專利名稱：半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，特別涉及可謀求提高設(shè)計(jì)、制造和檢查精度及提高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在某工具將處理結(jié)果輸出給符合標(biāo)準(zhǔn)格式的文件時(shí)，當(dāng)別的工具的輸入格式不符合所述標(biāo)準(zhǔn)格式時(shí)，必須進(jìn)行將所述符合標(biāo)準(zhǔn)格式的輸出文件變換為所述別的輸入格式的作業(yè)。
例如，在非專利文獻(xiàn)1的180頁Fig10-1中，示出了以下內(nèi)容即某工具將處理結(jié)果輸出給符合標(biāo)準(zhǔn)格式的文件，并將該輸出輸入給別的工具，通過將其反復(fù)輸出給與所述標(biāo)準(zhǔn)格式不同的別的符合格式的文件，以得到所希望格式的處理結(jié)果。
另外，在專利文獻(xiàn)1中，示出了以下內(nèi)容即根據(jù)每個(gè)裝置的特性變更輸入給裝置的文件格式，進(jìn)而對文件的內(nèi)容施行分類等的處理；例如，通過加工作為掩模制造裝置輸入的CAD格式文件的內(nèi)容，并將其作為掩模檢查裝置的輸入，以謀求提高掩模檢查效率。
另外，在專利文獻(xiàn)2中，示出了以下內(nèi)容即進(jìn)行讀取所述符合標(biāo)準(zhǔn)格式的文件，并將其變換為裝置內(nèi)部獨(dú)自格式的處理；例如，在作為掩模制造裝置之一的電子束描繪裝置中，輸入CAD格式文件，將收存在該文件中的圖形分解為單元圖形如矩形或梯形的集合，將其變換為獨(dú)自描繪格式。
另外，在專利文獻(xiàn)3中，示出了為避免如上所述的格式變換問題，在邏輯設(shè)計(jì)上設(shè)置通用數(shù)據(jù)庫的內(nèi)容。
非專利文獻(xiàn)1 Reuse Methodology Manual(ISBN 0-7923-8175-0)專利文獻(xiàn)1 特開2002-296753號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特開2002-299211號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 USP6,505,328發(fā)明內(nèi)容所述現(xiàn)有技術(shù)，通過交換符合標(biāo)準(zhǔn)格式的文件來實(shí)現(xiàn)工具間的聯(lián)合及裝置間的聯(lián)合。因此，必須進(jìn)行格式變換等煩雜的作業(yè)。另外，在所述格式變換中，產(chǎn)生精度下降或信息缺漏問題。特別是在作為掩模制造用數(shù)據(jù)的CAD格式數(shù)據(jù)的場合，信息的缺漏較嚴(yán)重。
作為掩模制造用數(shù)據(jù)，一般利用稱為GDSII的CAD格式。但是，用該CAD格式能夠表現(xiàn)的信息只是圖形信息，即不包含涉及半導(dǎo)體的信息。因此，不能把每個(gè)圖形信息識別為半導(dǎo)體元件或配線或虛設(shè)圖案等個(gè)別零件。所以，不能按每個(gè)圖形即按每個(gè)零件施行最合適的處理。
如所述專利文獻(xiàn)2所示，通過在掩模制造裝置和掩模檢查裝置中共用CAD格式，能夠消除格式變換等的煩雜作業(yè)。但是，在提高掩模檢查裝置的檢查生產(chǎn)率方面不充分。即通過設(shè)置通用數(shù)據(jù)庫，能夠減輕格式變換的煩雜。但是所述通用數(shù)據(jù)庫通過限定于在邏輯電路設(shè)計(jì)區(qū)域的數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)，當(dāng)要利用于掩模制造裝置或掩模檢查裝置等的邏輯電路設(shè)計(jì)以后的步驟時(shí)，只能實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)狀同等的處理。
本發(fā)明鑒于這些問題而提出，目的在于提供能夠無縫處理涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造及檢查信息的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)。
本發(fā)明為解決上述課題而采用如下措施。
具備把將涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體的制造及半導(dǎo)體的檢查的所有信息，按照邏輯表現(xiàn)形式，賦予表示所述信息作用的元數(shù)據(jù)的范例作為類別進(jìn)行表現(xiàn)和存儲的存儲裝置；分別連接該存儲裝置和半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體檢查裝置間的存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)，所述存儲裝置可以從所述半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)環(huán)境進(jìn)行無縫訪問。


圖1是說明涉及本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的圖示。
圖2是按照UML的表記，以類別表現(xiàn)邏輯信息的圖示。
圖3是以類別表現(xiàn)作為邏輯信息的元件信息的關(guān)聯(lián)的圖示。
