專利名稱：發(fā)光二極管面光源的制作方法
技術領域：
本實用新型是關于一種平面顯示器用面光源，特別是關于一種應用于液晶顯示器的發(fā)光二極管面光源。
背景技術：
由于液晶顯示器面板中的液晶本身不發(fā)光，因此，為達到顯示效果，須給液晶顯示器面板提供一面光源裝置，如背光源或前光源，其功能是向液晶顯示器面板提供亮度充分且分布均勻的平面光。
現有技術的面光源主要由光源、導光板、反射板、擴散板及棱鏡板等組成。其中，該光源可設置在導光板一側或兩相對側并將光線發(fā)射到該導光板。該導光板的作用是引導光線傳輸方向，使光線由導光板的出光面均勻出射。因為光源發(fā)出的光線從導光板側面進入，所以導光板靠近光源的部分亮度較高，而遠離光源的部分亮度較低，因此，為增加導光板的亮度及均勻度，通常在導光板的出光面設置V形槽或在其底面配置光擴散網點。當光線傳輸到光擴散網點時，光線將發(fā)生反射及散射，并向各個不同方向傳輸，最終從導光板的出光面射出。利用各種疏密、大小不同的V形槽或光擴散網點，可以使由導光板出射的光線均勻。
請參閱圖1，一種現有技術的面光源裝置10包括一導光板120與設置在該導光板120一側的線光源110。由于線光源110的亮度兩端分布比較弱，中部分布比較強，使得導光板120鄰近線光源110的兩端角處會有暗區(qū)130出現，影響導光板120出射光之均勻度與亮度。
請參閱圖2，又一種現有技術的面光源裝置20包括一導光板220、設置在導光板220一側的發(fā)光二極管光源210及一設置在該導光板220底面的反射板(圖未示)。發(fā)光二極管光源210以一定的發(fā)光角度(最大的發(fā)光角為130度)發(fā)出的光進入導光板220中。光線進入導光板220的光能量分布不均勻，其中在鄰近光源210且位在發(fā)光角度之外的部分區(qū)域形成暗區(qū)230，其亮度最低，影響導光板220出射光的均勻性及亮度。
一般提高導光板出光亮度消除暗區(qū)的方法是增加發(fā)光二極管數目，減小發(fā)光二極管間距使光能涵蓋整個顯示區(qū)域，但會增加面光源裝置的成本。
另一種解決方法是將發(fā)光二極管與導光板之間的距離變大使光能涵蓋整個顯示區(qū)域，但會增加面光源裝置的體積。

實用新型內容為了克服現有技術中發(fā)光二極管面光源存在暗區(qū)而導致光線分布不均勻的缺陷，本實用新型提供一種消除暗區(qū)且光線在導光板內分布均勻的發(fā)光二極管面光源。
本實用新型解決技術問題所采用的技術方案是提供一種發(fā)光二極管面光源，其包括至少一發(fā)光二極管與一導光板，該導光板包括一第一側面、至少一與該第一側面相鄰的第二側面、一與該第一側面相鄰的出光面及一與該出光面相對的底面，該發(fā)光二極管設置在該第一側面的對應邊端，其中該第二側面是向導光板中心傾斜的斜面，該斜面設有V形槽。
相較現有技術，本實用新型的有益效果是因為該發(fā)光二極管設置在該導光板第一側面的對應邊端，且該導光板的第二側面是一斜面結構，該側面設置有V形槽，使光線入射經過斜面反射后更為均勻傳輸到整個導光板，該導光板的底面配合設置有網點，該網點之大小與密度沿遠離該發(fā)光二極管的方向遞增，從而具有消除暗區(qū)且光線在導光板內分布均勻的功效。

圖1是現有技術面光源裝置的平面示意圖。
圖2是另一現有技術面光源裝置的平面示意圖。
圖3是本實用新型發(fā)光二極管面光源第一實施方式的立體圖。
圖4是第三圖發(fā)光二極管面光源的底面網點分布圖。
圖5是本實用新型發(fā)光二極管面光源第二實施方式的平面示意圖。
具體實施方式請參閱圖3，是本實用新型發(fā)光二極管面光源的第一實施方式的立體圖。該發(fā)光二極管面光源3包括一導光板31與一發(fā)光二極管32。該導光板31包括一第一側面311、與該第一側面311相鄰的第二側面312與第三側面313、一與該第一側面311相對的第四側面317、一與該第一側面311相鄰的出光面314及一與該出光面314相對的底面315，其中該第一側面311的一邊端開設一凹槽316，其用以收容該發(fā)光二極管32。
該凹槽316與該發(fā)光二極管32相對的曲面3161是部分圓柱面或部分橢圓柱面，為了降低該發(fā)光二極管32發(fā)出的光束在該曲面3161反射產生的能量損耗，該發(fā)光二極管32位于該曲面3161圓心處，以使發(fā)光二極管32發(fā)出的光束垂直于凹槽316的表面入射。為使發(fā)光二極管32發(fā)出的光束全部從凹槽316進入導光板31，該凹槽316的弧度與對應發(fā)光二極管32的發(fā)射角相等，從而提高光束利用率。
該第二側面312是一向導光板31中心傾斜的斜面，該斜面具有一定的斜角，可使光線經過該第二側面312反射后均勻擴散到整個導光板31內，從而消除暗區(qū)。為使光束更加均勻擴散到整個導光板31內，該第二側面312上設置有V形槽3121，從發(fā)光二極管32出射的光線經過該第二側面312反射后可更加均勻擴散到整個導光板31內。該V形槽3121可以以相同的密度設置在第二側面312上，即該V形槽3121中每一V形角度、深度及寬度都相同，且相鄰V形槽的間距也相同。該V形槽3121也可以以不同密度分布在第二側面312上，其中該V形槽3121的每一V形角度、深度及寬度沿遠離發(fā)光二極管32而遞增。其中該V形槽3121中每一V形槽也可以是梯形、多邊形等其它形狀。該V形槽3121可以與導光板31一體射出成型，也可用化學蝕刻咬花法、激光直寫法及精密機械加工法等方法制造。
