上述這些第二掃瞄配線與對應(yīng)的一條上述這些第一掃瞄配線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是還包括多個(gè)接觸窗，設(shè)置于該第一介電層與該第二介電層內(nèi)，且每一上述這些第二掃瞄配線由上述這些接觸窗與對應(yīng)的一條上述這些第一掃瞄配線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是上述這些第一掃瞄配線的位置與上述這些第二掃瞄配線的位置重迭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是在上述這些第一掃瞄配線與上述這些數(shù)據(jù)配線的交越處，上述這些第一掃瞄配線的位置與上述這些第二掃瞄配線的位置不重迭。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是在上述這些第一掃瞄配線與上述這些數(shù)據(jù)配線的交越處，每一上述這些第一掃瞄配線由多條第一子掃瞄配線所構(gòu)成，且上述這些第一子掃瞄配線的位置與其上方的該第二掃瞄配線的位置不重迭。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是上述這些第二掃瞄配線之材質(zhì)包括透明導(dǎo)電材質(zhì)或金屬材質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是每一上述這些薄膜晶體管為單柵極薄膜晶體管或是雙柵極薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該雙柵極薄膜晶體管包括第一柵極，設(shè)置于該基板上，且該第一柵極與對應(yīng)的一條上述這些第一掃瞄配線電連接；該第一介電層，覆蓋住該第一柵極；半導(dǎo)體層，至少設(shè)置于該第一柵極上方之該第一介電層上；源極以及漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，且該源極與對應(yīng)的一條上述這些數(shù)據(jù)配線電連接；該第二介電層，覆蓋該源極以及該漏極；以及第二柵極，至少設(shè)置于該半導(dǎo)體層上方之該第二介電層上，其中該第二柵極與該第一柵極電連接，且該第二柵極與對應(yīng)的一條上述這些第二掃瞄配線電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該半導(dǎo)體層包括通道層與歐姆接觸層，而該歐姆接觸層設(shè)置于該信道層與該源極以及該漏極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該第二柵極之材質(zhì)包括透明導(dǎo)體材質(zhì)或是金屬材質(zhì)。
11.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求3所述之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其特征是當(dāng)一條上述這些第一掃瞄配線與對應(yīng)的上述這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，該修補(bǔ)方法包括將該第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷，而被切斷的該第一掃瞄配線可由位于其上方的該第三掃瞄配線而形成通路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將該第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法是利用激光由該基板之背面將其燒斷。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將該第一掃瞄配線發(fā)生電氣短路之處切斷的方法是由該基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
14.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求4所述之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其特征是當(dāng)一條上述這些第一掃瞄配線與對應(yīng)的上述這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，該修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的該第一掃瞄配線切斷，且該第一掃瞄配線之切斷處位于該第一掃瞄配線與該第二掃瞄配線不重迭之處，而被切斷的該第一掃瞄配線可由位于其上方的該第三掃瞄配線而形成通路。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將發(fā)生電氣短路處的該第一掃瞄配線切斷的方法是利用激光由該基板之背面將其燒斷。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將發(fā)生電氣短路處的該第一掃瞄配線切斷的方法是由該基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
17.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對權(quán)利要求5所述之薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其特征是當(dāng)一條上述這些第一掃瞄配線的部分該第一子掃瞄配線與對應(yīng)的上述這些數(shù)據(jù)配線產(chǎn)生電氣短路時(shí)，該修補(bǔ)方法包括將發(fā)生電氣短路處的該第一子掃瞄配線切斷，而該第一掃瞄配線可由未被切斷的其它上述這些第一子掃瞄配線以及該第一掃瞄配線上方的該第三掃瞄配線而形成通路。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將發(fā)生電氣短路處的該第一子掃瞄配線切斷的方法是利用激光由該基板之背面將其燒斷。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述之薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征是將發(fā)生電氣短路處的該第一子掃瞄配線切斷的方法是由該基板之正面以激光聚焦的方式將其燒斷。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列基板，包括多條第一掃瞄配線、第一介電層、多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)薄膜晶體管、第二介電層、多個(gè)像素電極與多條第二掃瞄配線。第一掃瞄配線與第一介電層設(shè)置于基板上，其中第一介電層覆蓋住第一掃瞄配線。數(shù)據(jù)配線設(shè)置于第一介電層上，而薄膜晶體管設(shè)置于基板上，其中薄膜晶體管由對應(yīng)的第一掃瞄配線與數(shù)據(jù)配線所驅(qū)動。第二介電層設(shè)置于第一介電層上，并覆蓋數(shù)據(jù)配線與薄膜晶體管。像素電極與第二掃瞄配線設(shè)置于第二介電層上，其中像素電極與對應(yīng)的薄膜晶體管電連接，而第二掃瞄配線與對應(yīng)的第一掃瞄配線電連接。
文檔編號G02F1/133GK1779535SQ200410091580
公開日2006年5月31日 申請日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
發(fā)明者劉文雄 申請人:中華映管股份有限公司