圖4是以類別表現(xiàn)作為邏輯信息的圖形信息的圖示。
圖5是以類別表現(xiàn)作為邏輯信息的圖形信息、描繪信息等的關(guān)聯(lián)的圖示。
圖6是表示孔徑和開口的例子的圖示。
圖7是說明按照圖形密度可變控制描繪裝置的臺架速度的例子的圖示。
圖8是說明按照圖形密度調(diào)整臺架速度的例子的圖示。
圖9是說明按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的元件的作用變化臺架速度的例子的圖示。
圖10是說明按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的元件的作用調(diào)整臺架速度的例子的圖示。
圖11是說明按照元件的優(yōu)先度變化臺架速度的例子的圖示。
圖12是說明按照元件的優(yōu)先度調(diào)整臺架速度的例子的圖示。
圖13是說明根據(jù)多個(gè)半導(dǎo)體層(層)的圖形信息對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正的處理的圖示。
圖14說明根據(jù)基于多個(gè)半導(dǎo)體層的信息檢測出的圖形的面積及圖形的相互重疊對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正的處理的圖示。
圖15是說明根據(jù)構(gòu)成多個(gè)半導(dǎo)體層各層的材料的材質(zhì)信息進(jìn)行補(bǔ)正的處理的圖示。
圖16是說明取得檢查結(jié)果的范例，并根據(jù)取得的范例對描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)正的例子的圖示。
圖17是說明根據(jù)圖形信息選擇保護(hù)層種類的處理的圖示。
圖18是說明根據(jù)元件信息決定是否應(yīng)該檢查該元件的處理的圖示。
圖19是說明根據(jù)被檢查對象元件的優(yōu)先度信息決定是否應(yīng)該進(jìn)行檢查的處理的圖示。
圖20是說明根據(jù)圖形信息中的補(bǔ)正信息決定是否應(yīng)該進(jìn)行檢查的處理的圖示。
圖21是說明根據(jù)圖形信息只將具有預(yù)先設(shè)定的特定形狀的部分作為檢查對象設(shè)定的處理的圖示。
圖22是說明根據(jù)圖形信息判定由單元投影進(jìn)行的描繪，當(dāng)判定為由單元投影進(jìn)行的描繪時(shí)，從檢查對象中排除的處理的圖示。
圖23是表示根據(jù)元件的作用判定是否補(bǔ)正的例子的圖示。
圖24是表示在半導(dǎo)體制造系統(tǒng)中的計(jì)算機(jī)及存儲裝置的配置例的圖示。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是說明涉及本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的圖示。圖1示出了利用存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)(例如SAN(存儲區(qū)域網(wǎng)))連接存儲裝置(存儲媒體卷)3000～3003、作為設(shè)計(jì)環(huán)境的計(jì)算機(jī)1001～1002、制造裝置4000～4001及檢查裝置4002的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)。
如圖所示，存儲媒體卷3000存儲邏輯設(shè)計(jì)信息10的范例、芯片信息20的范例、網(wǎng)絡(luò)信息30的范例、層信息40的范例、元件信息50的范例、單元信息60的范例、配置信息70的范例以及圖形信息90的子類別的范例。
另外，存儲媒體卷3001存儲材質(zhì)信息120以及處理結(jié)果130。存儲媒體卷3002存儲優(yōu)先度信息140。存儲媒體卷3003存儲特性信息100的子類別的范例以及加工信息110的范例。另外，這些存儲媒體卷與SAN2000連接。
再者，計(jì)算機(jī)1000、1001、1002、掩模用電子束描繪裝置等的光刻裝置4000、CVD等的加工裝置4001、SEM等的檢查裝置4002與SAN2 000及網(wǎng)絡(luò)5000連接。
當(dāng)使用SAN作為存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)2000時(shí)，利用FC(光纖通道)作為網(wǎng)絡(luò)媒體。這時(shí)使用FC-SCSI等的協(xié)議。另外，當(dāng)利用Ethernet(注冊商標(biāo))時(shí)，使用iSCSI等的協(xié)議。再者，當(dāng)存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)為WAN(寬域網(wǎng))時(shí)，可以構(gòu)筑FC和Ethernet(注冊商標(biāo))等的混合環(huán)境。例如，通過在FC-IP或iFCP等的協(xié)議間進(jìn)行協(xié)議變換，遠(yuǎn)距離傳送部分可以通過IP數(shù)據(jù)包進(jìn)行通信。因此能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模的存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)2000。另外，所述存儲媒體卷是表示物理存儲裝置或邏輯存儲裝置的單位。通過這樣構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)，從任意一個(gè)裝置都可以參照存儲在物理地或邏輯地分散著的存儲裝置中的信息。