請一并參閱圖4，是本實用新型圖3發(fā)光二極管面光源的底面網點分布圖。該導光板31的底面315設置網點3151，該網點3151的分布與該第二側面312的V形槽3121相配合，使光束在導光板31內分布更加均勻。其中每一網點的大小是沿遠離發(fā)光二極管32的方向遞增排列，離發(fā)光二極管32越近，其大小越小且分布越疏；離發(fā)光二極管32越遠，其大小越大且分布越密。該網點可以是微棱鏡形、圓球狀、圓柱狀、正方體或金字塔形。
該導光板31的出光面314上可設置有V形槽(圖未示)增強出射光的亮度，該V形槽也可以是梯形、圓弧狀等其它形狀。
為了進一步增強導光板31的亮度，可以在第一側面311、第二側面312、第三側面313及第四側面317上設置具有較高反射率的反射膜(圖未示)，其反射率的大致范圍在90％到99％之間，該反射膜可以用電鍍(Ion Plating)法、濺鍍(Sputtering)法等鍍上銀、鋁、二氧化鈦等具有高反射率的金屬或其氧化物而形成。
本實用新型發(fā)光二極管面光源之第二實施方式如圖5所示，該發(fā)光二極管面光源5與第一實施方式不同之處在于該導光板51的第二側面512與第三側面513分別是向導光板51的中心傾斜，而且在該斜面512、513上分別設置V形槽5121、5131，即該導光板51的第一側面511長度大于其相對的第四側面514長度，且該發(fā)光二極管52設置在該第一側面511的邊端，因此光線經過該第二側面512與第三側面513反射后均勻擴散到整個導光板51內。
因為該發(fā)光二極管52設置在該導光板51第一側面511的對應邊端，該導光板的第二側面512和第三側面513是一斜面，該兩側面設置V形槽5121和5131，使光線入射經過斜面反射后更加均勻傳輸到整個導光板51。該導光板51的底面配合設置網點(圖未示)，該網點的大小與密度沿遠離該發(fā)光二極管52的方向遞增，從而具有消除暗區(qū)且光線在導光板51內分布均勻的功效。
權利要求1.一種發(fā)光二極管面光源，其包括至少一發(fā)光二極管與一導光板，該導光板包括一第一側面、至少一與該第一側面相鄰的第二側面、一與該第一側面相鄰的出光面及一與該出光面相對的底面，該發(fā)光二極管設置在該第一側面的對應邊端，其特征在于該第二側面是向導光板中心傾斜的斜面，該斜面設有V形槽。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該第一側面的邊端具有一凹槽以容納該發(fā)光二極管。
3.根據權利要求2所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該凹槽與該發(fā)光二極管相對的曲面是部分圓柱面或部分橢圓柱面。
4.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該V形槽的V形角度是沿著遠離該發(fā)光二極管的方向遞增。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該V形槽的槽高是沿著遠離該發(fā)光二極管的方向遞增。
6.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該V形槽的槽寬是沿著遠離該發(fā)光二極管的方向遞增。
7.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該底面設有網點。
8.根據權利要求7所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該網點的大小是沿遠離該發(fā)光二極管的方向遞增。
9.根據權利要求7所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該網點的密度是沿遠離該發(fā)光二極管的方向遞增。
10.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管面光源，其特征在于該出光面設有V形槽。
專利摘要本實用新型是關于一種發(fā)光二極管面光源，其包括至少一發(fā)光二極管與一導光板，該導光板包括一第一側面、至少一與該第一側面相鄰的第二側面、一與該第一側面相鄰的出光面及一與該出光面相對的底面，該發(fā)光二極管設置在該第一側面的對應邊端，其中該導光板的第二側面為一斜面，該斜面設有V形槽。
文檔編號G02F1/13GK2638097SQ0324770
公開日2004年9月1日 申請日期2003年6月23日 優(yōu)先權日2003年6月23日
發(fā)明者蔡坤榮 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司