圖2是按照UML(Unified Modeling Language統(tǒng)一模型描述語言)的表記，用類別表現(xiàn)邏輯信息的圖示。
邏輯設(shè)計(jì)信息10是要求規(guī)格或邏輯設(shè)計(jì)信息等的信息。涉及與該邏輯設(shè)計(jì)信息10對應(yīng)的芯片的信息為芯片信息20。芯片信息20與網(wǎng)絡(luò)信息30和層信息40關(guān)聯(lián)。另外，網(wǎng)絡(luò)信息30與元件信息50及單元信息60有關(guān)系，并保存涉及與多個(gè)元件信息50及單元信息60進(jìn)行連接的信息。
層信息40保持與涉及在半導(dǎo)體制造中的擴(kuò)散層、配線層等各層信息的關(guān)聯(lián)。另外，層信息40保持與材質(zhì)信息120的聯(lián)系。芯片信息20和裝置信息170通過裝置的處理結(jié)果120相關(guān)聯(lián)。
單元信息60是按每一加工所準(zhǔn)備的功能零件，該零件因?yàn)橥ㄟ^多層層疊來實(shí)現(xiàn)，所以與多個(gè)層信息40有關(guān)系。另外，該零件因?yàn)橥ㄟ^晶體管等功能零件和配線等連接零件的組合來實(shí)現(xiàn)，所以保存有保存多個(gè)元件信息50的配置或連接路徑信息的配置信息70。進(jìn)而，元件因?yàn)榫哂鞋F(xiàn)實(shí)形狀，為了保持涉及該形狀的信息，而保持多個(gè)圖形信息90。再者，該圖形信息90保持著與所述層信息40的雙向關(guān)聯(lián)。
這樣，通過保持信息的關(guān)聯(lián)，在從上層邏輯設(shè)計(jì)信息10探尋信息的關(guān)聯(lián)時(shí)，可以參照下層的元件信息50或單元信息60。另外，可以管理涉及具有標(biāo)準(zhǔn)功能的單元、構(gòu)成該單元的基本元件、該元件的現(xiàn)實(shí)形狀的信息。
當(dāng)使用元件的CAD信息，將元件只作為圖形進(jìn)行管理時(shí)，按每種元件的類別管理元件的制造步驟及檢查步驟較困難。但是，如本實(shí)施方式這樣，通過使用例如包括元件的功能信息的元件信息50、包括按每種加工準(zhǔn)備的功能零件的單元信息60等信息管理元件，可以按元件的每種類別管理元件的制造步驟及檢查步驟，例如，可以實(shí)施按元件每種類別進(jìn)行制造的最優(yōu)化以及檢查對象的縮減等。
圖3是以類別表現(xiàn)作為邏輯信息的元件信息的關(guān)聯(lián)的圖示。元件信息50是進(jìn)行基本操作的零件，保持著與涉及實(shí)際形狀的圖形信息90的關(guān)聯(lián)。另外，元件信息50保持與涉及該元件特性的特性信息100的關(guān)聯(lián)。該特性信息100因?yàn)閷庸さ囊来娑雀?，所以與加工信息110有關(guān)系。另外，加工信息110保持與材質(zhì)信息120的關(guān)系。再者，元件信息50因?yàn)橛信c各種裝置的信息發(fā)生關(guān)系的時(shí)候，所以保持與裝置信息170的關(guān)系。進(jìn)而，元件信息50保持與各元件的優(yōu)先度信息140的關(guān)聯(lián)。
元件信息50是全部元件的母類別，實(shí)際的元件，如圖未示的晶體管、接點(diǎn)、配線、微通路、襯墊的子類別與母類別存在繼承關(guān)系。例如，所述晶體管保持與作為特性信息的晶體管特有的晶體管特性的聯(lián)系。這種情況下，在所述晶體管特性中，保持以SPICE模式被利用的器件參數(shù)的信息等。
這樣，通過保持信息的關(guān)聯(lián)，可以管理各元件、涉及該元件的現(xiàn)實(shí)形狀的信息以及該元件的特性。由此，可以將元件固有的形狀或特性的信息，例如將在掩模制造中想描繪的圖形和考慮光鄰近補(bǔ)正(OPC)的、應(yīng)描繪圖形的雙方的圖形作為圖形信息90進(jìn)行管理。
圖4是用類別表現(xiàn)作為邏輯信息的圖形信息的圖示。圖形信息90是保持表現(xiàn)圖形信息的，至少具有表示圖形的外接區(qū)域的起點(diǎn)坐標(biāo)91及終點(diǎn)坐標(biāo)92。坐標(biāo)91是保持X坐標(biāo)和Y坐標(biāo)的類別。另外，圖形信息90是母類別，作為子類別的區(qū)域98包含多個(gè)圖形。
另外，圖形信息90派生出圖未示的路徑、多邊形、矩形、扇形或橢圓、環(huán)、點(diǎn)、梯形等標(biāo)準(zhǔn)的圖形形狀的子類別。所述路徑具有幅或端點(diǎn)形狀等的式樣信息，并保持與1線段的開始和結(jié)束相當(dāng)?shù)?個(gè)坐標(biāo)91的信息的關(guān)聯(lián)。所述多邊形具有充填形態(tài)等的樣式信息，并保持與三角形相當(dāng)?shù)?個(gè)坐標(biāo)的信息的關(guān)聯(lián)。所述矩形與所述多邊形同樣，具有充填形態(tài)等的樣式信息。所述扇形或橢圓具有開始角及結(jié)束角信息。所述環(huán)具有作為外圓半徑的外半徑和作為內(nèi)圓半徑的內(nèi)半徑。所述點(diǎn)是所述矩形圖案固定的形態(tài)。所述梯形與表示短邊的2個(gè)坐標(biāo)有關(guān)聯(lián)。這樣，通過抽象化管理圖形信息，可以簡化圖形的處理，可以不依靠CAD等格式進(jìn)行信息的交換。
圖5是以類別表現(xiàn)作為邏輯信息的圖形信息、描繪信息等的關(guān)聯(lián)的圖示。該圖表示圖形信息、電子束掩模描繪裝置或電子束直接描繪裝置的開口信息、檢查這些描繪結(jié)果的掩模檢查裝置的圖像信息或檢查使用該掩模的步進(jìn)曝光裝置的處理結(jié)果的基片檢查裝置的圖像信息的關(guān)聯(lián)。
開口信息180是圖形信息90的派生類別。開口信息180為了與實(shí)際的開口對應(yīng)而具有號碼等信息。實(shí)際的開口因?yàn)槎鄠€(gè)存在于被稱為孔徑的基板上，所以為了模擬該關(guān)系，孔徑信息190保持與多個(gè)開口信息180的關(guān)聯(lián)，各開口信息180保持著與孔徑信息190的關(guān)聯(lián)。另外，開口信息180保持著與作為在照射條件150下的試驗(yàn)描繪結(jié)果的描繪圖像140的關(guān)系。描繪圖像140是圖像信息160的子類別。
這樣，通過保持開口信息180及基于該開口的試驗(yàn)描繪的結(jié)果，可以進(jìn)行作為裝置的實(shí)際描繪結(jié)果的描繪圖像和所述試驗(yàn)描繪圖像的比較，可以容易地進(jìn)行因開口產(chǎn)生的描繪不良的抽出。
圖6是表示孔徑和開口的例子的圖示。對應(yīng)孔徑信息190的孔徑131具有多個(gè)孔徑類目132。另外，孔徑類目132具有多個(gè)開口121、122、123、124、125、126、127、128。
下面，對在半導(dǎo)體的制造裝置及檢查裝置中的處理進(jìn)行說明。
圖7是說明按照圖形密度可變控制描繪裝置的臺架速度的例子的圖示。通過按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的圖形的密度變更臺架速度，可以調(diào)整描繪速度。
描繪裝置取得可描繪區(qū)域內(nèi)的圖形信息的范例(步驟100)。圖形信息的范例可以根據(jù)圖2的芯片信息20和層信息40的關(guān)系以及層信息40和圖形信息90的關(guān)聯(lián)取得。接著，計(jì)算臺架移動方向(Y軸)的圖形密度(步驟110)。計(jì)算圖形密度(步驟120)，判定圖形密度(步驟130)，一直到范例消失。
當(dāng)圖形密度高時(shí)減慢臺架的移動速度(步驟140)，當(dāng)圖形密度低時(shí)加快臺架的移動速度(步驟150)。另外，如果圖形密度沒有變化，維持移動速度。這樣，通過調(diào)整臺架的移動速度，在可以改善生產(chǎn)率的同時(shí)，可以充分確保在圖形密度高的地方的圖形精度。
圖8是說明按照圖形密度調(diào)整臺架速度的例子的圖示。如圖所示，按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的圖形的密度調(diào)整臺架速度。描繪裝置有臺架移動長為最長、且描繪幅為最大的被稱為線條的描繪單位。
首先，取得該線條區(qū)域的圖形信息的范例(步驟102)。接下來計(jì)算臺架移動方向(Y軸)的圖形分布(步驟112)。計(jì)算圖形密度分布，直到范例消失(步驟122)。接著探測Y軸方向的圖形密度的分布(步驟132)。在圖形密度低的位置將臺架的移動時(shí)序設(shè)定為高速(步驟142)，在圖形密度高的位置將臺架的移動時(shí)序設(shè)定為低速(步驟152)。
按各范例設(shè)定移動時(shí)序，直到圖形信息的范例消失(步驟162)。這樣，通過設(shè)定移動時(shí)序，能夠根據(jù)設(shè)定的時(shí)序來推測生產(chǎn)率及描繪的精度。另外，當(dāng)生產(chǎn)率及精度出現(xiàn)問題時(shí)，可以在描繪前變更時(shí)序。
圖9是說明按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的元件的作用使臺架速度可變的圖示。通過按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的元件的作用變更臺架速度，可以調(diào)整描繪速度。
描繪裝置取得存在于可描繪區(qū)域內(nèi)的元件的元件信息的范例(步驟200)，取得元件的作用信息的范例(步驟210)。接下來判定元件的作用(步驟220)。作用可以從元件類別50的功能構(gòu)件數(shù)據(jù)取得。根據(jù)元件的作用，判定所要求的描繪精度，不要求高精度的元件，例如虛設(shè)襯墊的時(shí)候，加快臺架的移動速度(步驟250)。另外，要求高精度的元件，例如晶體管的柵極的時(shí)候，減慢臺架的速度(步驟240)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到元件信息的范例消失(步驟260)。
這樣，通過按照要描繪的元件的作用變更臺架的速度，能夠改善生產(chǎn)率。另外，要求高精度的元件也可以高精度地保持其精度。
圖10是說明按照存在于描繪區(qū)域內(nèi)的元件的作用調(diào)整臺架速度的例子的圖示。首先，描繪裝置取得所述線條區(qū)域的元件信息的范例(步驟202)，并沿著臺架移動方向，取得各元件的作用信息的范例(步驟212)。接著根據(jù)取得的元件的作用信息判定各元件的作用(步驟222)。
在對應(yīng)要求精度的元件的圖形的位置，將臺架移動速度設(shè)定為低速(步驟242)，在對應(yīng)不要求精度的元件的圖形的位置，將臺架移動速度設(shè)定為高速(步驟252)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到元件信息的范例消失(步驟262)。
這樣，可以按照各元件的作用制作移動速度的時(shí)序。另外，可以根據(jù)制作的時(shí)序事先推測生產(chǎn)率及精度。因此，當(dāng)在生產(chǎn)率或精度上出現(xiàn)問題時(shí)，可以在描繪前變更制作好的時(shí)序。
圖11是說明按照元件的優(yōu)先度(重要度)使臺架速度變化的例子的圖示。通過按照元件的優(yōu)先度變更臺架速度，可以調(diào)整描繪速度。
描繪裝置取得可描繪區(qū)域內(nèi)的元件的范例(步驟300)。接著取得元件的優(yōu)先度信息的范例(步驟310)。優(yōu)先度可以從優(yōu)先度類別120的層構(gòu)件數(shù)據(jù)取得。接下來判定優(yōu)先度(步驟320)。當(dāng)元件的優(yōu)先度高時(shí)，例如當(dāng)是制作基準(zhǔn)電壓的元件的柵極時(shí)，將臺架的移動速度設(shè)定為低速(步驟330)。當(dāng)元件的優(yōu)先度低時(shí)，將臺架的移動速度設(shè)定為高速(步驟340)。反復(fù)進(jìn)行該處理，直到元件信息的范例消失(步驟350)。這樣，通過按照元件的優(yōu)先度變更臺架速度，可以改善生產(chǎn)率的同時(shí)，可以以適合元件優(yōu)先度的精度進(jìn)行描繪。
圖12是說明按元件的優(yōu)先度(重要度)調(diào)整臺架速度的例子的圖示。首先，描繪裝置取得所述線條區(qū)域的元件信息的范例(步驟302)，并沿著臺架移動方向，取得各元件的優(yōu)先度信息的范例(步驟312)。接著判定優(yōu)先度(步驟322)，根據(jù)判定的元件的優(yōu)先度，在對應(yīng)優(yōu)先度高的圖形的位置，將臺架的工作時(shí)序設(shè)定為低速(步驟342)，在對應(yīng)優(yōu)先度低的圖形的位置，將臺架的工作時(shí)序設(shè)定為高速(步驟352)。反復(fù)進(jìn)行該處理，直到元件信息的范例消失(步驟362)。
這樣，可以按照元件的優(yōu)先度(重要性)調(diào)整臺架的速度。另外，可以根據(jù)制作的時(shí)序事先推測生產(chǎn)率及精度。因此，當(dāng)在推測的生產(chǎn)率或精度上出現(xiàn)問題時(shí)，可以在描繪前變更時(shí)序。
圖13是說明根據(jù)多個(gè)半導(dǎo)體層(層)的圖形信息對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正的處理的圖示。首先，取得被補(bǔ)正層的圖形信息的范例(步驟400)。接著，取得其他層的層信息的范例(步驟410)，進(jìn)而取得其他層的圖形信息的范例(步驟420)。接下來，根據(jù)所述取得的被補(bǔ)正層的圖形信息和其他層的圖形信息實(shí)施補(bǔ)正(步驟430)，存儲補(bǔ)正信息(步驟440)。對全部必要數(shù)的層實(shí)施該補(bǔ)正處理(步驟450)。
這樣，通過根據(jù)多個(gè)半導(dǎo)體層(層)的圖形信息對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正，可以補(bǔ)正例如由電子束描繪裝置中的電子的透射及反射產(chǎn)生的影響。
圖14是說明根據(jù)以多個(gè)半導(dǎo)體層的信息為基礎(chǔ)檢測出的圖形的面積及圖形的相互重疊對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正的處理的圖示。首先，取得被補(bǔ)正層的信息(步驟402)。接著取得其他層的層信息的范例(步驟412)，進(jìn)而取得其他層的圖形信息的范例(步驟422)。接下來選擇存在于和被補(bǔ)正層的圖形重疊的區(qū)域或?qū)Ρ谎a(bǔ)正層的圖形產(chǎn)生影響的鄰近區(qū)域的圖形的范例(步驟432)。接下來根據(jù)所述選擇的其他層的圖形重疊部分的面積及層膜厚的關(guān)聯(lián)，對掩模數(shù)據(jù)施行補(bǔ)正(步驟442)。接著存儲補(bǔ)正信息(步驟452)。對必要數(shù)的層實(shí)施以上處理(步驟462)。
這樣，通過限定存在于將涉及補(bǔ)正的圖形和被補(bǔ)正層的圖形重疊的區(qū)域或?qū)Ρ谎a(bǔ)正層的圖形產(chǎn)生影響的鄰近區(qū)域的圖形，可以縮短補(bǔ)正計(jì)算處理所需要的時(shí)間。
圖15是說明根據(jù)構(gòu)成多個(gè)半導(dǎo)體層各層的材料的材質(zhì)信息進(jìn)行補(bǔ)正的處理的圖示。首先，取得被補(bǔ)正層的元件信息的范例(步驟500)。接著取得其他層的層信息的范例(步驟510)，進(jìn)而取得其他層的材質(zhì)信息的范例(步驟520)。接下來根據(jù)被補(bǔ)正層的材質(zhì)信息和其他層的材質(zhì)信息實(shí)施補(bǔ)正(步驟530)，并存儲補(bǔ)正信息(步驟540)。對必要數(shù)的層實(shí)施以上處理(步驟540)。
這樣，可以實(shí)施適合各層材質(zhì)的補(bǔ)正。因此，可以考慮例如由電子束描繪裝置中的電子的透射及反射產(chǎn)生的影響，可以提高補(bǔ)正的精度。
圖16是說明取得檢查結(jié)果的范例，并根據(jù)取得的范例對描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)正的例子的圖示。在圖中，以以下情形為例進(jìn)行說明即使用用于制造掩模的掩模用電子束描繪裝置、檢查所述掩模的掩模檢查裝置、使用所述掩模曝光的曝光裝置、以及檢查燒制有所述掩模圖案的基板的基板檢查裝置的情形。
首先，取得圖形信息的范例(步驟600)。取得與該圖形信息相當(dāng)?shù)难谀z查結(jié)果(步驟610)。在圖所示的例子中，如流程圖的左邊圖示，得知在掩模檢查結(jié)果和圖形信息之間沒有偏移。接著，取得與所述圖形信息相當(dāng)?shù)幕鍣z查結(jié)果(步驟620)。在圖所示的例子中，得知基板的檢查結(jié)果比圖形信息偏右。根據(jù)所述圖形信息、掩模檢查結(jié)果和基板檢查結(jié)果，判斷是否在精度的允許范圍(步驟630)，在允許范圍外時(shí)，導(dǎo)出所述圖形信息、掩模檢查結(jié)果和基板檢查結(jié)果的相關(guān)關(guān)系(步驟640)。在圖所示的例子中，圖形的偏移作為矢量，得到向右方向的一定值。接下來，根據(jù)該相關(guān)關(guān)系，對圖形信息施行補(bǔ)正(步驟650)。在圖所示的例子中，為了補(bǔ)正偏移的矢量，將圖形信息向反方向即左方向挪一挪。接著存儲所述補(bǔ)正的信息(步驟660)。在圖形信息存在時(shí)反復(fù)進(jìn)行以上處理(步驟670)。
這樣，通過對描繪數(shù)據(jù)進(jìn)行補(bǔ)正，可以將在步進(jìn)曝光裝置等的曝光裝置的不順利反饋給作為上層一側(cè)處理的圖形信息的范例。另外，在圖所示的例子中，雖然反饋給圖形信息，但是也可以追溯至邏輯設(shè)計(jì)信息進(jìn)行反饋。這樣，通過進(jìn)行反饋，可以進(jìn)行適合各裝置的機(jī)械誤差的數(shù)據(jù)修正。
圖17是說明根據(jù)圖形信息選擇保護(hù)層種類的處理的圖示。首先，取得區(qū)域內(nèi)的圖形(步驟700)，并計(jì)算圖形的總面積(步驟710)。將圖形的總面積和描繪區(qū)域的面積與圖形總面積(曝光面積)的差進(jìn)行比較(步驟720)，當(dāng)圖形的總面積大時(shí)，選擇負(fù)保護(hù)層(步驟730)。另外，當(dāng)圖形的總面積小時(shí)，選擇正保護(hù)層(步驟740)。由此，可以減少曝光面積。
圖18是說明根據(jù)元件信息決定是否應(yīng)該檢查該元件的處理的圖示。在圖所示的例子中，按照被檢查對象元件的作用(用途)判定是否應(yīng)該檢查。首先，取得檢查區(qū)域內(nèi)的元件信息的范例(步驟800)。接著取得元件信息的作用信息的范例(步驟810)。判定作用信息是否符合預(yù)先設(shè)定的條件(步驟820)。例如，在虛設(shè)襯墊的時(shí)候，不進(jìn)行檢查，在其他的時(shí)候?qū)嵭袡z查(步驟830)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到元件信息的范例消失(步驟840)。
這樣，通過按照作用進(jìn)行檢查對象的縮減，可以提高檢查的生產(chǎn)率。
圖19是說明根據(jù)被檢查對象元件的優(yōu)先度(重要性)信息決定是否應(yīng)該進(jìn)行檢查的處理的圖示。首先，取得檢查區(qū)域內(nèi)的元件信息的范例(步驟900)。接著取得元件信息的優(yōu)先度信息的范例(步驟910)。接下來根據(jù)優(yōu)先度判定是否應(yīng)該進(jìn)行檢查(步驟920)。當(dāng)判定是應(yīng)該檢查優(yōu)先度的元件時(shí)，實(shí)行檢查(步驟930)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到元件信息的范例消失(步驟940)。
這樣，通過按照優(yōu)先度進(jìn)行檢查對象的縮減，可以提高檢查的生產(chǎn)率。
圖20是說明根據(jù)圖形信息中的補(bǔ)正信息決定是否應(yīng)該進(jìn)行檢查的處理的圖示。在圖所示的例子中，只檢查施行補(bǔ)正的部分。首先，取得檢查區(qū)域內(nèi)的圖形信息(流程圖的左邊所示)的范例(步驟1000)。接著取得補(bǔ)正信息的范例(步驟1010)。補(bǔ)正信息與補(bǔ)正前的圖形信息90不同，作為圖形信息90的范例，可以作為元件信息50的描繪信息之一保存。進(jìn)行所述圖形信息和所述補(bǔ)正信息的圖形運(yùn)算(步驟1020)。在此求得圖形的差。當(dāng)分圖形存在時(shí)，將臺架移動到差圖形上(步驟1030)，檢查該圖形部分(步驟1040)。接著判定差圖形的有無(步驟1050)，反復(fù)進(jìn)行所述臺架的移動和檢查，直到差圖形消失。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到圖形信息的范例消失(步驟1060)。
這樣，通過在實(shí)施補(bǔ)正的部分縮減檢查對象，可以提高檢查的生產(chǎn)率。
圖21是說明根據(jù)圖形信息只將具有預(yù)先設(shè)定的特定形狀的部分作為檢查對象設(shè)定的處理的圖示。首先，取得檢查區(qū)域內(nèi)的圖形信息的范例(步驟1100)。接著取得描繪數(shù)據(jù)(步驟1110)，進(jìn)行形狀的判定(步驟1120)。例如判定是否具有45度、135度、225度、315度的頂點(diǎn)。當(dāng)在該判定為一致的圖形時(shí)，實(shí)行檢查(步驟1130)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到圖形信息的范例消失(步驟1140)。
這樣，通過在特定形狀的部分縮減檢查對象，可以提高檢查的生產(chǎn)率。
圖22是說明根據(jù)圖形信息判定由單元投影進(jìn)行的描繪，當(dāng)判定為由單元投影進(jìn)行描繪時(shí)，從檢查對象中排除的處理的圖示。在圖所示的例子中，由單元投影進(jìn)行的描繪以能夠穩(wěn)定進(jìn)行均勻且高精度的描繪為前提從檢查對象中排除。首先，取得處理區(qū)域內(nèi)的圖形信息的范例(步驟1200)。接著取得所述圖形信息的描繪信息的范例(步驟1210)，判定用于實(shí)行單元投影的孔徑號碼是否提供給描繪信息為圖形信息90的子類別的開口信息120(步驟1220)。當(dāng)單元投影的孔徑號碼提供給描繪信息時(shí)，不進(jìn)行檢查，當(dāng)只提供描繪的坐標(biāo)信息時(shí)，實(shí)行檢查(步驟1230)。反復(fù)進(jìn)行以上處理，直到圖形信息的范例消失(步驟1240)。
這樣，通過將不必要檢查的部分從檢查對象中排除，可以提高檢查的生產(chǎn)率。
圖23是表示根據(jù)元件的作用判定是否補(bǔ)正的例子的圖示。在圖中，作為補(bǔ)正，以光學(xué)鄰近補(bǔ)正(OPC)為例進(jìn)行說明。首先，取得區(qū)域內(nèi)的元件信息的范例(步驟1300)。接著取得元件信息的作用信息的范例(步驟1310)。判定所述作用信息是否符合預(yù)先設(shè)定的條件(步驟1320)。當(dāng)與所述條件符合一致時(shí)，實(shí)行OPC(步驟1330)。
作為所述條件，例如在配線層，如果是虛設(shè)襯墊，因?yàn)椴恍枰?，所以設(shè)定為“不需OPC”，如果是配線或微通路，因?yàn)樾枰龋栽O(shè)定為“必需OPC”。另外，在將配線設(shè)定為“必需OPC”的情況下，也可以進(jìn)行例如對電源配線或時(shí)鐘脈沖配線嚴(yán)密地實(shí)施OPC，對其他的配線粗略地實(shí)施OPC等的差別化設(shè)定。反復(fù)實(shí)行以上處理，直到圖形信息的范例存在(步驟1340)。
這樣，通過縮減應(yīng)該補(bǔ)正的對象，可以縮短補(bǔ)正處理的時(shí)間。
圖24是表示在半導(dǎo)體制造系統(tǒng)中的計(jì)算機(jī)及存儲裝置的配置例的圖示。在圖所示的例子中，物理分離計(jì)算機(jī)及存儲裝置。另外，在各裝置間，可以邏輯地共有計(jì)算機(jī)及存儲裝置。
在凈化室5010設(shè)置有光刻裝置4000、加工裝置4001、檢查裝置4002，分別與開關(guān)或結(jié)構(gòu)模塊等中繼裝置2010連接。在計(jì)算機(jī)室5020設(shè)置有計(jì)算機(jī)1000、1001、1002，分別與開關(guān)或結(jié)構(gòu)模塊等中繼裝置2020連接。在數(shù)據(jù)中心5030設(shè)置有存儲裝置3000、3001、3002、3003，分別與開關(guān)或結(jié)構(gòu)模塊等中繼裝置2030連接。另外，凈化室5010、計(jì)算機(jī)室5020、數(shù)據(jù)中心5030分別通過通信路徑2100以及2110連接。
通過這樣的構(gòu)成，因?yàn)榭刹槐乩缭谠O(shè)置裝置的半導(dǎo)體制造現(xiàn)場的凈化室設(shè)置計(jì)算機(jī)及存儲裝置，所以可以削減凈化室的建筑面積。另外，可以降低凈化室的施工及維護(hù)成本。
另外，通過從凈化室5010排除計(jì)算機(jī)1000、1001、1002，在使計(jì)算機(jī)的更換等維護(hù)作業(yè)變得容易進(jìn)行的同時(shí)，可以減輕廢熱或EMC的問題。進(jìn)而可以使用與凈化室5010分開的數(shù)據(jù)中心5030管理作為重要數(shù)據(jù)的范例，對地震等的災(zāi)害對策也有利。
另外，通過選擇通信路徑2100、2110以及開關(guān)或結(jié)構(gòu)模塊2010、2020、2030，可以將半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的分散規(guī)模變更為可擴(kuò)縮的。例如，如果將通信路徑2100、2110、開關(guān)或結(jié)構(gòu)模塊2010、2020、2030與光纖通道對應(yīng)，采用光纜，則可以在最長10Km的范圍內(nèi)分散。另外，如果采用廣域IP網(wǎng)作為通信路徑2100、2110，則可以進(jìn)行世界規(guī)模的分散。
如上說明，根據(jù)本實(shí)施方式，邏輯地記錄涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造及檢查的信息，進(jìn)而將優(yōu)先度等的元數(shù)據(jù)提供給記錄的信息。由此，可以在半導(dǎo)體的邏輯設(shè)計(jì)、制造以檢查部門間無縫處理數(shù)據(jù)。因此，不需要格式的變換，且消除伴隨格式變換造成的數(shù)據(jù)缺漏。由此可以提高在設(shè)計(jì)、制造及檢查各部門的處理精度。另外，可以提高生產(chǎn)率。
如上說明，根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠無縫處理涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造以及檢查的信息的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于具有把將涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體的制造以及半導(dǎo)體的檢查的所有信息，根據(jù)邏輯表現(xiàn)形式，賦予表示所述信息作用的元數(shù)據(jù)的范例作為類別進(jìn)行表現(xiàn)和存儲的存儲裝置；分別連接該存儲裝置和半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體檢查裝置間的存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)；所述存儲裝置可以從所述半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)環(huán)境進(jìn)行無縫訪問。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有描繪裝置，該描繪裝置的描繪速度根據(jù)范例的優(yōu)先度數(shù)據(jù)變更。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有調(diào)整描繪裝置的描繪速度的裝置，根據(jù)范例的優(yōu)先度數(shù)據(jù)調(diào)整描繪速度。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有描繪裝置，該描繪裝置的描繪速度根據(jù)范例的圖形密度數(shù)據(jù)變更。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有調(diào)整描繪裝置的描繪速度的裝置，根據(jù)范例的圖形密度數(shù)據(jù)調(diào)整描繪速度。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有描繪裝置，該描繪裝置的描繪速度根據(jù)范例的作用數(shù)據(jù)變更。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有調(diào)整描繪裝置的描繪速度的裝置，根據(jù)范例的作用數(shù)據(jù)調(diào)整描繪速度。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有描繪裝置，該描繪裝置的描繪速度根據(jù)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的其他層的范例變更。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有調(diào)整描繪裝置的描繪速度的裝置，根據(jù)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的其他層的范例調(diào)整描繪速度。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有描繪裝置，該描繪裝置的描繪信息根據(jù)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的其他層的范例的面積信息變更。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有在半導(dǎo)體裝置表面形成保護(hù)層的裝置，根據(jù)構(gòu)成半導(dǎo)體裝置的其他層的范例的面積信息選擇該保護(hù)層的種類。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體檢查裝置根據(jù)范例的作用數(shù)據(jù)選擇檢查對象。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體檢查裝置根據(jù)范例的作用數(shù)據(jù)決定檢查位置。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體檢查裝置根據(jù)范例的被補(bǔ)正數(shù)據(jù)決定檢查位置。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，其特征在于所述半導(dǎo)體制造裝置具有以單元投影方式描繪的裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可以無縫處理涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、制造以及檢查信息的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，該半導(dǎo)體制造系統(tǒng)具有把將涉及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體的制造及半導(dǎo)體的檢查的所有信息，按照邏輯表現(xiàn)形式，賦予表示所述信息作用的元數(shù)據(jù)的范例作為類別進(jìn)行表現(xiàn)存儲的存儲裝置3000～3003；分別連接該存儲裝置3000～3003和半導(dǎo)體制造裝置4000、4001以及半導(dǎo)體檢查裝置4002間的存儲裝置用網(wǎng)絡(luò)2000。所述存儲裝置可以從所述半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)環(huán)境進(jìn)行無縫訪問。
文檔編號G03F1/68GK1577731SQ20041006976
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月14日
發(fā)明者納谷英光, 富吉力生 申請人:株式會社日立高新技術(shù)